CN113049939A - 一种芯片老化自测试方法及*** - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种芯片老化自测试方法及***，属于芯片老化测试领域，所述方法包括：在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；存储所述测试结果数据。本发明的芯片老化自测试方法，通过读取芯片的用户配置区域中的目标分类标记，以确定芯片所要进行的老化测试项目，从而使芯片自动执行对应的老化测试项目的程序，无需搭配复杂的测试***和存储设备，实现芯片的自测试，有效简化了测试过程。
Description
技术领域
本发明涉及芯片老化测试技术领域，尤其涉及一种芯片老化自测试方法及***。
背景技术
芯片老化测试是一种采用外加电压和高温来加速器件电学故障的电应力测试方法。因为老化过程中应用的电激励反映了芯片工作的最坏情况，因此老化过程基本上模拟运行了芯片的整个寿命过程。根据不同的老化时间和工作环境，测试得到的资料的可靠性可能涉及器件的早期寿命或磨损程度，也就是说，老化测试可以用来作为器件可靠性的检测或作为生产窗口的测试来发现器件的早期故障。
目前，芯片老化寿命测试需要与芯片相应的测试设备、测试工装夹具、配套的测试***，其中，测试设备用来提供测试环境，测试工装夹具则为被测芯片与测试软件提供测试接口，在芯片测试过程中，测试指令、测试记录及测试数据通过测试***传递、记录，过程相对复杂，芯片无法进行自测试，智能化不足，并且，由于需要配套的测试设备、测试工装夹具及测试***，测试成本相对较高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种芯片老化自测试方法及***，用于解决目前芯片老化测试过程复杂繁琐，需要配套的设备而导致测试成本高的问题。
为解决上述技术问题，第一方面，本发明提供一种芯片老化自测试方法，包括：
在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；
从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；
执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；
存储所述测试结果数据。
可选的，所述方法还包括：
在执行所述目标测试程序时，获取测试状态；
生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令；
将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置，所述测试装置包括状态指示灯，所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示，其中，在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。
可选的，所述方法还包括：
若所述目标测试程序在测试过程中中断，再次执行所述目标测试程序时，根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态，并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。
可选的，所述测试结果数据存储在所述非易失性存储器的用户配置区域。
可选的，所述目标老化测试项目为非易失性存储器擦写寿命测试。
第二方面，本发明还提供一种芯片老化自测试***，包括：
一种芯片老化自测试***，其特征在于，包括：
标记获取模块，用于在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；
程序获取模块，用于从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；
执行模块，用于执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；
存储模块，用于存储所述测试结果数据。
可选的，所述***还包括：
测试状态获取模块，用于在执行所述目标测试程序时，获取测试状态；
指令生成模块，用于生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令；
发送模块，用于将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置，所述测试装置包括状态指示灯，所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示，其中，在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。
可选的，所述***还包括：
中断恢复模块，用于若所述目标测试程序在测试过程中中断，再次执行所述目标测试程序时，根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态，并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。
可选的，所述测试结果数据存储在所述非易失性存储器的用户配置区域。
第三方面，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一种芯片老化自测试方法中的步骤。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
本发明实施例中，通过读取芯片的用户配置区域中的目标分类标记，以确定芯片所要进行的老化测试项目，从而使芯片自动执行对应的老化测试项目的程序，无需搭配复杂的测试***和存储设备，实现芯片的自测试，有效简化了测试过程。
附图说明
图1为本发明实施例一中的一种芯片老化自测试方法的流程示意图；
图2为本发明实施例二中的一种芯片老化自测试***的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，图1为本发明实施例一提供的一种芯片老化自测试方法的流程示意图，该方法包括以下步骤：
步骤11：在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；
步骤12：从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；
步骤13：执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；
步骤14：存储所述测试结果数据。
本发明实施例提供的芯片老化自测试方法，通过读取芯片的用户配置区域中的目标分类标记，以确定芯片所要进行的老化测试项目，从而使芯片自动执行对应的老化测试项目的程序，无需搭配复杂的测试***和存储设备，实现芯片的自测试，有效简化了测试过程。
下面举例说明上述芯片老化自测试方法。
其中一种可选的具体实施方式中，在步骤11中，待测芯片处于上电状态下时，需先读取待测芯片内部存储的目标分类标记，目标分类标记是预先存储在待测芯片的非易失性存储器内的，更具体的说，是存储在待测芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的；目标分类标记用于标记待测芯片所需进行的目标老化测试项目，也就是说，不同的分类标记用于区分不同的老化测试项目，根据读取到的目标分类标记，即可确定与目标分类标记相对应的目标老化测试项目。其中，非易失性存储器具有可以在没有电流供应的条件下也能够长久地保存数据的特性，而非易失性存储器中的用户配置区域是用于存储非易失性存储器自身的初始配置参数及芯片设计者的初始硬件配置参数信息。
本发明实施例中，步骤12中，在读取了目标分类标记后，即可从待测芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序，若干老化测试项目的测试程序是预先存储在待测芯片内的，不同的老化测试项目对应测试芯片不同的老化性能，通过执行不同的老化测试项目的测试程序即可进行不同的测试项目。
本发明实施例中，步骤13中，在选出与目标分类标记对应的目标老化测试程序的目标测试程序后，由于待测芯片已处于上电状态，因此，将自动执行选出的目标测试程序，自动进入到目标老化测试项目的测试状态中。在执行目标测试程序的过程中，将不断的得到测试结果数据，当目标测试程序执行完毕，也就模拟了待测芯片的整个老化过程，从而避免了需要外接测试***并通过测试***发送测试指令才能完成待测芯片的老化测试，节省了测试时间和测试成本。
本发明实施例中，步骤14中，执行目标测试程序得到的测试结果数据将被存储在待测芯片中，也即存储在待测芯片的非易失性存储器中，而无需额外提供用于存储测试结果数据的存储器，减少了外接存储器的时间和成本，更具体的说，本发明实施例中的测试结果数据将存储在非易失性存储器的用户配置区域中，存储在该位置可以确保这些测试结果数据的安全，不容易丢失。
在本发明的一些实施例中，所述方法还可以包括：
在执行所述目标测试程序时，获取测试状态；
生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令；
将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置，所述测试装置包括状态指示灯，所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示，其中，在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。
也就是说，步骤13中，执行目标测试程序时，实时获取芯片的测试状态，根据获取的测试状态生成与该测试状态对应的状态指示灯显示指令，由于在测试过程中芯片与测试装置相连接，而测试装置包括状态指示灯，因此，将状态指示灯显示指令发送给测试装置后，测试装置将根据接收到的状态指示灯显示指令控制状态指示灯进行显示，并且，不同的测试状态下，生成的状态指示灯显示指令不同，因而，状态指示灯的显示状态也对应不同，通过在不同的测试状态下控制状态指示灯处于不同的显示状态，可以方便外部通过测试装置的状态指示灯的显示状态判断芯片所处的测试状态，例如，可以使状态指示灯常亮来表示测试完成并通过测试，状态指示灯慢速闪烁来表示正常测试中，状态指示灯快速闪烁则表示测试完成但没有通过测试。
在本发明的另一些实施例中，所述方法还可以包括：
若所述目标测试程序在测试过程中中断，再次执行所述目标测试程序时，根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态，并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。
具体而言，如果目标测试程序在测试过程中中断，造成中断的原因可以是断电等，则当上电后，再次执行目标测试程序时，将根据在中断时刻之前存储的所有测试结果数据的数量以及位置，计算出中断时刻的测试状态，也就是该目标老化测试项目的具体进程，或者说目标测试程序运行的进程，然后在计算出的中断时刻的测试状态的基础上继续进行目标老化测试项目的测试，运行剩下的目标测试程序，从而使得本发明的方法支持断点续测功能，提高了适应能力。
在本发明的一些具体实施例中，老化测试项目可以包括：非易失性存储器擦写寿命测试、低温数据存储寿命测试、循环擦写后高温数据保持寿命检查测试以及高/低温工作寿命测试，更具体的说，非易失性存储器擦写寿命测试可以定为非易失存储器擦写寿命(NVCE)10万次测试、低温数据存储寿命测试可以定为低温数据存储寿命(LTDR)500小时测试、循环擦写后高温数据保持寿命检查测试可以定为循环擦写后高温数据保持寿命(PCHTDR)100次检查测试、高/低温工作寿命测试可以定为高/低温工作寿命(HTOL/LTOL)1000小时测试；上述四个老化测试项目可以在用户配置区域分别用00000001、00000002、00000003、00000004这些分类标识进行区分。
下面以目标老化测试项目为非易失性存储器擦写寿命10万次测试为例，介绍目标老化测试项目的内容。
对芯片内的非易失性存储器进行10万次擦写校验测试，当测试结果正确时，每1000次记录5A0FXXXX，其中，5A0F表示1000次擦写校验正确，而XXXX则表示第XXXX个1000次，例如，5A0F0004表示第4个1000次擦写校验执行正确；当测试结果错误时，记录为A5XXXXYY，其中，A5表示擦写校验错误，XXXX00表示错误擦写的地址，第一个Y中，用A表示写错、用5表示擦错，而第二个Y表示错误的次数，例如，A52020A8表示第8次发生错误，发生错误的地址在202000位置，而发生错误的类型是写错误。通过这样自动记录执行目标测试程序时得到的测试结果数据，可以方便后续根据这些测试结果数据对芯片进行分析，以准确获取其擦写校验测试性能。
同理，在本发明的另一些具体实施例中，低温数据存储寿命(LTDR)500小时测试中，可以这样定义：
正确结果:约每5小时记录5B0FXXXX(其中，5B0F:正确结果标识；XXXX：记录第XXXX个5小时)。例如第1条记录5B0F0001表示第1个5小时LTDR测试结果正确。
错误结果：每5小时中有1次出错则记录A6XXXX0Y(其中，A6：错误结果标识；XXXX：错误页地址；0Y：标识当前的错误次数)。例如前50条记录正确，第51条记录A6200001表示在250小时测试结果正确后，在2000地址发生1次LTDR测试错误。
循环擦写后高温数据保持寿命(PCHTDR)100次检查测试中，可以这样定义：
正确结果：每次记录5C0FXXXX(其中，5C0F：正确结果标识；XXXX：记录当前为第XXXX次)。例如第1条记录5C0F0001表示第1次PCHTDR测试结果正确。
错误结果：每次读检查出错则记录A7XXXX0Y(其中，A7：错误结果标识；XXXX：错误页地址；0Y：标识当前的错误次数)。例如前50条记录正确，第51条记录A7200001表示在五十次测试结果正确后，在2000地址发发生1次PCHTDR测试错误。
高/低温工作寿命(HTOL/LTOL)1000小时测试中，可以这样定义：
正确结果:约每10小时记录5D0FXXXX(其中，5D0F:正确结果标识；XXXX：记录第XXXX个10小时)。例如第1条记录5D0F0001表示第1个10小时H/LTOL测试结果正确。
错误结果：每10小时中有1次出错则记录A8XXXX0Y(其中，A8：错误结果标识；XXXX：错误动作编号；0Y:标识当前的错误次数)。例如前50条记录正确，第51条记录A8000101表示在500小时测试结果正确后，发生了1次运行错误，错误动作标号0001。
根据本发明实施例的芯片老化自测试方法，通过读取芯片的用户配置区域中的目标分类标记，以确定芯片所要进行的老化测试项目，从而使芯片自动执行对应的老化测试项目的程序，无需搭配复杂的测试***和存储设备，实现芯片的自测试，有效简化了测试过程。
请参阅图2，图2是本发明实施例二提供的一种芯片老化自测试***的结构示意图，该***20包括：
标记获取模块21，用于在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；
程序获取模块22，用于从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；
执行模块23，用于执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；
存储模块24，用于存储所述测试结果数据。
可选的，所述***还包括：
测试状态获取模块，用于在执行所述目标测试程序时，获取测试状态；
指令生成模块，用于生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令；
发送模块，用于将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置，所述测试装置包括状态指示灯，所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示，其中，在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。
可选的，所述***还包括：
中断恢复模块，用于若所述目标测试程序在测试过程中中断，再次执行所述目标测试程序时，根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态，并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。
可选的，所述测试结果数据存储在所述非易失性存储器的用户配置区域。
本发明实施例是与上述方法实施例一对应的产品实施例，故在此不再赘述，详细请参阅上述实施例一。
本发明实施例三提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述实施例一中任一种芯片老化自测试方法中的步骤。详细请参阅以上对应实施例中方法步骤的说明。
本发明实施例中的计算机可读存储介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种芯片老化自测试方法，其特征在于，包括：
在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；
从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；
执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；
存储所述测试结果数据。
2.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法，其特征在于，还包括：
在执行所述目标测试程序时，获取测试状态；
生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令；
将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置，所述测试装置包括状态指示灯，所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示，其中，在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。
3.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法，其特征在于，还包括：
若所述目标测试程序在测试过程中中断，再次执行所述目标测试程序时，根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态，并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。
4.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法，其特征在于，所述测试结果数据存储在所述非易失性存储器的用户配置区域。
5.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法，其特征在于，所述目标老化测试项目为非易失性存储器擦写寿命测试。
6.一种芯片老化自测试***，其特征在于，包括：
标记获取模块，用于在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；
程序获取模块，用于从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；
执行模块，用于执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；
存储模块，用于存储所述测试结果数据。
7.根据权利要求6所述的芯片老化自测试***，其特征在于，还包括：
测试状态获取模块，用于在执行所述目标测试程序时，获取测试状态；
指令生成模块，用于生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令；
发送模块，用于将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置，所述测试装置包括状态指示灯，所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示，其中，在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。
8.根据权利要求6所述的芯片老化自测试***，其特征在于，还包括：
中断恢复模块，用于若所述目标测试程序在测试过程中中断，再次执行所述目标测试程序时，根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态，并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。
9.根据权利要求6所述的芯片老化自测试***，其特征在于，所述测试结果数据存储在所述非易失性存储器的用户配置区域。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5中任一项所述的芯片老化自测试方法中的步骤。
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