CN1573488A - 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板 - Google Patents

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Abstract

提供一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：衬底；形成在衬底上的第一信号线；形成在衬底上的第二信号线，该第二信号线包括与第一信号线相交的相交部分和连接到相交部分上的弯曲部分；连接到第一和第二信号线上的第一薄膜晶体管；以及连接到第一薄膜晶体管上的象素电极，包括第一和第二分区，并且沿着第二信号线的弯曲部分弯曲。本发明还提供一种液晶显示器。

Description

液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器及一种薄膜晶体管阵列面板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器的一种。LCD包括两个配备有场生电极的面板和插在它们之间的液晶(liquid crystal，LC)层。该LCD通过将电压加在场生电极从而在LC层中产生电场来显示图象，该电场确定LC层中LC分子的取向从而调整入射光的偏振。
该LCD具有窄视角的缺点。各种各样用于扩大视角的技术被提出，而利用垂直排列的LC和在场生电极如象素电极和公共电极上提供切口或突起的技术是有希望的。
由于切口和突起减小了孔径比，象素电极的尺寸被建议最大化。然而，象素电极之间的接近距离导致象素电极之间的强大横向电场，这使得LC分子的方向散乱从而产生纹理结构和漏光，因此恶化了显示特性。
同时，执行光蚀刻工艺以便通过曝光在LCD面板上形成各种图案。
当LCD的底板太大而不能使用曝光掩模时，通过重复称作分步重复过程的分区曝光来完成整个曝光。一个分区曝光单元或区域被称作镜头(shot)。由于在曝光期间产生了转变、旋转、变形等等，镜头不能被准确地对准。因此，布线和象素电极之间产生的寄生电容依赖于镜头而不同，并且这导致了镜头之间的亮度差别，这在位于镜头之间的边界处的象素中被认识到。所以，由于镜头之间亮度的不连续性，在LCD屏幕上产生了缝缺陷。
发明内容
提供一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：衬底；形成在衬底上的第一信号线；形成在衬底上的第二信号线，其具有与第一信号线相交的相交部分和连接到相交部分上的弯曲部分；连接到第一和第二信号线上的第一薄膜晶体管；以及连接到第一薄膜晶体管上的象素电极，包括第一和第二分区，并且沿着第二信号线的弯曲部分弯曲。
第二信号线的弯曲部分可以包括一对直线部分，它们相互连接并且与第一信号线呈约45度角。
薄膜晶体管阵列面板可以进一步包括连接到象素电极第二分区上的第二薄膜晶体管，其中第一薄膜晶体管连接到象素电极的第一分区。第一和第二分区可以关于第二信号线彼此相对布置，而第一和第二薄膜晶体管可以关于第二信号线彼此相对布置。
薄膜晶体管阵列面板可以进一步包括连接第一分区和第二分区的连接器。
连接器可与第二信号线的弯曲部分的弯曲点相交。连接器可以包括与象素电极或栅极线相同的层。
连接器可以设置在第二信号线的相交部分附近并且可以包括与象素电极相同的层。
象素电极的边缘可以与数据线交迭。
薄膜晶体管阵列面板可以进一步包括第三信号线，该第三信号线与第一和第二信号线分离，并且具有与象素电极或被连接到象素电极上的第一薄膜晶体管部分交迭的部分。
第三信号线可以进一步包括一设置在象素电极的第一或第二分区的至少边缘附近的分支。
象素电极的第一或第二分区的至少边缘可以与第三信号线的分支交迭。
象素电极的第一分区和第二分区之间可以具有一间隙，并且该间隙平行于第二信号线延伸。该间隙优选与第二信号线或与第三信号线的分支交迭。
象素电极和第二信号线之间可以具有一间隙，并且该间隙可以平行于第二信号线延伸。第三信号线的分支可以设置在象素电极和第二信号线之间并且它可以与象素电极的边缘交迭。
提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：衬底；形成在衬底上并且包括栅极电极的栅极线；形成在栅极线上的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的半导体层；数据线，其具有相交于栅极线的相交部分和连接到相交部分上的弯曲部分，并且包括至少部分地形成在半导体层上的源极电极；第一漏极电极，至少部分地形成在半导体层上并且与源极电极相对设置；形成在半导体层上的钝化层；以及连接到第一漏极电极上的象素电极，包括第一和第二分区，并且具有与数据线相邻和沿着数据线弯曲的边缘。
数据线的弯曲部分可以包括一对直线部分，它们相互连接并且与栅极线呈约45度角。
薄膜晶体管阵列面板可以进一步包括与栅极线和数据线分离的存储电极线，该存储电极线实质上平行于栅极线延伸，并且包括与第一漏极电极交迭的具有增加区域的存储电极。
薄膜晶体管阵列面板可以进一步包括连接到象素电极第二分区的第二漏极电极，其中第一漏极电极被连接到象素电极的第一分区。
第一和第二分区可以关于数据线彼此相对设置，而第一和第二漏极电极可以关于数据线彼此相对设置。
薄膜晶体管阵列面板可以进一步包括与栅极线和数据线分离的存储电极线，该存储电极线实质上平行于栅极线延伸，并且包括存储电极，该存储电极与象素电极的第一或第二分区的边缘交迭。
薄膜晶体管阵列面板可以进一步包括连接第一分区和第二分区的连接器。连接器可以进一步包括与象素电极或栅极线相同的层并且它可以与数据线相交。
数据线可以设置在象素电极的外边缘附近。
薄膜晶体管阵列面板可以进一步包括滤色器，该滤色器设置在钝化层下面并且沿着第二信号线的弯曲部分弯曲。
提供一种液晶显示器，其包括：第一衬底；形成在第一衬底上的第一信号线；第二信号线，形成在第一衬底上并且具有与第一信号线相交的相交部分和连接到相交部分的弯曲部分；连接到第一和第二信号线的薄膜晶体管；象素电极，连接到薄膜晶体管并且包括第一和第二分区；面对第一衬底的第二衬底；形成在第二衬底上的公共电极；插在第一衬底和第二衬底之间的液晶层；以及域定义部件，该部件将液晶层划分成多个域，每个域具有两个平行于第二信号线的弯曲部分的主边缘。
液晶显示器可以进一步包括第三信号线，该信号线与第一和第二信号线分离，其与象素电极交迭以便形成存储电容器，并且包括平行于第二信号线延伸的分支。
液晶层可以具有负的介电各向异性，并且它实质上正交于第一和第二衬底的表面排列。
液晶层可以具有正的介电各向异性，并且它实质上平行于第一和第二衬底的表面排列，并且从第一衬底到第二衬底扭曲。
域定义部件可以包括设置在公共电极上的突起或形成在公共电极或象素电极上的切口。
附图说明
通过参照附图详细描述其实施例，本发明将变得更加明白，其中：
图1是根据本发明一个实施例的LCD布局图；
图2是图1所示LCD沿着II-II′线的截面图；
图3是根据本发明另一个实施例的LCD布局图；
图4是图3所示LCD沿着IV-IV′线的截面图；
图5是根据本发明又一个实施例的LCD布局图；
图6是图5所示LCD沿着VI-VI′线的截面图；
图7是根据本发明又一个实施例的LCD布局图；
图8是图7所示LCD沿着VIII-VIII′线的截面图；
图9是根据本发明又一个实施例的LCD布局图；
图10是图9所示LCD沿着X-X′线的截面图；
图11是根据本发明又一个实施例的LCD布局图；以及
图12是图11所示LCD沿着XII-XII′线的截面图。
具体实施方式
在下文中将参照附图对本发明进行更完整地描述，附图中示出的是本发明的优选实施例。然而，本发明也可以表现为许多不同的形式并且不应限制于这里提出的这些实施例。
在附图中，为了清楚，将层、膜和区域的厚度夸大。各处相同的标记指相同的部件。可以理解当部件如层、膜、区域或衬底被称作在另一部件“上”时，它能够直接在其他部件上或者也可以存在中间部件。相反，当部件称作直接在另一部件上时，就不会存在中间部件。
现在，将参照附图对用于根据本发明一个实施例的LCD的液晶显示器和薄膜晶体管(TFT)阵列面板进行描述。
图1是根据本发明的一个实施例的LCD的布局图，而图2是沿着图1中II-II′线的LCD截面图。
根据本发明一个实施例的LCD包括：TFT阵列面板100，公共电极面板200，以及插在面板100和200之间的LC层300，该LC层300包含多个垂直于面板100和200的表面排列的LC分子310。
现在将详细描述TFT阵列面板100。
多条栅极线121和多条存储电极线131形成在绝缘衬底110上。
栅极线121实质上沿横向延伸并且他们彼此分离和传输栅极信号。每条栅极线121包括形成多个栅极电极124的多个突起和具有用于与另一层或外部器件接触的大面积的端部129。
各存储电极线131实质上沿横向延伸并且包括形成存储电极133a和133b的多对突起。存储电极133a和133b具有矩形(或菱形)形状并且它们位于邻近于栅极电极124的位置。存储电极线131提供有预定电压如公共电压，将该电压提供给在LCD的公共电极面板200上的公共电极270。
栅极线121和存储电极线131优选由Al和Al合金、含Ag金属如Ag和Ag合金、含Cu金属如Cu和Cu合金、Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti制成。它们可以具有多层结构，该结构包括具有不同物理特性的两个薄膜：下薄膜(未示出)和上薄膜(未示出)。上薄膜优选由包括含Al金属的低电阻率金属制成，用于减少栅极线121和存储电极线131中的信号延迟或电压下降。另一方面，下薄膜优选由材料例如Cr、Mo和Mo合金、Ta或Ti制成，这些材料具有好的物理、化学以及与其他材料如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的电接触特性。下薄膜材料和上薄膜材料的典型示例性组合是Cr和Al-Nd合金。
另外，栅极线121和存储电极线131的侧面相对于衬底110的表面倾斜，并且其倾斜角度的范围大约为30-80度。
优选由氮化硅(SiNx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
优选由加氢的无定形硅(简写为“a-Si”)或多晶硅制成的多个半导体岛154形成在栅极绝缘层140上。每个半导体岛154与栅极电极124相对设置。
优选由硅化物或重掺入n型杂质的n+加氢a-Si制成的多个欧姆接触岛163、165a和165b形成在半导体岛154上。
半导体岛154和欧姆接触163、165a和165b的侧面相对于衬底110的表面倾斜，并且其倾斜角度的范围优选在30-80度之间。
多条数据线171和彼此分离的多对漏极电极175a和175b形成在欧姆接触163、165a和165b以及栅极绝缘层140上。
用于传输数据电压的数据线171实质上沿纵向延伸并且与栅极线121和存储电极线131相交。每条数据线171具有一端部179，该端部179具有大面积用于与另一层或外部器件接触，并且每条数据线171包括多对倾斜部分和多个纵向部分以便它能够周期性地弯曲。一对倾斜部分彼此连接以便形成V形，并且该对倾斜部分的相对端连接到各自的纵向部分。数据线171的倾斜部分与栅极线121呈约45度角，并且纵向部分跨越栅极电极124。一对倾斜部分的长度大约是纵向部分长度的1至9倍，那就是说，它占据了该对倾斜部分和纵向部分的总长度的大约50-90％。
每个漏极电极175a或175b包括与存储电极133a或133b交迭的延长部分。一对漏极电极175a和175b关于数据线171的纵向部分彼此相对放置。数据线171的每个纵向部分包括多个从其左侧和右侧凸出的突起，使得包括突起的纵向部分形成部分地围绕漏极电极175a和175b的源极电极173。栅极电极124、源极电极173和一对漏极电极175a和175b连同半导体岛154的每一组形成一对TFT，该对TFT分别具有形成在半岛体岛154内的各自的沟道，半导体岛154设置在源极电极173与漏极电极175a和175b之间。
数据线171与漏极电极175a和175b优选由折射金属如Cr、Mo、Mo合金、Ta和Ti制成。它们也可以包括下薄膜(未示出)和位于其上的上薄膜(未示出)，下薄膜优选由Mo、Mo合金或Cr制成，上薄膜优选由含铝金属制成。
与栅极线121和存储电极线131相似，数据线171和漏极电极175a和175b具有倾斜侧面，并且其倾斜角度约为30-80度。
欧姆接触163、165a和165b仅插在下面的半导体岛154和上面的数据线171以及上面的漏极电极175a和175b之间，并且减少了它们之间的接触电阻。
钝化层180形成在数据线171和漏极电极175a和175b上，并且形成在没有被数据线171和漏极电极175a和175b覆盖的半岛体岛154的暴露部分上。钝化层180优选由具有良好平面特性的光敏有机材料、低电介质绝缘材料(如通过等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F)或无机材料(如氮化硅和氧化硅)制成。钝化层180可以具有包括下无机薄膜和上有机薄膜的双层结构。
钝化层180具有分别暴露漏极电极175a和175b以及数据线171的端部179的多个接触孔185a、185b和182。钝化层180和栅极绝缘层140具有暴露栅极线121的端部129的多个接触孔181。接触孔181、185a、185b和182可以具有各种各样的形状如多边形或圆形。每个接触孔181或182的面积优选等于或大于0.5mm×15μm并且不大于2mm×60μm。接触孔181、185a、185b和182的侧壁倾斜约30-85度角或具有楼梯式的外形。
优选由ITO、IZO或Cr制成的多个象素电极191和多个辅助接触81和82形成在钝化层180上。
各象素电极191包括一对分区191a和191b，它们相对于数据线171彼此相对设置并且通过连接器193连接。一对分区191a和191b形成一对子象素区域Pa和Pb。各象素电极191的每个分区191a和191b具有平行于数据线171延伸的长边缘和平行于栅极线121延伸的短边缘，从而形成了V形。
每个象素电极191的分区191a和191b分别通过接触孔185a和185b物理和电连接到漏极电极175a和175b，以便象素电极191从漏极电极175a和175b接收数据电压。供给有数据电压的象素电极191与公共电极270共同作用产生了电场，这使得设置于其间的液晶分子310重新定向。
象素电极191和公共电极270形成了称作“液晶电容器”的电容器，其在TFT截止后存储所加电压。提供了并联到液晶电容器的、称作“存储电容器”的附加电容器，用于加强电压存储容量。存储电容器通过将象素电极191与存储电极线131交迭来实现。存储电容器的电容(即，存储电容)的增加是通过下列方式实现的：在存储电极线131上提供突起(即存储电极)133a和133b；延长连接到象素电极191a和191b上的漏极电极175a和175b；以及在漏极电极175a和175b上提供与存储电极线131的存储电极133a和133b交迭的扩充部，用于减小端部之间的距离和提高交迭面积。
象素电极191与数据线171交迭以便提高孔径比但是它是可选择的。
辅助接触81和82通过接触孔181和182分别连接到栅极线121的暴露端部129和数据线171的暴露端部179。辅助接触81和82不是必需的而是优选的，以保护暴露部分129和179并且补充暴露部分129和179和外部器件的粘附性。
最后，排列层11形成在象素电极191a和191b、辅助接触81和82以及钝化层180上。
以下是公共电极面板200的描述。
称作黑矩阵并用于防止光泄露的光阻挡部件220形成在绝缘衬底210如透明玻璃上。光阻挡部件220可以包括多个开口，所述开口面对象素电极191的分区191a和191b并且可以具有与分区191a和191b实质上相同的形状。另外，光阻挡部件220可以包括相应于数据线171的倾斜部分的倾斜线性部分、相应于数据线171的纵向部分的纵向部分、以及相应于TFT的其它部分。
多个红色、绿色和蓝色滤色器230形成在衬底210上，并且它们实质上被布置在由光阻挡部件220围绕的区域中。滤色器230可以实质上沿着象素电极191的纵向延伸。
保护层250形成在滤色器230上，而优选由透明导电材料如ITO和IZO制成的公共电极270形成在保护层250上。保护层250可以被省略。
多个突起240形成在公共电极270上。每个突起240具有平行于象素电极191的分区191a和191b的长边缘的主边缘，并且它可以具有倾斜的侧表面。突起240设置在象素电极191的分区191a或191b的中心附近并且与分区191a或191b的相对长边缘间隔开，以便它将分区191a或191b分成左半部分和右半部分。突起240被提供用于控制LC层300中LC分子310的倾斜方向，并且优选具有范围约在5-10微米之间的宽度。突起240的端部可以具有各种各样的形状。
均匀的或同型的排列层(alignment layer)21被涂覆在公共电极270上。
一对偏光器(未示出)提供在面板100和200的外表面上，使得它们的透射轴交叉而且透射轴中的一个平行于栅极线121。
LCD可以进一步包括至少一个用于补偿LC层300的延迟的延迟薄膜。
LC层300中的LC分子310被排列，使得它们的长轴垂直于面板100和200的表面。然而，在突起240的倾斜表面附近的LC分子310的长轴正交于倾斜表面并且因此它们相对于面板100和200的表面倾斜。液晶层300具有负的介电各向异性。
由于公共电压加到公共电极270以及数据电压加到象素电极191，产生了实质上正交于面板100和200表面的主电场。响应于该电场，LC分子310倾向于改变它们的方向以便它们的长轴正交于场方向。由于在突起240附近的LC分子310预倾斜，大多数LC分子310的倾斜方向被预倾斜方向确定并且它们正交于突起240的长度方向。另外，象素电极191的分区191a和191b的边缘扭曲了主电场，以便具有影响LC分子310的倾斜方向的水平分量。由于产生的主电场的水平分量与平行于突起240延伸的象素电极191的边缘正交，所以它与被突起240确定的倾斜方向相一致。因此，具有不同倾斜方向的四个域被形成在LC层300中。
同时，由于象素电极191之间的电压差，副电场(secondary electric field)的方向与象素电极191a和191b的边缘正交。因此，副电场的电场方向也与被突起240确定的倾斜方向一致。从而，象素电极190之间的副电场加强了LC分子310的倾斜方向。
由于LCD执行反转(inversion)，如点反转、行反转等等，相邻的象素电极被提供与公共电压极性相反的数据电压，并且因此相邻象素电极之间的副电场几乎总被产生以增强域的稳定性。
由于所有域的倾斜方向与栅极线121约成45度角，栅极线121平行于或正交于面板100和200的边缘，并且倾斜方向和偏振器的透射轴的45度相交赋予最大的透射，偏振器能被连接以便偏振器的透射轴平行于或正交于面板100和200的边缘并且它减少了生产成本。
由于弯曲，增加的数据线171的电阻能通过加宽数据线171来补偿，因为由于数据线171宽度的增加造成电场的变形和寄生电容的增加能够通过将象素电极191的尺寸最大化和通过采用厚有机钝化层来补偿。
由于一对TFT和象素电极191的一对分区191a和191b分别对称于栅极电极124和数据线171排列，数据线171和象素电极191之间以及栅极电极124和漏极电极175a和175b之间的寄生电容保持恒定，并且镜头之间的亮度差异被减少。
突起240可以用形成在公共电极270上的多个切口(未示出)来替代，因为LC分子310的倾斜方向也能被切口产生的边缘场所控制。切口的宽度优选是在约9-12微米的范围内。
现在将详细描述根据本发明一个实施例的图1和2中所示的TFT阵列面板的制造方法。
包括多个栅极电极124的多个栅极线121和包括多个存储电极133a和133b的多个存储电极线131形成在如透明玻璃的绝缘衬底110上。
当栅极线121和存储电极线131具有包括下导电薄膜和上导电薄膜的双层结构时，下导电薄膜优选由具有好的物理和化学特性的材料如Mo或Cr合金制成，而上导电薄膜优选由铝或含铝金属制成。
在顺续沉积厚度约为1500-5000的栅极绝缘层140、厚度约为500-2000的本征a-Si层、以及厚度约为300-600的含杂质a-Si层之后，含杂质a-Si层和本征a-Si层被光蚀刻，从而在栅极绝缘层140上形成多个含杂质半导体岛和多个本征半导体岛154。
随后，形成包括多个源极电极173和多个漏极电极175a和175b的多个数据线171。
其后，将没有被数据线171和漏极电极175a和175b覆盖的含杂质半导体岛部分移除，以便完成多个欧姆接触岛163和165并且暴露本征半导体岛154的一部分。为了稳定半导体岛154的暴露表面，优选地随后进行氧等离子体处理。
通过涂敷光敏有机绝缘材料如丙烯基材料来形成钝化层180。
在沉积钝化层180之后，钝化层180和栅极绝缘层140被构图以便形成多个接触孔181、185a、185b和182，分别暴露栅极线121的端部129、漏极电极175a和175b、以及数据线171的端部179。
最后，通过溅射和光蚀刻厚度约为400-500的IZO或ITO层，在钝化层180上形成多个象素电极191和多个辅助接触81和82。
将参照附图3和4详细描述根据本发明另一个实施例的用于LCD的TFT阵列面板。
图3是根据本发明另一个实施例的LCD的布局图，而图4是沿着图3中IV-IV′线的LCD截面图。
如图3和4所示，根据本实施例的LCD的TFT阵列板的层状结构几乎与图1和2中所示的结构相同。即，包括多个栅极电极124的多个栅极线121和包括多个存储电极133a和133b的多个存储电极线131形成在衬底110上。在其上顺序形成栅极绝缘层140、多个半导体条带152和多个欧姆接触条带和岛163、165a和165b。包括多个源极电极173和多个漏极电极175a和175b的多个数据线171形成在欧姆接触163和165上，并且在其上形成钝化层180。在钝化层180和栅极绝缘层140中提供多个接触孔181、185a、185b和183，并且在钝化层180上形成包括多对分区191a和191b和多个辅助接触81和82的多个象素电极191。最终，在象素电极191和钝化层180上形成排列层11。
另外，根据本实施例的LCD的公共电极面板的层状结构与图1和2中显示的几乎一样。即，光阻挡部件220、多个红绿和蓝滤色器230、保护层250、公共电极270、和多个突起240以及排列层21顺序地形成在绝缘衬底210上。
与图1和2显示的TFT阵列板不同的是，根据本实施例的TFT阵列板沿着数据线171延伸半导体152和欧姆接触163。
除了TFT的沟道部分154外，半导体条带152具有与数据线171和漏极电极175a和175b以及下面的欧姆接触163和165差不多相同的平面形状。
而且，象素电极191的一对分区191a和191b相互断开。
根据一个实施例的TFT阵列面板的制造方法利用一个光刻工艺同时形成数据线171、漏极电极175a和175b、半导体152、以及欧姆接触163和165。用于光刻工艺的光刻胶图案具有取决于位置的厚度，尤其是，它具有位于TFT沟道上的较小厚度的部分。因此，为简化制造工艺可省略光刻工艺。
上述图1和2所示的LCD的许多特征可适用于图3和4所示的LCD。
将参照图5和6详细描述根据本发明又一个实施例的LCD。
图5是根据本发明又一个实施例的LCD布局图，图6显示了沿着图5中的VI-VI′线的LCD截面图。
如图5和6所示，根据本实施例的LCD的TFT阵列面板的层状结构与图1和2中所示的几乎相同。即，包括多个栅极电极123的多个栅极线121和包括多个存储电极133的多个存储电极线131形成在衬底110上。在其上顺序地形成栅极绝缘层140、多个半导体岛154和多个欧姆接触岛163和165。包括多个源极电极173和多个漏极电极175的多个数据线171形成在欧姆接触163和165上，并且在其上形成钝化层180。在钝化层180和栅极绝缘层140上提供有多个接触孔182、185和183，并且多个象素电极190和多个辅助接触192和199在钝化层180上形成。最终，在象素电极191和钝化层180上形成排列层11。
另外，根据该实施例的LCD的公共电极面板的层状结构与图1和2中显示的几乎一样。即，光阻挡部件220、保护层250、公共电极270、和多个突起240以及排列层21顺序地形成在绝缘衬底210上。
与图1和2显示的TFT阵列板不同的是，形成象素电极191的一对分区191a和191b在顶部和底部互相连接，以便在分区191a和191b之间的间隙形成切口91。而且，每个象素电极191被一对相邻的数据线171和一对相邻的栅极线121围绕，并且一对栅极线121和数据线171只定义位于象素电极191拐角附近的一个TFT。因此，在包括象素电极191和TFT的象素区域中不存在对称结构。
另外，该存储电极线131包括多对在两条栅极线121附近设置的横向干部和连接成对横向干部的多个存储电极134。提供有公共电压的存储电极134沿着象素电极191的切口91延伸以交迭切口91，以便增强由切口91产生的边缘场。当不具有用于稳定控制LC分子310的排列的存储电极134的切口91的宽度优选地大于约10微米时，具有存储电极134的切口91的宽度可以减小到约5微米。因此，通过减小切口91的宽度可增加孔径比。
而且，在钝化层180的下面相对于象素电极190形成多个红、绿和蓝滤色器230。而在公共电极面板200上不存在滤色器230。接触孔185穿过滤色器230用于连接漏极电极175和象素电极191。相邻的两个滤色器230可互相交迭以增强对于光泄漏的防止。
该钝化层180可由有机绝缘材料或无机材料构成，或者它可以包括下部无机薄膜和上部有机薄膜。
该LC层300可处于扭曲向列模式，其中该LC分子310平行于面板100和200的表面排列，并从一个面板到另一个面板扭曲大约90度。
上述图1和2所示的LCD的许多特征可适用于图5和6所示的LCD。
根据本发明又一个实施例的用于LCD的TFT阵列面板将参照图7和8进行详细描述。
图7是根据本发明的另一个实施例的LCD布局图，并且图8显示了沿着图7中的VIII-VIII′线的LCD截面图。
如图7和8所示，根据该实施例的LCD的TFT阵列面板的层状结构几乎与图1和2中所示的相同。即，包括多个栅极电极124的多个栅极线121和包括多个存储电极133a和133b的多个存储电极线131形成在衬底110上。在其上顺序地形成栅极绝缘层140、多个半导体岛151和多个欧姆接触岛163、165a和165b。包括多个源极电极173和多个漏极电极175a和175b的多个数据线171形成在欧姆接触163和165上，并且在其上形成钝化层180。在钝化层180和栅极绝缘层140上提供有多个接触孔181、185a、185b和183，并且包括多对分区191a和191b和多个辅助接触81和82的多个象素电极191在钝化层180上形成。最终，在象素电极191和钝化层180上形成排列层11。
另外，根据该实施例的LCD的公共电极面板的层状结构与图1和2中显示的几乎一样。即，光阻挡部件220、多个红绿和蓝滤色器230、保护层250、公共电极270、和多个突起240以及排列层21顺序地形成在绝缘衬底210上。
与图1和2显示的TFT阵列面板不同的是，根据该实施例的TFT阵列面板没有提供图1所示的扩展端部分129。而该TFT阵列板可以包括和TFT一起在该板上形成的栅极驱动电路(未示出)，并且该栅极驱动电路连接至栅极线121。
另外，该存储电极线131包括位于两条相邻栅极线121附近的多对横向干部和连接成对横向干部的多个存储电极134和135。该存储电极134设置在数据线171和与其相邻的象素电极191之间，以便它们交迭象素电极的边缘。该存储电极135设置在相邻的象素电极191之间，以便它们交迭象素电极191的边缘。该象素电极191不与数据线171交迭以减小其间的寄生电容。该象素电极191关于数据线171对称，并由此能均匀保持象素电极191和数据线171之间的寄生电容，而与横向排列错误无关。因此，象素电极191的电压不会失真，因此可以防止LCD屏幕中的斑点。而且，在为分步重复光刻步骤划分的曝光区域之间不存在亮度差别，由此防止缝缺陷。
上述图1和2所示的LCD的许多特征可适用于图7和8所示的LCD。
将参照图9和10详细描述根据本发明又一个实施例的用于LCD的TFT阵列面板。
图9是根据本发明又一个实施例的LCD布局图，图10显示了沿着图9中的X-X′线的LCD截面图。
如图9和10所示，根据该实施例的LCD的TFT阵列面板的层状结构与图7和8中所示的几乎相同。即，包括多个栅极电极124的多个栅极线121和包括多个存储电极133a和133b、134和135的多个存储电极线131形成在衬底110上。在其上顺序地形成栅极绝缘层140、多个半导体岛151和多个欧姆接触岛163、165a和165b。包括多个源极电极173和多个漏极电极175a和175b的多个数据线171形成在欧姆接触163和165上，并且在其上形成钝化层180。在钝化层180和栅极绝缘层140上提供有多个接触孔181、185a、185b和183，并且包括多对分区191a和191b和多个辅助接触81和82的多个象素电极191在钝化层180上形成。最终，在象素电极191和钝化层180上形成排列层11。
另外，根据该实施例的LCD的公共电极面板的层状结构与图7和8中显示的几乎一样。即，光阻挡部件220、多个红绿和蓝滤色器230、保护层250、公共电极270、和多个突起240以及排列层21顺序地形成在绝缘衬底210上。
与图7和8显示的TFT阵列面板不同的是，根据该实施例的TFT阵列板在形成各个象素电极191的分区191a和191b之间提供分区连接器128，该分区连接器128用与栅极线121和存储电极线131相同的层制成，而不是用与象素电极191相同的层制成。为了提供该分区连接器128，存储电极134在分区连接器128附近断开，并且栅极绝缘层140和钝化层180具有一对接触孔188，该接触孔188暴露了跨过数据线171的分区连接器128的两个端部。分区191a和191b通过接触孔188连接至分区连接器128。
上述图7和8所示的LCD的许多特征也适用于图9和10所示的LCD。
将参照图11和12详细描述根据本发明又一个实施例的LCD的TFT阵列面板。
图11是根据本发明又一个实施例的LCD布局图，图12显示了沿着图11中的XII-XII′线的LCD截面图。
如图11和12所示，根据该实施例的LCD的TFT阵列面板的层状结构与图7和8中所示的几乎相同。即，包括多个栅极电极124的多个栅极线121和包括多个存储电极133a和133b、134和135的多个存储电极线131形成在衬底110上。在其上顺序地形成栅极绝缘层140、多个半导体条带152和多个欧姆接触条带和岛163、165a和165b。包括多个源极电极173和多个漏极电极175a和175b的多个数据线171形成在欧姆接触163和165上，并且在其上形成钝化层180。在钝化层180和栅极绝缘层140上提供有多个接触孔181、185a、185b和183，并且包括多对分区191a和191b和多个辅助接触81和82的多个象素电极191在钝化层180上形成。最终，在象素电极191和钝化层180上形成排列层11。
另外，根据该实施例的LCD的公共电极面板的层状结构与图7和8中显示的几乎一样。即，光阻挡部件220、多个红绿和蓝滤色器230、保护层250、公共电极270、和多个突起240以及排列层21顺序地形成在绝缘衬底210上。
与图7和8显示的TFT阵列面板不同的是，根据该实施例的TFT阵列板沿着数据线171延伸半导体152和欧姆接触163。
除了TFT的沟道部分154，该半导体条带152具有与数据线171和漏极电极175a和175b以及下层欧姆接触163和165几乎相同的平面形状。
而且，象素电极191的一对分区191a和191b相互断开。
根据一个实施例的TFT阵列面板的制造方法利用一个光刻工艺同时形成数据线171、漏极电极175a和175b、半导体152、以及欧姆接触163和165。用于光刻工艺的光刻胶图案具有由位置决定的厚度，尤其是，它具有在TFT沟道上厚度较小的部分。结果，为简化制造过程，可省略光刻工艺。
上述图7和8所示的LCD的许多特征适用于图11和12所示的LCD。
尽管已经参照优选实施例对本发明进行了详细描述，本领域技术人员可以理解，在不脱离附加权利要求陈述的本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种修改和替换。

Claims (37)

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的第一信号线；
第二信号线，其形成在所述衬底上并且具有与所述第一信号线相交的相交部分和连接到该相交部分的弯曲部分；
连接到所述第一和第二信号线的第一薄膜晶体管；以及
连接到所述第一薄膜晶体管的象素电极，包括第一和第二分区，并且沿着所述第二信号线的所述弯曲部分弯曲。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第二信号线的所述弯曲部分包括相互连接并与所述第一信号线呈约45度角的一对直线部分。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括连接到所述象素电极的所述第二分区上的第二薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管连接到所述象素电极的所述第一分区。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第一和第二分区关于所述第二信号线彼此相对布置，并且所述第一和第二薄膜晶体管关于所述第二信号线彼此相对布置。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括连接所述第一分区和所述第二分区的连接器。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述连接器与所述第二信号线的所述弯曲部分的弯曲点相交。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述连接器包括与所述象素电极相同的层。
8.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述连接器包括与所述栅极线相同的层。
9.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述连接器设置在所述第二信号线的所述相交部分附近并且包括与所述象素电极相同的层。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述象素电极的边缘与所述数据线交迭。
11.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述象素电极的所述第一分区和所述第二分区之间有一间隙，并且该间隙平行于所述第二信号线延伸。
12.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述间隙与所述第二信号线交迭。
13.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括与所述第一和第二信号线分离的第三信号线，该第三信号线具有与所述象素电极或与被连接到所述象素电极上的所述第一薄膜晶体管的部分相交迭的部分。
14.如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第三信号线进一步包括一设置在所述象素电极的所述第一或第二分区的至少边缘附近的分支。
15.如权利要求14所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述象素电极的第一或第二分区的至少边缘与所述第三信号线的所述分支交迭。
16.如权利要求14所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述象素电极的所述第一分区和所述第二分区之间具有一间隙，并且该间隙平行于所述第二信号线延伸。
17.如权利要求16所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述间隙与所述第三信号线的所述分支交迭。
18.如权利要求17所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括一连接所述象素电极的所述第一分区和所述第二分区的连接器，并且所述分支与该连接器间隔开。
19.如权利要求14所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述象素电极和所述第二信号线之间具有一间隙，并且该间隙平行于所述第二信号线延伸。
20.如权利要求19所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第三信号线的所述分支设置在所述象素电极和所述第二信号线之间并且与所述象素电极的边缘交迭。
21.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
衬底；
形成在所述衬底上并且包括栅极电极的栅极线；
形成在所述栅极线上的栅极绝缘层；
形成在所述栅极绝缘层上的半导体层；
数据线，具有相交于所述栅极线的相交部分和连接到该相交部分的弯曲部分并且包括至少部分地形成在所述半导体层上的源极电极；
第一漏极电极，至少部分地形成在所述半导体层上并且与所述源极电极相对设置；
形成在所述半导体层上的钝化层；以及
连接到所述第一漏极电极上的象素电极，其包括第一和第二分区，并且具有与所述数据线相邻且沿着该数据线弯曲的边缘。
22.如权利要求21所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述数据线的所述弯曲部分包括相互连接并且与所述栅极线呈约45度角的一对直线部分。
23.如权利要求21所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括与所述栅极线和所述数据线分离的存储电极线，该存储电极线实质上平行于所述栅极线延伸，并且包括具有与所述第一漏极电极交迭的增加面积的存储电极。
24.如权利要求21所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括连接到所述象素电极的所述第二分区的第二漏极电极，其中所述第一漏极电极被连接到所述象素电极的所述第一分区。
25.如权利要求24所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第一和第二分区关于所述数据线彼此相对设置，且所述第一和第二漏极电极关于所述数据线彼此相对设置。
26.如权利要求25所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括与所述栅极线和所述数据线分离的存储电极线，该存储电极线实质上平行于所述栅极线延伸，并且包括与所述象素电极的所述第一或第二分区的边缘交迭的存储电极。
27.如权利要求25所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括连接所述第一分区和所述第二分区的连接器。
28.如权利要求27所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述连接器包括与所述象素电极相同的层。
29.如权利要求27所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述连接器包括与所述栅极线相同的层并且与所述数据线相交。
30.如权利要求21所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述数据线设置在所述象素电极的外边缘附近。
31.如权利要求21所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括设置在所述钝化层下面并且沿着所述第二信号线的所述弯曲部分弯曲的滤色器。
32.一种液晶显示器，包括：
第一衬底；
形成在所述第一衬底上的第一信号线；
第二信号线，形成在所述第一衬底上并且具有与所述第一信号线相交的相交部分和连接到该相交部分的弯曲部分；
连接到所述第一和第二信号线的薄膜晶体管；
象素电极，连接到所述薄膜晶体管并且包括第一和第二分区；
面对所述第一衬底的第二衬底；
形成在所述第二衬底上的公共电极；
插在所述第一衬底和所述第二衬底之间的液晶层；以及
域定义部件，该部件将所述液晶层划分成多个域，每个域具有平行于所述第二信号线的所述弯曲部分的两个主边缘。
33.如权利要求32所述的液晶显示器，进一步包括与所述第一和第二信号线分离的第三信号线，该第三信号线与所述象素电极交迭以便形成存储电容器，并且包括平行于所述第二信号线延伸的分支。
34.如权利要求32所述的液晶显示器，其中所述液晶层具有负的介电各向异性并且实质上正交于所述第一和第二衬底的表面排列。
35.如权利要求32所述的液晶显示器，其中所述液晶层具有正的介电各向异性并且实质上平行于所述第一和第二衬底的表面排列并且从所述第一衬底到所述第二衬底扭曲。
36.如权利要求32所述的液晶显示器，其中所述域定义部件包括设置在所述公共电极上的突起。
37.如权利要求32所述的液晶显示器，其中所述域定义部件包括形成在所述公共电极或所述象素电极上的切口。
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