JP2007183615A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第1基板上で交差して画素領域を定義するゲートライン及びデータラインを形成する段階と、前記第1基板上に薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を形成する段階と、前記データラインの下部及び前記ゲート電極と前記ソース/ドレイン電極との間にアクティブ層を形成し、前記データライン下部のアクティブ層は前記データラインにより露出する部分を有するように形成する段階と、前記データライン下部のアクティブ層の露出した部分を除去する段階と、前記ドレイン電極に電気的に接続する画素電極を形成する段階とを含む。
【選択図】図1
Description
通常、このような表示装置の駆動方式をアクティブマトリクス駆動方式という。このようなアクティブマトリクス駆動方式においては、マトリクス状に配列されたそれぞれの画素に前記能動素子が配置されて該当画素を駆動する。
図4に示すように、N×M個の画素が縦横に配列される薄膜トランジスタ液晶表示素子の各画素は、外部の駆動回路から走査信号が印加されるゲートライン13と画像信号が印加されるデータライン19cとの交差領域に形成された薄膜トランジスタ(図示せず)を含む。
図5A〜図5Iは、従来の液晶表示素子の製造方法を示す、図4のIIA−IIA及びIIB−IIB線断面図である。
その後、第3感光膜パターン25aをマスクにして保護層23を選択的にエッチングすることにより、ドレイン電極19bを露出させるコンタクトホール27を形成する。
次に、前記透明電極物質上に第4感光膜(図示せず)を塗布した後、第4マスクを利用した露光及び現像工程を経て前記第4感光膜を選択的に除去することにより、第4感光膜パターン(図示せず)を形成する。
その後、前記第4感光膜パターンをマスクにして前記透明電極物質を選択的に除去して画素電極29を形成した後、前記第4感光膜パターンを除去する。
次に、第2基板41と第1基板11とを貼り合わせた後、これら第2基板41と第1基板11との間に液晶層51を形成して液晶表示素子の製造を完成する。
本発明の他の目的は、マスク工程数を減らすことのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明は、フィンガー(finger)の形成時にコンタクトホール埋め込み工程を適用する場合、マスクを1つ削減できるという効果がある。
図1に示すように、本発明によるN×M個の画素が縦横に配列される薄膜トランジスタ液晶表示素子の各画素は、外部の駆動回路から走査信号が印加されるゲートライン103と画像信号が印加されるデータライン109cとの交差領域に形成された薄膜トランジスタ(図示せず)を含む。
図2A〜図2Kは本発明の第1実施形態による液晶表示素子の製造方法を示す、図1のIVA−IVA及びIVB−IVB線断面図である。
次に、第2基板141と第1基板101とを貼り合わせた後、これら第2基板141と第1基板101との間に液晶層151を形成して液晶表示素子の製造を完成する。
その後、図示していないが、第2基板上にブラックマトリクスとカラーフィルタ層を順次蒸着した後、前記カラーフィルタ層上にオーバーコート層又は配向膜を形成する。
次に、前記第2基板と前記第1基板とを貼り合わせた後、これら第2基板と第1基板との間に液晶層を形成して液晶表示素子の製造を完成する。
Claims (27)
- 第1基板上で交差して画素領域を定義するゲートライン及びデータラインを形成する段階と、
前記第1基板上に薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を形成する段階と、
前記データラインの下部及び前記ゲート電極と前記ソース/ドレイン電極との間にアクティブ層を形成し、前記データライン下部のアクティブ層は前記データラインにより露出する部分を有するように形成する段階と、
前記データライン下部のアクティブ層の露出した部分を除去する段階と、
前記ドレイン電極に電気的に接続する画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記アクティブ層の露出した部分を除去した後、共通電極と前記データライン間の水平距離が前記共通電極と前記データライン下部のアクティブ層間の水平距離と実質的に同一になるように、前記画素領域に共通電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データラインと前記データラインの下部に残っているアクティブ層とが実質的に同一の幅を有して整列されるように、前記アクティブ層の露出した部分を除去することを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データライン下部の露出した部分を有するアクティブ層の幅が、前記データラインの幅より広いことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記アクティブ層の露出した部分を除去する段階は、
前記データラインと前記アクティブ層の露出した部分が露出するように開口を有する保護層を形成する段階と、
前記データラインをマスクにして前記アクティブ層の露出した部分を除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記画素電極を形成する段階は、
導電膜の第1部分が前記ドレイン電極と接続し、前記導電膜の第2部分が前記データライン及び前記データライン下部のアクティブ層と接触して開口内に形成されるように、前記第1基板上に導電膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記画素電極は1つのマスクを利用して形成し、
前記1つのマスクを利用して前記画素電極を形成する段階は、
前記第1基板上に保護層を形成する段階と、
前記第1基板上に第1感光膜を形成する段階と、
1つのマスクを利用して、複数の開口が形成されるように、前記第1感光膜及び前記保護層をパターニングする段階と、
前記第1感光膜を覆って前記複数の開口を埋めるように導電膜を形成する段階と、
前記導電膜上に第2感光膜を形成する段階と、
前記導電膜の一部が露出するように前記第2感光膜の一部を除去する段階と、
前記導電膜の露出した一部を除去して残っている前記導電膜で画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記画素領域に共通電極を形成する段階をさらに含み、
前記複数の開口を形成する段階は、
前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、
前記共通電極に隣接した画素領域を露出させる第1開口を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記複数の開口を形成する段階は、
前記データラインと前記アクティブ層の露出した部分を露出させる第2開口を形成する段階をさらに含み、
前記データライン下部のアクティブ層の露出した部分を除去する段階は、
前記データラインをマスクにして前記アクティブ層の露出した部分を除去する段階を含むことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート電極と前記画素領域を覆うように、前記第1基板上にゲート絶縁膜を形成する段階をさらに含み、
前記第1開口が前記ゲート絶縁膜を露出させ、前記露出したゲート絶縁膜と接触する前記第1開口内に前記導電膜が埋められることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記導電膜の一部が露出するように前記第2感光膜の一部を除去する段階は、
前記保護層上部の第2感光膜を除去するアッシング工程を行う段階を含み、
前記導電膜の露出した一部を除去する段階は、
前記第1感光膜の除去により前記保護膜上部の導電膜を除去する段階を含むことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記保護膜上部の導電膜を除去する段階は、
前記第1開口周辺の前記保護膜の側壁に沿って前記導電膜を残して、前記画素電極の一部を形成する段階を含むことを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記アクティブ層の露出した部分を除去する段階と、前記画素電極を形成する段階とは、1つのマスクを利用して行うことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記1つのマスクを利用して、前記アクティブ層の露出した部分を除去し、前記画素電極を形成する段階は、
前記第1基板上に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に第1感光膜を形成する段階と、
1つのマスクを利用して前記第1感光膜及び前記保護膜をパターニングすることにより、前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホール、前記データラインと前記アクティブ層の露出した部分を露出させる第1開口、及び前記画素領域を露出させる第2開口を形成する段階と、
前記データラインをマスクにして前記アクティブ層の露出した部分を除去する段階と、
前記第1感光膜を覆って前記コンタクトホール、前記第1開口、及び前記第2開口を埋めるように導電膜を形成する段階と、
前記導電膜上に第2感光膜を形成する段階と、
前記保護膜上部の前記第2感光膜を除去するアッシング工程を行う段階と、
前記第1感光膜を除去して前記保護膜上部の導電膜を除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1基板と前記第2基板との間に液晶層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 第1基板と、
前記第1基板上に交差するように形成されて画素領域を定義するゲートライン及びデータラインと、
前記第1基板上に形成され、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及び前記ゲート電極と前記ソース/ドレイン電極との間に形成された第1アクティブ層を含む薄膜トランジスタと、
前記第1基板の画素領域に形成された共通電極と、
前記共通電極と前記データライン間の水平距離が前記共通電極と前記データライン下部の第2アクティブ層間の水平距離と実質的に同一になるように、前記データラインの下部に形成された第2アクティブ層と、
前記ドレイン電極に電気的に接続する画素電極と、
前記第1基板と貼り合わせられる第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に形成された液晶層と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1アクティブ層と前記第2アクティブ層が同じ物質からなることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板上に形成され、前記データライン及び前記第2アクティブ層を露出させる第1開口を有する保護膜と、
前記第1開口周辺の前記保護膜の側壁に沿って形成され、前記露出したデータライン及び第2アクティブ層に接触するメタル層と、
をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。 - 前記メタル層と前記画素電極が同じ物質からなることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。
- 前記メタル層が、前記データラインの側壁及び前記第2アクティブ層の側壁に沿って形成されることを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板上に形成されて前記ゲート電極及び前記画素領域を覆うゲート絶縁膜をさらに含み、
前記保護膜が前記画素領域内のゲート絶縁膜を露出させる第2開口を含み、前記画素電極が前記第2開口周辺の前記保護膜の側壁に沿って前記露出したゲート絶縁膜と接触する第1部分を有することを特徴とする請求項18に記載の液晶表示装置。 - 前記保護膜が前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを有し、前記画素電極が前記コンタクトホール内で前記ドレイン電極と接触する第2部分を有することを特徴とする請求項21に記載の液晶表示装置。
- 前記保護膜の上部表面が前記画素電極と接触しないことを特徴とする請求項22に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板上に形成され、前記ゲート電極及び前記画素領域を覆うゲート絶縁膜と、
前記第1基板上に形成され、前記画素領域内のゲート絶縁膜を露出させる第1開口を有する保護膜とをさらに含み、
前記画素電極が、前記第1開口周辺の前記保護膜の側壁に沿って形成され、前記露出したゲート絶縁膜と接触する第1部分を有することを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。 - 前記液晶表示装置が横電界方式の液晶表示装置であることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極と前記共通電極とが横電界を形成することを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
- 前記液晶表示装置がFFS方式の液晶表示装置であることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
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