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Hintergrund der Erfindung
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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Flüssigkristallanzeigentechnik, und genauer eine Flüssigkristallanzeige für eine GOA-(Gate Driver on Array, ein Array-Substrat Zeilentreiber)Schaltung und ein Anzeigegerät.
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Beschreibung des Standes der Technik
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In einer aktiven Flüssigkristallanzeige, umfasst jedes Pixel einen Dünnschichttransistor (TFT), und sein Gate (Gate) ist mit der horizontalen Abtastzeile verbunden, wobei ein Drain (Drain) mit einer Datenzeile verbunden ist, und wobei der Source (Source) mit der Pixelelektrode verbunden ist. Wenn eine ausreichende Spannung an die Abtastzeile angelegt wird, sodass alle TFTs sich auf der Abtastzeile öffnen, wird die Anzeigensignalspannung der Datenzeile durch den TFT in die Pixelelektrode geschrieben, wodurch unterschiedliche LCD-Transmissionen eingestellt werden und somit der Farbeffekt gesteuert wird.
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Gegenwärtig werden die Abtastzeilen des aktiven Flüssigkristallanzeigenpanels durch externe ICs (integrierte Schaltkreise) angesteuert, welche mit dem aktiven Flüssigkristallanzeigenpanel verbunden sind. Die externen ICs sind konfiguriert, um das stufenweise Laden von jeder Ebene der Abtastzeilen und das Entladen von jeder Ebene der Abtastzeilen zu steuern.
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In der GOA-Technik, nämlich der Gate Driver on Array-Technologie (Array-Substrat Zeilentreiber), kann die Treiberschaltung der Abtastzeilen auf dem Panel um einen Bereich des Anzeigebereichs unter Verwendung des ursprünglichen LCD-Panelherstellungsprozesses gebildet werden, sodass die GOA-Technik das Fahren der Abtastzeilen durch Ersetzen der externen ICs erlaubt. Die GOA-Technik kann den Bindungsprozess von externen ICs reduzieren, und könnte die Produktivität steigern sowie die Produktionskosten senken; Es führt auch dazu, dass das LCD-Panel für die Produktion mit schmalen Rahmen oder sogar ohne Rahmen um die Anzeigeprodukte besser geeignet ist.
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Bestehende GOA-Schaltungen umfassen generell eine Vielzahl von Schieberegistereinheiten, wobei jede Schieberegistereinheit zum Antrieb einer Abtastzeile entspricht. Die Schieberegistereinheit enthält eine Pull-up-Schaltung (Pull-up Teil), eine Pull-up-Steuerschaltung (Pull-up Steuerteil), eine Down-Transferschaltung (Transferteil), eine Pull-Down-Schaltung (zentrales Pull-Down Teil) und eine Pull-Down-Halteschaltung (Pull-Down-Halteteil) und ein Bootstrap (Boast)-Kondensator, welcher verantwortlich ist für das Anheben des Potentials. Die Pull-up-Schaltung ist hauptsächlich dafür verantwortlich, dass das Taktsignal (Clock) als ein Gate-(Gate-)Signal ausgegeben wird; eine Pull-up-Steuerschaltung ist zur Steuerung der Öffnungszeit der Pull-up-Schaltung eingerichtet, und ist gewöhnlich mit einem nachfolgenden Signal oder einem Gate-Signal einer vorherigen Ebene des Schieberegisters verbunden; Die Pull-Down-Schaltung ist verantwortlich für das zunächst erfolgende Herabsetzen des Gate-Signals auf niedriges Potential, mit anderen Worten, wenn das Gate-Signal geschlossen ist; Die Pull-Down-Schaltung ist ferner verantwortlich für das Halten des Ausgangssignals des Gate- und Gate-Signalpunktes der Pull-up-Schaltung (üblicherweise als Q-Punkt bezeichnet) im geschlossenen Zustand (negatives Potential). Es gibt in der Regel zwei Drop-Pflegemodule, die alternativ arbeiten; Der Bootstrap-Kondensator (C boast) ist für das sekundäre Anheben des Q-Punktes verantwortlich, wobei er sich gut eignet G(N) des Pull-up-Schaltkreises auszugeben.
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1 zeigt ein Schaltbild einer GOA-Schaltung gemäß dem Stand der Technik. Ein Schieberegister umfasst eine Pull-up-Steuerschaltung 100, eine Pull-up-Schaltung 200, eine Downstream-Schaltung 300, eine Pull-Down-Schaltung 400, einen Bootstrap-Kondensator 500, eine erste Pull-Down-Halteschaltung 600, eine zweite Pull-Down-Halteschaltung 700 und eine Brückenschaltung 800. Die erste Pull-Down-Halteschaltung 600, die zweite Pull-Down-Halteschaltung 700, und die Brückenschaltung 800 bilden eine Konstruktion von 3 Stufen eines Widerstands-Spannungsteilers.
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Die Brückenschaltung 800 ist für die Einstellung der Potentiale von P(N) und K(N) hauptsächlich durch den TFT T55 verantwortlich. Ein Gate des TFT T55 ist mit Q(N) gekoppelt, ein Drain des TFT T55 ist mit P(N), und ein Source des TFT T55 ist mit K(N) gekoppelt. Während des Betriebs ist das Gate des TFT T55 offen, um die Potentiale von P(N) und K(N) einander anzugleichen und in einem geschlossenen Zustand zu halten. Die niedrigen Potentiale der niederfrequenten Signale LC1 und LC2 sind kleiner als VSS, was die Potentiale von P(N) und K(N) während des Betriebs kleiner als VSS einstellt und sicherstellt, dass Vgs der TFTs T32, T33 zum Pull-Down des G(N)-Punkts verwendet wird und dass Vgs der TFTs T42, T43 zum Pull-Down von Q(N) verwendet werden und weniger als 0 Volt aufweisen, was eine bessere Leistung erlaubt, um Leckströme von G(N) und Q(N) zu verhindern.
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Die erste Pull-Down-Halteschaltung 600 und die zweite Pull-Down-Halteschaltung 700 basieren auf einem symmetrischen Design, das die folgenden Funktionen erlaubt: Erstens dient die erste Pull-Down-Halteschaltung 600 (oder die zweite Pull-Down-Halteschaltung 700) im Betrieb als Großwiderstand und befindet sich in einem geschlossenen Zustand, wobei die zweite Pull-Down-Halteschaltung 700 (oder die erste Pull-Down-Halteschaltung 600) als kleiner Widerstand dient und sich im offenen Zustand befindet, und wobei die Brückenschaltung 800 als kleiner Widerstand dient und sich im offenen Zustand befindet, um P(N) und K(N) in einem niedrigen Potentialzustand zu halten, und stellt das Anheben von Q (N) und dem Ausgang von G(N) sicher; Zweitens dienen während des Nichtbetriebs sowohl die erste Pull-Down-Halteschaltung 600 als auch die zweite Pull-Down-Halteschaltung 700 als kleine Widerstände und befinden sich im offenen Zustand und die Brückenschaltung 800 dient als großer Widerstand und ist in einem geschlossenen Zustand, um die hohen und niedrigen Potentiale und den Wechsel von P(N) und K(N) zu erreichen. Ein Gate eines TFT T54 ist mit LC2 gekoppelt, ein Drain des TFT T54 ist mit LC2 gekoppelt, und ein Source des TFT T54 ist mit P(N) gekoppelt. Ein Gate eines TFT T64 ist mit LC1 gekoppelt, ein Drain des TFT T64 ist mit LC2 gekoppelt, und ein Source des TFT T64 ist mit L(N) gekoppelt. Die TFTs T54, T64 werden als symmetrische TFTs bezeichnet, die zur Einstellung des Widerstands-Spannungsteilers und einer schnellen Entladung beim Schalten von Signalen verwendet werden. Ein Gate eines TFT T52 ist mit Q(N) gekoppelt, ein Drain des TFT T52 ist mit S(N) gekoppelt und ein Source des TFT T52 ist mit VSS gekoppelt. Ein Gate eines TFT T62 ist mit Q(N) gekoppelt, ein Drain des TFT T62 ist mit T(N) gekoppelt, und ein Source des TFT T62 ist mit VSS gekoppelt. Die TFTs T52, T62 werden zum Pull-Down von S(N) und T(N) im Betriebs verwendet.
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Durch die Verwendung der Schieberegistereinheit, die an den 3-stufigen Widerstands-Spannungsteiler angelegt wird, welcher durch die die erste Pull-Down-Halteschaltung 600, die zweite Pull-Down-Halteschaltung 700 und die Brückenschaltung 800 gebildet wird, wird die Hochtemperaturstabilität und die Langzeitbetriebssicherheit der Pull-Down-Halteschaltung erhöht, wobei der Schalter von P(N) und K(N) unter Verwendung eines Niederfrequenzsignals ausgeführt wird, und wobei die Elektrizitätsleckage von G(N) und Q(N) durch Pull-Down der Potentiale von P(N) und K(N) auf das mögliche Minimum reduziert wird. Während des Nichtbetriebs wird einer von P(N) und K(N) auf das niedrige Potential von LC bei einem niedrigen Potential geschlossen, da das niedrige Potential von LC niedriger als VSS ist, wobei die TFTs T32/T42 oder die TFTs T33/T43 in einem negativen Potentialwiederherstellungszustand in der Hälfte der Zeit sind, die benötigt wird, um das Potential des negativen Potentials durch Einstellen des niedrigen Potentials des Niederfrequenzsignals zu steuern und um das Risiko einer Fehlfunktion der Pull-Down-Halteschaltung effektiv zu verringern.
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Jedoch wenden die bestehenden GOA-Schaltungen im Wesentlichen eine Schieberegisterlehre an; wobei eine Übertragung von schrittweisen Signalen im allgemeinen eine Abwärtsübertragung durch die Abtastlinie G(N) durchführt, wobei die Lst der Abtastlinie G(N) zunimmt, die Verdrahtung kompliziert ist und die Gefahr einer Abschaltung besteht.
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Weiterhin sind die herkömmlichen GOA-Schaltungen für eine einseitige Abtastung ausgelegt, wobei ein Abtasten in zwei Richtungen unmöglich ist
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine GOA-Schaltung und eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die bei einer Flüssigkristallanzeige verwendet wird. Durch Ersetzen der Abtastzeilen G(N) mit einer konstanten Spannung VDD, um die Funktion der Abwärtsübertragung zu erreichen, und wobei ein zusätzliches Abwärtsübertragungsmodul vorgesehen ist, um der konstanten Spannung zu entsprechen, wird der Zweck einer Übertragung sequentieller Signale erreicht. Anschließend, da die Abtastzeile G(N) nur für das Ansteuern einer Abtastzeile verantwortlich ist, wird die Last der Abtastzeile G(N) und das Risiko, das mit der Verdrahtung einhergeht, schrittweise verringert, wobei eine Ladungskapazität des Gate-Signalpunkts Q(N) während des Betriebs verstärkt wird, und wobei ein Potential des Gate-Signalpunktes Q(N) durch Einstellen des Potentials der konstanten Spannung VDD verstärkt wird. Ein Vorwärtsabtastvorgang und ein Rückwärtsabtastvorgang werden durch zwei Spannungen VF, VR erreicht; wobei ein Vorwärtsabtastvorgang und Rückwärtsabtastvorgang einer GOA-Schaltung entsprechend realisiert wird.
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Um die obige Aufgrabe zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung eine GOA-Schaltung bereit, die an eine Flüssigkristallanzeige angelegt wird. Die GOA-Schaltung umfasst eine Vielzahl von kaskadenförmig angeordneten Schieberegistereinheiten, wobei eine Schieberegistereinheit (N)-ter Ebene gesteuert wird, um eine Abtastzeile (N)-ter Ebene entsprechend aufzuladen. Die Schieberegistereinheit (N)-ter Ebene enthält eine Pull-up-Schaltung, eine Pull-Down-Schaltung, eine Pull-Down-Halteschaltung, eine Pull-up-Steuerschaltung, eine Down-Transferschaltung und einen Bootstrap-Kondensator.
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Die Pull-up-Schaltung, die Pull-Down-Halteschaltung und der Bootstrap-Kondensator sind einzeln mit einem Gate-Signalpunkt und der Abtastzeile (N)-ter Ebene verbunden.
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Die Pull-up-Steuerschaltung und die Down-Transferschaltung sind einzeln mit dem Gate-Signalpunkt verbunden.
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Die Pull-Down-Schaltung ist mit einem Startsignal eines Schieberegisters (N + 1)ter Ebene verbunden.
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Die Pull-up-Steuerschaltung ist mit einem Startsignal eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbunden.
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Die Pull-Down-Halteschaltung umfasst:
Einen ersten TFT, wobei ein Gate des ersten TFT mit einem ersten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des ersten TFT mit der Abtastzeile (N)-ter Ebene verbunden ist, und wobei ein Source des ersten TFT mit einer ersten Gleichspannung verbunden ist.
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Einen zweiten TFT, wobei ein Gate des zweiten TFT mit dem ersten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des zweiten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, und wobei ein Source des zweiten TFT mit einer zweiten Gleichspannung verbunden ist.
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Einen dritten TFT, wobei ein Gate des dritten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des dritten TFT mit einem Source-Signalpunkt verbunden ist, und wobei ein Source des dritten TFT mit der ersten Gleichspannung verbunden ist.
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Einen vierten TFT, wobei ein Source des vierten TFT mit einem Source-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Gate und ein Drain des vierten TFT mit einem ersten Taktsignal verbunden sind.
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Einen fünften TFT, wobei ein Gate des fünften TFT mit dem Source-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des fünften TFT mit dem ersten Taktsignal verbunden ist, und wobei ein Source des fünften TFT mit dem ersten Schaltungspunkt verbunden ist.
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Ein Gate eines sechsten TFT, welches mit einem zweiten Taktsignal verbunden ist, wobei ein Drain des sechsten TFT mit dem ersten Taktsignal verbunden ist, und wobei ein Source des sechsten TFT mit dem ersten Schaltungspunkt verbunden ist.
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Ein Gate eines siebten TFT, welches mit dem ersten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des siebten TFT mit einem Startsignal eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbunden ist, und wobei ein Source des siebten TFT mit der zweiten Gleichspannung verbunden ist.
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Ein Gate eines achten TFT, welches mit einem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des achten TFT mit der Abtastzeile (N)-ter Ebene verbunden ist, und wobei ein Source des achten TFT mit der ersten Gleichspannung verbunden ist.
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Ein Gate des neunten TFT, welches mit dem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des neunten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, und wobei ein Source des neunten TFT mit der zweiten Gleichspannung verbunden ist.
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Ein Gate des zehnten TFT, welches mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des zehnten TFT mit einem Drain-Signalpunkt verbunden ist, und wobei ein Source des zehnten TFT mit der ersten Gleichspannung verbunden ist.
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Ein Source des elften TFT, welcher mit dem Drain-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Gate und ein Drain des elften TFT mit dem zweiten Taktsignal verbunden sind.
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Ein Gate des zwölften TFT, welches mit dem Drain-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des zwölften TFT mit dem zweiten Taktsignal verbunden ist, und wobei ein Source des zwölften TFT mit dem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist.
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Ein Gate des dreizehnten TFT, welches mit dem ersten Taktsignal verbunden ist, wobei ein Drain des dreizehnten TFT mit dem zweiten Taktsignal verbunden ist, und wobei ein Source des dreizehnten TFT mit dem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist.
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Ein Gate des vierzehnten TFT, welches mit dem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des vierzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbunden ist, und wobei ein Source des vierzehnten TFT mit der zweiten Gleichspannung verbunden ist.
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Ein Gate des fünfzehnten TFT, welches mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des fünfzehnten TFT mit dem ersten Schaltungspunkt verbunden ist und wobei ein Source des fünfzehnten TFT mit dem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist.
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Im Betrieb sind die Frequenzen des ersten Taktsignals und des zweiten Taktsignals niedriger als die eines Taktsignals (N)-ter Ebene (CK (N)), wobei ein Verfahren zum Laden des ersten Schaltungspunktes durch das erste Taktsignal und ein Verfahren zum Laden des zweiten Schaltungspunktes durch das zweite Taktsignal alternierend durchgeführt werden. Die Pull-up-Schaltung umfasst einen sechzehnten TFT, wobei ein Gate des sechzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des sechzehnten TFT mit dem Taktsignal (N)-ter Ebene verbunden ist und wobei ein Source des sechzehnten TFT mit der Abtastzeile (N)-ter Ebene verbunden ist.
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In einer Ausführungsform umfasst die Pull-Down-Schaltung:
Einen siebzehnten TFT, wobei ein Gate des siebzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N + 1)-ter Ebene verbunden ist, wobei ein Drain des siebzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, und wobei ein Source des siebzehnten TFT mit der zweiten Gleichspannung verbunden ist.
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In einer Ausführungsform umfasst die Down-Transferschaltung:
Einen achtzehnten TFT, wobei ein Gate des achtzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des achtzehnten TFT mit dem Taktsignal (N)-ter Ebene verbunden ist, und wobei ein Source des achtzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbunden ist.
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In einer Ausführungsform umfasst die Pull-up-Steuerschaltung:
Einem neunzehnten TFT, wobei ein Gate des neunzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N – 1)-ter Ebene verbunden ist, wobei ein Drain des neunzehnten TFT mit einer konstanten Spannung verbunden ist und wobei ein Source des neunzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist.
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In einer Ausführungsform umfasst die Pull-up-Steuerschaltung:
Einen neunzehnten TFT, wobei ein Gate des neunzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N – 1)-ter Ebene verbunden ist, wobei ein Drain des neunzehnten TFT mit einer Durchlassspannung verbunden ist und wobei ein Source des neunzehnten verbunden TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist.
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In einer Ausführungsform umfasst die Pull-Down-Schaltung:
Einen siebzehnten TFT (T41), wobei ein Gate des siebzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N + 1)-te Ebene verbunden ist, wobei ein Drain des siebzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist und wobei ein Source des siebzehnten TFT mit einer Rückwärtsspannung verbunden ist.
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In einer Ausführungsform beträgt ein Tastverhältnis des Taktsignals (N)-ter Ebene weniger als 50 Prozent.
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In einer Ausführungsform ist die zweite Gleichspannung kleiner als die erste Gleichspannung.
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Um die obige Aufgabe zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung eine weitere an eine Flüssigkristallanzeige angelegte GOA-Schaltung bereit. Die GOA-Schaltung umfasst eine Vielzahl von kaskadenförmig angeordneten Schieberegistereinheiten, wobei eine Schieberegistereinheit (N)-ter Ebene gesteuert wird, um eine Abtastzeile (N)-ter Ebene entsprechend zu laden. Die Schieberegistereinheit (N)-ter Ebene umfasst eine Pull-up-Schaltung, eine Pull-Down-Schaltung, eine Pull-Down-Halteschaltung, eine Pull-up-Steuerschaltung, eine Down-Transferschaltung und einen Bootstrap-Kondensator.
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Die Pull-up-Schaltung, die Pull-Down-Halteschaltung und der Bootstrap-Kondensator sind einzeln mit einem Gate-Signalpunkt und der Abtastzeile (N)-ter Ebene verbunden.
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Die Pull-up-Steuerschaltung und die Down-Transfer-Schaltung sind einzeln mit dem Gate-Signalpunkt verbunden.
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Die Pull-Down-Schaltung ist mit einem Startsignal eines Schieberegisters (N + 1)-ter Ebene verbunden.
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Die Pull-up-Steuerschaltung ist mit einem Startsignal eines Schieberegisters (N – 1)-ter Ebene verbunden.
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Die Pull-Down-Halteschaltung umfasst:
Einen ersten TFT, wobei ein Gate des ersten TFT mit einem ersten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des ersten TFT mit der Abtastzeile (N)-ter Ebene verbunden ist und wobei ein Source des ersten TFT ist mit einer ersten Gleichspannung verbunden ist.
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Einen zweiten TFT, wobei ein Gate des zweiten TFT mit dem ersten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des zweiten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist und wobei ein Source des zweiten TFT mit einer zweiten Gleichspannung verbunden ist.
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Einen dritten TFT, wobei ein Gate des dritten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des dritten TFT mit einem Source-Signalpunkt verbunden ist und wobei ein Source des dritten TFT mit der ersten Gleichspannung verbunden ist.
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Einen vierten TFT, wobei ein Source des vierten TFT mit einem Source-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Gate und ein Drain des vierten TFT mit einem ersten Taktsignal verbunden sind.
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Einen fünften TFT, wobei ein Gate des fünften TFT mit dem Source-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des fünften TFT mit dem ersten Taktsignal verbunden ist und wobei ein Source des fünften TFT mit dem ersten Schaltungspunkt verbunden ist.
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Einen sechsten TFT, wobei ein Gate des sechsten TFT mit einem zweiten Taktsignal verbunden ist, wobei ein Drain des sechsten TFT ist mit dem ersten Taktsignal verbunden ist und wobei eine Source des sechsten TFT mit dem ersten Schaltungspunkt verbunden ist.
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Einen siebten TFT, wobei ein Gate des siebten TFT mit dem ersten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des siebten TFT mit einem Startsignal eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbunden ist und wobei ein Source des siebten TFT mit der zweiten Gleichspannung verbunden ist.
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Einen achten TFT, wobei ein Gate des achten TFT mit einem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des achten TFT mit der Abtastzeile (N)-ter Ebene verbunden ist und wobei ein Source des achten TFT mit der ersten Gleichspannung verbunden ist.
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Einen neunten TFT, wobei ein Gate des neunten TFT mit dem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des neunten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist und wobei ein Source des neunten TFT mit der zweiten Gleichspannung verbunden ist.
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Einen zehnen TFT, wobei ein Gate des zehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des zehnten TFT mit einem Drain-Signalpunkt verbunden ist, und wobei ein Source des zehnten TFT mit der ersten Gleichspannung verbunden ist.
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Einen elften TFT, und wobei ein Source des elften TFT mit dem Drain-Signalpunkt verbunden ist; Ein Gate und ein Drain des elften TFT sind mit dem zweiten Taktsignal verbunden.
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Einen zwölften TFT, wobei ein Gate des zwölften TFT mit dem Drain-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des zwölften TFT mit dem zweiten Taktsignal verbunden ist und wobei ein Source des zwölften TFT mit dem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist.
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Einen dreizehnten TFT, wobei ein Gate des dreizehnten TFT mit dem ersten Taktsignal verbunden ist, wobei ein Drain des dreizehnten TFT mit dem zweiten Taktsignal verbunden ist und wobei ein Source des dreizehnten TFT mit dem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist.
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Einen vierzehnten TFT, wobei ein Gate des vierzehnten TFT mit dem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist, wobei ein Drain des vierzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbunden ist, und wobei ein Source des vierzehnten TFT mit der zweiten Gleichspannung verbunden ist.
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Ein fünfzehnter TFT, wobei ein Gate des fünfzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des fünfzehnten TFT mit dem ersten Schaltungspunkt verbunden ist und wobei ein Source des fünfzehnten TFT mit dem zweiten Schaltungspunkt verbunden ist.
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Im Betrieb sind die Frequenzen des ersten Taktsignals und des zweiten Taktsignals niedriger als die eines Taktsignals (N)-ter Ebene (CK (N)), wobei ein Verfahren zum Laden des ersten Schaltungspunktes durch das erste Taktsignal und ein Verfahren zum Laden des zweiten Schaltungspunktes durch das zweite Taktsignal alternierend durchgeführt werden.
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Die Pull-up-Schaltung umfasst:
Ein Gate des sechzehnten TFT, welches mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des sechzehnten TFT mit dem Taktsignal (N)-ter Ebene verbunden ist, und wobei ein Source des sechzehnten TFT mit der Abtastzeile (N)-ter Ebene verbunden ist.
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Die Pull-Down-Schaltung umfasst:
Einen siebzehnten TFT, wobei ein Gate des siebzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N + 1)-ter Ebene verbunden ist, wobei ein Drain des siebzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, und wobei ein Source des siebzehnten TFT mit der zweiten Gleichspannung verbunden ist.
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In einer Ausführungsform umfasst die Down-Transferschaltung:
Einen achtzehnten TFT, wobei ein Gate des achtzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, wobei ein Drain des achtzehnten TFT mit dem (N)-Taktsignal verbunden ist und wobei ein Source des achtzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbunden ist.
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In einer Ausführungsform umfasst die Pull-up-Steuerschaltung:
Einen neunzehnten TFT, wobei ein Gate des neunzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbunden ist, wobei ein Drain des neunzehnten TFT mit einer konstanten Spannung verbunden ist, und wobei ein Source des neunzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist.
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In einer Ausführungsform umfasst die Pull-up-Steuerschaltung:
Einen neunzehnten TFT, wobei ein Gate des neunzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbunden ist, wobei ein Drain des neunzehnten TFT mit einer Durchlassspannung verbunden ist, und ein Source des neunzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist.
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In einer Ausführungsform umfasst die Pull-Down-Schaltung:
Einen siebzehnten TFT (T41), wobei ein Gate des siebzehnten TFT mit dem Startsignal eines Schieberegisters (N + 1)-ter Ebene verbunden ist, wobei ein Drain des siebzehnten TFT mit dem Gate-Signalpunkt verbunden ist, und wobei ein Source des siebzehnten TFT mit einer Rückwärtsspannung verbunden ist.
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In einer Ausführungsform beträgt ein Tastverhältnis des Taktsignals (N)-ter Ebene weniger als 50 Prozent.
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In einer Ausführungsform ist die zweite Gleichspannung kleiner als die erste Gleichspannung.
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Demnach stellt die vorliegende Erfindung auch eine Anzeigevorrichtung bereit. Die Anzeigevorrichtung umfasst die GOA-Schaltung, die an die zuvor erwähnte Flüssigkristallanzeige angelegt wird.
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Mit dem obigen technischen Vorschlag, werden die folgenden vorteilhaften Effekte erreicht:
Durch Ersetzen der Abtastzeilen G(N) mit einer konstanten Spannung VDD, um die Funktion des Down-Transfers zu erreichen, und wobei ein zusätzliches Down-Transfermodul vorgesehen ist, um der konstanten Spannung zu entsprechen, wird der Zweck einer Übertragung sequentieller Signale erreicht. Da die Abtastzeile G(N) nur für das Ansteuern einer Abtastzeile verantwortlich ist, wird die Last der Abtastzeile G(N) und das Risiko, das mit der Verdrahtung einhergeht, schrittweise verringert, wobei eine Ladungskapazität des Gate-Signalpunkts Q(N) während des Betriebs verstärkt wird, und wobei ein Potential des Gate-Signalpunktes Q(N) durch Einstellen des Potentials von VDD verstärkt wird. Ein Vorwärtsabtastvorgang und ein Rückwärtsabtastvorgang werden durch zwei Spannungen VF, VR erreicht; wobei ein Vorwärtsabtastvorgang und Rückwärtsabtastvorgang einer GOA-Schaltung entsprechend realisiert werden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist ein Schaltbild einer herkömmlichen GOA-Schaltung.
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2 ist ein Schaltbild einer GOA-Schaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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3 ist ein Impulsdiagramm des zentralen Knotenpunkts der GOA-Schaltung während des tatsächlichen Betriebs von 2
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4 ist ein Schaltbild einer GOA-Schaltung einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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5 ist ein Impulsdiagramm des zentralen Knotenpunkts der GOA-Schaltung während des Vorwärtsabtastvorgangs von 4.
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6 ist ein Impulsdiagramm des zentralen Knotenpunkts der GOA-Schaltung während des Rückwärtsabtastvorgangs von 4.
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GENAUE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSGESTALTUNGEN
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Die folgende Beschreibung jeder Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen verwendet, um spezifische Ausführungsformen zu veranschaulichen, die im Rahmen der vorliegenden Erfindung ausgeführt werden können. Richtungsbegriffe, wie sie in der vorliegenden Erfindung erwähnt werden, bspw. "oben", "unten", "vorne", "hinten", "links", "rechts", "innen", "außen", "Seite" usw. werden nur unter Bezugnahme auf die Orientierung in den begleitenden Zeichnungen verwendet. Daher sollen die verwendeten Richtungsbegriffe die vorliegende Erfindung veranschaulichen, aber nicht einschränken. In den Zeichnungen sind Einheiten mit ähnlichen Strukturen mit denselben Bezugszeichen versehen.
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2 ist ein Schaltbild einer GOA-Schaltung einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In der ersten Ausführungsform umfasst die GOA-Schaltung eine Vielzahl von kaskadenförmig angeordneten Schieberegistereinheiten, wobei eine Schieberegistereinheit (N)-ter Ebene gesteuert wird, um eine Abtastzeile (N)-ter Ebene G(N) entsprechend zu laden. Die Schieberegistereinheit (N)-ter Ebene enthält eine Pull-up-Schaltung 200, eine Pull-Down-Schaltung 400, eine Pull-Down-Halteschaltung 600, eine Pull-up-Steuerschaltung 100, eine Down-Transferschaltung 300 und einen Bootstrap-Kondensator Cb. Die Pull-up Schaltung 200, die Pull-Down-Halteschaltung 600 und der Bootstrap-Kondensator Cb sind einzeln mit einem Gate-Signalpunkt Q(N) und der Abtastzeile (N)-ter Ebene G(N) verbunden. Die Pull-up-Steuerschaltung 100 und die Down-Transferschaltung 300 sind einzeln mit dem Gate-Signalpunkt Q (N) verbunden. Die Pull-Down-Schaltung 400 ist mit einem Startsignal ST(N + 1) eines Schieberegisters (N + 1)-ter Ebene verbunden. Die Pull-up-Steuerschaltung 100 ist mit einem Startsignal ST(N – 1) eines Schieberegisters (N – 1)-ter Ebene verbunden.
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Die Pull-Down-Halteschaltung 600 umfasst:
Einen ersten Dünnschichttransistor (TFT) T32 umfassend ein mit einem ersten Schaltungspunkt P(N) verbundenes Gate, einen mit der Abtastzeile (N)-ter Ebene G(N) verbundenen Drain und einen mit einer ersten Gleichspannung VSS1 verbundenen Source.
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Einen zweiten TFT T42 umfassend ein mit dem ersten Schaltungspunkt P(N) verbundenes Gate, einen mit dem Gate-Signalpunkt Q (N) verbundenen Drain und einen mit einer zweiten Gleichspannung VSS2 verbundenen Source.
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Einen dritten TFT T52 umfassend ein mit dem Gate-Signalpunkt Q(N) verbundenes Gate, einen mit einem Source-Signalpunkt S(N) verbundenen Drain, und einen mit der ersten Gleichspannung VSS1 verbundenen Source.
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Einen vierten TFT T51 umfassend einen mit einem Source-Signalpunkt S(N) verbundenen Source, ein Gate und einen Drain, die mit einem ersten Taktsignal LC1 verbunden sind.
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Einen fünften TFT T53 umfassend ein mit dem Source-Signalpunkt S(N) verbundenes Gate des fünften TFT T53, einen mit dem ersten Taktsignal LC1 verbundenen Drain des fünften TFT T53, und einem mit dem ersten Schaltungspunkt P(N) verbundenen Source des fünften TFT T53.
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Einen sechsten TFT T54 umfassend ein mit einem zweiten Taktsignal LC2 verbundenes Gate des sechsten TFT T54, einen mit dem ersten Taktsignal LC1 verbundenen Drain des sechsten TFT T54, und einem mit dem ersten Schaltungspunkt P(N) verbundenen Source des sechsten TFT T54.
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Einen siebten TFT T72 umfassend ein mit dem ersten Schaltungspunkt P(N) verbundenes Gate des siebten TFT T72, ein mit einem Startsignal ST(N) eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbundenen Drain des siebten TFT T72, und einen mit der zweiten Gleichspannung VSS2 verbundenen Source des siebten TFT T72.
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Einen achten TFT T33 umfassend ein mit einem zweiten Schaltungspunkt K(N) verbundenes Gate des achten TFT T33, einen mit der Abtastzeile (N)-ter Ebene G(N) verbundener Drain des achten TFT T33, und einen mit der ersten Gleichspannung VSS1 verbundenen Source des achten TFT T33.
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Einen neunten TFT T43 umfassend ein mit dem zweiten Schaltungspunkt K(N) verbundenes Gate, einen mit dem Gate-Signalpunkt Q(N) verbundenen Drain und einen mit der zweiten Gleichspannung VSS2 verbundenen Source.
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Einen zehnen TFT T62 umfassend ein mit dem Gate-Signalpunkt Q(N) verbundenes Gate, einen mit einem Drain-Signalpunkt T(N) verbundenen Drain, und einen mit der ersten Gleichspannung VSS1 verbundenen Source.
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Einen elften TFT T61 umfassend einen mit dem Drain-Signalpunkt T(N) verbundenen Source, ein Gate und einen Drain, die mit einem zweiten Taktignal LC2 verbunden sind.
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Einen zwölften TFT T63 umfassend ein mit dem Drain-Signalpunkt T(N) verbundenes Gate, ein mit dem zweiten Taktsignal LC2 verbundenen Drain und einen mit dem zweiten Schaltungspunkt K(N) verbundenen Source.
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Einen dreizehnten TFT T64 umfassend ein mit dem ersten Taktsignal LC1 verbundenes Gate, ein mit dem zweiten Taktsignal LC2 verbundenen Drain und einen mit dem zweiten Schaltungspunkt K(N) verbundenen Source.
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Einen vierzehnten TFT T73 umfassend ein mit dem zweiten Schaltungspunkt K(N) verbundenes Gate, ein mit dem Startsignal ST(N) eines Schieberegisters (N)-ter Ebene verbundenen Drain und ein mit der zweiten Gleichspannung VSS2 verbundenen Source.
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Einen fünfzehnten TFT T55 umfassend ein mit dem Gate-Signalpunkt Q(N) verbundenes Gate des fünfzehnten TFT T55, einen mit dem ersten Schaltungspunkt P(N) verbundenen Drain des fünfzehnten TFT T55 und einen mit dem zweiten Schaltungspunkt K(N) verbunden Source des fünfzehnten TFT T55 ist.
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Im Betrieb sind die Frequenzen des ersten Taktsignals LC1 und des zweiten Taktsignals LC2 niedriger als die eines Taktsignals (N)-ter Ebene CK(N). Ein Verfahren zum Laden des ersten Schaltungspunktes P(N) durch das erste Taktsignal LC1 und ein Verfahren zum Laden des zweiten Schaltungspunktes K(N) durch das zweite Taktsignal LC2 werden alternierend durchgeführt.
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Zweckmäßigerweise umfasst die Pull-up-Schaltung 200 einen sechzehnten TFT T21. Ein Gate des sechzehnten TFT T21 ist mit dem Gate-Signalpunkt Q(N) verbunden, ein Drain des sechzehnten TFT T21 ist mit dem Taktsignal (N)-ter Ebene CK(N) verbunden und ein Source des sechzehnten TFT T21 ist mit der Abtastzeile (N)ter Ebene G(N) verbunden.
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Die Pull-Down-Schaltung 400 umfasst einen siebzehnten TFT T41. Ein Gate des siebzehnten TFT T41 ist mit dem Startsignal ST(N + 1) eines Schieberegisters (N + 1)-ter Ebene verbunden, ein Drain des siebzehnten TFT T41 ist mit dem Gate-Signalpunkt Q(N) verbunden, und ein Source des siebzehnten TFT T41 ist mit der zweiten Gleichspannung VSS2 verbunden.
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Die Down-Transferschaltung 300 umfasst einen achtzehnten TFT T22. Ein Gate des achtzehnten TFT T22 ist mit dem Gate-Signalpunkt Q(N) verbunden, ein Drain des achtzehnten TFT T22 ist mit dem Taktsignal (N)-ter Ebene CK(N) verbunden und ein Source des achtzehnten TFT T22 ist mit dem Startsignal ST(N) Schieberegisters (N)ter Ebene verbunden.
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Die Pull-up-Steuerschaltung 100 umfasst einen neunzehnten TFT T11. Ein Gate des neunzehnten TFT T11 ist mit dem Startsignal ST(N – 1) Schieberegisters (N – 1)-ter Ebene verbunden, ein Drain des neunzehnten TFT T11 ist mit einer konstanten Spannung VDD und ein Source des neunzehnten TFT T11 ist mit dem Gate-Signalpunkt Q(N) verbunden.
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In der ersten Ausführungsform wird durch Ersetzen der Abtastzeile G(N) mit der konstanten Spannung VDD, um die Funktion des Down-Transfers zu erreichen, und wobei zusätzliches Down-Transfermodul vorgesehen ist, um der konstanten Spannung zu entsprechen, der Zweck einer Übertragung sequentieller Signale erreicht. Da die Abtastzeile G(N) nur für das Ansteuern einer Abtastzeile verantwortlich ist, wird die Last der Abtastzeile G(N) und das Risiko, das mit der Verdrahtung einhergeht, verringert, wobei eine Ladungskapazität des Gate-Signalpunkts Q(N) im Betriebs verstärkt wird, und wobei ein Potential des Gate-Signalpunktes Q(N) durch Einstellen des Potentials von VDD verstärkt wird.
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3 zeigt Wellenformen der kritischen Knoten der GOA-Schaltung während des tatsächlichen Betriebs gemäß 2. XCK gibt ein Taktsignal angrenzend an die Schieberegistereinheit (N)-ter Ebene an, mit anderen Worten, XCK zeigt ein Taktsignal (N + 1)-ter Ebene (CK(N + 1) an.
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Die Tastverhältnisse des Taktsignals (N)-ter Ebene CK(N) und des Taktsignals (N + 1)-ter Ebene (CK(N + 1)) müssen niedriger als 50% sein, um eine konvexe Wellenform des Gate-Signalpunkt Q(N) zu erzeugen; wobei der sechzehnte TFT T21 für den Pull-Down der Abtastzeile (N)-ter Ebne G(N) verwendet wird.
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Die konstante Spannung VDD wird auf ein hohes Potential gesetzt, das gleich dem Taktsignal CK, XCK ist. Eine Speicherkapazität des Gate-Signalpunktes Q(N) könnte durch Erhöhen des Potentials der konstanten Spannung VDD entsprechend erhöht werden.
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Die erste Gleichspannung VSS1 und die zweite Gleichspannung VSS2 werden beide auf konstant-negatives Potential gesetzt, um niedrige Potentiale einer Treiberschaltung zu liefern. Im Allgemeinen ist die erste Gleichspannung VSS1 niedriger als die zweite Gleichspannung VSS2.
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4 ist ein Schaltbild einer GOA-Schaltung einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In der zweiten Ausführungsform wird die konstante Spannung VDD der ersten Ausführungsform durch eine Durchlassspannung VF ersetzt, wobei der Source des siebzehnten TFT T41 mit einer Rückwärtsspannung VR verbunden ist. In der zweiten Ausführungsform werden der Vorwärtsabtastvorgang und der Rückwärtsabtastvorgang durch die Durchlassspannung VF und die Rückwärtsspannung VR realisiert.
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Während die Durchlassspannung VF auf einem hohen Potential liegt und die Rückwärtsspannung VR auf einem niedrigen Potential liegt, fährt die Schaltung mit dem Vorwärtsabtastvorgang fort. Die Pull-up-Steuerschaltung 100 führt immer noch die Funktion der Pull-up-Steuerschaltung 100 aus, die Pull-Down-Schaltung 400 führt auch weiterhin die Funktion der Pull-Down-Schaltung 400 aus, um das Potential des Gate-Signalpunktes Q(N) herabzusetzen. Das Verfahrensprinzip ähnelt demjenigen der ersten Ausführungsform.
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Während die Durchlassspannung VF auf niedrigem Potential liegt und die Rückwärtsspannung VR auf einem hohen Potential liegt, fährt die Schaltung mit dem Rückwärtsabtastvorgang fort. Die Pull-Down-Schaltung 400 führt die Funktion der Pullup-Steuerschaltung 100 aus, wobei die Pull-up-Steuerschaltung 100 die Funktion der Pull-Down-Schaltung 400 ausführt, um das Potential des Gate-Signalpunktes Q(N) zu senken; mit anderen Worten führen während des Rückwärtsabtastvorgangs die Pull-up-Steuerschaltung 100 und die Pull-Down-Schaltung 400 im Vergleich zum Vorwärtsabtastvorgang verschiedene Funktionen aus.
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Wie oben erwähnt, werden durch Steuern der Durchlassspannung VF und der Rückwärtsspannung VR der Vorwärtsabtastvorgang und der Rückwärtsabtastvorgang der Schaltung durchgeführt.
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5 zeigt Wellenformen der zentralen Knoten der GOA-Schaltung während des Vorwärtsabtastvorgangs von 4. Während des Vorwärtsabtastvorgangs ist die Durchlassspannung VF auf einem hohen Potential und die Rückwärtsspannung VR ist auf einem niedrigen Potential, wobei die anderen Signale die gleichen sind wie bei der ersten Ausführungsform.
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Die Tastverhältnisse des Taktsignals (N)-ter Ebene CK(N) und des Taktsignals (N + 1)-ter Ebene CK(N + 1) müssen niedriger als 50 Prozent sein, um eine konvexe Wellenform des Gate-Signalpunkt Q(N) zu erzeugen, wobei der sechzehnte TFT T21 für den Pull-Down der Abtastzeile (N)-ter Ebene G(N) verwendet wird.
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Das Potential des Gate-Signalpunktes Q(N) wird durch das Startsignal ST(N – 1) eines Schieberegisters (N – 1)-ter Ebene um eine erste Stufe erhöht.
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6 ist ein Impulsdiagramm des zentralen Knotens der GOA-Schaltung während des Rückwärtsabtastvorgangs von 4. Während des Rückwärtsabtastvorgangs ist die Durchlassspannung VF auf einem niedrigen Potential und die Rückwärtsspannung VR ist auf einem hohen Potential. Die anderen Signale sind die gleichen wie in der ersten Ausführungsform.
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Die Tastverhältnisse des Taktsignals (N)-ter Ebene CK(N) und des Taktsignals (N + 1)-ter Ebene CK(N + 1) müssen kleiner als 50 Prozent sein, um eine konvexe Wellenform des Gate-Signalpunkts Q(N) zu erzeugen, wobei der sechzehnte TFT T21 für den Pull-Down der Abtastlinie (N)-ter Ebene G(N) verwendet wird.
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Das Potential des Gate-Signalpunktes Q(N) wird durch ein Startsignal ST(N + 1) eines Schieberegisters (N + 1)-ter Ebene um eine erste Stufe erhöht.
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Durch Verwenden der Spannungen VF, VR, um die Vorwärtsabtast- und Rückwärtsabtastoperationen zu erreichen, wird die Funktion der Vorwärtsabtastung und Rückwärtsabtastung der GOA-Schaltung ermöglicht.
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Obwohl die vorliegende Erfindung als bevorzugte Ausführungsform offenbart worden ist, sollen die vorstehenden bevorzugten Ausführungsformen die vorliegende Erfindung nicht einschränken. Der Durchschnittsfachmann kann, ohne vom Geist und Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen, verschiedene Arten von Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung vorsehen. Daher muss der Schutzumfang der der vorliegenden Erfindung durch die Ansprüche definiert werden.