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Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen Die Erfindung
betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit bei er Herstellung
sich selbst ausrichtenden Strukturen auf einem Substrat, wobei auf dem Substrat
eine Vielzahl von Schichten übereinander angeordnet und zumindest eine erste und
zweite Schicht unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung vorgesehen werden und
jede dieser Schichten gegenüber den übrigen Schichten und dem Substrat mit einem
geeigneten Ätzmittel bevorzugt ätzbar ist, wobei ferner in den mehrschichtigen Aufbau
Öffnungen zur Begrenzung erster Diffusionsbereiche bis zur Oberfläche des Substrats
eingeschnitten werden, um durch diese Öffnungen diese Bereiche zu diffundieren.
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Es besteht seit langem eine Notwendigkeit bei der Herstellung von
Halbleiterstrukturen, ein Verfahren zu finden, mit dem die Ausbildung feinerer geometrischer
Strukturen möglich ist. Die Ansprechgeschwindigkeit
Ansprechgeschwindigkeit
eines Transistors ist z.B. unter anderem eine Funktion der Breite der Basis und
des Jmfangs-lächenverhältnisses des Emitters. Bei einem herkömmlichen Einzeltransistor
wird die Ansprechgeschwindigkeit in Nanosekunden gemessen, jedoch muss diese Ansprechgeschwindigkeit
eines einzelnen Transistors mit der Zahl der Transistoren multipliziert werden,
die gemeinsam auf ein Eingangssignal, z.3. in einem Computer, ansprechen. In solchen
Anwendungsfällen, wie z.3. in der Raumfahrttechnik, kennen bruchteile von Sekunden
kritisch sein, so dass eine Verbesserung der Ansprechgeschwindigkeit und damit eine
Verfeinerung der Geometrie der Halbleiteranordnung ein kontinuierliches Anliegen
ist.
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Ein weiteres Beispiel ist der Bereich des Widerstandswertes eines
Widerstandes, der aufgrund der Geometrie, wie sie sich bei der erstellung nach bekannten
Verfahren ergibt, unerwünscht begrenzt ist.
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Die Möglichkeiten bekannter Verfahren liessen sich verbessern, wenn
ein Weg gegeben. würe, rnit d.em eine feinere geometrische Halbleiterstruktur gewährleistet
würde. So könnten z.B. Emitter als extrem schmale Linien und entsprechend die Basis
schmäler ausgebildet werden. Auch die ideale geometrische Ausbildung eines Widerstandes
mit hohem Uiderstandswert in Form einer unbegrenzt dünnen und langen Linie könnte
immer weiter angenähert werden. Um dieses Ziel zu erreichen, wurden immer wieder
Versuche unternommen, wobei die Emitter fingers förmig und lXiderstände in Form
dünner Linien bzw. schmaler Linien doppelschichtig übereinander ausgebildet wurden
um die Baulänge der Widerstände zu verringern. Dabei müssen die einzelnen Finger
Jedoch verhältnismässig weit voneinander entfernt liegen und die Widerstandslinien
unverhältnismässig breit sein, da die geometrischen toleranzen bei der Herstellung
für eine sehr fein strukturierte Geometrie zu gross sind.
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Das
Das angesprochene Problem tritt auch bei der Herstellung
von monolithischen Halbleiterstrukturen auf, die eine Vielzahl von Diffusionsschritten
benötigen und deshalb zumindest drei Maskiervorgänge für die Ausbildung aktiver
und passiver Eomponenten ohne die Maskierung für die Metallisation erfordern. Bei
dem damit verbundenen Herstellungsverfahren sind extreme Anforderungen an die Ausrichtung
der einzelnen Masken und Xtzschritte zu stellen, wobei eine Ausrichtung der Masken,um
eine sehr feine geometrische Strukturierung zu schaffen, eine beliebige Verkleinerung
der Abmessungen nicht zulässt. Ausserdem sind die üblichen Herstellungsverfahren
nicht dazii in der Lage, durch die Maske bedingte Ungenauigkeiten zu vermeiden bzw.
zu kompensieren.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Nachteile zu überwinden
und ein Verfahren zu schaffen, mit dem es möglich ist, sehr feine geometrische Halbleiterstrukturen
herzustellen, die sich während der Herstellung selbst aufeinander ausrichten Ausgehend
von dem eingangs erwähnten Verfahren wird diese Aufgabe erfindungsgemäss dadurch
gelöst, dass durch eine kontrollierte Ätzung eine der Schichten des mehrschichtigen
Aufbaus derart in ihrer geometrischen Ausgestaltung verändert wird, dass ein neuer,
für eine nachfolgende Diffusion definierter Bereich geschaffen wird, der höheren
geometrischen Goleranzanforderungen bezüglich der zuerst angebrachten Öffnungen
genügt.
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Eine Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, dass eine Vielzahl
von drei Schichten aufgebaut wird, die aus Siliciumnitrid, polykristallinem Silicium
und Siliciumdioxyd bestehen.
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Es ist auch vorgesehen, dass das Substrat aus monokristallinem Silicium
(111-Orientierung) besteht und darüber eine erste und zweite Schicht sandwich-artig
aus Siliciumnitrid und Kieselerde ausgebildet wird, Bei
Bei einer
besonders vorteilhaften Ausführung der Erfindung ist auf einem geeigneten Substrat
sandwich-artig eine Vielzahl von Schichten angeordnet, in welchen Öffnungen vorgesehen
sind, die die Substratoberfläche freilegen. Dabei bestehen die sandwich-artig aufgebauten
Schichten aus dielektrischen Substanzen, die bei der Verwendung entsprechender Ätzmittel
unterschiedliche Ätzgeschwindigkeiten haben. Die Öffnungen werden in den mehrschichtigen
Aufbau mit Hilfe eines herkömmlichen lithografischen Verfahrens eingeschnitten.
Anschliessend findet durch diese Öffnungen eine Diffusion zur Festlegung der gewünschten
Diffusionsbereiche statt, die in bekannter Weise unter die mehrschichtige Maske
sich erstrecken. Dadurch ergibt sich eine Überlappun der Xandbereiche der Öffnungen
und des diffundierten Bereiches. Daran anschliessend wird die erste über dem Substrat
liegende Schicht durch ein Ätzmittel im Bereich der Überschneidung weggeätzt. Dadurch
ergeben sich Restbereiche aus der ersten Schicht, die sehr genau zu der ersten Diffusion
benachbarte Bereiche für eine nachfolgende Diffusion begrenzen und definieren. Nach
einer ersten Diffusion werden die einzelnen schichten mit Ausnahme der ersten Schicht
des mehrschichtigen Aufbaus von der Halbleiteranordnung entfernt. Anschliessend
wird eine Oxydschicht über dem freigelegten Substrat aufgebaut und die Restteile
der ersten ccht durch Ätzung entfernt. Damit wird der unter diesen Restbereichen
liegende Yeil des Substrats freigelegt und gibt die Möglichkeit der Diffusion dieser
genau begrenzten Bereiche, wobei die aufgebrachte Oxydschicht als Maske ohne weitere
Vorbereitungen verwendet werden kann.
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Damit las sich benachbarte Diffusionen mit einer Linienbreit£ in der
Grössenordnung von etwa 1 lZum erstellen. Es lassen sich nicht nur l.albleiteranordnungen
durch die Verwendung der ifffindung vorteilhaft mit sehr feinen geometrischen Strukturen
aufbauen, die nur zwei Diffusionen benötigen, vielmehr können Anordnungen, die eine
Vielzahl von Diffusionen
Diffusionen benötigen, grundsätzlich in
derselben Weise hergestellt werden, wobei sich gleichartig feine geometrische Strukturen
ausbilden. Der Vorteil der Erfindung wird insbe sondere darin gesehen-, dass gegenüber
bisher üblichen Verfahren,die Linienbreiten von etwa 4 bis 5Xum ermöglichen, nunmehr
Linienbreiten mit etwa µm mit sehr hoher Zuverlässigkeit erzielbar sind. Auch lassen
sich Abstandstoleranzen bei Transistoren für die Wiederholung von Mustern sehr leicht
in der Grössenordnung von )/um einhalten.
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Die Erfindung erweist sich auch als besonders vorteilhaft bei der
herstellung von Oberflächen-Feldeffekttransistoren mit extrem schmalem Torbereich,
wobei keine Überlappung der auellen- und Senkenbereiche entsteht. Zur Herstellung
solcher Oberflächen-Feldeffekttransistoren wird durch kontrolliertes ätzen in der
ersten Schicht über dem Substrat eine genau festgelegte Torbreite geschaffen. Nach
dem Oxydieren der freiliegenden Substratoberflächen über den Quellen- und Senkenbereichen
wird die erste Schicht über dem Torbereich entfernt, womit eine Öffnung entsteht,
die die Torelektrode genau begrenzt. Auch hier wird zum Festlegen der Geometrie
keine weitere Maskierung benötigt, so dass sich aufgrund der sehr feinen strukturellen
Möglichkeiten des Aufbaus Feldeffekttransistoren schaffen lassen, die mit sehr viel
grösserer ;Mnsprechgeschwindigkeit arbeiten und in der Anwendung zu vorteilhaften
Ergebnissen führen. l,leitere
Weitere Vorteile und Merkmale der
Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles
in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung. Es zeigen: Fig. 1 bis 7 Halbleiterstrukturen
im Schnitt, wobei ein Substrat aus monokristllinem Silicium durch verschiedene Verfahrensschritte
modifiziert wird; Fig. 8 eine Draufsicht, woraus die Eigenschaften des Verfahrens
mit der komplementären Selbstausrichtung hervorgehen, wobei die unterschnittene
Grenzlinie gestrichelt angedeutet und die Schnittlinie 4-4 für die Darstellung gemäss
Fig. 4 erkennbar ist; Fig. 9 bis 13 die Anwendung der Erfindung bei der Herstellung
eines Oberflächen-Feldeffekttransistors.
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Durch die Erfindung ergibt sich eine Haibleiterstruktur mit einer
sehr feinen gemome trischen Musterung und einer automatischen Ausrichtung komplementärer
P- und N-Diffusionen. Eine Linienbreite von l/um bei einer der Diffusionen lässt
sich kann leicht herstellen, und die komplementäre Diffusion/ in beliebidurch ger
Nähe dazu angeordnet werden, da die beiden Bereiche durch/ Ätzung ausgelöste Muster
definiert sind, welche das ursprünglieh durch die Maske erzeugte fluster schützen
bzw. erhalten.
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Das Atzmittel wirkt gleichmässig auf das zu ätzende Material ein,
wodurch das ursprüngliche komplementäre Verhältnis des Musters erhalten bleibt.
Geringe Unvollkommenheiten bleiben dadurch ohne Einfluss. Das Merkmal der automatischen
Ausrichin tung stellt sicher, dass die Diffusionen/exakt demselben Abstand voneinander
an allen Stellen eriolgen, da sie von derselben Linie auf der Fotoresistmaske ausgehend
hergestellt werden. Eine Linienbreite von 1µm lässt sich bei der Halbleiteranordnung
erhalten, indem ein Fotoresistmuster Verwendung findet, das nicht feiner als 2,5µm
ist.
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Das
Das nachfolgend beschriebene Herstellungsverfahren
ist für die Schaffung eine$ NPN-Transistors mit sehr feiner geometrischer Struktur
geeignet, jedoch kann das Verfahren immer dann Verwendung finden, wenn zwei Diffusionen
sehr genau aufeinander ausgerichtet und sehr nah beieinanderliegend ausgeführt werden
müssen.
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Bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel ist das dargestellte und
IJ-leitende Siliciumsubstrat 10 ein Teil einer grösseren Halbleiterscheibe, auf
der tausende von sich wiederholenden Mustern gleichzeitig ausgebildet werden. Das
Substrat ist mit einer Siliciumdioxydschicht 12 bedeckt, über welcher eine Fotoresistschicht
14 angebracht wird. Hit üblichen fotolithografischen Massnahmen wird eine Öffnung
16 in den beiden Schicht ten angebracht, die die Oberfläche 18 des Substrats 10
freilegt. Anschliessend wird die Fotoresistschicht 14 chemisch entfernt. Durch diese
erste Öffnung 16 wird eine Basisdiffusion vorgenommen, wie in Fig. 2 dargestellt,
wobei Bor als Störstellen für eine P-Leitfähigkeit in diesem Bereich Vemiendung
findet. Wach dieser Basisdiffusion werden Schichten 22, 24 und 26 aus Siliciumnitrid,
polykristallinem Silicium und Siliciumoxyd auf der Substratoberfläche und der verbleibenden
Siliciumdioxydschicht 12 angebracht. anstelle des dreischichtigen Aufbaus kann auch
ein zweischichtiger Aufbau Verwendung finden, wobei nur Siliciumnitrid und Siliciumoxyd
nacheinander auf dem Substrat angebracht werden ist auch möglich, ein widerstandsfähiges
Metall anstelle des Siliciumnitrids zu verwenden Als Bedingung ist dabei nur zu
beachten, dass die erste Schicht 22 aus einer Substanz bestehen muss, die bei hohen
Temperaturen nicht oxydiert, wogegen das Substrat diese Eigenschaft nicht zueigen
haben darf.
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Vorzugsweise wird eine Dreifachschicht verwendet, da man beobachten
kann, dass die Siliciumnitridschicht nach einer P+-Diffusion oder einer anderen
Diffusion bei hoher Temperatur etwas
etwas aushärtet und daher nicht
mehr gleichförmig ätzbar ist.
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Es besteht auch eine tendenz, dass das Siliciumnitrid und das Siliciumoxyd
an ihren Oberflächen ungünstig aufeinander einwirken. Anstelle der angegebenen Substanzen
sowohl für das Substrat als auch für die Oxydschicht stehen dem Fachmann auch andere
Materialien zur Verfügung, wenn er die angegebenen 13edingungen im Auge behält.
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Zweite Öffnungen 28, die sich ebenfalls bis zur Oberfläche 18 des
Substrats erstrecken, werden in einem weiteren fotolithografischen Verfahrensschritt
vorgesehen. Die neue, nicht dargestellte Fotoresistschicht wird abgezogen und die
polykristalline Siliciumschicht 24 unterschnitten, um durch Ätzen mit Kaliumhydroxyd
einen 1µm-Inselbereich 30 zu schaffen.
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Diesem Zweck dient das Isolieren der ersten und dritten Schicht 22
und 26, um das gegenseitige Heagieren zu verhindern, und ermöglicht das gleichförmige
Ätzen zur Erzielung eines bestimmten musters mit bestimmten Dimensionen, das später
als Maske für die Atzung mit Siliciumnitrid dient. Es liegt innerhalb der Fähigkeiten
des Fachmannes, die Ätzung durch die Handhabung der Parameter, wie Konzentration,
Zeit der Einwirkung und Temperatur derart zu überwachen und zu steuern, dass entsprechend
dem ausgewählten Ätzmittel das gewünschte Ziel erreicht wird. Dieser Verfahrensschritt
muss verhältnismässig sorgfältig ausgeführt werden wegen des Verhältnisses der durch
die Inselbereiche 30 definierten Flächenbereiche nach der Ätzung und der zu diffundierenden
Bereiche 34.
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Anschliessend wird eine zweite Bordiffusion vorgenommen, um einen
tieferen n und stärker dotierten zweiten Bereich 32 mit P+-Leitfähigkeit zu schaffen.
Dabei wird eine Technik vorzugsweise angewandt, die eine flache Vorablagerung und
eine hohe Eindringtemperatur umfasst. Jegliche Oxydbildung bei der zweiten Diffusion,
welche aufgrund der hohen Temperatur und der P+-Dotierung möglich ist, wird mit
einer wässrigen Fluorwasserstoffsäure
stoffsäure ausgewaschen,
die auch einen dünnen unwichtigen Oberflächenfilm de usseren Oxydschicht mitnimmt.
Die Mittel, um die genaue Tiefe und die seitliche Erstreckung der diffundierten
Bereiche 32, bezogen auf die Oberfläche des Substrates 10, und um den Umfang der
Öffnungen 28 festzulegen, sind allgemein bekannt. So müssen z.B. zur Erzeugung eines
Bereiches gewiinschter Dicke und Breite die Störstellenkonzentration, die Zeit der
einwirkung und die Verfahrenstemperatur in geeigneter Weise eingestellt sein.
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Bei dem siclt nunmehr ergebenden Verfahrens zustand greifen die zweiten
diffundierten Bereiche unter die sandwich-artig aufgebaute Nase, wobei der Umfang
der Überlappung sowie die Tiefe der Diffusion wegen der genauen überwachung der
Diffusion bekannt sind.
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Im Anschluss an die P+-Diffusion wird die erste Schicht 22 unter Verwendung
der zweiten Schicht 24 als Maske einer Ätzung unterzogen. Anschliessend wird die
dritte Schicht 26 abgezogen und die zweite polykristalline Siliciumschicht 24 mit
Kaliumhydroxyd weggeätzt. Dabei wird das monokristalline Silicium und das Siliciumnitrid
nicht nennenswert angegriffen.
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Im Anschluss daran wird eine Oxydschicht 36 auf der freiliegenden
Oberfläche des Substrates 10 aufgewachsen, wobei dieses auf eine erhöhte Temperatur
gebracht wird. Danach wird die erste Schicht 22 entfernt, wobei vorzugsweise heisse
phosphorige bäure Verwendung findet,und eine Emitterdiffusion in den Bereich 34
vorgenommen, welcher durch das Entfernen der ersten Schicht 22 auf der Oberfläche
des Substrates 10 freigelegt wird. Dabei wird das Oxyd 36 als Maske für den nicht
zu diffundierenden Teil des Substrates verwendet. Daran anschliessend wird eine
Schicht 38 aus polykristallinem Silicium auf der freiliegenden Oberfläche des Substrates
10 autgewachsen.
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Anschliessend
Anschliessend wird in herkömmlicher
Weise ein Vorbereitungsschritt für die Basiskontaktierung (base preohmic) durchgeführt,
dem eine Ätzung des polykristallinen Siliciums und eine anschliessende Metallisierung
folgt. Der übereinanderliegende geometrische Aufbau gemäss Fig. 7 hat den nicht
datgestellten Basiskontakt am Ende der Emitterfinger. Der metallische Emitteranschluss
40 steht in elektrischer Kontaktverbindung mit dem hochdotierten polykristallinen
Silicium. Bei dem voraussteigend beschriebenen Verfahren ergibt sie eine Wiederholungsbreite
für das Muster von etwa 5µm- I)er Emitter ist etwa ut breit, wogegen die Basiskontaktdiffusion
etwa 3 1/2µm breit ist und der Abstand zwischen dem emitter und dem Basiskontakt
etwa 0,5µm beträgt. Der Basis-Emitterabstand ist gleichförmig entlang der gesamten
Peripherie der Halbleiteranordnung, unabhängig von Maskierungsfehlern oder Ungenauigkeiten
bei dem Fotoresistverfahren.
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Die Fig. 9 bis 13 beziehen sich auf ein zweites Ausführungsbeispiel
der Erfindung, wonach ein in geeigneter Weise vorbereiteter Halbleiterkörper 102
ein Substrat 10 aus einem monokristallinen Silicium (111) umfasst, das P-leitend
dotiert ist.
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Auf diesem Substrat wird entsprechend dem nachfolgend beschriebenen
Verfahren ein Oberflächen-Feldeffekttransistor ausgebildet. Wenn ein Feldeffekttransistor
mit N-leitender Kanalstrecke erwünscht ist, wird das Ausgangsmaterial N-leitend
dotiert. Auf dem Substrat 110 wird eine erste schickt 112 aus Siliciumnitrid und
über dieser eine zweite Schicht 114 aus Kieselerde angebracht. Die chemische Zusammensetzung
dieser beiden Schichten ermöglicht eine bevorzugte Schichtätzung, da Siliciumnitrid
z.B. bevorzugt von phosphoriger Säure geätzt wird, wogegen die Kieselerde z.B. bevorzugt
von Ammoniumbifluorid geätzt wird. Die beiden Schichten können in herkömmlicher
Weise aufgebracht werden.
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Unter
unter Verwendung eines lithografischen Verfahrens
werden Offnungen 116 in die Schichten 112 und 114 eingeschnitten, um die Oberfläche
118 des Substrats 110 für die Diffusion der enken- und Quellenbereiche 120 und 122
freizulegen. Diese Senken- und Quellenbereiche werden in herkömmlicher Weise durch
Diffusion ausgebildet und sind N+-leitend für das vorliegende Beispiel. Aufgrund
der allseitigen ausdehnung der Diffusion im Halbleiterkörper dringt der diffundierte
Bereich von der freiliegenden Oberfläche in der Öffnung 116 aus unter die Schichten
112 und 114 vor, so dass eine Überlappung 124 entsteht. Es ist wichtig, den genauen
Umfang der Überlappung zu kennen, da dies für die nachfolgenden Schritte von Bedeutung
ist. Deshalb müssen die einzelnen Parameter dieses Diffusionsvorganges sorgfältig
überwacht und gesteuert werden, damit der Betrag der Überlappung daraus abgeleitet
werden kann.
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Es handelt sich dabei im wesentlichen um die Einstellung der Störstellenkonzentration,
die Zeit der Diffusionseinwirkung und die hierbei herrschende temperatur, Nach dieser
Diffusion der Senken- und Quellenbereiche 120 und 122 wird die erste Schicht 112
einer bevorzugten Ätzung unterzogen, wobei diese Siliciumnitridschicht an Umfang
der Öffnungen 116 mit heisser phosphoriger Säure behandelt wird, die sowohl das
Silicium als auch das Siliciumoxyd nur unwesentlich angreift. Mit diesem Verfahrensschritt
wird die Siliciumnitridschicht 112 gerade soweit weggeätzt, dass die Öffnung 116
in der ersten Schicht 112 soweit vergrössert wird, dass ein neues Fenster 116a geschaffen
wird, dessen Jmfangslinie entlang der Diffusionsgrenze des Senken- bzw.
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Quellenbereiches verläuft Da der Umfang der Überlappung 124 genau
bekannt ist, kann dieser Ätzvorgang ebenfalls insoweit genau überwacht werden, dass
nur soviel von der ersten Schicht am Umfang der Öffnui 116 entfernt wird, wi# für
die gewünschte Grösse der neuen Öffnung -ll6a notwendig ist.
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Nach
Nach diesem Ätzvorgang wird die zweite Schicht
114 mit dem Ätzmittel f.mmoniumbifluorid entfernt, wobei dieses Ätzmittel das Silicium
und das Siliciumnitrid nicht angreift.
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Daran anschliessend wird eine dicke Oxydschicht 126 über der freiliegenden
Oberfläche 118 des Substrats 110 über den Senken-und Quellenbereichen aufgewachsen.
Diese Oxydschicht 126 bereitet einen Schutz gegen parasitäre Kapazitäten zwischen
dem Tor und Quellenbereich bzw. dem or und Senkenbereich. Diese Oxydschicht sollte
ein um oder mehr dick sein. Die Siliciumnitridschicht wird nunmehr mit heisser phosphoriger
Säure entfernt, wodurch die Oberfläche 118 des Substrats 110 über dem Eanalbereich
128 freigelegt wird. teine Oxydschicht gewünschter Dicke wird darm über dem Kanalbereich
128 und dabei gleichzeitig auch iiber den Oxydschichten 126 aufgewachsen. Diese
Oxydschicht 130 dient als Isolationsschicht zwischen der Torelektrode 13c, und dem
Kanalbereich 120. ißin hervorstechender Vorteil des bisher beschriebenen Verfahrens
besteht in der Tatsache, dass bis zu diesem Verfahrensschritt nur eine einzige lithografische
Maskierung notwendig ist, um den Quellen- und Senkenbereich sowie das Tor auszubilden.
Damit entfällt die exakte Ausrichtung mehrerer nacheinander anzubringender Masken.
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Im Anschluss an das soweit durchgeführte Verfahren kann nun bequem
die tietallisation zur ohmischen Kontaktierung des Quellen- und Senkenbereiches
sowie des Tores vorgenommen werden. Zu diesem Zweck werden lithografisch Öffnungen
132 in die Oxydschichten über den Quellen- und Senkenbereichen eingeschnitten, und
die Oberfläche 118 des Substrats freigelegt.
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Das Ausrichten dieser hierfür notwendigen Maske ist unkritisch, da
sehr grosse Toleranzbereiche zur Verfügung stehen.
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Anschliessend wird über der Oberfläche des Halbleiteraufbaus eine
Aluminiumschicht niedergeschlagen und die Ausbildung der Elektroden
Elektroden
139, 138 und 140 in herkömmlicher Weise vorgenommen.
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Die Erfindung hat auch den Vorteil, dass die Ausrichtung der Maske
zur Ausbildung der Torelektrode 138 die Berücksichtigung keiner besonderen Toleranzanforderungen
notwendig macht.
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Wenn die Maske leicht verschoben ist, wird die Halbleiteranordnung
trotzdem gegen parasitäre Kapazitäten durch die verhältnismässig dicke dielektrische
Oxydschicht 126 geschützt.
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Die erfindung kann in vorteilhafter Weise zur Herstellung von Qberflächen-Feldeffekttransistoren
Verwendung finden, bei denen die Tore bis zu 0,25µm schmal sind, wobei gleichzeitig
die Torkapazität um eine Grössenordnung im Vergleich zu herkommlichen Verfahren
verringert werden kann.
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Patent ansprüche