DE19651548A1 - CMOS-Ausgangsschaltung mit einer Ladevorspannungsschaltung - Google Patents
CMOS-Ausgangsschaltung mit einer LadevorspannungsschaltungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine CMOS-Ausgangsschal
tung, und insbesondere eine CMOS-Ausgangsschaltung mit einer
Ladevorspannungsschaltung.
Fig. 1 zeigt eine herkömmliche CMOS-Ausgangsschaltung,
die mit einer Ladevorspannungsschaltung ausgerüstet ist und
ein NAND-Gatter 1 zum Ausführen einer NAND-Operation ("NAND")
mit einem Ausgangsfreigabesignal OE und einem Dateneingang
Din aufweist. Das NAND-Gatter 1 setzt ein erstes Ausgangs
steuersignal DP ab. Ein NOR-Gatter 2 führt eine NOR-Operation
("NOR") mit dem von einem Inverter 5 invertierten Ausgangs
freigabesignal OE und dem Eingangsdatum Din aus. Das
NOR-Gatter 2 setzt ein zweites Ausgangssteuersignal DN ab. Eine
Einstelleinheit 3 bringt eine elektrische Ladung oder
Spannung an einem Ausgangsanschluß Dout gemäß einem dritten
Ausgangssteuersignal PS1 auf einen Zwischenwert. Eine
Ausgabeeinheit 4 setzt gemäß den Ausgangssteuersignalen DP
und DN einen bestimmten Datenausgang in einer Weise ab, daß
der Ausgangsanschluß Dout entsprechend einem Zwischenwert der
elektrischen Ladung oder Spannung gehalten wird.
Das NAND-Gatter 1 enthält einen PMOS-Transistor Q5, der zwi
schen einer Spannung Vcc und Masse mit NMOS-Transistoren Q7
und Q8 und einem PMOS-Transistor Q6 in Reihe geschaltet ist.
Source des PMOS-Transistors Q6 ist mit der Spannung Vcc und
Drain mit dem Ausgangsanschluß des NMOS-Transistors Q7 ver
bunden. Das Ausgangsfreigabesignal OE ist an die Gates des
PMOS-Transistors Q5 und des NMOS-Transistors Q8 gelegt, und
der Dateneingang Din ist an den PMOS-Transistor Q5 und den
NMOS-Transistor Q7 gelegt.
Das NOR-Gatter 2 enthält in Reihe geschaltete PMOS-Transisto
ren Q9 und Q10 sowie einen NMOS-Transistor Q11 zwischen der
Spannung Vcc und Masse und einen MNOS-Transistor Q12, dessen
Drain mit dem Ausgangsanschluß des NMOS-Transistors Q11 und
dessen Source mit Masse verbunden ist. Ein Dateneingang Din
ist mit den Gates des PMOS-Transistors Q10 und des NMOS-Tran
sistors Q11 verbunden. Das Ausgangsfreigabesignal OE wird
über den Inverter 5 an die Gates des PMOS-Transistors Q9 und
des NMOS-Transistors Q12 gelegt.
Die Einheit 3 zum Einstellen einer elektrischen Zwischen
ladespannung umfaßt einen NMOS-Transistor Q2, der mit einem
PMOS-Transistor Q1 zwischen dem NAND-Gatter 1 und dem Aus
gangsanschluß des NOR-Gatters 2 in Reihe geschaltet ist. Ein
Inverter 6 ist mit dem Gate des PMOS-Transistors Q1 verbun
den. Der Eingangsanschluß des dritten Ausgangssteuersignals
PS1 ist mit dem Gate des NMOS-Transistors Q2 und dem Inverter
6 verbunden.
Die Ausgabeeinheit 4 umfaßt einen PMOS-Transistor Q3 und
einen NMOS-Transistor Q4, die zwischen der Spannung Vcc und
Masse in Reihe geschaltet sind. Ihre Gates sind jeweils mit
den Ausgangsanschlüssen des NAND-Gatters 1 bzw. des NOR-Gat
ters 2 verbunden. Der Ausgangsanschluß der Ausgabeeinheit 4
ist mit dem Ausgangsanschluß der Einheit 3 zum Einstellen
einer elektrischen Zwischenladespannung und einer Lastkapa
zität CL verbunden.
Die Funktion der herkömmlichen mit einer Vorspannungsschal
tung ausgerüsteten CMOS-Ausgangsschaltung wird nunmehr unter
Bezugnahme auf Fig. 1 und 2A bis 2F erläutert. Fig. 2A bis 2F
stellen die Signale OE, PS1, Din, DP, DN bzw. Dout dar.
Wie aus Fig. 2A bis 2D zu ersehen ist, wird der PMOS-Transi
stor Q5 des NAND-Gatters 1 eingeschaltet, wenn das dritte
Ausgangssteuersignal PS1 von einem unteren auf einen oberen
Pegel (t1 in Fig. 2B) gelegt wird, und wenn das Ausgangsfrei
gabesignal OE von einem oberen auf einen unteren Pegel (t1 in
Fig. 2A) gelegt wird, und der NMOS-Transistor Q12 des
NOR-Gatters 2 wird gemäß dem vom Inverter 5 invertierten auf
einem oberen Pegel liegenden Signal eingeschaltet. Dement
sprechend wechselt das erste Ausgangssteuersignal DP auf
einen oberen Pegel, während das zweite Ausgangssteuersignal
DN auf einen unteren Pegel wechselt.
Da der PMOS-Transistor Q3 und der NMOS-Transistor Q4 der Aus
gabeeinheit 4 entsprechend dem auf einem oberen Pegel liegen
den ersten Ausgangssteuersignal DP und dem auf einem unteren
Pegel liegenden zweiten Ausgangssteuersignal DN ausgeschaltet
werden, geht deshalb der Ausgang Dout auf den oberen oder
unteren Pegel, je nachdem, ob die Lastkapazität CL geladen
oder entladen wird.
Liegt beispielsweise der Ausgang Dout auf dem unteren Pegel
(Fig. 2F), so wird der NMOS-Transistor Q2 der Einheit 3 zum
Einstellen einer elektrischen Zwischenladespannung entspre
chend dem oberen Pegel des dritten Ausgangssteuersignals PS1
(t1 in Fig. 2B) eingeschaltet. Außerdem fließt durch den
NMOS-Transistor Q2 ein Ladestrom zur Lastkapazität CL und
erhöht die elektrische Ladespannung am Ausgangsanschluß Dout.
Zu diesem Zeitpunkt wechselt die elektrische Ladespannung des
ersten Ausgangssteuersignals DP, wie in Fig. 2D dargestellt,
mit dem Einschalten des NMOS-Transistors Q2 vorübergehend auf
einen niedrigeren Pegel als der obere Pegel Vcc. Überschrei
tet der Abfall der elektrischen Ladespannung eine Schwellen
spannung Vtp des PMOS-Transistors Q3, so wird dieser einge
schaltet.
Aus diesem Grund fließt ein Ladestrom durch den PMOS-Transi
stor Q3 zur Lastkapazität CL, und die elektrische Ladespan
nung am Ausgangsanschluß Dout erreicht rasch die elektrische
Zwischenladespannung, wie bei t1 in Fig. 2F dargestellt.
Wird das dritte Ausgangssteuersignal PS1 auf den oberen Pegel
(t1 in Fig. 2B) gelegt, so werden Gate, Drain und Source des
PMOS-Transistors Q1 sämtlich auf niedrige Pegel gelegt und
der PMOS-Transistors Q1 wird ausgeschaltet. Nimmt jedoch die
elektrische Ladespannung am Ausgangsanschluß Dout zu und
überschreitet die Drain-Source-Spannung den Schwellenspannung
Vtp des PMOS-Transistors Q1, so wird der PMOS-Transistors Q1
eingeschaltet. Dementsprechend fließt ein Strom durch den
NMOS-Transistor Q2 und den PMOS-Transistor Q1, und das zweite
Ausgangssteuersignal DN beginnt langsam ab dem unteren Pegel
anzusteigen, wie in Fig. 2E dargestellt. Da jedoch der Kanal
widerstand des PMOS-Transistors Q1 hoch ist, erreicht die an
steigende Spannung nicht die Schwellenspannung Vtn des
NMOS-Transistors Q4. Somit beeinflußt der durch den NMOS-Transi
stor Q2 und den PMOS-Transistor Q1 fließende Strom die Aus
gabeeinheit 4 nicht.
Danach wird in einem Zustand, in dem der Ausgangsanschluß
Dout die elektrische Zwischenladespannung Vtp (t1 in Fig. 2F)
erreicht hat, ein auf dem oberen Pegel liegender Wert (Din)
von einem Signalverstärker (nicht dargestellt) eingegeben (t2
in Fig. 2C). Damit wechseln das dritte Ausgangssteuersignal
PS1 und das Ausgangsfreigabesignal OE auf den unteren Pegel
(t2 in Fig. 2B) bzw. den oberen Pegel (t2 in Fig. 2A). Dem
entsprechend werden die NMOS-Transistoren Q7, Q8 und Q9 ein
geschaltet. Außerdem gehen das erste Ausgangssteuersignal DP
(t2 in Fig. 2D) und das zweite Ausgangssteuersignal DN (t2 in
Fig. 2E) auf den unteren Pegel. Der PMOS-Transistor Q3 wird
deshalb entsprechend dem auf dem unteren Pegel liegenden
ersten Ausgangssteuersignal DP eingeschaltet, und ein auf dem
oberen Pegel liegender Wert wird über den Ausgangsanschluß
Dout an eine Eingabe/Ausgabevorrichtung I/O übertragen.
Wenn danach das Ausgangsfreigabesignal OE auf den unteren
Pegel (t3 in Fig. 2A) und das dritte Ausgangssteuersignal PS1
auf den oberen Pegel gebracht wird (t3 in Fig. 23), werden
der NMOS-Transistor Q2 und der PMOS-Transistor Q1 der Einheit 3
zum Einstellen einer elektrischen Zwischenladespannung ent
sprechend dem auf dem oberen Pegel liegenden dritten Aus
gangssteuersignal PS1 eingeschaltet. Demzufolge wird die im
Lastkondensator CL gespeicherte elektrische Ladung entladen.
Die elektrische Ladespannung am Ausgangsanschluß Dout nimmt
daher ab dem oberen Pegel (t3 in Fig. 2F) ab, und das zweite
Ausgangssteuersignal DN (t3 in Fig. 2E) nimmt vorübergehend
zu, so daß der NMOS-Transistor Q4 eingeschaltet wird. Die im
Lastkondensator CL gespeicherte elektrische Ladung wird über
den eingeschalteten NMOS-Transistor Q4 entladen, und der Aus
gangsanschluß Dout erreicht rasch die elektrische Zwischen
ladespannung Vth.
Die elektrische Ladespannung am Ausgangsanschluß Dout nimmt
somit ab. Überschreitet die Spannung zwischen Drain und
Source des NMOS-Transistors Q2 die Schwellenspannung, so wird
der NMOS-Transistor Q2 eingeschaltet. Zu diesem Zeitpunkt ist
die Durchreichspannung relativ gering, da der Kanalwiderstand
des NMOS-Transistors Q2 aufgrund des Effektes der Substrat
vorspannung größer ist als der des PMOS-Transistors Q1. Das
erste Ausgangssteuersignal DP beginnt somit, vom oberen Pegel
abzufallen (t3 in Fig. 2D).
Da der Kanalwiderstand des NMOS-Transistors Q2 hoch ist und
der abgesunkene Pegel der elektrischen Ladespannung die
Schwellenspannung Vtp des PMOS-Transistors Q3 nicht über
schreitet, beeinflußt der durch den PMOS-Transistor Q1 und
den NMOS-Transistor Q2 fließende Strom die Ausgabeeinheit 4
nicht. Außerdem hat die herkömmliche mit einer Vorspannungs
schaltung ausgerüstete CMOS-Ausgangsschaltung den Vorteil,
daß sie Datensignale mit hoher Geschwindigkeit überträgt da
die Datenübertragung bei einem mittleren elektrischen Lade
spannungspegel anhand des Ausgangsfreigabesignals erfolgt.
Allerdings gibt es eine bestimmte Zeitspanne, während der der
PMOS-Transistor Q3 und der NMOS-Transistor Q4 der Ausgabe
einheit gleichzeitig eingeschaltet sind. Deshalb fließt ein
Großteil des Querstroms direkt vom Versorgungsspannungs
anschluß Vcc zum Masseanschluß, wodurch Rauschen erzeugt
wird. Damit kann die gewünschte Datenübertragungsleistung
nicht erzielt werden.
Die vorliegende Erfindung ist deshalb auf eine CMOS-Aus
gangsschaltung mit einer Ladevorspannungsschaltung gerichtet,
mit der im wesentlichen eines oder mehrere der Probleme auf
grund der Einschränkungen und Nachteile, die dem Stand der
Technik anhaften, gelöst wird.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die die Bereit
stellung einer verbesserten CMOS-Ausgangsschaltung mit einer
Ladevorspannungsschaltung, die in der Lage ist, Stromrauschen
bei der Datenausgabe in vorteilhafter Weise zu verringern.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus
der nachfolgenden Beschreibung oder bei der Verwirklichung
der Erfindung sowie aus den Ansprüchen und den beiliegenden
Zeichnungen.
Um diese und weitere erfindungsgemäße Vorteile zu erzielen,
enthält eine Schaltung eine Ausgabeeinheit für den Erhalt
eines Freigabesignals und eines Eingangssignals und zum Er
zeugen eines Ausgangssignals; eine Übertragungsgattereinheit
zum Erhalt eines Ladevorspannungssignals und des Ausgangs
signals von der Ausgabeeinheit und zum Übertragen eines ent
sprechenden Signals gemäß dem Ladevorspannungssignal, und
eine Ladevorspannungseinheit mit einem Datenausgangsanschluß
zum Erhalt des entsprechenden Signals von der Übertragungs
gattereinheit und zum Speichern einer elektrischen Lade
spannung auf einem Zwischenpegel gemäß dem entsprechenden
Signal von der Übertragungsgattereinheit sowie zur Ausgabe
von Signalen auf dem Zwischenpegel.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin
dung enthält eine Schaltung eine Ausgabeeinheit für den Er
halt eines Freigabesignals und eines Eingangssignals und zum
Erzeugen eines Ausgangssignals eine Übertragungsgatterein
heit zum Erhalt eines Ladevorspannungssignals und des Aus
gangssignals von der Ausgabeeinheit und zum übertragen eines
entsprechenden Signals zusammen mit dem Ladevorspannungs
signal, wobei die Übertragungsgattereinheit einen ersten
Inverter mit einem Ausgangsanschluß zum Invertieren des Lade
vorspannungssignals und ein erstes und zweites Übertragungs
gatter mit jeweils einem ersten und einem zweiten Gatter,
wobei das erste Gatter mit dem Ladevorspannungssignal und das
zweite Gatter mit dem Ausgangsanschluß des ersten Inverters
verbunden ist, einen zweiten und einen dritten Inverter zum
Invertieren der jeweiligen Ausgänge des ersten und zweiten
Übertragungsgatters sowie ein drittes und ein viertes Über
tragungsgatter, die jeweils mit dem ersten und zweiten Über
tragungsgatter verbunden sind und jeweils dritte und vierte
Gatter aufweisen, die dritte und vierte Gatter haben, wobei
das dritte Gatter mit dem Ausgangsanschluß des ersten Inver
ters und das vierte Gatter mit dem Ladevorspannungssignal
verbunden ist, enthält; und eine Ladevorspannungseinheit mit
einem Datenausgangsanschluß zum Erhalt des entsprechenden
Signals von der Übertragungsgattereinheit und zum Speichern
einer elektrischen Ladespannung, wobei die Ladevorspannungs
einheit die elektrische Ladespannung auf einem Zwischenpegel
gemäß dem entsprechenden Signal von der Übertragungsgatter
einheit hält und das Signal auf dem Zwischenpegel ausgibt,
wobei die Ladevorspannungseinheit einen vierten Inverter mit
einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluß zum Inver
tieren des Ausgangs des zweiten Inverters, eine erste Impe
danz, die mit dem ersten Ausgangsanschluß des vierten Inver
ters verbunden ist, einen ersten Transistor der Ladevorspan
nungsschaltung, dessen Gate mit dem entsprechenden Ausgang
der Übertragungsgattereinheit, dessen Source mit einer Span
nung und dessen Drain mit dem zweiten Ausgangsanschluß des
vierten Inverters verbunden ist, einen fünften Inverter mit
einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluß zum Inver
tieren des Ausgangs des dritten Inverters, eine zweite Impe
danz, die mit dem ersten Ausgangsanschluß des fünften Inver
ters verbunden ist, einen zweiten Transistor der Ladevorspan
nungsschaltung, dessen Gate mit dem entsprechenden Ausgang
der Übertragungsgattereinheit, dessen Source mit Masse und
dessen Drain mit dem zweiten Ausgangsanschluß des fünften
Inverters verbunden ist, und einen Puffer zur Ausgabe von
Datensignalen entsprechend den Ausgängen der ersten und zwei
ten Impedanz und der zweiten Ausgangsanschlüsse des vierten
und fünften Inverters enthält.
Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er
findung enthält eine CMOS-Ausgangsschaltung mit einer erfin
dungsgemäßen Ladevorspannungsschaltung eine Ausgangsschaltung
zur Verarbeitung eines Ausgangsfreigabesignals und eines Ein
gangssignals; eine Übertragungsgattereinheit zum Übertragen
eines Ausgangs der Schaltung entsprechend einem von dieser
generierten Ladevorspannungssignal; und eine Ladevorspan
nungsschaltung zum Halten einer elektrischen Ladespannung
eines Ausgangsanschlusses auf einem Zwischenpegel entspre
chend einem Ausgang der Übertragungsgattereinheit und zum Ab
setzen eines Eingangssignals auf dem Zwischenpegel.
In den beiliegenden Zeichnungen sind Ausführungsbeispiele der
Erfindung dargestellt; es zeigen:
Fig. 1 ein Blockdiagramm einer herkömmlichen CMOS-Aus
gangsschaltung mit einer Ladevorspannungsschaltung;
Fig. 2A bis 2F Signaldiagramme der Schaltung in Fig. 1;
Fig. 3 ein Blockdiagramm einer CMOS-Ausgangsschaltung mit
einer Ladevorspannungsschaltung gemäß einem Ausführungsbei
spiel der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 4A bis 4D Signaldiagramme der erfindungsgemäßen Schal
tung in Fig. 3.
Nunmehr werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegen
den Erfindung detailliert unter Bezugnahme auf die beiliegen
den Zeichnungen beschrieben.
Fig. 3 zeigt eine CMOS-Ausgangsschaltung, die mit einer Lade
vorspannungsschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung ausge
rüstet ist. Wie aus Fig. 3 ersichtlich, erhält eine Ausgangs
schaltung 10 ein Ausgangsfreigabesignal OE und antwortet auf
ein Eingangssignal Din. Eine Übertragungsgattereinheit 20
erhält den Ausgang der Ausgangsschaltung 10 und überträgt
Signale entsprechend einem externen Ladevorspannungssignal
PS. Eine Ladevorspannungsschaltung 30 hält eine elektrische
Ladespannung des Ausgangsanschlusses entsprechend dem Ausgang
der Übertragungsgattereinheit 20 auf einem Zwischenpegel und
setzt auf dem Zwischenpegel ein Ausgangssignal Dout ab.
Die Ausgangsschaltung 10 enthält einen Inverter 11 zum Inver
tieren des internen Ausgangsfreigabesignals OE, ein NOR-Gat
ter 12 zum Ausführen einer NOR-Operation ("NOR") mit dem
Ausgang des Inverters 11 und dem Eingangssignal Din und einen
Inverter 13 zum Invertieren des Ausgangs des NOR-Gatters 12.
Die Ausgangsschaltung 10 enthält außerdem ein NAND-Gatter 14
zum Ausführen einer NAND-Operation ("NAND") mit dem Eingangs
signal Din und dem Ausgangsfreigabesignals OE und einen In
verter 15 zum Invertieren des Ausgangs des NAND-Gatters 14.
Die Übertragungsgattereinheit 20 enthält einen Inverter 21
zum Invertieren des Ladevorspannungssignals PS, Übertragungs
gatter 22 und 23, von denen entsprechende PMOS-Gates mit dem
Anschluß des Ladevorspannungssignals PS und entsprechende
NMOS-Gates mit dem Ausgangsanschluß des Inverters 21 verbun
den sind. Inverter 26 und 27 invertieren die Ausgänge der
Übertragungsgatter 22 und 23 bzw. von Übertragungsgattern 24
und 25. Die Übertragungsgatter 24 und 25 sind mit den Über
tragungsgattern 22 und 23 parallel geschaltet. Entsprechende
PMOS-Gates der Übertragungsgatter 24 und 25 sind mit dem Aus
gangsanschluß des Inverters 21 und entsprechende NMOS-Gates
mit dem Ladevorspannungssignal PS verbunden. Darüber hinaus
ist der Ausgangsanschluß Dout zwischen den Übertragungsgat
tern 24 und 25 eingeschaltet.
Die Ladevorspannungsschaltung 30 enthält einen Inverter 31
zum Invertieren des Ausgangs des Inverters 26 sowie einen
Inverter 32 zum Invertieren des Ausgangs des Inverters 27.
Der Inverter 31 enthält einen PMOS-Transistor Q1 sowie
NMOS-Transistoren Q2, Q3 und Q4, die in Reihe zwischen Vcc und
Masse geschaltet sind. Eine Impedanz, z. B. ein Vielfachwider
stand 33, ist mit dem Ausgangsanschluß des NMOS-Transistors
Q2 verbunden, und das Gate eines PMOS-Transistors 35 ist mit
dem Ausgangsanschluß des Inverters 26, Source mit der Span
nung Vcc und Drain mit dem Ausgangsanschluß des NMOS-Transi
stors Q4 verbunden. Der Inverter 32 enthält PMOS-Transistoren
Q5, Q6 und Q7, die in Reihe zwischen Vcc und Masse geschaltet
sind. Eine Impedanz, z. B. ein Vielfachwiderstand 34, ist mit
dem Ausgangsanschluß des NMOS-Transistors Q8 verbunden, und
das Gate eines NMOS-Transistors 36 ist mit dem Ausgangs
anschluß des Inverters 27, Source mit Masse und Drain mit dem
Ausgangsanschluß des PMOS-Transistors Q6 verbunden. Ein
I/O-Puffer 37 setzt entsprechend den Ausgängen des Vielfachwider
stands 33 und des NMOS-Transisors Q4 sowie den Ausgängen des
Vielfachwiderstands 34 und des PMOS-Transistors Q6 Daten
signale ab.
Darüber hinaus enthält der I/O-Puffer 37 einen PMOS-Transi
stor Q9, dessen Source mit der Spannung Vcc, dessen Gate mit
dem Vielfachwiderstand 33 und dessen Drain mit dem Ausgangs
anschluß Dout verbunden ist. Ein PMOS-Transistor Q10 ist mit
seiner Source mit der Source des PMOS-Transistors Q9, mit
seinem Gate mit dem Ausgangsanschluß des NMOS-Transistors Q4
und mit seinem Drain mit dem Ausgangsanschluß Dout verbunden.
Ein NMOS-Transistor Q11 ist mit seinem Drain mit dem Aus
gangsanschluß Dout, mit seinem Gate mit dem Vielfachwider
stand 34 und mit seiner Source mit Masse verbunden. Ein NMOS-Tran
sistor Q12 ist mit seinem Drain mit dem Ausgangsanschluß
Dout, mit seinem Gate mit dem Ausgangsanschluß des PMOS-Tran
sistors Q6 und mit seiner Source mit Masse verbunden.
Nunmehr wird die Funktion der CMOS-Ausgangsschaltung mit
einer Ladevorspannungsschaltung gemäß der vorliegenden Er
findung unter Bezugnahme auf Fig. 3 und 4A bis 4D erläutert.
Fig. 4A, 43, 4C und 4D stellen die den Signalen OE, PS, Din
und Dout in Fig. 3 entsprechenden Signale dar.
Wie über das Intervall t1 in Fig. 4A bis 4D dargestellt, wird
zunächst das Ausgangsfreigabesignal OE von einem oberen auf
einen unteren Pegel (Fig. 4A) und das Ladevorspannungssignal
PS von einem unteren auf einen oberen Pegel gelegt (Fig. 4B).
Danach werden die Übertragungsgatter 22 und 23 entsprechend
dem auf dem oberen Pegel liegenden Ladevorspannungssignal PS
ausgeschaltet und die Übertragungsgatter 24 und 25 einge
schaltet.
Der Ausgangsanschluß Dout bleibt deshalb auf dem oberen bzw.
unteren Pegel, je nachdem, ob eine Lastkapazität CL geladen
bzw. entladen wird. Wird beispielsweise der Ausgangsanschluß
Dout in der Anfangsphase auf dem oberen Pegel gehalten, so
wird dieser durch die Übertragungsgatter 24 und 25 sowie den
Inverter 26 auf den unteren Pegel invertiert und an die Lade
vorspannungsschaltung 30 gelegt.
Danach werden der PMOS-Transistor Q1 des Inverters 31 und der
PMOS-Transistor 35 entsprechend dem auf dem unteren Pegel
liegenden Signal eingeschaltet und die PMOS-Transistoren Q9
und Q10 des I/O-Puffers 37 ausgeschaltet. Analog werden die
PMOS-Transistoren Q5, Q6 und Q7 des Inverters 32 entsprechend
dem auf dem unteren Pegel liegenden Signal eingeschaltet.
Wird die auf dem oberen Pegel liegende Spannung Vcc über den
PMOS-Transistor Q5 an den NMOS-Transistor Q12 gelegt so wird
eine in der Lastkapazität CL gespeicherte bestimmte elektri
sche Ladung über den eingeschalteten NMOS-Transistor Q12 ent
laden, und die elektrische Ladespannung des Ausgangsanschlus
ses Dout fällt um die Schwellenspannung Vth ab.
Außerdem wird die auf dem oberen Pegel liegende Spannung Vcc
durch den Einschaltwiderstand der PMOS-Transistoren Q6 und Q7
und des Vielfachwiderstands 34 verzögert an den NMOS-Transi
stor Q11 gelegt. Die in der Lastkapazität CL gespeicherte
bestimmte elektrische Ladung wird über den eingeschalteten
NMOS-Transistor Q11 entladen, und die elektrische Ladespan
nung des Ausgangsanschlusses Dout wird rasch um die Schwel
lenspannung verringert und bleibt auf einer mittleren elek
trischen Ladespannung. Das bedeutet, daß der NMOS-Transistor
Q11 um die durch den Einschaltwiderstand der PMOS-Transisto
ren Q6 und Q7 und des Vielfachwiderstands 34 bedingte Ver
zögerungszeit später als der NMOS-Transistor Q12 eingeschal
tet wird.
Wenn danach der Ausgangsanschluß Dout die mittlere elektri
sche Ladespannung Vtp erreicht, wie im Intervall t2 von Fig.
4D dargestellt, wechseln das Ausgangsfreigabesignal OE und
das Vorspannungssignal PS auf den oberen bzw. unteren Pegel.
Wird von einem Signalverstärker (nicht dargestellt) ein auf
dem oberen Pegel liegendes Datensignal (Din) eingegeben, so
werden die Übertragungsgatter 24 und 25 durch das auf dem
unteren Pegel liegende Ladevorspannungssignal PS ausgeschal
tet und die Übertragungsgatter 22 und 23 eingeschaltet.
Außerdem wechselt der Ausgang des Inverters 11 und des
NOR-Gatters 12 der Ausgangsschaltung 10 aufgrund des auf dem
oberen Pegel liegenden Ausgangsfreigabesignals OE und des auf
dem oberen Pegel liegenden Eingangssignals Din auf den unte
ren Pegel, und der Inverter 13 setzt ein auf dem oberen Pegel
liegendes Signal ab. Der Ausgang des NAND-Gatters 14 geht
nach dem unteren Pegel, und der Inverter 15 setzt ein auf dem
oberen Pegel liegendes Signal ab.
Das vom Inverter 13 abgesetzte auf dem oberen Pegel liegende
Signal wird deshalb vom Inverter 26 über das Übertragungs
gatter 22 auf den unteren Pegel invertiert und an die Lade
vorspannungsschaltung 30 gelegt. Das vom Inverter 15 abge
setzte auf dem oberen Pegel liegende Signal wird ebenfalls
vom Inverter 27 über das Übertragungsgatter 23 auf den unte
ren Pegel invertiert und an die Ladevorspannungsschaltung 30
gelegt.
Danach werden der PMOS-Transistor Q1 des Inverters 31 und der
PMOS-Transistor 35 entsprechend dem von der Übertragungsgat
tereinheit 20 abgesetzten auf dem unteren Pegel liegenden
Signal eingeschaltet. Damit werden die PMOS-Transistoren Q9
und Q10 des I/O-Puffers 37 ausgeschaltet. Außerdem werden die
PMOS-Transistoren Q5, Q6 und Q7 des Inverters 32 entsprechend
dem auf dem unteren Pegel liegenden Signal eingeschaltet.
Da die auf dem oberen Pegel liegende Spannung Vcc über den
PMOS-Transistor Q5 an das Gate des NMOS-Transistors Q12 ge
legt wird, nimmt die elektrische Ladespannung des Ausgangs
anschlusses Dout, die durch den eingeschalteten NMOS-Tran
sistor Q12 einen Zwischenpegel hält, um die Schwellenspannung
Vth ab.
Da außerdem die auf dem oberen Pegel liegende Spannung Vcc,
die an den NMOS-Transistor Q11 gelegt wird, durch den Ein
schaltwiderstand der PMOS-Transistoren Q6 und Q7 und des
Vielfachwiderstands 34 verzögert wird, nimmt die elektrische
Ladespannung des Ausgangsanschlusses Dout durch den einge
schalteten NMOS-Transistor Q11 um die Schwellenspannung ab.
Somit wird ein auf dem unteren Pegel liegendes Datensignal
über den Ausgangsanschluß Dout an die I/O-Vorrichtung aus
gegeben.
Wie im Intervall t3 der Fig. 4A bis 4D dargestellt, werden
außerdem die Übertragungsgatter 22 und 23 entsprechend dem
auf dem oberen Pegel liegenden Ladevorspannungssignal PS und
die Übertragungsgatter 24 und 25 eingeschaltet, wenn das
Ausgangsfreigabesignal OE wieder vom oberen auf den unteren
Pegel (Fig. 4A) und das Ladevorspannungssignal PS vom unteren
auf den oberen Pegel (Fig. 4B) gelegt wird. Da jedoch der
Ausgangsanschluß Dout auf dem unteren Pegel gehalten wird,
wird das auf dem unteren Pegel liegende Signal von den In
vertern 26 und 27 über die Übertragungsgatter 24 und 25 auf
den oberen Pegel invertiert und an die Ladevorspannungsschal
tung 30 übertragen.
Der PMOS-Transistor Q1 des Inverters 31 wird deshalb ausge
schaltet, und die NMOS-Transistoren Q2, Q3, Q4 werden einge
schaltet, und ein auf dem unteren Pegel liegendes Signal wird
über den eingeschalteten NMOS-Transistor Q4 an das Gate des
PMOS-Transistors Q10 des I/O-Puffers 37 gelegt. Die elektri
sche Ladespannung des Ausgangsanschlusses Dout nimmt um die
Schwellenspannung Vtp des PMOS-Transistors Q10 ab. Das an den
PMOS-Transistor Q9 gelegte Signal auf dem unteren Pegel wird
um den Einschaltwiderstand und den Vielfachwiderstand 34 ver
zögert, und die elektrische Ladespannung des Ausgangsan
schlusses Dout steigt rasch um die Schwellenspannung Vtp des
PMOS-Transistors Q9 an und wird auf dem Zwischenpegel gehal
ten. Das bedeutet, daß der PMOS-Transistor Q9 um die durch
den Einschaltwiderstand der NMOS-Transistoren Q2 und Q3 und
des Vielfachwiderstands 33 bedingte Verzögerungszeit später
als der NMOS-Transistor Q10 eingeschaltet wird.
Danach wird, wie über das Intervall t4 dargestellt, das Aus
gangsfreigabesignal OE vom unteren auf den oberen Pegel (Fig.
4A) und das Ladevorspannungssignal PS vom oberen auf den
unteren Pegel (Fig. 4B) gelegt. Wird das auf dem unteren
Pegel liegende Datensignal (Fig. 4C) eingegeben, so steigt
die elektrische Ladevorspannung des Ausgangsanschlusses Dout
(Fig. 4D) auf den oberen Pegel an.
Wie oben beschrieben, verringert die CMOS-Ausgangsschaltung
mit einer erfindungsgemäßen Ladevorspannungsschaltung das
durch den Eingangs/Ausgangs-Puffer (I/O-Puffer) verursachte
Stromrauschen, wenn Datensignale abgesetzt werden, indem die
Ausgangsspannung auf einen Zwischenpegel erhöht und ein
Durchreichstrom zwischen dem I/O-Puffer und dem MOS-Tran
sistor vermieden wird.
Claims (22)
1. Eine Schaltung mit:
einer Ausgabeeinheit (10) für den Erhalt eines Freigabe signals (OE) und eines Eingangssignals (Din) und zum Erzeugen eines Ausgangssignals (Dout);
einer Übertragungsgattereinheit (20) zum Erhalt eines Lade vorspannungssignals (PS) und des Ausgangssignals von der Ausgabeeinheit und zum übertragen eines entsprechenden Signals gemäß dem Ladevorspannungssignal (PS); und
einer Ladevorspannungseinheit (30) mit einem Datenausgangs anschluß (Dout) zum Erhalt des entsprechenden Signals von der Übertragungsgattereinheit (20) und zum Speichern einer elek trischen Ladespannung auf einem Zwischenpegel gemäß dem ent sprechenden Signal von der Übertragungsgattereinheit (20) so wie zur Ausgabe von Signalen auf dem Zwischenpegel.
einer Ausgabeeinheit (10) für den Erhalt eines Freigabe signals (OE) und eines Eingangssignals (Din) und zum Erzeugen eines Ausgangssignals (Dout);
einer Übertragungsgattereinheit (20) zum Erhalt eines Lade vorspannungssignals (PS) und des Ausgangssignals von der Ausgabeeinheit und zum übertragen eines entsprechenden Signals gemäß dem Ladevorspannungssignal (PS); und
einer Ladevorspannungseinheit (30) mit einem Datenausgangs anschluß (Dout) zum Erhalt des entsprechenden Signals von der Übertragungsgattereinheit (20) und zum Speichern einer elek trischen Ladespannung auf einem Zwischenpegel gemäß dem ent sprechenden Signal von der Übertragungsgattereinheit (20) so wie zur Ausgabe von Signalen auf dem Zwischenpegel.
2. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Übertragungsgat
tereinheit (20) folgendes enthält:
einen ersten Inverter (21) mit einem Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ladevorspannungssignals (PS);
ein erstes und zweites Übertragungsgatter (22, 23) mit je weils einem ersten und einem zweiten Gatter, wobei das erste Gatter mit dem Ladevorspannungssignal (PS) und das zweite Gatter mit dem Ausgangsanschluß des ersten Inverters (21) verbunden ist;
einen zweiten und einen dritten Inverter (26, 27) zum Inver tieren der jeweiligen Ausgänge des ersten und zweiten Über tragungsgatters (22, 23); und
ein drittes und ein viertes Übertragungsgatter (24, 25), die jeweils mit dem ersten und zweiten Übertragungsgatter verbun den sind und jeweils dritte und vierte Gatter aufweisen, wo bei das dritte Gatter mit dem Ausgangsanschluß des ersten In verters (21) und das vierte Gatter mit dem Ladevorspannungs signal (PS) verbunden ist.
einen ersten Inverter (21) mit einem Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ladevorspannungssignals (PS);
ein erstes und zweites Übertragungsgatter (22, 23) mit je weils einem ersten und einem zweiten Gatter, wobei das erste Gatter mit dem Ladevorspannungssignal (PS) und das zweite Gatter mit dem Ausgangsanschluß des ersten Inverters (21) verbunden ist;
einen zweiten und einen dritten Inverter (26, 27) zum Inver tieren der jeweiligen Ausgänge des ersten und zweiten Über tragungsgatters (22, 23); und
ein drittes und ein viertes Übertragungsgatter (24, 25), die jeweils mit dem ersten und zweiten Übertragungsgatter verbun den sind und jeweils dritte und vierte Gatter aufweisen, wo bei das dritte Gatter mit dem Ausgangsanschluß des ersten In verters (21) und das vierte Gatter mit dem Ladevorspannungs signal (PS) verbunden ist.
3. Schaltung nach Anspruch 2, bei der das erste und zweite
Übertragungsgatter (22, 23) ein PMOS- bzw. NMOS-Gate ist.
4. Schaltung nach Anspruch 2, bei der das dritte und vierte
Übertragungsgatter (24, 25) ein PMOS- bzw. NMOS-Gate ist.
5. Schaltung nach Anspruch 2, bei der das erste und zweite
Übertragungsgatter (22, 23) parallel zum dritten und vierten
Übertragungsgatter (24, 25) geschaltet sind.
6. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Ladevorspannungs
einheit (30) folgendes enthält:
einen vierten Inverter mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ausgangs des zweiten Inverters;
eine erste Impedanz (33), die mit dem ersten Ausgangsanschluß des vierten Inverters verbunden ist;
einen ersten Transistor der Ladevorspannungsschaltung (30), dessen Gate mit dem entsprechenden Ausgang der Übertragungs gattereinheit (20), dessen Source mit einer Spannung und dessen Drain mit dem zweiten Ausgangsanschluß des vierten Inverters verbunden ist;
einen fünften Inverter mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ausgangs des dritten Inverters;
eine zweite Impedanz (34), die mit dem ersten Ausgangs anschluß des fünften Inverters verbunden ist;
einen zweiten Transistor der Ladevorspannungsschaltung (30) dessen Gate mit dem entsprechenden Ausgang der Übertragungs gattereinheit, dessen Source mit Masse und dessen Drain mit dem zweiten Ausgangsanschluß des fünften Inverters verbunden ist;
und einen Puffer (37) zur Ausgabe von Datensignalen entspre chend den Ausgängen der ersten und zweiten Impedanz (34) und der zweiten Ausgangsanschlüsse des vierten und fünften Inver ters.
einen vierten Inverter mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ausgangs des zweiten Inverters;
eine erste Impedanz (33), die mit dem ersten Ausgangsanschluß des vierten Inverters verbunden ist;
einen ersten Transistor der Ladevorspannungsschaltung (30), dessen Gate mit dem entsprechenden Ausgang der Übertragungs gattereinheit (20), dessen Source mit einer Spannung und dessen Drain mit dem zweiten Ausgangsanschluß des vierten Inverters verbunden ist;
einen fünften Inverter mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ausgangs des dritten Inverters;
eine zweite Impedanz (34), die mit dem ersten Ausgangs anschluß des fünften Inverters verbunden ist;
einen zweiten Transistor der Ladevorspannungsschaltung (30) dessen Gate mit dem entsprechenden Ausgang der Übertragungs gattereinheit, dessen Source mit Masse und dessen Drain mit dem zweiten Ausgangsanschluß des fünften Inverters verbunden ist;
und einen Puffer (37) zur Ausgabe von Datensignalen entspre chend den Ausgängen der ersten und zweiten Impedanz (34) und der zweiten Ausgangsanschlüsse des vierten und fünften Inver ters.
7. Schaltung nach Anspruch 6, bei der der vierte Inverter
einen Transistor des ersten Inverters mit einer ersten
Polarität und eine Vielzahl Transistoren des zweiten Inver
ters mit einer zweiten Polarität aufweist, wobei der Transi
stor des ersten Inverters und die Transitoren des zweiten
Inverters zwischen einer Spannung (Vcc) und Masse parallel
zueinander geschaltet sind.
8. Schaltung nach Anspruch 7, bei der der Transistor des
ersten Inverters ein PMOS-Transistor ist, und die Vielzahl
der Transistoren des zweiten Inverters NMOS-Transistoren
sind.
9. Schaltung nach Anspruch 6, bei der fünfte Inverter eine
Vielzahl Transistoren des ersten Inverters einer ersten Pola
rität und einen Transistor des zweiten Inverters einer zwei
ten Polarität aufweist, wobei die Transistoren des ersten In
verters und der Transistor des zweiten Inverters zwischen der
Spannung (Vcc) und Masse parallel zueinander geschaltet sind.
10. Schaltung nach Anspruch 9, bei der die Vielzahl Transi
storen des ersten Inverters PMOS-Transistoren sind, und der
Transistor des zweiten Inverters ein NMOS-Transistor ist.
11. Schaltung nach Anspruch 6, bei der der erste und zweite
Transistor der Ladevorspannungsschaltung (30) ein PMOS- bzw.
NMOS-Transistor ist.
12. Schaltung nach Anspruch 6, bei der die erste und zweite
Impedanz Vielfachwiderstände (33, 34) sind.
13. Schaltung nach Anspruch 6, bei der der Puffer (37) se
quentiell angesteuert wird und einen Durchreichstrom verhin
dert.
14. Schaltung nach Anspruch 6, bei der der Puffer (37) fol
gendes enthält:
einen ersten Puffer-Transistor (Q9), dessen Source mit der Spannung (Vcc), dessen Gate mit der ersten Impedanz (33) und dessen Drain mit dem Ausgangsanschluß (Dout) der Ladevorspan nungseinheit (30) verbunden ist;
einen zweiten Puffer-Transistor (Q10), dessen Source mit dem Spannungsanschluß (Vcc), dessen Gate mit dem zweiten Aus gangsanschluß des vierten Inverters und dessen Drain mit dem Ausgangsanschluß (Dout) der Ladevorspannungseinheit (30) ver bunden ist;
einen dritten Puffer-Transistor (Q11), dessen Drain mit dem Ausgangsanschluß (Dout) der Ladevorspannungseinheit (30), dessen Gate mit der zweiten Impedanz (34) und dessen Source mit Masse verbunden ist;
einen vierten Puffer-Transistor (Q12), dessen Drain mit dem Ausgangsanschluß (Dout) der Ladevorspannungseinheit (30), dessen Gate mit dem zweiten Ausgangsanschluß des fünften Inverters und dessen Source mit Masse verbunden ist.
einen ersten Puffer-Transistor (Q9), dessen Source mit der Spannung (Vcc), dessen Gate mit der ersten Impedanz (33) und dessen Drain mit dem Ausgangsanschluß (Dout) der Ladevorspan nungseinheit (30) verbunden ist;
einen zweiten Puffer-Transistor (Q10), dessen Source mit dem Spannungsanschluß (Vcc), dessen Gate mit dem zweiten Aus gangsanschluß des vierten Inverters und dessen Drain mit dem Ausgangsanschluß (Dout) der Ladevorspannungseinheit (30) ver bunden ist;
einen dritten Puffer-Transistor (Q11), dessen Drain mit dem Ausgangsanschluß (Dout) der Ladevorspannungseinheit (30), dessen Gate mit der zweiten Impedanz (34) und dessen Source mit Masse verbunden ist;
einen vierten Puffer-Transistor (Q12), dessen Drain mit dem Ausgangsanschluß (Dout) der Ladevorspannungseinheit (30), dessen Gate mit dem zweiten Ausgangsanschluß des fünften Inverters und dessen Source mit Masse verbunden ist.
15. Schaltung nach Anspruch 14, bei der der dritte Transistor
(Q11) durch eine Verzögerungsschaltung später aktiviert wird
als der vierte Transistor (Q12).
16. Schaltung nach Anspruch 15, bei der die Verzögerungs
schaltung die erste Impedanz (33) enthält.
17. Schaltung nach Anspruch 15, bei der die Verzögerungs
schaltung einen Transistor des vierten Inverters enthält.
18. Schaltung nach Anspruch 14, bei der der fünfte Transi
stor durch eine Verzögerungsschaltung später eingeschaltet
wird als der sechste Transistor.
19. Schaltung nach Anspruch 18, bei der die Verzögerungs
schaltung die zweite Impedanz (34) enthält.
20. Schaltung nach Anspruch 18, bei der die Verzögerungs
schaltung einen Transistor des fünften Inverters enthält.
21. Schaltung nach Anspruch 14, bei der der erste und zweite
Puffer-Transistor PMOS-Transistoren und der dritte und vierte
Puffer-Transistor NMOS-Transistoren sind.
22. Eine Schaltung mit:
einer Ausgabeeinheit (10) für den Erhalt eines Freigabe signals (OE) und eines Eingangssignals und zum Erzeugen eines Ausgangssignals (Dout);
einer Übertragungsgattereinheit (20) zum Erhalt eines Lade vorspannungssignals (PS) und des Ausgangssignals (Dout) von der Ausgabeeinheit und zum übertragen eines entsprechenden Signals zusammen mit dem Ladevorspannungssignal (PS), wobei die Übertragungsgattereinheit (20) einen ersten Inverter mit einem Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ladevorspannungs signals (PS) und ein erstes und zweites Übertragungsgatter mit jeweils einem ersten und einem zweiten Gatter, wobei das erste Gatter mit dem Ladevorspannungssignal (PS) und das zweite Gatter mit dem Ausgangsanschluß des ersten Inverters verbunden ist, einen zweiten und einen dritten Inverter zum Invertieren der jeweiligen Ausgänge des ersten und zweiten Übertragungsgatters sowie ein drittes und ein viertes Über tragungsgatter, die jeweils mit dem ersten und zweiten Über tragungsgatter verbunden sind und jeweils dritte und vierte Gatter aufweisen, die dritte und vierte Gatter haben, wobei das dritte Gatter mit dem Ausgangsanschluß der ersten Inver ters und das vierte Gatter mit dem Ladevorspannungssignal (PS) verbunden ist, enthält; und
einer Ladevorspannungseinheit (30) mit einem Datenausgangs anschluß zum Erhalt des entsprechenden Signals von der Über tragungsgattereinheit und zum Speichern einer elektrischen Ladespannung, wobei die Ladevorspannungseinheit (30) die elektrische Ladespannung auf einem Zwischenpegel gemäß dem entsprechenden Signal von der Übertragungsgattereinheit hält und das Signal auf dem Zwischenpegel ausgibt, wobei die Lade vorspannungseinheit (30) einen vierten Inverter mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ausgangs des zweiten Inverters, eine erste Impedanz (33), die mit dem ersten Ausgangsanschluß des vierten Inverters verbun den ist, einen ersten Transistor der Ladevorspannungsschal tung, dessen Gate mit dem entsprechenden Ausgang der Übertra gungsgattereinheit (20), dessen Source mit einer Spannung und dessen Drain mit dem zweiten Ausgangsanschluß des vierten Inverters verbunden ist, einen fünften Inverter mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ausgangs des dritten Inverters, eine zweite Impedanz (34), die mit dem ersten Ausgangsanschluß des fünften Inverters verbunden ist, einen zweiten Transistor der Ladevorspannungs schaltung, dessen Gate mit dem entsprechenden Ausgang der Übertragungsgattereinheit, dessen Source mit Masse und dessen Drain mit dem zweiten Ausgangsanschluß des fünften Inverters verbunden ist, und einen Puffer (37) zur Ausgabe von Daten signalen entsprechend den Ausgängen der ersten und zweiten Impedanz (33, 34) und der zweiten Ausgangsanschlüsse des vierten und fünften Inverters enthält.
einer Ausgabeeinheit (10) für den Erhalt eines Freigabe signals (OE) und eines Eingangssignals und zum Erzeugen eines Ausgangssignals (Dout);
einer Übertragungsgattereinheit (20) zum Erhalt eines Lade vorspannungssignals (PS) und des Ausgangssignals (Dout) von der Ausgabeeinheit und zum übertragen eines entsprechenden Signals zusammen mit dem Ladevorspannungssignal (PS), wobei die Übertragungsgattereinheit (20) einen ersten Inverter mit einem Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ladevorspannungs signals (PS) und ein erstes und zweites Übertragungsgatter mit jeweils einem ersten und einem zweiten Gatter, wobei das erste Gatter mit dem Ladevorspannungssignal (PS) und das zweite Gatter mit dem Ausgangsanschluß des ersten Inverters verbunden ist, einen zweiten und einen dritten Inverter zum Invertieren der jeweiligen Ausgänge des ersten und zweiten Übertragungsgatters sowie ein drittes und ein viertes Über tragungsgatter, die jeweils mit dem ersten und zweiten Über tragungsgatter verbunden sind und jeweils dritte und vierte Gatter aufweisen, die dritte und vierte Gatter haben, wobei das dritte Gatter mit dem Ausgangsanschluß der ersten Inver ters und das vierte Gatter mit dem Ladevorspannungssignal (PS) verbunden ist, enthält; und
einer Ladevorspannungseinheit (30) mit einem Datenausgangs anschluß zum Erhalt des entsprechenden Signals von der Über tragungsgattereinheit und zum Speichern einer elektrischen Ladespannung, wobei die Ladevorspannungseinheit (30) die elektrische Ladespannung auf einem Zwischenpegel gemäß dem entsprechenden Signal von der Übertragungsgattereinheit hält und das Signal auf dem Zwischenpegel ausgibt, wobei die Lade vorspannungseinheit (30) einen vierten Inverter mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ausgangs des zweiten Inverters, eine erste Impedanz (33), die mit dem ersten Ausgangsanschluß des vierten Inverters verbun den ist, einen ersten Transistor der Ladevorspannungsschal tung, dessen Gate mit dem entsprechenden Ausgang der Übertra gungsgattereinheit (20), dessen Source mit einer Spannung und dessen Drain mit dem zweiten Ausgangsanschluß des vierten Inverters verbunden ist, einen fünften Inverter mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluß zum Invertieren des Ausgangs des dritten Inverters, eine zweite Impedanz (34), die mit dem ersten Ausgangsanschluß des fünften Inverters verbunden ist, einen zweiten Transistor der Ladevorspannungs schaltung, dessen Gate mit dem entsprechenden Ausgang der Übertragungsgattereinheit, dessen Source mit Masse und dessen Drain mit dem zweiten Ausgangsanschluß des fünften Inverters verbunden ist, und einen Puffer (37) zur Ausgabe von Daten signalen entsprechend den Ausgängen der ersten und zweiten Impedanz (33, 34) und der zweiten Ausgangsanschlüsse des vierten und fünften Inverters enthält.
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