DE102012210239B4 - Bulkakustikresonator, der eine nicht-piezoelektrische Schicht und eine Brücke aufweist - Google Patents
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Abstract
Description
- Hintergrund
- Wandler (transducer) konvertieren im Allgemeinen elektrische Signale in mechanische Signale oder Vibrationen und/oder mechanische Signale oder Vibrationen in elektrische Signale. Akustische Wandler konvertieren insbesondere elektrische Signale in akustische Wellen und akustische Wellen in elektrische Signale mittels inverser und direkt piezoelektrischer Effekte. Akustische Wandler beinhalten im Allgemeinen akustische Resonatoren, wie zum Beispiel Dünnfilm-Bulkakustikresonatoren (thin film bulk acoustic resonators) (FBARs), Oberflächenschallwellenresonatoren (surface acoustic wave resonators) (SAW) oder Bulk-Akustik-Wave Resonatoren (bulk acoustic wave resonators) (BAW) und können in einer umfangreichen Vielfalt von elektrischen Anwendungen, wie zum Beispiel Mobiltelefone, persönliche digitale Assistenten (PDAs), elektronische Spielevorrichtungen, Laptop-Computer und andere tragbare Kommunikationsvorrichtungen verwendet werden. Zum Beispiel können FBARs für elektrische Filter und Spannungstransformatoren verwendet werden.
- Ein akustischer Resonator kann mittels einer Schicht eines piezoelektrischen Materials zwischen zwei leitenden Platten (Elektroden) gebildet werden, die auf einer dünnen Membran gebildet werden können. Solch ein Resonator kann sowohl akustische Wellen generieren, die in lateralen Richtungen propagieren als auch harmonische Mischungsprodukte höherer Ordnung, wenn der Resonator mittels eines angelegten zeitlich veränderlichen elektrischen Feldes stimuliert wird. Die lateral propergierenden Moden und die harmonischen Mischungsprodukte höherer Ordnung können einen schädlichen Einfluss auf eine Funktionalität haben.
- Was demzufolge gebraucht wird, ist eine Struktur, die bei einem Abschwächen von akustischen Verlusten an den Grenzen des BAW Resonators von Nutzen ist, um eine Modenbeschränkung in der Region der Überlappung der oberen Elektrode, der piezoelektrischen Schicht und der unteren Elektrode eines BAW Resonators (gemeinhin als die aktive Region bezeichnet) zu verbessern.
- Zusammenfassung
- In Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel weist ein Bulk-Akustik-Wave (BAW) Resonator auf: eine erste Elektrode, die auf einem Substrat gebildet ist, eine piezoelektrische Schicht, die auf der ersten Elektrode gebildet ist, eine zweite Elektrode, die auf der ersten piezoelektrischen Schicht gebildet ist, eine nicht-piezoelektrische Schicht, die auf der ersten Elektrode und angrenzend an die piezoelektrische Schicht gebildet ist und eine Brücke, die zwischen der nicht-piezoelektrischen Schicht und der ersten oder zweiten Elektrode gebildet ist.
- In Übereinstimmung mit einem anderen repräsentativen Ausführungsbeispiel wird ein Verfahren zum Bilden eines Bulk-Akustik-Wave (BAW) Resonators offenbart. Das Verfahren weist auf: Bilden eines akustischen Reflektors in einem Substrat, Bilden einer ersten Elektrode auf dem Substrat über dem akustischen Reflektor, Bilden einer piezoelektrischen Schicht und einer nicht-piezoelektrischen Schicht angrenzend zueinander auf der ersten Elektrode, Bilden einer zweiten Elektrode über der piezoelektrischen Schicht und der nicht-piezoelektrischen Schicht und Bilden einer Schicht zwischen der nicht-piezoelektrischen Schicht und der ersten oder zweiten Elektrode, um eine Region für eine Brücke zu definieren.
- Kurzbeschreibung der Zeichnungen
- Die illustrativen Ausführungsbeispiele werden am besten von der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn sie mit den begleitenden Zeichnungsfiguren gelesen wird. Es wird betont, dass die verschiedenen Merkmale nicht notwendigerweise maßstabgerecht gezeichnet sind. In der Tat können die Dimensionen für Klarheit der Diskussion beliebig vergrößert oder verkleinert sein. Wenn immer anwendbar und praktikabel beziehen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Elemente.
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1 ist eine Draufsicht eines FBAR in Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel. -
2 ist eine Querschnittsansicht des FBAR von1 , die entlang einer Linie A-B genommen ist. -
3A und3B sind Querschnittsansichten, die die Verwendung eines nicht-piezoelektrischen Materials illustrieren, um Verluste von akustischer Energie in dem FBAR von2 zu verhindern. -
4A und4B sind Querschnittsansichten, die die Verwendung einer Luftbrücke illustrieren, um Verluste von akustischer Energie in dem FBAR von2 zu verhindern. -
5 ist eine Querschnittsansicht des FBAR von2 mit Illustrationen der enthaltenen akustischen Energie. -
6A bis einschließlich6C sind Querschnittsansichten von unterschiedlichen Variationen des FBAR von2 in Übereinstimmung mit repräsentativen Ausführungsbeispielen. -
7 ist ein Ablaufschema, das ein Verfahren zum Herstellen eines FBAR in Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel illustriert. -
8 ist ein Ablaufschema, das ein Verfahren zum Bilden einer piezoelektrischen Schicht und einer nicht-piezoelektrischen Schicht auf einer Elektrode in Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel illustriert. -
9 ist ein Ablaufschema, das ein anderes Verfahren zum Bilden einer piezoelektrischen Schicht und einer nicht-piezoelektrischen Schicht auf einer Elektrode in Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel illustriert. -
10 ist ein Diagramm, der den Qualitäts(Q)-Faktor eines FBAR als eine Funktion der Frequenz in Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel illustriert. - Ausführliche Beschreibung
- Die vorliegende Lehre bezieht sich im Allgemeinen auf Bulk-Akustik-Wave (BAW) Resonatorstrukturen wie zum Beispiel FBARs. Wie nachstehend ausführlicher beschrieben werden wird, weisen die FBARs der repräsentativen Ausführungsbeispiele auf (a) eine Schicht eines piezoelektrischen Materials angeordnet zwischen Elektroden, (b) eine Schicht eines nicht-piezoelektrischen (auch bezeichnet hierin als „np”) Materials, das angrenzend an die Schicht des piezoelektrischen Materials angeordnet ist, und (c) eine Luftbrücke, die zwischen der Schicht des np Materials und einer der Elektroden angeordnet ist. Das np Material verhindert eine Kolbenmodenanregung (piston-mode excitation) an Impedanzdiskontinuitätsebenen der FBARs, was Strahlungsverluste (radiative losses) reduziert, die mittels Streuung des kontinuierlichen Spektrums der Kolbenmode erzeugt werden. Die Luftbrücke entkoppelt unterdessen propagierende Eigenmoden aus einer äußeren Region der FBARs, was Strahlungsverluste aufgrund einer Eigenmodenstreuung reduziert. Demzufolge reduziert die Kombination des np Materials und der Luftbrücke Strahlungsverluste, die mittels unterschiedlicher Arten von Streuung verursacht werden können.
- In der Schicht des piezoelektrischen Materials werden Kristalle in Säulen gewachsen, die senkrecht zu der Ebene der Elektroden sind. Als solches sind die C-Achsenorientierungen der Kristalle im Wesentlichen zueinander ausgerichtet und die Schicht des piezoelektrischen Materials kann als eine hochstrukturierte C-Achsen-piezoelektrische Schicht bezeichnet werden. Solch eine Schicht eines piezoelektrischen Materials kann gemäß einer Vielzahl von bekannten Verfahren hergestellt werden, wie zum Beispiel solche, die in dem
U.S. Patent 6,060,818 von Ruby et al. offenbart sind, dessen Offenbarung hiermit mittels Referenz eingebunden ist. Die Schicht der np Schicht ist typischerweise aus der gleichen Substanz wie die Schicht des piezoelektrischen Materials gemacht, ist aber entweder amorph oder polykristallin und besitzt wenige oder keine piezoelektrischen Effekte aufgrund eines Kristallwachstums in einer Vielzahl von Richtungen. Die Schicht des np Materials kann mittels Verfahren hergestellt werden, die unten beschrieben werden oder gemäß der Lehre desU.S. Patents 7,795,781 von Barber et al., dessen Offenbarung hiermit mittels Referenz eingebunden ist. - Akustische Resonatoren und besonders FBARs können in einer Vielzahl von Konfigurationen für RF und Mikrowellenvorrichtungen wie zum Beispiel Filter und Oszillatoren, die in einer Vielzahl von Frequenzbändern operieren, eingesetzt werden. Für eine Verwendung in mobilen Kommunikationsvorrichtungen ist ein besonderes Beispiel für ein Frequenzband von Interesse, welches das 850 MHz „Netzband (cellular band)” ist. Im Allgemeinen vergrößert sich die Größe eines BAW-Resonators mit abnehmender Frequenz, so dass ein FBAR für das 850 MHz Band im Wesentlichen größer als ein ähnlicher FBAR für das 2 GHz persönliche Kommunikationsservices (personal communication services) (PCS) Band sein wird. In bestimmten Anwendungen stellen die BAW-Resonatorstrukturen Filter wie zum Beispiel Leiterfilter bereit.
- Bestimmte Details der FBARs und der Materialien davon und ihre Verfahren der Herstellung können zum Beispiel in einem oder mehreren der folgenden gemeinsam besessenen U.S. Patenten, Patentanmeldungsveröffentlichungen und Patentanmeldungen gefunden werden:
U.S. Pat. Nr. 6,107,721 von Lakin,U.S. Patente 5,587,620 ,5,873,153 ,6,507,983 und7,629,865 von Ruby et al.,U.S. Patent Nr. 7,280,007 von Feng et al., U.S. Patent Anmeldungsveröffentlichung Nr. 2007/0205850 von Jamneala et al.,U.S. Patent Nr. 7,388,454 von Richard C. Ruby et al., U.S. Patent Anmeldungsveröffentlichung Nr. 2010/0327697 von Choy et al. und U.S. Patent Anmeldungsveröffentlichung Nr. 2010/0327994 von Choy et al. Zusätzliche Details können zum Beispiel inU.S. Patent Nr. 7,889,024 von Bradley et al., U.S. Patent Anmeldungsveröffentlichung Nr. 2012/248941 von Shirakawa et al., U.S. Patent Anmeldungsveröffentlichung Nr. 2012/218056 von Burak et al., U.S. Patent Anmeldungsveröffentlichung Nr. 2012/218055 von Burak et al. und U.S. Patent Anmeldungsveröffentlichung Nr. 2012/280767 von Burak et al. gefunden werden. - Die Offenbarung dieser Patente und Patentanmeldungen werden hiermit mittels Referenz speziell eingebunden. Es wird betont, dass die Komponenten, Materialien und Verfahren der Herstellung, die in diesen Patenten und Patentanmeldungen beschrieben werden, repräsentativ sind und andere Verfahren der Herstellung und Materialien innerhalb des Bereichs von einem Fachmann in Erwägung gezogen werden.
-
1 zeigt eine Draufsicht auf einen FBAR100 in Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel. Wie mittels1 illustriert wird, ist der FBAR100 in der Form eines apodisierten Fünfecks gebildet. - Mit Bezug auf die
1 weist der FBAR100 eine obere Elektrode105 und eine Zwischenverbindung110 auf. Die obere Elektrode105 ist illustrativ mit fünf Seiten gebildet, einschließlich einer Verbindungsseite115 , die eine elektrische Verbindung mit der Zwischenverbindung110 bildet. Die Zwischenverbindung110 stellt elektrische Signale an die obere Elektrode105 bereit, um akustische Wellen in piezoelektrischen Schichten des FBAR100 anzuregen. - Die obere Elektrode
105 weist ferner eine Luftbrücke120 auf, die auf mehreren Seiten angeordnet ist. Wie nachstehend ausführlicher beschrieben, reduziert die Luftbrücke120 propagierende Eigenmoden an den Grenzen des FBAR100 , was zu einer verbesserten Einfügedämpfung (insertion loss) und einem verbesserten Q-Faktor über einem gewünschten Frequenzbereich, wie zum Beispiel einem Passband des FBAR100 , beitragen kann. -
2 ist eine Querschnittsansicht des FBAR100 in Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel. Die Querschnittsansicht der2 ist entlang einer Linie A-B in1 genommen. - Mit Bezug auf die
2 weist der FBAR100 ein Substrat205 , eine untere Elektrode215 , eine Planarisierungsschicht225 , eine piezoelektrische Schicht230 , eine nicht-piezoelektrischen (np) Schicht220 und eine obere Elektrode105 auf. - Das Substrat
205 enthält eine Kavität210 oder einen anderen akustischen Reflektor, wie zum Beispiel ein verteiltes Bragg-Gitter (distributed Bragg grating) (DBR). Die untere Elektrode215 ist über dem Substrat205 angeordnet und über der Kavität210 aufgehängt. Die Planarisierungsschicht225 ist über dem Substrat205 gebildet und sie weist typischerweise nicht ätzbares Borosilicatglas (NEBSG) auf. Die Planarisierungsschicht225 kann aus dem FBAR100 weggelassen werden, um Herstellungskosten zu reduzieren, aber wenn sie vorliegend ist, tendiert sie die Qualität der nachfolgend gewachsenen Schichten zu verbessern, wie zum Beispiel eine hochstrukturierte C-Achsen piezoelektrische Schicht. Zusätzlich kann die Planarisierungsschicht225 auch die Herstellung der nachfolgend gewachsenen Schichten vereinfachen. - Die piezoelektrische Schicht
230 ist über der unteren Elektrode215 gebildet und sie weist typischerweise hochstrukturiertes C-Achsen piezoelektrisches Material auf, wie zum Beispiel Aluminiumnitrid (AlN) oder Zinkoxid (ZnO). Die np Schicht220 ist angrenzend an die piezoelektrische Schicht230 gebildet und ist typischerweise aus der gleichen Substanz wie die piezoelektrische Schicht230 (zum Beispiel AlN oder ZnO) hergestellt. Ungleich der piezoelektrischen Schicht130 ist die np Schicht220 entweder amorph oder polykristallin und besitzt wenige oder keine piezoelektrischen Effekte. Die obere Elektrode105 ist über der piezoelektrischen Schicht230 und der np Schicht220 angeordnet. - Die Luftbrücke
120 ist zwischen der np Schicht220 und der oberen Elektrode105 gebildet. Wie unten in weiterem Detail beschrieben wird, senkt die Luftbrücke120 ein Zentrum einer Belastungsverteilung des FBAR100 , was propagierende Eigenmoden des FBAR100 aus einer äußeren Region entkoppelt. Dieses Entkoppeln der propagierenden Eigenmoden verhindert ein Auslaufen einer akustischen Energie aus dem FBAR100 . - Typische Dimensionen der Luftbrücke
120 sind ungefähr 2,0 μm bis ungefähr 10,0 μm in der Breite und ungefähr 300 Å bis ungefähr 1500 Å in der Höhe (1 μm = 10–6 m; 1 Å = 10–10 m). Die Luftbrücke120 erstreckt sich über die Kavität210 mittels einer Überlappung260 . Die Überlappung260 , die auch als eine Entkopplungsregion260 bezeichnet wird, hat eine typische Breite von ungefähr 0,0 μm (d. h. keine Überlappung) bis ungefähr 10,0 μm. Die Größe der Überlappung260 kann den Q-Faktor und andere Eigenschaften des FBAR100 beeinflussen und sie kann experimentell bestimmt werden, um diese Eigenschaften zu optimieren. - Die Breite der Luftbrücke
120 kann gemäß verschiedener Faktoren angepasst werden, wie zum Beispiel Energietunneln, Zuverlässigkeit und Chipgröße. Im Allgemeinen tendieren weite Brücken das Energietunneln zu minimieren, was ein starkes Entkoppeln zwischen Eigenmoden beidseitig innerhalb der Luftbrücke120 erzeugt. Jedoch können weite Brücken auch die Zuverlässigkeit des FBAR100 reduzieren und seine Chipgröße vergrößern. Im Allgemeinen kann die Breite der Luftbrücke120 experimentell bestimmt werden, um die obigen Faktoren in Kombination mit anderen Überlegungen zu verbessern, wie zum Beispiel den Q-Faktor und einen elektromechanischen effektiven Kopplungskoeffizienten kt 2 des FBAR100 . - Wie oben angedeutet, hat die Luftbrücke
120 eine typische Höhe von ungefähr 300 Å bis ungefähr 1500 Å. Die untere Grenze der Höhe ist mittels Grenzen an einen Prozess eines Entfernens einer Opferschicht während der Ausbildung der Luftbrücke120 bestimmt und die obere Grenze der Höhe ist bestimmt in Anbetracht der potentiellen Qualität der Schichten bestimmt, die über der Luftbrücke120 gewachsen werden, und der Qualität des nachfolgenden Herstellens von möglicherweise nicht ebenen Strukturen. - In manchen Ausführungsbeispielen kann die Luftbrücke
120 um einen gesamten Umfang des FBAR100 gebildet sein. Jedoch ist es nicht notwendig, die Luftbrücke120 um den gesamten Umfang zu erstrecken. Zum Beispiel, in dem Beispiel von1 , ist die Luftbrücke120 nur auf einer Seite des FBAR100 gebildet. - Auch wenn die
2 eine Luftbrücke120 mit einer rechteckigen Form zeigt, kann die Form der Luftbrücke120 auf verschiedene Arten modifiziert werden. Zum Beispiel kann sie mittels eines Trapez gebildet werden, wie zum Beispiel in den6A bis einschließlich6C dargestellt ist. Zusätzlich modifizieren manche Ausführungsbeispiele auch die Luftbrücke120 , so dass sie ein Material anstelle einer Luftkavität enthält. Zum Beispiel kann in bestimmten Ausführungsbeispielen die Luftbrücke120 mit NEBSG, CDO, SiC, oder einem anderen geeigneten dielektrischen Material gefüllt sein, das nicht ausgelöst wird, wenn ein Opfermaterial in der Kavität210 ausgelöst wird. In anderen Ausführungsbeispielen ist die Luftbrücke120 mit einem aus Wolfram (W), Molybdän (Mo), Aluminium (Al) oder Iridium (Ir) oder einem anderen geeigneten Metall gefüllt, das nicht ausgelöst wird, wenn das Opfermaterial, das in der Kavität210 angeordnet ist, ausgelöst wird. - Eine aktive Region
235 ist mittels einer Überlappung der unteren Elektrode215 , der piezoelektrischen Schicht230 und der oberen Elektrode105 definiert. Die Verwendung der np Schicht220 in Kombination mit der Luftbrücke120 reduziert akustische Verluste an den Grenzen des FBAR100 , um eine Modenbeschränkung in der aktiven Region235 zu verbessern. - Die Breite einer Überlappung
240 zwischen der oberen Elektrode105 und der np Schicht220 wird ausgewählt, um akustische Verluste zu reduzieren, die von einem Streuen sowohl von kontinuierlichen Moden als auch einer propagierenden Eigenmode niedrigster Ordnung in der np Schicht220 an einer Kante245 der oberen Elektrode105 resultieren. Wie ausführlicher unten beschrieben wird, wird in bestimmten Ausführungsbeispielen die Breite der Überlappung240 ausgewählt, um größer als oder gleich zu der Inversen der Dämpfungskonstante (1/k) (wobei k die Dämpfungskonstante der evaneszenten Mode niedrigster Ordnung (e–kx) ist) in der np Schicht220 zu sein, und die Breite der Überlappung240 approximiert in guter Näherung das Verhalten der kontinuierlichen Moden. Alternativ wird die Breite der Überlappung240 ausgewählt, um ein ganzteiliges Vielfaches (1, 2, 3, ...) der Viertel-Wellenlänge (λ/4) der propagierende Eigenmode niedrigster Ordnung in der np Schicht108 zu sein. - Wenn das antreibende elektrische Signal eine Frequenz in einer Umgebung einer Reihenresonanzfrequenz (Fs) des FBAR
100 hat, wird elektrische Energie in akustische Energie und umgekehrt umgewandelt. Während ein elektrisches Feld (und folglich eine elektrische Energiedichte) in einer Region beschränkt wird, die mittels einer Überlappung der oberen Elektrode105 und der unteren Elektrode215 definiert ist, kann ein akustisches Feld (und folglich eine akustische Energiedichte) in der Region unter der Elektrode (in der Form von kontinuierlichen Moden) beschränkt sein und/oder es kann weg Propagieren (in der Form von propagierenden Eigenmoden). Das elektrische Feldprofil ist mittels der lateralen Form der oberen Elektrode105 bestimmt, da die untere Elektrode215 sich jenseits der oberen Elektrode105 in einer x-y Ebene in dem dargestellten Koordinatensystem erstreckt. - Mathematisch kann die laterale Form des elektrischen Feldes in der aktiven Region
235 als eine Fourier-Überlagerung von ebenen Wellen repräsentiert werden, die mit unterschiedlichen Winkeln mit Bezug auf obere oder untere Grenzflächen der piezoelektrischen Schicht230 in FBAR100 propagieren. Es sollte betont werden, dass dies rein ein mathematisches Konzept ist, da hier keine physikalischen elektrischen Feldwellen sind, die in der Struktur propagieren (anders als mit propagierenden akustischen Wellen assoziiert). In anderen Worten ist das räumliche Spektrum des elektrischen Feldes mittels einer Fourier-Transformation auf einem elektrischen Feldprofil gegeben. - Jede räumliche spektrale Komponente des elektrischen Feldes regt eine akustische ebene Welle an, die mit dem gleichen Winkel mit Bezug auf die oberen oder unteren Grenzflächen der piezoelektrischen Schicht
230 propagieren. Ungleich dem elektrischen Feld, welches vertikal mittels der Anwesenheit der unteren und oberen Elektroden215 und105 beschränkt ist, können die angeregten akustischen Wellen vertikal durch alle der Schichten des FBAR hindurch propagieren. Jedoch mögen im Allgemeinen die elektrisch angeregten akustischen ebenen Wellen nicht frei jenseits der aktiven Region235 des FBAR100 aufgrund einer destruktiven Interferenz von diesen akustischen ebenen Wellen auf der Reflektion von den Grenzflächen propagieren. - Die nicht-propagierenden Wellen in der aktiven Region
235 bilden ein Set von kontinuierlichen Moden. Die kontinuierlichen Moden zerfallen exponentiell in einer Richtung weg von einer Anregungsregion, die mittels einer Überlappung der oberen Elektrode105 und der piezoelektrischen Schicht230 definiert ist. Jedoch interferieren für manche räumlichen spektralen Komponenten des elektrischen Feldes die angeregten akustischen Wellen konstruktiv bei Reflektionen aus den Grenzflächen des Schichtstapels, der den FBAR100 aufweist. Diese akustischen ebenen Wellen können frei in der lateralen Richtung (x-z Ebene) hinweg von der aktiven Region235 propagieren und werden als propagierende Eigenmoden des FBAR100 bezeichnet. Falls diese propagierenden Eigenmoden nicht in der aktiven Region235 beschränkt oder unterdrückt sind, resultieren schädliche Verluste der Energie. Dieser Verlust der Energie ist zum Beispiel mittels eines reduzierten Q-Faktors in dem FBAR100 manifestiert. - Die Fourier-Überlagerung der ebenen Wellen, die unter der oberen Elektrode
105 angeregt werden, können mathematisch als eine Überlagerung der Beiträge von komplexen Polen repräsentiert werden, die zu propagierenden und evaneszenten Eigenmoden für einen gegebenen Stapel korrespondieren. Die evaneszenten Eigenmoden können im Allgemeinen nicht in den Stapel propagieren und zerfallen exponentiell ab dem Punkt der Anregung. Solch eine Auflösung kann im Allgemeinen für jedes gezwungene System durchgeführt werden, wo das Zwingen entweder durch elektrische Anregung (ähnlich zu unter der oberen Elektrode105 ) oder durch mechanische Anregung passiert. Die mechanische Anregung tritt zum Beispiel an einer Grenzfläche zwischen zwei Regionen (zum Beispiel einer Grenzfläche zwischen der piezoelektrischen Schicht230 und der np Schicht220 ) auf, wo eine Region eine bekannte zwingende Bewegung zeigt, während die andere Region passiv ist und beide Regionen durch die Kontinuität der Belastung hindurch und der Teilchengeschwindigkeiten an der Grenzfläche zwischen ihnen gekoppelt sind. - In dem FBAR
100 wird eine Bewegung in der aktiven Region235 elektrisch angeregt, während eine Bewegung in der np Schicht220 mechanisch angeregt wird und aus einer Grenzbedingung an der Grenzfläche der piezoelektrischen Schicht230 und der np Schicht220 resultiert. Die piezoelektrische Schicht230 und die np Schicht220 sind aus der gleichen Substanz hergestellt, um für diese Schichten im Wesentlichen elastisch identisch zu sein. Entsprechend werden ihre korrespondierenden Sets von propagierenden Eigenmoden und evaneszenten Eigenmoden auch im Wesentlichen identisch sein. Als eine Folge davon wird jede propagierende Eigenmode, die in der piezoelektrischen Schicht230 innerhalb der aktiven Region235 angeregt wird, eine korrespondierende propagierende Eigenmode einer im Wesentlichen gleichen Amplitude in der np Schicht220 anregen. In ähnlicher Weise wird jede evaneszente Eigenmode, die mittels des elektrischen Feldes in der piezoelektrischen Schicht230 in der aktiven Region235 angeregt wird, eine korrespondierende evaneszente Mode einer im Wesentlichen gleichen Amplitude in der np Schicht220 anregen. - Es gibt einen signifikanten Unterschied in den modularen Profilen zwischen den propagierenden und evaneszenten Eigenmoden in der lateralen Richtung (x-Richtung in
2 ). Das modale Profil ist definiert als eine komplexe Amplitude einer Teilchenauslenkung als eine Funktion der lateralen Richtung und einer vertikalen Richtung (y-Richtung in2 ). Die propagierenden Moden haben eine Form einer räumlich periodischen Funktion sowohl in der aktiven Region235 als auch in der np Schicht220 außerhalb der aktiven Region235 . Im Gegensatz dazu haben die evaneszenten Moden ein konstantes Profil (das heißt die Auslenkungsamplitude hängt nicht von der x-Richtung ab) in der aktiven Region235 und sie zerfallen exponentiell in der Richtung weg von der Grenzfläche der piezoelektrischen Schicht230 und der np Schicht220 . - Für typische elektrische Anregungen enthält die evaneszente Eigenmode niedrigster Ordnung einen wesentlichen Anteil (das heißt ungefähr 50%) der elastischen Energie, im Vergleich zu der Energie, die in den anderen evaneszenten Eigenmoden höherer Ordnungen und in den propagierenden Eigenmoden beschränkt ist. Jedoch hängt diese Partitionierung der Energie zwischen den verschiedenen Eigenmoden von der Frequenz der Anregung und der Dicke und den Materialien der Schichten in dem FBAR
100 ab. - In bestimmten illustrativen Ausführungsbeispielen wird die Breite der Überlappung
240 gewählt, um größer als oder gleich zu der Inversen der Dämpfungskonstanten (1/k) der evaneszenten Eigenmode niedrigster Ordnung in der np Schicht220 zu sein. Als solches wird die evaneszente Mode niedrigster Ordnung an einer akustischen Impedanzdiskontinuität, die mittels einer Kante245 der oberen Elektrode105 definiert ist, ausreichend zerfallen sein, um einen Energieverlust aufgrund von Streuung an dieser Grenzfläche zu verhindern. - Die propagierenden Eigenmoden der np Schicht
220 werden mechanisch an der Grenzfläche der piezoelektrischen Schicht230 und np Schicht220 angeregt und sie pflanzen sich in Richtung der Kante245 der oberen Elektrode105 fort. Die Kante245 bietet eine vergleichbar große akustische Impedanzdiskontinuität für die propagierende Eigenmode, und bewirkt somit ein Streuen und eine Reflektion dieser Eigenmode zurück in Richtung der aktiven Region235 . Diese Rückwärts propagierende Eigenmode wird mit der propagierenden Mode interferieren, die an der Grenzfläche der piezoelektrischen Schicht230 und der np Schicht220 angeregt wird. Abhängig von der Phase bei der Reflektion und der Breite der Überlappung240 kann die Interferenz der propagierenden Eigenmode, die an der Kante245 reflektiert wird, mit der propagierenden Eigenmode, die an der Grenzfläche der piezoelektrischen Schicht230 und der np Schicht220 angeregt wird, entweder konstruktiv oder destruktiv sein. Es ist nützlich, die propagierende Modenamplitude zu unterdrücken, um die Menge der Energie zu reduzieren, die möglicherweise an die propagierenden Eigenmoden jenseits der Kante245 verloren werden kann. Die existierenden Moden jenseits der Kante245 beinhalten sowohl reine Propagationsscher- und Biegemoden als auch eine komplexe evaneszente Dickendehnungsmode. - Die propagierenden Eigenmoden der np Schicht
220 pflanzen sich auch von der Grenzfläche der piezoelektrischen Schicht230 und der np Schicht220 in Richtung der Luftbrücke120 fort. Die Luftbrücke120 entkoppelt teilweise diese propagierenden Eigenmoden aus einer Region außerhalb des FBAR100 , was die Menge der akustischen Energie, die aufgrund dieser Moden verloren wird, reduzieren kann. Dieses Entkoppeln kann aufgrund der Reflektion der propagierenden Eigenmode an der Kante der Luftbrücke120 passieren, analog zu der Reflektion der propagierenden Eigenmode an der Kante245 der oberen Elektrode105 , die oben beschrieben ist. - Die obere Beschreibung ist eine Einzel-Anregung-Punkt-Näherung (zum Beispiel an der Grenzfläche zwischen der piezoelektrischen Schicht
230 und der np Schicht220 ) an den kompletten Fall des propagierenden Eigenmodenanregungsproblems und ist gegeben, um eine Grundbeurteilung für die Effekte zu erleichtern, die aus der Welleneigenschaft des Falls entspringen, der hier betrachtet wird. Wie oben erwähnt, werden die propagierenden Eigenmoden kontinuierlich in der gesamten aktiven Region235 angeregt und bilden als solche ein Beugungsmuster in der np Schicht220 . Dieses Beugungsmuster ist ferner mittels der Gegenwart einer großen akustischen Impedanzdiskontinuität an der Kante245 und an der Kante der Luftbrücke120 kompliziert. - Typischerweise wird eine numerische Analyse benötigt, um das Beugungsmuster zu berechnen und zu analysieren, das in dem FBAR
100 gebildet wird, der die piezoelektrische Schicht230 , die np Schicht220 , die Kante245 und die Luftbrücke120 aufweist. Wie ausführlicher unten beschrieben wird, tritt eine verbesserte FBAR100 Performanz (performance) auf, die aus einer Unterdrückung des Beugungsmuster in der np Schicht220 resultiert, wenn die Breite der Überlappung240 der oberen Elektrode105 und der np Schicht220 ein ganzzahliges Vielfaches (1, 2, 3, ...) einer Viertelwellenlänge (λ/4) der propagierenden Eigenmode niedrigster Ordnung in der np Schicht220 ist. Um diesen Beugungseffekt zu pflegen, wird in bestimmten Ausführungsbeispielen die Breite der Überlappung240 der oberen Elektrode105 und der np Schicht220 ausgewählt, ein ganzzahliges Vielfaches (1, 2, 3, ...) der Viertel-Wellenlänge (λ/4) der propagierenden Eigenmode niedrigster Ordnung in der np Schicht220 zu sein. Weil ein signifikanter Anteil der Energie der propagierenden Eigenmoden in der np Schicht220 in der ersten Ordnung propagierende Eigenmode gefunden wird, kann die größte Menge der modalen Unterdrückung mittels Pflegens der Beugungsunterdrückung dieser Mode in der np Schicht220 erreicht werden. In bestimmten Ausführungsbeispielen wird die größte parallele Impedanz (Rp) und das höchste Q mittels Auswählens der Breite der Überlappung240 der oberen Elektrode105 erreicht und die np Schicht220 wird ausgewählt, ein ganzzahliges Vielfaches (1, 2, 3, ...) der Viertelwellenlänge (λ/4) der propagierenden Eigenmode niedrigster Ordnung in der np Schicht220 zu sein. -
3A und3B sind Querschnittsansichten, die die Verwendung eines np Materials illustrieren, um einen Verlust von akustischer Energie in dem FBAR100 von2 zu verhindern. Für eine Einfachheit der Illustration zeigen die3A und3B den FBAR100 ohne die Luftbrücke120 . Dies ist beabsichtigt, um die Effekte des np Materials unabhängig von der Luftbrücke120 zu illustrieren. - Mit Bezug auf die
3A und3B illustriert eine erste Kurve305 evaneszente Eigenmoden und eine zweite Kurve310 illustriert propagierende Eigenmoden. Die evaneszenten Moden haben ein konstantes Profil in der aktiven Region235 und sie zerfallen exponentiell an den Grenzen der aktiven Region235 . Im Gegensatz haben die propagierenden Eigenmoden ein räumlich periodisches Profil sowohl innerhalb als auch außerhalb der aktiven Region235 . Jenseits der Kante der oberen Elektrode105 kann nur eine komplexe evaneszente Version einer dicken Ausdehnungsmode (elektrisch angeregt unter der oberer Elektrode105 ) existieren. Die komplexe evaneszente Mode ist im Allgemeinen mittels sowohl von Null verschiedener Real- als auch Imaginärteile der Propagationskonstante charakterisiert. Jedoch gibt es andere reine Propagationsmoden namentlich solche Scherrmoden und Beugemoden, die in der Region jenseits der oberen Elektrode105 existieren können. - Die evaneszenten Eigenmoden und die propagierenden Eigenmoden tendieren beide an Impedanzdiskontinuitäten in dem FBAR
100 zu streuen. Zum Beispiel gibt es in den3A und3B Impedanzdiskontinuitäten an einer linken Grenze der oberen Elektrode105 und einer rechten Grenze der Kavität210 . - In dem Beispiel von
3A erstreckt sich die aktive Region235 den ganzen Weg zu den Impedanzdiskontinuitäten, daher tendieren die evaneszenten Eigenmoden an den Diskontinuitäten zu streuen, wie mittels zwei Pfeilen illustriert ist, die mit315 bezeichnet sind. Dieses Streuen kann jedoch mittels Bildens der np Schicht220 angrenzend an die piezoelektrische Schicht230 reduziert werden, wie in3B illustriert ist. - In dem Beispiel von
3B zerfallen die evaneszenten Eigenmoden exponentiell an den Grenzflächen zwischen der piezoelektrischen Schicht230 und der np Schicht220 . Konsequenterweise sind diese Moden im Wesentlichen abwesend an den Impedanzdiskontinuitäten, die mittels der linken Grenze der oberen Elektrode105 und der rechten Grenze der Kavität210 definiert werden. Als ein Ergebnis ist die Streuung, die in3A gezeigt wird, reduziert in dem Beispiel von3B . Ferner ist in einem idealen Fall, vergleichbar zu3B , das Beugungsmuster der propagierenden Mode derart, dass es perfekt unterdrückt wird und daher ist die Kurve310 , die in3A vorliegend ist, in3B abwesend. -
4A und4B sind Querschnittsansichten, die die Verwendung einer Luftbrücke illustrieren, um Verluste von akustischer Energie in dem FBAR von2 zu verhindern. Für eine Einfachheit der Illustration zeigen die4A und4B den FBAR100 ohne np Schicht220 . Dies ist beabsichtigt, um die Effekte der Luftbrücke120 unabhängig von der np Schicht220 zu illustrieren. - Mit Bezug auf die
4A und4B repräsentieren eine innere Kurve405 , eine mittlere Kurve410 und eine äußere Kurve415 unterschiedliche Eigenmoden des FBAR100 . Genauer ausgedrückt repräsentiert die innere Kurve405 Eigenmoden, die in einer inneren Region des FBAR100 existieren, die mittlere Kurve410 repräsentiert Eigenmoden in einer Region, die die Luftbrücke120 beinhaltet und die äußere Kurve415 repräsentiert Eigenmoden in einer äußeren Region des FBAR100 . - Mit Bezug auf die
4A haben in der Abwesenheit der Luftbrücke120 die innere Kurve405 , die mittlere Kurve410 und die äußere Kurve415 im Wesentlichen die gleiche Form, was eine relativ starke Kopplung zwischen den Eigenmoden der inneren Region des FBAR100 und der Eigenmoden der äußeren Region des FBAR100 entlang der Verbindungsseite115 andeutet, die in1 gezeigt wird. Diese starke Kopplung erlaubt den propagierenden Eigenmoden der aktiven Region235 ohne weiteres zu entfliehen, was einen Verlust von akustischer Energie verursacht. - Mit Bezug auf
4B verändert die Gegenwart der Luftbrücke120 die Belastungsverteilung der Region, die die Luftbrücke120 beinhaltet. Insbesondere kann die Luftbrücke120 das Zentrum der Belastungsverteilung in diesem Bereich erniedrigen. Dies modifiziert die Eigenmoden der Region, die mittels der Luftbrücke120 umgeben wird, wie mittels einer modifizierten Form der mittleren Kurve410 in4B illustriert wird. Die mittlere Kurve410 korrespondiert zu einer komplexen evaneszenten Mode bei der Frequenz der Operation des FBARs, die exponentiell in der Richtung hinweg von einer Kante420 der Luftbrücke120 zerfällt. Währenddessen haben die inneren und äußeren Regionen des FBAR im Wesentlichen die gleichen propagierenden Eigenmoden sowohl in4A als auch in4B , wie mittels der inneren und äußeren Kurven405 und415 illustriert wird. Mittels Veränderns der Eigenmoden des FBAR100 in dieser Art entkoppelt die Luftbrücke120 die Eigenmoden der inneren Region des FBAR100 von den Eigenmoden in der äußeren Region des FBAR100 . Im Allgemeinen hängt eine optimale Breite der Luftbrücke120 ab von der Reflektion der Eigenmoden an der Kante420 , welche die Grenze der aktiven Region235 (auch hierin als FBAR-Region bezeichnet) ist, und einer Entkopplungsregion260 . Aufgrund der kleineren Dicken der Schichten in der Entkopplungsregion260 können nur komplexe evaneszente Moden für die Dickenausdehnungsbewegung bei der Operationsfrequenz des FBAR100 existieren. Diese komplexen evaneszenten Moden sind mittels einer charakteristischen Zerfallslänge und einer spezifischen Propagationskonstante charakterisiert. - Die Luftbrücke
120 sollte ausgedehnt genug sein, um einen geeigneten Zerfall der komplexen evaneszenten Wellen zu sichern, die an der Grenze zwischen der FBAR-Region und der Entkopplungsregion angeregt werden. Ausgedehnte Brücken tendieren das Tunneln der Energie in die Feldregion zu minimieren, wo propagierende Moden bei einer Frequenz der Operation existieren, die mittels der äußeren Kurve415 illustriert ist. Andererseits, falls die Luftbrücke120 zu ausgedehnt ist, kann das elektrische Feld die Effektivität der elektromechanischen Kopplung des Resonators reduzieren und Zuverlässigkeitsprobleme können entspringen. Beide Faktoren können die Platzierung von ähnlichen FBARs (nicht gezeigt) von einem Platziert werden in großer Nähe limitieren, und somit unnötigerweise die gesamten Fläche eines Chips vergrößern. - In praktischen Situationen kann die propagierende Komponente der komplexen evaneszenten Welle verwendet werden, um die optimale Breite der Luftbrücke
120 zu finden. Im Allgemeinen kann, wo die Breite der Luftbrücke120 gleich zu einem ganzzahligen Vielfachen der Viertel-Wellenlänge der komplexen evaneszenten Welle ist, die Reflektivität der Eigenmoden weiter vergrößert werden, was mittels Rp und Q manifestiert werden kann, die maximale Werte erzielen. Typischerweise können abhängig von den Details des Anregungsmechanismus andere propagierende Moden der Entkopplungsregion260 , wie zum Beispiel Scherrmoden und Biegemoden, Rp und Q beeinflussen. Die Breite der Luftbrücke120 kann in Anbetracht dieser anderen propagierenden Moden modifiziert werden. Solch eine optimale Breite der Luftbrücke120 kann experimentell bestimmt werden. -
5 ist eine Querschnittsansicht des FBAR von2 mit Illustrationen der enthaltenen akustischen Energie. Wie mittels5 illustriert, reduziert die Kombination der np Schicht220 und der Luftbrücke120 mehrere Formen des Energieverlusts in dem FBAR100 . Insbesondere reduziert sie einen Energieverlust aufgrund von Streuung von evaneszenten Eigenmoden an Impedanzdiskontinuitäten, wie mittels der ersten Kurve305 illustriert und sie reduziert auch einen Energieverlust aufgrund von propagierenden Eigenmoden, wie mittels innerer, mittlerer und äußerer Kurven405 ,410 bzw.415 illustriert. - Die
6A bis einschließlich6C sind Querschnittsansichten von unterschiedlichen Variationen des FBAR von2 in Übereinstimmung mit repräsentativen Ausführungsbeispielen. Diese Variationen sind beabsichtigt, um zu illustrieren, dass die Geometrie und Positionierung von verschiedenen Merkmalen des FBAR100 in verschiedenen Wegen modifiziert werden können, um unterschiedliche Designziele zu erreichen. - In der Variation, die in
6A gezeigt wird, ist die Luftbrücke120 mittels einer Luftbrücke120' ersetzt, die eine trapezförmige Form hat, und eine zusätzliche Brückenstruktur120'' ist unterhalb der oberen Elektrode105 gebildet. Zusätzlich ist die Kavität210 mittels einer Kavität210' ersetzt. Die schrägen Wände der Kavität210' reflektieren näher die Form, die wirklich während der Herstellung gebildet wird. Die schrägen Wände der Luftbrücke120' können nützlich für die Qualität der Schichten sein, die über diesen Merkmalen gebildet werden. Die Luftbrücke120' kann Dimensionen und Überlappungseigenschaften ähnlich zu denen haben, die oben mit Bezug auf2 diskutiert werden. Die zusätzliche Brückenstruktur120'' hat die Form näherungsweise einer Hälfte der Luftbrücke120' und sie bildet eine flügelartige Form (siehe die oben verwiesen U.S. Patentanmeldung Nr. 2010/0327994 von Choy et al.) in der oberen Elektrode105 . Die piezoelektrische Schicht230 ist zwischen der Luftbrücke120' und der zusätzlicher Brückenstruktur120'' zentriert. - In der Variation, die in
6B gezeigt wird, sind die Luftbrücke120' und die zusätzliche Brückenstruktur120'' beide repositioniert, so dass sie unterhalb der np Schicht220 lokalisiert sind. In dieser Konfiguration können die Dimensionen und die Überlappungseigenschaften der Luftbrücke120' ähnlich zu denen in6A sein. Zusätzlich ist die piezoelektrische Schicht230 zwischen der Luftbrücke120' und der zusätzlichen Brückenstruktur120'' zentriert. - In der Variation, die in
6C gezeigt wird, sind zwei Luftbrücken120' oberhalb und unterhalb der np Schicht220 auf einer rechten Seite der piezoelektrischen Schicht230 gebildet und zwei zusätzliche Brückenstrukturen120'' sind oberhalb und unterhalb der np Schicht220 auf der rechten Seite der piezoelektrischen Schicht230 gebildet. Die Verwendung von mehreren Luftbrücken kann ferner die propagierenden Eigenmoden einer aktiven Region von einer äußeren Region entkoppeln. Zusätzlich ist die piezoelektrische Schicht230 zwischen den Luftbrücken120' und den zusätzlichen Brückenstrukturen120'' zentriert. -
7 ist ein Ablaufschema, welches ein Verfahren zum Bilden eines FBAR in Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel illustriert. Für den Komfort eines Erklärens wird das Verfahren von7 mit Bezug auf FBAR100 von2 beschrieben. Jedoch ist das Verfahren nicht auf ein Bilden eines FBAR mit der Konfiguration von2 limitiert. In der Beschreibung die folgt, sind Beispielsverfahrensschritte mittels runden Klammern angedeutet. - Mit Bezug auf
7 beginnt das Verfahren mittels Ätzens eines Substrats205 , um eine Kavität210 (705 ) zu bilden. In einem typischen Beispiel weist das Substrat205 Silizium auf und die Kavität210 wird mittels konventionalen Ätztechniken gebildet. - Als Nächstes wird eine Opferschicht in der Kavität
210 gebildet (710 ). Die Opferschicht wird nachfolgend entfernt, um einen Luftspalt in der Kavität210 zu bilden. Der Luftspalt kann als ein akustischer Reflektor agieren, um zu verhindern, dass akustische Energie mittels des Substrats205 absorbiert wird. Als eine Alternative zu der Kavität210 kann eine andere Art eines akustischen Reflektors in oder auf dem Substrat205 gebildet werden, wie zum Beispiel ein verteilter Bragg-Reflektor. - Nachdem die Opferschicht in der Kavität
210 gebildet wird, wird die untere Elektrode215 über dem Substrat205 gebildet (715 ). Zusätzlich wird eine Planarisierungsschicht225 auch über dem Substrat205 gebildet (720 ). - Nachdem die untere Elektrode
215 und die Planarisierungsschicht225 gebildet werden, wird die piezoelektrische Schicht230 und die np Schicht220 über der unteren Elektrode215 und der Planarisierungsschicht225 gebildet (725 ). Das Bilden der piezoelektrischen Schicht230 und der np Schicht220 kann zum Beispiel mittels eines Verfahrens erhalten werden, das in8 oder9 illustriert ist, wie nachstehend beschrieben wird. - Nachdem die piezoelektrische Schicht
230 und die np Schicht220 gebildet werden, wird eine Opferschicht auf der np Schicht220 abgelagert, um die Luftbrücke120 zu definieren (730 ). Danach wird die obere Elektrode105 über der piezoelektrischen Schicht230 , der np Schicht220 und der Opferschicht, die die Luftbrücke120 definiert, gebildet (735 ). Abschließend werden die Opferschicht der Luftbrücke120 und die Opferschicht der Kavität210 entfernt, um den FBAR100 zu vollenden (740 ). -
8 ist ein Ablaufschema, das ein Verfahren zum Bilden einer piezoelektrischen Schicht und einer np Schicht auf einer Elektrode in Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel illustriert. Das Verfahren von8 kann zum Beispiel in Schritt725 von7 durchgeführt werden. Für Komfort einer Erklärung wird das Verfahren von8 mit Bezug auf FBAR100 von2 beschrieben. Jedoch ist das Verfahren nicht auf ein Bilden eines FBAR mit der Konfiguration von2 limitiert. - Mit Bezug auf
8 beginnt das Verfahren mittels Bildens einer Ätzstoppschicht (zum Beispiel AlN, nicht gezeigt) über der unteren Elektrode215 , um sie vor einem Geätzt werden in den nachfolgenden Prozessen zu schützen (805 ). Danach wird eine zerreißende Keimschicht (disruptive seed layer) (nicht gezeigt) über der unteren Elektrode215 und der Planarisierungsschicht225 gebildet (810 ). Für AlN kann die zerreißende Keimschicht ein Oxid (zum Beispiel Karbon-dotiertes Oxid (CDO) oder Siliziumdioxid (SiO2) oder Siliziumcarbid (SiC)) sein. Die zerreißende Keimschicht kann relativ dünn mit einem Dicken Bereich zwischen ungefähr 50 Å und ungefähr 500 Å sein. Wie unten beschrieben, pflegt die zerreißende Keimschicht die Fabrikation der np Schicht220 , die ein amorphes oder polykristallines Material aufweist, das wenige oder keine piezoelektrische Effekte aufgrund eines Kristallwachstums in einer Vielzahl von Richtungen zeigt. Für andere piezoelektrische Materialien (zum Beispiel ZnO) kann ein Entfernen der Keimschicht, welche typischerweise bereitgestellt wird, um die Qualität des nachfolgend gewachsenen piezoelektrischen Materials zu verbessern, notwendig sein, um ein desorientiertes Wachstum zu pflegen. - Als Nächstes wird die zerreißende Keimschicht Foto strukturiert und außer in Regionen oberhalb der unteren Elektrode
215 entfernt, wo die np Schicht220 erwünscht gewachsen wird (815 ). Als nächstes werden ausgesetzte Anteile der Ätzstopschicht mittels eines bekannten Verfahrens entfernt (820 ). Danach wird ein für die piezoelektrische Schicht230 nutzbares Material über der ausgesetzten unteren Elektrode215 und der zerreißenden Keimschicht (825 ) gewachsen. In den Regionen über der ersten Elektrode resultiert das Wachstum in hoch-strukturierten C-Achsen piezoelektrischen Materials, wie zum Beispiel AlN oder ZnO. Jedoch wird in Regionen über der zerreißenden Keimschicht Material der gleichen Substanz wie die piezoelektrischen Schicht230 gebildet, aber das Kristallwachstum wird absichtlich desorientiert und einen amorphe oder polykristalline Schicht bildet die np Schicht220 . -
9 ist ein Ablaufschema, welches ein anderes Verfahren zum Bilden einer piezoelektrischen Schicht und einer np Schicht auf einer Elektrode in Übereinstimmung mit einem repräsentativen Ausführungsbeispiel illustriert. - Wie das Verfahren von
8 kann das Verfahren von9 zum Beispiel auch in Schritt725 von7 durchgeführt werden. Für einen Komfort einer Erklärung wird das Verfahren von9 mit Bezug auf den FBAR100 von2 beschrieben. Jedoch ist dieses Verfahren nicht auf ein Bilden eines FBAR mit der Konfiguration von2 limitiert. - Mit Bezug auf
9 wird, nachdem die untere Elektrode215 gebildet wird, eine Fabrikation eines hochstrukturierten C-Achsen-piezoelektrischen Materials (zum Beispiel AlN oder ZnO) eingeleitet (905 ). Nach einem Bilden einer anfänglichen piezoelektrischen Schicht, die eine Dicke hat, die einen Bruchteil der endgültigen Dicke der np Schicht220 ist, wird das Wachstum unterbrochen (910 ) und eine Maske wird über dem Gebiet der piezoelektrischen Schicht gebildet, die bis dahin gewachsen ist, mit Ausnahme wo es erwünscht ist, dass eine np Schicht220 wächst (915 ). - Die anfängliche Schichtdicke ist typischerweise ausgewählt, um in einem Bereich von 20% bis 80% der endgültigen Dicke der np Schicht
220 zu sein. Insbesondere, falls die anfängliche Schicht zu dünn ist, kann die nachfolgend gewachsene Schicht piezoelektrische Eigenschaften haben, welche nicht von der np Schicht220 erwünscht sind. Im Gegensatz dazu, falls die anfängliche Schicht zu dick ist, können die piezoelektrischen Eigenschaften des bereits gewachsenen Materials die Eigenschaften der np Schicht220 dominieren. Als solches wird die optimale anfängliche Schichtdicke experimentell bestimmt. - Als Nächstes wird ein Ionenimplantationsschritt ausgeführt, um die Kristallinität des Materials in der unmaskierten Region (das heißt wo die np Schicht
220 zu formen sein wird) (920 ) zu reduzieren oder zu zerstören. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die Ionen, die für diesen Ionenimplantationsschritt verwendet werden, Sauerstoffionen, Argonionen, Borionen, Phosphorionen oder Wasserstoffionen sein. Die Ionenimplantation kann mittels bekannter Verfahren erreicht werden und sie kann mit einer einzelnen Energie und Dosis oder verschiedenen Energien und Dosen ausgeführt werden. Zum Beispiel können die Energie der Ionenimplantation in einem Bereich von ungefähr 150 keV bis ungefähr 450 keV sein, und die Dosen können zwischen ungefähr 1 × 1014/cm2 bis ungefähr 1 × 1016/cm2 sein. - Nachdem die Ionenimplantation abgeschlossen ist, wird die Maske entfernt und die Ablagerung des Materials setzt sich fort bis eine erwünschte Dicke erreicht wird (
925 ). In den maskierten Regionen wird die piezoelektrische Schicht230 gebildet und in den unmaskierten Regionen wird die np Schicht220 gebildet. Insbesondere, weil eine zerreißende Keimschicht nicht bereitgestellt wird, haben die piezoelektrische Schicht230 und die np Schicht220 im Wesentlichen die gleiche Dicke und ihre oberen Oberflächen (über welchen die obere Elektrode105 gebildet wird) sind im Wesentlichen coplanar. - In den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen kann die np Schicht
220 eine Dicke haben, die im Wesentlichen identisch zu der der piezoelektrischen Schicht230 ist oder, aufgrund der hinzugefügten zerreißenden Keimschicht, leicht größer in der Dicke ist. Wie oben bemerkt, zeigt die np Schicht220 wenige oder keine piezoelektrischen Effekte. In bestimmten Ausführungsbeispielen hat die np Schicht220 einen piezoelektrischen Kopplungskoeffizienten (e33np), der geringer als der piezoelektrische Kopplungseffekt (e33p) der piezoelektrischen Schicht ist. Illustrativ liegt e33np in einem Bereich von ungefähr 0,01 e33p bis ungefähr 0,8 e33p. Wie oben beschrieben, sichert ein verhältnismäßig geringes e33np einen nützlichen Zerfall der evaneszenten Eigenmode in der np Schicht220 , eine verbesserte Propagationseigenmodebeschränkung in der aktiven Region235 und eine verbesserte Performanz (zum Beispiel Q-Faktor) von FBAR100 . -
10 ist ein Diagramm, das den gemessenen Q-Faktor eines FBAR illustriert, so wie zum Beispiel der, der in2 illustriert ist (Kurve1005 ). Für Vergleichszwecke zeigt10 auch Q-Faktoren des FBAR ohne die Luftbrücke aber mit der np Schicht220 (Kurve1010 ) und ohne der Luftbrücke und der nicht-piezoelektrischen Schicht (Kurve1015 ). Wie mittels Kurve1005 angedeutet, hat der FBAR, der die Luftbrücke und die np Schicht beinhaltet, einen signifikant verbesserten Q-Faktor in einem Frequenzbereich von Interesse um 2 GHz.
Claims (20)
- Ein Bulk-Akustik-Wave (BAW) Resonator (
100 ), welcher aufweist: eine erste Elektrode (215 ), die auf einem Substrat (205 ) gebildet ist, eine piezoelektrische Schicht (230 ), die auf der ersten Elektrode (215 ) gebildet ist, eine zweite Elektrode (105 ), die auf der piezoelektrischen Schicht (230 ) gebildet ist, eine nicht-piezoelektrische Schicht (220 ), die auf der ersten Elektrode (215 ) und angrenzend an der piezoelektrischen Schicht (230 ) gebildet ist, und eine Brücke (120 ), die zwischen der nicht-piezoelektrischen Schicht (220 ) und der ersten oder zweiten Elektrode (215 ,105 ) gebildet ist. - Der BAW Resonator (
100 ) gemäß Anspruch 1, wobei die Brücke eine Luftbrücke (120 ) ist. - Der BAW Resonator (
100 ) gemäß Anspruch 1, wobei die Brücke (120 ) eine Kavität aufweist, die mit einem dielektrischen Material oder einem Metall gefüllt ist. - Der BAW Resonator (
100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die nicht-piezoelektrische Schicht (220 ) polykristallin ist. - Der BAW Resonator (
100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die piezoelektrische Schicht (230 ) ein Material aufweist und die nicht-piezoelektrische Schicht (220 ) eine nicht-kristalline Form des Materials ist. - Der BAW Resonator (
100 ) gemäß Anspruch 5, wobei das Material Aluminiumnitrid ist. - Der BAW Resonator (
100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, welcher ferner einen akustischen Reflektor (210 ) aufweist, der unterhalb der ersten Elektrode (215 ) angeordnet ist. - Der BAW Resonator (
100 ) gemäß Anspruch 7, wobei der akustische Reflektor eine Kavität (210 ) aufweist und die Brücke (120 ) die Kavität (210 ) in einer lateralen Richtung des BAW-Resonators (100 ) überlappt. - Der BAW Resonator (
100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die piezoelektrische Schicht (230 ) einen ersten piezoelektrischen Kopplungskoeffizienten (e33) hat und die nicht-piezoelektrische Schicht (220 ) einen piezoelektrischen Kopplungskoeffizienten hat, der geringer oder gleich zu 80% des ersten piezoelektrischen Kopplungskoeffizienten ist. - Der BAW Resonator (
100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Brücke (120 ) auf mehreren Seiten einer BAW-Resonatorstruktur gebildet ist, die in einer apodisierten Fünfeckform gebildet ist. - Der BAW Resonator (
100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Brücke (120 ) eine trapezförmige Form hat. - Ein Verfahren zum Bilden eines Bulk-Akustik-Wave (BAW) Resonators (
100 ), welches aufweist: Bilden (705 ) eines akustischen Reflektors (210 ) in einem Substrat (205 ), Bilden (715 ) einer ersten Elektrode (215 ) auf dem Substrat (205 ) über dem akustischen Reflektor (210 ), Bilden (725 ) einer piezoelektrischen Schicht (230 ) und einer nicht-piezoelektrischen Schicht (220 ) angrenzend aneinander auf der ersten Elektrode (215 ), Bilden (735 ) einer zweiten Elektrode (105 ) über der piezoelektrischen Schicht (230 ) und der nicht-piezoelektrischen Schicht (220 ), und Bilden (710 ,730 ) einer Schicht zwischen der nicht-piezoelektrischen Schicht (220 ) und der ersten oder zweiten Elektrode (215 ,105 ), um eine Region für eine Brücke (120 ) zu definieren. - Das Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei die Schicht, die zwischen der nicht-piezoelektrischen Schicht (
220 ) und der ersten oder zweiten Elektrode (215 ,105 ) gebildet ist, eine Opferschicht ist, wobei das Verfahren ferner aufweist: Entfernen (740 ) der Opferschicht, um die Brücke als eine Luftbrücke (120 ) zwischen der nicht-piezoelektrischen Schicht (220 ) und der ersten oder zweiten Elektrode (215 ,105 ) herzustellen. - Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 oder 13, wobei die Schicht, die zwischen der nicht-piezoelektrischen Schicht (
220 ) und der ersten oder zweiten Elektrode (215 ,105 ) gebildet wird, ein dielektrisches Material oder ein Metall aufweist, das als die Brücke (120 ) verwendet wird. - Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das Bilden (
725 ) der piezoelektrischen Schicht (230 ) und der nicht-piezoelektrischen Schicht (220 ) angrenzend aneinander auf der ersten Elektrode (225 ) aufweist: Bilden (805 ) einer Ätzstoppschicht auf der ersten Elektrode (215 ), Bilden (810 ) einer zerreißenden Keimschicht über der ersten Elektrode (215 ), Entfernen (815 ) der zerreißenden Keimschicht außer in Regionen wo die nicht-piezoelektrische Schicht (220 ) zu bilden sein wird, Entfernen (820 ) der ausgesetzten Teile der Ätzstoppschicht, Ablagern (825 ) eines Materials, um die piezoelektrische Schicht (230 ) zu wachsen. - Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das Bilden (
725 ) der piezoelektrischen Schicht (230 ) und der nicht-piezoelektrischen Schicht (220 ) angrenzend aneinander auf der ersten Elektrode (215 ) aufweist: Ablagern (905 ) eines piezoelektrischen Materials auf der ersten Elektrode (215 ), Unterbrechen (910 ) eines Wachstums des piezoelektrischen Materials, Bilden (915 ) einer Ionenimplantationsmaske, die eine Region aussetzt, der zu der nicht-piezoelektrischen Schicht (220 ) korrespondiert, Durchführen (920 ) der Ionenimplantation auf der ausgesetzten nicht-piezoelektrischen Schicht (220 ), und weiteres Ablagern (925 ) des Materials, um die piezoelektrische Schicht (230 ) und die nicht-piezoelektrische Schicht (220 ) zu wachsen. - Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 16, wobei die Brücke (
120 ) den akustischen Reflektor in einer lateralen Richtung des BAW Resonators (100 ) überlappt. - Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 17, wobei die piezoelektrische Schicht (
230 ) und die nicht-piezoelektrische Schicht (220 ) Aluminiumnitrid aufweist. - Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 18, wobei die piezoelektrische Schicht (
230 ) und die nicht-piezoelektrische Schicht (220 ) mit coplanaren oberen Oberflächen gebildet werden. - Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 19, wobei das Bilden (
705 ) des akustischen Reflektors (210 ) in dem Substrat (205 ) aufweist ein Ablagern (710 ) einer Opferschicht in einer Kavität (210 ) des Substrats (205 ), und anschließendes Entfernen (740 ) der Opferschicht und wobei die Opferschicht, die in dem Substrat (205 ) abgelagert ist, das gleiche Material aufweist wie die Opferschicht, die auf der nicht-piezoelektrischen Schicht (220 ) gebildet wird, um die Region für die Luftbrücke (120 ) zu bilden.
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---|---|
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Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9484882B2 (en) | 2013-02-14 | 2016-11-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator having temperature compensation |
JP5792554B2 (ja) * | 2011-08-09 | 2015-10-14 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
US9525399B2 (en) * | 2011-10-31 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Planarized electrode for improved performance in bulk acoustic resonators |
KR101856060B1 (ko) | 2011-12-01 | 2018-05-10 | 삼성전자주식회사 | 체적 음향 공진기 |
US10367472B2 (en) * | 2012-10-25 | 2019-07-30 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
US11444696B2 (en) * | 2014-07-08 | 2022-09-13 | PhotonIC International Pte. Ltd. | Micro-disc modulator, silicon photonic device and optoelectronic communication apparatus using the same |
US9574959B2 (en) | 2014-09-02 | 2017-02-21 | Apple Inc. | Various stress free sensor packages using wafer level supporting die and air gap technique |
KR101973423B1 (ko) | 2014-12-08 | 2019-04-29 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 및 그 제조 방법 |
US10784832B2 (en) * | 2015-12-28 | 2020-09-22 | Ningbo Semiconductor International Corporation | Film bulk acoustic resonator and method of fabrication same |
FR3047355B1 (fr) * | 2016-02-01 | 2019-04-19 | Soitec | Structure hybride pour dispositif a ondes acoustiques de surface |
US10256788B2 (en) * | 2017-03-31 | 2019-04-09 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator including extended cavity |
US20200131025A1 (en) * | 2017-06-15 | 2020-04-30 | Cymatics Laboratories Corp. | Wave propagation computing devices for machine learning |
DE102018104712B4 (de) * | 2018-03-01 | 2020-03-12 | RF360 Europe GmbH | Verfahren zum Ausbilden einer Aluminiumnitridschicht |
US10892730B2 (en) * | 2018-05-30 | 2021-01-12 | Vanguard International Semiconductor Singapore Pte. Ltd. | Acoustic filter with packaging-defined boundary conditions and method for producing the same |
KR102052829B1 (ko) * | 2018-06-15 | 2019-12-09 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 및 이를 포함하는 음향 공진기 필터 |
KR20200132478A (ko) * | 2019-05-17 | 2020-11-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 마스크 및 이를 포함하는 피부 관리 기기 |
WO2021021719A1 (en) | 2019-07-31 | 2021-02-04 | QXONIX Inc. | Bulk acoustic wave (baw) resonator structures, devices and systems |
CN111030631B (zh) * | 2019-12-26 | 2023-10-27 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 声波器件的制作方法及声波器件 |
CN113131896B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-04-30 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 一种薄膜压电声波谐振器及其制造方法及滤波器 |
CN111030629B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-04-05 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 声波器件的制作方法及声波器件 |
CN111030627A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-17 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 声波器件的制作方法及声波器件 |
CN111917394A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-10 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 声波器件、声波器件的制造方法及相关器件 |
US11990889B2 (en) * | 2020-12-28 | 2024-05-21 | Win Semiconductors Corp. | Bulk acoustic wave resonator and formation method thereof |
CN115996031B (zh) * | 2023-03-24 | 2023-06-13 | 武汉敏声新技术有限公司 | 谐振器的制作方法以及谐振器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100019864A1 (en) * | 2008-02-15 | 2010-01-28 | Fujitsu Limited | Film bulk acoustic resonator, filter, communication module and communication device |
WO2010013197A2 (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Ecole polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL) | Piezoelectric resonator operating in thickness shear mode |
Family Cites Families (399)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1307476A (fr) | 1960-12-12 | 1962-10-26 | U S Sonics Corp | Amplificateur sélecteur de fréquences |
US3189851A (en) | 1962-06-04 | 1965-06-15 | Sonus Corp | Piezoelectric filter |
US3321648A (en) | 1964-06-04 | 1967-05-23 | Sonus Corp | Piezoelectric filter element |
GB1207974A (en) | 1966-11-17 | 1970-10-07 | Clevite Corp | Frequency selective apparatus including a piezoelectric device |
US3422371A (en) | 1967-07-24 | 1969-01-14 | Sanders Associates Inc | Thin film piezoelectric oscillator |
US3826931A (en) | 1967-10-26 | 1974-07-30 | Hewlett Packard Co | Dual crystal resonator apparatus |
US3582839A (en) | 1968-06-06 | 1971-06-01 | Clevite Corp | Composite coupled-mode filter |
US3610969A (en) | 1970-02-06 | 1971-10-05 | Mallory & Co Inc P R | Monolithic piezoelectric resonator for use as filter or transformer |
US3845402A (en) | 1973-02-15 | 1974-10-29 | Edmac Ass Inc | Sonobuoy receiver system, floating coupler |
FR2380666A1 (fr) | 1977-02-14 | 1978-09-08 | Cii Honeywell Bull | Systeme de commande de decoupage pour convertisseur dans une alimentation electrique continue |
US4084217A (en) | 1977-04-19 | 1978-04-11 | Bbc Brown, Boveri & Company, Limited | Alternating-current fed power supply |
GB2013343B (en) | 1978-01-26 | 1982-05-12 | Page Eng Co Ltd | Apparatus for detecting liquid |
GB2033185B (en) | 1978-09-22 | 1983-05-18 | Secr Defence | Acoustic wave device with temperature stabilisation |
US4281299A (en) | 1979-11-23 | 1981-07-28 | Honeywell Inc. | Signal isolator |
ZA81781B (en) | 1980-02-13 | 1982-03-31 | Int Computers Ltd | Digital systems |
US4344004A (en) | 1980-09-22 | 1982-08-10 | Design Professionals Financial Corp. | Dual function transducer utilizing displacement currents |
US4320365A (en) | 1980-11-03 | 1982-03-16 | United Technologies Corporation | Fundamental, longitudinal, thickness mode bulk wave resonator |
JPS58137317A (ja) | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Nec Corp | 圧電薄膜複合振動子 |
GB2137056B (en) | 1983-03-16 | 1986-09-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Communications apparatus |
US4640756A (en) | 1983-10-25 | 1987-02-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of making a piezoelectric shear wave resonator |
US4608541A (en) | 1984-08-10 | 1986-08-26 | Analog Devices, Kk | Isolation amplifier |
US4625138A (en) | 1984-10-24 | 1986-11-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Piezoelectric microwave resonator using lateral excitation |
US4719383A (en) | 1985-05-20 | 1988-01-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Piezoelectric shear wave resonator and method of making same |
US4819215A (en) | 1986-01-31 | 1989-04-04 | Showa Electric Wire & Cable Co., Ltd. | Electric signal transfer element |
SE465946B (sv) | 1986-09-11 | 1991-11-18 | Bengt Henoch | Anordning foer oeverfoering av elektrisk energi till elektrisk utrustning genom omagnetiska och elektriskt isolerande material |
US4769272A (en) | 1987-03-17 | 1988-09-06 | National Semiconductor Corporation | Ceramic lid hermetic seal package structure |
US4906840A (en) | 1988-01-27 | 1990-03-06 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr., University | Integrated scanning tunneling microscope |
US4841429A (en) | 1988-03-24 | 1989-06-20 | Hughes Aircraft Company | Capacitive coupled power supplies |
FR2635247B1 (fr) * | 1988-08-05 | 1990-10-19 | Thomson Csf | Transducteur piezoelectrique pour generer des ondes de volume |
US4836882A (en) | 1988-09-12 | 1989-06-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making an acceleration hardened resonator |
US5214392A (en) | 1988-11-08 | 1993-05-25 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Multilayered ceramic type electromagnetic coupler apparatus |
US5118982A (en) | 1989-05-31 | 1992-06-02 | Nec Corporation | Thickness mode vibration piezoelectric transformer |
US5048036A (en) | 1989-09-18 | 1991-09-10 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Heterostructure laser with lattice mismatch |
US5048038A (en) | 1990-01-25 | 1991-09-10 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ion-implanted planar-buried-heterostructure diode laser |
EP0461437B1 (de) | 1990-05-22 | 1998-07-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Datenaufzeichnungsgerät |
US5241456A (en) | 1990-07-02 | 1993-08-31 | General Electric Company | Compact high density interconnect structure |
JP2995076B2 (ja) | 1990-07-24 | 1999-12-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
US5075641A (en) | 1990-12-04 | 1991-12-24 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | High frequency oscillator comprising cointegrated thin film resonator and active device |
US5066925A (en) | 1990-12-10 | 1991-11-19 | Westinghouse Electric Corp. | Multi push-pull MMIC power amplifier |
US5162691A (en) | 1991-01-22 | 1992-11-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Cantilevered air-gap type thin film piezoelectric resonator |
US5233259A (en) | 1991-02-19 | 1993-08-03 | Westinghouse Electric Corp. | Lateral field FBAR |
US5111157A (en) | 1991-05-01 | 1992-05-05 | General Electric Company | Power amplifier for broad band operation at frequencies above one ghz and at decade watt power levels |
US5185589A (en) | 1991-05-17 | 1993-02-09 | Westinghouse Electric Corp. | Microwave film bulk acoustic resonator and manifolded filter bank |
US5262347A (en) | 1991-08-14 | 1993-11-16 | Bell Communications Research, Inc. | Palladium welding of a semiconductor body |
JPH0555438A (ja) | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Rohm Co Ltd | 電子部品のリード端子構造 |
US5294898A (en) | 1992-01-29 | 1994-03-15 | Motorola, Inc. | Wide bandwidth bandpass filter comprising parallel connected piezoelectric resonators |
DE69321745T2 (de) | 1992-02-04 | 1999-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Direktkontakt-Bildsensor und Herstellungsverfahren dafür |
US5166646A (en) | 1992-02-07 | 1992-11-24 | Motorola, Inc. | Integrated tunable resonators for use in oscillators and filters |
US5548189A (en) | 1992-03-26 | 1996-08-20 | Linear Technology Corp. | Fluorescent-lamp excitation circuit using a piezoelectric acoustic transformer and methods for using same |
US5361077A (en) | 1992-05-29 | 1994-11-01 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Acoustically coupled antenna utilizing an overmoded configuration |
US5382930A (en) | 1992-12-21 | 1995-01-17 | Trw Inc. | Monolithic multipole filters made of thin film stacked crystal filters |
US5384808A (en) | 1992-12-31 | 1995-01-24 | Apple Computer, Inc. | Method and apparatus for transmitting NRZ data signals across an isolation barrier disposed in an interface between adjacent devices on a bus |
US5448014A (en) | 1993-01-27 | 1995-09-05 | Trw Inc. | Mass simultaneous sealing and electrical connection of electronic devices |
US5465725A (en) | 1993-06-15 | 1995-11-14 | Hewlett Packard Company | Ultrasonic probe |
JPH0767200A (ja) | 1993-08-04 | 1995-03-10 | Motorola Inc | 音響的絶縁方法 |
JP3337535B2 (ja) | 1993-09-24 | 2002-10-21 | システム.ユニークス株式会社 | 非接触型回転結合器 |
US5587620A (en) | 1993-12-21 | 1996-12-24 | Hewlett-Packard Company | Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same |
US5633574A (en) | 1994-01-18 | 1997-05-27 | Sage; George E. | Pulse-charge battery charger |
US5594705A (en) | 1994-02-04 | 1997-01-14 | Dynamotive Canada Corporation | Acoustic transformer with non-piezoelectric core |
US5427382A (en) | 1994-05-09 | 1995-06-27 | Pate; Elvis O. | Repair kit for three-dimensional animal targets |
DE19514307A1 (de) | 1994-05-19 | 1995-11-23 | Siemens Ag | Duplexer für ein Ultraschallabbildungssystem |
US5864261A (en) | 1994-05-23 | 1999-01-26 | Iowa State University Research Foundation | Multiple layer acoustical structures for thin-film resonator based circuits and systems |
JPH0878786A (ja) | 1994-09-02 | 1996-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | 歪量子井戸の構造 |
JPH08148968A (ja) | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
US5567334A (en) | 1995-02-27 | 1996-10-22 | Texas Instruments Incorporated | Method for creating a digital micromirror device using an aluminum hard mask |
FR2734424B1 (fr) | 1995-05-19 | 1997-06-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif d'alimentation electronique |
US5696423A (en) | 1995-06-29 | 1997-12-09 | Motorola, Inc. | Temperature compenated resonator and method |
US5692279A (en) | 1995-08-17 | 1997-12-02 | Motorola | Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter |
JP2778554B2 (ja) | 1995-10-12 | 1998-07-23 | 日本電気株式会社 | 圧電トランス駆動回路 |
JPH09119943A (ja) | 1995-10-24 | 1997-05-06 | Wako:Kk | 加速度センサ |
US6219032B1 (en) | 1995-12-01 | 2001-04-17 | Immersion Corporation | Method for providing force feedback to a user of an interface device based on interactions of a controlled cursor with graphical elements in a graphical user interface |
US5729008A (en) | 1996-01-25 | 1998-03-17 | Hewlett-Packard Company | Method and device for tracking relative movement by correlating signals from an array of photoelements |
US6001664A (en) | 1996-02-01 | 1999-12-14 | Cielo Communications, Inc. | Method for making closely-spaced VCSEL and photodetector on a substrate |
CN1074843C (zh) | 1996-03-20 | 2001-11-14 | 陈美雍 | 游标定位装置 |
CN1183587C (zh) | 1996-04-08 | 2005-01-05 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 用于把两个集成电路直流上相互隔离的方法和设备 |
EP0818882A3 (de) | 1996-07-10 | 1999-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelektrische Vorrichtung mit eingefangener Energie und Herstellungsverfahren dazu |
JP2842526B2 (ja) | 1996-08-01 | 1999-01-06 | 日本電気株式会社 | 圧電トランスの駆動回路 |
US5714917A (en) | 1996-10-02 | 1998-02-03 | Nokia Mobile Phones Limited | Device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation |
JPH10163772A (ja) | 1996-10-04 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 電力増幅器およびチップキャリヤ |
US6051907A (en) | 1996-10-10 | 2000-04-18 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for performing on-wafer tuning of thin film bulk acoustic wave resonators (FBARS) |
US5873154A (en) | 1996-10-17 | 1999-02-23 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror |
JP3031265B2 (ja) | 1996-10-24 | 2000-04-10 | 日本電気株式会社 | 圧電トランスの駆動回路および駆動方法 |
CN1247606A (zh) | 1997-02-12 | 2000-03-15 | 卡尼泰克有限公司 | 一种用于计算机的输入装置 |
WO1998038736A1 (fr) | 1997-02-26 | 1998-09-03 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Vibrateur piezoelectrique et son procede de fabrication |
US6087198A (en) | 1998-02-12 | 2000-07-11 | Texas Instruments Incorporated | Low cost packaging for thin-film resonators and thin-film resonator-based filters |
US5872493A (en) | 1997-03-13 | 1999-02-16 | Nokia Mobile Phones, Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror |
US5853601A (en) | 1997-04-03 | 1998-12-29 | Northrop Grumman Corporation | Top-via etch technique for forming dielectric membranes |
US6339048B1 (en) | 1999-12-23 | 2002-01-15 | Elementis Specialties, Inc. | Oil and oil invert emulsion drilling fluids with improved anti-settling properties |
US6040962A (en) | 1997-05-14 | 2000-03-21 | Tdk Corporation | Magnetoresistive element with conductive films and magnetic domain films overlapping a central active area |
US5910756A (en) | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
US5920146A (en) | 1997-06-05 | 1999-07-06 | Motorola Inc. | Electrode edge wave patterns for piezoelectric resonator |
US6114795A (en) | 1997-06-24 | 2000-09-05 | Tdk Corporation | Piezoelectric component and manufacturing method thereof |
US5894647A (en) | 1997-06-30 | 1999-04-20 | Tfr Technologies, Inc. | Method for fabricating piezoelectric resonators and product |
US5932953A (en) | 1997-06-30 | 1999-08-03 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Method and system for detecting material using piezoelectric resonators |
JP3378775B2 (ja) | 1997-07-07 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子およびその周波数調整方法 |
EP0937985B1 (de) | 1997-09-10 | 2007-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Verfahren zur herstellung eines beschleunigungsaufnehmers |
US5982297A (en) | 1997-10-08 | 1999-11-09 | The Aerospace Corporation | Ultrasonic data communication system |
US6024857A (en) | 1997-10-08 | 2000-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating additive for filling sub-micron features |
US6873065B2 (en) | 1997-10-23 | 2005-03-29 | Analog Devices, Inc. | Non-optical signal isolator |
DE19755893C2 (de) | 1997-12-08 | 2001-01-25 | Claus Rein | Verfahren und Anordnung zur Energie- und Informationsübertragung mittels Ultraschall |
JP3712423B2 (ja) | 1998-01-16 | 2005-11-02 | 三菱電機株式会社 | 薄膜圧電素子 |
JP3230052B2 (ja) | 1998-03-23 | 2001-11-19 | 有限会社フィデリックス | 電源装置 |
US6016052A (en) | 1998-04-03 | 2000-01-18 | Cts Corporation | Pulse frequency modulation drive circuit for piezoelectric transformer |
US5936150A (en) | 1998-04-13 | 1999-08-10 | Rockwell Science Center, Llc | Thin film resonant chemical sensor with resonant acoustic isolator |
US5953479A (en) | 1998-05-07 | 1999-09-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Tilted valance-band quantum well double heterostructures for single step active and passive optical waveguide device monolithic integration |
KR100328807B1 (ko) | 1998-05-08 | 2002-03-14 | 가네코 히사시 | 제조비용이 저렴하고 충분한 접착 강도가 수득될 수 있는 수지구조물 및 이의 제조 방법 |
WO1999059244A2 (de) | 1998-05-08 | 1999-11-18 | Infineon Technologies Ag | Dünnfilm-piezoresonator |
JPH11345406A (ja) | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Sony Corp | マスクパターンの形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
US6060818A (en) | 1998-06-02 | 2000-05-09 | Hewlett-Packard Company | SBAR structures and method of fabrication of SBAR.FBAR film processing techniques for the manufacturing of SBAR/BAR filters |
DE19826152A1 (de) | 1998-06-12 | 1999-12-16 | Thomson Brandt Gmbh | Anordnung mit einem Schaltnetzteil und einem Mikroprozessor |
US6150703A (en) | 1998-06-29 | 2000-11-21 | Trw Inc. | Lateral mode suppression in semiconductor bulk acoustic resonator (SBAR) devices using tapered electrodes, and electrodes edge damping materials |
US6252229B1 (en) | 1998-07-10 | 2001-06-26 | Boeing North American, Inc. | Sealed-cavity microstructure and microbolometer and associated fabrication methods |
US6118181A (en) | 1998-07-29 | 2000-09-12 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for bonding wafers |
US6090687A (en) | 1998-07-29 | 2000-07-18 | Agilent Technolgies, Inc. | System and method for bonding and sealing microfabricated wafers to form a single structure having a vacuum chamber therein |
US6335548B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-01-01 | Gentex Corporation | Semiconductor radiation emitter package |
JP3399409B2 (ja) | 1998-09-11 | 2003-04-21 | 株式会社村田製作所 | 複合回路基板、非可逆回路素子、共振器、フィルタ、デュプレクサ、通信機装置、回路モジュール、ならびに複合回路基板の製造方法と非可逆回路素子の製造方法 |
US6124678A (en) | 1998-10-08 | 2000-09-26 | Face International Corp. | Fluorescent lamp excitation circuit having a multi-layer piezoelectric acoustic transformer and methods for using the same |
AU4209199A (en) | 1998-11-09 | 2000-05-29 | Richard Patten Bishop | Multi-layer piezoelectric electrical energy transfer device |
JP2000209063A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
CN1291369A (zh) | 1998-12-22 | 2001-04-11 | 精工爱普生株式会社 | 电力供给装置、电力接收装置、电力传输***、电力传输方法、便携式机器和计时装置 |
FI113211B (fi) | 1998-12-30 | 2004-03-15 | Nokia Corp | Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite |
US6215375B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-04-10 | Agilent Technologies, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with improved lateral mode suppression |
JP2000295065A (ja) | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電振動子とその周波数調整方法 |
JP3531522B2 (ja) | 1999-04-19 | 2004-05-31 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子 |
US6306755B1 (en) | 1999-05-14 | 2001-10-23 | Koninklijke Philips Electronics N.V. (Kpenv) | Method for endpoint detection during dry etch of submicron features in a semiconductor device |
JP4327942B2 (ja) | 1999-05-20 | 2009-09-09 | Tdk株式会社 | 薄膜圧電素子 |
US6262637B1 (en) | 1999-06-02 | 2001-07-17 | Agilent Technologies, Inc. | Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs) |
DE19931297A1 (de) | 1999-07-07 | 2001-01-11 | Philips Corp Intellectual Pty | Volumenwellen-Filter |
FI107660B (fi) | 1999-07-19 | 2001-09-14 | Nokia Mobile Phones Ltd | Resonaattorirakenne |
US6265246B1 (en) | 1999-07-23 | 2001-07-24 | Agilent Technologies, Inc. | Microcap wafer-level package |
JP4420538B2 (ja) | 1999-07-23 | 2010-02-24 | アバゴ・テクノロジーズ・ワイヤレス・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド | ウェーハパッケージの製造方法 |
US6228675B1 (en) | 1999-07-23 | 2001-05-08 | Agilent Technologies, Inc. | Microcap wafer-level package with vias |
US6107721A (en) | 1999-07-27 | 2000-08-22 | Tfr Technologies, Inc. | Piezoelectric resonators on a differentially offset reflector |
US6617750B2 (en) | 1999-09-21 | 2003-09-09 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Microelectricalmechanical system (MEMS) electrical isolator with reduced sensitivity to inertial noise |
JP4384306B2 (ja) | 1999-09-27 | 2009-12-16 | 京セラ株式会社 | 圧電共振子 |
US6292336B1 (en) | 1999-09-30 | 2001-09-18 | Headway Technologies, Inc. | Giant magnetoresistive (GMR) sensor element with enhanced magnetoresistive (MR) coefficient |
EP1234371B1 (de) | 1999-10-19 | 2004-07-28 | Alcatel | Schaltnetzteilumwandler mit einem piezoelektrischen umwandler |
JP2001196883A (ja) | 1999-11-01 | 2001-07-19 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の周波数調整方法 |
KR100413789B1 (ko) | 1999-11-01 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 고진공 패키징 마이크로자이로스코프 및 그 제조방법 |
US6307447B1 (en) | 1999-11-01 | 2001-10-23 | Agere Systems Guardian Corp. | Tuning mechanical resonators for electrical filter |
US6580159B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-06-17 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit device packages and substrates for making the packages |
US6441539B1 (en) | 1999-11-11 | 2002-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator |
JP2001244778A (ja) | 1999-12-22 | 2001-09-07 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 高周波圧電振動子 |
DE60042916D1 (de) | 2000-01-10 | 2009-10-22 | Eta Sa Mft Horlogere Suisse | Vorrichtung um ein Signal zu erzeugen,dessen Frequenz wesentlich Temperatur unabhängig ist |
US6452310B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-09-17 | Texas Instruments Incorporated | Thin film resonator and method |
US6479320B1 (en) | 2000-02-02 | 2002-11-12 | Raytheon Company | Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components |
US6521477B1 (en) | 2000-02-02 | 2003-02-18 | Raytheon Company | Vacuum package fabrication of integrated circuit components |
US6466418B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-10-15 | Headway Technologies, Inc. | Bottom spin valves with continuous spacer exchange (or hard) bias |
US6262600B1 (en) | 2000-02-14 | 2001-07-17 | Analog Devices, Inc. | Isolator for transmitting logic signals across an isolation barrier |
DE10007577C1 (de) | 2000-02-18 | 2001-09-13 | Infineon Technologies Ag | Piezoresonator |
DE10014300A1 (de) | 2000-03-23 | 2001-10-04 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
WO2001078229A1 (en) | 2000-04-06 | 2001-10-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Tunable filter arrangement comprising resonators. |
US6441481B1 (en) | 2000-04-10 | 2002-08-27 | Analog Devices, Inc. | Hermetically sealed microstructure package |
US6384697B1 (en) | 2000-05-08 | 2002-05-07 | Agilent Technologies, Inc. | Cavity spanning bottom electrode of a substrate-mounted bulk wave acoustic resonator |
GB0012439D0 (en) | 2000-05-24 | 2000-07-12 | Univ Cranfield | Improvements to filters |
KR100370398B1 (ko) | 2000-06-22 | 2003-01-30 | 삼성전자 주식회사 | 전자 및 mems 소자의 표면실장형 칩 규모 패키징 방법 |
JP2002033628A (ja) | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Hitachi Ltd | 高周波電力増幅器 |
US6355498B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-03-12 | Agere Systems Guartian Corp. | Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing |
US6420820B1 (en) | 2000-08-31 | 2002-07-16 | Agilent Technologies, Inc. | Acoustic wave resonator and method of operating the same to maintain resonance when subjected to temperature variations |
US6377137B1 (en) | 2000-09-11 | 2002-04-23 | Agilent Technologies, Inc. | Acoustic resonator filter with reduced electromagnetic influence due to die substrate thickness |
US6530515B1 (en) | 2000-09-26 | 2003-03-11 | Amkor Technology, Inc. | Micromachine stacked flip chip package fabrication method |
US6486751B1 (en) | 2000-09-26 | 2002-11-26 | Agere Systems Inc. | Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure |
US6621137B1 (en) | 2000-10-12 | 2003-09-16 | Intel Corporation | MEMS device integrated chip package, and method of making same |
EP1202455A3 (de) | 2000-10-31 | 2004-09-15 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Verfahren zum Verpacken von Duplexern unter Gebrauch von akustischen Dünnfilmvolumenresonatoren |
US6542055B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-04-01 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated filter balun |
WO2002037708A2 (en) | 2000-11-03 | 2002-05-10 | Paratek Microwave, Inc. | Method of channel frequency allocation for rf and microwave duplexers |
US6515558B1 (en) | 2000-11-06 | 2003-02-04 | Nokia Mobile Phones Ltd | Thin-film bulk acoustic resonator with enhanced power handling capacity |
DE60141704D1 (de) | 2000-11-06 | 2010-05-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren zur messung der bewegung eines eingabegeräts |
KR100473871B1 (ko) | 2000-11-13 | 2005-03-08 | 주식회사 엠에스솔루션 | 박막 필터 |
GB0029090D0 (en) | 2000-11-29 | 2001-01-10 | Univ Cranfield | Improvements in or relating to filters |
KR100398363B1 (ko) | 2000-12-05 | 2003-09-19 | 삼성전기주식회사 | Fbar 소자 및 그 제조방법 |
US6550664B2 (en) | 2000-12-09 | 2003-04-22 | Agilent Technologies, Inc. | Mounting film bulk acoustic resonators in microwave packages using flip chip bonding technology |
US6366006B1 (en) | 2000-12-15 | 2002-04-02 | Clark Davis Boyd | Composite piezoelectric transformer |
US6424237B1 (en) | 2000-12-21 | 2002-07-23 | Agilent Technologies, Inc. | Bulk acoustic resonator perimeter reflection system |
US6522800B2 (en) | 2000-12-21 | 2003-02-18 | Bernardo F. Lucero | Microstructure switches |
US6496085B2 (en) | 2001-01-02 | 2002-12-17 | Nokia Mobile Phones Ltd | Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror |
US6518860B2 (en) | 2001-01-05 | 2003-02-11 | Nokia Mobile Phones Ltd | BAW filters having different center frequencies on a single substrate and a method for providing same |
US6407649B1 (en) | 2001-01-05 | 2002-06-18 | Nokia Corporation | Monolithic FBAR duplexer and method of making the same |
US6469909B2 (en) | 2001-01-09 | 2002-10-22 | 3M Innovative Properties Company | MEMS package with flexible circuit interconnect |
US6512300B2 (en) | 2001-01-10 | 2003-01-28 | Raytheon Company | Water level interconnection |
JP2002217676A (ja) | 2001-01-17 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電フィルタ |
CA2369060C (en) | 2001-01-24 | 2005-10-04 | Nissin Electric Co., Ltd. | Dc-dc-converter and bi-directional dc-dc converter and method of controlling the same |
US6462631B2 (en) | 2001-02-14 | 2002-10-08 | Agilent Technologies, Inc. | Passband filter having an asymmetrical filter response |
US6583374B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-06-24 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Microelectromechanical system (MEMS) digital electrical isolator |
US6714102B2 (en) | 2001-03-01 | 2004-03-30 | Agilent Technologies, Inc. | Method of fabricating thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and FBAR structure embodying the method |
US6787048B2 (en) | 2001-03-05 | 2004-09-07 | Agilent Technologies, Inc. | Method for producing thin bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method |
US6617249B2 (en) | 2001-03-05 | 2003-09-09 | Agilent Technologies, Inc. | Method for making thin film bulk acoustic resonators (FBARS) with different frequencies on a single substrate and apparatus embodying the method |
US6469597B2 (en) | 2001-03-05 | 2002-10-22 | Agilent Technologies, Inc. | Method of mass loading of thin film bulk acoustic resonators (FBAR) for creating resonators of different frequencies and apparatus embodying the method |
US6874211B2 (en) | 2001-03-05 | 2005-04-05 | Agilent Technologies, Inc. | Method for producing thin film bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method |
US6483229B2 (en) | 2001-03-05 | 2002-11-19 | Agilent Technologies, Inc. | Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method |
US6566979B2 (en) | 2001-03-05 | 2003-05-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method |
JP4058970B2 (ja) | 2001-03-21 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | ニオブ酸カリウム圧電薄膜を有する表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 |
US6677929B2 (en) | 2001-03-21 | 2004-01-13 | Agilent Technologies, Inc. | Optical pseudo trackball controls the operation of an appliance or machine |
DE60115504T2 (de) | 2001-03-23 | 2006-08-31 | Infineon Technologies Ag | Filtereinrichtung |
JP3973915B2 (ja) | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 高周波フィルタ、高周波回路、アンテナ共用器及び無線端末 |
DE10118285A1 (de) | 2001-04-12 | 2002-11-07 | Philips Corp Intellectual Pty | Schaltung zur Umwandlung von Wechselspannung in Gleichspannung |
US6548943B2 (en) | 2001-04-12 | 2003-04-15 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method of producing thin-film bulk acoustic wave devices |
US6668618B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-12-30 | Agilent Technologies, Inc. | Systems and methods of monitoring thin film deposition |
US6472954B1 (en) | 2001-04-23 | 2002-10-29 | Agilent Technologies, Inc. | Controlled effective coupling coefficients for film bulk acoustic resonators |
US6441702B1 (en) | 2001-04-27 | 2002-08-27 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters |
US6476536B1 (en) | 2001-04-27 | 2002-11-05 | Nokia Corporation | Method of tuning BAW resonators |
US6489688B1 (en) | 2001-05-02 | 2002-12-03 | Zeevo, Inc. | Area efficient bond pad placement |
US6601276B2 (en) | 2001-05-11 | 2003-08-05 | Agere Systems Inc. | Method for self alignment of patterned layers in thin film acoustic devices |
JP2005236337A (ja) | 2001-05-11 | 2005-09-02 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
WO2002093740A1 (fr) | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Ube Electronics, Ltd. | Resonateur d'onde acoustique en volume a couche mince |
US7545532B2 (en) | 2001-06-07 | 2009-06-09 | Fujifilm Corporation | Image processing apparatus and image processing program storage medium |
KR100398365B1 (ko) | 2001-06-25 | 2003-09-19 | 삼성전기주식회사 | 폭방향 파동이 억제되는 박막 공진기 |
US7135809B2 (en) | 2001-06-27 | 2006-11-14 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Ultrasound transducer |
JP3903842B2 (ja) | 2001-07-03 | 2007-04-11 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、フィルタおよび電子通信機器 |
JP2003017964A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Hitachi Ltd | 弾性波素子の製造方法 |
US6710681B2 (en) | 2001-07-13 | 2004-03-23 | Agilent Technologies, Inc. | Thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and inductor on a monolithic substrate and method of fabricating the same |
US6958566B2 (en) | 2001-08-16 | 2005-10-25 | The Regents Of The University Of Michigan | Mechanical resonator device having phenomena-dependent electrical stiffness |
US6936954B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-08-30 | Honeywell International Inc. | Bulk resonator |
US6803835B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-10-12 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated filter balun |
US6559530B2 (en) | 2001-09-19 | 2003-05-06 | Raytheon Company | Method of integrating MEMS device with low-resistivity silicon substrates |
DE10147075A1 (de) | 2001-09-25 | 2003-04-30 | Infineon Technologies Ag | Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10149542A1 (de) | 2001-10-08 | 2003-04-17 | Infineon Technologies Ag | BAW-Resonator |
JP3922428B2 (ja) | 2001-10-16 | 2007-05-30 | Tdk株式会社 | 圧電振動子、圧電振動部品及びそれらの製造方法 |
US6593870B2 (en) | 2001-10-18 | 2003-07-15 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | MEMS-based electrically isolated analog-to-digital converter |
GB0125529D0 (en) | 2001-10-24 | 2001-12-12 | The Technology Partnership Plc | Sensing apparatus |
US6630753B2 (en) | 2001-10-29 | 2003-10-07 | International Business Machines Corporation | Low cost redundant AC to DC power supply |
US6808955B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-10-26 | Intel Corporation | Method of fabricating an integrated circuit that seals a MEMS device within a cavity |
DE60140319D1 (de) | 2001-11-06 | 2009-12-10 | Avago Technologies Wireless Ip | Filtereinrichtung und verfahren zur herstellung einer filtereinrichtung |
US6720844B1 (en) | 2001-11-16 | 2004-04-13 | Tfr Technologies, Inc. | Coupled resonator bulk acoustic wave filter |
US6710508B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-03-23 | Agilent Technologies, Inc. | Method for adjusting and stabilizing the frequency of an acoustic resonator |
TWI281277B (en) | 2001-11-29 | 2007-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Driving circuit of piezoelectric transformer, cold cathode tube light-emitting device, liquid crystal panel and electronic machine mounted with liquid crystal panel |
DE10160617A1 (de) | 2001-12-11 | 2003-06-12 | Epcos Ag | Akustischer Spiegel mit verbesserter Reflexion |
US6970365B2 (en) | 2001-12-12 | 2005-11-29 | Jpmorgan Chase Bank, N.A. | Controlled frequency power factor correction circuit and method |
US6600390B2 (en) | 2001-12-13 | 2003-07-29 | Agilent Technologies, Inc. | Differential filters with common mode rejection and broadband rejection |
US20030111439A1 (en) | 2001-12-14 | 2003-06-19 | Fetter Linus Albert | Method of forming tapered electrodes for electronic devices |
US6906451B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator |
US6670866B2 (en) | 2002-01-09 | 2003-12-30 | Nokia Corporation | Bulk acoustic wave resonator with two piezoelectric layers as balun in filters and duplexers |
US20030132809A1 (en) | 2002-01-17 | 2003-07-17 | Chinnugounder Senthilkumar | Oscillator with tunable capacitor |
JP2003222636A (ja) | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Fujitsu Media Device Kk | 加速度センサ |
US20030141946A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-07-31 | Ruby Richard C. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) and the method of making the same |
US6873529B2 (en) | 2002-02-26 | 2005-03-29 | Kyocera Corporation | High frequency module |
US6603182B1 (en) | 2002-03-12 | 2003-08-05 | Lucent Technologies Inc. | Packaging micromechanical devices |
EP1505728A3 (de) | 2002-03-15 | 2011-12-07 | Panasonic Corporation | Symmetrisches Hochfrequenz-Bauelement, Schaltkreis und Verfahren zur Verbesserung der Signalsymmetrie |
US6549394B1 (en) | 2002-03-22 | 2003-04-15 | Agilent Technologies, Inc. | Micromachined parallel-plate variable capacitor with plate suspension |
US6673697B2 (en) | 2002-04-03 | 2004-01-06 | Intel Corporation | Packaging microelectromechanical structures |
US6635509B1 (en) | 2002-04-12 | 2003-10-21 | Dalsa Semiconductor Inc. | Wafer-level MEMS packaging |
TW540173B (en) | 2002-05-03 | 2003-07-01 | Asia Pacific Microsystems Inc | Bulk acoustic device having integrated fine-tuning and trimming devices |
JP2003332872A (ja) | 2002-05-14 | 2003-11-21 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子およびその製造方法 |
KR100506729B1 (ko) | 2002-05-21 | 2005-08-08 | 삼성전기주식회사 | 박막 벌크 어코스틱 공진기(FBARs)소자 및 그제조방법 |
JP2004072715A (ja) | 2002-06-11 | 2004-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子、圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品 |
US7276994B2 (en) | 2002-05-23 | 2007-10-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter |
EP1542362B1 (de) | 2002-06-20 | 2011-03-30 | Ube Industries, Ltd. | Piezoelektrischer d nnfilmoszillator, piezoelektrisches d nnfilmbauelement und herstellungsverfahren daf r |
JP4215717B2 (ja) | 2002-07-19 | 2009-01-28 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 物質を検出する装置および物質を検出する方法 |
JP4039322B2 (ja) | 2002-07-23 | 2008-01-30 | 株式会社村田製作所 | 圧電フィルタ、デュプレクサ、複合圧電共振器および通信装置、並びに、圧電フィルタの周波数調整方法 |
US20040017130A1 (en) | 2002-07-24 | 2004-01-29 | Li-Peng Wang | Adjusting the frequency of film bulk acoustic resonators |
US20040016995A1 (en) | 2002-07-25 | 2004-01-29 | Kuo Shun Meen | MEMS control chip integration |
US6828713B2 (en) | 2002-07-30 | 2004-12-07 | Agilent Technologies, Inc | Resonator with seed layer |
EP1547189A4 (de) | 2002-08-03 | 2006-11-08 | Siverta Inc | Versiegelter integraler mems-schalter |
US6816035B2 (en) | 2002-08-08 | 2004-11-09 | Intel Corporation | Forming film bulk acoustic resonator filters |
US20040027030A1 (en) | 2002-08-08 | 2004-02-12 | Li-Peng Wang | Manufacturing film bulk acoustic resonator filters |
US6713314B2 (en) | 2002-08-14 | 2004-03-30 | Intel Corporation | Hermetically packaging a microelectromechanical switch and a film bulk acoustic resonator |
DE10239317A1 (de) | 2002-08-27 | 2004-03-11 | Epcos Ag | Resonator und Bauelement mit hermetischer Verkapselung |
JP3879643B2 (ja) | 2002-09-25 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置 |
JP4128836B2 (ja) | 2002-09-27 | 2008-07-30 | Tdk株式会社 | 薄膜圧電共振子、それを用いたフィルタ及びデュプレクサ |
DE10246791B4 (de) | 2002-10-08 | 2017-10-19 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator und Schaltung mit dem Resonator |
JP2004147246A (ja) | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子、それを用いたフィルタ及び圧電振動子の調整方法 |
US6944432B2 (en) | 2002-11-12 | 2005-09-13 | Nokia Corporation | Crystal-less oscillator transceiver |
US6984860B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-01-10 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Semiconductor device with high frequency parallel plate trench capacitor structure |
FR2848036B1 (fr) | 2002-11-28 | 2005-08-26 | St Microelectronics Sa | Support pour resonateur acoustique, resonateur acoustique et circuit integre correspondant |
DE10256937B4 (de) | 2002-12-05 | 2018-02-01 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit unsymmetrisch/symmetrischer Beschaltung |
EP1573273B1 (de) | 2002-12-10 | 2015-01-07 | Nxp B.V. | Wandler und elektronisches gerat |
JP3889351B2 (ja) | 2002-12-11 | 2007-03-07 | Tdk株式会社 | デュプレクサ |
DE10258422A1 (de) | 2002-12-13 | 2004-06-24 | Epcos Ag | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren |
US6985051B2 (en) | 2002-12-17 | 2006-01-10 | The Regents Of The University Of Michigan | Micromechanical resonator device and method of making a micromechanical device |
JP3841049B2 (ja) | 2002-12-27 | 2006-11-01 | ヤマハ株式会社 | 電源回路 |
JP4342174B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-10-14 | 新光電気工業株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
DE10301261B4 (de) | 2003-01-15 | 2018-03-22 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
KR100455127B1 (ko) | 2003-01-24 | 2004-11-06 | 엘지전자 주식회사 | 박막 용적 탄성파 공진기를 이용한 물질 센서 모듈 |
KR100486627B1 (ko) | 2003-02-21 | 2005-05-03 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 패키지 |
US7026876B1 (en) | 2003-02-21 | 2006-04-11 | Dynalinear Technologies, Inc. | High linearity smart HBT power amplifiers for CDMA/WCDMA application |
US20040166603A1 (en) | 2003-02-25 | 2004-08-26 | Carley L. Richard | Micromachined assembly with a multi-layer cap defining a cavity |
FR2852165A1 (fr) * | 2003-03-06 | 2004-09-10 | St Microelectronics Sa | Procede de realisation d'un microresonateur piezolectrique accordable |
US7275292B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate |
US6922102B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-07-26 | Andrew Corporation | High efficiency amplifier |
JP2004304704A (ja) | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜音響共振子、及び、薄膜音響共振子回路 |
DE10317969B4 (de) | 2003-04-17 | 2005-06-16 | Epcos Ag | Duplexer mit erweiterter Funktionalität |
EP1469599B1 (de) | 2003-04-18 | 2010-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dünnschicht-Resonator von Luftspaltbauart, Duplexer mit dem Resonator und deren Herstellungsverfahren |
KR100599083B1 (ko) | 2003-04-22 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법 |
DE10319554B4 (de) | 2003-04-30 | 2018-05-09 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren |
US6943648B2 (en) | 2003-05-01 | 2005-09-13 | Intel Corporation | Methods for forming a frequency bulk acoustic resonator with uniform frequency utilizing multiple trimming layers and structures formed thereby |
FR2854745B1 (fr) | 2003-05-07 | 2005-07-22 | Centre Nat Rech Scient | Circuit electronique a transformateur piezo-electrique integre |
US6927651B2 (en) | 2003-05-12 | 2005-08-09 | Agilent Technologies, Inc. | Acoustic resonator devices having multiple resonant frequencies and methods of making the same |
US6820469B1 (en) | 2003-05-12 | 2004-11-23 | Sandia Corporation | Microfabricated teeter-totter resonator |
US7313255B2 (en) | 2003-05-19 | 2007-12-25 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | System and method for optically detecting a click event |
US6954121B2 (en) | 2003-06-09 | 2005-10-11 | Agilent Technologies, Inc. | Method for controlling piezoelectric coupling coefficient in film bulk acoustic resonators and apparatus embodying the method |
US6853534B2 (en) | 2003-06-09 | 2005-02-08 | Agilent Technologies, Inc. | Tunable capacitor |
EP1489740A3 (de) | 2003-06-18 | 2006-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung desselben |
US6924717B2 (en) | 2003-06-30 | 2005-08-02 | Intel Corporation | Tapered electrode in an acoustic resonator |
JP2005057332A (ja) | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Tdk Corp | フィルタ装置およびそれを用いた分波器 |
WO2005012922A1 (ja) | 2003-08-04 | 2005-02-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 加速度センサ |
US6777263B1 (en) | 2003-08-21 | 2004-08-17 | Agilent Technologies, Inc. | Film deposition to enhance sealing yield of microcap wafer-level package with vias |
EP1517443B1 (de) | 2003-09-12 | 2011-06-29 | Panasonic Corporation | Abstimmbarer Dünnschicht-Volumenwellen-Resonator, Herstellungsmethode dafür, Filter, mehrschichtiges zusammengesetztes elektronisches Bauelement und Kommunikationsvorrichtung |
JP2005117641A (ja) | 2003-09-17 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電体共振器、それを用いたフィルタ及び共用器 |
US7466213B2 (en) | 2003-10-06 | 2008-12-16 | Nxp B.V. | Resonator structure and method of producing it |
EP1528677B1 (de) | 2003-10-30 | 2006-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit zwei piezoelektrischen Elementen, welche entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzten |
US7391285B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-06-24 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Film acoustically-coupled transformer |
US7242270B2 (en) | 2003-10-30 | 2007-07-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Decoupled stacked bulk acoustic resonator-based band-pass filter |
US6946928B2 (en) | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Thin-film acoustically-coupled transformer |
US7358831B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-04-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging |
US7019605B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-03-28 | Larson Iii John D | Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth |
EP1528676B1 (de) | 2003-10-30 | 2006-09-13 | Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd | Akustisch gekoppelter Dünnschicht-Transformator mit piezoelektrischem Material, welches entgegengesetzte C-Axen Orientierung besitzt |
US7294919B2 (en) | 2003-11-26 | 2007-11-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Device having a complaint element pressed between substrates |
TWI228869B (en) | 2003-12-30 | 2005-03-01 | Ind Tech Res Inst | Noise reduction method of filter |
US7295088B2 (en) | 2004-01-21 | 2007-11-13 | The Regents Of The University Of Michigan | High-Q micromechanical resonator devices and filters utilizing same |
US7323805B2 (en) | 2004-01-28 | 2008-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Piezoelectric thin film device and method for manufacturing the same |
JP2006166390A (ja) | 2004-02-05 | 2006-06-22 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、圧電振動子及び圧電発振器 |
GB0403481D0 (en) | 2004-02-17 | 2004-03-24 | Transense Technologies Plc | Interrogation method for passive sensor monitoring system |
JP3945486B2 (ja) | 2004-02-18 | 2007-07-18 | ソニー株式会社 | 薄膜バルク音響共振子およびその製造方法 |
JP2005286992A (ja) | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、圧電振動子および圧電発振器 |
US7084553B2 (en) | 2004-03-04 | 2006-08-01 | Ludwiczak Damian R | Vibrating debris remover |
EP1575165B1 (de) | 2004-03-09 | 2008-05-07 | Infineon Technologies AG | Akustischer Volumenwellen - Filter und Verfahren zur Vermeidung unerwünschter Seitendurchgänge |
JP4078555B2 (ja) | 2004-03-17 | 2008-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | ニオブ酸カリウム堆積体の製造方法 |
US6963257B2 (en) | 2004-03-19 | 2005-11-08 | Nokia Corporation | Coupled BAW resonator based duplexers |
JP3875240B2 (ja) | 2004-03-31 | 2007-01-31 | 株式会社東芝 | 電子部品の製造方法 |
JP4373949B2 (ja) | 2004-04-20 | 2009-11-25 | 株式会社東芝 | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 |
JP4280198B2 (ja) | 2004-04-30 | 2009-06-17 | 株式会社東芝 | 薄膜圧電共振器 |
TW200610266A (en) | 2004-06-03 | 2006-03-16 | Sony Corp | Thin film bulk acoustic resonator and method of manufacturing the same |
US7161448B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-01-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancements using recessed region |
US20060017352A1 (en) | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Aram Tanielian | Thin device and method of fabrication |
WO2006018788A1 (en) | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Narrow band bulk acoustic wave filter |
TWI365603B (en) | 2004-10-01 | 2012-06-01 | Avago Technologies Wireless Ip | A thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter |
US7280007B2 (en) | 2004-11-15 | 2007-10-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter |
US7388454B2 (en) | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
US20060087199A1 (en) | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Larson John D Iii | Piezoelectric isolating transformer |
US7098758B2 (en) | 2004-11-03 | 2006-08-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically coupled thin-film resonators having an electrode with a tapered edge |
DE102004054895B4 (de) | 2004-11-12 | 2007-04-19 | Infineon Technologies Ag | Dünnschicht-BAW-Filter sowie Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-BAW-Filters |
US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
US7791434B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
TWI256194B (en) | 2004-12-30 | 2006-06-01 | Delta Electronics Inc | Filter assembly with unbalanced to balanced conversion |
US7427819B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-09-23 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method |
US7138889B2 (en) | 2005-03-22 | 2006-11-21 | Triquint Semiconductor, Inc. | Single-port multi-resonator acoustic resonator device |
US7369013B2 (en) | 2005-04-06 | 2008-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region |
JP2006319796A (ja) | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Toshiba Corp | 薄膜バルク波音響共振器 |
US7299529B2 (en) | 2005-06-16 | 2007-11-27 | Intel Corporation | Film bulk acoustic resonator (FBAR) process using single-step resonator layer deposition |
WO2006134959A1 (ja) | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 多重モード薄膜弾性波共振器フィルタ |
US7562429B2 (en) | 2005-06-20 | 2009-07-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Suspended device and method of making |
DE102005028927B4 (de) | 2005-06-22 | 2007-02-15 | Infineon Technologies Ag | BAW-Vorrichtung |
US7875483B2 (en) | 2005-08-10 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of microelectromechanical system |
US20070035364A1 (en) | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Uppili Sridhar | Titanium-tungsten alloy based mirrors and electrodes in bulk acoustic wave devices |
US7285807B2 (en) | 2005-08-25 | 2007-10-23 | Coldwatt, Inc. | Semiconductor device having substrate-driven field-effect transistor and Schottky diode and method of forming the same |
US8008993B2 (en) | 2005-09-30 | 2011-08-30 | Nxp B.V. | Thin-film bulk-acoustic wave (BAW) resonators |
US7391286B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-06-24 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters |
JP4756461B2 (ja) | 2005-10-12 | 2011-08-24 | 宇部興産株式会社 | 窒化アルミニウム薄膜およびそれを用いた圧電薄膜共振子 |
US7425787B2 (en) | 2005-10-18 | 2008-09-16 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator |
US7423503B2 (en) | 2005-10-18 | 2008-09-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer |
US20070085632A1 (en) | 2005-10-18 | 2007-04-19 | Larson John D Iii | Acoustic galvanic isolator |
US7737807B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-06-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators |
US7675390B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-03-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator |
US7525398B2 (en) | 2005-10-18 | 2009-04-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier |
JP2007129391A (ja) | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音響共振器及びフィルタ |
US7561009B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
JP2007181185A (ja) | 2005-12-01 | 2007-07-12 | Sony Corp | 音響共振器およびその製造方法 |
US7514844B2 (en) | 2006-01-23 | 2009-04-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic data coupling system and method |
US7586392B2 (en) | 2006-01-23 | 2009-09-08 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Dual path acoustic data coupling system and method |
US7612636B2 (en) | 2006-01-30 | 2009-11-03 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Impedance transforming bulk acoustic wave baluns |
US7345410B2 (en) | 2006-03-22 | 2008-03-18 | Agilent Technologies, Inc. | Temperature compensation of film bulk acoustic resonator devices |
JP4872446B2 (ja) | 2006-04-25 | 2012-02-08 | パナソニック電工株式会社 | バルク弾性波共振器、フィルタ回路、及びバルク弾性波共振器の製造方法 |
US7629865B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-12-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters |
US7463118B2 (en) | 2006-06-09 | 2008-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Piezoelectric resonator with an efficient all-dielectric Bragg reflector |
US7515018B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-04-07 | Martin Handtmann | Acoustic resonator |
US7508286B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-03-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | HBAR oscillator and method of manufacture |
JP2007028669A (ja) | 2006-10-02 | 2007-02-01 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器の製造方法 |
PL2080228T3 (pl) | 2006-10-04 | 2021-04-19 | Leonardo S.P.A. | Urządzenie mocy pseudomorficznego tranzystora o wysokiej ruchliwości elektronów (phemt) z zasilaniem jednonapięciowym i sposób jego wytwarzania |
JP4838093B2 (ja) | 2006-10-25 | 2011-12-14 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器およびフィルタ |
US7684109B2 (en) | 2007-02-28 | 2010-03-23 | Maxim Integrated Products, Inc. | Bragg mirror optimized for shear waves |
WO2008126473A1 (ja) | 2007-04-11 | 2008-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電薄膜フィルタ |
US7786825B2 (en) | 2007-05-31 | 2010-08-31 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave device with coupled resonators |
US7825749B2 (en) | 2007-05-31 | 2010-11-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Integrated coupled resonator filter and bulk acoustic wave devices |
US7758979B2 (en) | 2007-05-31 | 2010-07-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Piezoelectric thin film, piezoelectric material, and fabrication method of piezoelectric thin film and piezoelectric material, and piezoelectric resonator, actuator element, and physical sensor using piezoelectric thin film |
US8258894B2 (en) | 2007-05-31 | 2012-09-04 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter with a filter section |
US7535324B2 (en) | 2007-06-15 | 2009-05-19 | Avago Technologies Wireless Ip, Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structure and method for manufacturing a coupled resonator device |
DE102007028292B4 (de) | 2007-06-20 | 2019-06-19 | Snaptrack, Inc. | Bauelement mit spannungsreduzierter Befestigung |
DE102007037502B4 (de) | 2007-08-08 | 2014-04-03 | Epcos Ag | Bauelement mit reduziertem Temperaturgang |
US7869187B2 (en) | 2007-09-04 | 2011-01-11 | Paratek Microwave, Inc. | Acoustic bandgap structures adapted to suppress parasitic resonances in tunable ferroelectric capacitors and method of operation and fabrication therefore |
US20090064498A1 (en) | 2007-09-12 | 2009-03-12 | Innoconnex, Inc. | Membrane spring fabrication process |
US7567024B2 (en) | 2007-09-26 | 2009-07-28 | Maxim Integrated Products, Inc. | Methods of contacting the top layer of a BAW resonator |
US7576471B1 (en) | 2007-09-28 | 2009-08-18 | Triquint Semiconductor, Inc. | SAW filter operable in a piston mode |
US8018303B2 (en) | 2007-10-12 | 2011-09-13 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave device |
JP2009124640A (ja) | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 薄膜圧電バルク波共振器およびその製造方法、並びに薄膜圧電バルク波共振器を用いた薄膜圧電バルク波共振器フィルタ |
US7795781B2 (en) | 2008-04-24 | 2010-09-14 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator with reduced energy loss |
US7768364B2 (en) | 2008-06-09 | 2010-08-03 | Maxim Integrated Products, Inc. | Bulk acoustic resonators with multi-layer electrodes |
JP5369544B2 (ja) | 2008-08-29 | 2013-12-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7889024B2 (en) | 2008-08-29 | 2011-02-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single cavity acoustic resonators and electrical filters comprising single cavity acoustic resonators |
US8718112B2 (en) | 2008-10-10 | 2014-05-06 | International Business Machines Corporation | Radial Bragg ring resonator structure with high quality factor |
US8030823B2 (en) | 2009-01-26 | 2011-10-04 | Resonance Semiconductor Corporation | Protected resonator |
US20100260453A1 (en) | 2009-04-08 | 2010-10-14 | Block Bruce A | Quality factor (q-factor) for a waveguide micro-ring resonator |
US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
US9673778B2 (en) * | 2009-06-24 | 2017-06-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Solid mount bulk acoustic wave resonator structure comprising a bridge |
EP2299593A1 (de) | 2009-09-18 | 2011-03-23 | Nxp B.V. | Lateral gekoppelte Volumenschallwellenvorrichtung |
US9847768B2 (en) | 2009-11-23 | 2017-12-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Polarity determining seed layer and method of fabricating piezoelectric materials with specific C-axis |
US20110121916A1 (en) | 2009-11-24 | 2011-05-26 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Hybrid bulk acoustic wave resonator |
US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
US8283999B2 (en) | 2010-02-23 | 2012-10-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator structures comprising a single material acoustic coupling layer comprising inhomogeneous acoustic property |
-
2011
- 2011-06-24 US US13/168,101 patent/US8350445B1/en active Active
-
2012
- 2012-06-18 DE DE102012210239.6A patent/DE102012210239B4/de active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100019864A1 (en) * | 2008-02-15 | 2010-01-28 | Fujitsu Limited | Film bulk acoustic resonator, filter, communication module and communication device |
WO2010013197A2 (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Ecole polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL) | Piezoelectric resonator operating in thickness shear mode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8350445B1 (en) | 2013-01-08 |
US20120319534A1 (en) | 2012-12-20 |
DE102012210239A1 (de) | 2012-12-20 |
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