DE2235455A1

DE2235455A1 - Traegerstreifen fuer halbleiterbauelemente

Info

Publication number: DE2235455A1
Application number: DE19722235455
Authority: DE
Inventors: Hartmut Eschbach; Ludwig Langhammer; Horst Dipl Ing Strehlow
Original assignee: Halbleiterwerk Frankfurt Oder VEB
Current assignee: Halbleiterwerk Frankfurt Oder VEB
Priority date: 1971-07-28
Filing date: 1972-07-20
Publication date: 1973-05-03

Description

Trügerstreifen für Halbleiterbauelemente Die Erfindung betrifft einon trägerstroifen fü@@@albleiterbauelemente, insbesondere für kunststoffumh2llte Halbleitorbauslemente.
Für die Massenproduktion von kunststoffumhüllten Halbleitorbauelementen ist die Anwendung der Trägerstroifentochnik vorherrsebend. Zum Zwecke der Kontaktierung der Halbleiterplättchen wird dor aus einem Teil bestehende Trägarstreifan ganzflächig vergoldet. Es wurde bereits vorgeschlagen, nur die für die Kontaktierung erforderliche Flüche des Trägerstreifens zu vergolden. Diese partielle Vorgoldung ist galvanisch oder durch Bedampfen im Vakuum unter Verwendung von Abdsckmasken sowie auch durch die Walzplattierung realisierbar. Es ist auch bekannt, daß mit Gold und Aluminium partiell beschichtete Trägorstreifen angewendet werden könnon, wobei der Gold boschichtete Teil zur Kontaktierung der Halbleiterplättchen dient und der Aluminium beschichteto Teil die Kontaktierung mit Aluminiumdraht mittels Ultraschall ermöglicht. Die Kontaktierung des Halbleiterplättchens auf die vergoldete Fläche des Trägerstreifens erfolgt mittels Ultraschall unter Wärmeeinwirkung oder im Durchlaufofen unter Schutzgas.
Die derzeitige A'wendung von aus einem Teil bestchanden Trägerstreifen mit ganzflächiger Vergoldung oder partiell vergoldeten Bezirken hat neben Vorteilen in den Montageprozessen erhebliche Nachteile. Die ganzflächige Vergoldung des Trägerstreifens ist auf Grung des hchen Edelmetallverhrauchs unökonomisch. Die Verfahran der partiellen Vergoldung sind schwer automatisierbar und erfordern einen relativ hohen manuellen Aufwand. Bel Kontaktierung des Malbleiterplättchenß tritt durch Würmeeinwirkung eine Oxidation der unvergoldeten Trägerstreifenoberfläche auf. Auf derartigen Oxidhäuten läßt sich die Drahtkontaktiorung nicht mit ganügender Zuverlässigeit ro@lisieren. Doshalb müsson bei der partiollen Vergoldung auch die Teile des Trügerstreifens vergoldet warden, auf denen die Drahtkontaktierung erfolgt. Bei der Kontaktierung mit Aluminiumdraht auf vorgoldete Oberflächen ergibt sich im Langzeitverhalten eine Minderung der Kontaktzuverlässigkeit infolge der Dildung intermetallischer Phasen zwischen Aluminium und Gold.
Bei der Kontaktierung des Halbleiterplättchens im Durchlaufofen wird die vorhandene Kapazität des Ofens auf Grund dessen, dass der gesamte Trügerstreifen don Ofenraum durchlaufen muss, nur zu einem Bruchteil ausgenutzt.
Nach der Kontaktiorung des Halbleiterplättchens als fchlerhaft erkannte Elemente können nicht aussortiert worden; sie durchlaufen mit dem Trügerstroifen den gesamten Montageproze B. Eine Aussonderung ist erst in der Tadmessung möglich.
Zweok der Erfindung ist es, unter Beibchalten der wesentlichen Vorteile der Trägerstreifentechnologie die aufgezeigten Mängel zu beseitigen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zegrunde, sinen Trägerstreifen zu entwiokeln, der eine partielle Vergoldung für die Kontaktierung des Halbleiterplättchens enthält, die unter geringem manuellen Aufwand erzeugt werden kann, der eine hohe Produktivität bei der Kontaktierung des Halbleiterplättchens gewährleistet, der eine Aluminiumkontaktierung hcher Kontaktzuverlässigkeit auf der anvergoldeten Trägerstreifenoberfläche ermöglicht, der einen hohen Automatisierungsgrad der @ontageprozesse zulässt und der es gestattet, nach der Kontaktierung des @albleiterplüttchens als fchlerhaft erkannte Halbleiterbauelemente von der Weiterverarbeitang aussu@@hliessen.
@r@indungsgenäß wird die Aufgaßs @@fgabe dadurch gelöst, daß der Trägerstraifen ans motroren Einzelteilem elektrisch leit@ad durch Schweißen zusan@@ngefügt ist. Dabei sind die die @albleiterplättchen tragenden Teille separat hergestellt und zum Zwecke der Kontaktierung der Malbleit@rplättchen nach einem bekannten Massenverfabr@@ oberflächeuverei@lt, isabesonders vergeldet. Der übrige Teil des Trägerstr@ifens ist a@vergoldßt. Die @ojntaktisrung der Halbleiterplättchen a@f die Halbleiterplättchen tragenden Teile erfolgt vorteilhaft vor dem Einfägen in die Trägerstreifenstruktur.
Der Ausdchau@gskoeffizient der @albleiterplättchen tragendan Teile ist dem des @albleitsrmateriale und der Ausdch-@@ gskoeffizient des ührig@a Teils des Trägerstreifens dem des Gehäuse@aterials angepasst.
Durch die erfindungsgemässe Lösung tritt eine wesentliche Ver@ingerung des Goldverbrauches gegenüber der ganzflächigen Vergoldung des Trägerstreifens ein. In Vergleich zu den @@gef@hrten bereits vorgeschlaganen bzw. bekannten Verfahren der partiellen Vergold@@g wird eine Reduzierung des manuelles Aufwandes dadurch erreicht, daß die die Halbleiterplättches tragenden Teils nach baka@nten @assenverfahren vergoldet verden tönnen. Durch die Montaktierung der @albleiterplättchan auf die die Malblaiterplättchen tragenden Teile des @rä@erstreifens ver den Enfägen in die Trägerstreifenstruktur antfällt die Wärnesinwirkung für den übrigen Teil des Trägerstreifens. Dadurch wird die Bildung von Oridhäuten auf dem unveredelten Teil des Trägerstreifens vermieden und die Höglichkeit der Herstellung von Kontakten hoher Zuvorlässigkeit mit Aluminiumdraht ist gegeben.
Die Kontaktierung der Halbleiterplättchen auf die die Halbleiterplättchen tragenden Teile ist in sinem Durchlaufofen unter Schutzgas mit hoher Produktivität möglich.
Vor dem Einfügen der mit den Halbleiterplättchen kontaktierten Teile in die Trägerstreifenstruktur können fchlerhafte Elemente von einer weiteren Benrbeitung ausgeschlosson werden, Sämtliche für die Durchführung der erfindungsgomässen Lösung not@endigen Arbeitsgänge sind automatisierber.
Die Erfindung soll nachstchend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. In der zugehörigen Zeichnung zeigen : Fig. 1 : die Draufsicht des Trägerstreifens Fig. : 2 den Schnitt A - A nach Fig. 1 Der Trägerstreifen für Halbleiterbauelemente setzt sich aus dem Halbloitorplättchon tragenden Teil 1 und dem übrigen Toil 2 des Trägerstreifens zus@mmen. Beide Teile werdon insbesonders stanztschnisch unabhäsgig voneinander hergestellt. Der des Halbleiterplättchen tragende Teil 1 ist zum Zweoke der @lättchenkontaktierung mit einer Goldschicht 3 verschen und der Ausdohnungskoeffizient ist dem des Halbleiterplättchens 4 angepasst. Der übrige Teil 2 des Trägerstrsifens ist unvergoldet und bentcht aus Haterinl, dan im Asdchnungskoeifizienton dem Gchüusomaterial angepaßt und durch Ultraschall- oder Thermokompressionsbondung kontaktiert werden kann, Hierfür eigsen sich z.B. Nickel, Mikkel-Eisen-Laglerungen, Mickel beschichtetes Eison und Aluminium beschichtetes Eisen.
Din Malhleiterplättchen @sind auf don mit der Goldschicht 3 versshenen Teilen 1 des Trägerstreifans ausgelötet, Durch die Schwei@stellen 5 sind die die @albl@iterplättchen tragenden Teile mit dem übrigen Teil 2 des Trä-@@rctreifens verbunden.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e:

1. Trägerstreifen für Halbleiterbauelemente mit veredolten Bezirken, auf denen das Halbleiterplättchen kontaktiert wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der das Halbleiterplättchen tragende Teil (1) ein oberflächenvoredaltes Einzelteil ist, des mit dem unedloren übrigen Teil (2) des Trägerstreifens elektrisch leitend verbu don ist.

2. Trägorstreifen nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass der daß Halbleiterplättchen tragendo Teil (1) vergoldet und der übrige Teil (2) des Trägerstreifens unvergoldet ist.

3. Trügerstreifen nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der das Halbleiterplättchen tragende Teil (1) durch Widerstandspunkt- oder Kondensatorimpulsechweißung mit dem übrigen Teil (2) des Trägerstreifens vorbunden ist.

4. Trägerstreifen nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Verbindung des das Halbleiterplättchen tragenden Teils (1) mit dem übrigen Teil (2) des Trägerstroifens nach der Kontaktierung des Halbleiterplättchens (4) auf dem das Halbleiterplättchen traganden Teils (1) erfolgt ist.

5. Trägerstreifen nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Ansdchnungskoeffizient des das Halbleiterplättohen tragenden Teils (1) dem Ausdchnungskoeffizienten des Halbleitermaterials und der Ausiehnung@kosffizient des übrigen Teils (2) des Trägerstreifens dem Ausdchnungskoeffizienten des Gchäusematerials angepasst ist.