DE102016110847A1 - Leitungsintegrierter Schalter und Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters - Google Patents

Leitungsintegrierter Schalter und Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters Download PDF

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Abstract

Leitungsintegrierter Schalter mit zumindest einem ersten metallischen Flachteil 2, zumindest einen zweiten metallischen Flachteil 8, wobei die Flachteile in einem Überlappungsbereich mit ihren breiten Seiten übereinander angeordnet sind und in dem Überlappungsbereich ein Halbleiterschalter 18 zwischen den Flachteilen 2, 8, die Flachteile 2, 8 schaltend miteinander verbindend, angeordnet ist. Ein einfacher Aufbau ist dadurch möglich, dass zumindest im Überlappungsbereich ein erstes der Flachteile 2 auf einer dem zweiten der Flachteile 8 zugewandten Seite zumindest teilweise mit einer Isolation beschichtet ist, wobei in der Isolation in einem Kontaktbereich 10 eine Ausnehmung vorgesehen ist und der Halbleiterschalter 18 in dem Kontaktbereich 10 mit dem Flachteil 8 elektrisch kontaktiert ist.

Description

  • Der Gegenstand betrifft einen leitungsintegrierten Schalter sowie ein Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters.
  • Im automotiven Einsatzbereich werden zunehmend Flachteile, insbesondere Flachleiter eingesetzt. Insbesondere die Batterieplusleitung wird vermehrt durch ein sogenanntes Backbone-Kabel gebildet. Ein solches Kabel hat häufig einen Flachleiter und erstreckt sich entlang der Längsachse eines Fahrzeugs. Entlang des Verlaufs des Kabels kann es elektrische Abzweigungen geben. Diese Abzweigungen sind bisher dauerhaft mit dem Flachleiter verbunden. Ein Schalten von solchen Abzweigungen ist bisher nicht möglich, jedoch häufig erwünscht.
  • Aus diesem Grunde lag dem Gegenstand die Aufgabe zugrunde, einen leitungsintegrierten Schalter zur Verfügung zu stellen, welcher kleinbauend ist und insbesondere in automotiven Anwendungen einsetzbar ist.
  • Diese Aufgabe wird gegenständlich durch einen leitungsintegrierten Schalter nach Anspruch 1 sowie ein Verfahren nach Anspruch 14 gelöst.
  • Der gegenständliche leitungsintegrierte Schalter wird vorzugsweise in automotiven Anwendungen zum Einsatz kommen, insbesondere in Verbindung mit einer Batterieleitung. Gegenständlich sind ein erstes und ein zweites Flachteil vorgeschlagen. Die beiden Flachteile können beispielsweise als Anschlussteile für Flachleiter oder sonstige elektrische Leiter gebildet sein. Auch ist es möglich, dass zumindest eines der Flachteile als Flachleiter gebildet ist. Ein solcher Flachleiter kann beispielsweise insbesondere aus einem Vollmaterial gebildet sein und als Batterieleitung, insbesondere als Energieleitung, innerhalb eines Kraftfahrzeugs dienen. Der Leitungsquerschnitt von Flachteilen ist in der Regel dazu ausgelegt, Ströme von mehr als 10 Ampere dauerhaft zu tragen.
  • Gegenständlich wird vorgeschlagen, dass die Flachteile einen Überlappungsbereich aufweisen. In diesem Überlappungsbereich liegen die Flachteile übereinander. Insbesondere liegen die Flachteile mit ihren breiten Seiten übereinander.
  • Zum Schalten der Verbindung zwischen den beiden Flachleitern wird vorgeschlagen, dass in dem Überlappungsbereich ein Halbleiterschalter zwischen den Flachteilen, die Flachteile schaltend miteinander verbindend, angeordnet ist. Ein solcher Halbleiterschalter kann ein MOSFET, IGBT oder dergleichen sein. Der Halbleiterschalter kann als Transistor, Thyristor, Triac der dergleichen gebildet sein. Ein Halbleiterschalter zeichnet sich dadurch aus, dass er über einen Schaltkontakt eine Verbindung zwischen zwei Leitungskontakten, z. B. Drain und Source, schalten kann. Die Spannung zwischen dem Schaltkontakt und einem der Leitungskontakte, z. B. Source kann maßgeblich dafür sein, ob die Verbindung zwischen den Leitungskontakten elektrisch leitend wird oder nicht.
  • Durch den Einsatz des leitungsintegrierten Schalters in einem Bordnetz ist es beispielsweise möglich, von einer zentralen Stelle aus verschiedenste Abgänge von einem ersten Flachleiter zu zumindest einem zweiten Flachleiter bedarfsgerecht zu schalten. Dies kann insbesondere für das Batterie- und Energiemanagement innerhalb des Kraftfahrzeugs sinnvoll sein. Auch aus sicherheitstechnischen Gründen kann ein bedarfsweises Schalten von einzelnen Abzweigungen eines Hauptenergiestrangs sinnvoll sein.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel können sich die Längsachsen der Flachteile im Überlappungsbereich kreuzen. Dabei können die Längsachsen beispielsweise winklig, insbesondere in einem rechten Winkel zueinander liegen. D. h., dass ein zweites Flachteil von einem ersten, als Batterieleitung gebildeten Flachteil winklig, vorzugsweis rechtwinklig abzweigen kann. Dies ermöglicht es, eine sehr flexible Verteilstruktur innerhalb eines Bordnetzes zu realisieren.
  • Um die Verbindung zwischen den beiden Flachteilen schaltbar zu machen, wird vorgeschlagen, dass zumindest im Überlappungsbereich ein erstes der Flachteile auf einer dem zweiter der Flachteile zugewandten Seite zumindest teilweise mit einer Isolation beschichtet ist, wobei in der Isolation in einem Kontaktbereich eine Ausnehmung vorgesehen ist und der Halbleiterschalter in dem Kontaktbereich mit dem Flachteil elektrisch kontaktiert ist. Durch die Isolation wird eine unmittelbare Verbindung zwischen den Flachteilen untereinander verhindert. Der Halbleiterschalter ist in dem Kontaktbereich mit dem ersten Flachteil verbunden und kann beispielsweise mit einem zweiten Anschluss mit dem zweiten Flachteil verbunden werden. Hierdurch lässt sich der Halbleiterschalter zwischen den beiden Flachleiten elektrisch anordnen und kann die elektrische Verbindung zwischen diesen beiden schalten.
  • Ein Halbleiterschalter kann im Bereich einer Oberseite seines Gehäuses und/der im Bereich einer Unterseite seines Gehäuses zumindest im Bereich eines Kontaktes metallisch, insbesondere metallisch beschichtet, sein. Insbesondere ist es möglich, an einer Unterseite, vorzugsweise planparallel zueinander, zwei Kontakte insbesondere einen Schaltkontakt auch einen Leitungskontakt an dem Halbleiterschalter vorzusehen. Der zweite Leitungskontakt kann auf der Oberseite des Halbleiterschalters vorgesehen sein. In diesem Fall kann der Halbleiterschalter sandwichartig zwischen den beiden Flachteilen angeordnet sein.
  • Heutzutage werden Halbleiterschalter in der Regel so gebaut, dass die Flächen von sowohl dem Schaltkontakt als auch der beiden Leitungskontakte möglichst in einer Ebene im Bereich einer ersten Oberfläche liegen. Für die gegenständliche Anwendung kann es notwendig sein, dass einer der beiden Leitungskontakte elektrisch an einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweite Oberfläche des Halbleiterschalters geführt ist. Dies kann erreicht werden, dass der zweite Leitungskontakt in Form einer elektrischen Beschichtung des Halbleiterschalters als Kühlkörper geformt ist. Dieser Kühlkörper kann gegenständlich dafür verwendet werden, mit einem Flachteil elektrisch verbunden zu werden, um somit den sandwichartigen Aufbau zwischen den beiden Flachteilen und dem Halbleiterschalter zu realisieren.
  • Für eine gute elektrische Verbindung zwischen dem Flachteil und dem Halbleiterschalter ist der Halbleiterschalter in dem Kontaktbereich mit dem ersten Flachteil verlötet. Hierbei ist es vorteilhaft, wenn der Kontaktbereich verzinnt ist.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird vorgeschlagen, dass das erste Flachteil mit einem zumindest dreilagigen Aufbau beschichtet ist, wobei eine leitende Schicht zwischen zwei Isolationsschichten geführt ist.
  • Bei diesem dreiteiligen Aufbau können die jeweiligen Schichten haftend und/oder klebend miteinander verbunden sein. Dabei ist es insbesondere sinnvoll, wenn eine erste, unmittelbar auf dem Flachteil aufgebrachte Schicht ein aus einem Leiterplattenmaterial gebildet ist. Das Leiterplattenmaterial kann insbesondere ein sogenanntes Prepreg (Preimpregnated Fibers) sein. Dieses Material ist in der Regel das Trägermaterial für Leiterbahnen. Das Leiterplattenmaterial kann klebend unmittelbar auf dem Flachteil aufgebracht werden.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird vorgeschlagen, dass auf das Leiterplattenmaterial eine leitende Schicht aufgebracht ist. Die leitende Schicht ist vorzugsweise eine Kupferschicht. Die leitende Schicht ist dabei vorzugsweise so behandelt, dass sie Leiterbahnen bildet. Dies kann insbesondere durch ein herkömmliches Herstellungsverfahren für Leiterplatten erfolgen, indem ein Belichten und Ätzen der Kupferschicht erfolgt, so dass Leiterbahnen aus der Kupferschicht gebildet werden können.
  • Anschließend können die Leiterbahnen bzw. die leitende Schicht mit einer Schutzschichtversehen sein, insbesondere einem Lötstopplack, wie dies gemäß einem Ausführungsbeispiel vorgeschlagen ist.
  • Die Schutzschicht kann so gestaltet sein, dass insbesondere Kontaktpads und Lötpads für diskrete Bauteile frei von dem Schutzlack sind und das Material der leitenden Schicht freigeben. Dann kann hierauf ein diskretes Bauteil aufgelötet werden. Insbesondere ist es sinnvoll, wenn auf der leitenden Schicht ein Kontaktpad für einen Schaltkontakt des Halbleiterschalters gebildet ist.
  • Der Kontaktbereich kann so beschichtet sein, dass er im Wesentlichen in der Ebene abschließt, die durch die leitende Schicht und/oder die Schutzschicht gebildet ist. Dabei kann der Kontaktbereich metallisch so beschichtet werden, dass die metallische Beschichtung stets beabstandet von der leitenden Schicht ist. Insbesondere ist es möglich, durch gezieltes Beschichten den Kontaktbereich umlaufend beabstandet zu dem dreilagigen Aufbau zu gestalten. Hierdurch wird verhindert, dass ein Kurzschluss zwischen dem Kontaktbereich und der leitenden Schicht die Funktion des Halbleiterschalters bzw. des leitungsintegrierten Schalters beeinträchtigt.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird der Halbleiterschalter mit einem Leiterkontakt, insbesondere einem Source- oder Drainkontakt mit dem Kontaktbereich in Verbindung gebracht und gleichzeitig mit seinem Schaltkontakt, insbesondere seinem Gatekontakt mit einem Kontaktpad auf der leitenden Schicht. Andere, vorzugsweise nichtleitende Teile des Gehäuses des Halbleiterschalters können auf der Schutzschicht aufliegen.
  • Insbesondere kann ein Halbleiterschalter zum Einsatz kommen, bei dem in einer Ebene beide Leitungskontakte (insbesondere Source, Drain) und der Schaltkontakt (insbesondere Gate) angeordnet sind. Wird ein solcher Halbleiterschalter auf das erste Flachteil aufgelegt, so kommen ein Leiterkontakt in unmittelbare Verbindung mit dem Kontaktbereich und der Schaltkontakt in unmittelbarer Verbindung mit dem Kontaktpad auf der leitenden Schicht. Diese unmittelbaren Verbindungen werden mittels Löten hergestellt.
  • Der zweite Leiterkontakt, der in der Ebene des ersten Leiterkontaktes liegt, wird gemäß einem Ausführungsbeispiel auf der Isolationsschicht abgesetzt. Die Isolationsschicht und/oder die leitende Schicht bzw. die Leiterbahn der leitenden Schicht kann so gestaltet sein, dass in dem Bereich, in dem dieser zweite Leiterkontakt auf der Isolationsschicht aufliegt, kein Kontakt mit der Leiterbahn bzw. dem Flachteil möglich ist. Somit ist dieser Leiterkontakt an seiner Auflagefläche gegenüber dem Flachteil isoliert.
  • Ein Halbleiterschalter kann zu Kühlungszwecken den zweiten Leiterkontakt über ein Gehäuseteil auf seine dem ersten Leiterkontakt gegenüberliegende Oberfläche überführen. Diese Oberfläche liegt gegenüber der Oberfläche, auf der der erste Leiterkontakt und der Schalterkontakt sind. Diese Oberfläche kann dazu genutzt werden, den Halbleiterschalter mit seinem zweiten Leiterkontakt mit dem zweiten Flachteil, insbesondere dessen Anschlussbereich, in Kontakt zu bringen, wie nachfolgend beschrieben wird.
  • Es ist jedoch auch möglich, dass ein Halbleiterschalter unmittelbar seine beiden Leiterkontakte auf einander gegenüberliegenden Oberflächen hat und das Abstützen des zweiten Leiterkontakts, wie zuvor beschrieben, nicht notwendig ist.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird vorgeschlagen, dass das zweite Flachteil zumindest im Überlappungsbereich metallisch beschichtet ist. Diese metallische Beschichtung kann eine Zinn Beschichtung sein. Die metallische Beschichtung kann einen Anschlussbereich bilden. Insbesondere ist dieser Anschlussbereich auf der Oberfläche des zweiten Flachteils, welche im verbundenen Zustand dem ersten Flachteil zugewandt ist. Somit liegen Kontaktbereich und Anschlussbereich an einander zuwandten Seite des ersten und zweiten Flachteils.
  • Der Halbleiterschalter ist mit dem zweiten Flachteil in dem Anschlussbereich elektrisch kontaktiert. Insbesondere ist einer der Leiterkontakte des Halbleiterschalters in dem Anschlussbereich elektrisch kontaktiert. Diese elektrische Kontaktierung kann insbesondere mittels Löten erfolgen. Somit bildet der Halbleiterschalter eine Verbindung zwischen den beiden Flachteilen, welche über den Schaltkontakt schaltbar ist. Über eine geeignete Ansteuerung des Schaltkontakt über die Leiterbahnen der leitenden Schicht können nunmehr die elektrische Verbindung zwischen den beiden Flachteilen ein- und ausgeschaltet werden.
  • Vorteilhafterweise sind mehrere Halbleiterschalter parallel zwischen zwei Flachteilen in der beschriebenen Art und Weise angeordnet, so dass deren Stromtragfähigkeit ausreichend ist, um den Gesamtstrom, der zwischen den beiden Flachteilen fließt, zu tragen. Auch wird die Verlustleistung in jedem einzelnen Halbleiterschalter geringer, so dass die in jedem Halbleiterschalter erzeugte Verlustwärme ausreichend abgeführt werden kann. Dies ist insbesondere dann sinnvoll, wenn die Flachteile im Bereich der Energieleitungen, insbesondere im Bereich einer Batterieleitung zum Einsatz kommen.
  • Die Flachteile können auch in Flachkabeln, beispielsweise B+, oder eine B– Kabeln, eingesetzt sein. Auch können Kabel zweiadrig oder mehradrig sein, wobei jede Ader durch ein Flachteil gebildet sein kann. An einander gegenüberliegenden Seiten des Kabels kann jeweils eines der Flachteile mit einem dritten Flachteil in der beschriebenen weise über einen Halbleiterschalter verbunden sein. Somit können Abgänge von beiden Adern, insbesondere einer Plusleitung und einer Minusleitung, sehr leicht gestaltet werden.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel wird vorgeschlagen, dass zumindest im Überlappungsbereich das zweite Flachteil auf der dem ersten Flachteil zugewandten Seite mit einem Isolator, insbesondere einem Isolationslack beschichtet ist. Auch das zweite Flachteil ist vorzugsweise isolierend beschichtet, so dass eine Kontaktierung des zweiten Flachteils mit dem ersten Flachteil oder mit diskreten Bauelementen, welche auf der Leiterbahn der leitenden Schicht aufgelötet sind, verhindert wird.
  • Die Flachteile sind vorzugsweise aus Aluminiumwerkstoff gebildet. Insbesondere E-Aluminium, beispielsweise Aluminium 99,5 kann zum Einsatz kommen. Das Aluminium ist vorzugsweise weichgeglüht, so dass eine gute plastische Verformbarkeit gegeben ist. Auch ist es möglich, dass zumindest eines der Flachteile aus einem Kupferwerkstoff gebildet ist. Je nach Einsatzbereich, kann auch ein Flachteil aus Kupferwerkstoff und ein Flachteil aus Aluminiumwerkstoff gebildet sein.
  • Insbesondere der Anschlussbereich auf dem zweiten Flachteil, jedoch auch der Kontaktbereich kann mittels Walzplattieren auf dem Flachteil vorgesehen sein. So ist es möglich, dass ein Kontaktpad mittels Walzplattieren auf das Flachteil aufgewalzt wird.
  • Vorzugsweise sind die Längsachsen der Flachteile im Bereich des Überlappungsbereichs parallel bzw. gleichgerichtet zueinander. Dies ist dann sinnvoll, wenn im Verlauf eines Flachleiters, insbesondere im Längsverlauf eines Flachleiters, ein Schaltelement vorgesehen sein soll. Dann kann der Flachleiter durch das erste und zweite Flachteil gebildet sein, welche zueinander durch den Halbleiterschalter schaltbar verbunden sind.
  • In diesem Zusammenhang ist auch erwähnt, dass es sinnvoll sein kann, wenn die Flachteile als Anschlusselemente, beispielsweise als Crimpanschlüsse, Anschlusslaschen, Anschlüsse mit Bolzen, Anschlüsse mit Bohrungen oder dergleichen gebildet sind. Dann kann es sinnvoll sein, wenn beispielsweise an einem Ende eines Flachleiters der Halbleiterschalter mit einem als Anschlusselement gebildeten Flachteil angeschlossen ist. In diesem Fall können auch die Längsachsen des Flachleiters, der das erste Flachteil bildet und des Anschlusselements, welches das zweite Flachteil bildet, parallel zueinander sein.
  • Insbesondere sind die Leitungskontakte des Halbleiterschalters einerseits mit dem Kontaktbereich und andererseits mit dem Anschlussbereich verbunden. Das bedeutet, dass ein erster Leitungskontakt, beispielsweise Source, mit dem Kontaktbereich oder dem Anschlussbereich verbunden ist und der jeweils korrespondierende, dazu zweite Leitungskontakt, beispielsweise Drain, entweder mit dem Kontaktbereich oder dem Anschlussbereich verbunden ist. Dann ist es möglich, durch Aktivierung über den Schaltkontakt, eine leitende Verbindung zwischen den beiden Leitungskontakten herzustellen und somit auch eine leitende Verbindung zwischen dem Kontaktbereich und dem Anschlussbereich, mithin zwischen den beiden Flachteilen.
  • Ein weiterer Aspekt ist ein Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters, insbesondere eines zuvor beschriebenen leitungsintegrierten Schalters. Es ist erkannt worden, dass der Kontaktbereich und der Anschlussbereich voneinander unterschiedliche Wärmekapazitäten aufweisen. Insbesondere kann aufgrund der Konstruktion des Anschlussbereichs dessen Wärmekapazität höher sein, als die des Kontaktbereichs. In diesem Fall kann es sinnvoll sein und wird vorgeschlagen, dass zunächst ein erster Anschluss eines Halbleiterschalters mit dem Anschlussbereich verbunden wird. Hierbei eignet sich insbesondere ein Löten.
  • Bei dem Verbinden des Anschlussbereiches mit dem ersten Anschluss des Halbleiterschalters ist es sinnvoll, wenn ein erster Energieeintrag erfolgt, welcher zum Verlöten des Anschlussbereichs mit dem ersten Anschluss ausreichend ist. Anschließend kann ein Kontaktbereich eines zweiten Flachteils mit einem zweiten Anschluss eines Halbleiterschalters verbunden werden. Auch hier kann insbesondere ein Löten erfolgen. In diesem Fall kann es sinnvoll sein, dass dieses Verbinden mit einem zweiten Energieeintrag erfolgt, welcher geringer ist als der erst Energieeintrag.
  • Insbesondere kann der Kontaktbereich eine geringere Wärmekapazität als der Anschlussbereich aufweisen. Dies kann insbesondere aus dem Grund sein, dass auf dem Flachteil mit dem Kontaktbereich die Isolationsschicht und die leitende Schicht aufgebracht sind, die zu einem gewissen Grad wärmeisolierend sind. In diesem Fall kann es ausreichend sein, eine geringere Heizenergie in den Kontaktbereich einzubringen, um ein Verlöten zu ermöglichen.
  • Um den Ausschuss in dem Herstellungsverfahren möglichst gering zu halten, kann es sinnvoll sein, die elektrische Verbindung zwischen dem Halbleiterschalter und dem Anschlussbereich vor dem Verbinden mit dem Kontaktbereich elektrisch zu prüfen. Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass ein Leiterkontakt und ein Schaltkontakt des Halbleiterschalters mit Testanschlüssen beaufschlagt werden, wohingegen ein zweiter Leiterkontakt bereits mit dem Anschlussbereich verbunden ist. Eine Verbindung zwischen dem ersten Leiterkontakt und dem zweiten Leiterkontakt kann dadurch geprüft werden, dass über den Schaltkontakt eine leitende Verbindung zwischen den Leiterkontakten erzeugt wird und somit ein leitender Übergang zwischen dem zweiten Leiterkontakt und dem Flachteil vorliegt.
  • Nachfolgend wird der Gegenstand anhand einer Ausführungsbeispiele zeigenden Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigen:
  • 1a eine Draufsicht auf ein erstes Flachteil mit einem Anschlussbereich gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 1b ein Schnitt durch ein Flachteil gemäß 1a;
  • 2a eine Draufsicht auf ein zweites Anschlussbereich mit einem Kontaktbereich;
  • 2b ein Schnitt durch das zweite Flachteil gemäß 2a;
  • 3 ein Schnitt durch ein leitungsintegriertes Schaltelement mit den Flachteilen gemäß 1a und 2a sowie einem Halbleiterschalter gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 4 eine Ansicht eines leitungsintegrierten Schalters mit zwei Anschlüssen gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 5 eine Schnittansicht eines leitungsintegrierten Schalters gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 6 eine Ansicht einer Verbindung zweier Flachteile mit einem leitungsintegrierten Schalter gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 7 eine Draufsicht auf einen Flachleiter mit verschiedenen Abgängen mit jeweils leitungsintegrierten Schalters gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 8 eine Schnittansicht einer Flachleitung mit gegenüberliegend angeordneten leitungsintegrierten Schaltern gemäß einem Ausführungsbeispiel;
  • 9 eine Schnittansicht eines Doppelleiters mit jeweils einem leitungsintegrierten Schalter an jeweils einem der Leiter gemäß einem Ausführungsbeispiel.
  • 1 zeigt ein erstes Flachteil 2 in einer Draufsicht. Das erste Flachteil 2 kann beispielsweise aus einem Kupferwerkstoff oder einem Aluminiumwerkstoff sein. In einem zentralen Bereich des Flachteils 2 kann ein Anschlussbereich 4 vorgesehen sein. Der Anschlussbereich 4 kann beispielsweise eine metallische Beschichtung auf dem Flachteil 2 sein. Insbesondere kann der Anschlussbereich 4 mittels Walzplattierung als metallische Beschichtung auf das Flachteil 2 aufgebracht worden sein. Bei der Verwendung eines Aluminiumwerkstoffs für das Flachteil 2 kann der Anschlussbereich 4, beispielsweise ein Kupferelement oder ein Zinnelement, auf das Flachteil 2 walzplattiert sein.
  • 1b zeigt den Schnitt Ib durch das Flachteil 2. Zu erkennen ist, dass das Flachteil 2 aus einem Vollmaterial gebildet ist. Ferner ist zu erkennen, dass das Flachteil 2 eine erheblich größere Materialstärke hat, als die metallische Beschichtung des Anschlussbereiches 4. Insbesondere ist die Materialstärke des Flachteils 2 zumindest das Zehnfache der Materialstärke des Anschlussbereiches 4. Auf dem Flachteil 2 kann eine Isolationsschicht 6 aufgebracht sein. Auch die Materialstärke der Isolationsschicht 6 kann ein Zehntel oder weniger als die Materialstärke des Flachteils 2 sein. Auch ist zu erkennen, dass der Anschlussbereich 4 frei von der Isolationsschicht 6 ist.
  • Das Flachteil 2 kann in seiner Längserstreckung zwischen zwei und zehn Zentimeter lang sein und beispielsweise als Anschlusselement gebildet sein oder als Flachleiter eine Länge von mehreren zehn Zentimetern bis über einen Meter haben. Dies ist insbesondere dann sinnvoll, wenn das Flachteil 2 als Energy Backbone in einem Bordnetz zum Einsatz kommt.
  • Die Ausführungen zu dem Material, der Struktur und der Ausdehnung zu dem Flachteil 2 gelten sinngemäß auch für das Flachteil 8, welches in der 2a gezeigt ist.
  • 2a zeigt ein zweites Flachteil 8 in einer Draufsicht. Das zweite Flachteil 8 weist einen Kontaktbereich 10 auf. Der Kontaktbereich 10 ist unmittelbar auf dem Werkstoff des Flachteils 8 aufgebracht. Der Kontaktbereich 10 kann insbesondere eine oben bereits beschriebene metallische Beschichtung sein.
  • Auf einer Leiterplattenschicht 12 kann an dem Flachteil 8 mit einer leitenden Schicht 14 eine Leiterbahn bzw. Leiterbahnen in der Form einer gedruckten Schaltung (Printed Circuit Board PCB) aufgebracht sein. Hierbei können diskrete elektrische und elektronische Bauelemente an der gedruckten Schaltung angeordnet sein.
  • 2b zeigt den Schnitt durch das Flachteil 8 gemäß 2a. Zu erkennen ist, dass auf dem Material des Flachteils 8 zunächst eine Leiterplattenschicht 12 aufgebracht ist.
  • Die Leiterplattenschicht 12 kann auf dem Flachteil 10 aufgeklebt oder in einer sonstigen Weise verliersicher angebracht sein. Über der Leiterplattenschicht 12 kann eine leitende Schicht 14 aufgebracht sein. Die leitende Schicht 14 ist vorzugsweise eine Kupferschicht. Mit der leitenden Schicht 14 kann die in der 2a gezeigte gedruckte Schaltung aufgebaut werden. Hierzu können herkömmliche Verfahren zum Erstellen von PCBs zum Einsatz kommen. Über der leitenden Schicht 14 ist eine Isolationsschicht 16 vorgesehen.
  • In der 2b ist zu erkennen, dass der Kontaktbereich 10 mit einem Spalt beabstandet von zumindest der leitenden Schicht 14 auf den Flachteil 8 aufgebracht ist. Die Höhe des Kontaktbereichs 10 kann so gewählt sein, dass dieser vorzugsweise in einer gleichen Ebene wie die Isolationsschicht 16 oder die leitende Schicht 12 abschließt. Insbesondere wenn Kontaktbereichs 10 und leitenden Schicht 14 planparallel zueinander sind, kann ein Halbleiterschalter 18 auf das Flachteil 8 aufgesetzt werden und mit einem Leiterkontakt mit dem Kontaktbereich 10 elektrisch verbunden werden und mit einem Schaltkontakt mit der Leiterplattenschicht 12, ohne dass mechanische Spannungen den Halbleiterschalter 18 belasten.
  • Die Leiterplattenschicht 12 ist so gestaltet, dass im Bereich der Grenze zwischen der Leiterplattenschicht 12 und dem Kontaktbereich 10 ein Kontaktpad vorgesehen ist, auf dem ein Schaltkontakt des Halbleiterschalters aufgesetzt und elektrisch kontaktiert werden kann. Somit lässt sich der Schaltkontakt des Halbleiterschalters über die Schaltung der Leiterplattenschicht 12 ansteuern und die leitende Verbindung zwischen den beiden Leiterkontakten des Halbleiterschalters herstellen.
  • Die Isolationsschicht 16 als auch die leitende Schicht 14 haben insbesondere eine Materialstärke, die zumindest ein Zehntel der Materialstärke des Flachteils 8 und/oder der Leiterplattenschicht 12 ist.
  • 3 zeigt die Flachteile 2 und 8 in einer Schnittansicht, entsprechend den 2b und 1b. Zwischen den Flachteilen 2 und 8 ist ein Halbleiterschalter 18 angeordnet. Der Halbleiterschalter 18 hat, repräsentativ für Leiterkontakte von Halbleiterschaltern, einen Sourcekontakt 20 und einen Drainkontakt 22. Darüber hinaus hat der Halbleiterschalter 18, repräsentativ für einen Schaltkontakt von Halbleiterschaltern, einen Gatekontakt 24. Zu erkennen ist, dass Sourcekontakt 20, Drainkontakt 22 und Gatekontakt 24 im Wesentlichen in einer Ebene zueinander liegen.
  • Innerhalb einer Ebene sind einer der Leiterkontakte, vorliegend der Drainkontakt 22 und der Schaltkontakt, vorliegend der Gatekontakt 24 elektrisch leitende mit dem Kontaktbereich 10, respektive der leitenden Schicht 14 verbunden. Zu erkennen ist dies durch Lötkontaktstellen 26.
  • Der Gatekontakt 24 ist über eine Lötkontaktstelle 26 mit einem Kontaktpad auf der leitenden Schicht 14 elektrisch leitend verbunden. Ungefähr in der gleichen Ebene ist der Drainkontakt 22 über eine Lötkontaktstelle 26 mit dem Kontaktbereich 10 elektrisch leitend verbunden. Der Drainkontakt 22 ist dabei vorzugsweise derart, dass dieser unmittelbar über dem Kontaktbereich 10 im verbundenen Zustand liegt. Eine Verbindung zwischen dem Drainkontakt 22 und der leitenden Schicht 14 ist vorzugsweise durch einen umlaufenden Spalt zwischen dem Kontaktbereich 10 und der leitenden Schicht 14 verhindert.
  • Auf der gegenüberliegenden Seite des Drainkontaktes 22 kann ein Sourcekontakt 20 vorgesehen sein. In der Darstellung, welche jedoch rein beispielhaft ist, kann dies dadurch erfolgen, dass der Sourcekontakt 20 aus der Ebene mit dem Drainkontakt 22 und dem Gatekontakt 24 über eine Gehäuseabdeckung des vergossenen Halbleitermaterials des Halbleiterschalters 18 auf die gegenüberliegende Seite des Halbleiterschalters 18 geführt ist.
  • Halbleiterschalter können mit solchen Kühlelementen als Gehäuseelementen ausgestattet sein und erlauben so, eine Kontaktierung eines der Leiterkontakte über das Kühlelement.
  • In einer solchen Konstellation liegen die Sourcekontakte 20, die in der Ebene mit dem Drainkontakt 22 und dem Gatekontakt 24 sind, auf der Isolationsschicht 16 auf. Dies führt zu einer Stabilisierung des Halbleiterschalters 18 zwischen den Flachteilen 2 und 8.
  • Der Sourcekontakt 22 ist über eine Lötkontaktstelle 26 mit dem Anschlussbereich 4 elektrisch leitend verbunden.
  • Bei der Herstellung wird vorzugsweise zunächst die Verbindung zwischen dem Anschlussbereich 4 und dem Sourcekontakt 20 hergestellt. Hierbei wird der Halbleiterschalter 18 mit dem Sourcekontakt 20 auf dem Anschlussbereich 4 liegend in einen Lötofen verbracht und dort wird die Lötkontaktstelle 26 zwischen dem Anschlussbereich 4 und dem Sourcekontakt 20 hergestellt. Anschließend kann diese Verbindung elektrisch geprüft werden, in dem durch Aktivierung des Gatekontaktes 24 eine leitenden Verbindung zwischen dem Sourcekontakt 20 und dem Drainkontakt 22 hergestellt wird und überprüft wird, ob der Drainkontakt 22 elektrisch leitend mit dem Flachteil 2 verbunden ist.
  • Anschließend, wenn die Überprüfung erfolgreich war, kann das Flachteil 8 mit seinem Kontaktbereich 10 an dem Drainkontakt 22 positioniert werden und mit dem Kontaktpad für den Gatekontakt 24 in Verbindung gebracht werden.
  • Anschließend erfolgt ein erneutes Löten der Lötkontaktstellen 26 zwischen Gatekontakt 24 und leitender Schicht 14 sowie Kontaktbereich 10 und Drainkontakt 22. Hierbei kann insbesondere eine geringere Heizenergie zum Löten eingebracht werden, was den Halbleiterschalter 18 schont und aufgrund der geringeren Wärmekapazität des Flachteils 8 in der gezeigten Konstellation ausreichend sein kann.
  • 4 zeigt zwei Flachteile 2, 8, die als Anschlusselemente gebildet sind. Ein Flachteil 2 kann beispielsweise eine Bohrung 2a aufweisen, die zur Aufnahme eines Bolzens geeignet ist. Ein Kontaktteil 8 kann beispielsweise ein Bolzen 8a aufweisen, der beispielsweise aufgeschweißt ist. Zwischen den Kontaktteilen 2 und 8 kann ein Halbleiterschalter 18 vorgesehen sein. Somit lässt sich über den Halbleiterschalter 18 die leitende Verbindung zwischen den Flachteilen 2 und 8 schalten.
  • 5 zeigt einen Schnitt durch zwei Flachteile 2, 8 mit einem Halbleiterschalter 18. Die Flachteile 2, 8 können beide oder nur eines als Flachleiter mit einer Ausdehnung von mehreren zehn Zentimetern bis zu einem Meter sein. Ein anderes der Flachteile 2, 8 kann beispielsweise ein Anschlusselement oder auch ein Flachleiter sein. Wie zu erkennen ist, ist in einem Bereich unmittelbar vor dem Halbleiterschalter 18, beispielsweise fünf bis zehn Zentimeter vor dem Ende des jeweiligen Flachteils 2, 8 ein Höhenversatz 2b, 8b in den Flachteilen 2, 8 vorgesehen. Der Höhenversatz kann mindestens die Hälfte der Höhe des Halbleiterschalters 18 betragen. Ein Höhenversatz 2b, 8b kann auch in nur einem der Flachteile 2, 8 vorgesehen sein. Durch den Höhenversatz ist es möglich, dass die Ebene, in denen die Flachleiter 2, 8 verlaufen, eine gleiche Ebene ist, und nur im Bereich des Halbleiterschalters 18 ein Versatz in der Leitungsebene vorgesehen sein muss. Dies führt zu einem geringeren Platzbedarf des leitungsintegrierten Schalters.
  • 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel. Ein erstes Flachteil 2 kann beispielsweise als Flachleiter gebildet sein. Der Flachleiter 2 kann isoliert sein und ausschließlich im Bereich der Verbindung mit dem zweiten Flachteil 8 frei von der Isolierung sein. Das zweite Flachteil 8 kann über einen Halbleiterschalter 18 mit dem ersten Flachteil 2 elektrisch schaltbar verbunden sein.
  • Die Längserstreckungsrichtung des Flachteils 2 in x-Richtung kann winklig zur Längserstreckungsrichtung des Flachteils 8 in y-Richtung sein. Insbesondere können die Längsachsen x, y rechtwinklig zueinander sein. Diese Konstellation ermöglicht einen Abgang eines Flachteils 8 entlang eines als Flachleiter gebildeten Flachteils 2 zu möglichen Verbrauchern. Dies ist insbesondere in automotiven Anwendungen vorteilhaft.
  • 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem das Flachteil 2 als Flachleiter gebildet ist. Die Längserstreckungsrichtung des Flachteils 2 ist entlang der x-Achse dargestellt. Quer hierzu können Flachteile 8 an verschiedenen Punkten des Flachteils 2 abzweigen und zwar in verschiedenen Längserstreckungsrichtungen entlang verschiedener Achsen y1, y2, y3, y4. Zu erkennen ist beispielsweise, dass ein Flachteil 8, welches sich entlang der Achse y3 erstreckt, auf eine einem anderen Flachteil 8 gegenüberliegenden Oberfläche des Flachteils 2 angeordnet ist.
  • Auch ist zu erkennen, dass die Achse y4 winklig zu der x Achse verläuft. Die Darstellung in 7 soll deutlich machen, dass verschiedenste Abgangsrichtungen und verschiedene Abgangspositionen von einem Flachleiter 2 mit Hilfe des leitungsintegrierten Schalters möglich sind.
  • 8 zeigt die Möglichkeit, einen Abgang an jeweils einer Oberfläche eines Flachteils 2 vorzusehen. Zu erkennen ist, dass ein erster Halbleiterschalter 18 an einer ersten Oberfläche das Flachteil 2 mit einem Flachteil 8 verbindet und ein zweiter Halbleiterschalter 18 an einer dieser Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche das Flachteil 2 mit einem Flachteil 8 verbindet. Hierdurch sind Abgänge auf beiden Seiten des Flachteils 2 möglich.
  • 9 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem zwei Flachteile 2', 2'' jeweils als Flachleiter in einer gemeinsamen Isolation 28 geführt sind und ein zweiadriges Flachkabel bilden. Die Flachteile 2', 2'' können mit unterschiedlichen Bordnetzpotentialen innerhalb eines Fahrzeugbordnetzes verbunden sein. Auch ist es möglich, dass einer der Flachleiter 2' als B+ Leiter und ein anderer der Flachleiter 2'' als Masserückleitung zum Einsatz kommt.
  • Im Bereich eines leitungsintegrierten Schalters kann die Isolation 28 entfernt sein. Jedes der Flachteile 2', 2'' kann mit einem Halbleiterschalter 18', 18'' verbunden sein und somit einen Abgang zu einem Flachteil 8', 8'' haben. Somit ist es möglich, unterschiedlichste Potentiale, insbesondere in einem Bordnetz jeweils getrennt voneinander zu verschiedenen Verbrauchern oder Komponenten schaltbar zu verzweigen.
  • Bezugszeichenliste
    • 2
    Flachteil
    4
    Anschlussbereich
    6
    Isolationsschicht
    8
    Flachteil
    10
    Kontaktbereich
    12
    Leiterplattenschicht
    14
    leitende Schicht
    16
    Isolationsschicht
    18
    Halbleiterschalter
    20
    Sourcekontakt
    22
    Drainkontakt
    24
    Gatekontakt
    26
    Lötkontaktstelle
    28
    Isolation

Claims (15)

  1. Leitungsintegrierter Schalter mit – zumindest einem ersten metallischen Flachteil, – zumindest einen zweiten metallischen Flachteil, – wobei die Flachteile in einem Überlappungsbereich mit ihren breiten Seiten übereinander angeordnet sind und in dem Überlappungsbereich ein Halbleiterschalter zwischen den Flachteilen, die Flachteile schaltend miteinander verbindend, angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest im Überlappungsbereich ein erstes der Flachteile auf einer dem zweiten der Flachteile zugewandten Seite zumindest teilweise mit einer Isolation beschichtet ist, wobei in der Isolation in einem Kontaktbereich eine Ausnehmung vorgesehen ist und der Halbleiterschalter in dem Kontaktbereich mit dem Flachteil elektrisch kontaktiert ist.
  2. Leitungsintegrierter Schalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterschalter in dem Kontaktbereich mit dem ersten Flachteil verlötet ist und/oder dass der Kontaktbereich verzinnt ist.
  3. Leitungsintegrierter Schalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Flachteil mit einem zumindest dreilagigen Aufbau beschichtet ist, wobei eine leitende Schicht zwischen zwei Isolationsschichten geführt ist.
  4. Leitungsintegrierter Schalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolation zumindest aus einem Leiterplattenmaterial gebildet ist und das Leiterplattenmaterial unmittelbar auf das Flachteil aufgebracht ist.
  5. Leitungsintegrierter Schalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf das Leiterplattenmaterial eine leitende Schicht aufgebracht ist, insbesondere dass die leitende Schicht eine Kupferschicht ist, wobei die leitende Schicht insbesondere Leiterbahnen bildet.
  6. Leitungsintegrierter Schalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf die leitende Schicht eine Schutzschicht, insbesondere ein Lötstopplack aufgebracht ist.
  7. Leitungsintegrierter Schalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die leitende Schicht eine Kontaktpad für einen Gate Kontakt des Halbleiterschalters aufweist.
  8. Leitungsintegrierter Schalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest im Überlappungsbereich der zweite Flachteil auf einer dem ersten Flachteil zugewandten Seite zumindest teilweise mit einer metallischen Beschichtung, insbesondere mit Zinn, einen Anschlussbereich bildend beschichtet ist, wobei der Halbleiterschalters mit dem zweiten Flachteil in dem Anschlussbereich elektrisch kontaktiert ist, insbesondere mit dem Anschlussbereich verlötet ist.
  9. Leitungsintegrierter Schalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest im Überlappungsbereich das zweite Flachteil auf der dem ersten Flachteil zugewandten Seite mit einem Isolator, insbesondere einem Isolationslack beschichtet ist.
  10. Leitungsintegrierter Schalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eines der Flachteile aus einem Aluminiumwerkstoff oder einem Kupferwerkstoff gebildet ist.
  11. Leitungsintegrierter Schalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine metallische Beschichtung auf dem Flachteil walzplattiert ist.
  12. Leitungsintegrierter Schalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Längsachsen der Flachteile im Bereich des Überlappungsbereichs parallel, insbesondere kollinear gebildet sind.
  13. Leitungsintegrierter Schalter nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterschalter mit seinen Source und Drain Kontakten mit dem Kontaktbereich und dem Anschlussbereich verbunden ist.
  14. Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters, insbesondere nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem ein Kontaktbereich eines ersten Flachteils mit einer metallischen Beschichtung beschichtet wird, ein erster Anschluss eines Halbleiterschalters mit dem Anschlussbereich insbesondere mittels Löten elektrisch verbunden wird, und ein Kontaktbereich eines zweiten Flachteils anschließend mit einem zweiten Anschluss des Halbleiterschalters insbesondere mittels Löten elektrisch verbunden wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, – dass die elektrische Verbindung zwischen dem Halleiterschalter und dem Anschlussbereich vor dem Verbinden mit dem Kontaktbereich elektrisch geprüft wird.
DE102016110847.2A 2016-06-14 2016-06-14 Leitungsintegrierter Schalter und Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters Active DE102016110847B4 (de)

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US16/308,157 US10840207B2 (en) 2016-06-14 2017-03-22 Line-integrated switch and method for producing a line-integrated switch
EP17714166.0A EP3469664A1 (de) 2016-06-14 2017-03-22 Leitungsintegrierter halbleiterschalter und verfahren zu dessen herstellung
MX2018015715A MX2018015715A (es) 2016-06-14 2017-03-22 Interruptor integrado en linea y metodo para producir un interruptor integrado en linea.
PCT/EP2017/056761 WO2017215798A1 (de) 2016-06-14 2017-03-22 Leitungsintegrierter halbleiterschalter und verfahren zu dessen herstellung
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020216305A1 (de) 2020-12-18 2022-06-23 Leoni Bordnetz-Systeme Gmbh Elektrische Schaltvorrichtung

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016110847B4 (de) * 2016-06-14 2022-02-17 Auto-Kabel Management Gmbh Leitungsintegrierter Schalter und Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters
CN113131291B (zh) * 2021-03-11 2023-05-12 东莞市晟合科技有限公司 一种搭载电子元器件的连接线及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69427629T2 (de) * 1993-11-05 2001-10-18 Toshiba Kawasaki Kk Halbleiterstapel
JP2004140068A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Nissan Motor Co Ltd 積層型半導体装置およびその組み立て方法
US20100296254A1 (en) * 2009-05-19 2010-11-25 Schnetker Ted R Solid state switch arrangement
US20140233204A1 (en) * 2006-04-27 2014-08-21 Hitachi, Ltd Electric Circuit Device, Electric Circuit Module, and Power Converter
DE102014006346A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-05 Ellenberger & Poensgen Gmbh Hochstromschalter

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2235455A1 (de) * 1971-07-28 1973-05-03 Halbleiterwerk Frankfurt Oder Traegerstreifen fuer halbleiterbauelemente
JPS62142125U (de) * 1986-03-03 1987-09-08
KR940010910B1 (ko) * 1990-04-06 1994-11-19 스미토모 고쿠슈 긴조쿠 가부시기가이샤 반도체 패키지
AU705177B1 (en) * 1997-11-26 1999-05-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
DE59900800D1 (de) * 1998-03-12 2002-03-14 Auto Kabel Man Gmbh Elektrisches kabel
US6014066A (en) * 1998-08-17 2000-01-11 Trw Inc. Tented diode shunt RF switch
FR2822591A1 (fr) * 2001-03-22 2002-09-27 Commissariat Energie Atomique Assemblage de composants d'epaisseurs diverses
WO2002083549A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-24 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Printed circuit board integrated switch
WO2008142865A1 (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Kabushiki Kaisha Toshiba インダクタンス素子とその製造方法、およびそれを用いたスイッチング電源
US7952166B2 (en) * 2008-05-22 2011-05-31 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device with switch electrode and gate electrode and method for switching a semiconductor device
JP5067267B2 (ja) 2008-06-05 2012-11-07 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
JP2010225720A (ja) 2009-03-23 2010-10-07 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
KR101343289B1 (ko) * 2010-05-18 2013-12-18 도요타지도샤가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5460653B2 (ja) * 2011-07-14 2014-04-02 本田技研工業株式会社 半導体装置
JP2013065620A (ja) 2011-09-15 2013-04-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 配線シート付き電極端子、配線構造体、半導体装置、およびその半導体装置の製造方法
JP2013073945A (ja) * 2011-09-26 2013-04-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 配線シート付き電極端子、配線構造体、半導体装置、およびその半導体装置の製造方法
DE102012202281A1 (de) 2012-02-15 2013-08-22 Infineon Technologies Ag Halbleiteranordnung für Druckkontaktierung
CN103795384B (zh) * 2012-10-31 2017-04-19 台达电子企业管理（上海）有限公司 开关电路封装模块
US8987875B2 (en) * 2013-03-08 2015-03-24 Delphi Technologies, Inc. Balanced stress assembly for semiconductor devices
DE102014101882A1 (de) 2014-02-14 2015-08-20 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung einer bondbaren Beschichtung auf einem Trägerband
DE102014104013A1 (de) * 2014-03-24 2015-09-24 Infineon Technologies Austria Ag Leistungshalbleiterbauteil
US9666703B2 (en) * 2014-12-17 2017-05-30 Great Wall Semiconductor Corporation Semiconductor devices with cavities
DE102016110847B4 (de) * 2016-06-14 2022-02-17 Auto-Kabel Management Gmbh Leitungsintegrierter Schalter und Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69427629T2 (de) * 1993-11-05 2001-10-18 Toshiba Kawasaki Kk Halbleiterstapel
JP2004140068A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Nissan Motor Co Ltd 積層型半導体装置およびその組み立て方法
US20140233204A1 (en) * 2006-04-27 2014-08-21 Hitachi, Ltd Electric Circuit Device, Electric Circuit Module, and Power Converter
US20100296254A1 (en) * 2009-05-19 2010-11-25 Schnetker Ted R Solid state switch arrangement
DE102014006346A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-05 Ellenberger & Poensgen Gmbh Hochstromschalter

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020216305A1 (de) 2020-12-18 2022-06-23 Leoni Bordnetz-Systeme Gmbh Elektrische Schaltvorrichtung
DE102020216305B4 (de) 2020-12-18 2022-10-13 Leoni Bordnetz-Systeme Gmbh Elektrische Schaltvorrichtung

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