DE2346719A1 - Bestrahlungsmaske fuer eine strukturerzeugung in fotolacken mit roentgenstrahlbelichtung - Google Patents
Bestrahlungsmaske fuer eine strukturerzeugung in fotolacken mit roentgenstrahlbelichtungInfo
- Publication number
- DE2346719A1 DE2346719A1 DE19732346719 DE2346719A DE2346719A1 DE 2346719 A1 DE2346719 A1 DE 2346719A1 DE 19732346719 DE19732346719 DE 19732346719 DE 2346719 A DE2346719 A DE 2346719A DE 2346719 A1 DE2346719 A1 DE 2346719A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- carrier
- rays
- layer
- creating
- lacqueres
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 4
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
- Y10T428/24322—Composite web or sheet
- Y10T428/24331—Composite web or sheet including nonapertured component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/266—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension of base or substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31623—Next to polyamide or polyimide
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAb1T Hunches, 17. SEP. 1973
Berlin und München Wittelsbaeherpl. 2
VPA
73/7153
Bestrahlungsmaske für eine Strukturerzeugung in Fotolacken mit Röntgenstrahlbelichtung.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Bestrahlungsmaske mit
einer maskierenden Struktur und einem Träger für diese Struktur zur Strukturerzeugung in Fotolacken mittels Röntgenstrahlen,
bei der Justiermarken auf dem Träger angebracht sind.
Aus der Literaturstelle "Solid State Technology", Juli 1972, S.21 bis 25 ist bekannt, bei fotolithografischen Prozessen
zur Herstellung von Halbleitersystemen mit Strukturabmessungen
im Mikrometerbereich bei der Belichtung des Fotolackes· Röntgenstrahlen zu verv/enden. Bei Benutzung von Röntgenstrahlen
zur Belichtung werden Beugungserscheinungen bei der Projektion der maskierenden Strukturen auf die Fotolackschicht
herabgesetzt, insbesondere dann, wenn ein endlicher Abstand zwischen Bestrahlungsmaske und der Fotolackschicht
beim Belichten eingehalten werden soll. Nach dem Stand der Technik benutzt man die Röntgenstrahlen auch gleichzeitig
dazu, die Bestrahlungsmaske bezüglich der Halbleiterscheiben, auf denen sich die Fotolackschicht befindet, in ihrer geometrischen
Position zu justieren.
Die Verwendung von Röntgenstrahlen zur Justierung der Position der Halbleiterscheiben verlangt relativ großen Aufwand
an Röntgenapparaturen. Ferner sind weitere Arbeitsprozesse an den Halbleiterscheiben erforderlich, da die Scheiben an
entsprechenden Stellen dünn geätzt werden müssen. Abgesehen davon, sind beim Arbeiten mit Röntgenstrahlen erhebliche
SicherheitsVorkehrungen für das Bedienungspersonal erforderlich, so daß auch hierdurch zusätzlicher Arbeitsaufwand
erforderlich wird.
VPA 9/710/3093 -2-
Joc/Bla
5098 19/0380
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, bei lithografischen
Prozessen, bei denen Strukturen mittels Röntgenstrahlen im Fotolack erzeugt v/erden sollen, die Verwendung von
Röntgenstrahlen für die Zeitdauer der Justierarbeiten zur Positionierung der Halbleiterscheiben bezüglich der Bestrahlungsmaske
zu umgehen.
Diese Aufgabe -wird mit einer wie oben angegebenen Bestrahlungsmaske gelöst, die erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist,
daß deren Träger aus einer etwa 5 bis 10/um dicken Schicht
besteht, wobei für diese Schicht ein Trägermaterial vorgesehen ist, das sowohl für Röntgenstrahlen als auch für Strahlen
aus dem Gebiet des sichtbaren Spektralbereiches durchdringbar ist.
Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, daß beim Betrachten der Justiermarken mit dem Mikroskop im Auflicht die mit dem
Fotolack versehene Halbleiterscheibe nicht durchstrahlt werden muß. Zur Justierung kann ein Mikroskop für Licht aus dem
sichtbaren Spektralbereich verwendet werden, wenn der Träger auch für diese Strahlung durchdringbar ist.
In der Fig.1 ist ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Vorrichtung dargestellt. Die Bestrahlungsmaske 1 besteht aus einem Siliziumkörper, der auf der einen
Breitseite einer Oberfläche mit einem Träger 2 aus Polyimidharz beschichtet ist. Dieser Träger 2 ist etwa 1 bis 5/um
dick. An den Stellen 3 und 4 ist die Bestrahlungsmaske mit Hilfe eines selektiven Ätzmittels, das nur Silizium aber
nicht das Polyimid angreift, durchgeätzt. An der Stelle 3 ist auf den Träger 2 die Justiermarke 5 aus Gold mit einer
Dicke von etwa 1 /um angeordnet. An der Stelle 4 sind auf
dem Träger 2 die maskierenden Strukturen 6 angeordnet. .Auf der zu bearbeitenden Halbleiterscheibe 7» die die Fotolackschicht
22 trägt, ist eine komplementäre Justiermarke 8 ange-
VPA 9/710/3093 -3-
5 0 9819/0380
bracht, die mit Hilfe der senkrecht auf den Träger einfallenden Lichtstrahlen 9 und des Mikroskops 10 in Opposition zu
der Justiermarke 5 gebracht wird. Die Justierung der Position der Halbleiterscheibe 7 ist dann erreicht, wenn die Umrisse
der Justiermarlce 8 Tollständig im Auf licht durch das Mikroskop beobachtet v/erden können.
Der Vorteil der Justierung der Halbleiterscheibe im Auflicht liegt darin, daß die Lichtstrahlen 9 die Halbleiterscheibe
im Gegensatz zur Justierung mit Hilfe von Röntgenstrahlen nicht durchdringen müssen. Durch diese Tatsache wird eine Ätzung
zur Reduzierung der Dicke der Halbleiterscheibe in der näheren Umgebung der Justiermarke 8 vermieden. Ein weiterer Torteil
liegt in der Verwendung handelsüblicher optischer Justiergeräte, wie z.B. Justiermikroskopen, die lediglich mit einer
zusätzlichen Vorrichtung zur Röntgenstrahlbelichtung gekoppelt werden müßten.
Da die Halbleiterscheibe 7 in zwei linearen Freiheitsgraden (x, y) sowie einem Rotationsfreiheitsgrad (Θ) auf seiner Unterlage
beweglich ist, so sind zur eindeutigen Positionierung der Halbleiterscheibe 7 zwei gleichartige Paare von Justiermarken
zur Justierung der Scheibe erforderlich. In Fig.2 ist die Anordnung der Justiermarken auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe
7 dargestellt. Dabei gehen die Justiermarken 5 und 8 z.B. zur Fixierung in x- bzw. y-Richtung und die Justiermarken
50 und 80 z.B. zur Fixierung bei Drehung in θ-Richtung.
Gemäß einer Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung
wird mit Vorteil ein Träger für die maskierenden Strukturen aus einer 3 bis 10 /um, insbesondere 5/um, dicken SiO2-Schicht
verwendet, die z.B. thermisch oder mit Hilfe eines Sputter-Verfahrens
hergestellt werden kann. Die Fig.3 zeigt einen Querschnitt der Bestrahlungsmaske 1, die einen Träger, beste-
VPA 9/710/3093 -4-
50981 9/0380
hend aus einer etwa 5/um dicken SiOp-Schicht 11, besitzt.
Auf dieser SiOp-Schicht 11 befinden sich dann die maskierenden Strukturen 6 sowie die Justiermarken 5. Die in Fig.3 dargestellte
Bestrahlungsmaske hat den Vorteil, daß das Trägermaterial SiOp eine höhere Temperaturfestigkeit besitzt als das
vorher verwendete Kunstharz. Außerdem besitzt Siliziumdioxid einen geringeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung
läßt sich die Festigkeit des Trägers weiter erhöhen, wenn auf der SiOp-Schicht 11 eine weitere Schicht aus Kunstharz
angebracht ist. In Fig.4 ist ein Querschnitt der Bestrahlungsmaske
1 dargestellt, bei der der Träger aus einer SiOp-Schicht 11 und einer weiteren Stützschicht 12 aus Kunstharz
besteht. Die Stützschicht 12 besteht vorzugsweise aus dem Kunstharz Polyimid und hat eine Dicke, die zwischen 3 und 10/um
liegt. Auf dieser Stützschicht 12 befinden sich dann die maskierenden Strukturen 6 sowie die Justiermarke 5.
4 Figuren
4 Patentansprüche
VPA 9/710/3093 -5-
509819/0380
Claims (4)
- PatentansprücheBestrahlungsmaske mit einer maskierenden Struktur und einem Träger für diese Struktur zur Strukturerzeugung in Fotolacken mittels Röntgenstrahlen, bei der Justiermarken auf dem Träger angebracht sind, dadurch g e k e η η zeichnet , daß der Träger aus einer etwa 5 bis 10/um dicken Schicht besteht, wobei für diese Schicht ein Trägermaterial vorgesehen ist, das sowohl für Röntgenstrahlen als auch für Strahlen aus dem Gebiet des sichtbaren Spektralbereiches durchdringbar ist.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß das Trägermaterial Polyimidharz ist.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß das Trägermaterial Siliziumdioxid ist, das thermisch oder im Sputter-Verfahren erzeugt wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß der Träger aus einer ersten Schicht aus thermischem oder nach einem Sputter-Verfahren hergestellten Siliziumdioxid und einer darüber befindlichen zweiten Stützschicht aus Polyimidharz besteht.50981 9/0380
Priority Applications (15)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2346719A DE2346719C3 (de) | 1973-09-17 | 1973-09-17 | Mehrschichtige Bestrahlungsmaske für die Röntgenstrahl-Fotolithografie |
| GB3402574A GB1474285A (en) | 1973-09-17 | 1974-08-01 | Radiation masks |
| IE1816/74A IE39829B1 (en) | 1973-09-17 | 1974-09-02 | Improvements in and relating to radiation masks |
| NL7412036A NL7412036A (nl) | 1973-09-17 | 1974-09-10 | Bestralingsmasker voor het realiseren van een structuur in fotolak bij roentgenstraalbelich- |
| AT731774A ATA731774A (de) | 1973-09-17 | 1974-09-11 | Bestrahlungsmaske fuer die roentgenstrahl-photolithographie |
| FR7430740A FR2244196B1 (de) | 1973-09-17 | 1974-09-11 | |
| IT2720174A IT1021304B (it) | 1973-09-17 | 1974-09-12 | Maschera di irraggiamento per produrre una struttura in foto vernici con esposizione ai rag gi x |
| CH1240174A CH594986A5 (de) | 1973-09-17 | 1974-09-12 | |
| DK483974A DK483974A (de) | 1973-09-17 | 1974-09-13 | |
| LU70924A LU70924A1 (de) | 1973-09-17 | 1974-09-16 | |
| SE7411633A SE7411633L (de) | 1973-09-17 | 1974-09-16 | |
| CA209,301A CA1031470A (en) | 1973-09-17 | 1974-09-16 | Radiation mask for producing structural configurations in photo-sensitive resists by x-ray exposure |
| JP10707474A JPS5740649B2 (de) | 1973-09-17 | 1974-09-17 | |
| BE148608A BE820007A (fr) | 1973-09-17 | 1974-09-17 | Masque d'exposition au rayonnement pour realiser des structures dans des laques photosensibles |
| US06/042,533 US4268563A (en) | 1973-09-17 | 1979-05-25 | Radiation mask for producing structural configurations in photo-sensitive resists by X-ray exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2346719A DE2346719C3 (de) | 1973-09-17 | 1973-09-17 | Mehrschichtige Bestrahlungsmaske für die Röntgenstrahl-Fotolithografie |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2346719A1 true DE2346719A1 (de) | 1975-05-07 |
| DE2346719B2 DE2346719B2 (de) | 1979-05-17 |
| DE2346719C3 DE2346719C3 (de) | 1980-01-24 |
Family
ID=5892798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2346719A Expired DE2346719C3 (de) | 1973-09-17 | 1973-09-17 | Mehrschichtige Bestrahlungsmaske für die Röntgenstrahl-Fotolithografie |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4268563A (de) |
| JP (1) | JPS5740649B2 (de) |
| AT (1) | ATA731774A (de) |
| BE (1) | BE820007A (de) |
| CA (1) | CA1031470A (de) |
| CH (1) | CH594986A5 (de) |
| DE (1) | DE2346719C3 (de) |
| DK (1) | DK483974A (de) |
| FR (1) | FR2244196B1 (de) |
| GB (1) | GB1474285A (de) |
| IE (1) | IE39829B1 (de) |
| IT (1) | IT1021304B (de) |
| LU (1) | LU70924A1 (de) |
| NL (1) | NL7412036A (de) |
| SE (1) | SE7411633L (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0030117A1 (de) * | 1979-11-28 | 1981-06-10 | Fujitsu Limited | Verfahren zum Formen einer Öffnung in einem negativen Resistfilm |
| US4447527A (en) * | 1980-09-02 | 1984-05-08 | Syva Company | Single test formulations for enzyme immunoassays and method for preparation |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52136577A (en) * | 1976-05-11 | 1977-11-15 | Nippon Chemical Ind | Aligning device |
| JPS5399771A (en) * | 1977-02-10 | 1978-08-31 | Hitachi Ltd | Soft x-ray transfer mask |
| JPS53134367A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | Xxray mask |
| JPS5411677A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Rockwell International Corp | Mask used for fine line lithography and method of producing same |
| JPS62155518A (ja) * | 1977-12-23 | 1987-07-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 軟ｘ線リソグラフイ−用マスク |
| US4215192A (en) * | 1978-01-16 | 1980-07-29 | The Perkin-Elmer Corporation | X-ray lithography apparatus and method of use |
| US4253029A (en) * | 1979-05-23 | 1981-02-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structure for x-ray lithography |
| JPS5688137A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-17 | Fujitsu Ltd | X-ray transfer mask |
| JPS5767927A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-24 | Nec Corp | X-ray exposure device |
| JPS58207635A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Seiko Epson Corp | メンブラン・マスクの製造方法 |
| JPS5931027A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Seiko Epson Corp | Ｘ線マスクの製造方法 |
| DE3232498A1 (de) * | 1982-09-01 | 1984-03-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels roentgenstrahllithographie und verfahren zu ihrer herstellung |
| JPS5946854A (ja) | 1982-09-10 | 1984-03-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層分析材料 |
| JPS5992531A (ja) * | 1982-11-17 | 1984-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光用マスク |
| JPS59193456A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Shuzo Hattori | Ｘ線リソグラフイ−用マスクの製造法 |
| JPS60208756A (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-21 | Canon Inc | 転写方法 |
| JPS61111535A (ja) * | 1985-09-30 | 1986-05-29 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ｘ線露光方法 |
| JPS61111534A (ja) * | 1985-09-30 | 1986-05-29 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ｘ線露光装置 |
| JP2635322B2 (ja) * | 1987-02-17 | 1997-07-30 | 松下電子工業株式会社 | Ｘ線マスクの製造方法 |
| JPS62151737U (de) * | 1987-02-25 | 1987-09-26 | ||
| JPH0246458A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-15 | Nec Corp | マスク目合せパターン |
| WO2014172545A1 (en) * | 2013-04-17 | 2014-10-23 | Optimedica Corporation | Laser fiducials for axis alignment in cataract surgery |
| JP6410861B2 (ja) | 2017-03-09 | 2018-10-24 | キヤノン株式会社 | 計測装置、処理装置および物品製造方法 |
-
1973
- 1973-09-17 DE DE2346719A patent/DE2346719C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-08-01 GB GB3402574A patent/GB1474285A/en not_active Expired
- 1974-09-02 IE IE1816/74A patent/IE39829B1/xx unknown
- 1974-09-10 NL NL7412036A patent/NL7412036A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-09-11 FR FR7430740A patent/FR2244196B1/fr not_active Expired
- 1974-09-11 AT AT731774A patent/ATA731774A/de not_active Application Discontinuation
- 1974-09-12 CH CH1240174A patent/CH594986A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-09-12 IT IT2720174A patent/IT1021304B/it active
- 1974-09-13 DK DK483974A patent/DK483974A/da unknown
- 1974-09-16 SE SE7411633A patent/SE7411633L/xx unknown
- 1974-09-16 LU LU70924A patent/LU70924A1/xx unknown
- 1974-09-16 CA CA209,301A patent/CA1031470A/en not_active Expired
- 1974-09-17 JP JP10707474A patent/JPS5740649B2/ja not_active Expired
- 1974-09-17 BE BE148608A patent/BE820007A/xx unknown
-
1979
- 1979-05-25 US US06/042,533 patent/US4268563A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0030117A1 (de) * | 1979-11-28 | 1981-06-10 | Fujitsu Limited | Verfahren zum Formen einer Öffnung in einem negativen Resistfilm |
| US4447527A (en) * | 1980-09-02 | 1984-05-08 | Syva Company | Single test formulations for enzyme immunoassays and method for preparation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH594986A5 (de) | 1978-01-31 |
| ATA731774A (de) | 1978-06-15 |
| IE39829B1 (en) | 1979-01-03 |
| BE820007A (fr) | 1975-03-17 |
| DE2346719C3 (de) | 1980-01-24 |
| FR2244196A1 (de) | 1975-04-11 |
| GB1474285A (en) | 1977-05-18 |
| DK483974A (de) | 1975-06-02 |
| JPS5057778A (de) | 1975-05-20 |
| DE2346719B2 (de) | 1979-05-17 |
| US4268563A (en) | 1981-05-19 |
| JPS5740649B2 (de) | 1982-08-28 |
| IT1021304B (it) | 1978-01-30 |
| IE39829L (en) | 1975-03-17 |
| CA1031470A (en) | 1978-05-16 |
| SE7411633L (de) | 1975-03-18 |
| LU70924A1 (de) | 1975-02-24 |
| NL7412036A (nl) | 1975-03-19 |
| FR2244196B1 (de) | 1977-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2346719A1 (de) | Bestrahlungsmaske fuer eine strukturerzeugung in fotolacken mit roentgenstrahlbelichtung | |
| DE3727142C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren mit integrierter Signalverarbeitung | |
| DE2819698C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Festkörpermikrobauelementes und Vorrichtung zur Anwendung bei diesem Verfahren | |
| DE3030653C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
| DE2429026A1 (de) | Verfahren zum kopieren von duennfilmmustern auf einem substrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
| EP0203215A1 (de) | Verfahren zur Reparatur von Transmissionsmasken | |
| DE68924048T2 (de) | Belichtungsmaske für ein Halbleiterplättchen und Belichtungsverfahren. | |
| DE3046856C2 (de) | ||
| EP0009562B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung durch Korpuskularstrahlen-Schattenwurf | |
| DE2722958A1 (de) | Verfahren zur justierung einer halbleiterscheibe relativ zu einer bestrahlungsmaske bei der roentgenstrahl-fotolithografie | |
| DE2723902A1 (de) | Verfahren zur justierung einer halbleiterscheibe relativ zu einer bestrahlungsmaske bei der roentgenstrahl- fotolithografie | |
| DE3016050C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Fotolackstrukturen für integrierte Halbleiterschaltungsanordnungen | |
| DE10309266B3 (de) | Verfahren zum Bilden einer Öffnung einer Licht absorbierenden Schicht auf einer Maske | |
| DE1522525A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von fotolithographischen Strukturen,insbesondere auf Halbleiterkristalloberflaechen | |
| DE10295952T5 (de) | Maske, Verfahren zum Herstellen derselben sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils | |
| CH621890A5 (de) | ||
| DE3016498A1 (de) | Lichtempfindliche halbleiterbauelemente | |
| DE2841124C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von elektronischen Halbleiterbauelementen durch Röntgen-Lithographie | |
| DE10128269B4 (de) | Eine Chipflächen-Justierstruktur | |
| DE102004009336A1 (de) | Verfahren zum Unterdrücken eines Lithographievorgangs am Rand einer Halbleiterscheibe | |
| DE4447264A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske | |
| EP0003759B1 (de) | Verfahren zur Belichtung einer strahlungsempfindlichen Schicht durch Röntgenstrahlen | |
| DE3150056A1 (de) | "maske zur verwendung bei lithopraphischen verfahren" | |
| EP0112509A2 (de) | Thermisch unempfindliche Bestrahlungsmaske für Röntgenlithographie und Verfahren zur Herstellung derartiger Masken | |
| DE2346720C3 (de) | Vorrichtung zum Justieren von Halbleiterscheiben bezüglich einer Bestrahlungsmaske |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |