CN1550862A - 液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种液晶显示器，包括：第一衬底；形成在第一衬底上的第一信号线；形成在第一衬底上并与第一信号线交叉的第二信号线；包括多个分区的像素电极；连接到栅极线、数据线和像素电极的薄膜晶体管；面向第一衬底的第二衬底；形成在第二衬底上并具有面向第一或第二信号线的开口的公共电极；第一和第二畴定义部件，它们在液晶显示器中限定出多个畴，并且分别布置在第一和第二衬底上，第二畴定义部件布置在第二衬底上并与开口隔开。

Description

液晶显示器
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一。LCD包括两块板和插置在它们之间的液晶(LC)层，该两块板装有场生成(field-generating)电极，例如像素电极和公共电极。LCD通过将电压施加到场生成电极以在LC层中产生电场而显示图像，所述电场确定LC层中的LC分子取向以调节入射光的偏振。
在这些LCD中，垂直对准(VA)模式LCD由于其高对比度和宽视角而受到关注；这种LCD将LC分子对准为：当具有电场时，LC分子的长轴垂直于平板。
通过场生成电极中的切口和场生成电极上的突起可以实现VA模式LCD的宽视角。由于切口和突起可以确定LC分子的倾斜方向，通过使用切口和突起可以将倾斜方向分配在几个方向上，以便加宽视角。尤其是，采用切口的布图VA(patterned VA，PVA)模式LCD可优选作为面内转换(in-planeswitching，IPS)模式LCD的替代品。
与扭曲向列(TN)模式LCD相比，PVA模式LCD具有快速响应时间，因为LC分子运动只包括弹性张开或弯曲而没有扭曲。
同时，LCD也包括多个开关元件和多个信号线，开关元件用于将电压施加到场生成电极，而例如栅极线和数据线的信号线连接到开关元件。信号线与其它信号线和公共电极进行电容耦合，该耦合作为施加在信号线上的负载以产生信号延迟以及它们本身的电阻。尤其是，数据线和公共电极之间的耦合驱动布置在它们之间的液晶分子，造成了数据线附近漏光，因此使漏光更严重。为了防止漏光，可以加宽黑矩阵以降低孔径比。
发明内容
本发明提供一种液晶显示器，包括：第一衬底；形成在第一衬底上的第一信号线；形成在第一衬底上并与第一信号线交叉的第二信号线；包括多个分区的像素电极；连接到栅极线、数据线和像素电极的薄膜晶体管；面向第一衬底的第二衬底；形成在第二衬底上并具有面向第一或第二信号线的开口的公共电极；以及，第一和第二畴定义(domain defining)部件，它们在液晶显示器中定义出多个畴，并且分别布置在第一和第二衬底上，该第二畴定义部件布置在第二衬底上并与所述开口隔开。
第一畴定义部件可包括设置在像素电极上的第一切口，第二畴定义部件可包括设置在公共电极上的第二切口。
优选地，第二切口和开口之间的距离范围从约3微米到6微米。
本发明提供一种液晶显示器，包括：第一衬底；形成在第一衬底上的栅极线；形成在栅极线上的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的半导体层；形成在栅极绝缘层上并与栅极线交叉的数据线；至少部分形成在半导体层上的漏极；连接到漏极并具有第一切口的像素电极；面向第一衬底的第二衬底；形成在第二衬底上的公共电极，其具有面向像素电极的第二切口和面向栅极线或数据线的第一开口。
液晶显示器还可包括存储电极线，其位于和栅极线相同的平面上，并且与像素电极重叠。
公共电极还可以具有第二开口，其沿着栅极线或数据线与第一开口隔开。
第二切口与第一和第二开口之间的距离以及第一开口与第二开口之间的距离范围可以从约3微米到6微米。
液晶显示器可以还包括多个欧姆触点，它们布置在半导体层和数据线之间以及半导体层和漏极之间。
欧姆触点和半导体层可沿着数据线和漏极延伸。
除布置在数据线和漏极之间的部分以外，半导体层可具有大致与数据线和漏极相同的平面形状。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明实施例，本发明将变得更显而易见，其中：
图1是根据本发明实施例的LCD的TFT阵列板的布局图；
图2是根据本发明实施例的LCD的公共电极板切口的布局图；
图3是包括图1中所示TFT阵列板和图2中所示公共电极板的LCD布局图；
图4是图3中所示的LCD沿着线IV-IV’的截面图；
图5是根据本发明另一实施例的LCD布局图；以及
图6是图5中所示的LCD沿着线VI-VI’的截面图。
具体实施方式
现在将参考附图在下文中更全面地描述本发明，附图中图示了本发明的实施例。然而，本发明可以按照许多不同方式进行实施，并且不应该理解为局限于本文中所述的实施例。
附图中，清楚起见放大了层、膜和区域的厚度。相同的附图标记始终表示相同元件。可以理解，当例如层、膜、区域或衬底的元件被称作在(“on”)另一元件上时，它可以直接在另一元件上，或者，可以在上述两元件之间出现中间元件。相反，当元件称作直接在(“directly on”)另一元件上时，不存在中间元件。
现在将参考附图描述根据本发明实施例的液晶显示器。
图1是根据本发明实施例的LCD的TFT阵列板布局图，图2是根据本发明实施例的LCD的公共电极板200的切口布局图，图3是包括图1所示TFT阵列板和图2所示公共电极板的LCD的布局图，图4是图3所示LCD沿着线IV-IV’的截面图。
下面参考图1-4详细描述根据本发明实施例的LCD。
图1是根据本发明实施例的LCD的TFT阵列板的布局图，图2是根据本发明实施例的LCD的公共电极板的切口布局图，图3是包括图1所示TFT阵列板和图2所示公共电极板的LCD的布局图，图4是图3所示LCD沿着线IV-IV’的截面图。
根据本发明实施例的LCD包括TFT阵列板100、公共电极板200和LC层3，LC层3插置在板100和板200之间，并包括多个大体上垂直于板100和200的表面对准的LC分子。
现在参考图1、3和4详细描述TFT阵列板100。
多个栅极线121和多个存储电极线131形成在例如透明玻璃的绝缘衬底110上。
栅极线121大体上横向延伸(transverse direction)，相互分离并传输选通信号(gate signal)。每根栅极线121包括多个突起和一个端部，所述突起形成多个栅极123，所述端部具有较大面积以便与外部驱动电路进行连接。
每根存储电极线131大体上横向延伸，并包括多组的两根纵向分支和一根横向分支，所述纵向分支形成第一存储电极133a和第二存储电极133b，所述横向分支形成连接在第一存储电极133a和第二存储电极133b之间的第三存储电极133c。每根第一存储电极133a具有自由端部和连接到存储电极线131的固定端部，固定端部具有突起。每根第三存储电极133c形成两根相邻栅极线121之间的中间线。为存储电极线131提供例如公共电压的预定电压，该预定电压施加给LCD公共电极板200上的公共电极270。每根存储电极线131可以包括一对横向延伸的杆。
优选地，栅极线121和存储电极线131用例如铝和铝合金的含铝金属、例如银和银合金的含银金属、例如铜和铜合金的含铜金属、例如钼和钼合金的含钼金属、铬、钛或钽制成。栅极线121和存储电极线131可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理特性的两层膜，即下膜(未图示)和上膜(未图示)。优选地，上膜用包括例如铝和铝合金的含铝金属的低阻金属制成，以便减少栅极线121和存储电极线131中的信号延迟或电压降落。另一方面，优选地，下膜用例如铬、钼、钼合金等材料制成，所述材料具有与例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的其它材料的良好接触特性。下膜材料和上膜材料的一个较好的示例性组合是铬和铝-钕合金。
另外，栅极线121和存储电极线131的侧面相对于衬底表面倾斜，它们的倾角范围约20-80度。
在栅极线121和存储电极线131上形成优选用氮化硅(SiNx)制成的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成多个半导体条151，该半导体条优选用氢化非晶硅(缩写为“a-Si”)或多晶硅制成。每个半导体条151大体上纵向延伸，并具有多个向栅极123分支出来的突起154。
在半导体条151上形成多个欧姆接触条161和岛165，该欧姆接触条和岛优选用硅化物或大量掺杂例如磷的n型杂质的n+型氢化非晶硅(a-Si)制成。每个欧姆接触条161具有许多突起163，所述突起163和欧姆接触岛165成对地位于半导体条151的突起154上。
半导体条151、欧姆触点161和165的侧面相对于衬底表面倾斜，优选地，它们的倾角处于约30-80度之间的范围内。
多个数据线171、多个漏极175和多个绝缘金属件172形成在欧姆触点161、165和栅极绝缘层140之上，所述漏极175与所述数据线171隔开。
用于传输数据电压的数据线171大体上纵向延伸，并与栅极线121和存储电极线131交叉。每根数据线171布置在存储电极线131的相邻分支组133a-133c的第一存储电极133a和第二存储电极133b之间，每根数据线171包括具有较大面积的端部179，用于与另一层或外部设备接触。每根数据线171的多个分支形成多个源极173，所述分支向漏极175突起。每个漏极175包括具有较大面积的端部179，用于与另一层进行接触，每个源极173弯曲以便部分地封闭漏极175的另一端部。栅极123、源极173和漏极175连同半导体条151的突起154一起形成TFT，该TFT具有形成在突起154中的通道，该突起154布置在源极173和漏极175之间。
金属件172靠近存储电极133a的端部设置在栅极线121上。
优选地，数据线171、漏极175和金属件172用难熔金属制成，例如铬、含钼金属、钛、含钛或含铝金属，它们也可以具有多层结构，包括下膜(未图示)和上膜(未图示)，下膜优选用钼、钼合金或铬制成，上膜位于下膜上，并且优选用含铝金属制成。
类似栅极线121和存储电极线131，数据线171和漏极175具有锥形侧面，它们的倾角范围约30-80度。
欧姆触点161、165只插置在底层半导体条151与底层半导体条上的上层数据线171、上层漏极175之间，减少它们之间的接触电阻。半导体条151包括多个暴露部分，它们未被数据线171和漏极175覆盖，这些部分例如是位于源极173和漏极175之间的部分。
钝化层180形成在数据线171、漏极175和半导体条151暴露部分之上。优选地，钝化层180用光敏有机材料、低介电绝缘材料、或例如氮化硅的无机材料制成；该光敏有机材料具有良好的平面特性，该低介电绝缘材料的介电常数小于4.0，例如是通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F。
钝化层180具有多个接触孔181、183，它们分别暴露出漏极175的端部和数据线171的端部179。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔182、184和185，分别暴露栅极线121的端部125、第一存储电极133a的自由端部的突起、以及存储电极线131靠近第一存储电极133a固定端的部分。接触孔181-185为多边形或圆形，并且接触孔181-185的侧壁为锥形。优选地，暴露端部125、179的各接触孔182、183的面积范围从约0.5mm×15μm到约2mm×60μm。
多个像素电极190、多个辅助触点95、97、以及多个存储连接件91形成在钝化层180上，它们优选用ITO或IZO制成。
像素电极190通过接触孔181与漏极175物理连接和电连接，以便像素电极190从漏极175接收数据电压。
被供应数据电压的像素电极190与公共电极270配合产生电场，所述电场使液晶层3中的液晶分子重新取向。
像素电极190和公共电极270形成液晶电容器，所述电容器在切断TFT后保存施加的电压。提供附加电容器以增强电压存储能力，所述附加电容器称为“存储电容器”，与液晶电容器并联。通过重叠像素电极190和包括存储电极133a-133c的存储电极线131来实现存储电容器。
在每个像素电极190的四个角上对其进行斜切，像素电极190的切边与栅极线121成约45度角。
每个像素电极190具有下切口191、中心切口192和上切口193，它们将像素电极190分割成多个分区。切口191、192、193大致相对于第三存储电极133c反向对称。
下切口191和上切口193大致从像素电极190的右边大致地斜向延伸到像素电极190的左边，并且它们分别布置在像素电极190的、通过第三存储电极133c分割开的下半部分和上半部分中。下切口191和上切口193与栅极线121成约45度角，并且它们彼此垂直延伸。
中心切口192从像素电极190的右边沿着第三存储电极133c延伸，并具有带有一对斜边的入口，这对斜边分别大致平行于下切口191和上切口193。
因此，通过下切口191也将像素电极190的下半部分分割成两个下分区，通过上切口193将像素电极190的上半部分分割成两个上分区。分区数量或切口数量根据设计因素而变化，所述设计因素例如像素尺寸、像素电极横向边和纵向边之比、液晶层3的类型和特征等等。
辅助触点95、97通过接触孔182、183分别连接到栅极线121的端部125和数据线171的端部179。辅助触点95、97不是必需的，但优选用来保护端部125、179并增强端部125、179与外部设备的粘接性。
存储连接件91横跨栅极线121，并且通过关于栅极线121彼此相对的接触孔184、185分别连接到第一存储电极133a的固定端部的暴露突起和存储电极线131的暴露部分上。存储连接件91与金属件172重叠，它们可以电连接到金属件172。包括存储电极133a-133c的存储电极线131与存储连接件91和金属件172一起用于修理栅极线121、数据线171或TFT中的故障。通过用激光束照射栅极线121和存储连接件91的交叉点以便将栅极线121电连接到存储连接件91，获得栅极线121和存储电极线131之间的电连接，用于修理栅极线121。这样，金属件172增强了栅极线121和存储连接件91之间的电连接。
接着参考图2-4描述公共电极板200。
在例如透明玻璃的绝缘衬底210上形成被称为黑基质的阻光部件220，用于防止漏光。该阻光部件220可以包括多个面向像素电极191的分区191a、191b的开口并且可以具有与分区191a、191b大致相同的形状。另外，阻光部件220可以包括对应于数据线171的倾斜线性部分和对应于TFT的其它部分。
多个红色、绿色和蓝色滤光器230形成在衬底210上，它们大致布置在由阻光部件220封闭的区域中。彩色滤光器230可以沿着像素电极191大致纵向延伸。彩色滤光器230可以表示基色之一，例如红色、绿色和蓝色。
在彩色滤光器230上形成外涂层250。
优选用透明导电材料例如ITO和IZO制成的公共电极270形成在外涂层250上。
公共电极270具有多组切口271-273和多个开口279。
一组切口271-273面向像素电极190，并包括下切口271、中心切口272和上切口273。每个切口271-273布置在像素电极190的相邻切口191-193之间或者在切口191或193和像素电极190的切边之间。另外，每个切口271-273至少具有倾斜部分，该部分平行于像素电极190的下切口191或上切口193延伸，相邻两组切口271-273和191-193之间的距离、其倾斜部分、其斜边、以及彼此平行的像素电极190的切边大致都是相同的。切口271-273大致相对第三存储电极133c反向对称。
每个下切口271和上切口273包括：倾斜部分，该倾斜部分大致从像素电极190的左边大致地延伸到像素电极190的下边或上边；以及，横向部分和纵向部分，该横向部分和纵向部分沿着像素电极190的边从倾斜部分的各端延伸，与像素电极190的边重叠，并与倾斜部分成钝角。
中心切口272包括：中间横向部分，其大致沿着第三存储电极133c从左边延伸；一对倾斜部分，其从中间横向部分的一端大致延伸到像素电极右边，并与中间横向部分成钝角；以及一对终端纵向部分，其沿着像素电极190的右边从各倾斜部分的端部延伸，与像素电极190的右边重叠，并与各倾斜部分成钝角。
切口271-273的数量可以根据设计因素而变化，阻光部件220也可以与切口271-273重叠，以便防止通过切口271-273漏光。
每个开口279沿着数据线171延伸以便与数据线171重叠，每个开口279布置在相邻切口组271-278之间。一些开口279与栅极线121相遇，而其它开口279不与栅极线121相遇。布置在相邻两栅极线121之间的开口279的数量是一个，但可以至少是两个。
开口279减少施加在数据线171上的负载，并由此减少在数据线171中流动的数据电压延迟，数据电压延迟由寄生电容产生，该寄生电容通过重叠公共电极270和数据线171而形成。数据线171上负载的减少增大了数据线171的材料选择自由度和LCD的分辨率。
由于数据线171所携带的数据电压，开口279也降低液晶电容器的电容变化，由此降低垂直串扰，该串扰首先在液晶电容器的弱充电能力下产生。相应地，提高了充电能力。
另外，由于数据信号的横向串扰，开口279减少横向漏光。横向漏光的减少能够降低阻光部件220的宽度，由此增加孔径比。
参考图2，开口279之间的距离用(a)表示，开口279和切口271-273之间的距离用(b)表示，上述两距离优选地大于在光刻工艺中使用的曝光器的分辨率，更优选地，它们等于约3-6微米。开口279之间以及开口279与切口271-273之间的公共电极270的部分为公共电压形成各种信号路径。
垂直对准层(homeotropic alignment layers)21、22覆盖在板100、200的内表面上，偏振器12、22设置在板100、200的外表面上，这样，它们的偏振轴可以交叉，并且透射轴之一可以平行于栅极线121。当LCD是反射型LCD时，可以省略一个偏振器。
LCD还可以包括至少一个延迟膜(retardation film)，用于补偿LC层3的延迟。
对准LC层3中的LC分子，便它们的长轴垂直于板100、200的表面。液晶层3具有负介电各向异性。
切口191-193和271-273控制LC层3中的LC分子的倾斜方向。即，在被称为畴的各区域中的液晶分子在垂直于切口191-193和271-273的延伸方向的方向上倾斜，该畴由相邻切口191-193和271-273限定出，或者由切口272或273和像素电极190的切边限定出。显然，该畴具有两个大致彼此平行延伸并与栅极线121成约45度角的长边。
至少切口组191-193和271-273之一可以用突起或凹陷代替。
可以修改切口191-193、271-273和开口279的形状和排列。例如，可以沿着栅极线而不是数据线171形成开口279。
现在将详细描述根据本发明实施例的、在图1-4中所示的TFT阵列板的制造方法。
沉积和光刻优选用铬或钼合金或铝制成的导电膜，以便形成多个栅极线121和多个存储电极线131，该栅极线121包括多个栅极123和端部125，该存储电极线131包括多个存储电极133a-133c。
在顺序沉积栅极绝缘层140、内a-Si层和外a-Si层之后，光刻外a-Si层和内a-Si层，以便在栅极绝缘层140上形成多个外半导体条和多个内半导体条151，该内半导体条包括多个突起154。
随后，沉积和光刻优选用铬或钼合金或铝制成的导电膜，以便形成多个数据线171、多个漏极175和多个金属件172，该数据线171包括多个源极173和端部179。
此后，除去未被数据线171和漏极175覆盖的外半导体条部分，以便完成多个欧姆接触条161和多个欧姆接触岛165，并暴露出部分内半导体条151，该欧姆接触条161包括多个突起163。为了稳定半导体条151的暴露表面，优选执行氧等离子体处理。
通过化学气相沉积a-Si:C:O或a-Si:O:F、沉积例如氮化硅的无机绝缘体、或通过涂布例如丙烯酸材料的有机绝缘体，形成钝化层180。可以通过使用气体混合物沉积a-Si:C:O膜，该气体混合物包括源气体SiH(CH3)3、SiO2(CH3)4、(SiH)4O4(CH3)4或Si(C2H5O)4、氧化剂N2O或O2、以及Ar或He。通过使用SiH4、SiF4、O2等的气体混合物可以沉积a-Si:O:F膜，并且可添加CF4气体作为另外的氟源。
光刻钝化层180和栅极绝缘层140，以便形成多个接触孔181-185，所述接触孔暴露出漏极175、栅极线121的端部125、数据线171的端部179、存储电极133a和存储电极线131。
最后，通过溅射和光刻IZO或ITO层，将多个像素电极190、多个辅助触点95、97以及多个存储连接件91形成在钝化层180和漏极175、端部125和179、存储电极133a、存储电极线131的暴露部分上。为了防止通过接触孔181-185在金属层的暴露部分上形成金属氧化物，沉积IZO或ITO层之前，可以用氮气预热TFT阵列板。
将参考图5和6详细描述根据本发明另一实施例的LCD。
图5是根据本发明另一实施例的LCD的布局图，图6是图5中所示的LCD沿着线VI-VI’的截面图。
参考图5和6，根据本实施例的LCD也包括TFT阵列板100、公共电极板200、以及插置在它们之间的LC层3。
根据本实施例的板的层状结构几乎与图1-4中所示的结构相同。
关于TFT阵列板，包括多个栅极123的多个栅极线121和包括多个存储电极133a-133b的多个存储电极线131形成在衬底110上，栅极绝缘层140、包括多个突起154的多个半导体条151、以及包括多个突起163和多个欧姆接触岛165的多个欧姆接触条161顺序形成在上述元件上。包括多个源极173和多个漏极175的多个数据线171形成在欧姆触点161、165上，并且钝化层180形成在上述元件上。在钝化层180和栅极绝缘层140中设置多个接触孔181、184和185，多个像素电极190和多个存储连接件91形成在钝化层180上。对准层11涂覆在TFT阵列板100的内表面上，偏振器12布置在TFT阵列板100的外表面上。
关于公共电极板，阻光部件220、多个彩色滤光器230、外涂层250和公共电极270形成在绝缘衬底210上。对准层21涂覆在公共电极板100的内表面上，偏振器22布置在公共电极板100的外表面上。
与图1-4中所示的LCD不同，半导体条151具有几乎与数据线171、漏极175以及底层欧姆触点161、165相同的平面形状。然而，半导体条151的突起154包括一些暴露部分，它们未被数据线171和漏极175覆盖，例如位于源极173和漏极175之间的部分。
另外，没有连接存储电极133a和133b的存储电极。
在每个像素电极190的左角处对其进行斜切，但在其右角处不进行斜切，像素电极190的切边与栅极线121成约45度角。
每个像素电极190具有多个下切口191-193、上切口196-198和中心切口194、195，它们将像素电极190分割成多个分区。下切口191-193和上切口196-198分别布置在像素电极190的下半部分和上半部分，中心切口194、195位于下切口191-193和上切口196-198之间。切口191-198大致相对于像素电极190的横向中心线反向对称，该横向中心线将像素电极190分成下半部分和上半部分。
下切口191-193和上切口196-198与栅极线121成约45度角，下切口191-193大致垂直于上切口196-198延伸，该下切口191-193大致彼此平行并平行于像素电极190的下切边延伸，上切口196-198大致彼此平行并平行于像素电极190的上切边延伸。
切口191、198大致从像素电极190的左纵向边大致延伸到像素电极190的横向边。切口192、197大致从像素电极190的左边大致延伸到像素电极190的未斜切右角。切口193、196大致从像素电极190上半部分和下半部分的左角大致延伸到像素电极190的右纵向边。
中心切口194包括：横向部分，其沿着像素电极190的横向中心线进行延伸；和一对倾斜部分，其从横向部分延伸到像素电极190右边，并且分别大致平行于下切口191-193和上切口196-198延伸。中心切口195沿着像素电极190的横向中心线延伸，并具有位于像素电极190右边的入口，该入口具有一对斜边，这对斜边分别大致平行于下切口191-193和上切口196-198。
相应地，下切口191-193和中心切口194将像素电极190的下半部分分割成5个下分区，而上切口196-198和中心切口194将像素电极190的上半部分也分割成5个上分区。
公共电极270具有多组切口271-278和多个开口279。
一组切口271-278面向一个像素电极190，并包括下切口271-273、上切口276-278和中心切口274、275。各切口271-278布置在像素电极190的相邻切口191-198之间或者布置在切口191或198和像素电极190的切边之间。另外，每个切口271-278至少具有倾斜部分，该倾斜部分平行于像素电极190的下切口191-193或上切口196-198延伸，相邻两组切口271-278和191-198之间的距离、其倾斜部分、其斜边、以及彼此平行的像素电极190的切边大致都是相同的。切口271-278大致相对于像素电极190的横向中心线反向对称。
每个切口271、272、278和277具有：倾斜部分，其大致从像素电极190的左边大致地延伸到像素电极190的下边或上边；以及，横向部分和纵向部分，其从倾斜部分各端沿着像素电极190的边进行延伸，与像素电极190的边重叠，并与倾斜部分成钝角。每个切口273、276具有：倾斜部分，其大致从像素电极190的左边大致地延伸到像素电极190的右边；和一对纵向部分，其从倾斜部分各端沿着像素电极190的左边和右边延伸，与像素电极190的左边和右边重叠，并与倾斜部分成钝角。每个切口274、275具有：中间横向部分，其沿着像素电极190的横向中心线延伸；一对倾斜部分，其从横向部分大致延伸到像素电极190的右边，并与中间横向部分成钝角；和一对终端横向部分，其从各自倾斜部分沿着像素电极190右边延伸，与像素电极190右边重叠，并与各自倾斜部分成钝角。
每个开口279沿着数据线171延伸，以便与数据线171重叠，每个开口279布置在相邻切口组271-278之间。一些开口279和栅极线121相遇，而其它开口279则不与栅极线121相遇。布置在相邻两根栅极线121之间的开口279数量是三个。
当用于给栅极线121或数据线171提供信号的驱动电路与TFT一起形成在TFT板100上时，可以省略图1-4中所示的接触孔182、183和辅助触点95、97。
根据本发明一个实施例的TFT阵列板制造方法使用一种光刻工艺同时形成数据线171、漏极175、半导体151以及欧姆触点161、165。
用于光刻工艺的光刻胶图案具有随位置而定的厚度，尤其是，它具有厚度减少的第一部分和第二部分。该第一部分位于将被数据线171和漏极175占据的布线区(wire area)上，而第二部分位于TFT通道区上。
可以通过若干种技术获得光刻胶随位置而定的厚度，例如，通过在曝光掩膜300上设置半透明区、以及透明区和阻光不透明区。半透明区可以包括狭缝图案、格子图案、带有中等透光度或中等厚度的膜。使用狭缝图案时，狭缝宽度或狭缝间距优选地小于用于光刻法的曝光器的分辨率。另一种示例是使用可再流动的光刻胶。详细地，一旦通过使用仅带有透明区和不透明区的普通曝光掩膜形成由可再流动材料制成的光刻胶图案，该光刻胶图案将经受再流动处理，以便流到没有光刻胶的区域上，由此形成薄的部分。
结果，通过省略光刻步骤简化了制造工艺。
图1-4中所示LCD的许多上述特征可适合于图5和6中所示LCD。
如上所述，开口279减少在数据线171中流动的数据电压延迟，该数据电压延迟由寄生电容产生，该寄生电容通过重叠公共电极270和数据线171而形成。由于数据线171携带的数据电压，开口279也降低了液晶电容器的电容变化，并且由于数据信号的串扰，也降低了侧向漏光。侧向漏光的降低能够降低阻光部件220的宽度，因此增加了孔径比。
虽然已经参考优选实施例详细描述了本发明，但是本领域技术人员应该理解，可以在不脱离权利要求所述本发明的本质和范围的前提下对本发明进行各种修改和替换。
例如，可以修改像素电极和公共电极的切口和开口的排列，以及设置突起来取代切口。

Claims (10)

1、一种液晶显示器，包括：
第一衬底；
第一信号线，其形成在第一衬底上；
第二信号线，其形成在第一衬底上并与第一信号线交叉；
像素电极，其包括多个分区；
薄膜晶体管，其连接至栅极线、数据线和像素电极；
第二衬底，其面向第一衬底；
公共电极，其形成在第二衬底上，并具有面向第一或第二信号线的开口；以及
第一和第二畴定义部件，它们在液晶显示器中限定出多个畴，并且分别布置在第一和第二衬底上，该第二畴定义部件布置在第二衬底上并与开口隔开。
2、如权利要求1所述的液晶显示器，其中，第一畴定义部件包括设置在像素电极上的第一切口，第二畴定义部件包括设置在公共电极上的第二切口。
3、如权利要求2所述的液晶显示器，其中，第二切口和开口之间的距离范围从约3微米到6微米。
4、一种液晶显示器，包括：
第一衬底；
栅极线，其形成在第一衬底上；
栅极绝缘层，其形成在栅极线上；
半导体层，其形成在栅极绝缘层上；
数据线，其形成在栅极绝缘层上并与栅极线交叉；
漏极，其至少部分地形成在半导体层上；
像素电极，其连接至漏极并具有第一切口；
第二衬底，其面向第一衬底；以及
公共电极，其形成在第二衬底上，并具有面向像素电极的第二切口和面向栅极线或数据线的第一开口。
5、如权利要求4所述的液晶显示器，还包括存储电极线，其位于和栅极线相同的平面上，并且与像素电极重叠。
6、如权利要求4所述的液晶显示器，其中，公共电极还具有第二开口，它沿着栅极线或数据线与第一开口隔开。
7、如权利要求6所述的液晶显示器，其中，第二切口与第一和第二开口之间的距离以及第一开口和第二开口之间的距离范围从约3微米到6微米。
8、如权利要求4所述的液晶显示器，还包括多个欧姆触点，其布置在半导体层和数据线之间以及半导体层和漏极之间。
9、如权利要求8所述的液晶显示器，其中，欧姆触点和半导体层沿着数据线和漏极延伸。
10、如权利要求9所述的液晶显示器，其中，除布置在数据线和漏极之间的部分以外，半导体层具有大致与数据线和漏极相同的平面形状。
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