DE1125084B - Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkoerper - Google Patents

Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkoerper

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DE1125084B
DE1125084B DET19601A DET0019601A DE1125084B DE 1125084 B DE1125084 B DE 1125084B DE T19601 A DET19601 A DE T19601A DE T0019601 A DET0019601 A DE T0019601A DE 1125084 B DE1125084 B DE 1125084B
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Germany
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pressure
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Dr Heinz Beneking
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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Telefunken Patentverwertungs GmbH
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    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body

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Description

  • Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkörper Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkörper unter Verwendung einer Legierungsform aus Glimmer.
  • Es ist bereits bekannt, Legierungsformen zu verwenden, welche aus Glimmer bestehen. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß befriedigende Ergebnisse beim Legieren nur dann zu erzielen sind, wenn beim Legieren auf die Legierungsform ein Druck ausgeübt wird.
  • Eine entsprechende Druckanwendung ist bei den bekannten Legierungsformen aus Edelsteinen, Chrom, Eisen u. dgl. nicht möglich, da diese Formen wegen der Unebenheit jeder Halbleiteroberfläche nur an wenigen Punkten ihrer Grundfläche auf der Halbleiteroberfläche aufsitzen, so daß infolge der geringen Elastizität dieser Materialien bereits ein nicht allzu hoher Druck eine Beschädigung der Halbleiteroberfläche verursachen würde. Versuche haben ergeben, daß bei Legierungsformen aus Glimmer ein Druck von mindestens 1 Kilopond pro Quadratzentimeter erforderlich ist, wenn befriedigende Ergebnisse erzielt werden sollen. Erfindungsgemäß wird daher die Legierungsform aus Glimmer beim Legieren mit mindestens einem Druck von 1 Kilopond pro Quadratzentimeter auf die Halbleiteroberfläche gepreßt. Der Druck darf jedoch nicht so hoch sein, daß unerwünschte Versetzungen im Kristall entstehen.
  • Die Erfindung soll an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. In der Figur ist eine Vorrichtung 9 dargestellt, welche sich zum Andrücken der Legierungsform an den Halbleiterkörper eignet. Diese Vorrichtung besteht aus einer Grundplatte 1, auf der sich eine plane Graphitplatte 2 befindet, auf die das Halbleiterplättchen 3 zu liegen kommt. Des weiteren ist aus der Figur die Legierungsform 4 zu ersehen, welche zur Begrenzung des Legierungsmaterials beim Legierungsprozeß dient. Es ist zweckmäßig, zwischen der Abschlußplatte 6 und der Legierungsform 4 noch eine Druckausgleichsplatte 5 vorzusehen, durch die, ebenso wie durch die Platte 2, ein gewisser Druckausgleich erfolgt und ein gleichmäßiges Andrücken auf die gesamte Halbleiteroberfläche erzielt wird. Als Material für diese Platte empfiehlt sich ebenfalls Graphit. Der beim Legieren gemäß der Erfindung erforderliche Druck wird durch die beiden Schrauben 7 und 8 auf die Abschlußplatte 6 ausgeübt. Die Druckvorrichtung ist so auszulegen, daß auch bei der gewählten Legierungstemperatur, die beispielsweise 600 bis 800° C beträgt, der jeweils erforderliche Druck aufrechterhalten werden kann. Der beim Legieren auszuübende Druck soll mindestens 1 Kilopond pro Quadratzentimeter betragen.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zum Auflegieren von Legierungsmaterial auf einen Halbleiterkörper unter Verwendung einer Legierungsform aus Glimmer, da- durch gekennzeichnet, daß die Legierungsform beim Legieren mit mindestens einem Druck von 1 Kilopond pro Quadratzentimeter auf die Halbleiteroberfläche gepreßt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr.1085 613, 1087 705; französische Patentschrift Nr. 11.38 347.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1138347A (fr) * 1954-09-13 1957-06-12 Westinghouse Brake & Signal Dispositif pour l'établissement d'un contact avec les électrodes d'un élément deredresseur sec
DE1085613B (de) * 1956-05-15 1960-07-21 Siemens Ag Verfahren zur grossflaechigen Kontaktierung eines einkristallinen Siliziumkoerpers
DE1087705B (de) * 1957-08-08 1960-08-25 Philips Nv Legierungsform zum Auflegieren von Kontakten auf halbleitende Koerper

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DE1087705B (de) * 1957-08-08 1960-08-25 Philips Nv Legierungsform zum Auflegieren von Kontakten auf halbleitende Koerper

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