DE68924048T2

DE68924048T2 - Belichtungsmaske für ein Halbleiterplättchen und Belichtungsverfahren.

Info

Publication number: DE68924048T2
Application number: DE68924048T
Authority: DE
Inventors: Takeshi Higashimurayama-Shi Kimura; Akihiko Tachikawa-Shi Kishimoto; Shinji Suginami-Ku Tokyo Kuniyoshi; Takashi Hachioji-Shi Soga
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1988-12-23
Filing date: 1989-12-12
Publication date: 1996-04-18
Anticipated expiration: 2009-12-13
Also published as: US5115456A; EP0374701B1; EP0374701A3; DE68924048D1; JPH02170410A; EP0374701A2

Description

Die Erfindung betrifft die Reproduktionslithographietechnologie für feine Muster zum Herstellen integrierter Halbleiterschaltungen, und spezieller betrifft sie eine Maske zum Belichten von Wafern, wobei die Kopie von Mustern mit kleinerer Verzerrung unter Verwendung weicher Röntgenstrahlung als Belichtungsquelle möglich ist, und sie betrifft ein Belichtungsverfahren unter Verwendung einer solchen Maske.
Röntgenlithographie ist als Herstelltechnologie für ultrahochintegrierte Schaltungen, wie dynamische Direktzugriffsspeicher (DRAM) von 64 und 256 Megabit, sehr vielversprechend, da Röntgenlithographie eine Auflösung von einem halben Mikrometer oder weniger aufweist. Dennoch kann dieses Lithographiesystem derzeit nur Röntgenmasken mit einer Genauigkeit von ungefähr ±0,2 um (3 ) herstellen, da, wie es in Fig. 4 dargestellt ist, das Verfahren die Projektion von Röntgenstrahlung 45 im Maßstab 1:1 durch ein Röntgenbelichtungsfenster 46 und dann eine Röntgenmaske beinhaltet, die aus einem Röntgenabsorbermuster 40, einer Membran 41 und einem Stützrahmen 42 auf einem Resistfilm 44 auf einem Si-Wafer 43 besteht, wodurch eine Schwierigkeit hinsichtlich der Musterpositioniergenauigkeit der Röntgenmaske entsteht, wie in SPIE, Vol. 632, S. 118 - 132 (1986) erörtert. Ähnliche Masken, bei denen jedes Belichtungsfenster, das von einer Stützstruktur umgeben ist, die Größe des Chips einer integrierten Schaltung aufweist, ist in EP-A-69265 offenbart. Andererseits erfordert die Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen mit einer Mustergröße von 0,1 - 0,3 um, wie durch die hohe Auflösung bei der Röntgenlithographie erzielbar, eine Maskengenauigkeit von ±0,03 - 0,07 um. Als neuer Versuch zum Überwinden dieser Schwierigkeit laufen Versuche hinsichtlich eines verkleinernden Röntgenbelichtungssystems, bei dem die Maskenmuster verkleinert werden und unter Verwendung einer Linse und eines Spiegels vervielfältigt werden. In diesem Fall kann die Genauigkeit einer Röntgenmaske in einem Umfang verringert werden, der der Verkleinerungsrate entspricht. Jedoch wurde selbst in diesem Fall die Schwierigkeit bei der Herstellung von Röntgenmasken nicht merklich verringert, da das Belichtungsfeld von Röntgenmasken abhängig von der Verkleinerungsrate vergrößert werden muß und da sich das Verhältnis der Musterpositioniergenauigkeit zur Größe des Belichtungsfelds nicht ändert.
Wie vorstehend beschrieben, wurden herkömmlicherweise Überlegungen nur hinsichtlich des Materialgesichtspunkts und von Prozessen angestellt, wie hinsichtlich Verbesserungen der mechanischen Eigenschaften von Dünnfilmmaterialien, die Röntgenmasken bilden, und hinsichtlich einer Verringerung von Restspannungen, wie sie hauptsächlich zu Verzerrungen führen; dies als Verfahren zum Verbessern der Musterpositioniergenauigkeit bei der Herstellung von Röntgenmasken.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Maske zum Belichten eines Wafers mit Strahlung zu schaffen, die die Maskenmuster-Positioniergenauigkeit verbessern kann.
Es ist eine andere Aufgabe der Erfindung, ein Belichtungsverfahren unter Verwendung einer solchen Maske zu schaffen.
Diese Aufgaben sind durch die Maske von Anspruch 1 und das Verfahren von Anspruch 5 gelöst.
Um die obige Aufgabe gemäß der Erfindung zu lösen, ist eine Belichtungsmaske mit mindestens zwei Belichtungsfenstern mit Maskenmustern mit kleiner Musterfläche geschaffen, wie durch Unterteilen der Musterfläche, die einen Chip einer integrierten Schaltung bildet, in mehrere Flächen erhalten.
Ferner wird eine Strahlungsbelichtung ausgeführt, während die Belichtungsmaske intermittierend um einen Abstand den Halbleiterwafer entlang transportiert wird, der der Größe der kleinen Musterfläche entspricht.
Da die erfindungsgemäße Belichtungsmaske mit einem Belichtungsfenster mit kleiner Öffnung versehen ist, weist die Membran verringerte Verzerrung auf und die Positioniergenauigkeit des Maskenmusters kann stark verbessert werden. Außerdem werden im Maskenmustermaterial kaum Restspannungen ausgeübt und demgemäß kann die Maske leichter hergestellt werden.
Fig. 1A und 1B sowie Fig. 3A und 3B sind schematische Diagramme einer die Erfindung verkörpernden Röntgenmaske;
Fig. 2 ist ein schematisches Diagramm, das ein die Erfindung verkörperndes Belichtungsverfahren veranschaulicht;
Fig. 4 ist ein erläuterndes Diagramm zum Prinzip der Röntgenlithographie;
Fig. 5 ist ein Charakteristikdiagramm, das die Beziehung zwischen der Öffnung eines Belichtungsfensters und der Musterpositioniergenauigkeit einer Röntgenmaske zeigt;
Fig. 6 ist ein Diagramm, das die Grundanordnung eines Beispiels eines verkleinernden Belichtungsverfahrens veranschaulicht;
Fig. 7 ist ein Modelldiagramm, das ein Hilfsmuster zur Ausrichtung an der Grenze des Belichtungsfensters zeigt; und
Fig. 8 ist ein schematisches Diagramm der Anordnung einer Belichtungsvorrichtung.
Zunächst wird das Prinzip der Erfindung erläutert. Verzerrungen einer Röntgenmaske werden hauptsächlich durch Ausdehnung und Zusammenziehung der Membran des für Röntgenstrahlung transparenten Films, der die Röntgenmaske hält, hervorgerufen, wozu es durch Restspannungen des Röntgenstrahlung absorbierenden Dünnfilms kommt, der das Röntgenmaskenmuster bildet. Wenn die mechanische Steifigkeit und die Restspannungen der Membran und des Röntgenstrahlung absorbierenden Materials konstant sind, steigt der Verzerrungsgrad einer Membran im wesentlichen proportional zur Öffnung eines Röntgenbelichtungsfensters an, wie durch eine Kurve 50 in Fig. 5 dargestellt. Demgemäß muß die Öffnung eines Röntgenbelichtungsfensters so klein sein, daß sie 10 mm im Quadrat oder weniger hat, damit die Positioniergenauigkeit des Röntgenbelichtungsfensters ±0,1 um oder weniger wird. Übrigens besteht die Tendenz, daß die Größe von Chips für Halbleiter vom Typ von DRAMs Jahr für Jahr zunimmt, und es wird erwartet, daß ein DRAM von 256 Megabit eine Größe von mindestens ungefähr 25 mm x 15 mm aufweist. Daher ist es sehr schwierig, eine Röntgenmaske mit der Genauigkeit einer Nadelspitze herzustellen, mit welcher Röntgenmaske in der Zukunft ultrahochintegrierte Schaltungen hergestellt werden können.
Übrigens werden LSIs auf solche Weise hergestellt, daß LSI- Chips mit demselben Muster wiederholt mit derselben Teilungsweite auf einem Si-Wafer mit großem Durchmesser angeordnet werden.
Die vorliegende Erfindung wurde dadurch erzielt, daß die vorstehend genannten Bedingungen berücksichtigt wurden. Genauer gesagt, ist die Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß, wie es in den Fig. 1A und 1B dargestellt ist, mehrere Belichtungsfenster A, B, C und D mit jeweils kleiner Öffnung mit Mustern versehen sind, die jeweiligen kleinen Mustern entsprechen, wie sie dadurch erhalten werden, daß der Musterbereich eines Einheits-LSI 11 in mehrere gleiche Flächen unterteilt wird und sie in einer Röntgenmaske 10 mit Intervallen angeordnet werden, die gemäß einer Ausrichtungsregel von LSI-Mustern auf einem Si-Wafer begrenzt sind. In diesem Fall können die kleinen Belichtungsfenster A bis D, wie es aus Fig. 5 zu erwarten ist, die Musterpositioniergenauigkeit ausreichend verbessern.
Fig. 2 veranschaulicht schematisch ein Verfahren zum Herstellen eines LSI-Chips 21 auf einem Si-Wafer 20 unter Verwendung dieser Röntgenmaske, wobei A, B, C und D Arten von Belichtungsfenstern mit kleiner Öffnung in einer einzelnen Maske bezeichnen und die Bezugszeichen A1, A2, ... usw. eine Folge für Röntgenbelichtung bezeichnen. Genauer gesagt, wird, nachdem Muster durch die Belichtungsfenster A1, B1, C1 und D1 bei einem ersten Röntgenbelichtungsvorgang kopiert wurden, der Si-Wafer 20 schrittweise verstellt und dann werden die Muster der Belichtungsfenster A2, B2, C2 und D2 kopiert. Danach werden die schrittweise Verstellung und die Belichtung sequentiell wiederholt, und bei dem in Fig. 2 dargestellten Beispiel wird die Musterkopie für den LSI-Chip 21 durch die Zusammenfassung der kleinen Musterflächen der Belichtungsfenster A6, B2, C5 und D1 abgeschlossen.
Wie vorstehend beschrieben, kann die oben angegebene Musterpositioniergenauigkeit einer Maske stark verbessert werden, da die jeweiligen Belichtungsfenster A bis D abhängig von der Unterteilungszahl eines LSI-Chips 21 bei einer erfindungsgemäßen Röntgenmaske klein gemacht werden können.
Außerdem kann eine große Fläche mit höherer Genauigkeit als bei herkömmlichen Verfahren belichtet werden, da die Relativposition zwischen den jeweiligen Belichtungsfenstern mit kleiner Öffnung durch einen mechanisch stabilen Stützrahmen mit hoher Genauigkeit aufrechterhalten wird.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Beispiele detailliert beschrieben.

[Beispiel 1]

Die Fig. 1A und 1B zeigen die Anordnung von Belichtungsfenstern einer erfindungsgemäßen Röntgenmaske 10, wobei Fig. 1A eine Draufsicht ist und Fig. 1B ein Querschnitt entlang der Linie A-A' in Fig. 1A ist. Ein Röntgenabsorptionsmuster 1 wurde dadurch hergestellt, daß Maskenmuster aus Au mit einer Dicke von 1,0 um durch ein Elektroplattierverfahren unter Verwendung einer Maske als Schablone 2 für den Elektroplattiervorgang hergestellt wurden, mit einer dreistufigen Resistschicht, die durch ein Elektronenstrahl-Schreibverfahren und einen Trockenätzprozeß hergestellt wurde. Die vorstehend genannte Schablone für den Elektroplattiervorgang bestand hauptsächlich aus Polyimidharz. Ein Membranfilm 3 mit einer Dicke von ungefähr 4 um bestand aus einem Bornitridfilm, der durch chemische Dampfniederschlagung (CVD) bei niedrigem Druck hergestellt wurde. Ein Stützrahmen 4 bestand aus einem Si-Wafer mit einer Dicke von 2 mm, und Belichtungsfenster A, B, C und D wurden durch Ätzen und Entfernen des Si-Wafers an seiner Rückseite durch KOH-Lösung unter Verwendung eines Au- Films 5 als Maske ausgebildet.
Ein Chip 11 für einen 16-Megabit-DRAM, um den es sich hier handelt, wies eine Größe von ungefähr 17 mm x 11 mm auf, wodurch die Belichtungsfenster A - D eine Größe von 8,5 mm x 5,5 mm aufwiesen. Die Bornitridmembran 3 wies einen Youngmodul von ungefähr 2 x 10¹¹ N/m² auf, und der elektroplattierte Au-Film hatte Restspannungen von 3 x 10&sup7; N/m². Als Ergebnis der Maskenpositioniergenauigkeit für jedes Belichtungsfenster ergab sich unter den obigen Bedingungen eine Genauigkeit im Bereich von ±0,02 - 0,03 ±m (3 ), und die relative Positioniergenauigkeit zwischen den jeweiligen Belichtungsfenstern betrug ±0,05 um. Das Verhältnis des Au-Musters 1 zur Fläche des Belichtungsfensters betrug ungefähr 72 %.
Eine Röntgenmaske mit einer Öffnung von 17 mm x 11 mm, die unter denselben Materialbedingungen und gemäß demselben Verfahren hergestellt wurde, hatte eine Musterpositioniergenauigkeit von ±0,16 - 0,21 u (3 ), so daß durch die Erfindung die Maskengenauigkeit auf 1/4 bis 1/5 verbessert werden kann.

[Beispiel 2]

Für denselben DRAM wurde ein auf das 5-fache vergrößerter Prototyp einer Röntgenmaske hergestellt, unter der Annahme, daß ein Verkleinerungsprojektions-Belichtungsverfahren mit einer Verkleinerungsrate von 1/5 verwendet würde. Die Eigenschaften der jeweiligen Materialien und die Anordnung der Röntgenmaske waren dieselben wie beim Beispiel 1. - Fig. 3A ist ein Diagramm für die Anordnung von Belichtungsfenstern beim Prototyp der Röntgenmaske 30. Fig. 3B zeigt ein Verfahren zum Unterteilen der Fläche eines LSI-Chips 31, wobei Alphabetbuchstaben solche Teile zeigen, die den Belichtungsfenstern der Maske in Fig. 3A entsprechen, die dieselben Alphabetbuchstaben tragen. Die Maske 30 mit den Belichtungsfenstern A - Y wurde in geeigneter Weise durch ein Wiederholungsschrittverfahren verstellt, um Muster aus A - Y auf dem LSI-Chip 31 zu belichten. Da die Fläche des LSI-Chips 31 in 25 Teile unterteilt war, hatte jedes der Belichtungsfenster A - Y eine Größe von 17 mm x 11 mm. Die Positioniergenauigkeit des Maskenmusters in jedem der Belichtungsfenster A - Y betrug ±0,15 - 0,20 um (3 ), so daß sie im wesentlichen dieselbe wie beim herkömmlichen Verfahren beim Beispiel 1 war, wohingegen die relative Positioniergenauigkeit zwischen den jeweiligen Belichtungsfenstern A - Y ±0,1 um betrug, was schlechter als beim Beispiel 1 ist. Es stellte sich heraus, daß diese Verschlechterung durch einen Anstieg des Positionserfassungsfehlers in Längsrichtung von ±0,02 um (3 ) während der Erzeugung des Elektronenstrahls sowie durch einen Fehler von +0,08 um (3 ) aufgrund einer Verformung des Stützrahmens bedingt war Es stellte sich heraus, daß, da diese Fehler durch das Verkleinerungsprojektions-Belichtungsverfahren auf 1/5 verkleinert wurden, die echte Positioniergenauigkeit des Maskenmusters auf der Mustervervielfältigungsfläche des Si-Wafers im Vergleich zum Fall des Direktprojektions-Belichtungsverfahrens des Beispiels 1 verbessert war.
Die vorstehend genannte Verkleinerungsprojektionsbelichtung wurde unter Verwendung einer reflektierenden Schwarzschildoptik, wie in Fig. 6 dargestellt, ausgeführt, und ein Maskenmuster auf dem strahlungsempfindlichen Resist eines Si- Wafers vervielfältigt, während die Maske und der Si-Wafer mit einem Geschwindigkeitsverhältnis von 5:1 durchgerastert wurden. Auf diese Weise wurde durch einen Teil einer Maske 62 hindurchgehende Strahlung 61 über Reflexionsspiegel 63 und 64 auf einen Si-Wafer 65 fokussiert. Die Maske 62 und der Si-Wafer 65 wurden durch einen Wafertisch 87 oder dergleichen mit einem dem Verkleinerungsverhältnis entsprechenden Geschwindigkeitsverhältnis in horizontaler Richtung verstellt, um das Muster der Gesamtfläche eines LSI durch wiederholte Kopie auf der Maske 62 herzustellen, wobei ein Teil des Musters auf der Maske 62 auf den Si-Wafer 65 fokussiert wurde.

[Beispiel 3]

Unter Verwendung der beim Beispiel 1 beschriebenen Maske wurde ein dynamischer 256-Megabit-Direktzugriffsspeicher (DRAM) mit einer minimalen Leitungsbreite von 0,1 um hergestellt. In diesem Fall traten keine Schwierigkeiten auf, wenn ein diskontinuierliches Lochmuster wie z.B. für ein Durchgangsloch, das die erste Leitungsschicht mit der zweiten Leitungsschicht verbindet, vervielfältigt wurde. Wenn jedoch ein kontinuierliches Muster wie ein Leitungsmuster, das sich über die oben genannten Belichtungsfenster erstreckte, wiederholt kopiert wurde, traf an der Grenze eines Belichtungsfelds Strahlung doppelt auf das Wiederholungsmuster auf, wodurch sich die Größe des Wiederholungsmusters änderte oder das Leitungsmuster zwischen den Belichtungsfenstern um ungefähr 0,06 um versetzt war, und zwar wegen des beim Beispiel 1 beschriebenen Fehlers aufgrund der Maskenmuster-Positioniergenauigkeit (±0,02 - 0,03 um) oder durch die Maskenausrichtungsgenauigkeit. Dann wurden, wie es in Fig. 7 dargestellt ist, Hilfsmuster I und II zur Ausrichtung für eine Mustergrenze 73 im Belichtungsfenster mindestens einer der Leitungsmuster 71 und 72, die sich über die Belichtungsfenster A und B erstrecken, ausgebildet. Im Ergebnis war verhindert, daß die Leitungsmuster 71 und 72 an der Grenze 73 durch Fehlausrichtung unterbrochen waren, wodurch LSIs mit hoher Ausbeute hergestellt werden konnten.

[Beispiel 4]

Fig. 8 ist ein schematisches Diagramm einer Belichtungsvorrichtung, wie sie verwendet wird, wenn Muster unter Verwendung einer erfindungsgemäßen Maske wiederholt kopiert werden.
Ein Maskentisch 83 wurde mit einer Öffnung 84 so versehen, daß Strahlung nur auf das Belichtungsfenster einer Maske 85 gestrahlt wurde. Die Muster wurden durch das folgende Verfahren wiederholt kopiert.
Zunächst wurden eine Markierung 88 auf einer Maske 85 und eine Ausrichtungsmarkierung 89 auf einem Wafer 86 unter Verwendung eines Lichtstrahls 82 zur Erfassung der Ausrichtungsmarkierung erfaßt, und die Maske 85 wurde dadurch zum Wafer 86 ausgerichtet, daß ein Wafertisch 87 geringfügig verstellt wurde. Danach wurde Belichtungsstrahlung 81 aufgestrahlt, um Maskenmuster auf den Si-Wafer 86 zu kopieren. Dann wurde der Wafertisch 87 bei der Erfindung schrittweise um die Größe der mehrfach unterteilten Belichtungsfenster oder um ein ganzzahliges Vielfaches der Unterteilungsgröße verstellt, und dann wurden die Ausrichtung und die Belichtung Schritt für Schritt wiederholt, um LSI-Muster wiederholt auf die gesamte Fläche des Si-Wafers 86 aufzukopieren, obwohl der Wafertisch 87 auf herkömmliche Weise schrittweise gemäß der Chipgröße eines herzustellenden LSI oder gemäß einem ganzzahligen Vielfachen der Größe in X- oder Y-Richtung auf der Oberfläche des Si-Wafers 86 verstellt wurde. Daher muß eine zum Ausführen der Erfindung speziell geeignete Belichtungsvorrichtung den Tisch 87 für den Si-Wafer schrittweise um einen ganzzahligen Bruchteil der LSI-Chipgröße verstellen können.
Obwohl bei der Belichtungsvorrichtung dieses Ausführungsbeispiels die Funktion für schrittweise Verstellung am Wafertisch 87 vorliegt, ist leicht erkennbar, daß der Wafertisch 87 um ein ganzzahliges Vielfaches der LSI-Chipgröße verstellt werden kann, ähnlich wie ein herkömmlicher Tisch, und daß der Maskentisch 83 mit einer Funktion versehen sein kann, gemäß der er um einen ganzzahligen Bruchteil der LSI- Chipgröße verstellt wird.
Obwohl unter Bezugnahme auf die Beispiele 1 bis 4 spezielle Beispiele der Erfindung beschrieben wurden, kann der Membranfilm ein solcher vom Si-N-Typ, einer aus Diamant, SiC oder Be sein, und das Röntgenabsorptionsmuster kann aus W, Pt, Ta, Rh, Si, Ag, Mo, Al oder einer Legierung hieraus, zusätzlich zum oben genannten Material bestehen, als Materialien für die Bestrahlungsmaske. Ferner wurde als Beispiel für die Verkleinerungsprojektionsoptik eine solche vom Schwarzschildtyp verwendet, jedoch kann zusätzlich auch eine reflektierende Wolteroptik oder eine die Transparenz verringernde Optik unter Verwendung einer Zonenplatte verwendet werden. Ferner wurde zwar weiche Röntgenstrahlung als Belichtungsquelle verwendet, jedoch können bei der Erfindung wirkungsvoll auch ein Elektronenstrahl, ein Ionenstrahl oder übliches Licht verwendet werden.
Ferner sind bei den obigen Beispielen zwar die Belichtungsfenster der Maske mit verschiedenen Musterbereichen mit einer Größe, die ein ganzzahliger Bruchteil der LSI-Chipgröße ist, versehen, jedoch liegt ein gleich großer Effekt oder noch ein größerer als bei den obigen Beispielen vor, wenn mindestens zwei Belichtungsfenster dieselbe Musterfläche aufweisen. Außerdem ist es leicht erkennbar, daß mehrere dieser Belichtungsfenster nicht dieselbe Größe aufweisen müssen und daß z.B. das Belichtungsfenster A von Fig. 1 weiter unterteilt, z.B. in vier Bereiche, und verteilt- sein kann. In diesem Fall ist es selbstverständlich denkbar, daß die feinen Bereiche des LSI-Musters auf mehrere Belichtungsfenster verteilt werden, um die Positioniergenauigkeit hierfür zu verbessern.
Gemäß der Erfindung ist die Verzerrung der aus einem Dünnfilm bestehenden Membran verringert und die Musterpositioniergenauigkeit der Röntgenmaske kann um beinahe eine Größenordnung im Vergleich zum Wert bei einem herkömmlichen Verfahren verbessert werden. Außerdem kann eine Röntgenmaske leichter als bei einem herkömmlichen Verfahren hergestellt werden, da sich Restspannungen des Maskenmusters, die ein Hauptgrund für die Maskenverzerrung sind, kaum auswirken.

Claims

1. Maske, um einen Wafer Strahlung auszusetzen, beinhaltend:

einen für Strahlung durchlässigen Dünnfilm (3),

ein auf dem Dünnfilm vorgesehenes und die genannte Strahlung absorbierendes Maskenmuster (1, 2), das kleine Musterflächen (A bis Y) aufweist, die mit vorbestimmten Abständen angeordnet sind, und

einen Stützrahmen (4, 5), der den Dünnfiim trägt und für jede der kleinen Musterflächen ein Bestrahlungsfenster (A bis Y) aufweist,

dadurch gekennzeichnet, daß die kleinen Musterflächen (A bis Y) eine Teilung eines Schaltkreismusters (11, 31) bilden, das einen auf dem Wafer auszubildenden integrierten Schaltungschip (21) darstellt.

2. Maske nach Anspruch 1, wobei mehrere Bestrahlungsfenster (A bis Y) einen Abstand voneinander aufweisen, der ein ganzzahliges Vielfaches der Größe einer kleinen Musterfläche (A bis Y) darstellt.

3. Maske nach Anspruch 1 oder 2, wobei ein Musterbereich (I, II), der breiter als die Breite einer Linie (71, 72) des Maskenmusters, die sich über eine Vielzahl von Bestrahlungsfenstern erstreckt, an der Grenze (73) der Bestrahlungsfenster (A bis Y) des Maskenmusters vorgesehen ist.

4. Maske nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Strahlung Röntgenstrahlung ist.

5. Bestrahlungsverfahren mit folgenden Schritten:

Anordnen einer Bestrahlungsmaske (10, 62) auf einem mit Photolack beschichteten Wafer (20, 65, 86), wobei die Bestrahlungsmaske ein zur Absorption von Strahlung geeignetes Maskenmuster (1, 2) unter Anordnung kleiner Musterflächen (A bis Y) mit vorbestimmten Abständen und einen Stützrahmen (4, 5) zur Stützung des Maskenmusters und mit Bestrahlungsfenstern, die jeweils einem der kleinen Musterflächen entsprechen, aufweist, wobei die kleinen Musterflächen (A bis Y) eine Teilung eines Schaltungsmusters (11, 31) bilden, das einen auf den Wafer zu übertragenden integrierten Schaltungschip (2) darstellt,

Bestrahlen des Photolacks mit Strahlung durch die genannte Maske, und

Bewegen der Maske und des Wafers relativ zueinander diskontinuierlich über einen vorbestimmten Abstand in Oberflächenrichtung.

6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei Muster auf dem Wafer wiedergegeben werden, indem das Maskenmuster (1, 2) projiziert und verkleinert wird.

7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, wobei die Strahlung Röntgenstrahlung darstellt.