CN1991544A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种液晶显示器件及其制造方法。该方法包括在第一基板上形成选通线和数据线，该选通线和数据线彼此交叉以限定像素区；在第一基板上形成晶体管的栅极、源极和漏极；在数据线下面、栅极与源极和漏极中的每一个之间形成有源层，其中数据线下面的有源层具有由数据线暴露出的暴露部分；去除数据线下面的有源层的露出部分；以及形成连接到漏极的像素电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件及其制造方法。更具体地说，本发明涉及一种可以通过减小有源层和公共电极之间的干扰效应来防止信号失真的液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
显示器件(特别是诸如液晶显示(LCD)器件的平板显示器)由位于各个像素处的诸如薄膜晶体管(TFT)的有源器件驱动。
显示器件的这种驱动方法通常被称作有源矩阵驱动方法。在这种有源矩阵方法中，以矩阵形式在各个像素处设置有源器件，以驱动对应的像素。
图1是表示有源矩阵型液晶显示器件的视图。该LCD器件是TFTLCD器件，其中使用薄膜晶体管作为有源器件。
如图所示，其中水平地和垂直地设置有N×M像素的TFT LCD器件的每个像素都包括形成在选通线13和数据线19的交叉处的TFT(未示出)，其中从外部驱动电路向选通线13施加扫描信号，并且其中向数据线19施加图像信号。
TFT(未示出)包括连接到选通线13的栅极13a、形成在栅极13a上并且在向栅极13a施加扫描信号时被激活的有源层17、以及形成在有源层17上的源极19a和漏极19b。
在像素的显示区形成像素电极29。像素电极29连接到漏极19b，并且当有源层17被激活时通过经由漏极19b接收图像信号来操作液晶(未示出)。
这种LCD器件通常通过复杂的工艺来制造，这些工艺包括使用掩模的光刻工艺，下面将参照图2A至2I描述使用四掩模工艺制造LCD器件的常规方法。
图2A至2I是表示沿图1的线IIA-IIA和IIB-IIB截取的根据现有技术的制造液晶显示器件的工艺的剖面图。
参照图2A，在第一基板11上形成金属层(未示出)，在所淀积的金属层上涂覆第一光刻胶膜(未示出)。然后，执行包括使用第一掩模(未示出)的曝光和显影工艺的光刻工艺，以去除第一光刻胶膜并形成第一光刻胶图案(未示出)。随后，使用第一光刻胶图案作为掩模，选择性地去除金属层，以形成选通线(未示出)和从选通线延伸的栅极13a。
接下来，参照图2B，在去除第一光刻胶图案之后，在形成有栅极13a的第一基板11的整个表面上依次形成栅极绝缘层15、有源层17、欧姆接触层(未示出)以及导电层19。
随后，在导电层19上涂覆第二光刻胶膜21，然后通过包括使用第二掩模23的衍射曝光和显影工艺的另一光刻工艺选择性地去除第二光刻胶图案21，该第二掩模23是衍射掩模，由此形成第二光刻胶图案21a和21b。此时，用作衍射掩模的第二掩模23包括光屏蔽部分23a、半透射部分23b以及透射部分23c。在第二光刻胶膜21的与源/漏区相对应的顶部设置有光屏蔽部分23a，在第二光刻胶膜21上方的与沟道区相对应的位置处设置有半透射部分23b，并且在第二光刻胶膜21的与除了上述区域以外的区域相对应的顶部设置有透射部分23c。
因此，第二光刻胶图案21a的通过用作衍射掩模的第二掩模23的半透射部分23b照射的紫外线使用显影工艺构图的部分具有小于第二光刻胶图案21b的设置在有源层17的沟道区上端的部分的光刻胶膜厚度。因此，尽管部分紫外线通过半透射部分23b照射到第二光刻胶膜21上，但是其不通过光屏蔽部分23a照射。由此，第二光刻胶膜21b的位于光屏蔽部分23a下面的部分保持原样，从而仅半透射部分21b下面的第二光刻胶膜21a被部分地显影和保留。第二光刻胶膜21的通过透射部分23c暴露出的部分被完全去除。
接下来，参照图2C，通过使用第二光刻胶图案21a和21b作为蚀刻掩模，依次蚀刻导电层19、欧姆接触层(未示出)以及有源层17，以形成有源图案17a和17b。
随后，参照图2C和2D，通过对第二光刻胶图案21a和21b进行灰化处理来暴露出导电层19的设置在沟道部分上的部分。在该灰化工艺中，位于相对较薄区(即，沟道区)的第二光刻胶图案21a被完全去除，由此暴露出导电层19的位于其下面的部分。此外，其它第二光刻胶图案21b的局部部分被去除，以保留预定厚度。即，灰化工艺是氧化和去除光刻胶膜的工艺，光刻胶膜是有机材料。通过该工艺，通过氧化去除部分第二光刻胶图案，由此去除整个第二光刻胶图案21a并将第二光刻胶图案21b的局部部分去除到预定厚度。
接下来，参照图2E，通过使用经灰化处理的第二光刻胶图案21b作为蚀刻掩模，来去除位于沟道区和欧姆接触层处的导电层19，以形成源极19a和漏极19b。在该阶段，由于经灰化处理的第二光刻胶图案21b还暴露出有源图案17a和17b的周边区域，所以形成在有源图案17a和17b的周边上的欧姆接触层(未示出)和导电层19被去除。结果，与源极19a和漏极19b以及数据线19相比，有源图案17a和17b突出。因此，在有源图案17b和公共电极13b之间形成了宽度为″D1″的间隙。
随后，参照图2F，经灰化处理的第二光刻胶图案21b被去除，然后在包括源极19a和漏极19b的第一基板11上形成钝化层23，并且在其上涂覆第三光刻胶膜25。
接下来，参照图2G，通过包括使用第三掩模的曝光和显影工艺的光刻工艺，选择性地去除第三光刻胶膜25，以形成暴露出部分漏极19b的第三光刻胶图案25a。
随后，通过使用第三光刻胶图案25a作为掩模，选择性地蚀刻钝化层23，形成暴露出漏极19b的接触孔27。
接下来，参照图2H，在去除第三光刻胶图案25a之后，在包括接触孔27的钝化层23上淀积连接到漏极19b的透明材料，该透明材料由ITO或其它透明物质制成。
随后，在透明材料层上涂覆第四光刻胶膜(未示出)，并通过包括使用第四掩模的曝光和显影工艺的光刻工艺选择性地去除该第四光刻胶膜，以形成第四光刻胶图案(未示出)。
接下来，使用第四光刻胶图案(未示出)作为掩模，选择性地去除透明材料层(未示出)，以形成像素电极29，然后去除第四光刻胶图案。
随后，参照图2I，在第二基板41上依次淀积黑底(black matrix)43和滤色层45，然后在滤色层45上形成覆盖层，或根据对准模式在其上形成公共电极47。
接下来，将第二基板41和第一基板11接合在一起，然后在第二基板41和第一基板11之间形成液晶层51，由此完成液晶显示器件的制造。
通过四个掩模工艺来制造按照如上所述的工艺顺序制造的薄膜晶体管，这些掩模工艺包括：形成栅极的第一掩模工艺；形成有源图案和源极/漏极的第二掩模工艺；形成暴露出漏极的接触孔的第三掩模工艺；以及形成像素电极的第四掩模工艺。
然而，在进行衍射曝光以便同时构图源极/漏极和有源层的情况下，如图2E所示，有源图案可能被形成得比源极/漏极的线宽更宽，并且该突出部分可能导致信号失真。具体地，当使用脉冲反相(burst inverter)方法时，当以预定周期执行脉冲反相时形成有源层的光电流，该光电流导致与相邻部分的金属(最外面的公共电极)的干扰效应，由此导致信号失真。
发明内容
本发明致力于解决常规技术中的上述问题，其目的是提供一种制造液晶显示器件的方法，该方法可以通过减小有源层和公共电极之间的干扰效应来防止信号失真。
本发明的另一目的是提供一种制造液晶显示器件的方法，该方法可以减少掩模工艺的数量。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种制造液晶显示器件的方法，该方法包括以下步骤：在第一基板上形成选通线和数据线，该选通线和数据线彼此交叉以限定像素区；在第一基板上形成晶体管的栅极、源极和漏极；在数据线下面、栅极与源极和漏极中的每一个之间形成有源层，其中数据线下面的有源层具有由数据线暴露出的暴露部分；去除数据线下面的有源层的暴露部分；以及形成连接到漏极的像素电极。
为了实现上述目的，根据本发明的另一方面，提供了一种制造液晶显示器件的一部分的方法，该方法包括以下步骤：在第一基板上形成有源层；在有源层上方形成数据线，其中数据线下面的有源层具有由该数据线暴露出的暴露部分；第一基板上形成覆盖数据线和有源层的钝化层；在钝化层中形成第一开口，以暴露出数据线以及有源层的暴露部分；以及使用数据线作为掩模，去除数据线下面的有源层的暴露部分。
为了实现上述目的，根据本发明的另一方面，提供了一种液晶显示器件，该液晶显示器件包括：第一基板；第一基板上的选通线和数据线，该选通线和数据线彼此交叉以在第一基板上限定像素区；第一基板上的晶体管，该晶体管包括栅极、源极、漏极以及栅极与源极和漏极中的每一个之间的第一有源层；第一基板上的像素区中的公共电极；数据线下面的第二有源层，公共电极和数据线之间的水平距离基本上与公共电极和第二有源层之间的水平距离相同；位于第一基板上并连接到漏极的像素电极；与第一基板接合的第二基板；以及第二基板和第一基板之间的液晶层。
附图说明
包含附图以提供对本发明的进一步理解，并入附图并构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例并与说明书一起用来解释本发明的原理。
在附图中：
图1是表示根据现有技术的液晶显示器件的单元像素结构的平面图；
图2A至2I是表示沿图1的线IIA-IIA和IIB-IIB截取的根据现有技术的制造液晶显示器件的工艺的剖面图；
图3是表示根据本发明一个实施例的液晶显示器件的单元像素结构的平面图；
图4A至4K是表示沿图3的线IIA-IIA和IIB-IIB截取的根据本发明一个实施例的制造液晶显示器件的工艺的剖面图；以及
图5A至5F是表示根据本发明另一实施例的制造液晶显示器件的工艺的剖面图。
具体实施方式
下面，将参照附图描述根据本发明实施例的制造液晶显示器件的方法。
图3是表示根据本发明实施例的液晶显示器件的单元像素结构的平面图。
参照图3，在所示实施例中的液晶显示器件中，其中水平和垂直地设置有N×M像素的TFT LCD器件的各个像素都包括形成在选通线13和数据线19的交叉处的TFT(未示出)，其中从外部驱动电路向选通线13施加扫描信号，并且其中向数据线19施加图像信号。
TFT(未示出)包括连接到选通线103的栅极103a、形成在栅极103a上并且在向栅极103a施加扫描信号时被激活的有源层107、以及形成在有源层107上的源极109a和漏极109b。
在像素的显示区处形成像素电极209。像素电极209连接到漏极109b，并在有源层107被激活时通过经由漏极109b接收图像信号来操作液晶(未示出)。
将参照图4A至4K来描述根据本发明实施例的制造由此构成的液晶显示器件的方法。
图4A至4K是表示沿图3的线IIA-IIA和IIB-IIB截取的根据本发明一个实施例的制造液晶显示器件的工艺的剖面图。
参照图4A，在第一基板101上形成金属层(未示出)，并在所淀积的金属层上涂覆第一光刻胶膜(未示出)。然后，执行包括使用第一掩模(未示出)的曝光和显影工艺的光刻工艺，以去除部分第一光刻胶膜并形成第一光刻胶图案(未示出)。随后，使用第一光刻胶图案作为掩模，去除部分金属层，以形成选通线(未示出；图3的103)和从选通线延伸的栅极103a。
接下来，在去除第一光刻胶图案之后，在形成有栅极103a的第一基板101的整个表面上依次形成栅极绝缘层105、有源层107、欧姆接触层(未示出)以及导电层109。
随后，参照图4B，在导电层109上涂覆第二光刻胶膜111，然后通过包括使用第二掩模113的衍射曝光和显影工艺的光刻工艺，选择性地去除第二光刻胶图案111，该第二掩模113是衍射掩模，由此形成第二光刻胶图案111a和111b。在此阶段，用作衍射掩模的第二掩模113包括光屏蔽部分113a、半透射部分113b以及透射部分113c。在第二光刻胶膜111的与源区/漏区相对应的顶部设置光屏蔽部分113a，在第二光刻胶膜111上方的与沟道区相对应的位置处设置半透射部分113b，并且在第二光刻胶膜111的与除了上述区域以外的区域相对应的顶部设置透射部分113c。
因此，第二光刻胶图案111a的通过用作衍射掩模的第二掩模113的半透射部分113b照射的紫外线使用显影工艺构图的部分具有小于第二光刻胶图案111b的设置在有源层107的沟道区上端的部分的光刻胶膜厚度。因此，尽管部分紫外线通过半透射部分113b照射到第二光刻胶111上，但是光被光屏蔽部分113a阻挡。因此，第二光刻胶膜111b的位于光屏蔽部分113a下面的部分保持原样，从而仅半透射部分111b下面的第二光刻胶膜111a被部分地显影和保留。第二光刻胶膜111的通过透射部分113c照射了紫外线的部分被完全去除。
接下来，参照图4C，通过使用第二光刻胶图案111a和111b作为蚀刻掩模，依次蚀刻导电层109、欧姆接触层(未示出)以及有源层107，以形成有源图案107a和107b。
随后，参照图4C和4D，通过对第二光刻胶图案111a和111b进行灰化处理，来暴露出导电层109的设置在沟道部分上的部分。在该灰化工艺中，位于相对薄的区域(即，沟道区)的第二光刻胶图案111a被完全去除，由此暴露出导电层109的位于其下面的部分。此外，其它第二光刻胶图案111b的局部部分被去除，以保留预定厚度。即，灰化工艺是氧化和去除光刻胶膜的工艺，该光刻胶膜是有机材料。通过该工艺，通过氧化去除部分第二光刻胶图案111a和111b，由此基本上去除了整个第二光刻胶图案111a并且将第二光刻胶图案111b部分地去除到预定厚度。
接下来，参照图4E，通过使用将灰化处理的第二光刻胶图案111b作为蚀刻掩模，来去除沟道区和欧姆接触层处的导电层109，以形成源极109a和漏极109b。在该阶段，由于经灰化处理的第二光刻胶图案111b还暴露出有源图案107a和107b的周边区域，所以形成在有源图案107a和107b的周边上的欧姆接触层(未示出)和导电层109被去除。结果，与源极109a和漏极109b以及数据线109相比，有源图案107a和107b突出。
随后，参照图4F，经灰化处理的第二光刻胶图案111b被去除，然后在包括源极109a和漏极109b以及数据线109的第一基板111上形成钝化层115，并且在其上涂覆第三光刻胶膜117。
接下来，参照图4G，对第三光刻胶膜117执行包括使用第三掩模的曝光和显影工艺的光刻工艺，以形成暴露出部分漏极109b的第三光刻胶图案117a。以此方式形成第三光刻胶图案117a，以暴露出钝化层115的设置在数据线109顶部的部分和数据线109下面的有源图案107a，以及钝化层115的设置在部分漏极109b上的部分。
随后，参照图4H，通过使用第三光刻胶图案117a作为掩模，选择性地蚀刻钝化层115，以形成暴露出部分漏极109b的接触孔119a。在蚀刻钝化层115时，钝化层115的位于数据线109上的部分和有源图案107b的位于其下面的部分被一同去除，由此形成一个或更多个开口119b。在有源图案107b和公共电极103b之间形成宽度为″D2″的间隙。即，在相关技术中，有源图案(图2I的17b)突出到比数据线(图2I的19)更远侧。因此，有源图案17b和公共电极13b之间的距离D1较近。然而，在所示实施例中，有源图案107b的突出部分被去除，如上所述。因此，有源图案107b和公共电极103b之间的距离D2变得大于现有技术中的距离D1。
接下来，参照图4I，在去除第三光刻胶图案117a之后，在包括接触孔119a和开口119b的钝化层115上淀积连接到漏极19b的透明导电层121，例如ITO或IZO。
随后，参照图4J，在透明导电层121上涂覆第四光刻胶膜(未示出)，并通过使用第四掩模(未示出)的曝光和显影工艺选择性地去除该第四光刻胶膜，以形成第四光刻胶图案(未示出)。接着，通过使用第四光刻胶图案(未示出)作为掩模，对透明导电层121进行构图，以形成像素电极121a。
接下来，使用第四光刻胶图案(未示出)作为掩模，选择性地去除透明材料层(未示出)，以形成像素电极29，然后去除第四光刻胶图案。如图4J所示，由与像素电极相同的材料形成的导电层或金属层围绕开口119b沿钝化层115的侧壁延伸，并与数据线109和有源图案107b接触。此外，该导电层或金属层还沿数据线109的横向侧壁和有源图案107b的横向侧壁延伸。
随后，参照图4K，在第二基板141上依次淀积黑底143和滤色层145，然后在滤色层145上形成覆盖层或配向层147。
接下来，将第二基板141和第一基板111接合在一起，然后在第二基板141和第一基板111之间形成液晶层151，由此完成液晶显示器件的制造。
同时，下面将参照图5A至5F描述根据为减少掩模工艺的数量而提出的本发明另一实施例的制造液晶显示器件的方法。
由于根据本发明另一实施例的液晶显示器件的制造工艺的某些步骤与根据本发明一个实施例的图4A至4F所示的制造工艺相同，因此将省略对其的描述。即，将省略使用第一掩模和第二掩模形成栅极203a、公共电极203b、有源图案207a和207b、源极/漏极209a和209b、数据线209以及钝化层215的工艺步骤。
参照图5A，通过曝光和显影工艺选择性地去除部分第三光刻胶膜(未示出)，以形成暴露出部分钝化层215b的第三光刻胶图案217。以此方式形成第三光刻胶图案217a，以暴露出钝化层215的设置在数据线109顶部的部分、在其下面的有源图案107a和部分公共电极203b，以及钝化层215的设置在部分漏极209b上的部分。
随后，参照图5B，通过使用第三光刻胶图案217a作为掩模选择性地蚀刻钝化层215，以形成暴露出部分漏极209b的接触孔219a、暴露出数据线209和有源图案207b的一个或更多个开口219b，以及暴露出栅极绝缘层205的一个或更多个开口219c。在蚀刻钝化层215时，钝化层215的位于数据线209上的部分、有源图案207b的位于其下面的部分，以及钝化层215的位于公共电极203b顶部的部分被一同去除，由此形成开口219b和219c。因此，在有源图案207b和公共电极203b之间形成宽度为″D2″的间隙。因此，在所示实施例中，有源图案207b的突出部分被去除，如上所述。因此，有源图案207b和公共电极203b之间的距离D2变得大于现有技术中的距离D1。
接下来，参照图5C，通过溅射或淀积，在包括第三光刻胶图案217的基板的整个表面上淀积透明导电材料，例如ITO或IZO，以形成透明导电层221。
随后，参照图5D，在透明导电层221上涂覆第四光刻胶膜223。
接下来，参照图5E，通过灰化工艺将第四光刻胶膜223去除至预定厚度，以暴露出部分透明导电层221。在一实施例中，第二光刻胶层的位于钝化层上方的部分被去除，以暴露出部分透明导电层221。
随后，参照图5F，去除透明导电层221的暴露部分，然后完全去除第四光刻胶膜223和第三光刻胶图案217的残留部分，由此形成电连接到漏极209b并具有指形的像素电极221a，如图5F所示。在一实施例中，通过去除第三光刻胶层217来去除钝化层上方的导电层。结果，如图5F所示，像素电极包括在接触孔219a中与漏极209b接触的第一部分、以及沿钝化层的侧壁围绕开口219c并与所暴露出的栅极绝缘层205接触的第二部分。此外，由与像素电极相同材料形成的导电层或金属层沿钝化层215的侧壁围绕开口219b延伸并与数据线209和有源图案207b接触。此外，该导电层或金属层还沿数据线209的横向侧壁和有源图案207b的横向侧壁延伸。如图5F所示，钝化层215的顶面基本上没有像素电极。
因此，通过使用三个掩模，而不是如现有技术中那样使用四个掩模，来制造液晶显示器件的第一基板上的器件。具体地说，通过使用单个掩模来执行去除有源图案207b的暴露部分的步骤和形成像素电极的步骤的组合。
此后，尽管未示出，但是在第二基板上依次淀积黑底和滤色层，然后在滤色层上形成覆盖层或配向层。
接下来，将第二基板和第一基板接合在一起，然后在第二基板和第一基板之间形成液晶层，由此完成液晶显示器件的制造。尽管在这些实施例中图示了面内切换液晶显示器件，但是本发明也可以应用于其它液晶显示器件，如边缘场(fringe field)切换液晶显示器件，以防止信号失真。在面内切换液晶显示器件中，像素电极和公共电极形成水平电场，以改变液晶材料的对准方向。在边缘场切换液晶显示器件中，像素电极和公共电极形成边缘电场，以改变液晶材料的对准方向。
如上所述，液晶显示器件的制造方法具有以下效果。
根据所示实施例的液晶显示器件的制造方法，由于在形成接触孔时，去除了从数据线的边缘突出的有源层，所以有源图案和公共电极之间的距离变得大于现有技术中的距离，由此防止信号失真。
此外，根据本发明的实施例，可以减少掩模的数量，因为通过使用单个掩模来执行去除有源图案207b的暴露部分和形成像素电极的步骤的组合。
在此描述了本发明，显然可以用多种方式改变本发明。这些改变不应该被认为脱离了本发明的精神和范围，对于所述领域的技术人员来说所有的这种改进显然旨在包括在以下权利要求的范围内。
Claims (33)
1、一种制造液晶显示器件的方法，该方法包括：
在第一基板上形成选通线和数据线，所述选通线和数据线彼此交叉以限定像素区；
在所述第一基板上形成晶体管的栅极、源极和漏极；
在所述数据线下面、所述栅极与所述源极和漏极中的每一个之间形成有源层，其中所述数据线下面的有源层具有由所述数据线暴露出的暴露部分；
去除所述数据线下面的有源层的所述暴露部分；以及
形成连接到所述漏极的像素电极。
2、根据权利要求1的方法，该方法还包括：在所述像素区中形成公共电极，其中在去除所述有源层的暴露部分之后，所述公共电极和所述数据线之间的水平距离与所述公共电极和所述数据线下面的有源层之间的水平距离基本相同。
3、根据权利要求2的方法，其中，去除所述有源层的暴露部分的步骤包括：去除所述有源层的暴露部分，以使所述数据线下面的剩余有源层和所述数据线对准，以具有基本相同的宽度。
4、根据权利要求1的方法，其中，所述数据线下面的具有暴露部分的有源层的宽度比所述数据线的宽度要宽。
5、根据权利要求1的方法，其中，去除所述有源层的暴露部分的步骤包括：
在钝化层中形成开口，以暴露出所述数据线和所述有源层的所述暴露部分；以及
使用所述数据线作为掩模，去除所述有源层的所述暴露部分。
6、根据权利要求1的方法，其中，形成所述像素电极的步骤包括：在所述第一基板上形成导电层，以使所述导电层的第一部分连接到所述漏极，并且所述导电层的第二部分被形成到所述开口中，以与所述数据线和所述数据线下面的有源层接触。
7、根据权利要求1的方法，其中，通过使用单个掩模来执行形成所述像素电极的步骤，通过使用所述单个掩模执行的形成所述像素电极的步骤包括：
形成覆盖所述第一基板的钝化层；
在所述钝化层上形成第一光刻胶层；
使用所述单个掩模对所述第一光刻胶层和所述钝化层进行构图，以形成多个开口；
形成覆盖所述第一光刻胶层并进入到所述多个开口的导电层；
形成覆盖所述导电层的第二光刻胶层；
部分地去除所述第二光刻胶层，以暴露出所述导电层的一部分；以及
去除所述导电层的暴露部分，以使剩余的导电层作为所述像素电极。
8、根据权利要求7的方法，该方法还包括：在所述像素区中形成公共电极，其中形成所述多个开口的步骤包括：形成暴露出所述漏极的接触孔以及暴露出与所述公共电极相邻的像素区的第一开口。
9、根据权利要求8的方法，其中，形成所述多个开口的步骤还包括：形成暴露出所述数据线和所述有源层的暴露部分的第二开口，并且去除所述数据线下面的有源层的暴露部分的步骤包括：使用所述数据线作为掩模，去除所述有源层的暴露部分。
10、根据权利要求8的方法，该方法还包括：在所述第一基板上形成覆盖所述栅极和所述像素区的栅极绝缘层，其中所述第一开口暴露出所述栅极绝缘层，并且形成所述导电层的步骤包括：将所述导电层填充到所述第一开口中，以与所暴露出的栅极绝缘层接触。
11、根据权利要求8的方法，其中，部分地去除所述第二光刻胶层以暴露出所述导电层的暴露部分的步骤包括：执行灰化工艺，以去除所述钝化层上方的第二光刻胶层，并且其中去除所述导电层的暴露部分的步骤包括：通过去除所述第一光刻胶层，来去除所述钝化层上方的导电层。
12、根据权利要求11的方法，其中，去除所述钝化层上方的导电层的步骤包括：保留沿所述钝化层的侧壁围绕所述第一开口的导电层不被去除，以使沿所述钝化层的侧壁围绕所述第一开口的所述导电层作为所述像素电极的一部分。
13、根据权利要求1的方法，其中，通过使用单个掩模来执行去除所述有源层的暴露部分的步骤和形成所述像素电极的步骤的组合。
14、根据权利要求13的方法，其中，通过使用单个掩模执行的去除所述有源层的暴露部分的步骤和形成所述像素电极的步骤的组合包括：
形成覆盖所述第一基板的钝化层；
在所述钝化层上形成第一光刻胶层；
使用所述单个掩模对所述第一光刻胶层和所述钝化层进行构图，以形成暴露出所述漏极的接触孔、暴露出所述数据线和所述有源层的暴露部分的第一开口、以及暴露出所述像素区的第二开口；
使用所述数据线作为掩模去除所述有源层的暴露部分；
形成覆盖所述第一光刻胶层并进入到所述接触孔、第一和第二开口中的导电层；
形成覆盖所述导电层并进入到所述接触孔、第一和第二开口中的第二光刻胶层；
执行灰化工艺，以去除所述钝化层上方的第二光刻胶层；以及
通过去除所述第一光刻胶层来去除所述钝化层上方的导电层。
15、根据权利要求1的方法，该方法还包括：
在第二基板和所述第一基板之间形成液晶层。
16、一种液晶显示器件，该液晶显示器件包括：
第一基板；
在所述第一基板上的选通线和数据线，所述选通线和数据线彼此交叉以在所述第一基板上限定像素区；
所述第一基板上的晶体管，该晶体管包括栅极、源极、漏极以及所述栅极与所述源极和漏极中的每一个之间的第一有源层；
所述第一基板上的像素区中的公共电极；
所述数据线下面的第二有源层，所述公共电极和所述数据线之间的水平距离与所述公共电极和所述第二有源层之间的水平距离基本相同；
在所述第一基板上并连接到所述漏极的像素电极；
与所述第一基板接合的第二基板；以及
所述第二基板和所述第一基板之间的液晶层。
17、根据权利要求16的液晶显示器件，其中，所述第一和第二有源层由相同的材料制成。
18、根据权利要求16的液晶显示器件，该液晶显示器件还包括：
所述第一基板上的钝化层，该钝化层具有暴露出所述数据线和所述第二有源层的第一开口；以及
沿所述钝化层的侧壁围绕所述第一开口并与所暴露出的数据线和第二有源层接触的金属层。
19、根据权利要求18的液晶显示器件，其中，所述金属层和所述像素电极由相同的材料制成。
20、根据权利要求18的液晶显示器件，其中，所述金属层沿着所述数据线的横向侧壁和所述第二有源层的横向侧壁。
21、根据权利要求18的液晶显示器件，该液晶显示器件还包括：
位于所述第一基板上、覆盖所述栅极和所述像素区的栅极绝缘层；
其中，所述钝化层具有暴露出所述像素区中的栅极绝缘层的第二开口；
其中，所述像素电极具有沿所述钝化层的侧壁围绕所述第二开口并与所暴露出的栅极绝缘层接触的第一部分。
22、根据权利要求21的液晶显示器件，其中，所述钝化层具有暴露出所述漏极的接触孔，并且所述像素电极具有在所述接触孔中与所述漏极接触的第二部分。
23、根据权利要求22的液晶显示器件，其中，所述钝化层的顶面基本上没有像素电极。
24、根据权利要求16的液晶显示器件，该液晶显示器件还包括：
位于所述第一基板上、覆盖所述栅极和所述像素区的栅极绝缘层；以及
所述第一基板上的钝化层，该钝化层具有暴露出所述像素区中的栅极绝缘层的第一开口；
其中所述像素电极具有沿所述钝化层的侧壁围绕所述第一开口并与所暴露出的栅极绝缘层接触的第一部分。
25、根据权利要求16的液晶显示器件，其中，所述液晶显示器件是面内切换液晶显示器件。
26、根据权利要求16的液晶显示器件，其中，所述像素电极和所述公共电极形成水平电场。
27、根据权利要求16的液晶显示器件，其中，所述液晶显示器件是边缘场切换液晶显示器件。
28、一种制造液晶显示器件的一部分的方法，该方法包括：
在第一基板上形成有源层；
在所述有源层的上方形成数据线，其中所述数据线下面的有源层具有由所述数据线暴露出的暴露部分；
在所述第一基板上形成覆盖所述数据线和所述有源层的钝化层；
在所述钝化层中形成第一开口，以暴露出所述数据线和所述有源层的暴露部分；以及
使用所述数据线作为掩模，去除所述数据线下面的有源层的暴露部分。
29、根据权利要求28的方法，该方法还包括：在所述第一基板上的像素区中形成公共电极，其中在去除所述有源层的暴露部分之后，所述公共电极和所述数据线之间的水平距离与所述公共电极和所述数据线下面的有源层之间的水平距离基本相同。
30、根据权利要求28的方法，该方法还包括：形成连接到所述液晶显示器件的晶体管的漏极的像素电极，其中通过使用单个掩模来执行形成所述钝化层的步骤、形成所述第一开口的步骤、去除所述有源层的暴露部分的步骤以及形成所述像素电极的步骤的组合。
31、根据权利要求30的方法，其中，通过使用所述单个掩模执行的形成所述钝化层的步骤、形成所述第一开口的步骤、去除所述有源层的暴露部分的步骤以及形成所述像素电极的步骤的组合包括：
形成覆盖所述第一基板的所述钝化层；
在所述钝化层上形成第一光刻胶层；
使用所述单个掩模对所述第一光刻胶层和所述钝化层进行构图，以形成暴露出所述数据线和所述有源层的暴露部分的所述第一开口、暴露出所述漏极的接触孔、以及暴露出所述第一基板上的像素区的第二开口；
使用所述数据线作为掩模来去除所述有源层的暴露部分；
形成覆盖所述第一光刻胶层并进入到接触孔、所述第一开口和所述第二开口中的导电层；
形成覆盖所述导电层并进入到所述接触孔、所述第一开口和所述第二开口中的第二光刻胶层；
执行灰化工艺，以去除所述钝化层上方的所述第二光刻胶层；以及
通过去除所述第一光刻胶层来去除所述钝化层上方的所述导电层。
32、根据权利要求31的方法，该方法还包括：在第一基板上形成覆盖所述栅极和所述像素区的栅极绝缘层，其中所述第二开口暴露出所述栅极绝缘层，并且形成所述导电层的步骤包括将所述导电层填充到所述第二开口中，以与所暴露出的栅极绝缘层接触。
33、根据权利要求31的方法，其中，去除所述钝化层上方的导电层的步骤包括：保留沿所述钝化层的侧壁围绕所述接触孔和所述第二开口的导电层不被去除，以使沿所述钝化层的侧壁围绕所述接触孔和所述第二开口的导电层作为所述像素电极。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102709283A (zh) * | 2011-05-27 | 2012-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
| CN103365005A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-23 | 群康科技(深圳)有限公司 | 阵列基板结构、阵列基板结构的制造方法与显示面板 |
| CN103811502A (zh) * | 2014-02-17 | 2014-05-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示装置 |
| US8883572B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-11-11 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Manufacturing method of low temperature poly-silicon TFT array substrate |
| CN105047606A (zh) * | 2014-04-29 | 2015-11-11 | 乐金显示有限公司 | 显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101382712B (zh) * | 2007-09-07 | 2010-12-08 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示装置阵列基板的制造方法 |
| EP2073255B1 (en) * | 2007-12-21 | 2016-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Diode and display device comprising the diode |
| KR101326580B1 (ko) * | 2008-06-27 | 2013-11-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101237096B1 (ko) * | 2008-08-21 | 2013-02-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
| JP5646162B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2014-12-24 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置 |
| US8804081B2 (en) | 2009-12-18 | 2014-08-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device with electrode having opening over thin film transistor |
| US8797487B2 (en) * | 2010-09-10 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof |
| WO2013073619A1 (ja) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | シャープ株式会社 | 半導体装置、表示装置、ならびに半導体装置の製造方法 |
| US8829528B2 (en) * | 2011-11-25 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including groove portion extending beyond pixel electrode |
| CN104716196B (zh) * | 2015-03-18 | 2017-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置 |
| CN105047723B (zh) * | 2015-09-18 | 2017-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置 |
| CN111192885B (zh) * | 2020-03-04 | 2023-12-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0139346B1 (ko) * | 1994-03-03 | 1998-06-15 | 김광호 | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 |
| JP2000056323A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| CN1139837C (zh) * | 1998-10-01 | 2004-02-25 | 三星电子株式会社 | 液晶显示器用薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| KR100303446B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2002-10-04 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치용박막트랜지스터기판의제조방법 |
| US6900854B1 (en) * | 1998-11-26 | 2005-05-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display |
| US6287899B1 (en) | 1998-12-31 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
| US6524876B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
| KR100679096B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2007-02-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 |
| KR100971955B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2010-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| CN1267780C (zh) * | 2002-11-11 | 2006-08-02 | Lg.飞利浦Lcd有限公司 | 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法 |
| US7244627B2 (en) | 2003-08-25 | 2007-07-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating liquid crystal display device |
| KR101107981B1 (ko) * | 2004-09-03 | 2012-01-25 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 기판, 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR200441491Y1 (ko) | 2007-05-31 | 2008-08-20 | 권중한 | 벽걸이용 쓰레기통 |
-
2005
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-
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- 2006-12-14 JP JP2006336537A patent/JP4795921B2/ja active Active
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102709283A (zh) * | 2011-05-27 | 2012-10-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
| US8883572B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-11-11 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Manufacturing method of low temperature poly-silicon TFT array substrate |
| CN102709283B (zh) * | 2011-05-27 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
| US9349759B2 (en) | 2011-05-27 | 2016-05-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Manufacturing method of low temperature poly-silicon TFT array substrate |
| CN103365005A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-23 | 群康科技(深圳)有限公司 | 阵列基板结构、阵列基板结构的制造方法与显示面板 |
| CN103811502A (zh) * | 2014-02-17 | 2014-05-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示装置 |
| US9583508B2 (en) | 2014-02-17 | 2017-02-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, preparation method for array substrate, and display device |
| CN105047606A (zh) * | 2014-04-29 | 2015-11-11 | 乐金显示有限公司 | 显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板 |
| CN105047606B (zh) * | 2014-04-29 | 2018-01-02 | 乐金显示有限公司 | 显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板 |
| US9983451B2 (en) | 2014-04-29 | 2018-05-29 | Lg Display Co., Ltd. | Rework method of array substrate for display device and array substrate formed by the method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US8305536B2 (en) | 2012-11-06 |
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| JP4795921B2 (ja) | 2011-10-19 |
| JP2007183615A (ja) | 2007-07-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20070704 |