JP5433290B2 - 基板収納方法及び制御装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板収納方法及び基板処理システムを制御する制御装置に関する。
基板処理システムでは、ウエハを収納する収納容器と所定の真空状態に保持された基板処理室との間に大気搬送室を設けて両室を連結し、アーム等にウエハを把持して該ウエハを基板処理室と収納容器との間で搬送する。収納容器内の未処理ウエハは、基板処理室に運ばれて所望のプラズマ処理を施された後、処理済ウエハとして再び収納容器に収納される。基板処理室では、所定のプラズマ処理として、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）処理が施される。収納容器は、たとえば、フープやキャリア等と呼ばれている。
フープに再収納された処理済ウエハは、フープ内の雰囲気によっては汚染（二次汚染）される場合があり、この結果、処理済ウエハの歩留まり率が低下するという問題がある。二次汚染のメカニズムとしては、ＲＩＥ処理が施されたウエハの表面に基板処理室内の雰囲気ガス（たとえば、ハロゲン系残留ガス）、ハロゲン系反応生成物等（以下、単に「異物」ともいう。）が付着しており、これがウエハとともにフープ内に持ち込まれる。このとき、各処理済ウエハに付着する異物は少量であっても、閉ざされた狭い空間であるフープ内に多数のウエハが搬入されることによって、フープ内が異物によって汚染され、これに基づいて未処理ウエハ又は処理済ウエハが二次汚染されることが考えられる。
フープ内の清浄に関する技術として、特許文献１には、フープ内に収納されたウエハに付着した汚染物質を除去するために、いわゆるＦＩＭＳ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄ）内部における開口部の上部にガス供給パイプを配置し、このパイプからフープ内に収納されたウエハの上面に対して清浄ガスを吹き付ける技術が開示されている。
特許文献２には、ウエハが収納されるフープ内を所望の気体雰囲気に保つためにフープ内の気体を清浄な気体に置換する気体置換機構を設ける技術が開示されている。
特開２００６−１２８１５３号公報 特開２００６−３５１６１９号公報
しかし、複数の未処理ウエハが収納されたフープ単位でハロゲン系反応ガスによりエッチング処理を行う場合、従来の処理手順では、フープから順番にウエハを取り出して、エッチング処理を行い、処理後のウエハが元のフープに回収されるというシーケンスが順次実行される。
このような処理手順では、たとえ、上記各特許文献にて開示されたフープ内の清浄に関する技術を用いても、フープ内の全ウエハのプラズマ処理が終了するまでの所定期間、未処理ウエハと処理済ウエハとが同一フープ内に混在することを回避できない。よって、上記各特許文献の技術によっては、フープ内の汚染を根本的に解決することができず、歩留まりの低下を顕著に抑制することはできない。
さらに、上記各特許文献によれば、新たな設備が必要であり製造コストが高くなると共にメンテナンスが煩雑になる。よって、新たな設備を必要とすることなく、処理済ウエハの汚染を回避できる収納方法が望まれる。
上記問題に鑑み、本発明は、未処理ウエハと処理済ウエハとの混在を回避する基板収納方法およびそれを制御する制御装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明のある態様によれば、所定の真空状態にて基板に所望のプラズマ処理を施す基板処理室、前記基板処理室に連結するロードロック室、前記基板を収納する第１及び第２の基板収納容器、及び前記ロードロック室と前記第１及び第２の基板収納容器とを連結する大気搬送室を備える基板処理システムにおける基板収納方法であって、前記第１の基板収納容器に収納された複数の未処理基板を順次前記基板処理室に搬送し、該基板処理室にて未処理基板をプラズマ処理する処理ステップと、前記プラズマ処理後の処理済基板を前記第２の基板収納容器まで順次搬送し、該処理済基板を一時的に前記第２の基板収納容器に退避させる退避ステップと、前記第１の基板収納容器から最後の未処理基板が搬出されたかを判定する判定ステップと、前記判定ステップにて最後と決定された未処理基板が搬出された場合、前記第２の基板収納容器に収納された複数の処理済基板を順次前記第１の基板収納容器まで搬送して再収納する再収納ステップと、を含み、前記判定ステップは、前記第１の基板収納容器に収納されたロット毎の最後の未処理基板が前記ロードロック室に搬入された時点、あるいは、前記基板処理室に搬入された時点を検出して最後の未処理基板が搬出されたと判定する基板収納方法が提供される。
これによれば、基板処理システムには、第１の基板収納容器の他に基板を一時的に収納するバッファとしての第２の基板収納容器が設けられる。そして、この基板処理システムにおける基板収納方法によれば、第１の基板収納容器から最後の未処理基板が搬出された場合、第２の基板収納容器に収納された複数の処理済基板を順次第１の基板収納容器まで搬送して再収納する。
これにより、未処理基板と処理済基板とは完全に隔離されながら順次搬送され、第１の基板収納容器内で混在することを避けることができる。これにより、第１の基板収納容器内の汚染による歩留まりの低下を防ぐことができる。
前記第２の基板収納容器の空き状況から前記第１の基板収納容器に収納された複数の未処理基板のすべてを前記第２の基板収納容器に収納可能かを判定する収納可否判定ステップと、前記収納可否判定ステップにて前記第２の基板収納容器に収納可能であると判定された場合、前記処理ステップを実行してもよい。
前記収納可否判定ステップは、前記第１の基板収納容器に収納された複数の未処理基板のうちの製品用基板のすべてが前記第２の基板収納容器に収納可能かを判定してもよい。
前記収納可否判定ステップは、前記第１の基板収納容器に収納された処理予定の未処理基板の枚数が、前記第２の基板収納容器に収納可能な処理済基板の枚数以下である場合、未処理基板のすべてを前記第２の基板収納容器に収納可能であると判定してもよい。
前記判定ステップは、前記第１の基板収納容器に収納されたロット毎の最後の未処理基板が前記ロードロック室に搬入された時点、あるいは、前記基板処理室に搬入された時点を検出して最後の未処理基板が搬出されたと判定するか又はロット処理中止の情報に応じて最後の未処理基板が搬出されたと判定してもよい。
ダミー基板が前記基板処理室に搬送された場合、前記処理ステップを実行した後、前記退避ステップにて前記ダミー基板を前記第２の基板収納容器に一時退避させることなく、該ダミー基板を元の収納容器に戻してもよい。
前記第２の基板収納容器が複数個設置され、前記第１の基板収納容器が前記第２の基板収納容器より多い個数設置されている場合、前記第１の基板収納容器のうち前記第２の基板収納容器と同数個の第１の基板収納容器に収納された未処理基板の前記処理ステップが実行され、そのいずれかの第１の基板収納容器に収納された未処理基板のうち最後の未処理基板が搬出されるまで、前記処理ステップが実行されていない残りの第１の基板収納容器に収納された未処理ウエハの前記処理ステップを待ち状態にしてもよい。
前記判定ステップは、前記いずれかの第１の基板収納容器に収納された最後の未処理基板が決定されたとき、前記待ち状態の前記処理ステップが実行されていない残りの第１の基板収納容器に収納された未処理ウエハの前記待ち状態を解消し、前記処理ステップを開始してもよい。
上記課題を解決するために、本発明の他の態様によれば、所定の真空状態にて基板に所望のプラズマ処理を施す基板処理室、前記基板処理室に連結するロードロック室、前記基板を収納する第１及び第２の基板収納容器、及び前記ロードロック室と前記第１及び第２の基板収納容器とを連結する大気搬送室を備える基板処理システムを制御する制御装置であって、前記第１の基板収納容器に収納された複数の未処理基板を順次前記基板処理室に搬送し、該基板処理室にて未処理基板をプラズマ処理させ、前記プラズマ処理後の処理済基板を前記第２の基板収納容器まで順次搬送し、該処理済基板を一時的に前記第２の基板収納容器に退避させ、前記第１の基板収納容器に収納されたロット毎の最後の未処理基板が前記ロードロック室に搬入された時点、あるいは、前記基板処理室に搬入された時点を検出して最後の未処理基板が搬出されたかを判定し、判定の結果、最後と決定された未処理基板が搬出された場合、前記第２の基板収納容器に収納された複数の処理済基板を順次前記第１の基板収納容器まで搬送して再収納させる制御装置が提供される。
以上説明したように本発明によれば、未処理ウエハと処理済ウエハとの混在を回避することにより、歩留まりの低下を防ぐことができる。
本発明の一実施形態に係る基板処理システム及び制御装置を示した図である。 図２（ａ）（ｂ）は、同実施形態に係るフープ内に収納されたウエハを示した図である。 図３（ａ）（ｂ）は、同実施形態に係るウエハの搬送状態の一例を示した図である。 図４（ａ）（ｂ）は、同実施形態に係るウエハの搬送状態の他の例を示した図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理システムの変形例を示した図である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理システム１０及び制御装置２０のハードウエア構成について、図１を参照しながら説明する。
［基板処理システムのハードウエア構成］
基板処理システム１０は、第１のプロセスシップＰＳ１、第２のプロセスシップＰＳ２、第３のプロセスシップＰＳ３、大気搬送室ＴＭ、位置合わせ機構ＡＬ、第１の基板収納容器としてのフープＬＰ１〜ＬＰ３および第２の基板収納容器としてのフロントストレージＦＳＴ（Ｆｒｏｎｔ Ｓｔｏｒａｇｅ）１、ＦＳＴ２を有している。
第１のプロセスシップＰＳ１は、基板処理室１０２及びロードロック室１０４を有する。基板処理室１０２は、所定の真空状態にてウエハＷに所望のプラズマ処理を施す。ロードロック室１０４は、大気搬送室ＴＭと基板処理室１０２との間に設けられ、所定の減圧状態にてアームＡＭ１にウエハＷを把持しながら大気空間と真空空間との間でウエハＷを搬送する。具体的には、アームＡＭ１は、次に処理するウエハＷを把持しながらロードロック室１０４内で待機し、前のウエハＷのプラズマ処理が終了したら前のウエハＷと交換で次のウエハＷを基板処理室１０２に搬送し、前のウエハＷを大気搬送室ＴＭへ搬送する。各室の連結部分にはゲートバルブＧＶが設けられ、各室の気密を保持するようになっている。第２のプロセスシップＰＳ２、第３のプロセスシップＰＳ３も同様に、基板処理室１０６及びロードロック室１０８、基板処理室１１０及びロードロック室１１２をそれぞれ有していて、各室の連結部分にはゲートバルブＧＶが設けられている。
基板処理室１０２、１０６、１１０では、プラズマを用いてウエハＷに反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）処理が施されたり、ＲＩＥ処理が施されたウエハに対してＣＯＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｒｅｍｏｖａｌ）処理及びＰＨＴ（Ｐｏｓｔ Ｈｅａｔ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理等が施される。なお、成膜処理やスパッタ処理等のプラズマ処理が実行されてもよい。
大気搬送室ＴＭは、ロードロック室１０４，１０８，１１２を介してフープＬＰ１〜ＬＰ３、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２及び基板処理室１０２，１０６，１１０を連結する。大気搬送室ＴＭの内部には、アームＡＭ２や図示しないレール等からなる基板搬送ユニットＴＵが設けられている。基板搬送ユニットＴＵは、ロードロック室１０４，１０８，１１２とフープＬＰ１〜ＬＰ３やフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２との間にてウエハＷの搬送を行い、ロードロック室１０４，１０８，１１２を介して基板処理室１０２，１０６，１１０とフープＬＰ１〜ＬＰ３の間、及び基板処理室１０２，１０６，１１０とフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２の間のウエハＷの搬送を実現する。
位置合わせ機構ＡＬは、ウエハＷを載置した状態で回転台ＡＬ１を回転させながら、光学センサＡＬ２によりウエハＷの周縁部の状態を検出することにより、ウエハＷの位置合わせを行うようになっている。
フープＬＰ１〜ＬＰ３及びフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２は、大気搬送室ＴＭの側壁に設けられた、図示しないカセットステージ上に載置されている。フープＬＰ１〜ＬＰ３及びフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２のそれぞれには、たとえば、最大で２５枚のウエハＷが多段に収容される。フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２は、処理済ウエハから発生する残留ガスを排気する機構を有する。
［制御装置のハードウエア構成］
つぎに、制御装置２０のハードウエア構成について説明する。制御装置２０は、ＲＯＭ２０５、ＲＡＭ２１０、ＣＰＵ２１５、バス２２０及びインタフェース２２５を有している。
ＲＯＭ２０５には、制御装置２０にて実行される基本的なプログラムや、異常時に起動するプログラム等が記録されている。ＲＡＭ２１０には、各種プログラムやレシピや各種パラメータ等が蓄積されている。エッチング処理時に用いるレシピには、製品用ウエハ（製品用基板の一例）やダミーウエハ（ダミー基板の一例）に対してエッチング処理を実行するための手順やその際のプロセス条件（たとえば、設定温度）が定義されている。
ＲＡＭ２１０には、また、フープＬＰ１〜ＬＰ３に収納された各ウエハのロット番号やウエハ番号や、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２の空き情報が記憶されている。ＲＡＭ２１０には、ロット毎の最終ウエハがどのウエハかに関する情報も記憶されている。なお、ＲＯＭ２０５およびＲＡＭ２１０は記憶装置の一例であり、ＥＥＰＲＯＭ、光ディスク、光磁気ディスク、ハードディスクなどの記憶装置であってもよい。
ＣＰＵ２１５は、製品用ウエハに対するプラズマ処理や搬送を制御する。また、ＣＰＵ２１５は、各フープや各フロントストレージ内のウエハＷの状態を管理し、必要に応じて各フープや各フロントストレージ内のウエハＷの搬出又は搬入のタイミングを制御し、各フープ内で未処理ウエハと処理済ウエハとが混在することを禁止する。
バス２２０は、各デバイス間で情報をやりとりする経路である。インタフェース２２５は、オペレータの操作により図示しないキーボード等の入力機器からパラメータ値を入力するとともに、必要な情報を図示しないモニタやスピーカに出力する。たとえば、後述するようにロット開始が許可されずロット開始待ちとなった場合、図４（ａ）に示したようにインタフェース２２５を介してモニタにロット開始待ちを示す記号３００が表示される。また、インタフェース２２５は、基板処理システム１０の各アクチュエータを駆動するために所望のデータを送受信する。
オペレータは、予めパラメータを設定することにより、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２を使用する搬送方法であるか、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２を使用しない搬送方法であるかを選択できる。制御装置２０の動作を説明する前提として、以下では、オペレータはフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２を使用する搬送方法を選択しているものとする。
また、ダミーストレージ（図示せず）から搬出したダミーウエハ（クリーニング処理やシーズニング処理に用いる非製品用ウエハ）に関しては、上記パラメータにかかわらず、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２を使用せずに、直接元のフープに収納するものとする。
［搬送経路］
ウエハの基本的な搬送経路について説明する。図１では、フープＬＰ１に収納されたウエハ（未処理ウエハ）の搬送経路を例に挙げて説明する。ウエハＷは、アームＡＭ２に把持されてフープＬＰ１から搬出され、位置合わせ機構ＡＬに搬送され、位置決めされる（経路Ｒ１）。その後、ウエハＷは、アームＡＭ２からロードロック室１０４のアームＡＭ１に待機把持され、前のウエハのＲＩＥ処理が終了するのを待つ（経路Ｒ２）。
前のウエハのＲＩＥ処理が終了すると、前のウエハを基板処理室１０２から搬出するとともにウエハＷを基板処理室１０２に搬入する（経路Ｒ３）。基板処理室１０２にてウエハにＲＩＥ処理が施された後、処理済のウエハＷは、ロードロック室１０４を経由し（経路４）、さらに大気搬送室ＴＭを経由してフロントストレージＦＳＴ１に搬入される（経路５）。フロントストレージＦＳＴに収納された処理済ウエハＷは、所定のタイミングに元のフープＬＰ１に再収納される（経路６）。
［制御装置の動作］
次に、制御装置２０の動作について図２〜４を参照しながら説明する。具体的説明は、１．ロット処理前確認動作、２．収納可否判定動作、３．搬出及び処理動作、４．退避動作、５．判定動作、６．再収納動作の順に行う。
（１．ロット処理前確認動作）
まず、制御装置２０は、ロット処理前にウエハの収納状態を確認する。たとえば、図２（ａ）では、フープＬＰ１内のスロット番号１〜７のスロットにはロット番号Ａに属するウエハ番号１〜７の７枚の未処理ウエハＷが収納されている。その上のスロット番号８〜１６のスロットにはロット番号Ｂに属するウエハ番号８〜１６の９枚の未処理ウエハＷが収納されている。その上のスロット番号１７〜２１のスロットにはロット番号Ｃに属するウエハ番号１７〜２１の５枚の未処理ウエハＷが収納されている。その上のスロット番号２２〜２４のスロットにはロット指定のない３枚の未処理ウエハＷが収納されている。スロット番号２５のスロットにはウエハＷは収納されていない。
この状態で、制御装置２０がロット開始を許可すると、スロット番号１〜２１のウエハＷは処理済み、スロット番号２２〜２４のウエハは未処理の状態となる。ロット指定がない場合、そのウエハに関するロット処理が開始されず、ロット指定がないウエハについては基板処理室にてプラズマ処理が実行されないためである。その結果、フープＬＰ１内にて未処理ウエハと処理済ウエハとが混在することになる。これを避けるために、フープ内にロット指定のないウエハＷが収納されている場合には、制御装置２０は、ロット指定がなされるまで、又はフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２を使用しない搬送方法が指定されるまでフープＬＰ１のロット開始を許可しない。
一方、図２（ｂ）では、ロット番号Ａに属するウエハ番号１〜７の７枚の未処理ウエハＷ、ロット番号Ｂに属するウエハ番号８〜１６の９枚の未処理ウエハＷ、ロット番号Ｃに属するウエハ番号１７〜２１の５枚の未処理ウエハＷ、ロット番号Ｄに属するウエハ番号２２〜２４の３枚の未処理ウエハＷが収納されている。
このようにフープ内の全ウエハがロット指定されている場合、すべてのウエハＷのプラズマ処理が正常終了すれば、フープＬＰ１内には、すべて処理済ウエハが再収納されるため、フープＬＰ１内にて未処理ウエハと処理済ウエハとが混在することはない。スロット番号２５が空きスロットがあってもそれにより上記混在状態は生じない。よって、この場合には、制御装置２０は、フープＬＰ１のロット開始を不許可とせずにロット処理前確認動作を終了し、次の収納可否判定動作を実行する。
（２．収納可否判定動作）
本動作では、制御装置２０は、フロントストレージＦＳＴ１及びフロントストレージＦＳＴ２の空き状況からフープＬＰ１に収納された複数の未処理ウエハのすべてをフロントフロントストレージＦＳＴ１又はフロントストレージＦＳＴ２に収納可能かを判定する（収納可否判定ステップ）。
具体的には、制御装置２０は、フープＬＰ１に収納された複数の未処理ウエハのうち、製品用ウエハのすべてがフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２に収納可能かを判定する。
より詳しくは、制御装置２０は、フープＬＰ１に収納された処理予定の未処理ウエハの枚数が、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２に収納可能な処理済ウエハの枚数以下である場合、未処理ウエハのすべてをフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２に収納可能であると判定する。
たとえば、図３（ａ）では、フープＬＰ１から１０枚の未処理ウエハＷをフープＬＰ１→基板処理室１０２→フロントストレージＦＳＴ１又はフロントストレージＦＳＴ２→フープＬＰ１の搬送経路にてプラズマ処理しようとするとき、制御装置２０は、まず、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２の空き状況を確認する。図３（ａ）では、フロントストレージＦＳＴ１、ＦＳＴ２に「５０／５０」と図示されている。この数値のうち、分母はフロントストレージＦＳＴ１、ＦＳＴ２にトータルで何枚のウエハを収容可能であるかを表し、分子は現時点でフロントストレージＦＳＴ１、ＦＳＴ２に最大何枚のウエハが収容可能であるかを表している。「５０／５０」の場合、フロントストレージＦＳＴ１、ＦＳＴ２に収容可能枚数の最大までウエハが収容されていて、これ以上ウエハは１枚も収容できない状態であり、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２には使用可能スロットがない。このため、制御装置２０は、フロントストレージに収納不可能、すなわちフープＬＰ１のロット開始不可能と判定する。
図３（ｂ）では、フープＬＰ１から２４枚の未処理ウエハＷの処理が、フープＬＰ１→基板処理室１０２→フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２→フープＬＰ１の搬送経路にて既に開始されている。フープＬＰ１からは既に１３枚のウエハが搬出され、１１枚目のウエハがプラズマ処理中、１２枚目のウエハがロードロック室１０４で待ち状態、１３枚目のウエハがアライメント処理中である。
この状態で、フープＬＰ２から２５枚の未処理ウエハＷをフープＬＰ２→基板処理室１０６→フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２→フープＬＰ２の搬送経路にてプラズマ処理しようとするとき、制御装置２０は、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２の空き状況を確認する。この場合、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２には２６枚の未定義ウエハが存在する。未定義ウエハは、停電等の理由によりロット処理が中止になったウエハである。このため、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２には、残り２４枚しか処理済ウエハＷを収納できない。よって、制御装置２０は、フープＬＰ２内の２５枚のウエハすべてをフロントストレージに収納不可能、すなわちフープＬＰ２のロット開始不可能と判定する。
図４（ａ）では、フープＬＰ１から２５枚の未処理ウエハＷの処理が、フープＬＰ１→基板処理室１０２→フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２→フープＬＰ１の搬送経路にて既にロット処理中である。フープＬＰ１からは既に１６枚のウエハが搬出され、１４枚目のウエハがプラズマ処理中、１５枚目のウエハがロードロック室１０４で待ち状態、１６枚目のウエハがアライメント処理中である。
フープＬＰ２から２５枚の未処理ウエハが、フープＬＰ２→基板処理室１０６→フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２→フープＬＰ２の搬送経路にて既にロット処理中である。フープＬＰ２からは既に２１枚のウエハが搬出され、２０枚目のウエハがプラズマ処理中、２１枚目のウエハがロードロック室１０４で待ち状態である。
よって、この時点ではフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２には合計３２枚（＝１３＋１９）の処理済ウエハが退避している。この状態で、フープＬＰ３から２５枚の未処理ウエハＷをフープＬＰ３→基板処理室１１０→フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２→フープＬＰ３の搬送経路にてプラズマ処理しようとするとき、制御装置２０は、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２の空き状況を確認する。この場合、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２にはフープＬＰ１の２５枚の仕掛かりウエハ及びフープＬＰ２の２５枚の仕掛かりウエハの合計５０枚のウエハが退避予定である。よって、制御装置２０は、フープＬＰ１の２５枚がフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２からフープＬＰ１に再収納されはじめたか、又はフープＬＰ２の２５枚がフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２からフープＬＰ２に再収納されはじめるまでロット開始許可をせずにロット開始待ち状態とする。
ロット開始待ちの間、図４（ａ）の右上に示したように、制御装置２０は、フープＬＰ３のロット開始が許可されるまで、ロット開始待ちを示す記号３００をディスプレイ上に表示する。記号３００の表示／非表示だけでなく、記号３００を点滅させて待ち状況を示してもよい。たとえば、点滅したら待ち状態開始や待ち状態終了直前を示すようにしてもよい。記号３００とともに全体の待ち時間に対する残り時間をバーの長さ等で示すようにしてもよい。
その後、フープＬＰ１の最後の未処理ウエハが決定された場合、制御装置２０は、フープＬＰ１への再収納動作に移る。それととともに、制御装置２０は、フープＬＰ３内の２５枚のウエハのすべてをフロントストレージに収納可能、すなわち、フープＬＰ３のロット開始可能と判定し、フープＬＰ３からの搬送を開始する。なお、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２に２５枚以上の空き容量が生じたと判定された後にフープＬＰ３からの搬送を開始してもよい。
フープＬＰ３のロット開始が許可されたら、図４（ｂ）の右上に示したように、制御装置２０は、ロット開始が許可されたことを示す記号３１０を表示する。これに替えて、制御装置２０は、フープＬＰ３のロット開始が許可されたら記号３００を非表示としてもよい。これにより、オペレータは、各ロットの進行状況を視覚的に確認することができる。
（３．搬出及び処理動作）
制御装置２０は、上記収納可否判定にてフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２に収納可能であると判定された場合、プラズマ処理の実行を開始する（処理ステップ）。たとえば、図４（ａ）に示したフープＬＰ３のロット開始待ち状態から図４（ｂ）に示したフープＬＰ３のロット開始許可状態に遷移した場合、制御装置２０は、フープＬＰ３内の２５枚のウエハＷを順次基板処理室１１０に搬送させ、該基板処理室１１０にてウエハＷをプラズマ処理させる。
（４．退避動作）
プラズマ処理後、制御装置２０は、処理済ウエハＷをフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２まで順次搬送し、該処理済ウエハを一時的に退避させる（退避ステップ）。
（５．判定動作）
制御装置２０は、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２の空きスロット数を管理している。その際、制御装置２０は、ロット処理中のフープから最後の未処理基板が搬出されたかを判定する（判定ステップ）。
制御装置２０は、フープに収納されたロット毎の最後の未処理ウエハの情報又はロット処理中止の情報に応じて最後の未処理ウエハが搬出されたと判定し、次に説明するフープへの再収納動作に移る。
たとえば、図４（ｂ）では、フープＬＰ１に収納されていた２５枚のウエハＷについて、最終ロットの最後のウエハ（図４（ｂ）のウエハ１２５）がロードロック室１０４に搬入されている。制御装置２０は、このようにウエハ１２５がロードロック室１０４に搬入された時点でフープＬＰ１の最後の未処理ウエハが決定されたと判定する。
ただし、制御装置２０は、最終ロットの最後のウエハがフープから搬出された時点や基板処理室に搬入された時点を検出して、これにより最後の未処理ウエハが決定されたと判定してもよい。
なお、停電等によりロット処理が中止になった場合にも、制御装置２０は、この中止情報を受けて最後の未処理ウエハが決定されたと判定し、次に説明するフープへの再収納動作に移る。
（６．再収納動作）
制御装置２０は、最後と決定された未処理ウエハがいずれかのフープから搬出されたと判定した場合、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２に収納されている、いずれかのフープに属する複数の処理済ウエハを順次元のフープまで搬送し再収納する動作を開始する（再収納ステップ）。
たとえば、図４（ｂ）では、制御装置２０は、フープＬＰ２に収納されていた２５枚のウエハＷの最終ウエハ２２５が搬出されたと判定する。よって、制御装置２０は、フープＬＰ２に収納されていた２５枚のウエハＷのうち、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２に収納された処理後のウエハＷを元のフープＬＰ２に搬送する動作を開始する。これにより、フロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２の空きスロットが増え、次の待ちロットの処理を開始することができる。
本実施形態のように、フープが３つ以上であり、フロントストレージが２つである場合、３つ以上のフープのうちの２つのフープに収納された未処理ウエハの処理が実行され、そのいずれかのフープに収納された未処理ウエハのすべての処理を終了するまで、処理が実行されていない残りのフープに収納された未処理ウエハの処理を待ち状態にする。
なお、フープやその他のストレージに収納された複数の未処理ウエハのうち、ダミーウエハが基板処理室に搬送された場合、制御装置２０は、所望のプラズマ処理を実行した後、前記ダミーウエハをフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２に一時退避させることなく元のフープやその他のストレージに戻す。
本実施形態によれば、フープＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３の他にウエハを一時的に収納するバッファとしてのフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２が設けられていて、フープから最後の未処理ウエハが搬出された後、フロントストレージに収納された複数の処理済ウエハを順次元のフープまで搬送して再収納する。
これにより、未処理ウエハと処理済ウエハとは完全に隔離されながら順次搬送され、これにより、フープ内で混在することを避けることができる。これによれば、未処理ウエハや処理済ウエハが二次汚染されることを回避することにより歩留まりの低下を防ぐことができる。
上記実施形態において、各部の動作は互いに関連しており、互いの関連を考慮しながら、一連の動作として置き換えることができる。これにより、基板処理システムを制御する制御装置の実施形態を基板収納方法の実施形態とすることができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、上記実施形態では、基板処理システムは、３つのフープＬＰ１〜ＬＰ３、３つの基板処理室１０２，１０６，１１０に対して２つのフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２を有していたが、本発明はかかる例に限定されない。例えば、本発明に係る基板処理システムは、図５に示したように、４つのフープＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４、４つの基板処理室１０２，１０６，１１０，１１４に対して２つのフロントストレージＦＳＴ１，ＦＳＴ２を有していてもよい。このように、本発明に係る基板処理システムのフープの数及びフロントストレージの数は配置位置の制限を考慮しながら任意に定めることができる。
また、上記実施形態では、ダミーウエハは処理後フロントストレージに退避させずに元のフープに再収納するとしたが、本発明に係る基板処理システムでは、製品用ウエハと同様にダミーウエハもフロントストレージに退避させてもよい。
また、本発明に係る基板処理システムで処理される被処理体は、ウエハに限られず基板も含まれる。
１０ 基板処理システム
２０ 制御装置
１０２，１０６，１１０，１１４ 基板処理室
１０４，１０８，１１２ ロードロック室
２０５ ＲＯＭ
２１０ ＲＡＭ
２１５ ＣＰＵ
ＴＭ 大気搬送室
ＴＵ 基板搬送ユニット
ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４ フープ
ＦＳＴ１，ＦＳＴ２ フロントストレージ
ＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３，ＰＳ４ プロセスシップ
ＡＬ 位置合わせ機構

Claims (9)

  1. 所定の真空状態にて基板に所望のプラズマ処理を施す基板処理室、前記基板処理室に連結するロードロック室、前記基板を収納する第１及び第２の基板収納容器、及び前記ロードロック室と前記第１及び第２の基板収納容器とを連結する大気搬送室を備える基板処理システムにおける基板収納方法であって、
    前記第１の基板収納容器に収納された複数の未処理基板を順次前記基板処理室に搬送し、該基板処理室にて未処理基板をプラズマ処理する処理ステップと、
    前記プラズマ処理後の処理済基板を前記第２の基板収納容器まで順次搬送し、該処理済基板を一時的に前記第２の基板収納容器に退避させる退避ステップと、
    前記第１の基板収納容器から最後の未処理基板が搬出されたかを判定する判定ステップと、
    前記判定ステップにて最後と決定された未処理基板が搬出された場合、前記第２の基板収納容器に収納された複数の処理済基板を順次前記第１の基板収納容器まで搬送して再収納する再収納ステップと、を含み、
    前記判定ステップは、前記第１の基板収納容器に収納されたロット毎の最後の未処理基板が前記ロードロック室に搬入された時点、あるいは、前記基板処理室に搬入された時点を検出して最後の未処理基板が搬出されたと判定する基板収納方法。
  2. 前記第２の基板収納容器の空き状況から前記第１の基板収納容器に収納された複数の未処理基板のすべてを前記第２の基板収納容器に収納可能かを判定する収納可否判定ステップと、
    前記収納可否判定ステップにて前記第２の基板収納容器に収納可能であると判定された場合、前記処理ステップを実行する請求項１に記載の基板収納方法。
  3. 前記収納可否判定ステップは、前記第１の基板収納容器に収納された複数の未処理基板のうちの製品用基板のすべてが前記第２の基板収納容器に収納可能かを判定する請求項２に記載の基板収納方法。
  4. 前記収納可否判定ステップは、前記第１の基板収納容器に収納された処理予定の未処理基板の枚数が、前記第２の基板収納容器に収納可能な処理済基板の枚数以下である場合、未処理基板のすべてを前記第２の基板収納容器に収納可能であると判定する請求項２又は３に記載の基板収納方法。
  5. 前記判定ステップは、前記第１の基板収納容器に収納されたロット毎の最後の未処理基板が前記ロードロック室に搬入された時点、あるいは、前記基板処理室に搬入された時点を検出して最後の未処理基板が搬出されたと判定するか又はロット処理中止の情報に応じて最後の未処理基板が搬出されたと判定する請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板収納方法。
  6. ダミー基板が前記基板処理室に搬送された場合、前記処理ステップを実行した後、前記退避ステップにて前記ダミー基板を前記第２の基板収納容器に一時退避させることなく、該ダミー基板を元の収納容器に戻す請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板収納方法。
  7. 前記第２の基板収納容器が複数個設置され、前記第１の基板収納容器が前記第２の基板収納容器より多い個数設置されている場合、前記第１の基板収納容器のうち前記第２の基板収納容器と同数個の第１の基板収納容器に収納された未処理基板の前記処理ステップが実行され、そのいずれかの第１の基板収納容器に収納された未処理基板のうち最後の未処理基板が搬出されるまで、前記処理ステップが実行されていない残りの第１の基板収納容器に収納された未処理ウエハの前記処理ステップを待ち状態にする請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板収納方法。
  8. 前記判定ステップは、前記いずれかの第１の基板収納容器に収納された最後の未処理基板が決定されたとき、前記待ち状態の前記処理ステップが実行されていない残りの第１の基板収納容器に収納された未処理ウエハの前記待ち状態を解消し、前記処理ステップを開始する請求項７に記載の基板収納方法。
  9. 所定の真空状態にて基板に所望のプラズマ処理を施す基板処理室、前記基板処理室に連結するロードロック室、前記基板を収納する第１及び第２の基板収納容器、及び前記ロードロック室と前記第１及び第２の基板収納容器とを連結する大気搬送室を備える基板処理システムを制御する制御装置であって、
    前記第１の基板収納容器に収納された複数の未処理基板を順次前記基板処理室に搬送し、該基板処理室にて未処理基板をプラズマ処理させ、
    前記プラズマ処理後の処理済基板を前記第２の基板収納容器まで順次搬送し、該処理済基板を一時的に前記第２の基板収納容器に退避させ、
    前記第１の基板収納容器に収納されたロット毎の最後の未処理基板が前記ロードロック室に搬入された時点、あるいは、前記基板処理室に搬入された時点を検出して最後の未処理基板が搬出されたかを判定し、
    判定の結果、最後と決定された未処理基板が搬出された場合、前記第２の基板収納容器に収納された複数の処理済基板を順次前記第１の基板収納容器まで搬送して再収納させる制御装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6002532B2 (ja) * 2012-10-10 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理方法
JP5981307B2 (ja) * 2012-11-07 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP6213079B2 (ja) * 2013-09-09 2017-10-18 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
JP2016063081A (ja) 2014-09-18 2016-04-25 東京エレクトロン株式会社 蓋体開閉装置及び蓋体開閉方法
JP2017028209A (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 東京エレクトロン株式会社 基板収納方法及び基板処理装置
CN113140483A (zh) * 2021-03-03 2021-07-20 上海璞芯科技有限公司 一种晶圆的传片方法和传片平台

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05275511A (ja) * 1991-03-01 1993-10-22 Tokyo Electron Ltd 被処理体の移載システム及び処理装置
US5856923A (en) * 1997-03-24 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing
US6034000A (en) * 1997-07-28 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Multiple loadlock system
US6235634B1 (en) * 1997-10-08 2001-05-22 Applied Komatsu Technology, Inc. Modular substrate processing system
JP2000286318A (ja) * 1999-01-27 2000-10-13 Shinko Electric Co Ltd 搬送システム
US6612797B1 (en) * 1999-05-18 2003-09-02 Asyst Technologies, Inc. Cassette buffering within a minienvironment
JP2002149227A (ja) * 2000-11-16 2002-05-24 Mitsubishi Electric Corp 生産管理方法および生産管理装置
US6580967B2 (en) * 2001-06-26 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Method for providing distributed material management and flow control in an integrated circuit factory
US20030063972A1 (en) * 2001-10-02 2003-04-03 Macronix International Co., Ltd. Method for preventing miss-process in wafer transfer system
US6696367B1 (en) * 2002-09-27 2004-02-24 Asm America, Inc. System for the improved handling of wafers within a process tool
KR100935291B1 (ko) * 2002-11-28 2010-01-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템 및 도포 현상 장치
CN1590989A (zh) * 2003-08-27 2005-03-09 上海宏力半导体制造有限公司 缺陷分析抽样控制***及方法
JP2005262367A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Tokyo Electron Ltd 搬送ロボットの搬送ズレ確認方法及び処理装置
US8292563B2 (en) * 2004-06-28 2012-10-23 Brooks Automation, Inc. Nonproductive wafer buffer module for substrate processing apparatus
JP4358690B2 (ja) * 2004-06-30 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びその運用方法
JP4012190B2 (ja) 2004-10-26 2007-11-21 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び開閉方法
US8353986B2 (en) * 2005-03-31 2013-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP4534876B2 (ja) 2005-06-13 2010-09-01 シンフォニアテクノロジー株式会社 被処理物供給装置及び被処理物供給方法
JP2007025938A (ja) * 2005-07-14 2007-02-01 Pentax Corp 物品管理システム
JP4965925B2 (ja) * 2006-07-26 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム
JP4560022B2 (ja) * 2006-09-12 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体
US20090022574A1 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Eudy Steve L Workpiece loading system
JP4957426B2 (ja) * 2007-07-19 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
JP4546556B2 (ja) * 2008-04-18 2010-09-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理方法
JP5294681B2 (ja) * 2008-04-28 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその基板搬送方法

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