CN1934692A - 算出搬送机构的搬送偏差的方法及半导体处理装置 - Google Patents

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Abstract

仿真基板(17)在具有用于辅助中心定位的第一引导体(G1)这一点与被处理基板不同，但可以作为被处理基板的替代物而***作。处理室(2)配设有用于辅助仿真基板(17)中心定位的第二引导体(G2)。为了算出搬送机构(TRM)的搬送偏差，首先在装载台(14)的上面或上方，通过使第一和第二引导体(G1、G2)结合，使仿真基板(17)相对于装载台14中心定位。这样，利用搬送机构(TRM)接受已经中心定位的仿真基板(17)并将其搬送到检测器(11)。然后，利用检测器(11)得到仿真基板(17)的偏心量和偏心方向的检测值，根据检测值，算出搬送机构(TRM)的搬送偏差。

Description

算出搬送机构的搬送偏差的方法及半导体处理装置
技术领域
本发明涉及在半导体处理装置中，使用被处理的仿真基板作为被处理基板的替代物，算出搬送机构的搬送偏差的方法，和为进行该方法而构成的半导体处理装置。这里，所谓半导体处理是指，在半导体晶片或LCD(液晶显示)或FPD(平板显示)用玻璃基板等被处理基板上通过以预定的图案形成半导体层、绝缘层或导电层等，用于在被处理基板上制造半导体器件，或包括与半导体器件连接的配线、电极等的构造物所实施的各种处理。
背景技术
为了制造半导体器件，要对作为被处理基板的半导体晶片进行成膜、蚀刻、氧化、扩散、退火、改性等各种处理。在这种处理中，随着半导体器件的微细化和高集成化，都在寻求提高生产率和成品率的方法。从这种观点出发，众所周知可通过公共的搬送室将进行相同处理的多个处理室、或进行不同处理的多个处理室相互连接，并可设定将晶片不暴露于大气环境中的各种工序的连续处理，即，所谓多腔室型半导体处理装置。
这种半导体处理装置具有配设在搬送室内的包括多关节臂型的搬送机械手的搬送机构。使用搬送机构是为了在多段收纳多块晶片的收纳容器(例如被称为FOUP(晶圆传送盒：front opening unified pod)的带盖的收纳容器)和处理室之间搬送作为被处理基板的半导体晶片。在使用这种搬送机构之前，要对控制搬送机构的计算机等的控制部进行教示这样的操作。通过教示，掌握进行晶片交接的地点等重要的位置作为控制部的位置坐标。
为了有很好的处理均匀性，在利用搬送机构向处理室搬送晶片时，需要有很高的精度。因此，毫无疑问，对搬送机构的重复操作的精度或晶片偏差的补正功能有非常高的精度要求，而且对教示也要求非常高的精度。从现有技术来看，通过目测进行的教示以已达到界限，使用传感器的自动教示***正逐步实用化。此外，作为相关联的技术，例如日本特开2000-127069号公报揭示有一种搬送***的搬送定位方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种例如在教示中，可以减少装置不必要的停机时间的算出搬送机构的搬送偏差的方法及半导体处理装置。
本发明的第一方面，是在半导体处理装置中，使用在具有用于辅助其自身中心定位的第一引导体这一点与被处理基板不同，但作为上述被处理基板的替代物而被处理的仿真基板，算出搬送机构的搬送偏差的方法，上述装置包括：
用于对上述被处理基板实施处理的处理室；
配设在上述处理室内，在进行上述处理时装载上述被处理基板的装载台；
配设在上述处理室外，用于相对于上述装载台搬送上述被处理基板的上述搬送机构；
配设在上述处理室外，用于检测上述被处理基板的偏心量和偏心方向的检测器；以及
用于辅助上述仿真基板中心定位的第二引导体，在将上述仿真基板从上述搬送机构移载至上述装载台的期间，上述第二引导体与上述第一引导体结合，使上述仿真基板相对于上述装载台中心定位，
上述方法包括：
在上述装载台的上面或上方的位置，通过上述第一和第二引导体的结合，使上述仿真基板相对于上述装载台中心定位的工序；
利用上述搬送机构接受上述已中心定位的仿真基板，并搬送至上述检测器的工序；以及
然后，利用上述检测器，得到上述样品折偏心量及偏心方向的检测值，根据上述检测值，算出上述搬送机构的搬送偏差的工序。
本发明的第二方面是使用在具有用于辅助其自身中心定位的第一引导体这一点与被处理基板不同，但作为上述被处理基板的替代物而被处理的仿真基板，算出搬送机构的搬送偏差而构成的半导体处理装置，上述装置包括：
用于对上述被处理基板实施处理的处理室；
配设在上述处理室内，在进行上述处理时装载上述被处理基板的装载台；
配设在上述处理室外，用于相对于上述装载台搬送上述被处理基板的上述搬送机构；
配设在上述处理室外，用于检测上述被处理基板的偏心量和偏心方向的检测器；
用于辅助上述仿真基板中心定位的第一引导体，在将上述仿真基板从上述搬送机构移载至上述装载台的期间，上述第二引导体与上述第一引导体结合，使上述仿真基板相对于对上述装载台中心定位；以及
控制上述装置工作的控制部，其中，上述控制部执行：
在上述装载台的上面或上方的位置，通过上述第一和第二引导体的结合，使上述仿真基板相对于上述装载台中心定位的工序；
利用上述搬送机构接受上述已中心定位的仿真基板，并搬送至上述检测器的工序；以及
然后，利用上述检测器，得到上述仿真基板的偏心量及偏心方向的检测值，根据上述检测值，算出上述搬送机构的搬送偏差的工序。
附图说明
图1是表示涉及本发明实施方式的半导体处理装置的示意平面图。
图2是表示配设在图1所示的装置的处理室内的，涉及本发明第一实施方式的用于对仿真基板进行中心定位的机构的截面图。
图3是表示配设在图1所示的装置的处理室内的，涉及本发明第二实施方式的用于对仿真基板进行中心定位的机构的截面图。
图4是表示配设在图1所示的装置的处理室内的，涉及本发明第三实施方式的用于对仿真基板进行中心定位的机构的截面图。
图5是表示现有技术的半导体处理装置的处理室内的搬送偏差的截面图。
具体实施方式
本发明的发明者在研发本发明的过程中，对现有的半导体处理装置的搬送偏差进行了研究。结果，得到如下所述的知识。
图5是表示现有技术的半导体处理装置的处理室内的搬送偏差的截面图。在该实例中，表示出在处理室2内的装载台14上装载的晶片W因搬送机构的工作误差而产生搬送偏差(中心偏差)Δd的状态。一般来说，在半导体处理装置运转时很难确认处理室的内部。因此，难以判断在有任何一点点故障发生时是否是由搬送偏差而引起的。可以利用例如由设置在处理室内的装载台上的固定晶片用的静电卡盘产生的异常信号来检测故障的发生。但是，利用来自静电卡盘的信号很难检测到如图5所示的搬送偏差。
这种情况下，在处理装置中有任何一点点故障发生时，都要打开处理室通过目测进行确认。于是，可以确认此时是否是最初的搬送偏差。在处理室为真空处理室的情况下，每次都要将处理室变为大气状态并打开确认，检查故障原因，修复后，必须再将处理室抽成真空。因此，不得不长时间停止处理装置，使得停机时间成为较大问题。
下面，根据这些知识，参照附图对构成的本发明的实施方式进行说明。此外，在下面的说明中，对具有大致相同的功能和构成的结构单元用相同的符号表示，只在必要时进行重复说明。
图1是表示涉及本发明实施方式的半导体处理装置的示意平面图。该处理装置1形成为在公共搬送室9的周围连接有6个逐块处理晶片W的处理室2的群组设备(cluster tool)型(也称为多腔室型)。利用该处理室2，可以对被处理基板例如半导体晶片W进行一系列的处理。
具体地，该处理装置1具有从装载在加载仓4上的收纳容器(例如称为FOUP的带盖的收纳容器)3中取出晶片W并在大气压下搬送的常压搬送***。此外，处理装置1具有通过负载锁定室7与常压搬送***的搬送室6连接的，在压力降到预定的压力下搬送晶片W的真空搬送***8。在真空搬送***8的公共搬送室(真空搬送室)9的周围，连接有多个各容纳一块晶片W的，在预定的气体环境下实施预定的处理，例如CVD处理等的真空处理室2。
在常压搬送***5的搬送室6内配设有用于在加载仓4和负载锁定室7之间进行晶片W搬送的多关节臂型的搬送机械手10。搬送室6形成为长方形，多关节臂型的搬送机械手10可移动地配设在搬送室6的长度方向。在搬送室6的一侧配设有多个加载仓4，另一侧通过闸阀TG与负载锁定室7的一端连接。
在真空搬送***8的搬送室9内配设有用于在负载锁定室7和处理室2之间进行晶片W搬送的多关节臂型的搬送机械手12。搬送室9形成为长方形，搬送机械手10可移动地配设在搬送室9的长度方向。搬送室9的一端通过闸阀TG与负载锁定室7的另一端连接。可将内部压力控制为预定压力的真空排气***与负载锁定室7、搬送室9和处理室2连接。图示的实例中，负载锁定室7是两个并列设置，但也可以是一个。
在搬送室6的一端配设有用于进行晶片定位的定向器(也称为检测器或***)11。定向器11具有公知的结构，具有装载晶片W的旋转基准台(图中未示出)和在旋转基准台旁边配设的光学传感器(图中未示出)。在旋转中利用光学传感器光学检测晶片W的周缘部，并将检测信号传送到控制部13的演算部。在演算部中，基于检测信号算出晶片W的偏心量、偏心方向和作为晶片W上的切口标记的槽口或定位平面的位置，即晶片的方位。
利用控制处理装置1的工作的控制部13控制搬送机械手10、12。在从定向器11接受晶片W时，操作搬送机械手10以消除晶片W的位置偏差。该操作是在控制部13的控制下，根据通过定向器11检测的晶片的偏心量、偏心方向和方位来进行的。
在各处理室2内配设有装载晶片W的装置台14。在装载台14配设有通过搬送机械手12促使晶片相对于装载台加载/卸载的多根(例如3根)升降杆15。升降杆15利用配设在装载台14下方的驱动机构(图中未示出)，贯通装载台14上下移动。即升降杆15以支持晶片W的状态升降，并和搬送机械手12之间进行晶片W的接受。
如上所述，在该处理装置1中配设有用于在收纳容器3和处理室2之间进行晶片W的搬送的具有两台搬送机械手10、12的搬送机构TRM。常压搬送***的搬送机械手10的搬送偏差与真空搬送***的搬送机械手12的搬送偏差相比，对晶片W搬送的影响极小。因此，可以将常压搬送***的搬送机械手10的搬送偏差忽略不计。理由如下所述。
例如，假定常压搬送***的搬送机械手10，在搬送臂伸展的状态向左有1mm的偏差发生。此时，搬送机械手10在进行从收纳容器3中取晶片W时，搬送臂的手柄中心相对于晶片W的中心向左错位了1mm。在该状态，如果搬送臂的手柄接受晶片W，则晶片W被装载在相对于手柄的中心向右有1mm错位的位置上。搬送机械手10在完成滑动动作、旋转动作后，由伸缩动作在定向器11的载物台(stage)上伸展搬送臂到目标。此时，搬送臂的手柄中心相对于定向器11的载物台的中心有向左伸出1mm的错位。因此，结果相对于手柄中心1mm向右的晶片W被放置在定向器11的载物台上。
总之，即使搬送机械手10存在搬送偏差，从收纳容器3向定向器11搬送的晶片W也不会显现出搬送偏差的影响。同样，在从定向器11向负载锁定室7搬送晶片W时，也不会显现出搬送机械手10的搬送偏差的影响。因此，在常压搬送***的搬送机械手10中，可以将搬送偏差作为零处理。
与此相反，在真空搬送***8的一侧，受到由加热机构的热而使处理室2产生的位移，由伴有分解洗涤的定期维护而使处理室2产生的位移，或由真空压力而使处理室2产生的位移等影响。因此，即使搬送机械手12相对于处理室2配送晶片W的位置与以前相同，也会引起晶片W从装载台14上的预定装载位置错位这样的搬送偏差。因此，在包含两台搬送机械手10、12的搬送机构TRM作为整体时，会由各种原因产生搬送偏差。因此，在如下面的实施方式说明的状态中，能够算出搬送机构TRM的搬送偏差，将晶片W可靠地放置到装载台14上预定的装载位置上。
图2至图4是表示配设在图1所示的装置的处理室内的，涉及本发明不同的实施方式的用于对仿真基板进行中心定位的机构的截面图。在各种实施方式中，为了算出搬送机构TRM的搬送偏差，使用了处理的仿真晶片(仿真基板)17作为被处理基板晶片W的替代物。仿真晶片17在具有用于辅助其自身中心定位的第一引导体G1这一点与晶片W不同，但是，调制该仿真晶片以便可以作为制品用的晶片W的替代物操作。另一方面，在处理装置1的处理室2中，配设有用于辅助仿真晶片17中心定位的第二引导体G2。第二引导体G2在仿真晶片17从搬送机构TRM移载到装载台14的期间，与第一引导体G1结合，具有使仿真晶片17相对于装载台14中心定位的功能。
为了算出搬送机构TRM的搬送偏差，控制处理装置1工作的控制部13执行如下所述的工序。即，首先在装载台14的上面或上方的位置，通过结合第一和第二引导体G1、G2，使仿真晶片17相对于装载台14中心定位。这样，利用搬送机构TRM接受已中心定位的仿真晶片17并搬送到定向器11上。然后，利用定向器11得到仿真晶片17的偏心量和偏心方向的检测值，根据检测值算出搬送机构TRM的搬送偏差。
优选地，控制部13在将仿真晶片17相对于装载台14中心定位之前，将仿真晶片17搬送到定向器11上。再利用定向器11得到仿真晶片17的初始偏心量和初始偏心方向的初始检测值。然后，在将仿真晶片17从定向器11搬送到装载台14的上面或上方的位置时，根据初始检测值补正初始偏心量和初始偏心方向。此外，通常也利用搬送机构TRM进行将仿真晶片17搬送到处理室2内的作业(即相对于装载台14中心定位之前的仿真晶片17的搬送)。
第一实施方式
图2是表示涉及本发明第一实施方式的用于对仿真基板进行中心定位的机构的截面图。在第一实施方式中，仿真晶片(仿真基板)17由直径比晶片W大的基板组成，形成其轮廓的外侧缘17a具有作为用于辅助中心定位的第一引导体G1的功能。另一方面，在处理室2内配设有作为用于辅助仿真晶片17中心定位的第二引导体G2的、包围装载台14的引导环16。引导环16具有包括在上缘部形成的倾斜面(斜面)19和使仿真晶片17嵌入的下侧部分的圆形开口18。
作为引导环16，可以改造并使用例如已有的聚焦环。引导环16的开口18的中心与圆形装载台14的中心一致，因此，与晶片W的预定装载位置的中心一致。此外，开口18的上部的倾斜面19向上方以同心圆方式逐渐扩大直径。这样，即使搬送机构TRM产生搬送偏差，在从搬送机构TRM交接到升降杆15上的仿真晶片17的下降的过程中，仿真晶片17也能与装载台14上的晶片W的预定装载位置中心定位(下面，简单地称为相对于装载台14中心定位)。
在晶片W的直径为300mm时，仿真晶片17的直径比该直径稍大，例如设定为302mm。引导环16的开口18以直径与仿真晶片17大致吻合的大小，例如302.2mm的直径形成。作为仿真晶片17的材料，优选为与晶片W相同的材料或石英。
确认搬送机构TRM的搬送偏差时，在利用搬送机构TRM相对于装载台14装载仿真晶片17时，利用引导环16对仿真晶片17进行中心定位。然后，利用搬送机构TRM接受这样已经中心定位的仿真晶片17，并搬送到定向器11。接着，利用定向器11得到仿真晶片17的偏心量和偏心方向的检测值，根据检测值算出搬送机构TRM的搬送偏差。
更具体地，在本发明的实施方式中，通过常压搬送***5的搬送机械手10取出收纳在例如收纳容器3中的仿真晶片17，搬送到定向器11。然后，利用定向器11得到仿真晶片17的初始偏心量和初始偏心方向的初始检测值。接着，在利用搬送机械手10从定向器11接受仿真晶片17时，根据初期检测值补正初始偏心量和初始偏心方向。然后，利用搬送机械手10将仿真晶片17搬送到负载锁定室7内。
接着，通过搬送机械手12将样品在17从负载锁定室7搬送到处理室2内，并通过升降杆15移载到装载台14上。此时，通过作为第一引导体G1的仿真晶片17的外侧缘17a和作为第二引导体G2的引导环16的开口18结合，使仿真晶片17相对于装载台14中心定位。即，通过在引导环16的开口18中嵌入仿真晶片17，使仿真晶片17的中心与晶片W的预定装载位置的中心一致。
接着，由升降杆15将这样已经中心定位的仿真晶片17向上举起，利用搬送机械手12接受仿真晶片并搬送到负载锁定室7中。下一步，通过搬送机械手10将仿真晶片17从负载锁定室7搬送到定向器11上。接着，利用定向器11得到仿真晶片17的偏心量和偏心方向的检测值，根据检测值算出搬送机构TRM的搬送偏差。即，在控制部13中，根据偏心量和偏心方向的检测值算出搬送偏差量和偏差方向。偏心量为0时，不产生搬送偏差。
控制部13将这样算出的搬送偏差作为教示位置的补正信息存储起来。然后，以补正搬送偏差的方式控制搬送机构TRM(通常是搬送机械手12)的动作。如果这样的话，不用打开处理室2就可以确认搬送机构TRM的搬送偏差，能够进行补正(教示数据的补正)甚至于再教示。因此，能够减少不需要的停机时间，对处理装置是真空处理装置的情形特别有效。
例如，用定向器11读取的偏心量和偏心方向为1mm、60°时，该值为搬送原晶片时的偏差量和方向。因此，只要将真空搬送***8的搬送机械手12进入处理室2的位置从之前的教示位置变更1mm、60°。此外，如本发明实施方式的定向器11是在大气侧(常压侧)时，因为从真空侧的机械手12将晶片交接到大气侧机械手10时位置反转，因此，补正方向为考虑此的方向。
为了辅助仿真晶片17中心定位，配设在处理室2内的第二引导体G2由简单结构的引导环16组成，即引导环16被配设成具有在上侧形成向上方扩展的倾斜面19的开口18并且包围装载台14。引导环16的开口18的下侧部分的内径被设定成与仿真晶片17的直径(比晶片W的直径稍大)实质上相同。这种结构可以由改造已有的聚焦环而得到。
此外，因为仿真晶片17是由与晶片W相同的材料或石英制成，因此，引导环16能够防止不需要的污染。此时，可以将仿真晶片17与晶片保管在同一个收纳容器中，也容易保管。
控制部13通过定向器11检测仿真晶片17的偏心量和偏心方向，根据该检测值，补正搬送机构TRM的搬送偏差。因此，能够自动补正搬送机构TRM的搬送偏差。
第二实施方式
图3是表示涉及本发明第二实施方式的用于对仿真基板进行中心定位的机构的截面图。在第二实施方式中，仿真晶片(仿真基板)17由具有与晶片W相同直径的基板组成，在其底面形成的突部20具有作为用于辅助中心定位的第一引导体G1的功能。另一方面，在处理室2内形成有作为用于辅助仿真晶片17中心定位的第二引导体2，并在装载台14上面与仿真晶片17的突部20结合的凹部21。
突部20为侧面作为倾斜面20a形成的圆锥形状或角锥形状。其顶点位于仿真晶片17的中心。与此相反，凹部21也为侧面作为倾斜面21a形成的圆锥形状或角锥形状，其顶点位于装载台14的中心位置。突部20和凹部21的圆锥形状或角锥形状相互具有相似的形状。此外，突部20和凹部21形成的形状也可以为切头圆锥形状或切头角锥形状。
在利用升降杆15将仿真晶片17降到装载台上时，突部20的倾斜面20a与凹部21的倾斜面21a结合，将仿真晶片17相对于装载台14中心定位。即，通过使突部20嵌入凹部21中，使仿真晶片17的中心与晶片W的预定装载位置的中心一致。其它的方面，通过与第一实施方式相同的操作，能够算出搬送机构TRM的搬送偏差。
第三实施方式
图4是表示涉及本发明第三实施方式的用于对仿真基板进行中心定位的机构的截面图。在第三实施方式中，仿真晶片(仿真基板)17由具有与晶片W相同直径的基板组成，在其底面形成的凹部23具有作为用于辅助中心定位的第一引导体G1的功能。另一方面，在处理室2内形成有作为用于辅助仿真晶片17中心定位的第二引导体2，并在升降杆15的顶部与仿真晶片17的凹部结合的突部22。
在升降杆15的顶部形成的突部22为侧面作为倾斜面22a形成的圆锥形状或角锥形状。此外，多个，例如3个升降杆15被配置成在周围方向相互等间隔的并且与装载台14的中心等距离。与此相反，凹部23为具有与升降杆15的配置位置相对应的直径的圆形形状，其周围侧面形成有向下侧打开的倾斜面23a。此外，凹部23被配置成与仿真晶片17的轮廓成同心状。突部22的倾斜面22a与凹部23的倾斜面23a为实质上相同的倾斜角度。
在将仿真晶片17从搬送机械手12(参照图1)移载到升降杆15上时，突部22的倾斜面22a与凹部23的倾斜面23a结合，使仿真晶片17相对于装载台14对准中心。即通过使升降杆15的突部22嵌入凹部23，使仿真晶片17的中心与晶片W的预定装载位置的中心一致。其它的方面，通过与第一实施方式相同的操作，能够算出搬送机构TRM的搬送偏差。
第一至第三实施方式中共同的事项
在第一至第三实施方式中，仿真晶片17经由定向器11，以补正初始偏心量和初始偏心方向的状态被搬送到处理室2内，相对于装载台14中心定位。但是，在仿真晶片17的初始偏心量小时，也可以不经由定向器11直接将仿真晶片17搬送到处理室2内，相对于装载台14对准中心。此外，在通过突部和凹部的结合进行仿真基板(实施方式中的仿真晶片17)的中心定位时，在仿真基板的底面形成其中的一种结构，另一种结构可以形成在装载台的上面或升降杆的顶部。此时，突部和凹部的哪个部形成在仿真基板上取决于被处理基板和装载台的结构。
产业上利用的可能性
根据本发明的算出搬送机构的搬送偏差的方法及半导体处理装置，能够不打开处理室而算出搬送机构的搬送偏差，减少了装置不必要的停止时间。

Claims (20)

1.一种算出搬送机构的搬送偏差的方法，其特征在于：
在半导体处理装置中，使用在具有用于辅助其自身中心定位的第一引导体这一点与被处理基板不同，但作为所述被处理基板的替代物而***作的仿真基板，其中，所述装置包括：
用于对所述被处理基板实施处理的处理室；
配设在所述处理室内，在进行所述处理时装载所述被处理基板的装载台；
配设在所述处理室外，用于相对于所述装载台搬送所述被处理基板的所述搬送机构；
配设在所述处理室外，用于检测所述被处理基板的偏心量和偏心方向的检测器；和
用于辅助所述仿真基板中心定位的第二引导体，在将所述仿真基板从所述搬送机构移载至所述装载台的期间，所述第二引导体与所述第一引导体结合，使所述仿真基板相对于对所述装载台中心定位，
所述方法包括：
在所述装载台的上面或上方的位置，通过所述第一和第二引导体的结合，使所述仿真基板相对于所述装载台中心定位的工序；
利用所述搬送机构接受所述已经中心定位的仿真基板，并将其搬送至所述检测器的工序；以及
然后，利用所述检测器得到所述仿真基板的偏心量及偏心方向的检测值，根据所述检测值，算出所述搬送机构的搬送偏差的工序。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
在使所述仿真基板相对于所述装载台中心定位之前，将所述仿真基板搬送到所述检测器上的工序；
然后，利用所述检测器得到所述仿真基板的初始偏心量和初始偏心方向的初始检测值的工序；和
接着，在将所述仿真基板从所述检测器搬送到所述装载台的上面或上方的位置时，根据所述初始检测值补正初始偏心量和初始偏心方向的工序。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
利用所述搬送机构进行使所述仿真基板相对于所述装载台中心定位之前的所述仿真基板的搬送。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述第一引导体包括具有直径大于所述被处理基板的所述仿真基板的侧缘，所述第二引导体包括形成有开口并且以包围所述装载台的方式配设的引导环，其中，所述开口在上侧具有向上方扩展的倾斜面。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：
所述引导环的所述开口的下侧部分被设定成具有与所述仿真基板的直径实质上相同的内径。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述第一引导体包括第一倾斜面，所述第二引导体具有与所述第一倾斜面结合，并且使所述仿真基板相对于所述装载台中心定位的第二倾斜面。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：
使所述第一和第二倾斜面的其中一个形成为突部的侧面，另一个形成为凹部的侧面。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：
所述突部和所述凹部的其中一个在所述仿真基板的底面形成，另一个在所述装载台的上面形成。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：
所述凹部在所述仿真基板的底面形成，所述突部在辅助所述被处理基板相对于所述装载台加载/卸载的升降杆的顶部形成。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述仿真基板实质上由与所述被处理基板相同的材料或石英构成。
11.一种半导体处理装置，其构成为使用在具有用于辅助其自身中心定位的第一引导体这一点与被处理基板不同，但作为所述被处理基板的替代物而***作的仿真基板算出搬送机构的搬送偏差，其特征在于，所述半导体处理装置包括：
用于对所述被处理基板实施处理的处理室；
配设在所述处理室内，在进行所述处理时装载所述被处理基板的装载台；
配设在所述处理室外，用于相对于所述装载台搬送所述被处理基板的所述搬送机构；
配设在所述处理室外，用于检测所述被处理基板的偏心量和偏心方向的检测器；
用于辅助所述仿真基板中心定位的第二引导体，在将所述仿真基板从所述搬送机构移载至所述装载台的期间，所述第二引导体与所述第一引导体结合，使所述仿真基板相对于对所述装载台中心定位；和
控制所述装置工作的控制部，其中，
所述控制部执行：
在所述装载台的上观或上方的位置，通过所述第一和第二引导体的结合，使所述仿真基板相对于所述装载台中心定位的工序；
利用所述搬送机构接受所述已经中心定位的仿真基板，并将其搬送至所述检测器的工序；和
然后，利用所述检测器得到所述仿真基板的偏心量及偏心方向的检测值，根据所述检测值算出所述搬送机构的搬送偏差的工序。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：
所述控制部还执行：在使所述仿真基板相对于所述装载台中心定位之前，将所述仿真基板搬送到所述检测器上的工序；
然后，利用所述检测器得到所述仿真基板的初始偏心量和初始偏心方向的初始检测值的工序；和
接着，在将所述仿真基板从所述检测器搬送到所述装载台的上面或上方的位置时，根据所述初始检测值补正初始偏心量和初始偏心方向的工序。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于：
所述控制部利用所述搬送机构进行在将所述仿真基板相对于所述装载台中心定位之前的所述仿真基板的搬送。
14.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：
所述第一引导体包括具有直径大于所述被处理基板的所述仿真基板的侧缘，所述第二引导体包括形成有开口并且以包围所述装载台的方式配设的引导环，其中，所述开口在上侧具有向上方扩展的倾斜面。
15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于：
所述引导环的所述开口的下侧部分被设定成具有与所述仿真基板的直径实质上相同的内径。
16.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：
所述第一引导体包括第一倾斜面，所述第二引导体具有与所述第一倾斜面结合，并且使所述仿真基板相对于所述装载台中心定位的第二倾斜面。
17.根据权利要求16所述的装置，其特征在于：
使所述第一和第二倾斜面的其中一个作为突部的侧面形成，另一个作为凹部的侧面形成。
18.根据权利要求17所述的装置，其特征在于：
所述突部和所述凹部的其中一个在仿真基板的底面形成，另一个在所述装载台的上面形成。
19.根据权利要求17所述的装置，其特征在于：
所述凹部在所述仿真基板的底面形成，所述突部在辅助所述被处理基板相对于所述装载台加载/卸载的升降杆的顶部形成。
20.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：
所述控制部以补正算出的所述搬送偏差的方式控制所述搬送机构的工作。
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