JP2590693B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2590693B2 JP2590693B2 JP17452993A JP17452993A JP2590693B2 JP 2590693 B2 JP2590693 B2 JP 2590693B2 JP 17452993 A JP17452993 A JP 17452993A JP 17452993 A JP17452993 A JP 17452993A JP 2590693 B2 JP2590693 B2 JP 2590693B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- pixel
- pixel electrode
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンピュータやテレビ等
に用いられる液晶表示装置に関する。
に用いられる液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、Ｘ，Ｙ電極が付いた２
枚のガラス板の間に５μｍ厚程度の液晶を挟み込み、上
記Ｘ−Ｙ電極に印加する電圧によって液晶分子の動きを
制御することにより画像表示を行なう方式であるため、
ＣＲＴに比べ非常に薄い表示装置が可能になる。
枚のガラス板の間に５μｍ厚程度の液晶を挟み込み、上
記Ｘ−Ｙ電極に印加する電圧によって液晶分子の動きを
制御することにより画像表示を行なう方式であるため、
ＣＲＴに比べ非常に薄い表示装置が可能になる。
【０００３】液晶をＸＹマトリクス駆動（時分割駆動）
する場合、例えばパーソナルコンピュータやワードプロ
セッサのように走査線の本数が多くなると、表示させた
い画素（選択画素）と表示させない画素（非選択画素）
にかかる実効電圧の差が小さくなる。このため、表示画
像のコントラストが低下する問題が生じる。このコント
ラスト低下の問題を防ぎ、高走査線（大容量）ディスプ
レイを実現する方式として薄膜トランジスタを用いたア
クティブマトリクス駆動法が研究されている。
する場合、例えばパーソナルコンピュータやワードプロ
セッサのように走査線の本数が多くなると、表示させた
い画素（選択画素）と表示させない画素（非選択画素）
にかかる実効電圧の差が小さくなる。このため、表示画
像のコントラストが低下する問題が生じる。このコント
ラスト低下の問題を防ぎ、高走査線（大容量）ディスプ
レイを実現する方式として薄膜トランジスタを用いたア
クティブマトリクス駆動法が研究されている。
【０００４】薄膜トランジスタを液晶表示装置に応用す
る場合、歩留まり良くかつ低コストに薄膜トランジスタ
アレイを形成する必要がある。一方大画面の表示装置や
車載用表示装置等へ応用する場合には特にあらゆる視野
から見て、視角依存性の無い表示装置の出現が望まれて
いる。しかし、液晶表示装置の場合には図１１に示され
るような固有の視角依存性がある。特に、上下方向の視
角特性がせまく、階調反転が起こらずコントラスト５：
１以上が確保できる視角範囲は３０度しかなく、液晶表
示装置の応用拡大を妨げている原因になっていた。した
がって、歩留まりよく、低コストで視角依存性の少ない
表示装置の出現が望まれている。
る場合、歩留まり良くかつ低コストに薄膜トランジスタ
アレイを形成する必要がある。一方大画面の表示装置や
車載用表示装置等へ応用する場合には特にあらゆる視野
から見て、視角依存性の無い表示装置の出現が望まれて
いる。しかし、液晶表示装置の場合には図１１に示され
るような固有の視角依存性がある。特に、上下方向の視
角特性がせまく、階調反転が起こらずコントラスト５：
１以上が確保できる視角範囲は３０度しかなく、液晶表
示装置の応用拡大を妨げている原因になっていた。した
がって、歩留まりよく、低コストで視角依存性の少ない
表示装置の出現が望まれている。
【０００５】視角依存性を改良する方法として、画素を
２から３分割し、それぞれの領域の液晶に異なる電圧を
印加する方法が提案された（例えば スナタ等 インタ
ーナショナル ディスプレイ リサーチ コンファレン
ス ２２５ページ １９９１年、Ｔ．Ｓｕｎａｔａ ｅ
ｔ ａｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａ
ｙ Ｒｅｓｅｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｐ２５５
１９９１あるいは特開平２−３１０５３４号公報、特
開平４−３６６８１３号公報、特開平２−１２号公報、
特開平３−１２２６２１号公報参照）。この方法は図１
２にその方法を示す表示装置の素子平面図を示すよう
に、ガラス基板等絶縁性基板上に走査電極１３１と信号
電極１３２をマトリクス状に設置し、その交点に走査電
極、信号電極と第１の画素電極１３４に接続されたゲー
ト電極、ソース・ドレイン電極を有する薄膜トランジス
タが設置されたアクティブマトリクス液晶表示装置にお
いて該第１の画素電極１３４と容量接続された第２の画
素電極１３５を有するＴＦＴアレイ基板を形成し、それ
ぞれの画素電極に印加される電圧の大きさを変えること
によりそれぞれの画素電極に対応する領域の液晶に印加
される電圧の大きさを変える。これにより第１の画素電
極上の領域の液晶では中間調表示の電圧が印加され、第
２の画素電極上の液晶では閾値電圧以下の電圧が印加さ
れるように信号電圧と接続容量を設定することができ
る。この時、液晶素子の動作として、閾値電圧以下の印
加電圧を与えられた液晶素子の視角特性は比較的良好な
ため、第１の画素電極と第２の画素電極上の領域の液晶
はそれぞれの領域の液晶に印加された電圧に対応した視
角特性が得られ、全体としてはそれぞれを重ね合わせた
特性を示す。このため、結果として中間調表示でも視角
特性の比較的良好な表示素子が得られる。
２から３分割し、それぞれの領域の液晶に異なる電圧を
印加する方法が提案された（例えば スナタ等 インタ
ーナショナル ディスプレイ リサーチ コンファレン
ス ２２５ページ １９９１年、Ｔ．Ｓｕｎａｔａ ｅ
ｔ ａｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａ
ｙ Ｒｅｓｅｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｐ２５５
１９９１あるいは特開平２−３１０５３４号公報、特
開平４−３６６８１３号公報、特開平２−１２号公報、
特開平３−１２２６２１号公報参照）。この方法は図１
２にその方法を示す表示装置の素子平面図を示すよう
に、ガラス基板等絶縁性基板上に走査電極１３１と信号
電極１３２をマトリクス状に設置し、その交点に走査電
極、信号電極と第１の画素電極１３４に接続されたゲー
ト電極、ソース・ドレイン電極を有する薄膜トランジス
タが設置されたアクティブマトリクス液晶表示装置にお
いて該第１の画素電極１３４と容量接続された第２の画
素電極１３５を有するＴＦＴアレイ基板を形成し、それ
ぞれの画素電極に印加される電圧の大きさを変えること
によりそれぞれの画素電極に対応する領域の液晶に印加
される電圧の大きさを変える。これにより第１の画素電
極上の領域の液晶では中間調表示の電圧が印加され、第
２の画素電極上の液晶では閾値電圧以下の電圧が印加さ
れるように信号電圧と接続容量を設定することができ
る。この時、液晶素子の動作として、閾値電圧以下の印
加電圧を与えられた液晶素子の視角特性は比較的良好な
ため、第１の画素電極と第２の画素電極上の領域の液晶
はそれぞれの領域の液晶に印加された電圧に対応した視
角特性が得られ、全体としてはそれぞれを重ね合わせた
特性を示す。このため、結果として中間調表示でも視角
特性の比較的良好な表示素子が得られる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１２の画素
電極構造を形成するためには、ＴＦＴに接続された第１
の画素電極１３４を形成したのち接続容量用絶縁膜を形
成し、その後第２の画素電極１３５を形成する必要があ
り、絶縁膜形成と第２の画素電極形成に必要なプロセス
の増加につながり、液晶表示装置における最も重要な歩
留まりの低下、コストの増大を引き起こしてしまう。
電極構造を形成するためには、ＴＦＴに接続された第１
の画素電極１３４を形成したのち接続容量用絶縁膜を形
成し、その後第２の画素電極１３５を形成する必要があ
り、絶縁膜形成と第２の画素電極形成に必要なプロセス
の増加につながり、液晶表示装置における最も重要な歩
留まりの低下、コストの増大を引き起こしてしまう。
【０００７】一方、画素電極上に液晶の配向方向を分割
し、特に上下方向の視角異方性を平均化し、階調反転が
起こらない方法が提案された。（例えば 高取等 ジャ
パンディスプレイ ５９１ページ １９９２年 Ｋ．Ｔ
ａｋａｔｏｒｉ ｅｔ ａｌＪａｐａｎ ｄｉｓｐｌａ
ｙ ｐ５９１ １９９２あるいは特開昭６３−１０６６
２４号公報、特開平１−８８５２０号公報、特開平１−
２４５２２３号公報参照）しかし、この場合には図１３
に示されるように階調反転が起こらないものの、視角を
大きくしたときの黒状態における輝度が上がってしま
い、コントラストが低下する現象が起きる。このためコ
ントラストが５：１以上に確保できる視角範囲は６０度
以下に制限される。
し、特に上下方向の視角異方性を平均化し、階調反転が
起こらない方法が提案された。（例えば 高取等 ジャ
パンディスプレイ ５９１ページ １９９２年 Ｋ．Ｔ
ａｋａｔｏｒｉ ｅｔ ａｌＪａｐａｎ ｄｉｓｐｌａ
ｙ ｐ５９１ １９９２あるいは特開昭６３−１０６６
２４号公報、特開平１−８８５２０号公報、特開平１−
２４５２２３号公報参照）しかし、この場合には図１３
に示されるように階調反転が起こらないものの、視角を
大きくしたときの黒状態における輝度が上がってしま
い、コントラストが低下する現象が起きる。このためコ
ントラストが５：１以上に確保できる視角範囲は６０度
以下に制限される。
【０００８】本発明は、かかる視角範囲を向上し、且つ
簡単な構造でプロセスの少ない液晶表示装置を提供する
事にある。
簡単な構造でプロセスの少ない液晶表示装置を提供する
事にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の画素電
極と第２の画素電極とを容量接続するにあたって、薄膜
トランジスタのゲート電極または走査電極または蓄積容
量電極と同層に接続容量電極を形成し、この接続容量電
極により、第１の画素電極と第２の画素電極とも容量接
続することを特徴とする。さらに、各画素電極上に配向
方向の異なる２つ以上の液晶配向領域を設けることを特
徴とする。
極と第２の画素電極とを容量接続するにあたって、薄膜
トランジスタのゲート電極または走査電極または蓄積容
量電極と同層に接続容量電極を形成し、この接続容量電
極により、第１の画素電極と第２の画素電極とも容量接
続することを特徴とする。さらに、各画素電極上に配向
方向の異なる２つ以上の液晶配向領域を設けることを特
徴とする。
【００１０】また、複数の接続容量電極により複数の画
素電極を容量的に接続することができる。
素電極を容量的に接続することができる。
【００１１】すなわち、透明絶縁性基板上に走査電極と
信号電極とをマトリクス状に設置し、走査電極と信号電
極との交点に薄膜トランジスタが設置され、この薄膜ト
ランジスタを介して信号電極と接続された第１の画素電
極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
極と前記対向電極とに挟持された液晶層とを有する液晶
表示装置において、前記薄膜トランジスタのゲート電極
または前記走査電極または蓄積容量電極と同層に形成さ
れた接続容量電極と、この接続容量電極により前記第１
の画素電極と容量接続された少なくとも１つの画素電極
とを有し、前記各画素電極上に配向方向の異なる２つ以
上の液晶配向領域を有することを特徴とする液晶表示装
置である。
信号電極とをマトリクス状に設置し、走査電極と信号電
極との交点に薄膜トランジスタが設置され、この薄膜ト
ランジスタを介して信号電極と接続された第１の画素電
極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
極と前記対向電極とに挟持された液晶層とを有する液晶
表示装置において、前記薄膜トランジスタのゲート電極
または前記走査電極または蓄積容量電極と同層に形成さ
れた接続容量電極と、この接続容量電極により前記第１
の画素電極と容量接続された少なくとも１つの画素電極
とを有し、前記各画素電極上に配向方向の異なる２つ以
上の液晶配向領域を有することを特徴とする液晶表示装
置である。
【００１２】または、第２の画素電極を、薄膜トランジ
スタのゲート電極または走査電極または蓄積容量電極と
同層に形成し、なおかつ、第１の画素電極と容量接続す
るように形成することを特徴とする。
スタのゲート電極または走査電極または蓄積容量電極と
同層に形成し、なおかつ、第１の画素電極と容量接続す
るように形成することを特徴とする。
【００１３】すなわち、透明絶縁性基板上に走査電極と
信号電極とをマトリクス状に設置し、走査電極と信号電
極との交点に薄膜トランジスタが設置され、この薄膜ト
ランジスタを介して信号電極と接続された第１の画素電
極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
極と前記対向電極とに挟持された液晶層とを有する液晶
表示装置において、前記薄膜トランジスタのゲート電極
または前記走査電極または蓄積容量電極と同層に形成さ
れ、かつ、前記第１の画素電極と容量接続された少なく
とも１つの画素電極を有し、前記各画素電極上に配向方
向の異なる２つ以上の液晶配向領域を有することを特徴
とする液晶表示装置である。
信号電極とをマトリクス状に設置し、走査電極と信号電
極との交点に薄膜トランジスタが設置され、この薄膜ト
ランジスタを介して信号電極と接続された第１の画素電
極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
極と前記対向電極とに挟持された液晶層とを有する液晶
表示装置において、前記薄膜トランジスタのゲート電極
または前記走査電極または蓄積容量電極と同層に形成さ
れ、かつ、前記第１の画素電極と容量接続された少なく
とも１つの画素電極を有し、前記各画素電極上に配向方
向の異なる２つ以上の液晶配向領域を有することを特徴
とする液晶表示装置である。
【００１４】透明絶縁基板としては、ガラス基板等を用
いることができる。
いることができる。
【００１５】走査電極、信号電極、ゲート電極、蓄積容
量電極接続容量電極等には、Ｃｒ，Ｔａ，Ａｌ，ＴａＮ
等の金属や合金、積層膜が知られている。
量電極接続容量電極等には、Ｃｒ，Ｔａ，Ａｌ，ＴａＮ
等の金属や合金、積層膜が知られている。
【００１６】画素電極としては、ＩＴＯ等の透明導電膜
が知られている。
が知られている。
【００１７】薄膜トランジスタとしては、チャネルエッ
チ型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタやチャネル保護膜型非
晶質Ｓｉ薄膜トランジスタ、あるいは他の材料のトラン
ジスタでもかまわない。
チ型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタやチャネル保護膜型非
晶質Ｓｉ薄膜トランジスタ、あるいは他の材料のトラン
ジスタでもかまわない。
【００１８】
【作用】本発明では、第１の画素電極と第２の画素電極
とを容量接続するにあたって、薄膜トランジスタのゲー
ト電極または走査電極または蓄積容量電極と同層に接続
容量電極を形成し、この接続容量電極により、第１の画
素電極と第２の画素電極とを容量接続している。また
は、第２の画素電極を、薄膜トランジスタのゲート電極
または走査電極または蓄積容量電極と同層に形成し、な
おかつ、第１の画素電極と容量接続するように形成して
いる。このため第２の電極を形成するために、プロセス
を増加する必要がなく、歩留まりの向上、製造コストの
低下に効果がある。
とを容量接続するにあたって、薄膜トランジスタのゲー
ト電極または走査電極または蓄積容量電極と同層に接続
容量電極を形成し、この接続容量電極により、第１の画
素電極と第２の画素電極とを容量接続している。また
は、第２の画素電極を、薄膜トランジスタのゲート電極
または走査電極または蓄積容量電極と同層に形成し、な
おかつ、第１の画素電極と容量接続するように形成して
いる。このため第２の電極を形成するために、プロセス
を増加する必要がなく、歩留まりの向上、製造コストの
低下に効果がある。
【００１９】さらに、図５に実施例が示されているが、
それぞれの画素電極上には配向方向の異なる液晶配向領
域２１０、２１１があるため異なる画素電極電位で駆動
していたときに問題になっていた図２に示されるような
視野角の高いときに起こる階調反転が起こらない。ま
た、画素内で配向方向の異なる液晶表示領域だけを有す
る図１３に示されているような視角を増加したときに起
こるコントラストの低下が発生しない。この結果、図６
に示されるような上下方向の視角特性が大幅に改善さ
れ、上下、左右ともに視角特性の良い液晶表示装置が提
供される。
それぞれの画素電極上には配向方向の異なる液晶配向領
域２１０、２１１があるため異なる画素電極電位で駆動
していたときに問題になっていた図２に示されるような
視野角の高いときに起こる階調反転が起こらない。ま
た、画素内で配向方向の異なる液晶表示領域だけを有す
る図１３に示されているような視角を増加したときに起
こるコントラストの低下が発生しない。この結果、図６
に示されるような上下方向の視角特性が大幅に改善さ
れ、上下、左右ともに視角特性の良い液晶表示装置が提
供される。
【００２０】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図１は第１の発明の第１の実施例を示す液晶
表示装置のＴＦＴアレイ基板の（ａ）平面図と（ｂ）Ａ
−Ａ′断面図である。
説明する。図１は第１の発明の第１の実施例を示す液晶
表示装置のＴＦＴアレイ基板の（ａ）平面図と（ｂ）Ａ
−Ａ′断面図である。
【００２１】まず透明ガラス基板１０上に例えばＣｒを
１５００Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、ゲート電
極１１と接続容量電極１５、蓄積容量電極１７を島状に
形成する。また、蓄積容量電極を用いない場合も考えら
れるがこの場合においても本発明の有効性は損なわな
い。続いてゲート絶縁膜１８を５００Ａ、非晶質Ｓｉ膜
１９を３０００ＡをプラズマＣＶＤ法で形成する。非晶
質Ｓｉ膜を島状に形成し、続いて透明電極である酸化イ
ンジウム錫を５００Ａスパッタ成膜して第１の画素電極
１４と第２の画素電極１６を同時に島状に形成する。こ
の時、第１の画素電極と第２の画素電極面積は液晶の表
示モードにより異なる。ノーマリブラックモードでは第
１の画素電極を第２の画素電極に対し同等から２倍程度
大きく設定し、ノーマリホワイトモードではほぼ同等か
ら半分程度小さく設定した。続いてＣｒを１５００Ａス
パッタ成膜して信号電極、ソース電極１２とドレイン電
極１３を島状に形成する。非晶質Ｓｉのオーミック層を
部分的にエッチングして薄膜トランジスタを完成させ、
最後に保護膜である窒化Ｓｉを２０００Ａ形成してＴＦ
Ｔアレイ基板を完成させる。この後、配向処理を行っ
た。 図５に液晶の配向状態の異なる領域２１０、２１１
を形成した（ａ）平面図と（ｂ）Ａ−Ａ′断面図を示
す。 配向処理は、図７の７１の方向にガラス基板全体に
配向処理を行い、続いて７３の領域にレジストを被覆
し、さらにガラス基板全体を７２の方向に配向処理を行
なう。その後、レジストを剥離すると７３の領域には７
１の方向に配向処理がなされ、７４の領域には７２の方
向の配向処理がなされる。この時液晶注入後の液晶のプ
レティルト角が３度以上になるように配向膜を選択し
た。 一方カラーフィルタ基板の配向処理には７２の方向
と９０度直行するように配向処理を施した。この時の液
晶のプレティルト角は１度程度になるように配向膜を選
択した。また、カラーフィルタ基板の配向処理におい
て、ＴＦＴの設置された基板の配向処理と同様に、画素
に対応する部分を２つの領域に分け、それぞれ７１の方
向、７２の方向と９０度ねじれた方向に配向処理をする
ことも可能である。 次に、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ
基板を張り合わせ、液晶を注入、封止した後、硝子基板
を切断、駆動回路、バックライトを接続し液晶表示装置
を完成させた。 得られた液晶表示装置の視角特性を図６
に示すが、図２や、従来特性である図１３に示された液
晶表示装置の視角特性に比べて中間調表示領域の視角特
性が大幅に改善されていることがわかる。
１５００Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、ゲート電
極１１と接続容量電極１５、蓄積容量電極１７を島状に
形成する。また、蓄積容量電極を用いない場合も考えら
れるがこの場合においても本発明の有効性は損なわな
い。続いてゲート絶縁膜１８を５００Ａ、非晶質Ｓｉ膜
１９を３０００ＡをプラズマＣＶＤ法で形成する。非晶
質Ｓｉ膜を島状に形成し、続いて透明電極である酸化イ
ンジウム錫を５００Ａスパッタ成膜して第１の画素電極
１４と第２の画素電極１６を同時に島状に形成する。こ
の時、第１の画素電極と第２の画素電極面積は液晶の表
示モードにより異なる。ノーマリブラックモードでは第
１の画素電極を第２の画素電極に対し同等から２倍程度
大きく設定し、ノーマリホワイトモードではほぼ同等か
ら半分程度小さく設定した。続いてＣｒを１５００Ａス
パッタ成膜して信号電極、ソース電極１２とドレイン電
極１３を島状に形成する。非晶質Ｓｉのオーミック層を
部分的にエッチングして薄膜トランジスタを完成させ、
最後に保護膜である窒化Ｓｉを２０００Ａ形成してＴＦ
Ｔアレイ基板を完成させる。この後、配向処理を行っ
た。 図５に液晶の配向状態の異なる領域２１０、２１１
を形成した（ａ）平面図と（ｂ）Ａ−Ａ′断面図を示
す。 配向処理は、図７の７１の方向にガラス基板全体に
配向処理を行い、続いて７３の領域にレジストを被覆
し、さらにガラス基板全体を７２の方向に配向処理を行
なう。その後、レジストを剥離すると７３の領域には７
１の方向に配向処理がなされ、７４の領域には７２の方
向の配向処理がなされる。この時液晶注入後の液晶のプ
レティルト角が３度以上になるように配向膜を選択し
た。 一方カラーフィルタ基板の配向処理には７２の方向
と９０度直行するように配向処理を施した。この時の液
晶のプレティルト角は１度程度になるように配向膜を選
択した。また、カラーフィルタ基板の配向処理におい
て、ＴＦＴの設置された基板の配向処理と同様に、画素
に対応する部分を２つの領域に分け、それぞれ７１の方
向、７２の方向と９０度ねじれた方向に配向処理をする
ことも可能である。 次に、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ
基板を張り合わせ、液晶を注入、封止した後、硝子基板
を切断、駆動回路、バックライトを接続し液晶表示装置
を完成させた。 得られた液晶表示装置の視角特性を図６
に示すが、図２や、従来特性である図１３に示された液
晶表示装置の視角特性に比べて中間調表示領域の視角特
性が大幅に改善されていることがわかる。
【００２２】図３は本発明の第２の実施例を液晶表示装
置におけるＴＦＴアレイの（ａ）平面図と（ｂ）Ａ−
Ａ′断面図を示す。この場合には走査電極３１にＣｒと
酸化インジウム錫透明電極の積層膜を用い、容量接続電
極３５には走査電極の１部に用いられた透明電極を用い
た。この場合においても走査電極やゲート電極を形成す
るプロセスと容量接続電極を形成するプロセスが同時に
行われるため、基本プロセスは従来構造と同等のまま視
角特性を改善することができる。また、図示していない
が、図５と同様に各画素電極上に配向方向の異なる２つ
以上の液晶配向領域を形成する。
置におけるＴＦＴアレイの（ａ）平面図と（ｂ）Ａ−
Ａ′断面図を示す。この場合には走査電極３１にＣｒと
酸化インジウム錫透明電極の積層膜を用い、容量接続電
極３５には走査電極の１部に用いられた透明電極を用い
た。この場合においても走査電極やゲート電極を形成す
るプロセスと容量接続電極を形成するプロセスが同時に
行われるため、基本プロセスは従来構造と同等のまま視
角特性を改善することができる。また、図示していない
が、図５と同様に各画素電極上に配向方向の異なる２つ
以上の液晶配向領域を形成する。
【００２３】図４は本第１の発明の第３の実施例を示す
液晶表示装置のＴＦＴアレイの（ａ）平面図と（ｂ）Ａ
−Ａ′断面図である。まず透明ガラス基板４０上に例え
ばＴａを２０００Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、
ゲート電極４１と接続容量電極４５を島状に形成する。
続いてゲート絶縁膜４８を５０００Ａ、非晶質Ｓｉ膜４
９を３０００ＡをプラズマＣＶＤ法で形成する。非晶質
Ｓｉ膜を島状に形成し、続いて透明電極である酸化イン
ジウム錫を５００Ａスパッタ成膜して第１の画素電極と
第２の画素電極及び第３の画素電極を同時に島状に形成
する。この時、第１から第３の画素電極はそれぞれ接続
容量電極に空間的に重なるように接続容量電極と第１か
ら第３の画素電極を設計する。
液晶表示装置のＴＦＴアレイの（ａ）平面図と（ｂ）Ａ
−Ａ′断面図である。まず透明ガラス基板４０上に例え
ばＴａを２０００Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、
ゲート電極４１と接続容量電極４５を島状に形成する。
続いてゲート絶縁膜４８を５０００Ａ、非晶質Ｓｉ膜４
９を３０００ＡをプラズマＣＶＤ法で形成する。非晶質
Ｓｉ膜を島状に形成し、続いて透明電極である酸化イン
ジウム錫を５００Ａスパッタ成膜して第１の画素電極と
第２の画素電極及び第３の画素電極を同時に島状に形成
する。この時、第１から第３の画素電極はそれぞれ接続
容量電極に空間的に重なるように接続容量電極と第１か
ら第３の画素電極を設計する。
【００２４】さらに第１から第３の画素電極を前段の走
査電極に空間的に重なるように第１から第３の画素電極
を設計することにより液晶表示動作の安定性を向上させ
る。この時走査電極への重なりは全ての画素電極が重な
らなくとも良い。また、第１の画素電極と第２の画素電
極面積は液晶の表示モードにより異なる。続いてＣｒを
１５００Ａスパッタ成膜して信号電極、ソース電極４２
とドレイン電極４３を島状に形成する。非晶質Ｓｉ中の
オーミック層を部分的にエッチングして薄膜トランジス
タを完成させ、最後に保護膜である窒化Ｓｉを２０００
Ａ形成してＴＦＴアレイ基板を完成させる。本実施例で
はチャネルエッチ型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタで形成
したが、チャネル保護膜型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタ
等のトランジスタ構造、他材料のトランジスタでも本発
明は有効である。この後、図７に示すのと同等の配向処
理を行い、カラーフィルタ基板を張り合わせ、液晶を注
入、封止した後、硝子基板を切断、駆動回路、バックラ
イトを接続し液晶表示装置を完成させた。
査電極に空間的に重なるように第１から第３の画素電極
を設計することにより液晶表示動作の安定性を向上させ
る。この時走査電極への重なりは全ての画素電極が重な
らなくとも良い。また、第１の画素電極と第２の画素電
極面積は液晶の表示モードにより異なる。続いてＣｒを
１５００Ａスパッタ成膜して信号電極、ソース電極４２
とドレイン電極４３を島状に形成する。非晶質Ｓｉ中の
オーミック層を部分的にエッチングして薄膜トランジス
タを完成させ、最後に保護膜である窒化Ｓｉを２０００
Ａ形成してＴＦＴアレイ基板を完成させる。本実施例で
はチャネルエッチ型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタで形成
したが、チャネル保護膜型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタ
等のトランジスタ構造、他材料のトランジスタでも本発
明は有効である。この後、図７に示すのと同等の配向処
理を行い、カラーフィルタ基板を張り合わせ、液晶を注
入、封止した後、硝子基板を切断、駆動回路、バックラ
イトを接続し液晶表示装置を完成させた。
【００２５】 図８は本第２の発明の第１の実施例におけ
る液晶表示装置のＴＦＴアレイの（ａ）平面図と（ｂ）
断面図を示す。まず透明ガラス基板９０上に例えばＣｒ
を１０００Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、ゲート
電極９１と続いて酸化インジウム錫を５００Ａスパッタ
成膜し、接続容量電極兼第２の画素電極９６を島状に形
成する。この時の金属電極はＣｒの他にＡｌ，ＴａＮ，
等の金属や合金、積層膜が知られているがいずれの場合
でも本発明は有効である。また、接続容量電極の一部に
金属膜を使用したり、走査電極やゲート電極に透明電極
を積層しても本発明は有効である。続いてゲート絶縁膜
９８を４０００Ａ、非晶質Ｓｉ膜９９を３０００Ａをプ
ラズマＣＶＤ法で形成する。非晶質Ｓｉ膜を島状に形成
し、続いて透明電極である酸化インジウム錫を５００Ａ
スパッタ成膜して第１の画素電極を島状に形成する。こ
の時、第１と第３の画素電極は空間的に重なるように画
素電極を設計する。
る液晶表示装置のＴＦＴアレイの（ａ）平面図と（ｂ）
断面図を示す。まず透明ガラス基板９０上に例えばＣｒ
を１０００Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、ゲート
電極９１と続いて酸化インジウム錫を５００Ａスパッタ
成膜し、接続容量電極兼第２の画素電極９６を島状に形
成する。この時の金属電極はＣｒの他にＡｌ，ＴａＮ，
等の金属や合金、積層膜が知られているがいずれの場合
でも本発明は有効である。また、接続容量電極の一部に
金属膜を使用したり、走査電極やゲート電極に透明電極
を積層しても本発明は有効である。続いてゲート絶縁膜
９８を４０００Ａ、非晶質Ｓｉ膜９９を３０００Ａをプ
ラズマＣＶＤ法で形成する。非晶質Ｓｉ膜を島状に形成
し、続いて透明電極である酸化インジウム錫を５００Ａ
スパッタ成膜して第１の画素電極を島状に形成する。こ
の時、第１と第３の画素電極は空間的に重なるように画
素電極を設計する。
【００２６】 さらに第１と第２の画素電極を前段の走査
電極に空間的に重なるように第１、第２の画素電極を設
計すことにより液晶表示動作の安定性を向上させること
もできる。この時走査電極への重なりは全ての画素電極
が重ならなくとも良い。また、第１の画素電極と第２の
画素電極面積は液晶の表示モードにより異なる。続いて
Ｃｒを１５００Ａスパッタ成膜して信号電極、ソース電
極９２とドレイン電極９３を島状に形成する。非晶質Ｓ
ｉ中のオーミック層を部分的にエッチングして薄膜トラ
ンジスタを完成させ、最後に保護膜である窒化Ｓｉを２
０００Ａ形成してＴＦＴアレイ基板を完成させる。
電極に空間的に重なるように第１、第２の画素電極を設
計すことにより液晶表示動作の安定性を向上させること
もできる。この時走査電極への重なりは全ての画素電極
が重ならなくとも良い。また、第１の画素電極と第２の
画素電極面積は液晶の表示モードにより異なる。続いて
Ｃｒを１５００Ａスパッタ成膜して信号電極、ソース電
極９２とドレイン電極９３を島状に形成する。非晶質Ｓ
ｉ中のオーミック層を部分的にエッチングして薄膜トラ
ンジスタを完成させ、最後に保護膜である窒化Ｓｉを２
０００Ａ形成してＴＦＴアレイ基板を完成させる。
【００２７】 図９は本第２の発明の第１の実施例におけ
るＴＦＴ構造の画素電極１０４、１０６に配向方向の異
なる領域１０１０、１０１１を形成した液晶表示装置の
（ａ）平面図と（ｂ）断面図を示す。この場合にも安定
して視角特性の大幅な改善が見られた。
るＴＦＴ構造の画素電極１０４、１０６に配向方向の異
なる領域１０１０、１０１１を形成した液晶表示装置の
（ａ）平面図と（ｂ）断面図を示す。この場合にも安定
して視角特性の大幅な改善が見られた。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、図１０で示される従来の液晶表示装置で使用されて
いる薄膜トランジスタアレイ構造に比べ、走査電極やゲ
ート電極、蓄積容量電極と接続容量電極を同時に形成で
きる。さらに、それぞれの画素電極上には配向方向の異
なる液晶配向領域があるため、異なる画素電極電位で駆
動したときの液晶表示装置の視角特性で問題になってい
た図２で示されるような階調反転が起こらない。また、
画素内で配向方向の異なる液晶表示領域だけを有する図
１３で示されるような従来の配向分割型の液晶表示素子
の視角を増加したときに起こっていたコントラストの低
下が起こらない。この結果、図６で示されるように、上
下方向で視角特性は従来の画素分割型液晶表示装置の階
調反転が起こらないでコントラスト５：１以上の視角範
囲が５５度であり、また、図１１に示された従来の配向
分割型液晶表示装置の視角範囲を６０度にくらべて、図
６に本発明の視角特性が示されているように視角範囲が
８０度以上と大幅な改善をすることができ、低コスト
で、安定で視角特性のよい本発明の効果は顕著である。
は、図１０で示される従来の液晶表示装置で使用されて
いる薄膜トランジスタアレイ構造に比べ、走査電極やゲ
ート電極、蓄積容量電極と接続容量電極を同時に形成で
きる。さらに、それぞれの画素電極上には配向方向の異
なる液晶配向領域があるため、異なる画素電極電位で駆
動したときの液晶表示装置の視角特性で問題になってい
た図２で示されるような階調反転が起こらない。また、
画素内で配向方向の異なる液晶表示領域だけを有する図
１３で示されるような従来の配向分割型の液晶表示素子
の視角を増加したときに起こっていたコントラストの低
下が起こらない。この結果、図６で示されるように、上
下方向で視角特性は従来の画素分割型液晶表示装置の階
調反転が起こらないでコントラスト５：１以上の視角範
囲が５５度であり、また、図１１に示された従来の配向
分割型液晶表示装置の視角範囲を６０度にくらべて、図
６に本発明の視角特性が示されているように視角範囲が
８０度以上と大幅な改善をすることができ、低コスト
で、安定で視角特性のよい本発明の効果は顕著である。
【図１】第１の発明の第１の実施例を示す液晶表示装置
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。
【図２】従来の容量分割型液晶表示装置の８階調表示に
おける視角特性を示す。
おける視角特性を示す。
【図３】第１の発明の第２の実施例を示す液晶表示装置
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。
【図４】第１の発明の第３の実施例を示す液晶表示装置
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。
【図５】本発明の第１の実施例のＴＦＴ構造に液晶の配
向状態の異なる領域を画素電極上に形成した実施例の平
面図と断面図を示す。
向状態の異なる領域を画素電極上に形成した実施例の平
面図と断面図を示す。
【図６】本発明の液晶表示装置の８階調表示における視
角特性を示す。
角特性を示す。
【図７】第１の発明の第１の実施例の配向方向を示す図
である。
である。
【図８】第２の発明の第１の実施例を示す液晶表示装置
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。
【図９】第２の発明の第１の実施例の配向方向を示す図
である。
である。
【図１０】 従来の液晶表示装置の薄膜トランジスタアレ
イの平面図と断面図を示す。
イの平面図と断面図を示す。
【図１１】 従来の液晶表示装置の視角特性を示す。
【図１２】 視角特性を改善した液晶表示装置の薄膜トラ
ンジスタアレイの平面図を示す。
ンジスタアレイの平面図を示す。
【図１３】 配向方向を分割したのみの液晶表示装置の上
下方向の８階調表示における視角特性を示す。
下方向の８階調表示における視角特性を示す。
１０，３０，４０，７０，９０，１００，１１０ ガラ
ス基板 １１，３１，４１，９１，１０１，１１１ 走査電極ま
たはゲート電極 １２，１３，３２，３３，４２，４３，９２，９３，１
０２，１０３，１１２， １１３ ソース電極またはドレイン電極または信号電極 １４，３４，４４，７７，９４，１０４，１１４，１３
４ 第１の画素電極 １５，３５，４５，７１０ 接続容量電極 １６，３６，４６，７８，９６，１０６，１３５ 第２
の画素電極 １７，７９ 蓄積容量電極 １８，３８，４８，９８，１０８，１１８ ゲート絶縁
膜 １９，３９，４９，９９，１０９，１１９ 半導体膜４００ 第３の画素電極 ７３，７４，２１０，２１１，１０１０，１０１１ 液
晶配向領域 ７１，７２，３１１ 液晶配向処理方向 ７５ カラーフィルタ基板 ７６ 配向膜
ス基板 １１，３１，４１，９１，１０１，１１１ 走査電極ま
たはゲート電極 １２，１３，３２，３３，４２，４３，９２，９３，１
０２，１０３，１１２， １１３ ソース電極またはドレイン電極または信号電極 １４，３４，４４，７７，９４，１０４，１１４，１３
４ 第１の画素電極 １５，３５，４５，７１０ 接続容量電極 １６，３６，４６，７８，９６，１０６，１３５ 第２
の画素電極 １７，７９ 蓄積容量電極 １８，３８，４８，９８，１０８，１１８ ゲート絶縁
膜 １９，３９，４９，９９，１０９，１１９ 半導体膜４００ 第３の画素電極 ７３，７４，２１０，２１１，１０１０，１０１１ 液
晶配向領域 ７１，７２，３１１ 液晶配向処理方向 ７５ カラーフィルタ基板 ７６ 配向膜
Claims (2)
- 【請求項１】 透明絶縁性基板上に走査電極と信号電極
とをマトリクス状に設置し、走査電極と信号電極との交
点に薄膜トランジスタが設置され、この薄膜トランジス
タを介して信号電極と接続された第１の画素電極と、こ
の画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記
対向電極とに挟持された液晶層とを有する液晶表示装置
において、前記薄膜トランジスタのゲート電極または前
記走査電極または蓄積容量電極と同層に形成された接続
容量電極と、この接続容量電極により前記第１の画素電
極と容量接続された少なくとも１つの画素電極とを有
し、前記各画素電極上に配向方向の異なる２つ以上の液
晶配向領域を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 透明絶縁性基板上に走査電極と信号電極
とをマトリクス状に設置し、走査電極と信号電極との交
点に薄膜トランジスタが設置され、この薄膜トランジス
タを介して信号電極と接続された第１の画素電極と、こ
の画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記
対向電極とに挟持された液晶層とを有する液晶表示装置
において、前記薄膜トランジスタのゲート電極または前
記走査電極または蓄積容量電極と同層に形成され、か
つ、前記第１の画素電極と容量接続された少なくとも１
つの画素電極を有し、前記各画素電極上に配向方向の異
なる２つ以上の液晶配向領域を有することを特徴とする
液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17452993A JP2590693B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 液晶表示装置 |
| US08/696,100 US5777700A (en) | 1993-07-14 | 1996-08-14 | Liquid crystal display with improved viewing angle dependence |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17452993A JP2590693B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0728091A JPH0728091A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2590693B2 true JP2590693B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=15980129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17452993A Expired - Lifetime JP2590693B2 (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2590693B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8220848B2 (en) | 2003-04-25 | 2012-07-17 | Alpha Corporation | Cover member attaching structure |
| US9311877B2 (en) | 2009-11-17 | 2016-04-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display having high and low luminances alternatively represented |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3520382B2 (ja) * | 1995-02-01 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3477715B2 (ja) * | 1995-06-16 | 2003-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示素子、その製造方法及び電子機器 |
| JP3966614B2 (ja) | 1997-05-29 | 2007-08-29 | 三星電子株式会社 | 広視野角液晶表示装置 |
| KR100354904B1 (ko) | 1998-05-19 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 광시야각액정표시장치 |
| JP2003156731A (ja) | 2001-09-07 | 2003-05-30 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4248306B2 (ja) | 2002-06-17 | 2009-04-02 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100840326B1 (ko) | 2002-06-28 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 박막 트랜지스터 기판 |
| KR20040105934A (ko) * | 2003-06-10 | 2004-12-17 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 |
| KR101112539B1 (ko) * | 2004-07-27 | 2012-02-15 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 |
| KR101133760B1 (ko) * | 2005-01-17 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| JP4557800B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2010-10-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP4626664B2 (ja) | 2008-03-31 | 2011-02-09 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
| EP2259134A4 (en) * | 2008-03-31 | 2012-02-01 | Sharp Kk | ACTIVE MATRIX CARD, LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER |
| JP4706729B2 (ja) | 2008-07-14 | 2011-06-22 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
| BRPI0919943A2 (pt) * | 2008-11-05 | 2016-02-16 | Sharp Kk | substrato de matriz, painel de cristal líquido, unidade de exibição de cristal líquido, dispositivo de exibição de cristal líquido e receptor de televisão |
| EP2343593A4 (en) * | 2008-11-05 | 2012-09-12 | Sharp Kk | ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER |
| WO2010100790A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
| WO2010100789A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
| US20120001839A1 (en) * | 2009-03-05 | 2012-01-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05107556A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Hosiden Corp | 液晶表示素子画素 |
| JPH05119327A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 階調表示装置 |
| JP3081357B2 (ja) * | 1992-04-15 | 2000-08-28 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-14 JP JP17452993A patent/JP2590693B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8220848B2 (en) | 2003-04-25 | 2012-07-17 | Alpha Corporation | Cover member attaching structure |
| US9311877B2 (en) | 2009-11-17 | 2016-04-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display having high and low luminances alternatively represented |
| US9514698B2 (en) | 2009-11-17 | 2016-12-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display having high and low luminances alternatively represented |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0728091A (ja) | 1995-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2590693B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US20200241367A1 (en) | Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor | |
| JP3567183B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR101186863B1 (ko) | 멀티도메인 횡전계모드 액정표시소자 | |
| KR100246980B1 (ko) | 액티브 매트릭스형 액정표시소자 | |
| US9785017B2 (en) | Liquid crystal display | |
| US8054398B2 (en) | Liquid crystal display and panel therefor | |
| JP4731206B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2907629B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
| US7671931B2 (en) | Liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| US6784967B2 (en) | In-plane switching LCD device having slanted corner portions | |
| US6313899B1 (en) | Homeotropic liquid crystal display with protrusions comprising additional electrodes | |
| JP3194873B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置およびその駆動方法 | |
| JPH08271899A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4213356B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US6456352B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| JP2005010721A (ja) | 液晶表示装置 | |
| US8059221B2 (en) | Liquid crystal display and manufacturing method of the same | |
| JP2551343B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2895698B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JP3480722B2 (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置およびその駆動方法 | |
| JP2001356747A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置およびその駆動方法 | |
| KR100955392B1 (ko) | 개구율이 향상된 횡전계모드 액정표시소자 | |
| JP2004094221A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20040034872A (ko) | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961022 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071219 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081219 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091219 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101219 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111219 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121219 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219 Year of fee payment: 17 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131219 Year of fee payment: 17 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |