DE102016122991A1

DE102016122991A1 - Dünnschichttransistorsubstrat

Info

Publication number: DE102016122991A1
Application number: DE102016122991.1A
Authority: DE
Inventors: Do-Yeon Kim; Byung-Sam Min; Jong-Hyun Kim
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2015-12-14
Filing date: 2016-11-29
Publication date: 2017-06-14
Anticipated expiration: 2036-11-30
Also published as: GB2545808B; US11092857B2; GB2545808A; US20210341803A1; CN106873270A; US10416502B2; JP2017111445A; US11899319B2; KR102148491B1; US20170168357A1; CN106873270B; GB201915853D0; DE102016122991B4; JP6348955B2; GB201621288D0; US20240142826A1; US20190346722A1; KR20170070413A; GB2575936A; GB2575936B

Abstract

Offenbart ist eine Anzeigeeinrichtung, die ein Dünnschichttransistorsubstrat aufweist, das durch Verringern der Ungleichmäßigkeit eines elektrischen Feldes Nachbild- und Flackerfehler verhindern kann. In dem Dünnschichttransistorsubstrat enthält eine Bildpunktelektrode eine durchsichtige Kantenelektrode und eine durchsichtige Innenelektrode, die voneinander beabstandet sind, wobei ein erster Schlitz, der eine erste Breite aufweist, dazwischen eingebettet ist, und eine gemeinsame Elektrode ist vom Ende der anderen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode in Breitenrichtung einer Datenleitung um eine zweite Breite, die kleiner als die erste Breite ist, freigelegt. Somit weisen ein Innenbereich und ein Kantenbereich in jedem Unterbildpunkt eine gleichmäßige Verteilung des elektrischen Feldes auf.

Description

Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2015-0177884 , eingereicht am 14. Dezember 2015.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Anzeigeeinrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür und insbesondere auf ein Dünnschichttransistorsubstrat einer Anzeigeeinrichtung mit verbesserter Anzeigequalität.
Diskussion des verwandten Gebiets
Eine Flüssigkristallanzeige (LCD) ist eine Anzeigevorrichtung, die durch Anlegen eines elektrischen Feldes an eine Flüssigkristallschicht, die zwischen einem Dünnschichttransistorsubstrat (TFT) und einem Farbfiltersubstrat eingebracht ist und eine anisotrope Dielektrizitätskonstante aufweist, und durch Steuern der Lichtmenge, die durch die Substrate übertragen wird, durch Einstellen der Stärke des elektrischen Feldes ein gewünschtes Bildsignal erfasst.
Beispiele für Flüssigkristallanzeigen enthalten eine in der Ebene liegende Schaltungs-Flüssigkristallanzeige (IPS-Flüssigkristallanzeige), die ein horizontales elektrisches Feld verwendet, und eine Streufeldschaltungs-Flüssigkristallanzeige (FFS-Flüssigkristallanzeige [engl.: fringe field switching liquid crystal display]), die ein Streufeld verwendet.
Von diesen erzeugt die FFS-Flüssigkristallanzeige durch Verringern des Abstands zwischen einer gemeinsamen Elektrode und einer Bildpunktelektrode derart, dass er kleiner als der Abstand zwischen einem Dünnschichttransistorsubstrat und einem Farbfiltersubstrat ist, ein Streufeld. Das Streufeld betreibt nicht nur die Flüssigkristallmoleküle zwischen der gemeinsamen Elektrode und den Bildpunktelektroden, sondern außerdem die Flüssigkristallmoleküle sowohl auf den Bildpunktelektroden als auch auf der gemeinsamen Elektrode, was ein verbessertes Öffnungsverhältnis und eine verbesserte Übertragung ergibt.
In der FFS-Flüssigkristallanzeige sind die Bildpunktelektroden 22 und eine gemeinsame Elektrode 24 voneinander beabstandet, wobei ein Schlitz dazwischen eingebettet ist, wie in 1 veranschaulicht ist. Zu diesem Zeitpunkt unterscheidet sich der Abstand zwischen den Bildpunktelektroden 22, die in jedem Unterbildpunkt angeordnet sind, vom Abstand zwischen den Bildpunktelektroden 22, die in den jeweiligen Unterbildpunkten auf den gegenüberliegenden Seiten einer dazwischenliegenden Datenleitung 20 angeordnet sind. Somit unterscheidet sich die Länge einer Ausrichtungsschicht 26, die im Innenbereich A1 zwischen den Bildpunktelektroden 22 angeordnet ist, die in jedem Unterbildpunkt angeordnet sind, von der Länge der Ausrichtungsschicht 26, die im Kantenbereich A2 zwischen den Bildpunktelektroden 22 angeordnet ist, die in den jeweiligen Unterbildpunkten auf den gegenüberliegenden Seiten der dazwischenliegenden Datenleitung 20 angeordnet sind. Auf diese Weise tritt zwischen dem Innenbereich A1 und dem Kantenbereich A2 eine Differenz des Widerstands der Ausrichtungsschicht 26 auf, und die Differenz des Widerstands der Ausrichtungsschicht 26 bewirkt wiederum verschiedene Restgleichstromkomponenten zwischen dem Innenbereich A1 und dem Kantenbereich A2, was die ungleichmäßigen elektrischen Felder der jeweiligen Bereiche ergibt.
Besonders wenn die Flüssigkristallanzeige über eine lange Zeit betrieben wird oder ein einseitig gerichtetes (positives oder negatives) elektrisches Feld über eine lange Zeit an die Flüssigkristallschicht angelegt wird, weicht das elektrische Feld auf der Basis einer gemeinsamen Spannung nach oben oder nach unten ab, und die Dotierstoffe in der Flüssigkristallschicht werden ionisiert, um dadurch auf der Ausrichtungsschicht 26 adsorbiert zu werden. Das heißt positive Ionen werden auf der Ausrichtungsschicht 26 absorbiert, die einer Minus-Elektrode (–Elektrode) entspricht, und negative Ionen werden auf der Ausrichtungsschicht 26 adsorbiert, die einer Plus-Elektrode (+Elektrode) entspricht. Da die auf der Ausrichtungsschicht 26 adsorbierten Ionen zur Flüssigkristallschicht diffundiert werden, wird eine Restgleichspannung erzeugt. Die Restgleichspannung ordnet die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht neu an, selbst obwohl an die Flüssigkristallschicht keine Gleichspannung angelegt ist. Dadurch tritt, selbst wenn zwischen den Bildpunktelektroden und der gemeinsamen Elektrode eine neue Gleichspannung an die Flüssigkristallschicht angelegt wird, um einen Bildübergang zu implementieren, ein Nachbildfehler auf, wobei ein vorheriges Bild, das durch die Restgleichspannung gebildet wird, bestehen bleibt. Insbesondere werden die elektrischen Felder des Innenbereichs A1 und des Kantenbereichs A2 voneinander verschieden, weil im Kantenbereich A2, in dem die Ausrichtungsschicht 26 eine relativ größere Länge als im Innenbereich A1 aufweist, eine höhere Restgleichspannung erzeugt wird, wie in 2 veranschaulicht ist, und der Nachbildfehler ist im Kantenbereich A2 wahrnehmbar.
Außerdem tritt ein Flackereffekt auf, wobei für näherungsweise ein paar Sekunden ein vorübergehendes Bildschirmschwanken bewirkt wird, bis sich die Restgleichspannung auflöst. Zu diesem Zeitpunkt tritt der Flackereffekt während der Zeit T1 auf, weil sich die Restgleichstromkomponente im Innenbereich A1 nach einer Zeit T1 fast vollständig auflöst, wie in 3 veranschaulicht ist. Außerdem tritt der Flackereffekt während der Zeit T2 auf, weil sich die Restgleichstromkomponente im Kantenbereich A2, in dem die Länge der Ausrichtungsschicht 26 größer als im Innenbereich A1 ist, nach einer Zeit T2 auflöst, die später als die Zeit T1 im Innenbereich A1 ist.
Zusammenfassung
Dementsprechend ist die vorliegende Erfindung auf eine Anzeigeeinrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür ausgerichtet, die im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund der Begrenzungen und Nachteile des Stands der Technik vermeiden.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung ist, ein Dünnschichttransistorsubstrat auf einer Anzeigeeinrichtung mit einer verbesserten Anzeigequalität zu schaffen.
Zusätzliche Vorteile, Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden zum Teil in der Beschreibung, die folgt, dargelegt und werden dem Fachmann auf dem Gebiet zum Teil nach der Untersuchung des Folgenden ersichtlich oder können aus der Anwendung der Erfindung gelernt werden. Die Aufgaben und andere Vorteile der Erfindung können durch die Struktur, die insbesondere sowohl in der geschriebenen Beschreibung und den Ansprüchen hiervon als auch in den angehängten Zeichnungen aufgezeigt ist, erkannt und erlangt werden.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Die bevorzugten Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen gegeben.
Um diese Aufgaben und andere Vorteile zu erreichen und in Übereinstimmung mit dem Zweck der Erfindung, wie hier ausgeführt und ausführlich beschrieben, kann eine Anzeigeeinrichtung, die ein Dünnschichttransistorsubstrat aufweist, z. B. eine Gate-Leitung und eine Datenleitung, die sich kreuzen, um auf dem Dünnschichttransistorsubstrat einen Bildpunktbereich zu definieren; eine Bildpunktelektrode im Bildpunktbereich, wobei die Bildpunktelektrode eine durchsichtige Kantenelektrode und eine durchsichtige Innenelektrode, die vom Ende einer Seite der durchsichtigen Kantenelektrode beabstandet ist, wobei ein erster Schlitz, der eine erste Breite aufweist, dazwischen eingebettet ist; und eine gemeinsame Elektrode, die in einer Breitenrichtung der Datenleitung um eine zweite Breite vom Ende einer anderen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode freigelegt ist, enthalten.
Vorzugsweise liegt ein Verhältnis der ersten Breite und der zweiten Breite in einem Bereich von 0,1 bis 0,74.
Außerdem enthält eine Anzeigeeinrichtung in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ferner eine schwebende, leitfähige Schicht, die in derselben Ebene wie die Bildpunktelektrode derart angeordnet ist, dass sie eine Datenleitung überlappt.
Außerdem enthält eine gemeinsame Elektrode in einer Anzeigeeinrichtung in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen zweiten Schlitz, der in einem Bereich angeordnet ist, der eine Datenleitung überlappt, und das Ende der anderen Seite der gemeinsamen Elektrode, das durch den zweiten Schlitz freigelegt ist, ist um die zweite Breite vom Ende der anderen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode beabstandet.
Vorzugsweise kann die Anzeigeeinrichtung ferner eine schwebende, leitfähige Schicht, die über der gemeinsamen Elektrode derart angeordnet ist, dass sie die Datenleitung überlappt, umfassen.
Vorzugsweise ist die gemeinsame Elektrode zwischen der durchsichtigen Kantenelektrode und der schwebenden, leitfähigen Schicht um die zweite Breite freigelegt.
Vorzugsweise liegt das Verhältnis der zweiten Breite und der ersten Breite in einem Bereich von 0,1 bis 0,5.
Vorzugsweise ist die schwebende, leitfähige Schicht aus demselben Material wie die Bildpunktelektrode aufgebaut und in derselben Ebene wie die Bildpunktelektrode angeordnet.
Vorzugsweise enthält die gemeinsame Elektrode einen zweiten Schlitz, der in einem Bereich angeordnet ist, der die Datenleitung überlappt.
Vorzugsweise ist ein Ende einer Seite der gemeinsamen Elektrode, das durch den zweiten Schlitz freigelegt ist, vom Ende der anderen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode um eine zweite Breite beabstandet.
Vorzugsweise wird ein Dünnschichttransistorsubstrat geschaffen, das Folgendes umfasst: eine Signalleitung; eine durchsichtige, obere Elektrode, die eine durchsichtige Kantenelektrode, die nahe an der Signalleitung angeordnet ist, und eine durchsichtige Innenelektrode, die vom Ende einer Seite der durchsichtigen Kantenelektrode beabstandet ist, wobei ein erstes Schlitz, der eine erste Breite aufweist, dazwischen eingebettet ist, aufweist; und eine durchsichtige, untere Elektrode, die vom Ende einer verbleibenden Seite der durchsichtigen Kantenelektrode in einer Breitenrichtung der Signalleitung um eine zweite Breite freigelegt ist.
Wobei ein Verhältnis der zweiten Breite und der ersten Breite vorzugsweise in einem Bereich von 0,1 bis 0,74 liegt.
Vorzugsweise kann das Substrat ferner eine schwebende, leitfähige Schicht, die über der durchsichtigen, unteren Elektrode derart angeordnet ist, dass sie die Signalleitung überlappt, umfassen.
Vorzugsweise ist die durchsichtige, untere Elektrode zwischen der durchsichtigen Kantenelektrode und der schwebenden, leitfähigen Schicht um die zweite Breite freigelegt.
Vorzugsweise liegt das Verhältnis der zweiten Breite und der ersten Breite in einem Bereich von 0,1 bis 0,5.
Vorzugsweise ist die schwebende, leitfähige Schicht aus demselben Material wie die durchsichtige, obere Elektrode gebildet.
Vorzugsweise ist die schwebende, leitfähige Schicht in derselben Ebene wie die durchsichtige, obere Elektrode angeordnet.
Es versteht sich, dass sowohl die voranstehende, allgemeine Beschreibung als auch die folgende, genaue Beschreibung der vorliegenden Erfindung beispielhaft und erklärend sind und dafür gedacht sind, eine weitere Erklärung der Erfindung wie beansprucht bereitzustellen.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Die begleitenden Zeichnungen, die enthalten sind, um ein tieferes Verständnis der Erfindung bereitzustellen, und die in diese Anmeldung mit aufgenommen sind und einen Teil dieser Anmeldung bilden, veranschaulichen Ausführungsform(en) der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Erfindung zu erklären. In den Zeichnungen sind:
1 eine Schnittansicht, die ein herkömmliches Dünnschichttransistorsubstrat veranschaulicht;
2 eine Ansicht, die die Restgleichstrommenge anhängig von der Differenz des Abstands zwischen den in 1 veranschaulichten Bildpunktelektroden veranschaulicht;
3 eine Ansicht, die die Auflösung der Restgleichstromkomponente in dem in 1 veranschaulichten Dünnschichttransistorsubstrat veranschaulicht;
4 eine Schnittansicht, die ein Dünnschichttransistorsubstrat in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
5 eine Schnittansicht, die das Streufeld zwischen den Bildpunktelektroden und einer gemeinsamen Elektrode, die in 4 veranschaulicht sind, auf Positionsbasis veranschaulicht;
6 eine Schnittansicht, die ein Dünnschichttransistorsubstrat in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
7 eine Schnittansicht, die das Streufeld zwischen den Bildpunktelektroden und einer gemeinsamen Elektrode, die in 6 veranschaulicht sind, auf Positionsbasis veranschaulicht.
Genaue Beschreibung der veranschaulichten Ausführungsformen
Hier nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen genau beschrieben.
4 ist eine Schnittansicht, die ein Dünnschichttransistorsubstrat in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
Das in 4 veranschaulichte Dünnschichttransistorsubstrat enthält einen Dünnschichttransistor 130, eine Bildpunktelektrode 122, die mit dem Dünnschichttransistor 130 verbunden ist, eine gemeinsame Elektrode 124 zum Erzeugen des Streufeldes in einem Bildpunktbereich im Zusammenwirken mit der Bildpunktelektrode 122 und eine schwebende, leitfähige Schicht 132, die eine Datenleitung 104 überlappt.
Der Dünnschichttransistor 130 ist an der Kreuzung einer Gate-Leitung und der Datenleitung 104 ausgebildet. Der Dünnschichttransistor 130 lädt die Bildpunktelektrode 122 mit einem Videosignal der Datenleitung 104 als Antwort auf ein Abtastsignal der Gate-Leitung. Bis dahin enthält der Dünnschichttransistor 130 eine Gate-Elektrode 106, eine Source-Elektrode 108, eine Drain-Elektrode 110, eine aktive Schicht 114 und eine Ohm'sche Kontaktschicht 116.
Die Gate-Elektrode 106 überlappt einen Kanal der aktiven Schicht 114, wobei eine Gate-Isolierschicht 112 dazwischen eingebettet ist. Die Gate-Elektrode 106 kann eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten sein, die unter Verwendung eines Beliebigen aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder Legierungen davon auf einem Substrat 101 ausgebildet sind, ohne darauf eingeschränkt zu sein. Durch die Gate-Leitung wird der Gate-Elektrode 106 ein Gate-Signal zugeführt.
Die aktive Schicht 114 ist auf der Gate-Isolierschicht 112 derart ausgebildet, dass sie die Gate-Elektrode 106 überlappt, wodurch ein Kanal zwischen der Source-Elektrode 108 und der Drain-Elektrode 110 gebildet wird. Die Ohm'sche Kontaktschicht 116 ist mit Ausnahme des Kanals auf dem Bereich der aktiven Schicht 114 ausgebildet, um den Ohm'schen Kontakt zwischen jeder der Source- und Drain-Elektroden 108 und 110 und der aktiven Schicht 114 zu realisieren. Die aktive Schicht 114 und die Ohm'sche Kontaktschicht 116 sind derart ausgebildet, dass sie nicht nur die Source-Elektrode 108 und die Drain-Elektrode 110 überlappen, sondern ebenfalls die Datenleitung 104.
Die Source-Elektrode 108 kann eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten sein, die unter Verwendung eines Beliebigen aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder Legierungen davon auf der Ohm'schen Kontaktschicht 116 ausgebildet sind, ohne darauf eingeschränkt zu sein. Durch die Datenleitung 104 wird der Source-Elektrode 108 ein Videosignal zugeführt.
Die Drain-Elektrode 110 ist der Source-Elektrode 108 zugewandt, wobei der Kanal dazwischen eingebettet ist, und ist aus demselben Material wie die Source-Elektrode 108 gebildet. Die Drain-Elektrode 110 ist durch ein Bildpunktkontaktloch 120 freigelegt, das eine erste Schutzschicht 118, eine Planarisierungsschicht 128 und eine zweite Schutzschicht 138 durchdringt, wodurch sie mit der Bildpunktelektrode 122 elektrisch verbunden ist.
Die schwebende, leitfähige Schicht 132 ist über der gemeinsamen Elektrode 124 derart angeordnet, dass sie die Datenleitung 104 überlappt. Genauer ist die schwebende, leitfähige Schicht 132 auf der zweiten Schutzschicht 138 in derselben Ebene wie die Bildpunktelektrode 122 unter Verwendung desselben durchsichtigen, leitfähigen Materials wie die Bildpunktelektrode 122 ausgebildet. Somit können die schwebende, leitfähige Schicht 132 und die Bildpunktelektrode 122 zu derselben Zeit über denselben Maskenprozess ausgebildet werden, was die Implementierung eines zusätzlichen Maskenprozesses und eine Erhöhung der Kosten verhindern kann. An die schwebende, leitfähige Schicht 132 wird kein elektrisches Signal von einer äußeren Quelle angelegt.
Die gemeinsame Elektrode 124 ist in jedem Unterbildpunktbereich ausgebildet und empfängt über eine gemeinsame Leitung eine gemeinsame Spannung. Somit erzeugt die gemeinsame Elektrode 124, der die gemeinsame Spannung zugeführt wird, im Zusammenwirken mit der Bildpunktelektrode 122, der durch den Dünnschichttransistor 130 das Videosignal zugeführt wird, das Streufeld.
Die Bildpunktelektrode 122 ist mit der Drain-Elektrode 110 verbunden, die durch das Bildpunktkontaktloch 120 freigelegt ist. Die Bildpunktelektroden 122 der jeweiligen Unterbildpunkte enthalten die durchsichtigen Kantenelektroden 122b, die nahe an der Datenleitung 104 angeordnet sind, und die durchsichtigen Innenelektroden 122a, die zwischen den durchsichtigen Kantenelektroden 122b angeordnet sind. Jede der durchsichtigen Innenelektroden 122a ist von der angrenzenden, durchsichtigen Innenelektrode 122a oder der angrenzenden, durchsichtigen Kantenelektrode 122b beabstandet, wobei ein erster Schlitz 122s, der eine erste Breite w1 aufweist, dazwischen eingebettet ist. Wie in 5 veranschaulicht ist, wird das erste Streufeld FF1 in einem ersten Innenbereich IA1 zwischen dem Ende der einen Seite der durchsichtigen Innenelektrode 122a und der gemeinsamen Elektrode 124 erzeugt, und das zweite Streufeld FF2, das ein dem ersten Innenbereich IA1 gleiches Potential aufweist, wird in einem zweiten Innenbereich IA2 zwischen dem Ende der anderen Seite der durchsichtigen Innenelektrode 122a und der gemeinsamen Elektrode 124 erzeugt. Zu diesem Zeitpunkt weist jeder erste Schlitz 122s die erste Breite w1 auf, um zu ermöglichen, dass der äußerste Endpunkt des ersten Streufeldes FF1, das im ersten Innenbereich IA1 erzeugt wird, und der äußerste Endpunkt des zweiten Streufeldes FF2, das im zweiten Innenbereich IA2 erzeugt wird, zusammenfallen oder einander überlappen.
Außerdem ist die gemeinsame Elektrode 124 in Breitenrichtung der Datenleitung 104 um die zweite Breite w2 vom Ende der anderen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode 122b freigelegt, weil die durchsichtige Kantenelektrode 122b um eine zweite Breite w2, die kleiner als die erste Breite w1 ist, von der schwebenden, leitfähigen Schicht 132 beabstandet ist. Hier liegt das Verhältnis der zweiten Breite w2 und der ersten Breite w1 im Bereich von 0,1 bis 0,5. Dementsprechend ist die Länge einer Ausrichtungsschicht 136 im Kantenbereich EA gleich der von jedem der ersten und zweiten Innenbereiche IA1 und IA2, weil jeder der ersten und zweiten Innenbereiche IA1 und IA2 und ein Kantenbereich EA gleiche Oberflächenbereiche aufweisen.
Daher weist ein drittes Streufeld FF3, das im Kantenbereich EA erzeugt wird, ein Potential auf, das gleich dem Potential jedes der ersten und zweiten Innenbereiche IA1 und IA2 ist, weil zwischen dem ersten und zweiten Innenbereich IA1 und IA2 und dem Kantenbereich EA keine Differenz des Widerstands der Ausrichtungsschicht 136 auftritt. Auf diese Weise weisen der erste und der zweite Innenbereich IA1 und IA2 und der Kantenbereich EA gleiche Restgleichstromkomponenten auf und benötigen folglich dieselbe Zeitspanne, um die Restgleichstromkomponenten aufzulösen. Das heißt die Restgleichstromkomponente im Kantenbereich EA ist im Vergleich zum Stand der Technik derart verringert, dass sie gleich der Restgleichstromkomponente in jedem der ersten und zweiten Innenbereiche IA1 und IA2 ist, was eine schnellere Auflösung der Restgleichstromkomponente als im Stand der Technik sicherstellt. Als ein Ergebnis kann die vorliegende Erfindung Nachbild- und Flackerfehler verhindern, die der Ungleichmäßigkeit des elektrischen Feldes zuordenbar sind.
6 ist eine Schnittansicht, die ein Dünnschichttransistorsubstrat in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
Das in 6 veranschaulichte Dünnschichttransistorsubstrat enthält dieselben Einzelelemente wie das in 4 veranschaulichte Dünnschichttransistorsubstrat, mit der Ausnahme, dass die schwebende, leitfähige Schicht dadurch ersetzt ist, dass die gemeinsame Elektrode 124 einen zweiten Schlitz 134 aufweist. Somit wird eine genaue Beschreibung bezüglich derselben Einzelelemente unterlassen.
Die gemeinsame Elektrode 124 enthält einen zweiten Schlitz 134, der in dem Bereich angeordnet ist, der die Datenleitung 104 überlappt. Aufgrund des zweiten Schlitzes 134 steht die gemeinsame Elektrode 124 in jedem Unterbildpunktbereich zur Datenleitung 104 vor als die Bildpunktelektrode 122. Weil die gemeinsame Elektrode 124 vom Ende der anderen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode 122b in Breitenrichtung der Datenleitung 104 um die zweite Breite w2 freigelegt ist, ist das Ende der anderen Seite der gemeinsamen Elektrode 124, das durch den zweiten Schlitz 134 freigelegt ist, um die zweite Breite w2 vom Ende der anderen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode 122b beabstandet. Somit wird, wie in 7 veranschaulicht ist, das erste Streufeld FF1 im ersten Innenbereich IA1 zwischen dem Ende der einen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode 122b oder dem Ende der einen Seite der durchsichtigen Innenelektrode 122a und der gemeinsamen Elektrode 124 erzeugt. Das zweite Streufeld FF2 wird im zweiten Innenbereich IA2 zwischen dem Ende der anderen Seite der durchsichtigen Innenelektrode 122a und der gemeinsamen Elektrode 124 erzeugt. Und das dritte Streufeld FF3, das ein gleiches Potential wie jeder der ersten und des zweiten Innenbereiche IA1 und IA2 aufweist, wird im Kantenbereich EA zwischen dem Ende der anderen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode 122b und der gemeinsamen Elektrode 124 erzeugt.

Zu diesem Zeitpunkt ist das Verhältnis der ersten Breite w1 des ersten Schlitzes 122s und der zweiten Breite w2 der gemeinsamen Elektrode 124 derart eingestellt, dass die Restgleichstromkomponente des Innenbereichs IA und die Restgleichstromkomponente des Kantenbereichs EA einander gleich sind. Zum Beispiel ist die zweite Breite w2 der gemeinsamen Elektrode 124, die über die durchsichtige Kantenelektrode 122b vorsteht, kleiner als die erste Breite des ersten Schlitzes 122s, und das Verhältnis der zweiten Breite w2 der gemeinsamen Elektrode 124 und der ersten Breite w1 des ersten Schlitzes 122s liegt im Bereich von 0,1 bis 0,74. Solange dieses Verhältnis erfüllt ist, sind die Restgleichstrommenge der Innenbereiche IA1 und IA2 und die Restgleichstrommenge des Kantenbereichs EA einander gleich. Das heißt wenn das Verhältnis der zweiten Breite w2 der gemeinsamen Elektrode 124 und der ersten Breite w1 des ersten Schlitzes 122s im Bereich von 0,1 bis 0,74 liegt, kann anerkannt werden, dass die Innenbereiche IA1 und IA2 und der Kantenbereich EA die gleiche Restgleichstromkomponente aufweisen, wie in Tabelle 1 gezeigt ist, was eine gleichmäßige Verteilung des elektrischen Feldes in den Innenbereichen IA1 und IA2 und im Kantenbereich EA bewirkt. Wenn das Verhältnis andererseits 0,74 übersteigt, kann anerkannt werden, dass die Restgleichstromkomponente des Kantenbereichs EA größer als die Restgleichstromkomponente der Innenbereiche IA1 und IA2 wird, wie in Tabelle 1 gezeigt ist, was eine ungleichmäßige Verteilung des elektrischen Feldes in den Innenbereichen IA1 und IA2 und im Kantenbereich EA bewirkt. Tabelle 1

Verhältnis der ersten Breite w1 und der zweiten Breite w2	Restgleichstrommenge des Innenbereichs	Restgleichstrommenge des Kantenbereichs
0,64	2,39	2,35
0,74		2,42
0,85		2,46
1,00		2,50
1,17		5,53

Wie oben beschrieben weisen der erste und der zweite Innenbereich IA1 und IA2 und der Kantenbereich EA in der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dieselbe Restgleichstromkomponente auf, weil der erste und der zweite Innenbereich IA1 und IA2 und der Kantenbereich EA gleiche elektrische Feldverteilungen aufweisen, und benötigen somit dieselbe Zeitspanne, um die Restgleichstromkomponente aufzulösen. Das heißt die Restgleichstromkomponente des Kantenbereichs EA ist im Vergleich zum Stand der Technik derart verringert, dass sie gleich der Restgleichstromkomponente von jedem der ersten und zweiten Innenbereiche IA1 und IA2 ist, was eine schnellere Auflösung der Restgleichstromkomponente als im Stand der Technik sicherstellt. Als ein Ergebnis kann eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung Nachbild- und Flackerfehler verhindern, die der Ungleichmäßigkeit des elektrischen Feldes zuordenbar sind.

Indessen kann, obwohl eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bespielhaft die Konfiguration beschreibt, in der die Bildpunktelektrode 122 (d. h. eine durchsichtige, obere Elektrode) über der gemeinsamen Elektrode 124 (d. h. eine durchsichtige, untere Elektrode) angeordnet ist, die gemeinsame Elektrode 124 (d. h. eine durchsichtige, obere Elektrode) alternativ über der Bildpunktelektrode 122 (d. h. eine durchsichtige, untere Elektrode) angeordnet sein. Außerdem kann, obwohl eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beispielhaft die Konfiguration beschreibt, in der der erste Schlitz 122s parallel zur Datenleitung 104 angeordnet ist, der erste Schlitz 122s alternativ parallel zu einer Gate-Leitung angeordnet sein. In diesem Fall ist die durchsichtige Kantenelektrode 122b nahe an der Gate-Leitung angeordnet.
Wie aus der oben stehenden Beschreibung ersichtlich ist, weisen der erste und der zweite Innenbereich und ein Kantenbereich, die in jedem Unterbildpunkt angeordnet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gleiche elektrische Feldverteilungen auf. Dadurch weisen der erste und der zweite Innenbereich und der Kantenbereich gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dieselbe Restgleichstromkomponente auf und benötigen dieselbe Zeitspanne, um die Restgleichstromkomponente aufzulösen, was Nachbild- und Flackerfehler verhindern kann, die der Ungleichmäßigkeit des elektrischen Feldes zuordenbar sind.
Es wird dem Fachmann auf dem Gebiet ersichtlich sein, dass die vorliegende Erfindung, die oben beschrieben ist, nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen und die begleitenden Zeichnungen eingeschränkt ist und dass innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung diverse Ersetzungen, Modifikationen und Änderungen entworfen werden können.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

KR 10-2015-0177884 [0001]

Claims

Anzeigeeinrichtung, die ein Dünnschichttransistorsubstrat aufweist, das Folgendes umfasst: eine Gate-Leitung und eine Datenleitung (104), die einander kreuzen, um auf dem Dünnschichttransistorsubstrat (101) einen Bildpunktbereich zu definieren; eine Bildpunktelektrode (122) im Bildpunktbereich, wobei die Bildpunktelektrode (122) eine durchsichtige Kantenelektrode (122b) und eine durchsichtige Innenelektrode (122a), die vom Ende einer Seite der durchsichtigen Kantenelektrode (122b) beabstandet ist, wobei ein erster Schlitz (122s), der eine erste Breite (w1) aufweist, dazwischen eingebettet ist, aufweist; und eine gemeinsame Elektrode (124), die vom Ende einer anderen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode (122b) in einer Breitenrichtung der Datenleitung (104) um eine zweite Breite (w2) freigelegt ist, wobei die zweite Breite (w2) kleiner als die erste Breite (w1) ist.
Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Verhältnis der zweiten Breite und der ersten Breite in einem Bereich von 0,1 bis 0,74 liegt, wobei das Verhältnis der zweiten Breite (w2) und der ersten Breite (w1) vorzugsweise in einem Bereich von 0,1 bis 0,5 liegt.
Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die ferner eine schwebende, leitfähige Schicht (132), die über der gemeinsamen Elektrode (124) derart angeordnet ist, dass sie die Datenleitung (104) überlappt, umfasst.
Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 3, wobei die gemeinsame Elektrode (124) zwischen der durchsichtigen Kantenelektrode (122b) und der schwebenden, leitfähigen Schicht (132) um die zweite Breite (w2) freigelegt ist.
Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 3 oder 4, wobei die schwebende, leitfähige Schicht (132) aus demselben Material wie die Bildpunktelektrode (122) aufgebaut ist und/oder die schwebende, leitfähige Schicht (132) in derselben Ebene wie die Bildpunktelektrode (122) angeordnet ist.
Anzeigeeinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die gemeinsame Elektrode (124) einen zweiten Schlitz (134) enthält, der in einem Bereich angeordnet ist, der die Datenleitung (104) überlappt, wobei das Ende einer Seite der gemeinsamen Elektrode (124), das durch den zweiten Schlitz (134) freigelegt ist, vom Ende der anderen Seite der durchsichtigen Kantenelektrode (122) um die zweite Breite (w2) beabstandet ist.
Anzeigeeinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in einem ersten Innenbereich (IA1) ein erstes Streufeld (FF1) erzeugt wird und in einem zweiten Innenbereich (IA2) ein zweites Streufeld (FF2) erzeugt wird, wobei in einem Kantenbereich (EA) ein weiteres Streufeld (FF3) erzeugt wird, wobei der erste Innenbereich (IA1), der zweite Innenbereich (IA2) und der Kantenbereich (EA) gleiche Oberflächenbereiche aufweisen.
Dünnschichttransistorsubstrat, das Folgendes umfasst: eine Signalleitung (104); eine durchsichtige, obere Elektrode (122), die eine durchsichtige Kantenelektrode (122b), die nahe an der Signalleitung (104) angeordnet ist, und eine durchsichtige Innenelektrode (122a), die vom Ende einer Seite der durchsichtigen Kantenelektrode (122b) beabstandet ist, wobei ein erster Schlitz (122s), der eine erste Breite (w1) aufweist, dazwischen eingebettet ist, aufweist; und eine durchsichtige, untere Elektrode (124), die vom Ende einer verbleibenden Seite der durchsichtigen Kantenelektrode (122b) in einer Breitenrichtung der Signalleitung (104) um eine zweite Breite (w2) freigelegt ist, wobei die zweite Breite (w2) kleiner als die erste Breite (w1) ist.
Substrat nach Anspruch 7 oder 8, das ferner Folgendes umfasst: eine schwebende, leitfähige Schicht (132), die über der durchsichtigen, unteren Elektrode (124) derart angeordnet ist, dass sie die Signalleitung (104) überlappt, wobei die durchsichtige, untere Elektrode (124) zwischen der durchsichtigen Kantenelektrode (122b) und der schwebenden, leitfähigen Schicht (132) um die zweite Breite (w2) freigelegt ist; oder die durchsichtige, untere Elektrode (124) enthält einen zweiten Schlitz (134), der in einem Bereich angeordnet ist, der die Signalleitung (104) überlappt, wobei das Ende einer verbleibenden Seite der durchsichtigen, unteren Elektrode (124), das durch den zweiten Schlitz (134) freigelegt ist, von dem Ende der verbleibenden Seite der durchsichtigen Kantenelektrode (122b) um die zweite Breite (w2) beabstandet ist.
Substrat nach Anspruch 7, 8 oder 9, wobei die schwebende, leitfähige Schicht (132) aus demselben Material wie die durchsichtige, obere Elektrode (122) gebildet ist und/oder die schwebende, leitfähige Schicht (132) in derselben Ebene wie die durchsichtige, obere Elektrode (122) angeordnet ist.