CN1573486A - 具有多个区域的液晶显示器及用于该显示器的面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，包括在绝缘基片上形成的栅极线；与栅极线绝缘交叉的数据线；在每个栅极线和数据线交叉限定的像素区域上形成的第一像素电极；三端子分别与栅极线、数据线及第一像素电极连接的第一薄膜晶体管；在每个像素区域上形成，并与第一像素电极连接的耦合电极重叠、与第一像素电极电容性耦合的第二像素电极的液晶显示器。第二像素电极通过第二薄膜晶体管与存储电极线进行电连接，对共同电极形成比第一像素电极电压高的电压。这时，第一像素电极具有比第二像素电极宽的面积，低电压与高电压比率为0.50－0.95。因此，可以得到提高侧面可视性的宽视角液晶显示器，同时可以确保良好的纵横比和透射比。

Description

具有多个区域的液晶显示器及 用于该显示器的面板
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器，更具体地，涉及一种具有多个区域的液晶显示器及用于该显示器的面板。
背景技术
液晶显示器(LCD)通常在形成共同电极和滤色器的上部基片和形成薄膜晶体管和像素电极等的下部基片之间注入液晶材料，向像素电极和共同电极之间施加相互不同的电压以形成电场，改变液晶分子排列，通过它调整光的透射比来显示图像。
窄视角是液晶显示器的重要弊端。为了克服这种弊端，正在开发扩大视角的多种技术，其中对上下基片液晶分子垂直取向，在像素电极和与其面对电极的共同电极形成一定的折叠图案，或形成凸起的方法最有效。
形成折叠图案的方法有，在像素电极和共同电极上分别形成折叠图案，利用这些折叠图案形成的散射场，调整液晶分子的平躺方向，从而扩大视角的方法。
形成凸起的方法有，在上下基片之上形成的像素电极和共同电极之上分别形成凸起，从而利用通过凸起失真的电场调整液晶分子平躺方向的方式。
另外一种方法有，在下部基片之上形成的像素电极上形成折叠图案，在上部基片上形成的共同电极之上形成凸起，利用折叠图案和凸起形成的散射场，调整液晶平躺方向以形成区域的方式。
这种多重区域液晶显示器的以1∶10对比比为基准的对比比视角或通过灰度之间亮度反转的限度角度限定的灰度反转基准视角，在其前方向为80度以上，这是属于非常优秀的。然而，发生正面伽马曲线和侧面伽马曲线不一致的侧面伽马曲线变形现象，与TN模式液晶显示器相比，在侧面还出现较差的可视度。
例如，作为区域分割件，使用形成折叠部的PVA(patternedvertically aligned)模式时，越靠近侧面，存在整体画面亮而，且存在向白色方向移动的倾向，严重时不存在亮灰度之间的间距差，导致图像变形。然而，随着液晶显示器在多媒体领域中的使用，并随着观看画像或观看活动图像的增加，越来越重视可视度。
发明内容
本发明目的是提供一种可视度优良的具有多个区域的液晶显示器。
为了实现本发明目的，将像素电极至少分为两个，向被分成的辅助像素电极施加相互不同的电位。这时辅助像素电极通过耦合电极形成电容性耦合，对于共同电极电压，电压低的辅助像素电极比电压高的辅助像素电极更宽，或者低电压和高电压之间的电压差比率在0.50-0.95之间。
根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列面板，在绝缘基片上形成第一信号线，并形成与第一信号线绝缘交叉且限定像素区域的第二信号线，在第一信号线和第二信号线交叉限定的各像素区域形成至少两个以上的分割像素电极。而且，在每个像素区域上形成与第一信号线、第二信号线、及像素上分别与三端电连接的薄膜晶体管，与至少一个分割像素电极电连接的端连接，形成至少与分割的另外像素电极重叠的耦合电极。这时，像素电极具有将液晶分子分割取向的区域分割件，像素电极以互不相同的面积分割。
在这里，优选地，区域分割件可能是折叠部，耦合电极从薄膜晶体管三端中的漏极延伸，像素电极通过折叠部进行分割，折叠部与第一信号线成±45°角。
这种薄膜晶体管阵列面板还包括与第二信号线绝缘交叉并施加基准电压的第三信号线，并包括通过耦合电极电容性耦合的第一及第二像素电极。在这里，薄膜晶体管包括第一信号线、第一像素电极及三端分别与第二信号线连接的第一薄膜晶体管和第一信号线、三端与第二像素电极及第三信号线电连接的第二薄膜晶体管。
这时，优选地，还包括在第一及第二像素电极和第一及第二薄膜晶体管之间形成的绝缘层，第二像素电极和第二薄膜晶体管的漏极直接连接钝化层的第一接触孔。第一像素电极通过钝化层的第二接触孔与第一薄膜晶体管的漏极直接连接，或中间隔着钝化层可以与第一薄膜晶体管的漏极重叠。
第一像素电极具有比第二像素电极大的面积，更优选地，第一像素电极具有第二像素电极面积的1-6倍的面积。
在这里，像素电极还包括通过第一像素电极和耦合电极进行电容性耦合的、与其电连接的第三像素电极。
根据本发明实施例的液晶显示器，具有将与这种薄膜晶体管阵列面板和像素电极面对驱动液晶分子的电压作为共同电极的共同电极面板、在薄膜晶体管阵列面板及共同电极面板中的至少一个上形成的第一区域分割件、在薄膜晶体管阵列面板及共同电极面板中至少一个上形成并与第一区域分割件一起将像素区域分割成多个小区域的第二区域分割件。
这时，第一区域分割件可能是像素电极具有的折叠部，第二区域分割件可能是共同电极具有的折叠部。
根据本发明另外实施例的液晶显示器包括第一绝缘层、形成在第一绝缘层的第一信号线、在第一绝缘基片上形成并与第一信号线绝缘交叉限定像素区域的第二信号线、在第一信号线和第二信号线交叉限定的各像素区域形成并分割成至少两个以上的像素电极、三端分别与第一信号线、第二信号线及像素电极电连接的薄膜晶体管、与至少一个分割像素电极电连接的端连接并与至少一个分割像素电极重叠的耦合电极、与第一绝缘基片面对的第二绝缘基片、形成在第二绝缘基片之上的共同电极、形成在第一基片及第二基片中至少一个的第一区域分割件、在第一基片及第二基片中至少一个上形成并与第一区域分割件一起将像素区域分割成多个小区域的第二区域分割件。这时，共同电极和分割的多个像素电极之间电压的电压差比率在0.5-0.95之间。
第一或第二区域分割件可以是折叠部。
优选地，耦合电极从薄膜晶体管的三端中的漏极延伸，第一及第二区域分割件与第一信号线成±45°角。
这种液晶显示器还包括与第二信号线绝缘交叉并施加基准电压的第三信号线，包括通过耦合电极电电容性耦合的第一及第二像素电极。这时，薄膜晶体管包括三端分别与第一信号线、第一像素电极、第二信号线连接的第一薄膜晶体管和三端分别与第一信号线、第二像素电极、第三信号线连接的第二薄膜晶体管。
优选地，还包括在第一及第二像素电极和第一及第二薄膜晶体管之间形成的绝缘层，第二像素电极和第二薄膜晶体管的漏极直接连接钝化层的第一接触孔。第一像素电极通过钝化层的第二接触孔与第一薄膜晶体管的漏极直接连接或隔着钝化层与第一薄膜晶体管的漏极重叠。
第一像素电极优选具有比第二像素电极大的面积，像素电极还可以包括通过第一像素电极和耦合电极进行电容性耦合的、与其电连接的第三像素电极。
附图说明
本发明的上述和其它优点将通过参考附图详细地描述其优选实施例，从而变得更加明显，其中：
图1是根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板布局图；
图2是根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的共同电极面板布局图；
图3是根据本发明第一实施例的液晶显示器布局图；
图4是图3的沿着线IV-IV′的截面图；
图5是根据本发明第一实施例的液晶显示器电路图；
图6是根据本发明第二实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板布局图；
图7是沿着图6的线VII-VII′的薄膜晶体管阵列板的截面图；
图8是根据本发明第三实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图；
图9是根据本发明第三实施例的包括薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器电路图；
图10是根据本发明第四实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图；
图11是根据本发明第四实施例的包括薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器电路图；以及
图12及图13是根据本发明第五及第六实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员能够实施本发明，现参照附图详细说明本发明的优选实施例。但是，本发明可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。
在附图中，为了清楚起见夸大了各层的厚度及区域。在全篇说明书中对相同元件附上相同的符号，应当理解的是当提到层、区域、和基片等元件在别的部分“之上”时，指其直接位于别的元件之上，或者也可能有别的元件介于其间。相反，当某个元件被提到“直接”位于别的部分之上时，指并无别的元件介于其间。
下面，将参照附图详细说明根据本发明实施例的液晶显示器及用于该液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构。
图1是根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板布局图，图2是根据本发明第一实施例的用于液晶显示器的共同电极面板布局图，图3是根据本发明第一实施例的液晶显示器布局图，图4是图3沿着线IV-IV′的截面图，图5是根据本发明第一实施例的液晶显示器电路图。
根据本发明实施例的液晶显示器由下部面板100和与其面对的上部面板200及包括注入在下部面板100和上部面板200之间并对面板垂直取向的液晶分子的液晶层310组成。
首先，下部面板100的薄膜晶体管阵列面板具有如下结构。
在玻璃等透明材料组成的绝缘基片110上形成氧化铟锡(ITO)或氧化锌锡(IZO)等透明导电材料组成的第一及第二像素电极190a、190b。其中，第一像素电极190a与薄膜晶体管连接且接收图像信号，第二像素电极190b与第一像素电极190a连接的耦合电极176b重叠，从而与第一像素电极190a电磁耦合(电容性耦合)。这时，薄膜晶体管分别与传送扫描信号的栅极线121和传送图像信号的数据线171连接，根据扫描信号通断向第一像素电极190a施加的图像信号。这时，第一及第二像素电极190a、190b具有折叠部191、192、193、194、195，耦合电极176b与第二像素电极190b重叠并包括多种形态的支路。而且，在绝缘基片110下面附着下部起偏光片12。在这里，当第一及第二像素电极190a、190b为反射型液晶显示器时，也可以不以透明材料组成，此时也无需下部起偏光片12。
下面，上部面板200的结构如下。
同样，在由玻璃等透明材料组成的绝缘基片210下面形成防止光泄露的黑阵220和红、绿、蓝滤色器230及ITO或IZO等透明导电材料组成的共同电极270。在这里，在共同电极270上形成折叠部271、272、273、274、275、276。黑阵220不仅在像素区域周围形成，而且也可以在与共同电极270折叠部271、272、273、274、275、276重叠的部分上形成。这是为了防止由折叠部271、272、273、274、275、276发生的光泄露。
下面将对根据本发明第一实施例的液晶显示器下部面板，即薄膜晶体管阵列面板100进行更为详细的说明。
在下部绝缘基片110上形成主要横向延伸的多条栅极线121和存储电极线131。
栅极线121的多个部分向上下扩张形成第一薄膜晶体管TFT1的栅极123a，一部分形成第二薄膜晶体管TFT2的栅极123b。栅极线121的一端125为了与外部电路连接，从而呈现宽的扩张。
各存储电极线131上连接从其延伸、布置在像素电极边缘的多重存储电极133a、133b、133c、133d。一层存储电极133a、133b、133c、133d中两个存储电极133a、133b纵向延伸，横向延伸的另外一个存储电极133c与存储电极线131一起纵向延伸，剩余存储电极133d连接相邻像素的两个存储电极133a、133b。这时，各存储电极线131布置在像素上部及下部，并可以由两个以上横线组成。
栅极线121及存储电极131、133a、133b、133c、133d由Al、Al合金、Ag、AG合金Cr、Ti、Ta、Mo等金属类制成。如图4所示，本实施例的栅极线121及存储电极布线131、133a、133b、133c、133d由单一层组成，但也可以由包括物理化学特性良好的Cr、Ti、Ta、Mo等金属层和电阻率低的Al系列或Ag系列金属层的双重层组成。此外，可以由多种金属或导电体组成栅极线121和存储电极布线131、133a、133b、133c、133d。
优选地，栅极线121和存储电极布线131、133a、133b、133c、133d的侧面是倾斜的，且对水平面的倾角为30-80°。
在栅极线121和存储电极布线131、133a、133b、133c、133d之上形成由氮化硅等组成的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成多条数据线171、第一薄膜晶体管TFT1的漏极175a及多个耦合电极176b。各数据线171主要纵向延伸，向各漏极175a分出多条支路，形成第一薄膜晶体管TFT1的源极173a，而且，在与数据线171同一层上重叠布置第二薄膜晶体管TFT2的源极173b与栅极123b，以栅极123b为中心在源极173b对面形成第二薄膜晶体管TFT2的漏极175b。耦合电极176b包括与第一薄膜晶体管TFT1漏极175a连接并在折叠部191、192之间延伸的部分和布置在像素周围与存储电极133a重叠的部分和位于像素上部及下部并向像素内部弯曲的部分。
数据线171、漏极175a、175b、源极173b及耦合电极176b也如同栅极线121由铬和铝等材料组成，可以由单一层或多重层组成。
在数据线171及漏极175a下面形成沿着数据线主要纵向延伸的数条线形半导体151。由非晶硅类组成的各线形半导体151向各栅极123a、源极173a及漏极175a伸出支路，组成薄膜晶体管通道部154a。而且，在第二薄膜晶体管TFT2上形成多个岛状半导体154b。
在半导体151和数据线171及漏极175a之间形成减少其间接触电阻的多个线形欧姆接触部件161及岛状漏极部欧姆接触部件165a。欧姆接触部件161包括位于源极173a下部的源极部欧姆接触部件163a，这些161、165a由重掺杂硅化物或n型杂质的非晶硅类组成。当然，虽未用截面图表示，但在第二薄膜晶体管TFT2的半导体154b和源极及漏极173b、175b之间也可以形成欧姆接触部件。
数据线171、漏极175a、175b、源极173b及半导体154上部形成由氮化硅等无机绝缘材料或树脂等有机绝缘材料组成的钝化层180。
在钝化层180上具有分别露出漏极175a、175b及第二薄膜晶体管TFT2源极173b的至少一部分和数据线171端部179的多个接触孔181a、181b、183、186。分别露出栅极线121端部125和存储电极线131一部分的多个接触孔182、184、185，贯通栅极绝缘层140和钝化层180。
在钝化层180上形成多个像素电极190a、190b、多个接触辅助部件95、97及多个存储电极线连接桥91。像素电极190a、190b、接触辅助部件95、97及连接桥91由像ITO或IZO等透明导电体或像铝等光反射特性优良的不透明导电体类组成。
像素电极190分成第一像素电极190a和第二像素电极190b。第一像素电极190a通过接触孔181a与漏极175a连接，第二像素电极190b通过接触孔181b与漏极175b连接的同时与漏极175a连接的耦合电极176b重叠。因此，第二像素电极190b与第一像素电极190a电磁耦合(电容性耦合)。这时，第二薄膜晶体管TFT2源极173b通过接触孔186与存储电极线连接桥91连接。
分成第一像素电极190a和第二像素电极190b的折叠部191、195被分为与栅极线121形成45度的部分和垂直的部分，成垂直的部分与存储电极133a重叠，成45度的两部分与垂直部分连接，并互相垂直。
第一像素电极190a分别具有折叠部192、193、194，与栅极线121成45度，分别在第一像素电极190a，190b内部形成。而且，第一像素电极190a的折叠部194呈从第一像素电极190a的右侧边向左侧边往里凹进的形态，入口形成较宽的形态。第一像素电极190a的折叠部193包括与栅极线121成45度的部分和从右侧向左侧凹进的部分。
第一像素电极190a和第二像素电极190b及限定它们190a、190b形态的折叠部191、192、193、194、195与栅极线121和数据线171分别交叉限定的像素电极上下二等份的线(与栅极线并排的线)实际形成镜面对称。
还有，在钝化层180上形成连接跨过栅极线121位于其两侧的两条存储电极线131的存储布线连接桥91，存储布线连接桥91通过贯通钝化层180和绝缘层140的接触孔184、185与存储电极133c和存储电极线131接触。存储布线连接桥91具有电连接下部基片110上的存储电极线131全部。这种存储电极线131必要时，可以在修理栅极线121或数据线171缺陷时使用。为了这种修理照射激光时，替代第二薄膜晶体管TFT2在它们之间可以只布置与数据线171同一层的桥部金属片，使其辅助栅极线121和存储布线连接桥91的电连接。
接触辅助部件95、97分别通过接触孔182、183与栅极线端部125和数据线端部179连接。
在与下部基片110面对的上部绝缘基片210上形成防止光泄露的黑阵220。在黑阵220上形成像素区域里顺次布置的红、绿、蓝滤色器230。在滤色器230上形成具有多个折叠部271、272、273、274、275、276的共同电极。共同电极270由ITO或IZO等透明导电体形成。
共同电极270的一层折叠部271、272、273、274、275、276，在像素电极190a、190b折叠部191、192、193、194、195中，对栅极线121成45度的部分夹在中间设置，并包括与它们并排的斜线部和与像素电极190a、190b的边重叠的端部。这时，端部被分成纵向端部和横向端部。
整列结合如上所述的薄膜晶体管阵列面板和滤色器面板，并在其间注入液晶材料且垂直取向，那么就组成了根据本发明一实施例的液晶显示器基本结构。
当整列薄膜晶体管阵列面板和滤色器面板时，共同电极270的一层折叠部271、272、273、274、275、276将像素电极190a、190b分别分成多个分区，本实施例中，如图3所示，将像素电极190a、190b分别分成8个分区。如图3所示，各分区以长条形状形成，所以可以区分宽度方向和长度方向。
以后将像素电极190a、190b各分区和与其对应的基准电极270各分区之间的液晶层300部分称为亚区。当对该亚区施加电场时，沿着位于其内部液晶分子平均长轴方向，分成8种，将它称为区域。
在这种液晶显示器中，第二像素电极190b与第一像素电极190a连接的耦合电极176b重叠，从而与第一像素电极190a电磁耦合(电容性耦合)，并与第二薄膜晶体管TFT2的漏极连接，接收基准电位。
第一薄膜晶体管TFT1栅极123a和源极173a分别与传送扫描信号的本段栅极线121和传送图像信号的数据线171连接，根据扫描信号通断向第二像素电极190b施加的图像信号。
第二薄膜晶体管TFT2的栅极123b和源极173b分别与前端栅极线121和存储电极连接桥91连接，根据向前端栅极线121施加的扫描信号，以第二像素电极190b为基准电位进行替换。
这时，第一像素电极190a通过薄膜晶体管接收图像信号，与此相反，第二像素电极190b通过与耦合电极176的电容性耦合，改变其电压，所以第二像素电极190b电压的绝对值始终比第一像素电极190a绝对值高。像这样，若在一个像素区域内布置不同电压两个像素电极，那么两个像素电极互相补偿，因此可以减少伽马曲线的歪曲。
那么参照图5说明第一像素电极190a电压保持得比第二像素电极190b低的理由。在图5中，Clca表示在第一像素电极190a和其对向基片的共同电极270之间形成的液晶容量，Csta表示在第一像素电极190a和存储布线131、133a、133b、133c之间形成的存储容量。Clcb表示在第二像素电极190b和其对向基片的共同电极270之间形成的液晶容量，Cstb表示在第二像素电极190b和存储电极线131之间形成的液晶容量，Ccpb表示在耦合电极176b和第二像素电极190b之间形成的耦合电容。
若对对向基片的共同电极270施加的共同电压或对基准电压的第一像素电极190a的电压为Va(Vd1)，并第二像素电极190b电压为Vb，根据电压分配规律，得到
Vb≈1/(C1+2C2)×[(2-C3/C2)×(C1+C2)×Vd1]
其中Vb通过调节所述的每个容量接近Va，但，可以把它始终调节为比Va大。在这里C1＝Clca+Csta，C2＝Ccpb，C3＝Clcb+Cstb，在栅极和源极之间发生的寄生电容很小，所以可以不考虑它。
这时，第一或第二薄膜晶体管TFT1、TFT2的布置或第一及第二像素电极190a、190b的连接可以是多样的。对此用下面的实施例说明。
通过调节Ccpb可以调整对Va的Vb比率。Ccpb调节可以通过调节耦合电极176b和第二像素电极190b的重叠面积和距离来实现。重叠面积通过改变耦合电极176b的宽度，可以容易调整，距离通过对耦合电极176b的形成位置进行变化来调整。即，在本发明实施例中，与数据线171相同层形成耦合电极176b，但也可以在栅极线121相同层形成，以此可以增加耦合电极176b和第二像素电极190b之间距离。
这时，接收低电压的第一像素电极190a面积比接收高电压的第二像素电极190b面积宽，优选地，不要超过6倍，优选地，对高电压的低电压的电压差比率在0.50-0.95之间。本发明的实验例中，使接收低电压的第一像素电极190a面积比接收高电压的第二像素电极190b面积形成得宽，之后测定了多种显示特性，结果表示，侧面可视度在0.22至0.35范围时良好，与未分割成第一像素电极和第二像素电极时相比，纵横比几乎未减少，而且可以确保高纵横比。在这里，侧面可视度是从1减去正面伽马曲线倾斜对侧面伽马曲线倾斜值。它若接近1，说明可视度不好，若接近0，说明可视度良好。
在本发明第一实施例中把第一像素电极190a面积设置为第二像素电极190b面积的5倍左右。
耦合电极176b的布置及结构根据像素分割件的折叠部形态或根据漏极175和第一或第二像素电极190a、190b中与哪个连接，可以有多种变形。对它的一个实施例，将用以后实施例说明。
图6是根据本发明第二实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板布局图，图7是适用图6的薄膜晶体管的液晶显示器的电路图。在根据第二实施例的液晶显示器薄膜晶体管显示板中，以栅极线121为中心面对设置第一薄膜晶体管TFT1和第三薄膜晶体管TFT3，所以数据线171具有与栅极123a重叠的这些TFT1、TFT3的源极173a、173c。而且，以栅极线121为中心面对设置第一及第三薄膜晶体管TFT1、TFT3的漏极175B、175c，通过与存储电极133b重叠的分支和两个折叠部193、194之间与它们平行延伸的分支互相连接。
第一及第二像素电极190a、190b与第一实施例不同，通过折叠部192被分离。第二像素电极190b与第一及第三薄膜晶体管TFT1、TFT3的漏极175b、175c连接的耦合电极175b、175c重叠，与第一像素电极190a电连接。这时，耦合电极175b、175c分别在折叠部191两侧和折叠部195、192之间布置。
在根据这种本发明第二实施例的液晶显示器中，耦合电极175b、175c和漏极175b、175c的分支，当与共同电极显示板整列时，与共同电极270的折叠部271、272、273、274、275、276重叠，具有遮挡泄露光的功能。
另外，在本发明第二实施例中，将像素电极分为两部分，但也可以分为其以上部分，将参照附图说明把像素电极分为三部分的结构。
图8是根据本发明第三实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图，图9是根据本发明第三实施例的适用薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器电路图。
在根据本发明第三实施例的液晶显示器薄膜晶体管中，像素电极190通过折叠部191、195、192分为第一至第三像素电极190a、190b、190c。第二薄膜晶体管TFT2的漏极175b被延长，通过接触孔180b与位于第一及第三像素电极190a、190c之间的第二像素电极190b连接。
第一及第三薄膜晶体管TFT1、TFT3的漏极175a、175c具有与第二实施例相同结构，但从漏极175a延长的耦合电极176b与存储电极133a重叠，同时从像素下部延长到上部，与位于像素上部及下部两部分的第三像素电极190c重叠。
根据这种结构的第三实施例的液晶显示器中，第一像素电极190a通过薄膜晶体管接收图像信号电压。与此相反，第二及第三像素电极190b、190c根据与耦合电极176b电容性耦合，电压有改变，第二像素电极190b的电压像第一实施例，通过第二薄膜晶体管与存储电极线131连接，绝对值始终比向第一像素电极190a传送的电压绝对值高。第三像素电极190c与第一像素电极190a只是容量性地电连接，所以第三像素电极190c电压绝对值始终比向第一像素电极190a传送的电压绝对值低。
参照图9说明，第一像素电极190a电压保持得比第三像素电极190c电压低的理由。在图9中C1cc表示在第三像素电极190c和共同电极270(参照图2及图3)之间形成的液晶容量，Csta表示在第三像素电极190c和存储电极线131之间形成的存储电容。Ccpc表示在第一像素电极190a和第三像素电极190c之间形成的耦合电容。
若对共同电极270第一像素电极190a电压为Va(Vd1)，第三像素电极190c电压为Vc，根据电压分配规律，得到
Vc＝Va×[Ccpc/(Ccpc+Clcc)]
其中Ccpc/(Ccpc+Clcc)始终比1小，所以Vc始终比Va小。
在这里通过调节Ccpc可以调整对Va的Vc比率。Ccpb调节可以通过调整耦合电极176b和第三像素电极190c重叠面积和距离来实现。
在根据本发明第三实施例的液晶显示器中，第一至第三像素电极190a、190b、190c是按1∶1.37∶0.44面积比进行分割的结构。
图10是根据本发明第四实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图，图11是根据本发明第四实施例的包括薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器电路图。
它们的大部分结构与图1及图3相同。
然而，第一像素电极190a与第一薄膜晶体管漏极175a电容性耦合，钝化层180(参照图4)不具有露出漏极175b的接触孔。
这时，在第一像素电极190a和漏极175b之间形成耦合电容Ccpa，第一像素电极190a电压绝对值始终比通过数据线由与漏极175b电容性耦合传送的像素电压Vb绝对值小。第二像素电极190b与第一实施例相同，通过第二薄膜晶体管TFT2与存储电极线131连接，绝对值始终比像素电压高。
图12及图13是根据本发明第五及第六实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板结构布局图。
图12及图13，如同本发明第二实施例，是适用第一至第三薄膜晶体管TFT1、TFT2、TFT3的结构，像素电极190用5∶1分割了第一及第二像素电极190a、190b。
这时，如图12所示，在根据本发明第五实施例的液晶显示器薄膜晶体管阵列面板中，第一像素电极190a通过接触孔181a与第一薄膜晶体管TFT1漏极175a连接。
与此不同，如图13所示，根据本发明第六实施例的液晶显示器薄膜晶体管阵列面板中，第一像素电极190a与第一薄膜晶体管TFT1的漏极175a电容性耦合。
如上所述，设置像素电极，使传送低电压的分割像素电极面积比接收高电压的分割像素电极面积宽，通过调节对高电压的低电压比率，可以很好地确保液晶显示器的侧面可视度、纵横比、透过比等特性。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (21)

1.一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板，包括：
绝缘基片；
多条第一信号线，形成于所述绝缘基片上；
多条第二信号线，与所述第一信号线绝缘交叉以限定像素区域；
像素电极，设置在每个所述第一信号线和所述第二信号线交叉限定的所述像素区域上，至少被分割为两个以上；
薄膜晶体管，三端子分别与所述第一信号线和所述第二信号线及所述像素电极中至少之一相连；
耦合电极，至少与一个分割的所述像素电极电连接的端子连接，至少与分割的另外一个所述像素电极重叠；以及
区域分割件，用于确定形成于所述绝缘基片上的液晶分子的倾斜方向。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述区域分割件是折叠部。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述耦合电极是所述薄膜晶体管三端子中从漏极延长出来的。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述像素电极通过所述折叠部分割，所述折叠部与所述第一信号线成±45度。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，还包括与所述第二信号线绝缘交叉并接收基准电位的第三信号线，
所述第一和所述第二像素电极包括通过所述耦合电极容量性耦合的第一及第二像素电极，所述薄膜晶体管包括三端子分别与所述第一信号线、所述第一像素电极、及所述第二信号线连接的第一薄膜晶体管和三端子分别与所述第一信号线、所述第二像素电极、及所述第三信号线连接的第二薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，还包括在所述第一及第二像素电极和所述第一及第二薄膜晶体管之间形成的绝缘层，所述第二像素电极和所述第二薄膜晶体管的漏极直接连接所述钝化层的第一接触孔。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一像素电极通过所述钝化层的第二接触孔与所述第一薄膜晶体管的漏极直接连接，或中间隔着钝化层与所述第一薄膜晶体管的漏极重叠。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一像素电极具有比所述第二像素电极更大的面积。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述第一像素电极具有所述第二像素电极面积的1-6倍面积。
10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述像素电极还包括通过所述第一像素电极和所述耦合电极容量性耦合的电连接的第三像素电极。
11.一种液晶显示器，包括：
根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板；
共同电极面板，具有与所述薄膜晶体管阵列面板面对，并与所述像素电极面对形成驱动液晶分子电位；
第一区域分割件，至少在所述薄膜晶体管阵列面板及所述共同电极面板中之一上形成；以及
第二区域分割件，至少在所述薄膜晶体管阵列面板及所述共同电极面板中之一上形成，并与所述第一区域分割件一起将像素区域分割成多个小区域。
12.根据权利要求11所述的液晶显示器，其特征在于，所述第一区域分割件是所述像素电极具有的折叠部，所述第二区域分割件是所述共同电极具有的折叠部。
13.一种液晶显示器，包括：
第一绝缘基片；
第一信号线，形成于所述第一绝缘基片上；
第二信号线，形成于所述第一绝缘基上并与所述第一信号线绝缘交叉以限定像素区域；
像素电极，形成于每个所述第一信号和所述第二信号线交叉限定的像素区域上，至少被分割为两个以上；
薄膜晶体管，分别与所述第一信号线、所述第二信号线、及所述像素电极电连接；
耦合电极，与至少与一个分割的所述像素电极电连接的端子连接，至少与一个分割的另外所述像素电极重叠；
第二绝缘基片，与所述第一绝缘基片面对；
共同电极，形成于所述第二绝缘基片上；
第一区域分割件，在所述第一基片及所述第二基片中至少一个上形成；以及
第二区域分割件，在所述第一基片及所述第二基片中至少一个上形成，并与所述第一区域分割件一起将所述像素区域分割成多个小区域，
其中与所述共同电极和分割的多个所述像素电极之间电压的电压差比率在0.5-0.95之内。
14.根据权利要求13所述的液晶显示器，其特征在于，所述第一或第二区域分割件是折叠部。
15.根据权利要求13所述的液晶显示器，其特征在于，所述耦合电极从所述薄膜晶体管三端子中的漏极延长出来。
16.根据权利要求13所述的液晶显示器，其特征在于，所述第一或第二区域分割件与所述第一信号线成±45度。
17.根据权利要求13所述的液晶显示器，其特征在于，还包括与所述第二信号线绝缘交叉并接收基准电位的第三信号线，
其中所述像素电极包括通过所述耦合电极电容性耦合的第一及第二像素电极，所述薄膜晶体管包括三端子分别与所述第一信号线、所述第一像素电极、及所述第二信号线连接的第一薄膜晶体管和三端子分别与所述第一信号线、所述第二像素电极及所述第三信号线连接的第二薄膜晶体管。
18.根据权利要求17所述的液晶显示器，其特征在于，还包括在所述第一及第二像素电极和所述第一及第二薄膜晶体管之间形成的绝缘层，所述第二像素电极和所述第二薄膜晶体管的漏极直接连接所述钝化层的第一接触孔。
19.根据权利要求18所述的液晶显示器，其特征在于，所述第一像素电极通过所述钝化层的第二接触孔与所述第一薄膜晶体管的漏极直接连接，或中间隔着所述钝化层与所述第一薄膜晶体管漏极重叠。
20.根据权利要求19所述的液晶显示器，其特征在于，所述第一像素电极具有比第二像素电极更大的面积。
21.根据权利要求17所述的液晶显示器，其特征在于，所述像素电极还包括通过所述第一像素电极和所述耦合电极电容性耦合的电连接的第三像素电极。
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