JP2006319796A - 薄膜バルク波音響共振器 - Google Patents
薄膜バルク波音響共振器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006319796A JP2006319796A JP2005141713A JP2005141713A JP2006319796A JP 2006319796 A JP2006319796 A JP 2006319796A JP 2005141713 A JP2005141713 A JP 2005141713A JP 2005141713 A JP2005141713 A JP 2005141713A JP 2006319796 A JP2006319796 A JP 2006319796A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- fbar
- piezoelectric film
- additional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 144
- 230000001788 irregular Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N alumane;tantalum Chemical compound [AlH3].[Ta] RVSGESPTHDDNTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/582—Multiple crystal filters implemented with thin-film techniques
- H03H9/586—Means for mounting to a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/588—Membranes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
- H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/023—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the membrane type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】 スプリアスの抑制が可能な薄膜バルク波音響共振器を提供する。
【解決手段】 第１の電極１２と、第１の電極１２上に設けられた圧電膜１４と、圧電膜１４を挟んで第１の電極１２と対向する第２の電極１８と、圧電膜１４を挟んで第１の電極１２と対向するように設けられ、少なくとも一組の平行でない対向する辺を有する付加膜１６とを備える。
【選択図】図１
【解決手段】 第１の電極１２と、第１の電極１２上に設けられた圧電膜１４と、圧電膜１４を挟んで第１の電極１２と対向する第２の電極１８と、圧電膜１４を挟んで第１の電極１２と対向するように設けられ、少なくとも一組の平行でない対向する辺を有する付加膜１６とを備える。
【選択図】図１
Description
本発明は、音響共振器に関し、特に、高周波帯域で用いられる薄膜バルク波音響共振器に関する。
近年、携帯電話をはじめとする移動体通信機器、コンピュータ間のデータを高速に転送する無線ローカルエーリアネットワーク（ＬＡＮ）システム等の無線通信システムでは、ＧＨｚ以上の高周波数帯を利用する。このような無線通信システム等の高周波数帯電子機器に用いられる高周波素子として、薄膜バルク波音響共振器（ＦＢＡＲ）がある。
これまで、高周波領域における共振器として、バルク(セラミック)誘電体共振器や、弾性表面波（ＳＡＷ）素子が用いられている。これらの共振器と比較し、ＦＢＡＲは小型化に適し、更に高周波化に対応が可能等の特徴がある。このため、ＦＢＡＲを用いた高周波フィルタや共振回路等の開発が進められている。
ＦＢＡＲの基本構造においては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の圧電膜が、対向する第１の電極及び第２の電極の間に挟まれている。高性能化のため、ＦＢＡＲの共振部は、第１の電極の下に設けられた空洞の上に配置される。共振部において、通常は、第１及び第２の電極に比べて圧電膜の面積は大きくされている。
ＦＢＡＲは、第１及び第２の電極間の圧電膜を伝搬する縦波（ＴＥ波）による共振を利用したものである。しかし、ＦＢＡＲには、主振動モードの縦波だけでなく、副次的に横波（ＴＳ波）も発生する。共振部で発生した横波は、質量が急激に変化する第１及び第２の電極の端部や圧電膜端部で反射される。例えば、第１及び第２の電極の形状が、正方形や長方形の場合、第１及び第２の電極の端部で反射された横波波同士が干渉することでスプリアスが発生する。このように、横波による寄生的な共振が、ＦＢＡＲの共振特性においてスプリアスが発生する原因となる。
ＦＢＡＲのスプリアスを制御するために、第１又は第２の電極の形状を不整多角形にする方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、不整多角形の電極形状では、ＦＢＡＲ素子の作製基板上での占有面積を低減するのが困難である。ＦＢＡＲの小型化には、正方形、長方形、円形、楕円形等の電極形状でＦＢＡＲ素子を作製する方が望ましい。
米国特許第００６２１５３７５Ａ号明細書
本発明は、小型化に適した構造で、スプリアスの抑制が可能なＦＢＡＲを提供する。
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、（イ）第１の電極と、（ロ）第１の電極上に設けられた圧電膜と、（ハ）圧電膜を挟んで第１の電極と対向する第２の電極と、（ニ）第２の電極と接するように設けられ、少なくとも一組の平行でない対向する辺を有する付加膜とを備える薄膜バルク波音響共振器であることを要旨とする。
本発明の第２の態様は、（イ）第１の電極と、（ロ）第１の電極上に設けられた圧電膜と、（ハ）圧電膜を挟んで第１の電極と対向する第２の電極と、（ニ）第２の電極の上方に設けられ、少なくとも一組の平行でない対向する辺を有する付加膜とを備える薄膜バルク波音響共振器であることを要旨とする。
本発明によれば、小型化に適した構造で、スプリアスの抑制が可能なＦＢＡＲを提供することが可能となる。
以下図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲは、図１に示すように、第１の電極１２と、第１の電極１２上に設けられた圧電膜１４と、圧電膜１４を挟んで第１の電極１２と対向する第２の電極１８とを備える。また、図１及び図２に示すように、互いに平行でない対向する辺を有する不整多角形の付加膜１６が、圧電膜１４上で第２の電極１８と接するように設けられている。第１の電極１２、圧電膜１４、及び第２の電極１８は、空洞２２を有する基板１０により支持されている。共振部２０は、空洞２２上において、圧電膜１４を挟む第１及び第２の電極１２、１８の対向する領域で規定される。
共振部２０の圧電膜１４では、第１の電極１２あるいは第２の電極１８に印加された高周波信号により励振されたバルク音響波の共振により高周波信号が伝達される。例えば、第１の電極１２から印加されたＧＨｚ帯域の高周波信号は、共振部２０の圧電膜１４を介して第２の電極１８に伝達される。共振部２０の良好な共振特性を得るために、結晶の配向等を含む膜質や膜厚の均一性に優れたＡｌＮ膜やＺｎＯ膜が、圧電膜１４として用いられる。第１の電極１２には、アルミニウム（Ａｌ）及びタンタルアルミニウム（ＴａＡｌ）等の積層金属膜、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）等の高融点金属、あるいは高融点金属を含む金属化合物が用いられる。第２の電極１８には、Ａｌ等の金属、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ等の高融点金属、あるいは高融点金属を含む金属化合物が用いられる。付加膜１６には、第２の電極１８として例示したような各種の導電材料のほか、ＡｌＮ等の圧電材料、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）等の酸化物、窒化物等の絶縁材料が用いられる。また、基板１０には、シリコン（Ｓｉ）等の半導体基板が用いられる。
ＦＢＡＲの共振部２０で高周波信号を伝達するバルク音響波は、第１及び第２の電極１２、１８の対向する平面間を伝搬する縦波である。共振部２０では、縦波以外に横波も発生する。横波は、第１及び第２の電極１２、１８と圧電膜１４との界面に平行に進行する。共振部２０内を進行する横波は、質量の変動が大きい共振部２０の端部、あるいは圧電膜１４の端部で反射される。通常のＦＢＡＲでは、共振部及び圧電膜は、対向する辺が平行な正方形や長方形である。共振部及び圧電膜の一辺に沿う方向に進行する横波は、共振部あるいは圧電膜の端部で反射され同一の経路を反対向きに進行する。対向する端部で反射された横波同志が干渉することにより共振し、スプリアスが発生する。
本発明の実施の形態では、対向する辺が平行でない不整多角形の付加膜１６が共振部２０内に配置されている。図３に示すように、共振部２０で発生した横波のほとんどは、質量の差がある付加膜１６の端部で反射される。付加膜１６の対向する端部は平行でないので、対向する端部で反射されたそれぞれの横波は異なる経路を進行する。その結果、横波は、付加膜１６の端部で繰り返し反射され減衰していく。
また、横波の一部は、付加膜１６の端部で屈折して透過する。付加膜１６の各辺は、共振部２０、圧電膜１４、第１及び第２の電極１２、１８のそれぞれの各辺と平行とならないように配置されている。そのため、透過した横波は、共振部２０、圧電膜１４、第１及び第２の電極１２、１８、及び付加膜１６の端部で繰り返し反射され減衰する。
このように、付加膜１６を用いることにより、共振部２０で発生する横波に起因するスプリアスを抑制することが可能となる。また、第１及び第２の電極１２、１８、及び圧電膜１４の形状は、正方形や長方形であるため、ＦＢＡＲの小型化が可能となる。また、第１及び第２の電極１２、１８を円形や楕円形にして、ＦＢＡＲの小型化ができる。第１及び第２の電極１２、１８、あるいは、共振部２０が円形や楕円形の場合でも、付加膜１６を設けることにより、対向する端部で反射された横波同士の干渉を低減して、スプリアスの発生を抑制することが可能となる。
なお、以上の実施の形態では、付加膜１６が圧電膜１４及び第２の電極１８の間に設けられている。ただし、金属等の導電材料や圧電材料ではない絶縁膜等を用いる場合は、圧電膜１４及び第２の電極１８の間に配置されると直列寄生容量により電気機械結合係数が損なわれるおそれがあるので、例えば、図４に示すように、付加膜１１６は、第２の電極１８の上に配置されることが望ましい。なお、付加膜１６、１１６は、第２の電極１６の上方に、例えば絶縁膜等を挟んで配置しても良い。
また、付加膜１６として、対向する辺の全てが平行にならない単一の不整多角形が用いられている。しかし、少なくとも一対の対向する辺が平行でない形状の付加膜であれば、ＦＢＡＲのスプリアスを低減できる。更に、分離した複数の電極膜を有する付加膜を用いても良い。以下、図５〜図１０に、本発明の実施の形態に係る付加膜１６ａ〜１６ｆを例示する。説明を簡便にするため、図には圧電膜１４と付加膜１６ａ〜１６ｆだけが示されている。
例えば、図５に示すように、付加膜１６ａは、圧電膜１４の上に分離して配置された複数の電極膜５６ａ〜５６ｅの集合からなる。付加膜１６ａでは、電極膜５６ａが、圧電膜１４の端部に沿って配置された電極膜５６ｂ〜５６ｅで囲まれている。複数の電極膜５６ａ〜５６ｅのそれぞれは、対向する辺が平行でない不整多角形である。また、電極膜５６ａの各辺と、電極膜５６ｂ〜５６ｅの対向する辺は平行でない。
また、図６に示すように、付加膜１６ｂは、圧電膜１４の端部に沿って分離して配置された複数の電極膜５６ｆ〜５６ｊの集合からなる。付加膜１６ｂでは、電極膜５６ｆ〜５６ｊのそれぞれで、対向する辺が平行でない。また、電極膜５６ｆ〜５６ｊで囲まれた領域を挟んで対向する各辺は平行でない。
また、図７に示すように、付加膜１６ｃは、辺縁に鋸歯状の刻み目を備える。付加膜１６ｃでは、辺縁の刻み目をなす各線分に対して、対向する辺の線分のほとんどが平行でない。
また、図８に示すように、付加膜１６ｄは、圧電膜１４の端部に沿って配置された複数の電極膜５６ｋ〜５６ｎを備える。付加膜１６ｄでは、電極膜５６ｋ〜５６ｎのそれぞれは、電極膜５６ｋ〜５６ｎで囲まれた領域を挟んで対向する辺縁に鋸歯状の刻み目を有する。電極膜５６ｋ〜５６ｎの辺縁の刻み目をなす各辺に対して、対向する辺のほとんどが平行でない。
また、図９に示すように、付加膜１６ｅでは、複数のストライプ状の開口部を有する６６ｂが、圧電膜１４の端部に沿って配置されたパターン６６ｃと、圧電膜１４の端部に沿って配置された開口部を含む複数のストライプ状の開口部を有するパターン６６ａ、６６ｄ、６６ｅとで囲まれている。付加膜１６ｅでは、パターン６６ａ〜６６ｅのそれぞれで、対向する辺縁が平行でない。また、パターン６６ａ、６６ｂ、６６ｄ、６６ｅのそれぞれに配置された開口部についても、対向する開口部の辺は平行でない。
更に、図１０に示すように、付加膜１６ｆは、圧電膜１４の端部に沿って配置された線部を含む複数のストライプ状のパターン７６ａ〜７６ｅの集合からなる。付加膜１６ｆでは、パターン７６ａ〜７６ｅで囲まれた領域を挟んで対向する線部の各辺は平行でない。
上述のように、少なくとも一組の平行でない対向する辺を有する付加膜１６ａ〜１６ｆを用いても、共振部２０で発生する横波に起因するスプリアスを抑制することが可能となる。また、第１及び第２の電極１２、１８、及び圧電膜１４の形状は、正方形、長方形、円形、あるいは楕円形とすることができ、ＦＢＡＲの小型化が可能となる。
次に、本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲの製造方法を、図１１〜図１５に示す工程断面図を用いて説明する。ここで、説明に使用する断面図には、図１に示したＡ−Ａ線に相当する断面が示されている。
（イ）まず、Ｓｉ半導体基板等の基板１０の表面に、例えばスパッタリング技術等によりＭｏ等の導電層が約２００ｎｍ〜３００ｎｍの厚さで成膜される。次に、フォトエングレービング工程により、図１１に示すように、第１の電極１２が形成される。
（ロ）第１の電極１２が形成された表面に、ＡｌＮ等の圧電膜がスパッタリング技術等により所望の厚さで成膜される。例えば、信号周波数がＧＨｚ帯域であれば、圧電膜の厚さは、２μｍ以下とされる。次に、フォトエングレービング工程により、図１２に示すように、第１の電極１２の一端を覆うように圧電膜１４が形成される。
（ハ）第１の電極１２及び圧電膜１４が形成された表面に、例えばスパッタリング技術によりＭｏ等の導電層が所望の厚さで成膜される。次に、フォトエングレービング工程により、図１３に示すように、圧電膜１４上で第１の電極１２と対向するように付加膜１６が形成される。
（ニ）第１の電極１２、圧電膜１４、及び付加膜１６が形成された表面に、例えばスパッタリング技術によりＭｏ等の導電層が約２００ｎｍ〜３００ｎｍの厚さで成膜される。次に、フォトエングレービング工程により、図１４に示すように、圧電膜１４上で付加膜１６を覆い、圧電膜１４で覆われた第１の電極１２の一端側に延在するように第２の電極１８が形成される。
（ホ）フォトエングレービング技術により、図１５に示すように、第１及び第２の電極１２、１８が対向する領域の基板１０が除去されて、空洞２２が形成される。このようにして、本発明の実施の形態に係るＦＢＡＲが製造される。
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
上記のように、本発明の実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者にはさまざまな代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
本発明の実施の形態においては、単体のＦＢＡＲについて説明している。高周波回路では、複数のＦＢＡＲが、フィルタや電圧制御発振器（ＶＣＯ）等に用いられる。例えば、フィルタ回路では、共振周波数の異なる複数のＦＢＡＲがラダー型に接続されて用いられる。
ＦＢＡＲの共振周波数ｆは、図１に示した圧電膜１４の膜厚をｈ、付加膜１６を含む第１及び第２の電極１２、１８の質量をρとすると、簡易的に次式で表わされる。
f = A・h-1・ρ-1/2 （１）
ここで、Ａは定数である。異なる共振特性をもつＦＢＡＲを実現するためには、質量ρ、あるいは膜厚ｈを変化させて共振周波数を変調する。例えば、膜厚ｈを厚くするか、もしくは質量ρを大きくすることにより共振周波数ｆを低周波方向へ調整できる。
ここで、Ａは定数である。異なる共振特性をもつＦＢＡＲを実現するためには、質量ρ、あるいは膜厚ｈを変化させて共振周波数を変調する。例えば、膜厚ｈを厚くするか、もしくは質量ρを大きくすることにより共振周波数ｆを低周波方向へ調整できる。
例えば、図１６に示すように、共振周波数の異なる複数のＦＢＡＲ１ａ、１ｂがラダー型に接続されてフィルタ回路として用いられる。一例として、２個のＦＢＡＲ１ａ、１ｂを接続する場合について説明する。図１７及び図１８に示すように、ＦＢＡＲ１ａ、１ｂはそれぞれ、基板１０に設けられた空洞２２ａ、２２ｂの上に配置される。ＦＢＡＲ１ａは、第１の電極１２ａ、圧電膜１４ａ、付加膜１６ａ、及び第２の電極１８を備える。ＦＢＡＲ１ｂは、第１の電極１２ｂ、圧電膜１４ｂ、付加膜１６ｂ、及び第２の電極１８を備える。
ＦＢＡＲ１ａ、１ｂは、第２の電極１８を共通にして直列に接続されている。ＦＢＡＲ１ａ、１ｂにおいて、圧電膜１４ａ、１４ｂの膜厚、及び第１の電極１２ａ、１２ｂと第２の電極１８の質量は、ほぼ等しい。付加膜１６ａ、１６ｂの形状及び質量は異なる。例えば、付加膜１６ａの質量は、付加膜１６ｂに比べて大きい。したがって、ＦＢＡＲ１ａの共振周波数は、ＦＢＡＲ１ｂより低い。
付加膜１６ａでは、複数の電極膜５６ａ〜５６ｅのそれぞれは、対向する辺が平行でない不整多角形である。また、電極膜５６ａの各辺と、電極膜５６ｂ〜５６ｅの対向する辺は平行でない。付加膜１６ｂでは、電極膜５６ｆ〜５６ｊのそれぞれでは、対向する辺が平行でない。また、電極膜５６ｆ〜５６ｊで囲まれた領域を挟んで対向する各辺は平行でない。したがって、共振部２０ａ、２０ｂで発生する横波に起因するスプリアスを抑制することが可能となる。また、第１及び第２の電極１２ａ、１２ｂ、１８、及び圧電膜１４ａ、１４ｂの形状は、正方形や長方形であるため、ＦＢＡＲ１ａ、１ｂを用いたフィルタ回路の小型化が可能となる。
このように、本発明はここでは記載していないさまざまな実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係わる発明特定事項によってのみ定められるものである。
１０…基板
１２…第１の電極
１４…圧電膜
１６、１１６…付加膜
１８…第２の電極
２０…共振部
１２…第１の電極
１４…圧電膜
１６、１１６…付加膜
１８…第２の電極
２０…共振部
Claims (5)
- 第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜を挟んで前記第１の電極と対向する第２の電極と、
前記第２の電極と接するように設けられ、少なくとも一組の平行でない対向する辺を有する付加膜
とを備えることを特徴とする薄膜バルク波音響共振器。 - 第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた圧電膜と、
前記圧電膜を挟んで前記第１の電極と対向する第２の電極と、
前記第２の電極の上方に設けられ、少なくとも一組の平行でない対向する辺を有する付加膜
とを備えることを特徴とする薄膜バルク波音響共振器。 - 前記第１及び第２の電極の形状が、正方形、長方形、円形、及び楕円形のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜バルク波音響共振器。
- 前記付加膜の形状が、不整多角形であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜バルク波音響共振器。
- 前記付加膜が、分離した複数の電極膜の集合からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜バルク波音響共振器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005141713A JP2006319796A (ja) | 2005-05-13 | 2005-05-13 | 薄膜バルク波音響共振器 |
| US11/197,399 US7236066B2 (en) | 2005-05-13 | 2005-08-05 | Film bulk acoustic resonator and filter circuit including a plurality of film bulk acoustic resonators |
| TW095110112A TW200644049A (en) | 2005-05-13 | 2006-03-23 | Film bulk acoustic resonator and filter circuit |
| CNA2006100790763A CN1862956A (zh) | 2005-05-13 | 2006-04-29 | 膜体声谐振器和滤波电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005141713A JP2006319796A (ja) | 2005-05-13 | 2005-05-13 | 薄膜バルク波音響共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006319796A true JP2006319796A (ja) | 2006-11-24 |
Family
ID=37390300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005141713A Pending JP2006319796A (ja) | 2005-05-13 | 2005-05-13 | 薄膜バルク波音響共振器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7236066B2 (ja) |
| JP (1) | JP2006319796A (ja) |
| CN (1) | CN1862956A (ja) |
| TW (1) | TW200644049A (ja) |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009246569A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Kyocera Corp | 薄膜共振子、フィルタおよびデュプレクサ |
| WO2011021461A1 (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| US8188810B2 (en) | 2004-12-22 | 2012-05-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch |
| US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
| JP2013038658A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
| US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
| KR101352177B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2014-01-15 | 콘트리아 산 리미티드 라이어빌리티 컴퍼니 | Ｂａｗ 공진기 및 ｂａｗ 공진기 형성 방법 |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| JP2014161001A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-09-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
| US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
| US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
| US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
| JP2017135463A (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| KR101918031B1 (ko) * | 2013-01-22 | 2018-11-13 | 삼성전자주식회사 | 스퓨리어스 공진을 감소시키는 공진기 및 공진기 제작 방법 |
| JP2020027987A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
| WO2021112214A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1887688A4 (en) * | 2005-06-02 | 2009-08-05 | Murata Manufacturing Co | PIEZOELECTRIC RESONATOR AND PIEZOELECTRIC THIN-FILTER FILTER |
| JPWO2007000929A1 (ja) * | 2005-06-29 | 2009-01-22 | パナソニック株式会社 | 圧電共振器、圧電フィルタ、それを用いた共用器及び通信機器 |
| US7889027B2 (en) * | 2005-09-09 | 2011-02-15 | Sony Corporation | Film bulk acoustic resonator shaped as an ellipse with a part cut off |
| JP2008172494A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振器、弾性波デバイスおよび弾性波デバイスの製造方法。 |
| US8061013B2 (en) * | 2008-11-26 | 2011-11-22 | Georgia Tech Research Corporation | Micro-electromechanical resonators having electrically-trimmed resonator bodies therein and methods of fabricating same using joule heating |
| US8354332B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-01-15 | Georgia Tech Research Corporation | Methods of forming micro-electromichanical resonators having boron-doped resonator bodies containing eutectic alloys |
| US8291559B2 (en) * | 2009-02-24 | 2012-10-23 | Epcos Ag | Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator |
| WO2011036995A1 (ja) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP5360432B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2013-12-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス |
| JP5588889B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2014-09-10 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびフィルタ |
| JP2013038471A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波フィルタ |
| CN102520062B (zh) * | 2011-12-29 | 2014-06-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于声消逝场耦合的回音壁式传感器 |
| KR101973422B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2019-04-29 | 삼성전기주식회사 | 벌크 탄성파 공진기 |
| DE102015118437B4 (de) * | 2015-10-28 | 2017-11-16 | Snaptrack, Inc. | Schichtanordnung für ein Volumenwellenbauelement |
| GB2546827B (en) * | 2016-01-28 | 2020-01-29 | Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd | MEMS device and process |
| KR20180003868A (ko) * | 2016-07-01 | 2018-01-10 | 삼성전기주식회사 | 벌크 탄성파 필터 |
| TWI632772B (zh) * | 2016-10-17 | 2018-08-11 | 穩懋半導體股份有限公司 | 具有質量調整結構之體聲波共振器及其應用於體聲波濾波器 |
| US10608608B2 (en) * | 2017-01-03 | 2020-03-31 | Win Semiconductors Corp. | Method for fabricating bulk acoustic wave resonator with mass adjustment structure |
| CN109889174B (zh) * | 2019-02-20 | 2023-05-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种谐振器及其制作方法 |
| CN110061715B (zh) * | 2019-03-29 | 2020-07-07 | 山东科技大学 | 一种在非硅基底上制造压电薄膜谐振器的方法 |
| CN111786645B (zh) * | 2020-05-07 | 2021-04-16 | 诺思(天津)微***有限责任公司 | 体声波谐振器、滤波器、电子设备和调整机电耦合系数的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000031552A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-28 | Trw Inc | テ―パ―付き電極及び電極縁部減衰材料を用いた半導体バルク音響共振器（ｓｂａｒ）装置の横モ―ド抑制 |
| JP2000332568A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-11-30 | Agilent Technol Inc | 横モード抑制が改善されたバルク音波共振器フィルタ |
| WO2005043756A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-12 | Agilent Technologies, Inc. | Temperature-compensated film bulk acoustic resonator (fbar) devices |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6483229B2 (en) * | 2001-03-05 | 2002-11-19 | Agilent Technologies, Inc. | Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method |
| US20040017130A1 (en) * | 2002-07-24 | 2004-01-29 | Li-Peng Wang | Adjusting the frequency of film bulk acoustic resonators |
-
2005
- 2005-05-13 JP JP2005141713A patent/JP2006319796A/ja active Pending
- 2005-08-05 US US11/197,399 patent/US7236066B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-23 TW TW095110112A patent/TW200644049A/zh unknown
- 2006-04-29 CN CNA2006100790763A patent/CN1862956A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000031552A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-28 | Trw Inc | テ―パ―付き電極及び電極縁部減衰材料を用いた半導体バルク音響共振器（ｓｂａｒ）装置の横モ―ド抑制 |
| JP2000332568A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-11-30 | Agilent Technol Inc | 横モード抑制が改善されたバルク音波共振器フィルタ |
| WO2005043756A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-12 | Agilent Technologies, Inc. | Temperature-compensated film bulk acoustic resonator (fbar) devices |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| US8188810B2 (en) | 2004-12-22 | 2012-05-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch |
| JP2009246569A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Kyocera Corp | 薄膜共振子、フィルタおよびデュプレクサ |
| KR101352177B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2014-01-15 | 콘트리아 산 리미티드 라이어빌리티 컴퍼니 | Ｂａｗ 공진기 및 ｂａｗ 공진기 형성 방법 |
| US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| JP2011041136A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| US8749320B2 (en) | 2009-08-17 | 2014-06-10 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method for manufacturing the same |
| WO2011021461A1 (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US9859205B2 (en) | 2011-01-31 | 2018-01-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
| US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
| US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
| US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
| US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
| US9184725B2 (en) | 2011-08-09 | 2015-11-10 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
| JP2013038658A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
| US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
| KR101918031B1 (ko) * | 2013-01-22 | 2018-11-13 | 삼성전자주식회사 | 스퓨리어스 공진을 감소시키는 공진기 및 공진기 제작 방법 |
| JP2014161001A (ja) * | 2013-01-28 | 2014-09-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| JP2017135463A (ja) * | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| US11038486B2 (en) | 2016-01-25 | 2021-06-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
| JP2020027987A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
| JP7098478B2 (ja) | 2018-08-09 | 2022-07-11 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
| WO2021112214A1 (ja) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1862956A (zh) | 2006-11-15 |
| US7236066B2 (en) | 2007-06-26 |
| TW200644049A (en) | 2006-12-16 |
| US20060255883A1 (en) | 2006-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006319796A (ja) | 薄膜バルク波音響共振器 | |
| US10992282B1 (en) | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width | |
| CN110383682B (zh) | 弹性波装置、高频前端电路、通信装置及弹性波装置的制造方法 | |
| JP3944161B2 (ja) | 薄膜バルク波音響共振器及び薄膜バルク波音響共振器の製造方法 | |
| JP3879643B2 (ja) | 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置 | |
| JP3889351B2 (ja) | デュプレクサ | |
| KR100771345B1 (ko) | 압전 박막 공진자 및 필터 | |
| JP2008035358A (ja) | 薄膜圧電バルク波共振器及びそれを用いた高周波フィルタ | |
| US9252732B2 (en) | Acoustic wave device and method for manufacturing the same | |
| US20120299444A1 (en) | Piezoelectric thin-film resonator, communication module and communication device | |
| US7148604B2 (en) | Piezoelectric resonator and electronic component provided therewith | |
| US8749320B2 (en) | Acoustic wave device and method for manufacturing the same | |
| JP2005223479A (ja) | 薄膜バルク共振子、薄膜バルク共振子フィルタ、および薄膜バルク共振子の製造方法 | |
| JP2008530874A (ja) | 高周波弾性波装置 | |
| US7075214B2 (en) | Piezoelectric resonator and electronic component provided therewith | |
| US8354896B2 (en) | Acoustic wave device, transmission apparatus, and acoustic wave device manufacturing method | |
| JP2007028594A (ja) | 多重モード薄膜弾性波共振器フィルタ、並びにそれを備える、ラダー型フィルタ、共用器、及び通信機器 | |
| JP2010087578A (ja) | バルク音響波共振子および電子部品 | |
| JP4218672B2 (ja) | 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置 | |
| CN117394819A (zh) | 一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器 | |
| CN118232869A (zh) | 一种体声波谐振器 | |
| JP2006245979A (ja) | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ | |
| JP2006246290A (ja) | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ | |
| JP2007067624A (ja) | 圧電薄膜振動子 | |
| JP2002374143A (ja) | 圧電共振子およびフィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080417 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101008 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110301 |