DE1499604B2 - Signalgesteuerte schalter-schaltung - Google Patents
Signalgesteuerte schalter-schaltungInfo
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Description
element eingeschaltet und an dessen Basis ein Schalt- Bei Betrieb werden Lese- und Schreibimpulse nach-
signalgeber anschließbar ist. Ferner kann das Schalt- einander an die Primärwicklung, beispielsweise des
element mindestens eine in Stromflußrichtung geschal- Übertragers 36, durch selektives Ansteuern des Gat-
tete Diode aufweisen. ters 40 und der Gatter 46 und 48 gelegt. Durch selek-
Zum besseren Verständnis der Erfindung soll diese 5 tives Ansteuern des Gatters 38 und der Gatter 50
im folgenden an Hand von Zeichnungen erläutert und 52 können in ähnlicher Weise Impulse an die
werden. In der Zeichnung zeigt Primärwicklung des Übertragers 30 angelegt werden.
F i g. 1 ein schematisches Blockdiagramm einer be- Dieser Adressenauswahl- und Erregerkreis ist in der
kannter Speicherwählschaltung und Technik der Koinzidenzkernspeicher bekannt.
F i g. 2 eine schematische Schaltung, die die bevor- io Bei dieser Schaltung müssen die Widerstände 42
zugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Schalt- und 44 ziemlich hochohmig sein, um den Strom be-
kreises zeigt. grenzen zu können und um eine geeignete Spannungs-
In Fig. 1 ist eine Kernspeicherebene, in der Ma- änderung auf den Leitungen zu den Übertragern zu
gnetkerne in Zeilen und Spalten angeordnet sind, mit schaffen. Die Widerstände geben eine positive Vor-10
bezeichnet. Die Kernspeicherebene ist in der üb- 15 spannung auf alle Steuerleitungen zu den Übertragern
liehen Weise ausgeführt und besitzt horizontale Er- mit Ausnahme der Leitung, die über den niederohmiregerleitungen,
die jeweils jeden der in der zugehörigen gen Pfad des angewählten Gatters an Erde liegt. Die
Zeile befindlichen Kerne verbindet, sowie eine ent- Schwierigkeit bei einer derartigen Schaltanordnung
sprechende Anzahl von vertikalen Erregerleitungen, liegt darin, daß nach Fortfall des Gatterimpulses,
die jeden der in den entsprechenden Spalten angeord- 20 sobald also das Gatter gesperrt ist, die von dem
neten Kerne miteinander verbindet. Eine der hori- Gatter zu jedem Übertrager führende Leitung nur
zontalen Erregerleitungen ist mit 12 bezeichnet. durch Wiederaufladen einer Streukapazität über den
Andere horizontale Erregerleitungen sind mit 14,16 relativ hochohmigen Widerstand auf das Ausgangsund
18 bezeichnet, während die vertikalen Erreger- potential zurückgebracht werden kann. Die Streuleitungen
mit 20, 22, 24 und 26 bezeichnet sind. 25 kapazität liegt gegen Erde, und zwar über alle Über-Üblicherweise
ist die Zahl der Erregerleitungen viel trager, und üblicherweise liegen in einer Erregerreihe
größer; die hier gewählte Anzahl von jeweils vier mehr als hundert derartiger Impulsübertrager. Es tritt
Leitungen wurde der Übersicht halber nur beispiels- also eine i?C-Zeitkonstante auf, die zu einer beweise
gewählt. trächtlichen Zeitverzögerung bei der Wiederherstel-
Jede Erregerleitung der Speicherebene 10 liegt an 3° lung des Ausgangspotentials an allen Primärwickder
Sekundärwicklung eines Übertragers. So liegt die lungen der Übertrager führt. Diese Verzögerungszeit
Eingangsleitung 12 an der Sekundärwicklung eines verlängert also die Speicherzugriffszeit. Wenn Speicher-Übertragers
30, die Erregerleitung 14 an der Sekun- Zugriffszeiten von weniger als einer Mikrosekunde
därwicklung eines Übertragers 32 und die Leitungen erforderlich sind, wird die Verzögerungszeit bei der
16 und 18 an den Sekundärwicklungen der Über- 35 Wiederherstellung des Ausgangspotentials an den antrager
34 und 36. gewählten Übertragern während eines Speicheraus-
Jeder Speicherzyklus erfordert einen Lese- und wahlvorganges unzulässig groß.
einen Schreibimpuls, die jeweils gleichzeitig an eine Die vorliegende Erfindung ist auf eine Schaltkreis-Zeile
und eine Spalte angelegt werden, wobei die anordnung gerichtet, die im einzelnen in F i g. 2 geKoinzidenz
der Impulse an einer Spalte und an einer 40 zeigt ist, und die an Stelle der konventionellen Tor-Zeile
einen Kern ummagnetisiert. schaltungen 38 und 40 gemäß F i g. 1 verwendet
Zunächst werden nur die Zeilen-Erregungsleitungen werden kann. Die erfindungsgemäße Torschaltung
12 bis 18 betrachtet, da die Erregerschaltung der erlaubt ein Wiederaufrichten des Ausgangspotentials
Spalten identisch aufgebaut ist. Die Mittelanzapfun- in einer viel kürzeren Zeit, als es bisher dort, wo
gen der Primärwicklungen der Übertrager 30 und 34 45 Streukapazitäten über einen Vorwiderstand wieder
sind über eine gemeinsame Leitung mit einem Gatter aufgeladen werden mußten, möglich war. Wie im
38 verbunden. Ein an das Gatter 38 angelegtes Signal einzelnen in Fig. 2 gezeigt ist, umfaßt die erfindungsschließt
diese Leitung niederohmig an Erde. In ahn- gemäße Torschaltung ein Paar von NPN-Transistoren
licher Weise sind die Mittelanzapfungen der Primär- 80 und 82, deren Kollektor-Emitter-Strecken zwischen
Wicklungen der Übertrager 32 und 36 mit einem 50 einem positiven Potential und Erde über einen Strom-Gatter
40 verbunden, das einen niederohmigen Strom- begrenzungswiderstand 84 in Serie geschaltet sind,
pfad gegen Erde bildet. Wenn die Gatter 38 bzw. 40 Der Kollektor des Transistors 82 stellt den zum
auf Durchlaß geschaltet sind, werden die Primärwick- Transformator führenden Ausgang der Schaltung dar.
lungen der Übertrager über den Widerstand 42 bzw. Der Eingangssteuerimpuls wird an die Basis eines
den Widerstand 44 auf dem Erdpotential gehalten. 55 Transistors 86 angelegt. In Normalstellung liegt dieser
Ein Strompfad über jeweils einen der Übertrager Eingang im wesentlichen auf Erdpotential, und der
wird durch Anwählen eines ersten Gatterpaares 46 Transistor 86 ist gesperrt. Ist der Transistor 86 ge-
und 48 oder eines zweiten Gatterpaares 50 und 52 sperrt, so ist auch der Transistor 82 durch den die
geschaffen. Die Gatter 46 und 48 bilden niederohmige Basis des Transistors 82 mit einem negativen Poten-Strompfade
zwischen dem Schreibimpulsgeber 54 und 60 tial verbindenden Widerstand 88 gesperrt. Wenn der
dem Leseimpulsgeber 56 über Dioden 58 und 60 bzw. Transistor 86 gesperrt ist, wird sein Kollektor auf
Dioden 62 und 64 zu entsprechenden Enden der Pri- das positive Potential angehoben, an dem der Kollekmärwicklungen
der Übertrager 34 und 36. In ahn- tor des Transistors 86 über einen Lastwiderstand 90
licher Weise bilden die Gatter 50 und 52 nieder- gelegt ist. Der Kollektor des Transistors 86 ist über
ohmige Strompfade von dem Schreibimpulsgeber 54 65 ein Schaltelement 92 mit der Basis des Transistors 80
und dem Leseimpulsgeber 56 über Dioden 66 und 68 verbunden, wodurch der Transistor 80 durchgeschal-
bzw. Dioden 70 und 72 an die Primärwicklungen der tet wird, wenn der Transistor 86 gesperrt ist. Ist der
Übertrager 30 und 32. Transistor 80 durchgeschaltet, so liegt der zum Über-
trager führende Ausgang auf dem am Kollektor des Transistors 80 anliegenden positiven Potential.
Wenn ein Eingangsimpuls an das Gatter angelegt ist, wird die Basis des Transistors 86 positiv, wodurch
der Transistor 86 durchgeschaltet wird. Daraufhin sinkt das Kollektorpotential, und der Transistor 80
wird gesperrt. Gleichzeitig wird der Transistor 82 durchgeschaltet und der Gatterausgang zum
Übertrager im wesentlichen auf Erdpotential gebracht.
Aus der Beschreibung der Schaltung gemäß Fig. 2 geht hervor, daß der Ausgang dieser Gatterschaltung
entweder etwa auf Erde oder auf irgendeinem positiven Potential liegt. Das Auf- und Entladen der
Streukapazität, wie sie durch die gestrichelte Linie bei 94 angedeutet ist, erfolgt über einen relativ
niederohmigen Widerstand 84, der entweder sehr klein gewählt ist oder überhaupt fortgelassen werden
kann. Der einzige Zweck dieses Widerstands 84 liegt darin, sicherzustellen, daß die Transistoren dann nicht
überlastet werden, wenn ein leichtes Überlappen beim Sperren des einen Transistors und Durchschalten des
anderen Transistors auftritt.
Aus der obigen Beschreibung ergibt sich, daß die Erfindung eine verbesserte Erregerschaltung für einen
Koinzidenzspeicher schafft, welche einen Adressen-Auswahlschalter umfaßt, der die Auswahlleitung für
eine bestimmte Gruppe von Übertragern über einen relativ niederohmigen Widerstandspfad auf eine positive
Vorspannung zurücksetzt. Dies erlaubt eine viel schnellere Wiederherstellung des Ausgangspotentials
trotz der erheblichen Größe der durch die Verwendung einer großen Anzahl von Übertragern vorhandenen
Streukapazität.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Schaltung zum schnellen, signalgesteuerten den ausgewählten Übertrager, dessen Schalter zum
Schalten einer am festen Ende auf Bezugspoten- s Erd-Bezugspotential geschlossen ist.
tial liegenden Ohmschen Last mit Blindanteil Wenn bei bekannten Anordnungen der Speicherzwischen
einem ersten Potential und dem Bezugs- erregungsvorgang abgeschlossen ist, wird der das
potential, vorzugsweise zum impulsabhängigen Bezugspotential anlegende Schalter geöffnet, und die
Schalten von Erregerstromkreisen eines Koinzi- gemeinsame, zu den Übertragern führende Leitung,
denzspeichers, dadurch gekennzeichnet, io deren Potential von dem Schalter gesteuert wird,
daß das zu schaltende Ende der Last (30 ... 36) kann wieder auf eine Ersatzvorspannung gebracht
über die Emitter-Kollektor-Strecke eines ersten werden. Dies geschieht üblicherweise dadurch, daß
Transistors (80) an das erste Potential sowie über die Leitung über einen hochohmigen Widerstand an
die Emitter-Kollektor-Strecke eines zweiten Tran- die Ersatzvorspannungsquelle gelegt wird. Wenn
sistors (82) an das Bezugspotential angeschlossen 15 jedoch die Leitung wieder auf ihr anfängliches
ist; daß ein erster Widerstand (83), ein Schalt- Potential gebracht wird, muß die Streukapazität,
element (92) mit im wesentlichen konstantem insbesondere des Übertragers, über diesen hoch-Spannungsabfall
sowie ein zweiter Widerstand ohmigen Widerstand aufgeladen werden. Dadurch (90) in Reihe an eine Spannungsquelle ange- tritt eine Zeitverzögerung auf, die zu einer Begrenschlossen
sind; daß die Basis des ersten Tran- 20 zung der Zahl der Speicheradressen-Anwählvorgänge
sistors (80) mit dem Verknüpfungspunkt zwi- führt, die während einer vorgegebenen Zeitspanne
sehen dem ersten Widerstand (83) und dem ablaufen können.
Schaltelement (92) verbunden ist; daß die Basis Der Erfindung liegt damit die Aufgabe zugrunde,
des zweiten Transistors (82) sowohl über einen eine schnelle, signalgesteuerte Schalter-Schaltung zu
dritten Widerstand (88) an einem zweiten Poten- 25 schaffen, der die beim Schalten von Erregerstromtial
liegt wie auch über einem vom Schaltsignal kreisen eines Koinzidenzspeichers auftretende Zeitbetätigbaren
Schalter (86) an dem Verknüpfungs- verzögerung reduziert.
punkt zwischen zweitem Widerstand (90) und Die Lösung dieser Aufgabe gelingt bei einer Schal-Schaltelement
(92) angeschlossen ist. tung zum schnellen, signalgesteuerten Schalten einer
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch ge- 30 am festen Ende auf Bezugspotential liegenden Ohmkennzeichnet,
daß der Schalter einen dritten sehen Last mit Blindanteil zwischen einem ersten
Transistor (86) aufweist, dessen Emitter-Kollek- Potential und dem Bezugspotential, vorzugsweise
tor-Strecke zwischen die Basis des zweiten Tran- zum impulsabhängigen Schalten von Erregerstromsistors
(82) und den Verknüpfungspunkt von kreisen eines Koinzidenzspeichers, in der erfindungszweitem
Widerstand (90) und Schaltelement (92) 35 gemäßen Weise dadurch, daß das zu schaltende Ende
eingeschaltet und an dessen Basis ein Schalt- der Last über die Emitter-Kollektor-Strecke eines
Signalgeber anschließbar ist. ersten Transistors an das erste Potential sowie über
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch die Emitter-Kollektor-Strecke eines zweiten Trangekennzeichnet, daß das Schaltelement mindestens sistors an das Bezugspotential angeschlossen ist; daß
eine in Stromflußrichtung geschaltete Diode (92) 40 ein erster Widerstand, ein Schaltelement mit im
aufweist. wesentlichen konstantem Spannungsabfall sowie ein
zweiter Widerstand in Reihe an eine Spannungs-
quelle angeschlossen sind; daß die Basis des ersten
Transistors mit dem Verknüpfungspunkt zwischen
45 dem ersten Widerstand und dem Schaltelement verbunden ist; daß die Basis des zweiten Transistors
Die Erfindung betrifft eine Schaltung zum schnei- sowohl über einen dritten Widerstand an einem
len, signalgesteuerten Schalten einer am festen Ende zweiten Potential liegt, wie auch über einem vom
auf Bezugspotential liegenden Ohmschen Last mit Schaltsignal betätigbaren Schalter an dem Ver-Blindanteil
zwischen einem ersten Potential und dem 50 knüpfungspunkt zwischen zweitem Widerstand und
Bezugspotential, vorzugsweise zum impulsabhängigen Schaltelement angeschlossen ist.
Schalten von Erregerstromkreisen eines Koinzidenz- Der bei Betrieb ablaufende Schaltvorgang ist also Speichers. wie folgt: Von den beiden Transistoren verbindet der Bei adressierbaren Koinzidenzspeichern, z. B. Ma- eine in Durchlaßstellung eine Adressenauswahlleitung gnetkernspeichern oder Dünnfilmspeichern, werden 55 über einen niederohmigen Widerstand mit einem Be-Erregerströme zur Auswahl eines bestimmten ge- zugspotential, und der andere Transistor verbindet in speicherten Bits oder Wortes auf Eingangsleitungen eingeschalteter Stellung dieselbe Leitung über einen des Speichers gelegt. Eine Ansteuerschaltung aktiviert niederohmigen Widerstand mit einem Ausgangsselektiv bestimmte Eingangsleitungen zur Ansteue- potential. Durch das Anlegen des Ausgangspotentials rung eines Speicherplatzes der Speichermatrix in 60 über einen niederohmigen Widerstand wird die Lade-Abhängigkeit von Adresseninformationen aus einem zeit der Streukapazität beträchtlich gesenkt, so daß Adressenregister. Gewöhnlich ist für jede Eingangs- eine höhere Adressenauswahlgeschwindigkeit des leitung zum Koinzidenzspeicher ein Übertrager vor- Speichersystems erzielt wird.
Schalten von Erregerstromkreisen eines Koinzidenz- Der bei Betrieb ablaufende Schaltvorgang ist also Speichers. wie folgt: Von den beiden Transistoren verbindet der Bei adressierbaren Koinzidenzspeichern, z. B. Ma- eine in Durchlaßstellung eine Adressenauswahlleitung gnetkernspeichern oder Dünnfilmspeichern, werden 55 über einen niederohmigen Widerstand mit einem Be-Erregerströme zur Auswahl eines bestimmten ge- zugspotential, und der andere Transistor verbindet in speicherten Bits oder Wortes auf Eingangsleitungen eingeschalteter Stellung dieselbe Leitung über einen des Speichers gelegt. Eine Ansteuerschaltung aktiviert niederohmigen Widerstand mit einem Ausgangsselektiv bestimmte Eingangsleitungen zur Ansteue- potential. Durch das Anlegen des Ausgangspotentials rung eines Speicherplatzes der Speichermatrix in 60 über einen niederohmigen Widerstand wird die Lade-Abhängigkeit von Adresseninformationen aus einem zeit der Streukapazität beträchtlich gesenkt, so daß Adressenregister. Gewöhnlich ist für jede Eingangs- eine höhere Adressenauswahlgeschwindigkeit des leitung zum Koinzidenzspeicher ein Übertrager vor- Speichersystems erzielt wird.
gesehen. Schaltkreise, die auf vom Adressenregister In einer zweckmäßigen weiteren Ausgestaltung des
kommende Befehle ansprechen, schließen einen aus- 65 Erfindungsgedankens weist der Schalter einen dritten
gewählten Übertrager der Matrix an eine Strom- Transistor auf, dessen Emitter-Kollektor-Strecke zwi-
quelle. Zum Anwählen eines Übertragers werden sehen die Basis des zweiten Transistors und den Ver-
Schalter verwendet, von denen einer eine Reihe der knüpfungspunkt von zweitem Widerstand und Schalt-
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US50333465A | 1965-10-23 | 1965-10-23 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=24001654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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DE (1) | DE1499604B2 (de) |
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---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3271590A (en) * | 1963-05-14 | 1966-09-06 | John C Sturman | Inverter circuit |
US3287577A (en) * | 1964-08-20 | 1966-11-22 | Westinghouse Electric Corp | Low dissipation logic gates |
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1965
- 1965-10-23 US US503334A patent/US3423603A/en not_active Expired - Lifetime
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1966
- 1966-10-19 GB GB46730/66A patent/GB1141387A/en not_active Expired
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- 1966-10-22 DE DE19661499604 patent/DE1499604B2/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR1517783A (fr) | 1968-03-22 |
DE1499604A1 (de) | 1970-04-02 |
US3423603A (en) | 1969-01-21 |
GB1141387A (en) | 1969-01-29 |
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