KR102340266B1 - 표시 장치 - Google Patents

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KR102340266B1
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insulating substrate
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류장위
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 어레이 기판, 대향 기판, 액정층을 포함하고, 상기 어레이 기판은, 제1차광영역을 포함한 제1화소영역 및 제2차광영역을 포함한 제2화소영역을 포함하는 제1절연기판, 상기 제1절연기판의 제1차광영역 상에 위치하는 제1절연층, 상기 제1절연기판의 제2차광영역 상에 위치하는 제2절연층, 상기 제1절연기판의 제1차광영역 상에 위치하고 상기 제1절연층 상에 위치하는 제1부분, 상기 제1절연기판의 제2차광영역 상에 위치하고 상기 제2절연층 상에 위치하는 제2부분 및 상기 제1절연기판의 제1차광영역과 상기 제1절연기판의 제2차광영역의 경계 상에 위치하고 상기 제1부분 및 상기 제2부분과 연결된 제3부분을 포함하는 차광부재, 상기 차광부재 상에 위치하고 상기 대향 기판과 접촉하는 간격재를 포함하고, 상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제3부분 상면까지의 최소높이는, 상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제1부분 상면까지의 최소높이 및 상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제2부분 상면까지의 최소높이보다 작을 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 서로 마주보는 두개의 기판 및 두개의 기판 사이에 개재되는 액정층을 포함할 수 있다. 액정층의 두께는 액정층을 통과하는 광 투광성을 좌우할 수 있는 바, 양 기판 사이에는 간격재가 배치되어 양 기판 사이의 갭를 균일하게 유지하게 된다.
액정 표시 장치에 외부 힘이 가해지는 경우, 상기 간격재의 변형을 야기하고 양 기판 사이의 갭을 변화시킬 수 있으며, 이에 따라 액정층의 광 투과성이 변경될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 신뢰도가 향상된 표시 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 어레이 기판, 상기 어레이 기판과 대향하는 대향 기판, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 어레이 기판은, 제1차광영역을 포함한 제1화소영역 및 제1방향을 따라 상기 제1화소영역과 인접하여 위치하고 제2차광영역을 포함한 제2화소영역을 포함하는 제1절연기판, 상기 제1절연기판의 제1차광영역 상에 위치하는 제1절연층, 상기 제1절연기판의 제2차광영역 상에 위치하는 제2절연층, 상기 제1절연기판의 제1차광영역 상에 위치하고 상기 제1절연층 상에 위치하는 제1부분, 상기 제1절연기판의 제2차광영역 상에 위치하고 상기 제2절연층 상에 위치하는 제2부분 및 상기 제1절연기판의 제1차광영역과 상기 제1절연기판의 제2차광영역의 경계 상에 위치하고 상기 제1부분 및 상기 제2부분과 연결된 제3부분을 포함하는 차광부재, 상기 차광부재 상에 위치하고 상기 대향 기판과 접촉하는 간격재를 포함하고, 상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제3부분 상면까지의 최소높이는, 상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제1부분 상면까지의 최소높이 및 상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제2부분 상면까지의 최소높이보다 작을 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1절연층과 상기 제2절연층은, 상기 제1차광영역과 상기 제2차광영역의 경계에서 서로 이격되고, 상기 제3부분은, 상기 제1절연층과 상기 제2절연층 사이의 이격공간 내에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1절연층과 상기 제2절연층은, 상기 제1차광영역과 상기 제2차광영역의 경계에서 서로 중첩하고, 상기 제3부분은, 상기 제1절연층과 상기 제2절연층의 중첩부분 상에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 간격재는 차광성 안료를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 간격재는, 상기 차광부재와 일체로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1부분은, 상기 제1방향을 따라 상기 제3부분의 일측에 위치하고, 상기 제2부분은, 상기 제1방향을 따라 상기 제3부분의 타측에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제3부분은, 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 양측이 개방될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1절연층은 제1색안료를 포함하고, 상기 제2절연층은 상기 제1색안료와는 상이한 제2색안료를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1색안료는, 청색안료이고, 상기 간격재는 상기 제1부분 상에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 어레이 기판은, 상기 제1절연기판의 제1차광영역 상에 위치하는 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 간격재는, 상기 박막 트랜지스터와 중첩할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 어레이 기판, 상기 어레이 기판과 대향하는 대향 기판, 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 위치하는 액정층을 포함하고, 상기 어레이 기판은, 제1차광영역을 포함한 제1화소영역 및 제1방향을 따라 상기 제1화소영역과 인접하여 위치하고 제2차광영역을 포함한 제2화소영역을 포함하는 제1절연기판을 포함하고, 상기 대향 기판은, 제2절연기판, 상기 어레이 기판과 대향하는 상기 제2절연기판의 일면에 위치하고 상기 제1차광영역 및 상기 제2차광영역과 중첩하는 차광부재, 상기 차광부재 상에 위치하고 상기 어레이 기판과 접촉하는 간격재를 포함하고, 상기 차광부재는, 제1부분, 상기 제1부분과 상이한 제2부분, 상기 제1부분 및 상기 제2부분과 상이한 제3부분을 포함하고, 상기 제2절연기판의 일면으로부터 상기 제3부분 상면까지의 최소높이는, 상기 제2절연기판의 일면으로부터 상기 제1부분 상면까지의 최소높이 및 상기 제2절연기판의 일면으로부터 상기 제2부분 상면까지의 최소높이보다 작을 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제2절연기판의 일면으로부터 상기 제1부분 상면까지의 최소높이는, 상기 제2절연기판의 일면으로부터 상기 제2부분 상면까지의 최소높이보다 클 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 간격재는, 상기 제1부분 상에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1부분은, 상기 제1방향을 따라 상기 제3부분의 일측에 위치하고, 상기 제2부분은, 상기 제1방향을 따라 상기 제3부분의 타측에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제3부분은, 상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 양측이 개방될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 간격재는 차광성 안료를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 간격재는 상기 차광부재와 일체로 이루어질 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 어레이 기판은, 상기 제1절연기판의 제1차광영역 상에 위치하고 상기 제1부분과 중첩하는 제1절연층, 상기 제1절연기판의 제2차광영역 상에 위치하고 상기 제2부분과 중첩하는 제2절연층을 더 포함하고, 상기 제3부분은, 상기 제1차광영역과 상기 제2차광영역간의 경계와 중첩할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1절연층은 제1색안료를 포함하고, 상기 제2절연층은 상기 제1색안료와는 상이한 제2색안료를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 제1색안료는, 청색안료이고, 상기 간격재는 상기 제1부분 상에 위치할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 신뢰도가 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 어레이 기판의 개략적 평면도로서, 보다 구체적으로 한 화소의 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 표시 장치를 도 2의 L3-L3'선을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 표시 장치를 도 2의 L4-L4'선을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 표시 장치의 세개의 화소를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 표시 장치에서, 절연층들, 차광부재, 데이터선들, 차폐전극들 간의 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 도 5 및 도 6의 M1-M1'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 차광부재의 일부분을 확대 도시한 사시도이다.
도 9는 도 5 및 도 6의 M2-M2'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 10은 도 5에 도시된 표시 장치의 변형 실시예를 도시한 평면도로서, 절연층들, 차광부재, 데이터선들, 차폐전극들 간의 다른 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 11은 도 5 및 도 10의 M1-M1'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 12는 도 5 및 도 10의 M2-M2'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 13은 본 발명의 다른 예시적 실시예에 따른 표시 장치를 도 2의 L3-L3'선을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 예시적 실시예에 따른 표시 장치를 도 2의 L4-L4'선을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
도 15는 본 발명의 다른 예시적 실시예에 따른 표시 장치에서, 절연층들, 차광부재, 데이터선들, 차폐전극들 간의 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 16은 도 5 및 도 15의 M1-M1'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 17은 도 16에 도시된 차광부재의 일부분을 확대 도시한 사시도이다.
도 18은 도 5 및 도 16의 M2-M2'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 19는 도 15에 도시된 표시 장치의 변형 실시예를 도시한 평면도로서, 절연층들, 차광부재, 데이터선들, 차폐전극들 간의 다른 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 20은 도 5 및 도 19의 M1-M1'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 21은 도 5 및 도 19의 M2-M2'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "위(on)", "상(on)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있으며, 이 경우 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
본 명세서에 기재된 실시예들은 표시 장치가 수직 정렬(vertical alignment) 모드 또는 PVA 모드(patterned vertical alignment mode)의 표시 장치인 경우를 예시로 설명하고 도면에 도시하고 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이외 인-플레인 스위칭(in-plane switching, IPS) 방식의 표시 장치, 플레인-라인 스위칭(plane-line switching, PLS) 방식의 표시 장치, 프린지-필드 스위칭(fringe-field switching, FFS) 방식의 표시 장치, 트위스트형 네마틱(Twisted Nematic, TN) 방식의 표시 장치, 기타 전기 제어형 복굴절(electrically-controlled birefringence, ECB) 방식의 표시 장치 등 다양한 표시 장치에도 본 발명이 적용될 수 있다.
또한 본 명세서에 기재된 실시예들은 표시 장치가 상부 공통 전극 구성(common electrode on top configuration)을 갖는 경우를 예시로 설명하고 도면에 도시하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이외에도 하부 공통 전극 구성(common electrode on bottom configuration)을 갖는 표시 장치에도 본 발명이 적용될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소는 두개의 부화소(P1, P2)를 포함할 수 있다. 그리고 본 실시예에 따른 표시 장치의 한 화소는, 게이트 신호를 전달하는 게이트선(GLn), 데이터 전압을 전달하는 데이터선(DLm), 일정한 유지전압(Vc)이 인가되는 유지전극선(SLn), 제1 박막 트랜지스터(Tr1), 제2 박막 트랜지스터(Tr2) 및 제3 박막 트랜지스터(Tr3)을 포함할 수 있다.
제1 박막 트랜지스터(Tr1) 및 제2 박막 트랜지스터(Tr2)는 동일한 게이트선(GLn) 및 동일한 데이터선(DLm)에 연결될 수 있다. 그리고 제3 박막 트랜지스터(Tr3)는 제1 박막 트랜지스터(Tr1) 및 제2 박막 트랜지스터(Tr2)와 동일한 게이트선(GLn), 제2 박막 트랜지스터(Tr2) 및 유지전극선(SLn)과 연결될 수 있다.
한 화소는 두개의 부화소(P1, P2)를 포함할 수 있으며, 제1 부화소(P1)에는 제1 박막 트랜지스터(Tr1)와 연결되어 있는 제1 액정 축전기(Clca)가 형성되어 있고, 제2 부화소(P2)에는 제2 박막 트랜지스터(Tr2)와 연결되어 있는 제2 액정 축전기(Clcb)가 형성되어 있다.
제1 박막 트랜지스터(Tr1)은 제1 부화소(P1)에 포함될 수 있고, 제2 및 제3 박막 트랜지스터(Tr2, Tr3)는 제2 부화소(P2)에 포함될 수 있다.
제1 박막 트랜지스터(Tr1)의 제1 단자는 게이트선(GLn)에 연결되어 있고, 제1 박막 트랜지스터(Tr1)의 제2 단자는 제1데이터선(DLm)에 연결되어 있으며, 제1 박막 트랜지스터(Tr1)의 제3 단자는 제1 액정 축전기(Clca)에 연결될 수 있다.
특히, 제1 박막 트랜지스터(Tr1)의 제3 단자는 제1 액정 축전기(Clca)를 구성하는 제1 부화소 전극(도면 미도시)에 연결될 수 있다.
제2 박막 트랜지스터(Tr2)의 제1 단자는 게이트선(GLn)에 연결되어 있고, 제2 박막 트랜지스터(Tr2)의 제2 단자는 제1데이터선(DLm)에 연결되어 있으며, 제2 박막 트랜지스터(Tr2)의 제3 단자는 제2 액정 축전기(Clcb)에 연결될 수 있다.
특히, 제2 박막 트랜지스터(Tr2)의 제3 단자는 제2 액정 축전기(Clcb)를 구성하는 제2 부화소 전극(도면 미도시)에 연결될 수 있다.
제3 박막 트랜지스터(Tr3)의 제1 단자는 게이트선(GLn)에 연결되어 있고, 제2 단자는 유지전극선(SLn)에 연결되어 있으며, 제3 단자는 제2 박막 트랜지스터(Tr2)의 제3 단자에 연결될 수 있다.
본 발명의 예시적 실시예에 의한 표시 장치의 동작을 살펴보면, 게이트선(GLm)에 게이트 온 전압이 인가되면 이에 연결된 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)는 모두 턴 온 상태가 되고, 제1데이터선(DLm)을 통해 전달된 데이터 전압에 의해 제1 액정 축전기(Clca) 및 제2 액정 축전기(Clcb)가 충전된다. 이 때 제1 부화소 전극 및 제2 부화소 전극에 인가된 데이터 전압은 서로 동일하고, 제1 액정커패시터(Clca) 및 제2 액정 커패시터(Clcb)는 공통 전압(Vcom)과 데이터 전압의 차이만큼 동일한 값으로 충전된다.
이와 동시에, 제3 박막 트랜지스터(Tr3)가 턴 온 상태에 있으므로, 제1데이터선(DLm)을 통해 제2 부화소(P2)로 전달된 데이터 전압은, 제2 박막 트랜지스터(Tr2)와 직렬로 연결되어 있는 제3 박막 트랜지스터(Tr3)를 통해 분압이 이루어진다. 이때 제2 박막 트랜지스터(Tr2)와 제3 박막 트랜지스터(Tr3)의 채널의 크기에 따라 전압의 분배가 이루어진다. 따라서, 제1데이터선(DLm)을 통해 제1 부화소(P1) 및 제2 부화소(P2)에 전달된 데이터 전압이 동일하더라도, 제1 액정 축전기(Clca)와 제2 액정 축전기(Clcb)에 충전되는 전압은 서로 달라진다. 즉, 제2 액정 축전기(Clcb)에 충전되는 전압은 제1 액정 축전기(Clca)에 충전되는 전압보다 낮아진다.
이로 인해 한 화소 내의 제1 및 제2 부화소(P1, P2)에 충전되는 전압을 달리할 수 있으며, 충전 이에 따라 측면 시인성을 향상시킬 수 있다. 유지 전압(Vc)의 레벨은 공통 전압(Vcom)의 레벨보다 높을 수 있다. 예시적으로 공통 전압(Vcom)이 약 7V인 경우, 유지전압(Vc)은 약 8V 내지 11V일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 표시 장치가 포함하는 어레이 기판의 개략적 평면도로서, 보다 구체적으로 도 1에 도시된 한 화소의 구조를 개략적으로 도시한 평면도, 도 3은 도 2의 어레이 기판을 포함하는 표시 장치를 도 2의 L3-L3'선을 따라 절단한 개략적인 단면도, 도 4는 도 2의 어레이 기판을 포함하는 표시 장치를 도 2의 L4-L4'선을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는, 어레이 기판(100), 어레이 기판(100)과 대향하는 대향 기판(200), 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 위치하는 액정층(300)을 포함할 수 있으며, 이외 어레이 기판(100)과 대향 기판(200)의 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다.
먼저 어레이 기판(100)에 대해 설명한다.
제1절연기판(SUB1)은 투명 절연 기판일 수 있다. 예를 들면, 제1절연기판(SUB1)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1절연기판(SUB1)은 고내열성을 갖는 고분자 또는 플라스틱을 포함할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제1절연기판(SUB1)은 가요성을 가질 수도 있다. 즉, 제1절연기판(SUB1)은 롤링(rolling), 폴딩(folding), 벤딩(bending) 등으로 형태 변형이 가능한 기판일 수 있다.
제1절연기판(SUB1)은 한 화소가 위치하는 화소영역을 포함할 수 있으며, 화소영역은 화소전극이 위치하는 영역으로 정의될 수 있다. 예시적으로 도 2에 도시된 바와 같이 제1화소영역(PA1)을 포함할 수 있다. 제1화소영역(PA1)은 제1차광영역(BA1)을 포함할 수 있다.
제1절연기판(SUB1) 위에는 게이트선(GLn)이 위치할 수 있다. 게이트선(GLn)은 주로 제1방향(예시적으로 X 방향)으로 뻗어 있으며, 게이트 신호를 전달한다.
제1절연기판(SUB1) 위에는 게이트선(GLn)으로부터 돌출되고 서로 연결된 제1게이트 전극(GE1) 및 제2게이트 전극(GE2)이 위치할 수 있다. 또한, 게이트선(GLn)으로부터 돌출되고 제1게이트 전극(GE1) 및 제2게이트 전극(GE2)과 이격된 제3게이트 전극(GE3)이 위치할 수 있다. 제1 내지 제3 게이트 전극(GE1, GE2, GE3)은 동일한 게이트선(GLn)에 연결되어 있고, 동일한 게이트 신호가 인가될 수 있다.
게이트선(GLn), 제1게이트 전극(GE1), 제2게이트 전극(GE2) 및 제3게이트 전극(GE3)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은합금 등 은계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있다 게이트선(GLn), 제1게이트 전극(GE1), 제2게이트 전극(GE2) 및 제3게이트 전극(GE3)은 단일층 구조를 가질 수 있으며, 또는 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 도전막을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 감소시키기 위해 저저항의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 조합의 예로는, 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 및 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트선(GLn), 제1게이트 전극(GE1), 제2게이트 전극(GE2) 및 제3게이트 전극(GE3)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 형성될 수 있다.
게이트선(GLn) 및 제1 내지 제3 게이트 전극(GE1, GE2, GE3) 위에는 게이트 절연막(GI)가 위치할 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 무기절연물질, 예컨대 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 단일층 구조로 이루어질 수 있으며, 또는 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 절연막(GI) 위에는 제1 반도체층(SM1), 제2 반도체층(SM2), 및 제3 반도체층(SM3)이 형성되어 있다. 제1 반도체층(SM1)은 제1 게이트 전극(GE1)의 위에 위치하고, 제2 반도체층(SM2)은 제2 게이트 전극(GE2)의 위에 위치하며, 제3 반도체층(SM3)은 제3 게이트 전극(GE3)의 위에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 데이터선(Dm, Dm+1) 하부에는 반도체 패턴(SMd)이 더 위치할 수도 있다. 제1 반도체층(SM1), 제2 반도체층(SM2), 제3 반도체층(SM3) 및 반도체 패턴(SMd) 각각은, 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
제1 반도체층(SM1), 제2 반도체층(SM2) 및 제3 반도체층(SM3) 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(Oha1, Oha2, Oha3, Ohb1, Ohb2, Ohb3, Ohd)가 위치할 수 있다. 복수의 저항성 접촉 부재(Oha1, Oha2, Oha3, Ohb1, Ohb2, Ohb3, Ohd)는 후술할 제1 내지 제3 소스 전극(SE1, SE2, SE3)의 하부에 위치하는 소스 저항성 접촉부재(Oha1, Oha2, Oha3), 제1 내지 제3 드레인 전극(DE1, DE2, DE3) 하부에 위치하는 드레인 저항성 접촉부재(Ohb1, Ohb2, Ohb3)를 포함할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 데이터선(Dm, Dm+1) 하부에 위치하는 데이터 저항성 접촉부재(Ohd)를 더 포함할 수도 있으며, 데이터 저항성 접촉부재(Ohd)는 데이터선(Dm, Dm+1)과 반도체 패턴(SMd) 사이에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 복수의 저항성 접촉 부재(Oha1, Oha2, Oha3, Ohb1, Ohb2, Ohb3, Ohd)는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 실리콘 등으로 형성되거나 실리사이드(silicide)로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 반도체층(SM1), 제2 반도체층(SM2), 제3 반도체층(SM3) 및 반도체 패턴(SMd)이 산화물 반도체인 경우, 저항성 접촉 부재(Oha1, Oha2, Oha3, Ohb1, Ohb2, Ohb3, Ohd)는 생략될 수 있다.
저항성 접촉 부재(Oha1, Oha2, Oha3, Ohb1, Ohb2, Ohb3, Ohd) 및 게이트 절연막(GI) 위에는 데이터선(DLm, DLm+1), 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(DE2), 제3 소스 전극(SE3), 및 제3 드레인 전극(DE3)이 형성되어 있다.
데이터선(DLm, DLm+1)은 데이터 전압을 전달하며 주로 제2방향(예시적으로 Y 방향)으로 뻗어 게이트선(GLn)과 교차한다.
제1 소스 전극(SE1)은 데이터선(DLm, DLm+1) 중 제1데이터선(DLm)으로부터 제1 게이트 전극(GE1) 위로 돌출되어 형성되어 있다. 몇몇 실시예에서 제1 소스 전극(SE1)은 제1 게이트 전극(GE1) 위에서 C자형으로 구부러진 형태를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 드레인 전극(DE1)은 제1 게이트 전극(GE1) 위에서 제1 소스 전극(SE1)과 이격되도록 형성되어 있다. 제1 반도체층(SM1) 중 서로 이격되도록 형성된 제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1) 사이로 노출된 부분에는 채널이 형성되어 있다.
제2 소스 전극(SE2)은 데이터선(DLm)으로부터 제2 게이트 전극(GE2) 위로 돌출되어 형성되어 있다. 제2 소스 전극(SE2)은 제2 게이트 전극(GE2) 위에서 C자형으로 구부러진 형태를 가질 수 있다.
제2 드레인 전극(DE2)은 제2 게이트 전극(GE2) 위에서 제2 소스 전극(SE2)과 이격되도록 형성되어 있다. 제2 반도체층(SE2) 중 서로 이격되도록 형성된 제2 소스 전극(173l)과 제2 드레인 전극(175l) 사이로 노출된 부분에는 채널이 형성되어 있다. 제2 드레인 전극(DE2)은 넓게 확장된 확장부(DE2a)를 포함할 수 있다.
제3 소스 전극(SE3)은 제2 드레인 전극(DE2)과 연결되어 있으며, 제3 게이트 전극(GE3) 위에서 제3 드레인 전극(DE3)과 이격되도록 형성되어 있다. 서로 이격되도록 형성된 제3 소스 전극(SE3)과 제3 드레인 전극(DE3) 사이로 노출된 부분의 제3 반도체층(SM3)에 채널이 형성되어 있다.
제3 드레인 전극(DE3)은 제3 게이트 전극(GE3) 위로 돌출되어 형성되어 있다. 제3 드레인 전극(SE3)은 후술할 유지전극선(SLn)과 연결되어 일정한 전압, 예컨대 유지전압(Vc)을 인가 받게 된다.
데이터선(DLm, DLm+1), 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(DE2), 제3 소스 전극(SE3) 및 제3 드레인 전극(SE3)은 알루미늄, 구리, 은, 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있으며, 내화성 금속(refractory metal) 등의 하부막(미도시)과 그 위에 형성된 저저항 상부막(미도시)으로 이루어진 다층 구조를 가질 수도 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 제1 게이트 전극(GE1), 제1 반도체층(SM1), 제1 소스 전극(SE1), 및 제1 드레인 전극(DE1)은 제1 박막 트랜지스터(Tr1)를 이룰 수 있다. 또한, 제2 게이트 전극(GE2), 제2 반도체층(SM2), 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)은 제2 박막 트랜지스터(Tr2)를 이룰 수 있고, 제3 게이트 전극(GE3), 제3 반도체층(SM3), 제3 소스 전극(SE3), 및 제3 드레인 전극(DE3)은 제3 박막 트랜지스터(Tr3)를 이룰 수 있다.
데이터선(DLm, DLm+1), 제1 내지 제3 소스 전극(SE1, SE2, SE3), 제1 내지 제3 드레인 전극(DE1, DE2, DE3) 위에는 제1패시베이션층(PA1)이 위치할 수 있다. 제1패시베이션층(PA1)은 유기 절연 물질 또는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 제1패시베이션층(PA1)은 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)을 보호하고, 후술할 절연층(ILA)에 포함된 물질이 제1 내지 제3 반도체층(SM1, SM2, SM3)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
제1패시베이션층(PA1) 위에는 제1절연층(ILA1)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1절연층(ILA1)은 제1패시베이션층(PA1)의 상부를 평탄화하는 기능을 가질 수 있다. 제1절연층(ILA1)은 감광성 물질을 포함할 수 있다. 상기 감광성 물질은 감광성 유기물, 예를 들어 포토레지스트일 수 있다. 몇몇 실시예에서 절연층(230)은 빛이 조사된 부분이 경화되는 네가티브(negative)형 포토레지스트 또는 빛이 조사되지 않는 부분이 경화되는 포지티브(positive)형 포토레지스트를 포함할 수 있다.
제1절연층(ILA1)은 색안료를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 제1절연층(ILA1)은 특정 색 파장의 광을 통과시키는 색안료를 포함할 수 있다. 즉, 제1절연층(ILA1)은 색필터 (color filter)일 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 색필터는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 하지만, 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 제한되지 않고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 중 어느 하나를 표시할 수도 있다. 제1절연층(ILA1)이 색안료를 포함하는 경우, 제1절연층(ILA1)은 데이터선(DLm, DLm+1)의 상부에서 이웃 화소의 절연층과 적어도 일부가 중첩할 수 있다. 예시적으로 제1절연층(ILA1)은 제2데이터선(DLm+1)의 상부에서 이웃하는 화소영역(또는 제2화소영역, PA2)에 위치하는 제2절연층(ILA2)과 적어도 일부가 중첩할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제1절연층(ILA1)은 색안료를 포함하지 않을 수도 있다. 다른 실시예에서 어레이 기판(100)에 별도의 색필터가 위치하거나, 또는 대향 기판(200) 측에 색필터가 위치할 수도 있다.
제1절연층(ILA1) 위에는 제2패시베이션층(PA2)이 위치할 수 있다. 제2 패시베이션층(PA2)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등의 무기 절연물질을 포함할 수 있다. 제2패시베이션층(PA2)은 제1절연층(ILA1)이 들뜨는 것을 방지하고, 제1절연층(ILA1)으로부터 유입되는 용제(solvent)와 같은 유기물에 의해 액정층(300)이 오염되는 것을 보다 억제할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(1) 구동 시 발생할 수 있는 잔상불량을 보다 억제할 수 있다.
제1패시베이션층(PA1), 제1절연층(ILA1)및 제2패시베이션층(PA2)에는 제1 드레인 전극(DE1)의 일부를 노출하는 제1컨택홀(CT1), 제2 드레인 전극(DE2)의 일부를 노출하는 제2컨택홀(CT2)이 형성될 수 있다.
제2패시베이션층(PA2) 위에는 화소 전극(PE)이 위치할 수 있으며, 화소 전극(PE)은 제1절연기판(SUB1)의 제1화소영역(PA1)에 위치할 수 있다.즉, 제1화소영역(PA1)은 제1절연기판(SUB1) 중 화소 전극(PE)과 대응하는 부분으로 정의될 수 있다. 화소 전극(PE)은 제1 부화소 전극(PE1)과 제2 부화소 전극(PE2)을 포함할 수 있다. 평면 시점에서, 제1부화소 전극(PE1)과 제2부화소 전극(PE2)은 게이트선(GLn)을 사이에 두고 제2방향(또는 Y 방향)을 따라 배열될 수 있다. 즉, 예시적인 실시예에서 게이트선(GLn)의 제2방향(또는 Y방향) 상부에는 제1부화소 전극(PE1)이 위치할 수 있으며, 게이트선(GLn)의 제2방향(또는 Y방향) 하부에는 제2부화소 전극(PE2)이 위치할 수 있다. 후술할 제1차광영역(BA1)은 제1화소영역(PA1) 중, 제1부화소 전극(PE1)과 제2부홧 전극(PE2) 사이의 영역으로 정의될 수 있다.
제1 부화소 전극(PE1)은 제1컨택홀(CT1)을 통해 제1 드레인 전극(DE1)과 연결될 수 있고, 제2 부화소 전극(PE2)은 제2컨택홀(CT2)을 통해 제2 드레인 전극(DE2)과 연결될 수 있다.
제1 부화소 전극(PE1) 및 제2 부화소 전극(PE2)은 각각 제1 드레인 전극(DE1) 및 제2 드레인 전극(DE2)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 이때, 제2 드레인 전극(DE2)에 인가된 데이터 전압 중 일부는 제3 소스 전극(SE3)을 통해 분압되어, 제2 부화소 전극(PE2)에 인가되는 제2 부화소 전압의 크기는 제1 부화소 전극(PE1)에 인가되는 제1 부화소 전압의 크기보다 작아지게 된다. 이는 제1 부화소 전극(PE1) 및 제2 부화소 전극(PE2)에 인가되는 데이터 전압이 정극성(+)인 경우이고, 이와 반대로, 제1 부화소 전극(PE1) 및 제2 부화소 전극(PE2)에 인가되는 데이터 전압이 부극성(-)인 경우에는 제1 부화소 전극(PE1)에 인가되는 제1 부화소 전압이 제2 부화소 전극(PE2)에 인가되는 제2 부화소 전압보다 작아지게 된다.
제1 부화소 전극(PE1)은 제1 줄기부(PE1a) 및 제1 줄기부(PE1a)로부터 방사형으로 돌출되어 연장된 복수의 제1 가지부들(PE1b)을 포함한다. 제1 줄기부(PE1a)는 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 예시적으로, 도 2에 도시된 바와 같이 제1 줄기부(PE1a)는 십자형상을 가질 수 있다. 이러한 경우, 제1부화소는 제1 줄기부(PE1a)에 의해 4개의 도메인들로 구분될 수 있다.
제1 가지부들(PE1b)은 각 도메인에 대응되어, 각 도메인마다 서로 다른 방향으로 연장될 수 있다. 제1 가지부들(PE1b)은 제1 줄기부(PE1a)에 의해 구획된 각각의 도메인 내에서 서로 평행하게 연장되며 서로 이격되어 배열된다. 서로 인접한 제1 가지부들(PE1b)은 마이크로미터 단위의 거리로 서로 이격되어 복수의 미세 슬릿들을 형성할 수 있다.
제1 부화소 전극(PE1)은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 부화소 전극(PE1)은 ITO, IZO, ITZO, AZO 등의 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
복수의 미세 슬릿들에 의해 제1 부화소 전극(PE1)과 중첩하는 액정층(300)의 액정 분자들은, 각 도메인별로 서로 다른 방향으로 프리틸트된다. 예를 들어, 액정 분자가 기울어지는 방향은 제1 줄기부(PE1a)로 향하는 4개의 방향이 될 수 있다. 따라서 액정 분자의 배향 방향이 서로 다른 네 개의 도메인이 액정층(300)에 형성된다. 이와같이 액정 분자가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 표시 장치(1)의 기준 시야각이 커질 수 있다.
제2 부화소 전극(PE2)은 제2 줄기부(PE2a) 및 제1 줄기부(PE2a)로부터 방사형으로 돌출되어 연장된 복수의 제2 가지부들(PE2b)를 포함한다. 즉, 제2 부화소 전극(PE2)은 제1 부화소 전극(PE1)과 실질적으로 동일한 구성을 가질 수 있다. 따라서 제2 부화소 전극(PE2)의 구성에 대한 구체적 설명은 생략한다.
평면 시점에서 제2 부화소 전극(PE2)의 면적은, 제1 부화소 전극(PE1)의 면적보다 클 수 있다.
제1절연기판(SUB1) 위에는 유지전극선(SLn)이 더 위치할 수 있다. 유지전극선(SLn)은 게이트선(GLn)과 실질적으로 동일한 방향(예시적으로 가로방향)으로 뻗을 수 있다. 유지전극선(SLn)은 후술할 화소전극(PE)의 적어도 일부를 둘러 싸도록 형성될 수 있다. 예시적으로, 유지전극선(SLn)은 제1 부화소 전극(PE1)의 일부를 둘러싸는 제1유지전극(SLna), 제2유지전극(SLnb) 및 제3유지전극(SLNc)을 더 포함할 수 있다. 또한 제1유지전극(SLna) 또는 제2유지전극(SLnb) 으로부터 연장된 유지전극연장부(SLnp)을 더 포함할 수 있다. 게이트 절연막(GI), 제1패시베이션층(PA1), 절연층(ILA) 및 제2패시베이션층(PA2)에는 유지전극연장부(SLnp)의 일부 및 제3드레인 전극(CE3)의 일부를 노출하는 제3컨택홀인 유지전극 컨택홀(CT3)이 형성될 수 있으며, 유지전극 컨택홀(CT3)은 연결부재(TE)에 의해 덮일 수 있다. 연결부재(TE)는 유지전극 컨택홀(CT3)을 통해 드러나 있는 유지전극연장부(SLnp)와 제3드레인 전극(DE3)을 전기적으로 연결할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 연경부재(TE)는 화소 전극(PE)과 동일 물질로 이루어질 수 있으며, 화소 전극(PE)과 동일층에 위치할 수 있다.
유지전극선(SLn)은 제2 부화소 전극(PE2)의 일부를 둘러싸는 제4유지전극(SLnd), 제5유지전극(SLne), 제6유지전극(SLnf)를 더 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 유지전극연장부(SLnp)는 평면 시점에서 바라볼때, 화소전극(PE)과 게이트선(GLn) 사이의 공간으로 연장될 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서, 평면 시점에서 바라볼때, 제1유지전극(SLna), 제2유지전극(SLnb), 제4유지전극(SLnd) 및 제5유지전극(SLne)은, 화소전극(PE)과 데이터선(DLm, DLm+1) 사이에 위치할 수 있다.
예시적인 실시예에서 유지전극선(SLn)은 게이트선(GLn) 및 제1 내지 제3 게이트 전극(GE1, GE2, GE3)과 동일층 상에 위치하고 동일 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 예시적인 실시예에서 유지전극선(SLn)은 제1절연기판(SUB1)과 게이트 절연막(GI) 사이에 위치할 수 있으며, 게이트선(GLn)과 동일 물질로 이루어질 수 있다.
제2패시베이션층(PA2) 위에는 차폐전극(SHE)이 위치할 수 있다. 차폐전극(SHE)은 제1 부화소 전극(PE1) 및 제2 부화소 전극(PE2)과 물리적으로 이격될 수 있으며, 제1 부화소 전극(PE1) 및 제2 부화소 전극(PE2)과 동일층 상에 위치할 수 있다. 즉, 차폐전극(SHE)은 제1 부화소 전극(PE1) 및 제2 부화소 전극(PE2)과 마찬가지로 제2패시베이션층(PA2) 바로 위에 위치하여 제2패시베이션층(PA2)과 직접 접촉할 수 있다. 차폐전극(SHE)은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 화소 전극(PE)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 차폐전극(SHE), 제1부화소 전극(PE1) 및 제2부화소 전극(PE2)은 1매의 마스크를 이용한 포토리소그래치 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다.
차폐전극(SHE)은, 제2패시베이션층(PA2)의 상부 중, 데이터선(DLm, DLm+1)과 대응하는 부분에 위치할 수 있으며, 데이터선(DLm, DLm+1)과 중첩할 수 있다. 예시적인 실시예에서 차폐전극(SHE)은, 제1절연기판(SUB1)의 각 화소영역 간 경계와 대응하도록 배치될 수 있다. 예컨대, 차폐전극(SHE)은 제1화소영역(PA1) 및 제1화소영역(PA1)과 제1방향(또는 X 방향)을 따라 이웃하는 제2화소영역(PA2) 사이의 경계인 제1절연기판(SUB1)의 경계영역(EA) 상부에 위치할 수 있다. 평면 시점에서 바라볼 때, 차폐전극(SHE)은 제1데이터선(DLm)을 커버할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 차폐전극(SHE)에는 후술할 공통전극(CE)에 인가되는 공통전압과 동일한 레벨의 전압이 인가될 수 있다.
데이터선(DLm, Dlm+1)과 화소 전극(PE) 사이의 부분은 상대적으로 화소전극(PE)과 후술할 공통전극(CE) 사이에서 형성되는 전계가 약한 바, 액정 분자가 오정렬될 가능성이 존재한다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1)는, 차폐전극(SHE)에 공통전극(CE)에 인가되는 전압과 동일 레벨의 전압, 예컨대 공통전압이 인가될 수 있다. 이에 따라 공통전극(CE)과 차폐전극(SHE) 사이에는 전계가 형성되지 않을 수 있다. 따라서 데이터선(DLm, Dlm+1)과 인접한 영역에 위치한 액정 분자들이 오배열될 가능성이 낮아질 수 있으며, 빛샘이 감소할 수 있다. 또한 상기 빛샘을 방지하기 위해 형성하는 후술할 차광부재(BM)의 면적을 더욱 감소시키거나 생략할 수 있다. 따라서 표시 장치(1)의 개구율이 더욱 증가할 수 있다.
또한, 데이터선(DLm, Dlm+1)과 화소 전극(PE)간에 발생하는 전계가 차폐전극(SHE)에 의해 약화될 수 있으며, 이로 인해 크로스토크 불량을 억제시킬 수 있는 이점을 갖는다.
제1 부화소 전극(PE1)과 제2 부화소 전극(PE2)의 일부분, 제2패시베이션층(PA2) 및 차폐전극(SHE)의 일부분 상에는 차광부재(BM)가 위치할 수 있다. 차광부재(BM)는 제1절연기판(SUB1)의 제1화소영역(PA1) 중, 제1차광영역(BA1) 상부에 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 차광부재(BM)는 제1 부화소 전극(PE1)과 제2 부화소 전극(PE2)의 일부분, 제2패시베이션층(PA2) 및 차폐전극(SHE)의 일부분과 직접 접촉할 수 있다. 차광부재(BM)는 게이트선(GLn), 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)과 중첩하는 부분을 포함할 수 있다. 또한 차광부재(BM)의 적어도 일부는 제1컨택홀(CT1), 제2컨택홀(CT2) 및 유지전극 컨택홀(CT3) 내에 채워질 수 있다. 차광부재(BM)는 차광성 안료, 예컨대 블랙 카본(black carbon) 등의 안료를 포함할 수 있으며, 감광성의 유기 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 차광부재(BM)를 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)와 함께 어레이 기판(100)에 위치시킴으로써 차광부재(BM)와 제1 부화소 전극(PE1), 제2 부화소 전극(PE2) 및 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3) 사이의 오정렬을 방지할 수 있다. 이에 따라 오정렬에 의한 빛샘 발생이나 개구율 저하를 방지할 수 있고 투과율을 높일 수 있다.
간격재(CS)는 차광부재(BM) 상에 위치할 수 있으며, 차광부재(BM)와 직접 접촉할 수 있다. 간격재(CS)는 대향 기판(200)과 직접 접촉할 수 있으며, 어레이 기판(100)과 대향 기판(200)간의 갭을 유지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 간격재(CS)는 차광성 안료를 포함할 수 있으며, 차광부재(BM)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 간격재(CS)는 차광부재(BM)와 일체로 이루어질 수 있으며, 슬릿 마스크 또는 하트톤 마스크 등을 이용한 단일 포토리소그래피 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서 간격재(CS)는 박막 트랜지스터와 중첩하도록 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서 간격재(CS)는 제1 박막 트랜지스터(Tr1), 제2 박막 트랜지스터(Tr2) 및 제3 박막 트랜지스터(Tr3) 중 적어도 어느 하나와 중첩하는 부분에 위치할 수 있다. 도면에는 간격재(CS)가 제1 박막 트랜지스터(Tr1)와 중첩하는 것으로 도시되어 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이다. 간격재(CS)를 박막 트랜지스터와 중첩하도록 배치함에 따라, 차광부재(BM)의 크기를 상대적으로 감소시키고 표시 장치(1)의 개구율을 향상시킬 수 있다.
이하 대향 기판(200)에 대해 설명한다.
대향 기판(200)은 제2절연기판(SUB2) 및 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제2절연기판(SUB2)은 제1절연기판(SUB1)과 유사하게 투명 절연 기판일 수 있다. 또한, 제2절연기판(SUB2)은 고내열성을 갖는 고분자 또는 플라스틱을 포함할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제2절연기판(SUB2)은 가요성을 가질 수도 있다.
제1절연기판(SUB1)을 향하는 제2절연기판(SUB2)의 일면에는 공통전극(CE)이 위치할 수 있다. 공통전극(CE)은 ITO, IZO 등과 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 공통전극(CE)은 제2절연기판(SUB2)의 전면에 걸쳐 전체적으로 형성될 수 있다. 공통전극(270)에는 공통 전압(Vcom)이 인가되어 화소 전극(PE)과 함께 전계를 형성할 수 있다.
다음으로 액정층(300)에 대해 설명한다.
액정층(300)은 유전율 이방성을 가지는 복수의 액정 분자들을 포함할 수 있다. 상기 액정 분자들은 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에서 상기 두 기판(100, 200)에 수직한 방향으로 배열된 수직 배향형 액정 분자들일 수 있다. 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 전계가 인가되면 상기 액정 분자들이 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에서 특정 방향으로 회전함으로써 광을 투과시키거나 차단할 수 있다. 여기서, 회전이라는 용어는 상기 액정 분자들이 실제로 회전하는 것뿐만 아니라, 상기 전계에 의해 액정 분자들의 배향이 바뀐다는 의미를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 액정층(300)은 자외선 등의 광에 의해 중합반응을 하는 반응성 메조겐(reactive mesogen)을 포함하거나, 또는 반응성 메조겐(reactive mesogen)이 중합 반응을 하여 형성된 선경사 제공 중합체를 포함할 수 있다. 상기 선경사 제공 중합체는 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 전계가 형성되지 않은 상태에서도 상기 액정 분자들에 선경사를 제공할 수 있다.
도 5는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 표시 장치의 세개의 화소를 개략적으로 도시한 평면도, 도 6은 도 5에 도시된 표시 장치에서, 절연층들, 차광부재, 데이터선들, 차폐전극들 간의 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도, 도 7은 도 5 및 도 6의 M1-M1'선을 따라 절단한 개략적 단면도, 도 8은 도 7에 도시된 차광부재의 일부분을 확대 도시한 사시도, 도 9는 도 5 및 도 6의 M2-M2'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 5 내지 도 9에서는 제1화소영역(PA1), 제1화소영역(PA1)과 제1방향(또는 X방향)을 따라 이웃하는 제2화소영역(PA2) 및 제2화소영역(PA2) 과 제1방향(또는 X방향)을 따라 이웃하는 제3화소영역(PA3) 내에 위치하는 화소들, 즉 1×3 화소를 도시하였다. 또한 제1화소영역(PA1)에 위치하는 제1차광영역(BA1), 제2화소영역(PA2)에 위치하는 제2차광영역(BA2) 및 제3화소영역(PA3)에 위치하는 제3차광영역(BA3)과, 차광 영역들(BA1, BA2, BA3) 각각에 위치하는 제1, 제2, 제3 박막 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)를 중심으로 도시하였다. 도 5 및 도 6에는 1×3 화소에 각각 대응하는 제1내지 제3 차광 영역(BA1, BA2, BA3)이 도시된다.
설명의 편의를 위하여 도 7 및 도 9에서는 어레이 기판의 제1절연기판(SUB1)과 절연층들 사이에 구비되는 구성들을 일부 생략하고, 유사하게 대향 기판의 구체적 구성은 생략하고 도시하였다.
도 5 내지 도 9를 참조하면, 제1화소영역(PA1), 제2화소영역(PA2) 및 제3화소영역(PA3)은 제1방향(X 방향)을 따라 나란히 위치할 수 있다. 그리고 제1화소영역(PA1)과 제2화소영역(PA2) 사이 및 제2화소영역(PA2)과 제3화소영역(PA3) 사이에는 경계영역(EA)이 위치할 수 있다. 제1화소영역(PA1)의 양측에는 제1데이터선(DLm) 및 제2데이터선(DLm+1)이 위치하고, 제2화소영역(PA2)의 양측에는 제2데이터선(DLm+1) 및 제3데이터선(DLm+2)이 위치하고, 제3화소영역(PA3)의 양측에는 제3데이터선(DLm+2) 및 제4데이터선(DLm+3)이 위치할 수 있다. 여기서 제1데이터선(DLm), 제2데이터선(DLm+1), 제3데이터선(DLm+2) 및 제4데이터선(DLm+3)은 각각 경계영역(EA)에 위치할 수 있다. 그리고, 차폐전극(SHE)은 제2패시베이션층(PA2)을 사이에 두고 각 데이터선들(DLm, DLm+1, DLm+2, DLm+3) 상부에 위치할 수 있다.
상술한 바와 같이 각 화소영역들(PA1, PA2, PA3)은 차광영역들(BA1, BA2, BA3)을 포함할 수 있다. 구체적으로 제1화소영역(PA1)은 제1차광영역(BA1)을 포함하고, 제2화소영역(PA2)은 제2차광영역(BA2)을 포함하고, 제3화소영역(PA3)은 제1차광영역(BA3)을 포함할 수 있다.
제1화소영역(PA1)에는 도 2 내지 도 4의 설명에서 상술한 제1절연층(ILA1)이 위치할 수 있으며, 제2화소영역(PA2)에는 제2절연층(ILA2)이 위치할 수 있고, 제3화소영역(PA3)에는 제3절연층(ILA3)이 위치할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1절연층(ILA1)은 제1색안료를 포함하는 제1색필터일 수 있으며, 제2절연층(ILA2)은 상기 제1색안료와 상이한 제2색안료를 포함하는 제2색필터이고, 제3절연층(ILA3)은 상기 제1색안료 및 상기 제2색안료와 상이한 제3색안료를 포함하는 제3색필터일 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1절연층(ILA1)은 청색필터이고, 제2절연층(ILA2)은 녹색필터 및 적색필터 중 어느 하나이고, 제3절연층(ILA3)은 녹색필터 및 적색필터 중 다른 하나일수 있다. 이러한 경우, 도 6 및 도 8에 도시된 바와 같이 제1절연층(ILA1)의 두께는 제2절연층(ILA2)의 두께 및 제3절연층(ILA3)의 두께보다 클 수 있다.
서로 이웃하는 절연층들은 경계영역 중 차광영역 사이에 위치하는 영역에서는 서로 이격될 수 있으며, 경계영역 중 차광영역을 제외한 화소영역 사이에 위치하는 부분에서는 서로 일부 중첩할 수 있다.
예시적으로 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 제1차광영역(BA1)과 제2차광영역(BA2) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2)이 서로 이격될 수 있다. 유사하게, 제2차광영역(BA2)과 제3차광영역(BA3) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제2절연층(ILA2)과 제3절연층(ILA3)이 서로 이격될 수 있다. 또한 도 8에 도시된 바와 같이, 제1차광영역(BA1) 이외의 제1화소영역(PA1)과 제2차광영역(BA2) 이외의 제2화소영역(PA2) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2)이 서로 일부 중첩할 수 있다. 유사하게 제2차광영역(BA2) 이외의 제2화소영역(PA2)과 제3차광영역(BA3) 이외의 제3화소영역(PA3) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제2절연층(ILA2)과 제3절연층(ILA3)이 서로 일부 중첩할 수 있다.
차광부재(BM)는 제1차광영역(BA1), 제2차광영역(BA2) 및 제3차광영역(BA3)과 중첩하여 배치될 수 있으며, 제1방향(또는 X 방향)을 따라 연장된 형태를 가질 수 있다. 바꾸어 말하면, 차광부재(BM) 중 제1차광영역(BA1)과 중첩하는 부분, 차광부재(BM) 중 제2차광영역(BA2)과 중첩하는 부분 및 차광부재(BM) 중 제3차광영역(BA3)과 중첩하는 부분은 서로 연결될 수 있으며, 상호 연속할 수 있다.
차광부재(BM)는 도 6에 도시된 바와 같이, 제1절연층(ILA1) 중 제1차광영역(BA1)과 중첩하는 부분, 제2절연층(ILA2) 중 제2차광영역(BA2)과 중첩하는 부분 및 제3절연층(ILA3) 중 제3차광영역(BA3)과 중첩하는 부분 상에 위치할 수 있다. 또한 도 7에 도시된 바와 같이 차광부재(BM)는 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2) 사이의 이격공간 및 제2절연층(ILA2)과 제3절연층(ILA3) 사이의 이격공간 내에 채워질 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 차광부재(BM) 중, 제1차광영역(BA1)과 중첩하는 부분을 제1부분(BM1), 제2차광영역(BA2)과 중첩하는 부분을 제2부분(BM2), 제1절연기판(SUB1)의 제1차광영역(BA1)과 제2차광영역(BA2) 사이의 경계영역(EA)과 중첩하는 부분을 제3부분(BM3)이라 정의한다. 몇몇 실시예에서 제1부분(BM1)은 제1절연층(ILA1) 상에 위치할 수 있으며, 제2부분(BM2)은 제2절연층(ILA2) 상에 위치할 수 있고, 제3부분(BM3)은 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2) 사이의 이격공간 내에 위치할 수 있다. 제1방향(또는 X방향)을 따라 제3부분(BM3)의 일측에는 제1부분(BM1)이 위치하고, 제3부분(BM3)의 타측에는 제2부분(BM2)이 위치할 수 있다.
제3부분(BM3)의 양측은 개방된 형태를 가질 수 있다. 보다 구체적으로 도 7에 도시된 바와 같이, 제3부분(BM3)의 양측은 제2방향(또는 Y 방향)을 따라 개방된 형태를 가질 수 있다.
제1절연기판(SUB1)의 일면(SUB1a)으로부터 제1부분(BM1)의 상부까지의 최소높이를 제1높이(H1), 제1절연기판(SUB1)의 일면(SUB1a)으로부터 제2부분(BM2)의 상부까지의 최소높이를 제2높이(H2), 제1절연기판(SUB1)의 일면(SUB1a)으로부터 제3부분(BM3)의 상부까지의 최소높이를 제3높이(H3)라고 지칭하면, 제3높이(H3)는 제1높이(H1) 및 제2높이(H2) 각각보다 작을 수 있다. 제1차광영역(PA1)과 제2차광영역(ILA2)사이의 경계영역(EA)에는 별도의 절연층이 위치하지 않을 수 있다. 차광부재(BM)에는 자연적인 단차가 발생할 수 있다. 따라서, 제3높이(H3)는 제1높이(H1) 및 제2높이(H2) 각각보다 작을 수 있다.
몇몇 실시예에서 몇몇 실시예에서 제1절연층(ILA1)은 청색필터이고, 제2절연층(ILA2)은 녹색필터 및 적색필터 중 어느 하나이고, 제3절연층(ILA3)은 녹색필터 및 적색필터 중 다른 하나인 경우, 제1절연층(ILA1)은 제2절연층(ILA2) 및 제3절연층(ILA3)보다 두껍게 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제1높이(H1)는 제2높이(H2)보다 클 수 있다. 즉, 제1높이(H1)와 제2높이(H2)간의 차이는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2) 간의 두께차이로 인해 발생할 수 있다.
차광부재(BM) 상부에는 간격재(CS)가 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1절연층(ILA1)의 두께가 제2절연층(ILA2)의 두께 및 제3절연층(ILA3)의 두께보다 두껍게 형성된 경우, 간격재(CS)는 제1절연층(ILA1)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 즉, 간격재(CS)는 제1부분(BM1) 상에 위치할 수 있으며, 이러한 경우 제2부분(BM2)은 보조간격재의 기능을 가질 수 있다. 또한, 간격재(CS)를 상대적으로 두꺼운 제1절연층(ILA1) 상부에 배치함으로써 간격재(CS) 자체의 두께를 감소시킬 수 있다. 간격재(CS)의 압축정도는 간격재(CS) 자체의 두께에 비례할 수 있다. 따라서 상대적으로 두꺼운 제1절연층(ILA1) 상부에 간격재(CS)를 배치하는 경우, 간격재(CS) 자체의 두께를 감소시킬 수 있게 되어 외부 힘이 가해지는 경우 간격재(CS)의 변형을 상대적으로 감소시킬 수 있다.
간격재(CS)가 제1부분(BM1) 상에 위치하는 경우, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2) 간의 두께 차이를 이용하여 간격재(CS)와 보조간격재, 예컨대 제2부분(BM2) 간의 높이차를 확보하는데 유리할 수 있다.
간격재(CS)는 차광성 안료를 포함할 수 있으며, 차광부재(BM)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 간격재(CS)는 차광부재(BM)와 일체로 이루어질 수 있다. 이러한 경우 간격재(CS)와 차광부재(BM)는 1매의 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다.
예시적으로, 차광부재(BM)가 네가티브형 감광성 물질로 이루어지는 경우, 광투과패턴, 광차단패턴 및 광반투과패턴을 포함하는 하프톤 마스크를 이용하여 차광부재(BM)와 간격재(CS)를 동시에 형성할 수 있다. 여기서 상기 광투과패턴은 간격재(CS) 및 간격재(CS)와 중첩하는 제1부분(BM1)의 일부와 대응하고, 상기 광차단패턴은 차광영역들(BA1, BA2, BA3) 이외의 영역과 대응하고, 상기 광반투과패턴은 간격재(CS)가 위치하는 부분을 제외한 차광영역들(BA1, BA2, BA3)과 대응할 수 있다. 이러한 경우, 제3부분(BM3)과 제1부분(BM1) 간의 높이차이, 제3부분(BM3)과 제2부분(BM2) 간의 높이차이는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2) 사이의 이격공간에 의해 발생될 수 있다.
또는, 다른 예시적인 실시예에서 차광부재(BM)가 네가티브형 감광성 물질로 이루어지는 경우, 광투과패턴, 광차단패턴, 제1광반투과패턴 및 상기 제1광반투과패턴보다 투과율이 낮은 제2광반투과패턴을 포함하는 하프톤 마스크를 이용하여 차광부재(BM)와 간격재(CS)를 동시에 형성할 수 있다. 여기서 상기 광투과패턴은 간격재(CS) 및 제1부분(BM1) 중 간격재(CS)와 중첩하는 부분과 대응하고, 상기 광차단패턴은 차광영역들(BA1, BA2, BA3) 이외의 영역과 대응할 수 있다. 그리고 상기 제1광반투과패턴 및 상기 제2광반투과패턴은, 차광영역들(BA1, BA2, BA3)과 대응할 수 있다. 구체적으로 제2광반투과패턴은, 차광영역들(BA1, BA2, BA3) 사이의 경계영역(EA)과 대응하고, 상기 제1광반투과패턴은 차광영역들(BA1, BA2, BA3) 중 상기 제2광반투과패턴과 대응하는 부분을 제외한 나머지 부분과 대응할 수 있다. 이러한 경우, 제3부분(BM3)과 제1부분(BM1) 간의 높이 차이, 제3부분(BM3)과 제2부분(BM2) 간의 높이차이는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2) 사이의 이격공간에 의해 발생될 수 있으며, 추가적으로 상기 제1광반투과패턴과 상기 제2광반투과패턴간의 투과율 차이에 의해 발생될 수 있다. 즉, 제3부분(BM3)의 경우, 제1부분(BM1) 및 제2부분(BM2)보다 상대적으로 적은 광량에 의해 경화될 수 있으며, 이에 따라 제3부분(BM3)과 제1부분(BM1) 간의 높이 차이, 제3부분(BM3)과 제2부분(BM2) 간의 높이차이가 발생할 수 있다.
표시 장치(1)에 외부 힘이 가해지면, 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 위치하는 간격재(CS)는 상기 외부 힘의 일부를 흡수하여 압축될 수 있다. 이러한 경우, 제1부분(BM1) 및 제2부분(BM2)에 의해 어레이 기판(100)과 대향 기판(200) 사이의 갭을 일정 수준으로 유지할 수 있게 되어 액정층(300)이 충분히 펼쳐질 수 있는 공간을 확보할 수 있다.
한편, 표시 장치(1)에 더 큰 외부 힘이 가해지면, 간격재(CS)가 완전히 압축될 수도 있으며, 대향 기판(200)이 제1부분(BM1) 또는 제2부분(BM2)과 직접 접촉할 수도 있다. 아울러 제1부분(BM1) 또는 제2부분(BM2)이 일부분 압축될 수도 있다. 이러한 경우, 제3부분(BM3)에 의해 액정층(30)의 유동공간을 일부 확보할 수 있게 된다. 또한 제3부분(BM3)의 제2방향(또는 Y방향) 양측은 개방될 수 있는 바, 제2방향(또는 Y 방향)으로 액정층(30)이 이동할 수 있는 경로를 확보할 수 있다. 따라서 액정층(30)이 충분히 펼쳐지지 않음에 따라 발생할 수 있는 표시 품질이 저하를 방지할 수 있다. 결과적으로 본 발명에 따르면 신뢰도가 향상된 표시 장치(1)를 제공할 수 있다.
도 10은 도 5에 도시된 표시 장치의 변형 실시예를 도시한 평면도로서, 절연층들, 차광부재, 데이터선들, 차폐전극들 간의 다른 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도, 도 11은 도 5 및 도 10의 M1-M1'선을 따라 절단한 개략적 단면도, 도 12는 도 5 및 도 10의 M2-M2'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
본 실시예에 따른 표시 장치(2)는, 어레이 기판(100a)의 구조가 도 5 내지 도 9의 설명에서 상술한 어레이 기판(도 5 내지 도 9의 100)과 일부 상이하다. 구체적으로 제1차광영역(BA1)과 제2차광영역(BA2) 사이의 경계영역(EA), 제2차광영역(BA2)과 제3차광영역(BA3) 사이의 경계영역에서 절연층들이 상호 중첩배치된 점에서 도 5 내지 도 9의 설명에서 상술한 어레이 기판(도 5 내지 도 9의 100)과는 상이하며, 이외의 구성들은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 중복되는 내용은 생략하며, 차이점을 위주로 설명한다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 예시적으로 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제1차광영역(BA1)과 제2차광영역(BA2) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2)이 서로 일부 중첩할 수 있다. 유사하게, 제2차광영역(BA2)과 제3차광영역(BA3) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제2절연층(ILA2)과 제3절연층(ILA3)이 서로 일부 중첩할 수 있다. 또한 도 12에 도시된 바와 같이, 제1차광영역(BA1) 이외의 제1화소영역(PA1)과 제2차광영역(BA2) 이외의 제2화소영역(PA2) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2)이 서로 일부 중첩할 수 있다. 유사하게 제2차광영역(BA2) 이외의 제2화소영역(PA2)과 제3차광영역(BA3) 이외의 제3화소영역(PA3) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제2절연층(ILA2)과 제3절연층(ILA3)이 서로 일부 중첩할 수 있다.
차광부재(BMa)는 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 제1절연층(ILA1) 중 제1차광영역(BA1)과 중첩하는 부분, 제2절연층(ILA2) 중 제2차광영역(BA2)과 중첩하는 부분 및 제3절연층(ILA3) 중 제3차광영역(BA3)과 중첩하는 부분 상에 위치할 수 있다. 또한 차광부재(BM)는 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2) 간의 중첩부분 및 제2절연층(ILA2)과 제3절연층(ILA3)간의 중첩부분 상에 위치할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 차광부재(BMa) 중, 제1차광영역(BA1)과 중첩하는 부분을 제1부분(BMa1), 제2차광영역(BA2)과 중첩하는 부분을 제2부분(BMa2), 제1절연기판(SUB1)의 제1차광영역(BA1)과 제2차광영역(BA2) 사이의 경계영역(EA)과 중첩하는 부분을 제3부분(BMa3)이라 정의한다. 몇몇 실시예에서 제1부분(BMa1)은 제1절연층(ILA1) 상에 위치할 수 있으며, 제2부분(BMa2)은 제2절연층(ILA2) 상에 위치할 수 있고, 제3부분(BMa3)은 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2) 간의 중첩부분 상에 위치할 수 있다.
제3부분(BMa3)의 양측은 도 5 내지 도 9의 설명에서 상술한 제3부분(도 5 내지 도 9의 BM3)의 경우와 마찬가지로 제2방향(또는 Y 방향)을 따라 개방된 형태를 가질 수 있다.
제1절연기판(SUB1)의 일면(SUB1a)으로부터 제1부분(BMa1)의 상부까지의 최소높이를 제1높이(H1a), 제1절연기판(SUB1)의 일면(SUB1a)으로부터 제2부분(BMa2)의 상부까지의 최소높이를 제2높이(H2a), 제1절연기판(SUB1)의 일면(SUB1a)으로부터 제3부분(BMa3)의 상부까지의 최소높이를 제3높이(H3a)라고 지칭하면, 제3높이(H3a)는 제1높이(H1a) 및 제2높이(H2a) 각각보다 작을 수 있다. 즉, 제1부분(BMa1)과 제3부분(BMa3) 사이에는 단차가 존재할 수 있으며, 마찬가지로 제2부분(BMa2)과 제3부분(BMa3) 사이에는 단차가 존재할 수 있다.
차광부재(BMa) 상부에는 간격재(CSa)가 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1절연층(ILA1)의 두께가 제2절연층(ILA2)의 두께 및 제3절연층(ILA3)의 두께보다 두껍게 형성된 경우, 간격재(CSa)는 제1절연층(ILA1)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 즉, 간격재(CSa)는 제1부분(BMa1) 상에 위치할 수 있다.
간격재(CSa)는 차광성 안료를 포함할 수 있으며, 차광부재(BMa)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 간격재(CSa)는 차광부재(BMa)와 일체로 이루어질 수 있다. 이러한 경우 간격재(CSa)와 차광부재(BMa)는 1매의 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다.
예시적으로, 차광부재(BMa)가 네가티브형 감광성 물질로 이루어지는 경우, 광투과패턴, 광차단패턴, 제1광반투과패턴 및 상기 제1광반투과패턴보다 투과율이 낮은 제2광반투과패턴을 포함하는 하프톤 마스크를 이용하여 차광부재(BMa)와 간격재(CSa)를 동시에 형성할 수 있다. 여기서 상기 광투과패턴은 간격재(CSa) 및 제1부분(BMa1) 중 간격재(CSa)와 중첩하는 부분과 대응하고, 상기 광차단패턴은 차광영역들(BA1, BA2, BA3) 이외의 영역과 대응할 수 있다. 그리고 상기 제1광반투과패턴 및 상기 제2광반투과패턴은, 차광영역들(BA1, BA2, BA3)과 대응할 수 있다. 구체적으로 제2광반투과패턴은, 차광영역들(BA1, BA2, BA3) 사이의 경계영역(EA)과 대응하고, 상기 제1광반투과패턴은 차광영역들(BA1, BA2, BA3) 중 상기 제2광반투과패턴과 대응하는 부분을 제외한 나머지 부분과 대응할 수 있다. 이러한 경우, 제3부분(BMa3)과 제1부분(BMa1) 간의 높이 차이, 제3부분(BMa3)과 제2부분(BMa2) 간의 높이차이는, 상기 제1광반투과패턴과 상기 제2광반투과패턴간의 투과율 차이에 의해 발생될 수 있다. 즉, 제3부분(BMa3)의 경우, 제1부분(BMa1) 및 제2부분(BMa2)보다 상대적으로 적은 광량에 의해 경화될 수 있으며, 이에 따라 제3부분(BMa3)과 제1부분(BMa1) 간의 높이 차이, 제3부분(BMa3)과 제2부분(BMa2) 간의 높이차이가 발생할 수 있다.
이외 구체적인 설명은 도 5 내지 도 9의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 13은 본 발명의 다른 예시적 실시예에 따른 표시 장치를 도 2의 L3-L3'선을 따라 절단한 개략적인 단면도, 도 14는 본 발명의 다른 예시적 실시예에 따른 표시 장치를 도 2의 L4-L4'선을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(3)는, 어레이 기판(100b), 어레이 기판(100b)과 대향하는 대향 기판(200a), 어레이 기판(100b)과 대향 기판(200a) 사이에 위치하는 액정층(300)을 포함할 수 있으며, 이외 어레이 기판(100b)과 대향 기판(200a)의 바깥 면에 부착되어 있는 한 쌍의 편광자(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(3)는 도 2 내지 도 4의 설명에서 상술한 표시 장치(도 2 내지 도 4의 1)와는 달리, 차광부재(BMb) 및 간격재(CSb)가 대향 기판(200a) 측에 위치할 수 있다.
어레이 기판(100b)은 차광부재(BMb) 및 간격재(CSb)를 포함하지 않는 점에서 도 2 내지 도 4의 설명에서 상술한 어레이 기판(도 2 내지 도 4의 100)과 차이점이 존재하며, 이외의 구성들은 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서 각 구성에 대한 구체적 설명은 생략한다.
대향 기판(200a)은 제2절연기판(SUB2), 차광부재(BMb) 및 공통전극(CE)를 포함할 수 있다.
제2절연기판(SUB2)은 제1절연기판(SUB1)과 유사하게 투명 절연 기판일 수 있다.
제1절연기판(SUB1)을 향하는 제2절연기판(SUB2)의 일면에는 공통전극(CE)이 위치할 수 있다. 공통전극(CE)은 ITO, IZO 등과 같은 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
공통전극(CE) 상에는 차광부재(BMb)가 위치할 수 있다.
차광부재(BMb)는 제1절연기판(SUB1)의 제1화소영역(PA1) 중, 제1차광영역(BA1)과 중첩할 수 있다. 차광부재(BMb)는 게이트선(GLn), 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(Tr1, Tr2, Tr3)을 가릴 수 있다. 또한 차광부재(BMb)는 제1컨택홀(CT1), 제2컨택홀(CT2) 및 유지전극 컨택홀(CT3)를 가릴 수 있다. 차광부재(BMb)는 차광성 안료, 예컨대 블랙 카본(black carbon) 등의 안료를 포함할 수 있으며, 감광성의 유기 물질을 포함할 수 있다.
간격재(CSb)는 차광부재(BMb) 상에 위치할 수 있으며, 차광부재(BMb)와 직접 접촉할 수 있다. 간격재(CSb)는 어레이 기판(100a)과 직접 접촉할 수 있으며, 어레이 기판(100a)과 대향 기판(200a)간의 갭을 유지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 간격재(CSb)는 차광성 안료를 포함할 수 있으며, 차광부재(BMb)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서 간격재(CSb)는 차광부재(BMb)와 일체로 이루어질 수 있으며, 슬릿 마스크 또는 하트톤 마스크 등을 이용한 단일 포토리소그래피 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서 간격재(CSb)는 박막 트랜지스터와 중첩하도록 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서 간격재(CSb)는 제1 박막 트랜지스터(Tr1), 제2 박막 트랜지스터(Tr2) 및 제3 박막 트랜지스터(Tr3) 중 적어도 어느 하나와 중첩하도록 배치될 수 있다. 도면에는 간격재(CSb)가 제1 박막 트랜지스터(Tr1)와 중첩하는 것으로 도시되어 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이다.
이외의 구성에 대한 설명은 도 2 내지 도 4의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.
도 15는 본 발명의 다른 예시적 실시예에 따른 표시 장치에서, 절연층들, 차광부재, 데이터선들, 차폐전극들 간의 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도, 도 16은 도 5 및 도 15의 M1-M1'선을 따라 절단한 개략적 단면도, 도 17은 도 16에 도시된 차광부재의 일부분을 확대 도시한 사시도, 도 18은 도 5 및 도 16의 M2-M2'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 15 내지 도 18을 참조하면, 상술한 바와 같이 표시 장치(3)의 어레이 기판(100b)은 도 5 내지 도 9의 설명에서 상술한 어레이 기판(도 5 내지 도 9의 100)과 차광부재(BMb)를 포함하지 않는 점에서 차이점이 존재하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일할 수 있다.
예컨대, 제1화소영역(PA1), 제2화소영역(PA2) 및 제3화소영역(PA3)은 제1방향(X 방향)을 따라 나란히 위치할 수 있고, 제1화소영역(PA1)과 제2화소영역(PA2) 사이 및 제2화소영역(PA2)과 제3화소영역(PA3) 사이에는 경계영역(EA)이 위치할 수 있다. 제1화소영역(PA1)의 양측에는 제1데이터선(DLm) 및 제2데이터선(DLm+1)이 위치하고, 제2화소영역(PA2)의 양측에는 제2데이터선(DLm+1) 및 제3데이터선(DLm+2)이 위치하고, 제3화소영역(PA3)의 양측에는 제3데이터선(DLm+2) 및 제4데이터선(DLm+3)이 위치할 수 있다. 여기서 제1데이터선(DLm), 제2데이터선(DLm+1), 제3데이터선(DLm+2) 및 제4데이터선(DLm+3)은 각각 경계영역(EA)에 위치할 수 있다. 그리고, 차폐전극(SHE)은 제2패시베이션층(PA2)을 사이에 두고 각 데이터선들(DLm, DLm+1, DLm+2, DLm+3) 상부에 위치할 수 있다.
제1화소영역(PA1)은 제1차광영역(BA1)을 포함하고, 제2화소영역(PA2)은 제2차광영역(BA2)을 포함하고, 제3화소영역(PA3)은 제1차광영역(BA3)을 포함할 수 있다.
제1화소영역(PA1)에는 제1절연층(ILA1)이 위치할 수 있으며, 제2화소영역(PA2)에는 제2절연층(ILA2)이 위치할 수 있고, 제3화소영역(PA3)에는 제3절연층(ILA3)이 위치할 수 있다.
제1차광영역(BA1)과 제2차광영역(BA2) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2)이 서로 이격될 수 있다. 유사하게, 제2차광영역(BA2)과 제3차광영역(BA3) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제2절연층(ILA2)과 제3절연층(ILA3)이 서로 이격될 수 있다. 또한 도 17에 도시된 바와 같이, 제1차광영역(BA1) 이외의 제1화소영역(PA1)과 제2차광영역(BA2) 이외의 제2화소영역(PA2) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2)이 서로 일부 중첩할 수 있다. 유사하게 제2차광영역(BA2) 이외의 제2화소영역(PA2)과 제3차광영역(BA3) 이외의 제3화소영역(PA3) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제2절연층(ILA2)과 제3절연층(ILA3)이 서로 일부 중첩할 수 있다.
차광부재(BMb)는 어레이 기판(100b)을 향하는 제2절연기판(SUB2)의 일면 상부에 위치할 수 있다. 도면에는 미도시하였으나, 차광부재(BMb)와 제2절연기판(SUB2) 사이에는 공통전극이 위치할 수 있음은 도 13 및 도 14의 설명에서 상술한 바와 같다. 차광부재(BMb)는 제1차광영역(BA1), 제2차광영역(BA2) 및 제3차광영역(BA3)과 중첩하여 배치될 수 있으며, 제1방향(또는 X 방향)을 따라 연장된 형태를 가질 수 있다. 바꾸어 말하면, 차광부재(BMb) 중 제1차광영역(BA1)과 중첩하는 부분, 차광부재(BM) 중 제2차광영역(BA2)과 중첩하는 부분 및 차광부재(BM) 중 제3차광영역(BA3)과 중첩하는 부분은 서로 연결될 수 있으며, 상호 연속할 수 있다.
차광부재(BMb) 중, 제1차광영역(BA1)과 중첩하는 부분을 제1부분(BMb1), 제2차광영역(BA2)과 중첩하는 부분을 제2부분(BMb2), 제1절연기판(SUB1)의 제1차광영역(BA1)과 제2차광영역(BA2) 사이의 경계영역(EA)과 중첩하는 부분을 제3부분(BMb3)이라 정의한다.
제3부분(BMb3)의 양측은 개방된 형태를 가질 수 있다. 보다 구체적으로 도 16에 도시된 바와 같이, 제3부분(BMb3)의 양측은 제2방향(또는 Y 방향)을 따라 개방된 형태를 가질 수 있다.
제2절연기판(SUB2)의 일면(SUB2a)으로부터 제1부분(BMb1)의 상부까지의 최소높이를 제1높이(H1b), 제2절연기판(SUB2)의 일면(SUB2a)으로부터 제2부분(BMb2)의 상부까지의 최소높이를 제2높이(H2b), 제2절연기판(SUB2)의 일면(SUB2a)으로부터 제3부분(BMb3)의 상부까지의 최소높이를 제3높이(H3b)라고 지칭하면, 제3높이(H3b)는 제1높이(H1b) 및 제2높이(H2b) 각각보다 작을 수 있다. 한편, 몇몇 실시예에서, 제1높이(H1b) 및 제2높이(H2b)는 서로 동일할 수도 있다. 또는 다른 실시예에서 제1높이(H1b) 및 제2높이(H2b) 는 서로 상이할 수도 있다. 몇몇 실시예에서 제1절연층(ILA1)의 두께가 제2절연층(ILA2)의 두께 및 제3절연층(ILA3)의 두께보다 두껍게 형성된 경우, 제1높이(H1b)가 제2높이(H2b)보다 더 클 수도 있다.
차광부재(BMb) 상부에는 간격재(CSb)가 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1절연층(ILA1)의 두께가 제2절연층(ILA2)의 두께 및 제3절연층(ILA3)의 두께보다 두껍게 형성된 경우, 간격재(CSb)는 제1절연층(ILA1)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 즉, 간격재(CS)는 제1부분(BMb1) 상에 위치할 수 있으며, 이러한 경우 제2부분(BM2)은 보조간격재의 기능을 가질 수 있다. 또한, 간격재(CSb)를 상대적으로 두꺼운 제1부분(BMb1) 상부에 배치하고 제1절연층(ILA1)과 중첩하도록 배치함으로써, 간격재(CSb) 자체의 두께를 감소시킬 수 있다.
간격재(CSb)는 차광성 안료를 포함할 수 있으며, 차광부재(BM)과 동일 물질로 형성될 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서 간격재(CSb)는 차광부재(BM)와 일체로 이루어질 수 있다. 이러한 경우 간격재(CSb)와 차광부재(BMb)는 1매의 마스크를 이용한 포토리소그래피 공정을 통해 형성될 수 있다.
예시적인 실시예에서 차광부재(BMb)가 네가티브형 감광성 물질로 이루어지는 경우, 광투과패턴, 광차단패턴, 제1광반투과패턴 및 상기 제1광반투과패턴보다 투과율이 낮은 제2광반투과패턴을 포함하는 하프톤 마스크를 이용하여 차광부재(BMb)와 간격재(CSb)를 동시에 형성할 수 있다. 여기서 상기 광투과패턴은 간격재(CSb) 및 제1부분(BM1) 중 간격재(CS)와 중첩하는 부분과 대응하는 패턴이고, 상기 광차단패턴은 차광영역들(BA1, BA2, BA3) 이외의 영역과 대응하는 패턴일 수 있다. 그리고 상기 제2광반투과패턴은 제3부분(BM3b)와 대응하는 패턴일 수 있으며, 상기 제1광반투과패턴은 제1부분(BM1) 중 간격재(CS)와 중첩하지 않는 부분 및 제2부분(BMb2)와 대응하는 패턴일 수 있다. 제3부분(BMb3)의 경우, 제1부분(BMb1) 및 제2부분(BMb2)보다 상대적으로 적은 광량에 의해 경화될 수 있으며, 이에 따라 제3부분(BMb3)과 제1부분(BMb1) 간의 높이 차이, 제3부분(BMb3)과 제2부분(BMb2) 간의 높이차이가 발생할 수 있다.
이외 구체적 설명은 도 5 내지 도 9의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
도 19는 도 15에 도시된 표시 장치의 변형 실시예를 도시한 평면도로서, 절연층들, 차광부재, 데이터선들, 차폐전극들 간의 다른 예시적 배치관계를 개략적으로 도시한 평면도, 도 20은 도 5 및 도 19의 M1-M1'선을 따라 절단한 개략적 단면도, 도 21은 도 5 및 도 19의 M2-M2'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 19 내지 도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(4)는 차광부재(BMb)가 어레이 기판(100c) 측에 위치하지 않는 점에서 도 10 내지 도 12의 설명에서 상술한 어레이 기판(도 10 내지 도 12의 100a)과 차이점이 존재하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일할 수 있다.
즉, 제1차광영역(BA1)과 제2차광영역(BA2) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2)이 서로 일부 중첩할 수 있다. 유사하게, 제2차광영역(BA2)과 제3차광영역(BA3) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제2절연층(ILA2)과 제3절연층(ILA3)이 서로 일부 중첩할 수 있다. 또한 도 20에 도시된 바와 같이, 제1차광영역(BA1) 이외의 제1화소영역(PA1)과 제2차광영역(BA2) 이외의 제2화소영역(PA2) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2)이 서로 일부 중첩할 수 있다. 유사하게 제2차광영역(BA2) 이외의 제2화소영역(PA2)과 제3차광영역(BA3) 이외의 제3화소영역(PA3) 사이의 경계영역(EA)에서는, 제2절연층(ILA2)과 제3절연층(ILA3)이 서로 일부 중첩할 수 있다.
차광부재(BMb)는 도 15 내지 도 18의 설명에서 상술한 바와 동일하다. 구체적으로 차광부재(BMb)는 제1차광영역(BA1)과 중첩하는 제1부분(BMb1), 제2차광영역(BA2)과 중첩하는 제2부분(BMb2), 제1차광영역(BA1)과 제2차광영역(BA2) 사이의 경계영역(EA)과 중첩하는 제3부분(BMb3)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 차광부재(BMb)는 제1부분(BMb1)이 제1절연층(ILA1)과 중첩하고, 제2부분(BMb2)은 제2절연층(ILA2)과 중첩하고, 제3부분(BMb3)은 제1절연층(ILA1)과 제2절연층(ILA2) 간의 중첩부분과 중첩할 수 있다.
이외 구체적 설명은 도 10 내지 도 12의 설명 및 도 15 내지 도 18의 설명에서 상술한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 바, 생략한다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 데이터선을 포함하는 어레이 기판;
    상기 어레이 기판과 대향하는 대향 기판;
    상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 위치하는 액정층; 을 포함하고,
    상기 어레이 기판은,
    제1차광영역을 포함한 제1화소영역, 제1방향을 따라 상기 제1화소영역과 인접하여 위치하고 제2차광영역을 포함한 제2화소영역 및 상기 제1화소영역과 상기 제2화소영역 사이의 경계영역을 포함하는 제1절연기판;
    상기 제1절연기판의 제1차광영역 상에 위치하는 제1절연층;
    상기 제1절연기판의 제2차광영역 상에 위치하는 제2절연층;
    상기 제1절연기판의 제1차광영역 상에 위치하고 상기 제1절연층 상에 위치하는 제1부분, 상기 제1절연기판의 제2차광영역 상에 위치하고 상기 제2절연층 상에 위치하는 제2부분 및 상기 제1절연기판의 상기 경계영역 상에 위치하고 상기 제1부분 및 상기 제2부분과 연결된 제3부분을 포함하는 차광부재;
    상기 차광부재 상에 위치하고 상기 대향 기판과 접촉하는 간격재; 를 포함하고,
    상기 제3부분은 상기 데이터선과 중첩하고,
    상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제3부분 상면까지의 최소높이는,
    상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제1부분 상면까지의 최소높이 및 상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제2부분 상면까지의 최소높이보다 작고,
    상기 제1절연층과 상기 제2절연층은 상기 경계영역에서 서로 분리되어 있고,
    상기 제3부분은 상기 제1절연층과 상기 제2절연층 사이의 공간 내에 위치하고,
    상기 제1절연층과 상기 제2절연층은 상기 데이터선과 비중첩하고,
    상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제1부분 상면까지의 최소높이는, 상기 제1절연기판의 상면으로부터 상기 제2부분 상면까지의 최소높이보다 높고,
    상기 간격재는 상기 제1부분 상에 위치하는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 간격재는 차광성 안료를 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 간격재는, 상기 차광부재와 일체로 이루어진 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1부분은, 상기 제1방향을 따라 상기 제3부분의 일측에 위치하고,
    상기 제2부분은, 상기 제1방향을 따라 상기 제3부분의 타측에 위치하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제3부분은,
    상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 양측이 개방된 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1절연층은 제1색안료를 포함하고,
    상기 제2절연층은 상기 제1색안료와는 상이한 제2색안료를 포함하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1색안료는, 청색안료인 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 어레이 기판은,
    상기 제1절연기판의 제1차광영역 상에 위치하는 박막 트랜지스터; 를 더 포함하고,
    상기 간격재는, 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 표시 장치.
  11. 데이터선을 포함하는 어레이 기판;
    상기 어레이 기판과 대향하는 대향 기판;
    상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 위치하는 액정층; 을 포함하고,
    상기 어레이 기판은,
    제1차광영역을 포함한 제1화소영역, 제1방향을 따라 상기 제1화소영역과 인접하여 위치하고 제2차광영역을 포함한 제2화소영역 및 상기 제1화소영역과 상기 제2화소영역 사이에 위치하는 경계영역을 포함하는 제1절연기판; 을 더 포함하고,
    상기 대향 기판은,
    제2절연기판;
    상기 어레이 기판과 대향하는 상기 제2절연기판의 일면에 위치하고 상기 제1차광영역 및 상기 제2차광영역과 중첩하는 차광부재;
    상기 차광부재 상에 위치하고 상기 어레이 기판과 접촉하는 간격재; 를 포함하고,
    상기 차광부재는,
    제1부분, 상기 제1부분과 상이한 제2부분, 상기 제1부분 및 상기 제2부분과 상이한 제3부분을 포함하고,
    상기 제3부분은 상기 데이터선과 중첩하고,
    상기 어레이 기판은,
    상기 제1절연기판의 제1차광영역 상에 위치하고 상기 제1부분과 중첩하는 제1절연층과, 상기 제1절연기판의 제2차광영역 상에 위치하고 상기 제2부분과 중첩하는 제2절연층을 포함하고,
    상기 제3부분은 상기 경계영역과 중첩하고,
    상기 제1절연층 및 상기 제2절연층은 상기 데이터선과 비중첩하고,
    상기 제2절연기판의 일면으로부터 상기 제3부분 상면까지의 최소높이는,
    상기 제2절연기판의 일면으로부터 상기 제1부분 상면까지의 최소높이 및 상기 제2절연기판의 일면으로부터 상기 제2부분 상면까지의 최소높이보다 작고,
    상기 제2절연기판의 일면으로부터 상기 제1부분 상면까지의 최소높이는 상기 제2절연기판의 일면으로부터 상기 제2부분 상면까지의 최소높이보다 높고,
    상기 간격재는 상기 제1부분 상에 위치하는 표시 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1부분은, 상기 제1방향을 따라 상기 제3부분의 일측에 위치하고,
    상기 제2부분은, 상기 제1방향을 따라 상기 제3부분의 타측에 위치하는 표시 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제3부분은,
    상기 제1방향과 교차하는 제2방향을 따라 양측이 개방된 표시 장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 간격재는 차광성 안료를 포함하는 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 간격재는 상기 차광부재와 일체로 이루어진 표시 장치.
  18. 삭제
  19. 제11항에 있어서,
    상기 제1절연층은 제1색안료를 포함하고,
    상기 제2절연층은 상기 제1색안료와는 상이한 제2색안료를 포함하는 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1색안료는, 청색안료인 표시 장치.
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