DE19930169B4 - Testeinrichtung und Verfahren zum Prüfen eines Speichers - Google Patents

Testeinrichtung und Verfahren zum Prüfen eines Speichers Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Testeinrichtung (4) zum Prüfen eines auf bzw. in einem Substrat (1) ausgebildeten Speichers mit einer Vielzahl von Speicherzellen (2), wobei die Testeinrichtung nach einem Prüfprogramm eine Prüfung des Speichers vornimmt, wobei die Testeinrichtung (4) eine Interpretervorrichtung aufweist, die den Speicher nach dem Prüfprogramm betreibt und testet, wobei das Prüfprogramm im zu testenden Speicher abgelegt ist. Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein Verfahren zum Testen eines Speichers sowie auf eine Schaltungsanordnung mit einer Vielzahl von auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltungen (1a), insbesondere Speichern, welche zur Ermöglichung der Vereinzelung der Schaltungen einen Zwischenraum (55) zwischen diesen aufweisen, wobei in den Zwischenräumen (55) Zuleitungen (51) ausgebildet sind, die die einzelnen Schaltungen (1a) miteinander und/oder mit einer oder mehreren Zusatz-Schaltungen verbinden.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Testeinrichtung zum Prüfen eines Speichers, insbesondere eines Halbleiterspeichers vom wahlfreien Zugriffstyp, mit einer Vielzahl von Speicherzellen, welchen Speicherzellen Bitleitungen zugeordnet sind, welche Bitleitungen vermittels einer Ansteuerschaltung mit aus dem Speicher heraus führenden Ein/Ausgabeleitungen verbindbar sind, wobei die Testeinrichtung nach einem Prüfprogramm eine aus mehreren Einzeltests bestehende Prüfung des Speichers vornimmt. Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein Verfahren zum Testen eines Speichers sowie auf eine Schaltungsanordnung mit einer Vielzahl von auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten zu testenden Schaltungen, welche in einem nachfolgendem Fertigungsschritt vereinzelt werden.
  • Bei den immer größer werdenden Speicherzellenarrays der Halbleiterspeicher mit immer schneller erfolgenden Generationenfolgen – so ist etwa mit einer Vervierfachung der Kapazität alle 3 Jahre zu rechnen (beispielsweise von der 64 MBit DRAM Generation zur 256 MBit DRAM Generation) – ist das Testen der Speicherzellen der Halbleiterspeicher unerläßlich, da unter Umständen bereits eine einzige defekte Speicherzelle zum Totalausfall des gesamten Halbleiterspeichers führen kann. Deshalb sind in den meisten Halbleiterspeichern redundante Speicherzellen vorgesehen, die anstelle der defekten Speicherzellen angesprochen werden. Aber auch hierzu ist es erforderlich, den gesamten Speicher, d.h. jede Halbleiterspeicherzelle auf Funktionalität zu prüfen, um die auf diese Weise als fehlerhaft identifizierten Speicherzellen gegebenenfalls durch redundante Speicherzellen ersetzen zu können. Bisher wurden hierfür sogenannte Tester verwendet, die die Halbleiterchips noch im Waferverbund durch Aufsetzen kleiner Nadeln auf den Kontaktflächen kontaktieren. Auch gibt es Tester, die die schon gehäusten oder verdrahteten Halbleiterchips kontaktieren. Nach dem Kontaktieren der Halbleiterchips durch den Tester werden alle Speicherzellen des Spicherzellenarrays getestet, die Adressen der defekten Speicherzellen extern (also im Tester) gespeichert und nach dem Funktionalitätstest zur Redundanzauswertung verwendet. Bei dieser Auswertung werden redundante Speicherzellen den Adressen der defekten Speicherzellen zugeordnet.
  • Bei den nunmehr erreichten Größen der Speicherzellenarrays mit einer Speicherkapazität von 256 MBit oder 1 GBit ist der Testvorgang der Speicherzellen mit erheblichen Kosten, die proportional zur Speichergroße – und damit exponentiell zur Speicherchipgeneration – sind, verbunden, da der Testvorgang zusätzlich für jeden produzierten Halbleiterspeicher Zeit beansprucht. Für die anstehende 1 GBit Generation wird somit abgeschätzt, dass die Testkosten schon 30% der gesamten Produktionskosten ausmachen werden.
  • Da die teuren Tester mit jeder neuen Generation in ihrer Hardware angepasst werden müssen, was wieder einen erheblichen Kostenaufwand bedeutet, wird versucht, die notwendigen Tests auf ein Minimum zu reduzieren. Auch eine Parallelisierung der Tests von mehreren Chips gleichzeitig ist bei bzw. durch eine heute übliche gleichzeitige Prüfung von bis zu 64 Speichern nicht mehr ausbaufähig, da dieser Ansatz durch die Anzahl der auf den Chip aufgesetzten Kontaktnadeln des Testers begrenzt ist. Auch bei einer denkbaren Reduzierung der für den Test benötigten aufzusetzenden Kontaktnadeln müsste das gesamte Speicherzellenarray Zelle für Zelle durch den Tester geprüft werden.
  • Nach dem eigentlichen Test erfolgt vermittels der Hard- und Software des Testers oder eines weiteren externen Gerätes die Auswertung der durch den Test gewonnenen Daten über die Position bzw. Adressen der defekten Speicherzellen. Hierbei wird eine Redundanzanalyse durchgeführt, die redundante Speicher zellen den Adressen der defekten Speicherzellen zuordnet. Diese Zuordnungsdaten werden hierauf zwischengespeichert oder direkt zu einer Vorrichtung weitergeleitet, die die Zuordnung auf dem Chip „verdrahtet". Dies kann durch einen Laserstrahl erfolgen, der Bahnen wegbrennt, durch sogenannte Fuses oder Anti-Fuses oder andere geeignete Mittel.
  • Das Test-Programm ist in der Regel in dem externen Tester in Form einer festen Schaltung enthalten, oder wird vermittels großem Aufwand vermittels programmierbarer Einheiten erstellt. Eine Änderung des Testprogramms oder der den Test ausführenden Einrichtungen führt zu sehr kostenintensiven Verzögerungen in der Massenproduktion, was oft einen nicht mehr aufzuholenden Zeitverlust bedeutet.
  • Aus der DE 198 19 570 A1 ist eine Anordnung zum Testen mehrerer Speicherchips auf einem Wafer bekannt geworden, bei der unter Verwendung von Nadeln den Speicherchips Spannungen und Signale zugeführt werden, wobei die Signale von einer im Kerf des Speicherchips angeordneten Logik erzeugt und dem Speicherchip direkt zugeführt werden. Die Logik arbeitet dabei nach einem Prüfprogramm, das entweder im Bereich der Logik oder außerhalb des Wafers abgelegt ist.
  • Aus der US 5,659,551 ist eine bauteilinterne Testeinrichtung für ein Speicherzellenfeld bekannt, bei der ein Prüfprogramm, das die Testeinrichtung steuert, in einem allein zu diesem Zweck vorgesehenen Mikrocode-Speicherzellenfeld nicht flüchtig und unveränderbar abgelegt ist.
  • Die US 5,355,369 beschreibt ein Verfahren, bei dem zum Bauteiltest ein Prüfprogramm über ein Testboard an das zu prüfende Bauteil übertragen, dort in einem zu diesem Zweck vorbereitenden Prüfprogrammspeicher abgelegt und von einer internen Selbstteststeuerung abgearbeitet wird.
  • Die DE 197 25 581 C2 beschreibt ein Verfahren zum Zwischenspeichern eines Testergebnisses eines Speicherzellenfeldes im Speicherzellenfeld selbst. Dazu wird zunächst ein erster Teil des Speicherzellenfeldes geprüft und das Ergebnis für jede Speicherzelle in einem zweiten Teil des Speicherzellenfeldes bitweise abgespeichert. Das bitweise Abspeichern ermöglicht dabei eine Redundanzanalyse bezüglich der fehlerhaften Speicherzellen. Fehler, die darauf zurückzuführen sind, dass die Speicherzellen der zweiten Gruppe beim Zwischenspeichern der Prüfergebnisse der Speicherzellen der ersten Gruppe noch keiner Funktionsüberprüfung unterzogen sind, werden durch ein redundantes Abspeichern des Zwischenergebnisses ausgeschlossen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, eine Testeinrichtung und ein Verfahren zum Testen eines Speichers zur Verfügung zu stellen, die universell einsetzbar sind, d.h. keine konstruktiven Veränderungen beim Einsatz bei verschiedenen Speichergrößen (also unabhängig von der Größe der zu testenden Speicherarrays) und -typen benötigen, die schnell anpassbar an ein sich änderndes Prüfprogramm sind, ohne konstruktive Eingriffe vornehmen zu müssen, wobei die Testdauer verringert ist.
  • Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch eine Testeinrichtung nach Anspruch 1 und durch ein Verfahren zum Testen eines Speichers nach Anspruch 26.
  • Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Testeinrichtung eine Interpretervorrichtung aufweist, die den Speicher nach dem Prüfprogramm betreibt und testet, wobei das Prüfprogramm im zu testenden Speicher abgelegt ist.
  • Die Erfindung schlägt vor, eine nach einem Prüfprogramm arbeitende Testeinrichtung vorzusehen, dessen Prüfprogramm-Kommandocodes im ungetesteten Speicherzellenarray des zu te stenden Speicherchips abgelegt sind. Der Vorteil der erfindungsgemäßen Testeinrichtung besteht u.a. darin, dass die Testeinrichtung an sich nicht mehr an die sich ändernden Hardwareeigenschaften der Chipgenerationen bzw. Fertigungslinien angepasst werden muss, da das jeweils für den Chip-Typ passende Prüfprogramm auf dem jeweiligen zu prüfenden Speicher selbst als veränderbarer Code abgelegt ist. Es ist somit auch möglich, verschiedene Speicherchip-Typen vermittels der gleichen Testeinrichtung zu prüfen. Auch ist eine rasche Anpassung der Prüfprogramme für die Speicherchips möglich, ohne dass ein Eingriff in die Testeinrichtung notwendig wird. Eine zeitraubende Änderung der Tester und/oder der diese steuernden Programme bzw. deren Neueinspeicherung bei verschiedenen Speichertypen und/oder eine Änderung der Schaltungen der Speicherchips ist nicht mehr notwendig. Das exponentielle Anwachsen der Testzeit vermittels der teuren Tester und die damit verbundenen Kosten werden verhindert. Durch den neuen Ansatz der individuell programmierbaren und kostengünstigen Testeinrichtung können alle das Speicherzellenarray betreffenden Tests wieder ausführlicher durchgeführt werden, was eine deutliche Verbesserung für die Entwicklung durch genauere Analyse der fehlerhaften Chips bzw. deren Fehlerquellen darstellt. Der Vorteil liegt insbesondere auch darin, dass die Testeinrichtung flexibel einsetzbar und schnell anpassbar an ein sich änderndes Prüfprogramm ist, ohne konstruktive Änderungen an den Schaltungen des Speichers vornehmen zu müssen, wobei die Gesamtzeit, die für das Testen erforderlich ist, verringert ist.
  • In einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die Testeinrichtung auf bzw. in dem Substrat ausgebildet. Hierdurch wird vorteilhafterweise erreicht, dass eine externe Kontaktierung durch auf das Substrat des Speichers aufzusetzende Kontaktnadeln nicht mehr notwendig ist. Hierdurch wird der Einsatz von externem Equipment minimiert oder überflüssig gemacht, und ein Testen schon im Waferverbund wird ermöglicht.
  • In einer weiterhin bevorzugten Ausführung der Erfindung sind in dem Substrat mehrere gleichartige bzw. eigenständige Speicher ausgebildet, die nach dem Abschluss der Prüfung, und gegebenenfalls nach den Ergebnissen dieser erfolgten Maßnahmen, vereinzelt werden sollen. Der Vorteil hierbei liegt darin, dass der Wafer, auf bzw. in dem die einzelnen Speicherchips ausgebildet sind, wesentlich leichter zu handhaben ist als eine Vielzahl von einzelnen Speicherchips, sowie darin, dass ein paralleles Testen aller auf dem Wafer gefertigten Chips gleichzeitig möglich ist.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführung der Erfindung ist vorgesehen, dass jeder einzelne Speicher eine eigene auf bzw. in dem Substrat ausgebildete Testeinrichtung besitzt. Hierdurch können auch verschiedene Speichertypen auf einem einzigen Wafer ausgebildet sein und oder verschiedene Prüfprogramme für die einzelnen Speicher zum Einsatz kommen.
  • Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass allen Speichern eine einzige gemeinsame Testeinrichtung zugeordnet ist. Hierdurch wird die benötigte Chipfläche minimiert, und bei den einzelnen Speicherchips geht keine Substratfläche für die nur einmal benötigte Testeinrichtung verloren.
  • In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung weist die Interpretervorrichtung ein Steuerteil auf, das nach entsprechenden einzelnen Testbefehlen des Prüfprogramms eine oder mehrere Speicherzellen des Speicherzellenfeldes des zu testenden Speichers mit einem bestimmten Testdatenmuster beschreibt und dieses Testdatenmuster als die zu erwartenden Daten bereitstellt. Diesem folgend ist in einer weiteren vorteilhaften und daher bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung eine Vergleichseinrichtung vorgesehen, die die aus den Speicherzellen des zu testenden Speichers ausgelesenen Daten mit den bereitgestellten zu erwartenden Daten vergleicht und ein Ergebnis im Falle der Ungleichheit liefert. Hierdurch wird eine effektive und einfache Funktionsüberprüfung der einzelnen Speicherzellen erreicht.
  • Von Vorteil ist weiterhin eine Testbefehlsleseeinrichtung vorgesehen, die die einzelnen Testbefehle des Prüfprogramms aus dem zu testenden Speicherzellenfeld ausliest und als Einzeltestbefehl dem Steuerteil zur Verfügung stellt. Hierdurch kann das Steuerteil unabhängig von der Notwendigkeit, die Einzeltestbefehle aus dem zu testenden Speicherzellenfeld zu extrahieren, arbeiten.
  • Dem folgend ist vorteilhafterweise ein Register oder eine Mehrzahl von Registern vorgesehen, die die Einzeltestbefehle zwischenspeichern. Das Steuerteil bezieht die Einzeltestbefehle der Reihe nach aus den Registern. Der hierdurch erreichte Vorteil liegt in der Unabhängigkeit der Geschwindigkeiten der Testbefehlsleseeinrichtung und der Verarbeitung der Einzeltestbefehle durch das Steuerteil.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist eine Schreibeinrichtung vorgesehen, die die Ergebnisse der Vergleichseinrichtung in einen Ergebnisspeicher schreibt. Dem folgend sind vorteilhafterweise ein oder mehrere Register vorgesehen, die die einzelnen Ergebnisse zwischenspeichern, wobei die Ergebnisse von der Schreibeinrichtung aus den Registern ausgelesen werden. Der hierdurch erreichte Vorteil liegt in. der Unabhängigkeit der Geschwindigkeiten der Vergleichseinrichtung und der Speicherung der Ergebnisse durch die Schreibeinrichtung.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist der Ergebnisspeicher durch einen externen oder einen auf dem Substrat ausgebildeten Testspeicher ausgebildet. Hierdurch können die Ergebnisse gespeichert werden, und zu einem späteren Zeitpunkt für eine Redundanzanalyse ausgewertet werden.
  • Nach einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist der Ergebnisspeicher durch Speicherzellen des zu testenden Speichers ausgebildet. Hierdurch wird der Raum eines zusätzlichen Testspeichers und/oder einer Kontaktierung für die Übermittlung der Ergebnisse in einen externen Speicher auf dem Substrat frei. Dem folgend ist vorteilhafterweise die Schreibeinrichtung so ausgebildet, dass das Einschreiben der Ergebnisse der Vergleichseinrichtung in die Speicherzellen des zu testenden Speichers redundant, also tolerant gegenüber fehlerhaften Speicherzellen, erfolgt.
  • Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Testen eines Speichers. Der besonders bevorzugte Ablauf ist hierbei:
    • – Ablegen eines einzelne Testbefehle beinhaltenden Prüfprogramms in Speicherzellen eines Speicherzellenfeldes des Speichers,
    • – redundantes Auslesen eines oder mehrerer Einzeltestbefehle des Prüfprogramms,
    • – Interpretation des/der Einzeltestbefehle durch ein Steuerteil,
    • – Beschreiben einer oder mehrerer Speicherzellen des zu testenden Speicherzellenfeldes mit einem durch einen oder mehrere Einzeltestbefehle festgelegten Testdatenmuster,
    • – Auslesen der Speicherzustände der mit dem Testdatenmuster beschriebenen Speicherzellen des zu testenden Speicherzellenfeldes,
    • – Vergleich der Speicherzustände mit den durch das Testdatenmuster vorgegebenen zu erwartenden Daten,
    • – Speicherung der Adressen der beschriebenen Speicherzellen des zu testenden Speicherzellenfeldes im Falle der Ungleichheit der Speicherzustände mit den durch das Testdatenmuster vorgegebenen zu erwartenden Daten in einem Ergebnisspeicher,
    • – Neuerliches Auslesen eines oder mehrerer Einzeltestbefehle aus dem Programmspeicher.
  • Dabei ist der Programmspeicher und oder der Ergebnisspeicher bevorzugterweise so beschaffen, dass er durch Speicherzellen des zu testenden Speichers ausgebildet ist.
  • Ein weiterer besonders vorteilhafter und daher bevorzugter Verfahrensschritt sieht vor, dass mehrere Speicher im Substratverbund (Waferverbund) befindlich getestet werden. Hierdurch werden die Speicher besonders effektiv und kostengünstig getestet, da die Prüfung noch vor der Vereinzelung der einzelnen Speicher erfolgt.
  • Vor dem Beginn des Testens erfolgt die Ablage (Speicherung) des die einzelnen Testbefehle beinhaltenden Prüfprogramms in dem/den zu testenden Speicher/n.
  • Die Speicherung der Adressen der fehlerhaften Speicherzellen und/oder das Auslesen der Einzeltestbefehle erfolgt in einem weiteren besonders bevorzugten Schritt des Verfahrens redundant. Hierdurch wird eine Speicherung und das hiernach erfolgende Auslesen des Prüfprogramms und/oder der Ergebnisse in Form der Adressen der fehlerhaften Speicherzellen tolerant gegenüber fehlerhaften Speicherzellen des zu testenden Speichers ermöglicht.
  • Weitere Vorteile, Besonderheiten und zweckmäßige Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den weiteren Unteransprüchen.
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung weiter erläutert. Im Einzelnen zeigen die schematischen Darstellungen in:
  • 1 ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Testeinrichtung, die gemeinsam mit einem Speicher auf einem Substrat ausgebildet ist;
  • 2 die Testeinrichtung nach dem Ausführungsbeispiel; und
  • 3 einen als Substrat dienenden Wafer, der mehrere noch zu vereinzelnde Schaltungen enthält, die durch Leitungen miteinander verbunden sind.
  • In 1 ist ein Substrat 1 dargestellt, auf bzw. in dem ein Speicher mit einer Vielzahl in einem Speicherzellenarray 2 ausgebildeten Speicherzellen vorgesehen ist, die durch Adressbitleitungen 5a und Datenbitleitungen 6a mit einer Adress-Treiberschaltung 5 und einer Daten-Treiberschaltung 6 verbunden sind. Zur Verbindung des Speichers nach außen ist eine Ein/Ausgabe-Treiberschaltung 3 vorgesehen, die über Kontaktflächen 31 von außen kontaktierbar ist. Weiterhin ist eine auf bzw. in dem Substrat 1 ausgebildete erfindungsgemäße Testeinrichtung 4 dargestellt, die über Leitungen 4a mit der Ein/Ausgabe-Treiberschaltung 3 verbunden ist. Die Testeinrichtung 4 betreibt dabei den. Speicher wie unter Normalbetrieb durch Schreib- und Lesevorgänge nach einem Prüfprogramm, nach welchem unterschiedliche Testschritte ausgeführt werden. Es ist auch eine Verbindung der Testeinrichtung 4 mit der Adress-Treiberschaltung 5 und der Daten-Treiberschaltung 6 oder eine Verbindung direkt mit den Adressbitleitungen 5a und den Datenbitleitungen 6a möglich. Bei einer Verbindung der Testeinrichtung 4 mit der Ein/Ausgabe-Treiberschaltung 3, wie im Ausführungsbeispiel gezeigt, werden vorteilhafterweise die Adress-Treiberschaltung 5 und die Daten-Treiberschaltung 6 bei dem Speichertest mitgetestet.
  • Die Testeinrichtung 4 betreibt den Speicher durch Schreib- und Lesevorgänge derart, dass durch einen Vergleich der durch die Testeinrichtung eingeschriebenen Daten WD1-N in das Speicherzellenfeld 2 und der aus diesem wieder ausgelesenen Lesedaten RD1-N ein Vergleich möglich ist, nach dem die Speicherzellen als defekt oder funktionstüchtig klassifiziert werden können und die den defekten Speicherzellen zugehörigen Adressen ADR1-M zur weiteren Auswertung gespeichert werden können. Die durch den Test gewonnenen Adressen der defekten Speicherzellen werden für eine mit diesen Daten folgende Redundanzanalyse zur Verfügung gestellt. Dadurch werden langwierige Testläufe in den hochkomplizierten und teuer zu betreibenden Testern umgangen, da die Adressenliste der defekten Speicherchips direkt an die die redundanten Speicherzellen zuordnenden Einrichtungen übersandt wird.
  • Hierbei können die Adressen der defekten Speicherzellen in einem Testdatenspeicher abgelegt werden, der durch einen externen Speicher mit nicht flüchtigen oder flüchtigen Speicherzellen ausgebildet sein kann. Weiterhin möglich ist die Speicherung der Adressen in dem zu testenden Speicher selbst. Hierdurch wird kein zusätzlicher Speicher benötigt.
  • Die erfindungsgemäße Testeinrichtung 4 ist in 2 näher erläutert. Die Testeinrichtung 4 umfasst eine Testbefehlsleseeinheit 42, dieser zugeordnete Register 41 und 411 zum zwischenspeichern der Einzelbefehle des Prüfprogramms, ein Steuerteil 40 zum Beschreiben der Speicherzellen, eine Vergleichseinrichtung 43 zum Vergleich der zu erwartenden Daten 40d mit den aus den zu testenden Speicherzellenfeld 2 ausgelese nen Daten RD1-N, der Vergleichseinrichtung zugeordnete Ergebnisregister 44 und 441 zur Zwischenspeicherung der Ergebnisse der Vergleichseinrichtung 43 bzw. der Adressen 40e der defekten Speicherzellen, sowie eine Schreibeinrichtung 45 zur Ablage 45a der in den Registern 44 und 441 zwischengespeicherten Daten 44a in einem Ergebnisspeicher. Das Steuerteil 40 beschreibt die Speicherzellen des Speicherzellenfeldes nach einem durch das Prüfprogramm vorgegebenen Muster und stellt diese Testdatenmuster, die den zu erwartenden Speicherzuständen 40d der Speicherzellen entsprechen, auch der Vergleichsschaltung 43 zur Verfügung. Die Vergleichsschaltung 43 führt einen Vergleich zwischen den aus den zu testenden Speicherzellen ausgelesenen Daten RD1-N und den zu erwartenden Speicherzuständen 40d durch und liefert im Falle der Ungleichheit ein Ergebnis, das der Adresse ADR1-M der nicht den korrekten Speicherzustand aufweisenden Speicherzelle entspricht, oder steuert die Speicherung der Adresse RDR1-M in einem der Register 44 und 441. Hierbei kann beim Beschreiben der Speicherzellen wie auch beim Auslesen durch die Vergleichseinrichtung 43 direkt auf die Bitleitungen des Speicherzellenfeldes zugegriffen werden oder die Ein-/Ausgabeeinrichtung 3 angesprochen werden, wobei im letzteren Fall die Adress- bzw. Datentreiber 5 bzw. 6 in den Test mit einbezogen werden.
  • Das aus vielen Einzelschritten bestehende Prüfprogramm, nach dem das Steuerteil 40 arbeitet, ist hierbei nicht in Form von in Hardware kodierten Schaltungen abgelegt, sondern frei programmierbar in einem Speicher abgelegt. Hierzu kann ein eigener Programmdatenspeicher vorgesehen sein, oder das Prüfprogramm wird in dem zu testenden Speicher abgelegt und die Einzelschritte durch die Testeinrichtung 4 aus diesen ausgelesen. Da die Speicherung im Falle der Benutzung des zu testenden Speicherzellenfeldes 2 für die Programmdaten vermittels ungetesteter Speicherzellen erfolgt, wird erfindungsgemäß die Speicherung der Einzelschritte redundant vorgenommen, was ein sicheres Auslesen der Programmeinzelschritte auch bei einzelnen defekten Speicherzellen ermöglicht.
  • Hierzu ist die Testbefehlsleseeinheit 42 erfindungsgemäß so ausgestaltet, dass sie automatisch die Einzelbefehle redundant aus dem zu testenden Speicherzellenfeld ausliest und die einzelnen Befehle in Registern 41 und 411 der Reihe nach ablegt. Aus den Registern 41 und 411 werden die Testbefehle einzeln an das Steuerteil 40 weitergegeben, bzw. von diesem mit einem Signal 40c angefordert. Ebenso kann die Speicherung der Ergebnisse der Vergleichseinheit 43 in Form der Adressen ADR1-M der defekten Speicherzellen im Speicherzellenfeld 2 redundant erfolgen, wobei die Adressen der defekten Speicherzellen zunächst in Registern 44 und 441 abgelegt werden, und vermittels einer Schreibeinrichtung 45, die selbsttätig arbeitet, redundant in das zu testende Speicherzellenfeld eingeschrieben werden. Im Falle, dass die Daten nicht in dem zu testenden Speicher abgelegt werde sollen, können diese in einem externen Speicher bzw. einem gesonderten Testdatenspeicher abgelegt werden.
  • 3 zeigt eine erfindungsgemäße Schaltungsanordnung von mehreren in bzw. auf einem gemeinsamen Substrat 1 ausgebildeten Schaltungen 1a, bevorzugterweise Speichern, welche Schaltungen 1a durch in bzw. auf dem Substrat 1 zwischen den Schaltungen 1a ausgebildete Zuleitungen 51 miteinander verbunden werden. Die von den Zuleitungen 51 beanspruchten Flächen der Zwischenräume 55 zwischen den Schaltungen 1a auf dem Substrat 1 gehen hierbei nicht notwendigerweise zu Lasten der zur Ausbildung der Schaltungen 1a zur Verfügung stehenden Fläche, da die Zwischenräume zum Vereinzeln der einzelnen Schaltungen 1a entlang von Schnittkanten 54 dienen. Die Zuleitungen 51 werden durch eine später durchzuführende Vereinzelung (Zerteilung des den Schaltungen 1a gemeinsamen Substrats 1 entlang von Schnittkanten 54) zerstört und nicht mehr benötigt. Zur Kontaktierung der Schaltungen 1a vermittels der Zuleitungen 51 sind in einem Zwischenraum 55 oder am Randbereich 56 des die einzelnen Schaltungen 1a umfassenden Substrats 1 Kontaktflächen 52 zur elektrischen Kontaktierung der auf dem Substrat ausgebildeten Schaltungen vorgesehen.
  • Somit ist auch eine Stromversorgung der durch Speicher ausgebildeten Schaltungen 1a im Waferverbund möglich. Hierdurch kann der Test der Speicher vermittels einer nach einem Prüfprogramm arbeitenden Testeinrichtung, die jeweils pro Speicher oder in Form einer einzigen und allen Speichern gemeinsamen Testeinrichtung ausgebildet ist, durch Versorgen der Waferscheibe mit einer Betriebsspannung automatisch erfolgen; ein Kontaktieren der einzelnen Speicher mit einem Tester ist nicht mehr notwendig. Das Prüfprogramm, nach dem die Testeinrichtung arbeitet, ist hierbei in einem oder mehreren zu testenden Speichern oder einem eigens hierfür vorgesehenen Programmspeicher abgelegt.
  • Durch die Zuleitungen 51 können die Schaltungen bzw. Testeinrichtungen) mit verschiedenen Systemtakten verbunden werden, was insbesondere beim Testen von Speicherbausteinen zur Funktionskontrolle zur Synchronisation insbesondere der Ein/Ausgabeschnittstellen notwendig sein kann.
  • Die Speicherung der durch den Test gewonnenen Daten kann hierbei in einem durch eine der Zusatz-Schaltungen ausgebildeten auf bzw. in dem Substrat 1 ausgebildeten Testspeicher erfolgen, der durch die Zuleitungen 51 mit einer oder mehreren zu testenden Schaltungen und/oder der Testeinrichtung, die auch durch eine der Zusatz-Schaltungen ausgebildet sein kann, verbunden ist. Der Testspeicher, der durch einen mit einer Spannung zu versorgenden flüchtigen oder einen nicht flüchtigen Speicher ausgebildet sein kann, und/oder die Testeinrichtung kann auch in einem Zwischenraum 55 oder am Randbereich 56 des die einzelnen Schaltungen 1a umfassenden Substrats 1 ausgebildet sein.
  • Gemäß der Erfindung können die durch den Test gewonnenen Daten entweder durch die Testeinrichtung selbst oder vermittels einer externen Einrichtung, beispielsweise in Form einer Redundanzanalyse, ausgewertet werden. Besonders vorteilhaft ist die Auswertung durch die auf dem Substrat ausgebildete Testeinrichtung, wenn die Ergebnisse der Redundanzanalyse in einem auf dem Substrat ausgebildeten nicht flüchtigen Speicher gespeichert werden können. Im Gegensatz zu den bisherigen Testverfahren ist bei dem erfindungsgemäßen Ansatz mit einer auf dem Substrat ausgebildeten Testeinrichtung ein Kontakt mit einer externen Einrichtung, beispielsweise in Form eines Testers, höchstens einmal am Anfang und einmal am Ende des Testens erforderlich. Am Anfang, um gegebenenfalls das Prüfprogramm in die Speicherbausteine einzuspeichern, und am Ende, um die gewonnenen Daten gegebenenfalls zu übermitteln. Ein Test kann längere Zeit in Anspruch nehmen, wobei lediglich eine Betriebsspannungsversorgung während des Testens notwendig ist. Somit kann ein solcher Test ohne Kontakt mit der externen Einrichtung ablaufen.
  • Sind in dem zu testenden Speicher das Prüfprogramm und/oder die Ergebnisse abgespeichert, so sind gegebenenfalls Kopiervorgänge während des Testens notwendig, um die gespeicherten Informationen vor dem Testen von noch zu testenden Speicherzellenbereichen in bereits getestete umzuspeichern.
  • Die Ergebnisse einer Redundanzanalyse der externen Einrichtung oder der Testeinrichtung werden schließlich dazu verwandt, die redundanten Speicherzellen irreversibel den defekten Speicherzellen zuzuordnen.

Claims (28)

  1. Testeinrichtung (4) zum Prüfen eines auf bzw. in einem Substrat (1) ausgebildeten Speichers mit einer Vielzahl von Speicherzellen (2) in einem Speicherzellenfeld, wobei die Testeinrichtung eine Prüfung des Speichers nach einem Prüfprogramm vornimmt, gekennzeichnet durch eine den Speicher nach dem Prüfprogramm betreibende und testende Interpretervorrichtung, wobei das Prüfprogramm redundant im zu testenden Speicherzellenfeld abgelegt ist.
  2. Testeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Testeinrichtung (4) auf dem bzw. im Substrat (1) ausgebildet ist.
  3. Testeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem bzw. im Substrat (1) mehrere gleichartige bzw. eigenständige und nach Abschluss der Prüfung zu vereinzelnde Speicher ausgebildet sind.
  4. Testeinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Speicher jeweils genau eine auf dem bzw. im Substrat (1) ausgebildete Testeinrichtung (4) zugeordnet ist.
  5. Testeinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass allen Speichern genau eine gemeinsame Testeinrichtung (4) zugeordnet ist.
  6. Testeinrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die gemeinsame Testeinrichtung (4) auf dem bzw. im Substrat (1) ausgebildet ist.
  7. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Interpretervorrichtung ein Steuerteil (40) aufweist, das nach jeweils einem einzelnen Testbefehl (41a) des Prüfprogramms eine oder mehrere Speicherzellen des zu testenden Speicherzellenfeldes (2) mit einem bestimmten Testdatenmuster (40a) beschreibt und dieses Testdatenmuster als zu erwartenden Daten (40d) bereitstellt.
  8. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch eine Testbefehlsleseeinrichtung (42), die die einzelnen Testbefehle (2a) des redundant abgelegten Prüfprogramms aus dem zu testenden Speicherzellenfeld (2) ausliest und an ihrem Ausgang als Einzeltestbefehl (42a) zur Verfügung stellt.
  9. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch ein Register (41), das den von der Testbefehlsleseeinrichtung (42) bereitgestellten Einzeltestbefehl (42a) zwischenspeichert.
  10. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von Registern (411) für Einzeltestbefehle (42a) des Prüfprogramms.
  11. Testeinrichtung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch dass das Steuerteil (40) die Einzeltestbefehle (41a) aus den Registern (41 und 411) der Reihe nach bezieht.
  12. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, gekennzeichnet durch eine Vergleichseinrichtung (43), die die aus den Speicherzellen des zu testenden Speichers ausgelesenen Daten (RD1-N) mit den zu erwartenden Daten (40d) vergleicht und im Falle der Ungleichheit ein Ergebnis (43a) ausgibt.
  13. Testeinrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das von der Vergleichseinrichtung (43) ausgegebene Ergebnis (43a) die Adresse der fehlerhaften Speicherzelle ist.
  14. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 13, gekennzeichnet durch ein Ergebnisregister (44), das die Ergebnisse (43a) der Vergleichseinrichtung (43) zwischenspeichert.
  15. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von Registern (441 und 44), die die Ergebnisse (43a) der Vergleichsschaltung (43) der Reihe nach speichern.
  16. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, gekennzeichnet durch eine Schreibeinrichtung (45), die die von der Vergleichseinrichtung (43) ausgegebenen Ergebnisse in einen Ergebnisspeicher schreibt.
  17. Testeinrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Ergebnisspeicher durch einen auf dem Substrat (1) ausgebildeten Testspeicher oder einen externen Speicher ausgebildet ist.
  18. Testeinrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Ergebnisspeicher durch Speicherzellen im zu testenden Speicherzellenfeld und die Schreibeinrichtung (45) so ausgebildet ist, dass das Einschreiben der von der Ver gleichseinrichtung (43) ausgegebenen Ergebnisse (45a) in den Ergebnisspeicher redundant erfolgt.
  19. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass in zur Vereinzelung der Speicher ausgebildeten Zwischenräumen (55) zwischen den Speichern Zuleitungen (51) ausgebildet sind, die die einzelnen Speicher miteinander und/oder mit einer oder mehreren Zusatz-Schaltungen verbinden.
  20. Testeinrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Testeinrichtung in den Zwischenräumen (55) der Speicher ausgebildet ist.
  21. Testeinrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Testeinrichtung in einem die Speicher einfassenden Randbereich (56) des Substrats (1) ausgebildet ist.
  22. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Testspeicher in zur Vereinzelung der Speicher ausgebildeten Zwischenräumen (55) zwischen den Speichern ausgebildet und durch Zuleitungen (51) mit einer oder mehreren zu testenden Speichern verbunden ist.
  23. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der oder die Testspeicher in einem die Speicher einfassenden Randbereich (56) des Substrats (1) ausgebildet ist.
  24. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, dass der Testspeicher durch einen nicht flüchtigen Speicher ausgebildet ist.
  25. Testeinrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 24, gekennzeichnet durch in einem Zwischenraum (55) oder am Randbereich (56) des Substrats (1) zur elektrischen Kontaktierung der auf dem Substrat (1) vorgesehenen Speicher, Testspeicher und/oder Testeinrichtungen ausgebildete Kontaktflächen (52).
  26. Verfahren zum Testen eines Speichers, gekennzeichnet durch die Schritte: – Redundantes Ablegen eines einzelne Testbefehle beinhaltenden Prüfprogramms in Speicherzellen des zu testenden Speicherzellenfeldes (2) des Speichers, – redundantes Auslesen eines oder mehrerer Einzeltestbefehle (42a) des Prüfprogramms, – Interpretation des/der Einzeltestbefehle (42a) durch ein Steuerteil (40), – Beschreiben einer oder mehrerer Speicherzellen des zu testenden Speicherzellenfeldes (2) mit einem durch einen oder mehrere Einzeltestbefehle festgelegten Testdatenmuster (40a) – Auslesen der Speicherzustände (RD1-N) der mit dem Testdatenmuster (40a) beschriebenen Speicherzellen des zu testenden Speicherzellenfeldes (2), – Vergleich der Speicherzustände (RD1-N) mit durch das Testdatenmuster (40a) vorgegebenen zu erwartenden Daten (40d), – Speicherung der Adressen (ADR1-M) der beschriebenen Speicherzellen des zu testenden Speicherzellenfeldes (2) im Falle der Ungleichheit der Speicherzustände (RD1-N) mit den durch das Testdatenmuster (40a) vorgegebenen zu erwartenden Daten (40d) in einem Ergebnisspeicher, – Wiederholen der vorgenannten Schritte bis zur Abarbeitung des Prüfprogramms.
  27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass der Ergebnisspeicher durch Speicherzellen im zu testenden Speicherzellenfeld (2) ausgebildet wird und die Speicherung der Adressen (ADR1-M) der fehlerhaften Speicherzellen redundant erfolgt.
  28. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Speicher im Substratverbund (Waferverbund) befindlich getestet werden.
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