CN1514436A - 光记录媒体 - Google Patents

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CN1514436A
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CN
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optical recording
record
recording media
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̫
大林元太郎
信正均
薙野邦久
广田草人
网冈孝夫
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Abstract

一种通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除，在纹间表面和沟纹两方形成记录符号来进行记录的光记录媒体，其特征在于所述的记录媒体至少具有基板/第1电介质层/记录层/第2电介质层/光吸收层/反射层，其沟纹深度形成重放光波长的1/7以上1/5以下的光路长，并且记录层的非结晶部分和结晶部分的光吸收率由式Aa－Ac≤10％表示，其中Aa表示记录层的非结晶部分的光吸收率(％)，Ac表示记录层的结晶部分的光吸收率(％)。

Description

光记录媒体
本发明是专利申请号为No.96106054.9的母案申请的分案申请，该母案的申请日是1996年3月28日，在先申请号和在先申请日分别是：JP95-69954，1995年3月28日；JP95-344200，1995年12月28日；JP95-214784，1995年8月23日。
技术领域
本发明涉及能够用光的照射进行信息的记录、抹除、重放的光信息记录媒体以及光信息记录媒体的记录方法，特别是涉及具有记录信息的抹除、重写功能，并能高速且高密度地记录信息信号的光盘、光卡、光记录带之类的可重写的相变型光记录媒体以及该记录媒体的高密度记录方法。
背景技术
下面来说明原来的可重写的相变型光记录媒体的技术以及对该记录媒体的记录方法的技术。
这些光记录媒体设置有以Ge、Sb、Te为主要成分的记录层。在记录时，把经聚焦的激光脉冲短时间照射在结晶状态的记录层上，使记录层局部熔融，被熔融的部分经热扩散急剧冷却、固化，形成非结晶状态的记录符号。这种记录符号的光反射率比结晶状态的反射率低，能够作为记录信号光学地重放出来。
在抹除时，把激光照射在记录符号部分上，该部分被加热到记录层的熔点以下结晶温度以上的温度，使非结晶状态的记录符号结晶化，还原为原来的未记录状态。
在将这些Te合金作为记录层的光记录媒体中，结晶化速度快，将照射功率仅调制成所谓写入记录符号的记录功率和所谓抹除前述记录符号的抹除功率，圆形光束是可能进行高速重写的(T.Obta等，Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1989 p49-50)。通常，在这些具有记录层的光记录媒体上，记录层的两面设置有具有耐热性和透光性的电介质层，用以防止记录时发生记录层的变形和裂口。在光束入射的反方向上还设置有Al等的具有反光性的金属反射层，用光学干涉效应来改善重放时的信号对比度，同时用其对记录层的冷却效果使之容易形成非结晶状态的记录符号，而且，可以改善抹除特性和重复特性，这些都是公知的技术。
特别是把记录层和记录层与反射层之间的电介质层的厚度各自减薄到大约20nm的所谓「速冷结构」与把电介质层加厚到大约200nm的所谓「除冷结构」相比，由于反复的重写导致的记录特性的劣化很少，而且，抹除功率的范围也宽。以光盘为例作为这些可重写型的相变光记录媒体，预先在光盘的基板上刻上沟纹，形成纹间表面和沟纹。现在的普通光盘只把激光束聚焦在纹间表面内或沟纹内的某一方，来记录、重放信号。
为了增大这种光盘的记录容量，原来是把纹间表面或沟纹的宽度缩窄，来缩小数据轨迹间隔，可是，由于缩小数据轨迹间隔时沟纹的反射光的衍射角变大，会出现降低高精度跟踪数据轨迹上的聚焦光点的寻迹误差信号的问题。在减小纹间表面或沟纹宽度时，由于记录凹坑的宽度变窄，还会产生重放信号幅度下降的问题。另一方面，为了增大记录容量而把信号记录在纹间表面和沟纹两条数据轨迹上的技术也已公知(日本专利JP-B-63-5789号公报)。但是，在把信号记录在纹间表面和沟纹两条数据轨迹上时，所存在的问题是(1)来自相邻轨迹的信号的串漏(串音)增大，发生重放信号的劣化，差错率增加；(2)纹间表面和沟纹的重放信号的幅度差变大，使数据检出困难；(3)记录时，已记录的相邻数据轨迹的记录符号会被抹除掉(交叉抹除)。
另外，原来这种光盘是用凹坑区记录，可是，近年来越发要求记录媒体的高密度化，在符号边缘记录信息来替代凹坑区记录就能实现更高密度的记录，从而要采用边缘记录。
可是，在边缘记录中，与凹坑区记录相比，必须形成长的记录符号，而在长记录符号的后部，由于记录膜的余热效果会使记录符号的宽度加宽，从而破坏了记录符号的前后对应性，即出现所谓泪状失真的问题。这样，记录符号的失真就使重放信号失真，其结果就构成增大不稳定性的原因。
作为解决这种问题的手段有一种方案(日本公开专利JP-A-3-35425等)，是把一个记录脉冲分割为多个记录脉冲(以下称为脉冲串)。另外，在脉冲串中，记录脉冲系列最后的脉冲之后，照射比抹除功率更小的半个窗口的宽度的脉冲的技术也已经公知(第5届相变记录研究会讨论会讲稿集P86，1993)。
但是，一般说来，因为相变光记录媒体中所记录的非结晶状态的符号的反射率低，与未被记录的结晶状态的反射率存在差别，所以，记录膜的光吸收量的差别就增大。因此，根据重写记录前的状态是结晶状态还是非结晶状态的符号来产生记录时的温升状态的差。即使进行用脉冲串的边缘记录，由于记录时在长记录符号终端所达到的温度变高，也容易引起这种现象。当记录线速度变快时尤为显著，按照重写前的状态最高达到的温度产生差别，从而使记录膜的冷却速度发生变化。因此，新记录的符号受到前面记录符号的调制，这就成了符号末端的抖动特性和抹除特性受到限制的主要原因。也就是说，即使用脉冲串也不能抑制重写时的记录符号的失真。
而且，即使在脉冲串最后的脉冲之后加上半个窗口宽的比抹除功率小的脉冲，重写时的记录符号末端部分的抖动特性也不是很好。
发明内容
本发明的目的是为解决前述的原来的光记录媒体的问题，而提供一种光记录媒体，这种记录媒体能够在使用纹间表面和沟纹两种记录轨迹的记录方法中轨距不比原来的宽，且无需为降低串漏量而设置特殊的光学***和信号处理电路就能降低串音量，得到几乎相同的纹间表面和沟纹的重放信号，而且能够减少交叉抹除。
本发明还有一个目的是提供一种记录灵敏度高、而且信噪比、抹除率等记录特性都优越的光记录媒体。
本发明的另一个目的是提供一种没有上述的符号末端的失真，而且抖动特性优越的边缘记录的记录方法。
本发明的进一步的其他目的是提供一种耐酸性、耐湿热性优越，且即使长期保存也不发生缺欠的长寿命的光记录媒体。
本发明涉及通过非结晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层；镜面部分的结晶状态的反射率大于15％而小于35％。
本发明涉及通过非结晶相和结晶相间的相变化来进行信息的记录和抹除并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层；镜面部分的非结晶状态的反射率小于10％。
本发明涉及通过非结晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层；镜面部分的非结晶状态的反射率小于10％；镜面部分的结晶状态的反射率大于15％而小于35％。
本发明涉及通过非结晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除并在纹间表面和沟纹两方形成记录符号来进行记录的光记录媒体，其特征在于所述的记录媒体至少具有记录层，其沟纹深度形成重放光的波长的1/7以上1/5以下的光路长，记录层的非晶相时的光吸收率和结晶相时的光吸收率由下式(6)表示：
式(6)
      Aa-Ac≤10％
其中Aa表示记录层的非晶相时的光吸收率(％)，Ac表示记录层的结晶时的光吸收率(％)。
本发明涉及通过非结晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层，而且至少记录层含有氮，镜面部分的非结晶部分的反射率是10％以下。
本发明涉及通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层，而且至少记录层含有氮，镜面部分的结晶状态的反射率大于15％而小于35％。
本发明涉及通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除并在纹间表面和沟纹两方进行记录的光记录媒体，其特征在于至少具有记录层、电介质层和反射层，而且至少记录层含有氮，镜面部分的非结晶部分的反射率是10％以下；且镜面部分的结晶部分的反射率大于15％小于35％。
本发明涉及一种记录方法，是用多个脉冲序列构成的记录脉冲将记录功率照射在由非结晶相和结晶相之间的相变化进行信息的记录和抹除的光记录媒体上，从而至少形成最短的符号以外的记录符号的边缘记录的记录方法，其特征在于在所述记录脉冲序列的最后的脉冲的后面设置照射比抹除功率还小的功率的脉冲，该脉冲的宽度大于0.6倍的窗口宽度而小于窗口宽度的3倍，并用这些脉冲序列进行记录。
一种记录方法，是用多个脉冲序列构成的记录脉冲将记录功率照射在由非结晶相和结晶相之间的相变化进行信息的记录和抹除的光记录媒体上，从而至少形成最短的符号以外的记录符号的进行边缘记录的记录方法，其特征在于用该记录符号的长度和该记录符号的与紧接在前的记录符号之间的间隔这样两个参数来决定记录脉冲的最前面的脉冲的位置；或/和用该记录符号的长度和该记录符号与紧接其后记录的记录符号之间的间隔这样两个参数来决定记录脉冲的最后的脉冲的位置；还在所述记录脉冲序列的最后的脉冲的后面设置照射比抹除功率小的功率的脉冲，该脉冲的宽度大于0.6倍的窗口宽度而小于窗口宽度的3倍，并用这些脉冲序列进行记录。
一种记录方法，在用非晶相与结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除的光记录媒体上，用由多个脉冲序列构成的记录脉冲照射记录功率，至少形成最短的符号以外的记录符号，来进行边缘记录，其特征在于在前述记录脉冲序列的最后的脉冲的后面还设置照射比抹除功率小的功率的脉冲，该脉冲的宽度是大于窗口宽度的1.1倍小于其6倍，该方法用这些脉冲序列进行记录。
以下按顺序来进行说明。
因为用本发明的光记录媒体，其记录灵敏度高，信号的对比度高，而且可以减少串漏，所以镜面部分结晶状态的反射率必须大于15％而小于35％。在镜面部分的结晶状态的反射率大于35％的情况下，记录灵敏度会变低，进行记录、抹除的光的照射功率不足，高速旋转下就难以进行记录，来自邻近轨迹的记录部分的串漏就增大。而在结晶部分的反射率小于15％的情况下，与记录符号的非结晶部分的反射率的差就小，重放时的信号对比度就变小。鉴于此，结晶状态的镜面部分的反射率最好是大于25％而小于30％。
在此，所谓镜面部分是指不形成沟纹和预制凹坑的镜面部分，通过测定镜面部分的反射率能在不影响沟纹和预制凹坑的情况下正确地测定出光记录媒体上的反射率。
而且，镜面部分的非结晶状态的反射率最好是小于10％。在镜面部分的非结晶部分的反射率大于10％的情况下，重放时容易把邻接的轨迹的信号读出来，使串漏量增大，发生重放信号的劣化，结果会使差错率增加。另外，如果镜面部分的非结晶状态的反射率大于5％，那么形成记录符号的轨迹的伺服机构就稳定，所以，该反射率最好大于5％而小于10％。为了得到上述的记录符号的非结晶部分和结晶部分的大的反射率差，而且使重放时的信号的对比度满意，镜面的非结晶状态的反射率小于10％，最好在5％到10％之间；镜面部分的结晶状态的反射率为大于15％而小于35％，最好是大于15％而小于30％。
为了使纹间表面和沟纹的重放信号的幅度相同，并降低信号串漏，最好使非结晶状态的反射光和结晶状态的反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2n          π+2π/3而小于2nπ+4π/3。当相位差在前述的范围之外，纹间表面和沟纹的幅度差就变大，进而信号串漏也变大。若相位差大于2nπ-0.2π而小于2nπ+0.2π，或大于2nπ+0.8π而小于2nπ+1.2π就更好，因为这时的重放信号的幅度变得特别大。其中，上述的n表示整数。另外，最好是使相位差大于2nπ+0.8π而小于2nπ+1.2π，因为这时重放信号的幅度变得更大。
从降低信号串漏的角度出发，最好把本发明的光记录媒体中的沟纹深度作成重放光的波长的1/7以上1/5以下的光路长。在沟纹深度不足重放光的波长的1/7的光路长或超过1/5的光路长的情况下，信号串漏就变大，很难正确地进行重放。而且，最好是沟纹深度大于重放波长的1/7而小于其1/5的光路长，并且镜面部分的非结晶部分的反射率在10％以下，或/和镜面的结晶部分的反射率大于15％而小于35％，因为这样能够得到信号串漏低的光记录媒体。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹的重放信号的幅度一致。而且，为了在进行边缘记录时把抖动量控制在要求的值以内，记录层的非结晶时的光吸收率(Aa)和结晶时的光吸收率(Ac)之差最好是用下式(6)来表示。
式(6)           Aa-Ac≤10％
如果不是这样，而是Aa大于Ac超过10％的情况下，非结晶部分的吸收率就比结晶部分的吸收率太大，即使用同样光通量的光照射两个部分，结晶部分的温升也相当慢。但是一旦达到熔点，由于在结晶部分吸收潜热的时侯温升中断，但非结晶部分继续温升，所以两部分的温度差进一步变大，熔融后，由于两部分之间不存在状态差，得到同样的光吸收，其间的温差被保持住。因此，不像式(6)那样设定吸收率的情况下，两部分所达到的温度差异就大，其结果是重写所记录的符号受以前的状态的影响，并形成差异大的符号。也就是说形成失真大的符号，抖动量变大，因此，最好把吸收率设定在式(6)的范围内。而且，最好是镜面部分的非结晶部分的反射率在10％以下，或/和镜面的结晶部分的反射率大于15％而小于35％，因为这样能够得到抖动小而且信号串漏低的光记录媒体。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹的重放信号的幅度一致。
作为第1、第2电介质层的折射率值，由于光学的干扰效应，为取得重放时足够的信号对比度，最好在1.5～2.4的范围。折射率的值小于1.5时，则重放时的信号对比度不充分。另外，当折射率的值大于2.4时，反射率的对于电介质的膜厚的依存性则增大。
通常，为了使第1电介质层难以从基板以及记录层上剥离下来，并且不易产生裂纹之类的缺欠，其厚度最好大于50nm，而且，从制造成本和制造时的膜厚误差来考虑，通常，其厚度最好小于大约300nm。
控制反射率的方法采用哪种方法都可以，例如可以控制第1电介质层的折射率和厚度来控制反射率。例如使用聚碳酸酯或玻璃之类的透明基板时，基板的折射率约为1.5，第1电介质层的折射率约为1.5～2.4，为了由它们产生的光学干涉效果使镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％，且镜面部分的非结晶部分的反射率在10％以下，第1电介质层的光路长n1·d1最好是处在下式表示的范围内。
式(18)    (N/4-0.1)λ≤n1·d1≤(N/4+0.1)λ
          1.5≤n1≤2.4
(这里，n1是第1电介质层的折射率，d1是第1电介质层的厚度(nm)，λ是光波长(nm)。N是1或3)。
另外，可以通过记录层中含氮来控制反射率，用记录层所含氮原子的浓度来控制反射率。记录层的构成最好是使其氮原子的浓度大于0.1％而小于10％，在把这个范围内的氮原子导入记录层情况下，由于与不导入氮原子的情况下相比，记录层的热传导率低，所以投入到记录层的热向外部散掉的少，能够用更低的：功率写入。
记录层中的氮原子的浓度大于10％的情况下，反射率过低，使反射量不足，所以难以使聚焦合适；氮原子的浓度低于3.5％更好，当氮原子的浓度超过3.5％时，噪声变大，C/N低。另外，在记录层的氮原子似的浓度小于0.1％时，达不到向记录层中导入氮原子而使反射率变化的效果，氮原子的浓度最好在1％以上。
第2电介质层的厚度大约为1～250nm，但最好是大约为1～50nm，因为这时的达到良好抹除率的抹除功率的范围宽。如果第2电介质层的厚度大于50nm，就得不到速冷结构的特征，当其厚度在1nm以下时，反复记录时的记录特性显著劣化。第2电介质层的光路长度n2·d2最好处在用下式所表示的范围内。
式(19)
      λ(1/50)≤n2·d2≤λ(1/10)
      1.5≤n2≤2.4
(其中n2表示第2电介质层的折射率，d2表示第2电介质层的厚度(nm)，λ表示光的波长(nm))。
在式(19)中，n2·d2小于λ(1/50)或大于λ(1/10)的范围内的情况下，结晶部分和非结晶部分的对比度都非常难取，而且，在小于λ(1/50)的情况下，由于重复耐久性降低，所以最好是处在由上式表示的范围内。为了得到充分的重放信号，而且为了降低信号串漏，最好是n2·d2处在上述的范围内，并且镜面部分的非结晶部分的反射率低于10％，或/和镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹的重放信号的幅度一致。
因为容易制成速冷结构而提高了重复耐久性，所以其构成被取为例如基板/第1电介质层/记录层/第2电介质层/反射层的4层结构。
最好构成至少具有第1电介质层、记录层和光吸收层的结构，因为这种结构能够控制记录层非结晶时的光吸收率和结晶时的光吸收率，还能够降低重写时的抖动。若有上述的功能，则在光记录媒体的结构层中至少有一层不能形成有该功能的层或者不介意形成独立且新的设置层，光吸收层由于光吸收能引起发热，最好独立地设置新的光吸收层，这在设计光盘结构上是容易的。例如，由于容易制成速冷结构而提高了重复耐久性，且降低重写时的抖动，所以，其构成被取未基板/第1电介质层/记录层/第2电介质层/光吸收层/反射层的5层结构。在设置光吸收层的情况下，不一定必需设置反射层，但从灵敏度的调整和对比度的观点出发，最好设置反射层。光吸收层具有通过其热传导率及比热等来控制记录层冷却的功能，这种功能控制记录层所吸收的热向相邻轨迹方向的热扩散，还能减小对存在于相邻轨迹的符号的影响(例如交叉抹除)。所以，最好增加设置光吸收层，而且镜面部分的非结晶部分的反射率低于10％，和/或镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％，因为这样能够减小重写时的抖动，并提高交叉抹除的耐久性，而且能得到串漏低的光记录媒体。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹的重放信号的幅度一致。
作为这种光吸收层的材料，虽然不作特别的限定，但是，最好从Ti、Zr、Hf、Cr、Ta、Mo、Mn、W、Nb、Rh、Ni、Fe、Y、V、Co、Cu、Zn、Ru、Pb、镧系元素、Te中选出的至少一种以上的金属、混合物或它们的合金，因为这些物质的耐热性、强度、耐腐蚀性优良。即使在设置光吸收层的情况下，从热传导率来考虑，第2电介质层的厚度较好的是1nm～50nm，最好的范围是1nm～30nm。
用Si或/和Ge构成的合金作为光吸收层特别好，为了抑制光学性能的劣化，而提高保存的稳定性，最好是用具有氧化物的生成热的绝对值比Si或/和Ge大的一种以上的金属和Si或/和Ge构成的合金，这时，Si或/和Ge合金中的金属最好是Be、Al、Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Re、Os、Ir、Pt、Au。其中，Zr、Ti、Hf更好，因为从保存的稳定性来考虑，它们的性能优良。实际上，这种光吸收层材料的结晶构造实际上最好是非晶质的。具有结晶构造时，会发生相分离，而群集在膜上，由于符号记录时的温升而引起结构相转移，这就可能构成由此而引起的膜老化等的重写重复性下降的原因。另外，为了得到重复耐久性高，且串漏低的光记录媒体，最好采用这种构成，并且镜面部分的非结晶部分的反射率低于10％，和/或镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹的重放信号的幅度一致。
本发明的记录层的材料是结晶状态和非结晶状态的至少两种状态的Te为主要成分的硫化物。作为本发明的记录层，不作特别的限定，有Ge-Sb-Te合金、Pd-Ge-Sb-Te合金、Nb-Ge-Sb-Te合金、Pt-Ge-Sb-Te合金、Au-Ge-Sb-Te合金、Ag-Ge-Sb-Te合金、Ni-Ge-Sb-Te合金、Co-Ge-Sb-Te合金、Pd-Nb-Ge-Sb-Te合金、In-Sb-Te合金、Ag-In-Sb-Te合金、In-Se合金。为了能够进行多次记录的重写，较好的是Pd-Ge-Sb-Te合金、Nb-Ge-Sb-Te合金、Pd-Nb-Ge-Sb-Te合金、Ni-Ge-Sb-Te合金、Ge-Sb-Te合金、Co-Ge-Sb-Te合金。特别是Pd-Ge-Se-Te合金、Pd-Nb-Ge-Sb-Te合金最好，因为抹除时间短，且能够进行多次记录和重复抹除，同时还具有优良的C/N、抹除率等记录特性，尤其是，最好采用Pd-Nb-Ge-Sb-Te合金，因为它具有前述的那些优良的特性。最好如下式那样来设定记录层，因为这种记录层能够进行多次记录重写。
式(20)
     Mα(SbxTel-x)1-y-α(Ge0.5Te0.5)y
     0.4≤x≤0.6
     0.3≤y≤0.5
     0≤α≤0.05
(其中x，y，α表示克分子量比。M包含Pd、Nb、Pt、Au、Ag、Ni、Co的至少一种)。
另外，y值最好大于0.3而小于0.4，因为这时的重写时的重复耐久性高，而且非结晶状态的热稳定性也高。作为α的值，最好大于0.001而小于0.01，因为这时的结晶速度快，重复耐久性好大于0.001而小于0.01，因为这时的结晶速度快，重复耐久性高，而且非结晶状态的热稳定性也高。另外，为了得到C/N特性优良，且串漏低的光记录媒体，最好采用这种构成，并且镜面部分的非结晶部分的反射率低于10％，和/或镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹的重放信号的幅度一致。
记录层的厚度是10～40nm，不足10nm，结晶部分和非结晶部分反射率的对比度就不充分；如果记录层的厚度大于40nm的话，由于记录层的热传导大，而使交叉抹除性能变坏。为了得到结晶部分和非结晶部分反射率的对比度充分、交叉抹除的耐久性高且串漏低的光记录媒体，记录层的厚度最好是10～40nm，并且镜面部分的非结晶部分的反射率低于10％，和/或镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹重放信号的幅度一致。
本发明的光记录媒体中，沟纹槽的倾斜部分的宽度小于0.2μm时，沟纹最好呈近似矩形，因为倾斜部分可以遮挡记录时的热，从而提高交叉抹除的耐久性。但是，当沟纹槽的倾斜部分的宽度不足0.05μm时，在基板成型时，基板就难以从模具上剥离下来。为了得到交叉抹除的耐久性高且串漏低的光记录媒体，沟纹的倾斜部分的宽度最好是大于0.05μm而小于0.2μm，并且镜面部分的非结晶部分的反射率低于10％，和/或镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹重放信号的幅度一致。
当本发明的光记录媒体的轨距取得不足λ/NA(λ是记录重放光波长，NA是透镜的孔径值)时，就避免不了交叉抹除；若大于1.5λ/NA，轨距宽得就不能实现高密度记录，所以最好把轨距取在这之间的范围。而且，对于轨距的纹间表面和沟纹的平坦部分的分配较好大于0.2而小于0.6。在该范围以外的情况下，由于纹间表面和沟纹的平坦部分的宽度差异大，结果使两者的重放信号的幅度差异就大，或者是说由于沟纹部分的倾斜部分的宽度大而损害了上述的效果，上述值最好在0.2以上而小于0.5。为了得到能够进行高密度记录，又能使纹间表面和沟纹的重放信号的幅度一致、且串漏低的光记录媒体，轨距最好是大于λ/NA而小于1.5λ/NA，且纹间表面和沟纹的平坦部分的分配较好大于0.2而小于0.6，并且镜面部分的非结晶部分的反射率低于10％，和/或镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹重放信号的幅度一致。
作为记录符号的宽度，从使重放信号的幅度大的观点来看，纹间表面、沟纹部分的记录符号最好分别都大于纹间表面、沟纹部分的平坦部分的1/2。从符号的宽度大能防止发生交叉抹除的观点出发，纹间表面、沟纹部分的记录符号最好各自都不要达到纹间表面、沟纹部分的平坦部分的满幅宽度。把记录符号的宽度作大，虽然能够使重放信号的幅度大，但是，另一方面当记录符号的宽度变大时，会使串漏增加。为了既要使重放信号的幅度大，又能降低信号串漏量，纹间表面、沟纹部分的记录符号的宽度最好是大于纹间表面部分、沟纹部分的平坦部分的1/2而小于平坦部分的整个宽度，并且镜面部分的非结晶部分的反射率最好低于10％，和/或镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％。此外，为了使纹间表面和沟纹的重放信号幅度相一致，进一步降低信号串漏量，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)。
作为本发明的基板的材料可以用公知的各种透明的合成树脂、透明玻璃等，为了避免尘埃、基板损伤的影响，最好使用透明基板，并用经聚焦的光束从基板一侧进行记录，作为这样的透明基板材料，可以用玻璃、聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烃树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等。最好的材料是聚碳酸脂树脂、非晶质聚烯烃树脂，因为它们的光学双折射小，吸湿性小，而且容易成型。
作为基板的厚度，最好处在用下式所表示的范围内。
式(5)
     0.01≤(NA)3·d≤0.20
其中NA是物镜的孔径值，d是基板的厚度(mm)。
因为彗星像差与NA的3次方和基板厚度的乘积成正比，所以，在上式的值大于0.2时，该像差容易受光盘抖动的影响，结果，记录密度难以提高，上式的值若低于0.01，即使从基板一侧用聚束了的光束进行记录的情况下，也容易受尘埃或损伤等的影响。为了得到不易受光盘的抖动或基板的尘埃及损伤的影响，且串漏低的光记录媒体，最好把NA和d做在上式的范围内，且镜面部分的非结晶部分的反射率最好低于10％，和/或镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹重放信号的幅度一致。
基板可以是柔性的，也可以是刚性的，柔性基板使用带状、片状或卡片状；而刚性基板使用卡片状或盘状。这些基板也可以在形成记录层之后，用2张基板构成空气夹层结构、空气入射结构或相对紧贴的结构。
本发明中，电介质层的作用是防止在记录时基板、记录层等受热变形而使记录特性劣化，由于保护基板、记录层不受热的效果和光学干涉效果，所以能改善重放时的信号对比度。ZnS、SiO2、氮化硅、氧化铝等无机薄膜被用作这种电介质层。最好是ZnS薄膜、Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta等的金属氧化物薄膜、Si、Al等的氮化物薄膜、Ti、Zr、Hf等碳化物薄膜以及它们的化合物的薄膜，因为它们的耐热性高。上述这些薄膜的折射率都大于1.5而小于2.4，而且，最好使用在它们之中混合有碳以及MgF2之类的氟化物的材料，因为这样的薄膜的残留的应力小。特别是，最好使用ZnS和SiO2的混合薄膜或ZnS和SiO2以及碳的混合薄膜，因为即使反复进行记录、抹除也难以引起记录灵敏度、信噪比(C/N)和抹除率(记录前和记录或的重放载波信号强度之差)等的劣化。硫化物、氧化物和碳的组成比不作特别限定，从电介质层的内部应力降低效果大的观点出发，该组成比最好是SiO2 15～35％(克分子)、碳1～15％(克分子)。为了得到反复进行记录、抹除后不易劣化，且串漏低的光记录媒体，最好采用这种介质，且镜面部分的非结晶部分的反射率最好低于10％，和/或镜面部分的结晶部分的反射率大于15％而小于35％。另外，最好使结晶部分反射光的相位差和非结晶部分反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3，或大于2nπ+2π/3而小于2nπ+4π/3(n是整数)，因为在这个范围内能够使纹间表面和沟纹重放信号的幅度一致。
作为反射层的材料，有具有光反射性的Al、Au之类的金属、和以它们为主要成分而含有Ti、Cr、Hf之类的添加元素的合金以及在Al、Au之类的金属中混合了Al、Si之类的金属氮化物、金属氧化物、金属硫化物等的金属化合物。最好采用Al、Au之类的金属、以它们为主要成分的合金，因为它们的光反射性高，且能提高热传导率，并能快速地扩散记录时的热，从而能够减小交叉抹除。作为前述合金的例子，是在Al中总计加入原子浓度大于0.1％少于15％的Si、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Mn等的至少一种元素，或者在Au中总计加入原子浓度大于1％小于20％的Cr、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni等的至少一种元素。特别是，从材料的价格便宜的观点出发，Al或以Al为主要成分的合金较好，而最好是在Al中总计添加原子浓度大于0.5％小于5％的从Ti、Cr、Ta、Hf、Zr、Mn、Pd中所选出的至少一种以上的金属的合金，因为它们的耐腐蚀性好。更进一步，为了具有良好的耐腐蚀性而且不易发生异常析出等，反射层材料最好是总计含添加元素大于0.5％原子～3％原子的Al-Hf-Pd合金、Al-Hf合金、Al-Ti合金、Al-Ti-Hf合金、Al-Cr合金、Al-Ta合金、Al-Ti-Cr合金、Al-Si-Mn合金的任一种的Al为主要成分的合金。在这些Al合金中，因为具有按下式表示的组成的Al-Hf-Pd合金有特别优良的热稳定性，所以，它能够在反复的多次记录、抹除时减少记录特性的劣化。
式(21)
      PdjHfkAl1-j-k
      0.001＜j＜0.01
      0.005＜k＜0.10
其中j、k代表各元素原子的原子数(各元素的克分子数)。
作为上述的反射层的厚度，任一种合金构成的情况下都是大于大约10nm而小于200nm，最好是大于30nm而小于200nm。
作为本发明的光记录媒体的记录所用的光源，有激光光源、闪光放电管等高强度光源，最好的是半导体激光器光源，因为可以使光源小型化，耗电小，而且容易调制。在本发明中，进行记录重放的激光波长不作特别限定。因为记录密度取决于进行记录重放的激光点的直径(激光点的直径正比于λ/NA，其中λ是激光波长，NA是透镜的孔径值)，该直径越小，记录密度越高，所以激光波长小于850nm是适宜的，在800nm以下更好，最好是小于700nm。也可以使用绿区或蓝区的激光。
记录的进行是把激光脉冲照射到结晶状态的记录层上，形成非晶质的记录符号；或者也可以反过来，在非结晶状态的记录层上形成结晶状态的记录符号。抹除的进行可以用激光的照射使非晶质的记录符号结晶化，或者也可以使结晶状态的记录符号非晶质化。最好采用记录时形成非晶质的记录符号，而抹除时进行结晶化的方法，因为这样可以使记录速度高速化，并且不易发生记录层的变形。为了缩短重写时所用的时间，最好采用记录符号形成时提高光强度，而在抹除时减弱光强度，用一次光束照射进行重写的1束重写的方法。
在本发明的记录方法中，是用构成多个脉冲序列的记录脉冲(脉冲串)照射记录功率之后，再暂时照射比抹除功率小的功率的脉冲，然后返回到抹除功率，从而形成至少最短的符号以外的记录符号。用这种方法能降低记录符号末端的抖动。也就是说，通过新设置比抹除功率小的照射脉冲，与记录时的符号的始端相比，可以提高温度上升的记录符号末端的冷却速度。因此，在重写的时候，符号末端部分可以根据是重写前的状态即结晶状态还是非结晶状态来改变达到的温度，适当加快冷却速度。所以，在记录时，照射激光而熔融的区域的外侧所形成的粗大的晶粒不会过分生长，而且可以达到一定的大小，从而能够正确地记录末端的边缘。小于抹除功率的的照射脉冲的宽度必须大于脉冲串窗口宽度的0.6倍而小于其3倍。若脉冲宽度比该范围短，不能充分发挥其效果，如果脉冲宽度比该范围更长，则会发生温度达不到结晶温度的部分，抹除特性就变坏，结果，抖动就恶化。该脉冲宽度最好是大于窗口宽的0.7倍而小于其1.8倍。另外，在调制方式是(1，7)RLL代码的情况下，作为该脉冲的宽度，最好是大于窗口宽度的0.7倍而小于其1.5倍；而在调制方式为8/15调制、8/16调制(EFM+)的情况下，该脉冲宽度最好大于窗口宽度的0.7倍而小于其1.8倍。
为了通过设置照射比抹除功率小的脉冲来达到前述的效果，从脉冲串的最后的脉冲结束的时间到照射该脉冲的时间最好小于窗口的宽度。如果该时间比窗口宽度更长，就难以得到上述脉冲的效果。所以，最好在脉冲串最后的脉冲刚结束后，就照射该脉冲。照射比抹除功率小的脉冲时的激光脉冲功率最好是小于抹除功率的1/2，也可以为0(即在此期间不照射激光)。其原因是当激光功率大于抹除功率的1/2时，记录符号末端的冷却速度不会加快，这就难以奏效。
为了防止符号的始端加热不足而使符号的形状变得前端细，脉冲串的开头脉冲的宽度最好大于窗口宽度的0.7倍而小于其2倍；按照(1，7)RLL编码，在最短记录符号为2T(T是窗口宽度)的调制方式中，开头脉冲的宽度最好是窗口宽度；按照8/15调制、8/16调制，在最短记录符号为3T的调制方式中，开头脉冲的宽度最好是窗口宽度的1.5倍。另外，为了简化装置，脉冲串开头的脉冲以外的脉冲宽度最好相同；后续的脉冲宽度最好也相同。
此外，脉冲串的开头脉冲或开头脉冲以外的脉冲的功率未必相同。
记录脉冲的开头脉冲的位置用该记录符号的长度和该记录符号与紧接在前的记录符号之间的间隔，这两个参数来决定，或/和记录脉冲的最后脉冲的位置用该记录符号的长度和该记录符号与紧接在后的记录符号之间的间隔，这两个参数来决定；另外，在记录脉冲最后的脉冲之后，设置照射比抹除功率小的脉冲的记录方法能进一步地改善重写时的抖动。
在进行本记录方法时，也可以只把记录符号形成在光记录媒体的沟纹上，或只形成在纹间表面上，也可以在同一光记录媒体的纹间表面和沟纹两方都形成记录符号，即进行所谓的纹间表面·沟纹记录。
以下描述本发明的光记录媒体的制造方法。
作为在基板上形成反射层、记录层的方法有公知的真空中薄膜形成法，例如真空蒸涂法、离子淀积法、溅散法等，为了容易进行组成和膜厚的控制，最好采用溅散法。用真空中薄膜形成法，要使记录层内含氮的情况下，例如可以使真空容器内的气氛的一部分含有氮气，同时在靶及蒸发源内也预先含有氮，这就很容易把氮原子导入记录层中。
使用公知技术的晶体振动膜厚计来监测堆积状态，就很容易进行形成记录层等的厚度的控制。
在基板固定状态或移动、旋转状态下，都能进行记录层的形成工艺。为了使膜厚的均匀性好，最好使基板自转，进一步自转公转相组合就更好。
作为本发明的光记录媒体的适宜的层结构是按透明基板/第1电介质层/记录层/第2电介质层/反射层的顺序叠层而成的结构，或按透明基板/第1电介质层/记录层/第2电介质层/光吸收层/反射层的顺序叠层而成的结构。但是并不限定于此，在不显著损害本发明的效果的范围内，为了防止在形成反射层等之后损伤、变形，可以根据需要设置ZnS、SiO2之类的电介质层或紫外线固化树脂之类的树脂保护层。光从透明基板一侧入射。形成反射层等之后，或再形成前述的数值保护层之后，也可以把2张基板对起来用粘接剂粘合在一起。
实际进行记录之前，最好预先照射激光、氙闪光灯等的光使记录层结晶化。
具体实施方式
[实施例]
以下根据实施例来说明本发明。
(分析、测定方法)
用ICP发光分析(精工电子工业公司制)来确认反射层、记录层的组成；信噪比和抹除率(记录后和抹除后的重放载波信号强度的差)、信号串漏、交叉抹除是用记录时用的驱动装置、或与此等同的具有光检测头(激光波长、物镜的NA)的驱动器，由频谱分析仪来测定。用时间间隔分析仪测定交流同步了的重放信号的零交叉点，来定义抖动的标准偏差。
用NRA(核反应分析)法确认记录层中的氮原子浓度。
用晶体振动膜厚计来检测记录层、电介质层、光吸收层、反射层的形成中的膜厚；通过用扫描型或透过型电子显微镜观察各层的断面，来测定各层的厚度。
镜面部分的反射率的测定是借助分光光度计测定盘上的镜面部分来进行，或者用记录用的驱动装置或与其等同的具有光检测头(激光波长、物镜的NA)的驱动器，通过用示波器观察自由凹坑中的镜面部分的重放光的反射电平来进行测定。
(实施例1)
使带有厚度0.6mm、槽深72nm、直径12cm、轨距1.4μm(纹间表面平坦部分0.55μm、沟纹平坦部分0.55μm、导向槽斜面部分0.15μm)的螺旋沟纹的聚碳酸酯制基板以每分钟30转的速度转动，同时用高频溅散法形成记录层、电介质层、反射层。
首先把真空容器内排气到1×10-3帕，然后在2×10-1帕的Ar气氛中溅散添加了20％(克分子)的SiO2的ZnS，在基板上形成膜厚100nm的第1电介质层。接着溅散由Pd、Nb、Ge、Sb、Te构成的靶，形成其组成为Nb0.45Pd0.05Ge19.0Sb25.5Te55.0的膜厚25nm的记录层。进一步形成与前述的第1电介质层同样的15nm厚的第2电介质层，其上再溅散由Al98.1Hf1.7Pd0.2构成的靶，形成膜厚150nm的反射层。
把这种盘从真空容器内取出来之后，在反射层上旋涂丙烯基系紫外线固化树脂，照射紫外线使之固化，形成厚度10μm的树脂层，这样就制得了本发明的光记录媒体。进一步用粘接剂把同样制成的盘粘合起来制成双面盘。
在该光记录媒体上用波长为830nm的半导体激光器的激光束使这种盘的整面的记录层结晶化，这就把它初始化了。
在镜面部分上测定结晶部分和非结晶部分的反射率时，得到结晶部分的反射率是27％，非结晶部分的反射率是8％；由各层的折射率和膜厚计算结晶部分和非结晶部分的重放光的反射光的相位差时，得到的相位差是0.1π((非结晶部分的反射光的相位)-(结晶部分的反射光的相位))。
其次，在线速度为4.4m/秒的条件下，用物镜的孔径值为0.6、半导体激光器的波长为680nm的光学检测头在纹间表面和沟纹上分别进行边缘记录，形成相当于(1，7)RLL的2T(T是窗口宽度)的记录符号(重放时的频率是4.2MHz)，使用在峰值功率7～15mW、底值功率2～6mW的各条件下用公知技术的脉冲串调制的半导体激光器进行100次重写记录之后，再照射重放功率为1.2mW的半导体激光，然后在带宽为30kHz的条件下测定C/N。
进一步，在7T(1.2MHz)下，用与前面一样的经调制的半导体激光照射该部分，进行1束·重写，测定这时的2T的抹除率。
在大于9mW峰值功率的下，纹间表面和沟纹都得到了实用上足够的50dB以上的C/N，而且，各峰值功率的下的纹间表面和沟纹的C/N的差为小于1dB，几乎没有变化。
关于抹除率，在3～5mW的底值功率下，纹间表面和沟纹也都得到实用上足够的20dB以上的的抹除率，最大可到30dB。
下面，把记录在沟纹(或纹间表面)上的信号强度与已记录的轨迹的相邻的未写入信号的纹间表面(或沟纹)的重放信号的差定义为信号串漏量，对它进行测定。
用在频率为4.2MHz、底值功率为4.5mW，峰值功率为9～15mW的各条件下调制的半导体激光器在纹间表面上进行100次重写记录之后，对相邻接的沟纹照射重放功率为1.2mW的半导体激光，在带宽30kHz的条件下测定时，得到了实用上足够的-30dB～-27dB的信号串漏量。在同样的条件下，对沟纹进行重写记录100次之后，测定相邻接的纹间表面的信号串漏量，得到了与沟纹同样的特性。
用在峰值功率为10mW、底值功率为4.5mW的条件下调制的半导体激光器在沟纹(或纹间表面)上重写频率为4.2MHz的信号100次，这时测定其C/N，在用同样调制的半导体激光器在相邻接的轨迹即两个纹间表面(或沟纹)上，重写频率为1.2MHz的信号10000次之后，测定先记录的沟纹(或纹间表面)的C/N，把其减少量定义为交叉抹除量，测定的结果是小于1dB，几乎没有变化。
制成与上述的结构完全相同的光记录媒体，在峰值功率为10mW、底值功率为4.5mW的条件下，记录相当于8T(1.1MHz)的记录符号，用透过式电子显微镜观察，纹间表面和沟纹的符号的宽度都是0.46μm，纹间表面·沟纹的平坦部分是84％。
另外，把该光记录媒体置于80℃、相对湿度80％的环境中1000小时之后，重放记录部分，C/N的变化小于2dB，几乎没有变化。
(实施例2)
除把第1电介质层的厚度作成为85nm、把记录层的厚度作成为22nm、第2电介质层的厚度作成为10nm、反射层的厚度作成为100nm之外，制成与实施例1同样的光记录媒体。
在镜面部分上测定结晶部分和非结晶部分的反射率时，得到结晶部分的反射率是21％，非结晶部分的反射率是6％；由各层的折射率和膜厚计算结晶部分和非结晶部分的重放光的反射光的相位差时，得到的相位差是π((非结晶部分的反射光的相位)-(结晶部分的反射光的相位))。
在线速度为5.8m/秒的条件下，用物镜的孔径值为0.6、半导体激光器的波长为680nm的光学检测头，在这种光盘的纹间表面和沟纹上进行边缘记录，能够形成相当于8/16(EFM+)调制方式最短的符号(3T，T是窗口宽度)的记录符号(重放时的频率是4.7MHz)，用脉冲串，在与实施例1同样的条件下测定C/N。
进一步，在重放时的频率为1.3MHz(11T)下，用与前面一样的经调制的半导体激光照射该部分，进行1束·重写，测定这时的3T的抹除率。
在大于9mW峰值功率的下，纹间表面和沟纹都得到了实用上足够的50dB以上的C/N，最大达到57dB。而且，各峰值功率的下的纹间表面和沟纹的C/N的差为小于1dB，几乎没有差别。关于抹除率，在峰值功率10.5mW下，得到与实施例1同样的值。
除把记录频率取为4.7MHz、峰值功率取为10.5mW之外，对信号串漏量进行与实施例1同样的测定。与实施例1一样，也达到-30dB～-27dB非常小的信号串漏量。
除把测定的轨迹的记录频率取为4.7MHz、相邻接的轨迹的记录频率取为1.3MHz、峰值功率取为10.5mW之外，按照与实施例1同样的条件进行交叉抹除的测定。测到的结果是小于1dB的非常小的交叉抹除。
(实施例3)
除在第1第2电介质层中含有8克分子％的碳之外，制成与实施例1同样的光记录媒体。与实施例1一样，测定C/N、抹除率、交叉抹除、信号串漏量时，得到与实施例1同样的结果。
(比较例1)
除了把实施例1的光记录媒体的第1电介质层的厚度作成为320nm之外，制作与实施例1同样结构的光记录媒体，除改变测定C/N、信号串漏量时的峰值功率、底值功率之外，进行与实施例1同样的测定。
在镜面部分上测定结晶部分和非结晶部分的反射率时，得到结晶部分的反射率是40％，非结晶部分的反射率是18％；由各层的折射率和膜厚计算结晶部分和非结晶部分的重放光的反射光的相位差时，得到的相位差是0.1π((非结晶部分的反射光的相位)-(结晶部分的反射光的相位))。
在峰值功率10～15mW、底值功率4～8mW的条件下进行调制，进行与实施例1同样的测定时，在纹间表面上用峰值功率11mW得到实用上足够的50dB以上的C/N；而且，在底值功率4～8mW下，得到实用上足够的大于20dB，最大到30dB的抹除率；沟纹上也得到同样的特性。
除峰值功率取为12mW、底值功率取为5.5mW之外，与实施例1同样来测定交叉抹除，测得结果也是小于1dB，几乎无变化。
但是，在纹间表面上，把底值功率取为5.5mW，并在峰值功率11～15mW的各条件下进行调制，与实施例1同样测定信号串漏量时，测得的结果是较大的-18dB～-15dB，这是难以进行正常的数据重放的程度。而在沟纹处也得到同样的值。由此可知，因为在上述的分层结构中，反射率高，使信号串漏量大，很难在纹间表面和沟纹上记录信号。
(比较例2)
除把比较例1的光记录媒体的第1电介质层的厚度取为305nm之外，制作与比较例1同样的光记录媒体。
在镜面部分上测定结晶部分和非结晶部分的反射率时，得到结晶部分的反射率是37％，非结晶部分的反射率是14％；由各层的折射率和膜厚计算结晶部分和非结晶部分的重放光的反射光的相位差时，得到相位差是0.1π。
有关C/N、抹除率、交叉抹除得到与比较例1同样的结果。
和比较例1一样，测定串漏量时，测得的串漏量大到-18～-23dB，难以进行正常的重放。
(实施例4)
使带有厚度0.6mm、槽深72nm、直径12cm、轨距1.4μm(纹间表面平坦部分0.55μm、沟纹平坦部分0.55μm、导向槽斜面部分0.15μm)的螺旋沟纹的聚碳酸酯制基板以每分钟30转的速度转动，同时用高频溅散法形成记录层、电介质层、反射层。
首先把真空容器内排气到1×10-3帕，然后在2×10-1帕的Ar气氛中溅散添加了20％(克分子)的SiO2的ZnS，在基板上形成膜厚85nm的第1电介质层。接着溅散由Pd、Nb、Ge、Sb、Te构成的靶，形成与实施例1同样组成的膜厚20nm的记录层。进一步形成与前述的第1电介质层同样的10nm厚的第2电介质层，再溅散由Al98.1Hf1.7Pd0.2构成的靶，形成100nm的反射层。
把这种盘从真空容器内取出来之后，在反射层上旋涂丙烯基系紫外线固化树脂，照射紫外线使之固化，形成厚度10μm的树脂层，这样就制得了本发明的光记录媒体。进一步用粘接剂把同样制成的盘粘合起来制成双面盘。
用波长为830nm的半导体激光器的激光束在该光记录媒体上使这种盘的整面的记录层结晶化，这就把它初始化了。在镜面部分上测定这种盘的结晶部分和非结晶部分的反射率时，得到结晶部分的反射率是20％，非结晶部分的反射率是7％；由各层的折射率和膜厚计算这种盘的结晶部分和非结晶部分的反射率、吸收率以及结晶部分和非结晶部分的重放光的相位差时，得到结晶部分的反射率是20％、非结晶部分的反射率是6.5％、结晶部分的吸收率是77％、非结晶部分的吸收率是81％、相位差是0.9π((非结晶部分的反射光的相位)-(结晶部分的反射光的相位))。
其次，在线速度为6.5m/秒的条件下，用物镜的孔径值为0.6、半导体激光器的波长为680nm的光学检测头在纹间表面和沟纹上分别进行边缘记录，形成相当于8/15调制的3T的记录符号(重放时的频率是4.4MHz)，使用在峰值功率7～15mW、底值功率2～6mW的各条件下用公知技术的脉冲分割调制的半导体激光器进行100次重写记录之后，再照射重放功率为1.2mW的半导体激光，然后在带宽为30kHz的条件下测定C/N。
进一步，在13T(1.0MHz)下，用与前面一样的经调制的半导体激光照射该部分，进行1束·重写，测定这时的3T的抹除率。
在大于9mW峰值功率的下，纹间表面和沟纹都得到了实用上足够的50dB以上的C/N，而且，各峰值功率的下的纹间表面和沟纹的C/N的差为小于1dB，几乎没有变化。
关于抹除率，在3～5mW的底值功率下，纹间表面和沟纹也都得到实用上足够的20dB以上的的抹除率，最大可到33dB。
在4～6.5mW的底值功率下对纹间表面和沟纹记录100次随机图案后，测定13T或3T的一次记录后的抖动，13T、3T的前端抖动和后端抖动都良好，达到窗口宽度38nSec的13％以下，即4.9nSec以下。
以下，把沟纹(或纹间表面)上记录的信号强度与已记录的轨迹的相邻的未写入信号的纹间表面(或沟纹)的重放信号的差定义为信号串漏量，对其进行测定。
用在频率为4.4MHz、底值功率为4.5W、表面峰值功率为9～15mW的各条件下调制过的半导体激光器在纹间表面上重写记录100次之后，用重放功率为1.2mW的半导体激光照射邻接的沟纹，并在带宽30kHz的条件下进行测定，得到-30～-27dB的实用上满意的信号串漏量。在同样的条件下，在沟纹上重写记录100次之后，测定相邻纹间表面的信号串漏量，得到与沟纹同样的特性。
(实施例5)
在光记录媒体的层结构中，除把第1电介质层的膜厚作成为240nm、在其上溅散由Ge、Sb、Te构成的靶，形成组成为Ge2Sb2Te5的膜厚为18nm的记录层、再在上面把第2电介质层的膜厚作成为15nm、反射层的膜厚作成为150nm之外，制成与实施例4同样的光记录媒体。
在镜面部分上测定这种盘的结晶部分和非结晶部分的反射率时，得到结晶部分的反射率是23％，非结晶部分的反射率是9％；由各层的折射率和膜厚计算这种盘镜面部分的结晶部分和非结晶部分的反射率、吸收率和结晶部分及非结晶部分的重放光的相位差时，得到结晶部分的反射率是18％、非结晶部分的反射率是8％、结晶部分的吸收率是80％、非结晶部分的吸收率是81％、相位差是0.9π((非结晶部分的反射光的相位)-(结晶部分的反射光的相位))。
这种盘的C/N、抹除率、抖动的测定结果与实施例4的测定结果一样；在大于9mW峰值功率的下，纹间表面和沟纹都得到了实用上足够的50dB以上的C/N，而且，各峰值功率的下的纹间表面和沟纹的C/N的差小于1dB，几乎没有变化。
关于抹除率，在3～5mW的底值功率下，纹间表面和沟纹也都得到实用上足够的20dB以上的的抹除率，最大可到32dB。
在3～5.5mW的底值功率下对纹间表面和沟纹记录100次随机图案后，测定13T或3T的一次记录后的抖动，13T、3T的前端抖动和后端抖动都得到与实施例4大致同样良好的抖动特性。
(实施例6)
在光记录媒体的层结构中，除把第1电介质层的膜厚作成为280nm、在其上溅散由Ge、Sb、Te、Nb构成的靶，形成组成为Nb0.5Ge17.5Sb26.0Te56.0的膜厚为19nm的记录层、再在上面形成膜厚为10nm的第2电介质层、再在其上溅散Ti靶，形成膜厚为40nm的光吸收层、反射层的膜厚作成为70nm之外，制成与实施例4同样的光记录媒体。在镜面部分上测定这种盘的结晶部分和非结晶部分的反射率时，得到结晶部分的反射率是28％，非结晶部分的反射率是8％；由各层的折射率和膜厚计算这种盘的结晶部分和非结晶部分的反射率、吸收率和结晶部分及非结晶部分的重放光的相位差时，得到结晶部分的反射率是28.8％、非结晶部分的反射率是8.5％、结晶部分的吸收率是56.9％、非结晶部分的吸收率是50.3％、相位差是0.2π((非结晶部分的反射光的相位)-(结晶部分的反射光的相位))。
这种盘的C/N、抹除率、抖动的测定结果与实施例3的测定结果一样；在大于10mW峰值功率的下，纹间表面和沟纹都得到了实用上足够的50dB以上的C/N，而且，各峰值功率的下的纹间表面和沟纹的C/N的差小于1dB，几乎没有变化。
关于抹除率，在4～7mW的底值功率下，纹间表面和沟纹也都得到实用上足够的20dB以上的的抹除率，最大可到33dB。
在4～6mW的底值功率下对纹间表面和沟纹记录100次随机图案后，测定13T或3T的一次记录后的抖动，13T、3T的前端抖动和后端抖动都得到与实施例4大致同样良好的抖动特性。
(实施例7)
除把实施例6中的光吸收层作成为TiSi2之外，制成与实施例6同样的光记录媒体，与实施例6同样进行测定时，得到与实施例6同样的结果。
(实施例8)
使带有直径120mm、厚度0.6mm、槽深72nm、轨距1.4μm(纹间表面平坦部分0.55μm、沟纹平坦部分0.55μm、导向槽斜面部分0.15μm)的螺旋沟纹的聚碳酸酯制基板以每分钟30转的速度转动，同时用高频溅散法形成记录层、电介质层、反射层。
首先把真空容器内排气到6×10-4帕，然后在2×10-1帕的Ar气氛中高频溅散添加了20％(克分子)的SiO2的ZnS，在基板上形成膜厚85nm的第1电介质层。接着在98％的Ar气、2％的氮气混合气体中高频溅散由Pd、Nb、Ge、Sb、Te构成的靶，形成其组成为Nb0.4Pd0.1Ge18.3Sb26.9Te54.3的膜厚27.5nm的记录层。进一步形成前述的第2电介质层10nm，其上再溅散由Al98.1Hf1.7Pd0.2构成的靶，形成100nm的反射层。
把这种盘从真空容器内取出来之后，在反射层上旋涂丙烯基系紫外线固化树脂，照射紫外线使之固化，形成厚度10μm的树脂层，这样就制得了本发明的光记录媒体。
这种光记录媒体的记录层的氮原子浓度是1.4％。
用波长为830nm的半导体激光器的激光束在该光记录媒体上使这种盘的整面的记录层结晶化，这就把它初始化了。在镜面部分上测定这种盘的结晶部分和非结晶部分的反射率时，得到结晶部分的反射率是18％，非结晶部分的反射率是6％；由各层的折射率和膜厚计算该盘结晶部分和非结晶部分的重放光的反射光的相位差时，得到的相位差是1.1π((非结晶部分的反射光的相位)-(结晶部分的反射光的相位))。
其次，在线速度为5.8m/秒的条件下，用物镜的孔径值为0.6、半导体激光器的波长为680nm的光学检测头分别在纹间表面和沟纹上进行边缘记录，形成相当于8/16调制的3T记录符号(重放时的频率是4.7MHz)，使用在峰值功率7～15mW、底值功率2～6mW的各条件下用公知技术的脉冲串调制的半导体激光器进行100次重写记录之后，再照射重放功率为1.2mW的半导体激光，然后在带宽为30kHz的条件下测定C/N。
进一步，在11T(1.3MHz)下，用与前面一样的经调制的半导体激光照射该部分，进行1束·重写，测定这时的3T的抹除率。
测定的结果是在大于9mW峰值功率的下，纹间表面和沟纹都得到了实用上足够的50dB以上的C/N，而且，各峰值功率的下的纹间表面和沟纹的C/N的差为小于1dB，几乎没有变化。
关于抹除率，在3～5.5mW的底值功率下，纹间表面和沟纹也都得到实用上足够的20dB以上的的抹除率，最大可到33dB。
下面，把记录在沟纹(或纹间表面)上的信号强度与已记录的轨迹的相邻的未写入信号的纹间表面(或沟纹)的重放信号的差定义为信号串漏量，对它进行测定。
用在频率为4.7MHz、底值功率为4.5mW，峰值功率为9～15mW的各条件下调制的半导体激光器在纹间表面上进行100次记录之后，对相邻接的沟纹照射重放功率为1.2mW的半导体激光，在带宽30kHz的条件下测定时，得到了实用上充分的-33dB～-28dB的信号串漏量。在同样的条件下，对沟纹进行重写记录100次之后，测定相邻接的纹间表面的信号串漏量，得到了与沟纹同样的特性。
用在峰值功率为10mW、底值功率为4.5mW的条件下调制的半导体激光器在沟纹(或纹间表面)上重写频率为4.7MHz的信号100次，这时测定其C/N，在用同样调制的半导体激光器在相邻接的轨迹即两个纹间表面(或沟纹)上，重写频率为1.0MHz的信号10000次之后，与先记录的沟纹(或纹间表面)的C/N进行比较，把其减少量定义为交叉抹除量，比较的结果是小于1dB，几乎没有变化。而且，制作与上述结构完全相同的光记录媒体，在峰值功率10mW、底值功率4.5mW的条件下，记录相当于11T(1.3MHz)的记录符号，用透过式电子显微镜进行观察，纹间表面、沟纹的符号宽度都是0.5μm，是纹间表面、沟纹的平坦部分的91％。
另外，把这种光记录媒体放在80℃、相对湿度80％的环境中1000小时后，重放其记录部分，结果C/N的变化率小于2dB，几乎没有变化。
(实施例9)
使带有厚度0.6mm、槽深72nm、直径12cm、轨距1.4μm的螺旋沟纹(沟纹宽0.7μm)的聚碳酸酯制基板以每分钟30转的速度转动，同时用高频溅散法形成记录层、电介质层、反射层。
首先把真空容器内排气到1×10-3帕，然后在2×10-1帕的Ar气氛中溅散添加了20％(克分子)的SiO2的ZnS，在基板上形成膜厚85nm的第1电介质层。接着溅散由Pd、Nb、Ge、Sb、Te构成的靶，形成其组成为Nb0.45Pd0.05Ge19.0Sb25.5Te55.0的膜厚25nm的记录层。进一步形成前述的第2电介质层15nm，其上再溅散由Al98.1Hf1.7Pd0.2构成的靶，形成150nm的反射层。
把这种盘从真空容器内取出来之后，在反射层上旋涂丙烯基系紫外线固化树脂，照射紫外线使之固化，形成厚度10μm的树脂层，这样就制得了本发明的光记录媒体。进一步用粘接剂把同样制成的盘粘合起来制成双面盘。
用波长为830nm的半导体激光器的激光束在该光记录媒体上使这种盘的整面的记录层结晶化，这就把它初始化了。
在本实施例中，使用(1，7)RLL代码作为记录符号，(1，7)RLL是从2T到8T的脉冲宽度不同的信号，在这里，T是窗口宽度。本实施例中，是在线速度为6.2m/s、最短符号长(2T的符号的长度)为0.53μm的条件下进行的，所以T＝42.5ns。在评价时，使用物镜孔径值为0.6、半导体激光的波长为680nm的光学检测头。
以下对激光脉冲的形状进行具体的说明。
用脉冲序列记录最短符号的2T，该脉冲序列是由脉冲宽度T(42.5ns)的记录脉冲和紧接其后的在脉冲宽度T内激光输出降到抹除功率以下的脉冲(下称断开脉冲)构成的。
次短符号3T按以下方式进行记录，即：在始于最短符号2T的脉冲(起始脉冲)T/2后加上宽度为T/2的记录脉冲，再紧接该脉冲之后，加上在脉冲宽度T内激光输出降到抹除功率以下的断开脉冲，就用这样构成的一串脉冲进行记录。
这样，在记录符号只为T的长度内加上T/2的脉冲，再紧接其后加上断开脉冲，从而形成最后长度的记录符号。最长符号的8T也是用一串脉冲来进行记录，这串脉冲是由宽度为T的起始脉冲和其后接续6个宽为T/2，周期为T的后续脉冲共7个记录脉冲，以及紧接后续脉冲之后设置的脉冲宽度为T的断开脉冲构成。
具体的测定如下。
照射断开脉冲时的功率取为重放功率(1.2mW)，使用在抹除功率固定于4.5mW、记录功率为6～15mW的条件下由上述的脉冲调制的半导体激光器把2T的记录符号(重放时的频率是5.9MHz)在沟纹部分(槽部分)上重写记录100次之后，照射重放功率为1.2mW的半导体激光束，在带宽30kHz的条件下测定C/N，其结果是记录功率大于8mW时，得到实用上满意的大于50dBC/N。
进一步，用记录功率固定在9.5mW、抹除功率调制为3～7mW的半导体激光器重写100次2T的记录符号之后，在7T(1.7MHz)下，对该部分照射与前面一样经调制的半导体激光，进行一次重写，测定这时的2T的抹除率(重写100次2T时的2T载波抹除与重写一次7T时的2T载波剩余抹除的差)以及7T的抖动特性。
这样，在抹除功率为3.5～5.5mW下，得到大于28dB、最大33dB的抹除率。关于7T符号的始端、末端的抖动特性，在与上述同样的抹除功率范围内，得到小于4ns、最小为2ns的抖动特性。
由此可知，始端和末端两端的抖动都小于窗口(T＝42.5ns)的10％，实用上这是足够小的。
(实施例10)
除把实施例9的光记录媒体的第2电介质层最成为10nm、把反射层作成为100nm之外，使用同样的光记录媒体。用8/15调制作为调制方式，进行与实施例9同样的测定。因为8/15调制是(2，12)RLL，所以这是从3T到13T的脉冲宽度不同的信号，此处T是窗口宽度。在本实施例中，因为是在线速度为6.5m/s、最短符号长(3T符号的长度)为0.74μm的条件下进行的，所以T＝38.0ns。
用一串脉冲来记录最短符号3T(重放时的频率为4.4NHz)，这串脉冲的构成是脉冲宽度T(起始脉冲)和从其T/2后加上宽度为T/2的记录脉冲、再紧接该脉冲之后，加上脉冲宽度T的断开脉冲。
与实施例9一样，在记录符号只为T的长度内加上T/2的脉冲，再紧接其后加上断开脉冲，用这样的一串脉冲序列形成记录符号。最长符号13T的记录符号(重放时的频率为1.0MHz)也是用一串脉冲来进行记录，这串脉冲是由宽度为T的起始脉冲和其后接续11个宽为T/2，周期为T的后续脉冲共12个记录脉冲，以及紧接后续脉冲之后设置的脉冲宽度为T的断开脉冲构成。
照射断开脉冲时的功率取为0mW。
在纹间表面和沟纹两方进行测定。
除使用3T的记录符号之外，按与实施例9同样的条件进行C/N的测定；抹除率的测定是在重写100次3T之后，重写一次13T，测定3T的抹除率；并测定这时的13T的抖动特性。
这样，在大于8mW的记录功率下，纹间表面和沟纹都得到了实用上足够的50dB以上、最大57dB的C/N。在记录功率10mW、抹除功率为3.5～5.5mW情况下，纹间表面和沟纹都得到大于30dB、最大36dB的抹除率。关于13T符号的始端、末端的抖动特性，在与上述同样的抹除功率范围内，得到小于3.5ns、最小为2.5ns的抖动特性。
由此可知，在纹间表面和沟纹两方，始端和末端两端的抖动都小于窗口(T＝38.0ns)的10％，实用上这是足够小的。
(实施例11)
用与实施例9同样的光记录媒体，用除去实施例9的脉冲的断开脉冲的脉冲进行记录，并进行与实施例9同样的测定。
得到了与实施例9同样的C/N的特性。
关于抹除率，在与实施例9同样的抹除功率范围内，得到了大于25dB的抹除率，最大抹除率为28dB，劣于实施例9。
有关抖动特性的结果如下，即：在3.5～5.5mW的抹除功率下，7T的始端部分的抖动小于4ns、最小为2.8ns；在任何抹除功率下，末端的抖动都达不到小于4ns，最小也是5.8ns。
在任何抹除功率下，末端的抖动都不小于检出窗口的13％，这是不实用的，很清楚，明显劣于实施例9。
(比较例4)
用与实施例9同样的光记录媒体，把实施例9的断开脉冲的宽度取为T/2，进行与实施例9同样的测定。
得到了与实施例同样的C/N特性。
有关抹除率，在与实施例9同样的抹除功率的范围内，得到大于25dB的抹除率，最大抹除率为29dB，比实施例9坏。
有关抖动特性的结果如下，即：在3.5～5.5mW的抹除功率下，7T的始端部分的抖动小于4ns、最小为2.9ns；在3.0～4.0mW的抹除功率下，末端的抖动达到小于4ns，最小为3.4ns；在达到小于4ns的抖动的抹除功率的范围内，还比实施例9劣化1mW。
(比较例5)
用与实施例10同样的光记录媒体，用除去实施例10的断开脉冲的一串脉冲序列进行记录，并在纹间表面和沟纹上进行与实施例10同样的测定。
得到了与实施例同样的C/N的特性。
关于抹除率，在与实施例10同样的抹除功率范围内，得到了大于25dB的抹除率，最大抹除率为29dB，劣于实施例10。
有关抖动特性的结果如下，即：在3.5～5.5mW的抹除功率下，13T的始端部分的抖动小于3.5ns、最小为3.0ns；在任何抹除功率下，末端的抖动都达不到小于4ns，最小也是5.0ns。
在任何抹除功率下，末端的抖动都不小于检出窗口的13％，这是不实用的，很清楚，明显劣于实施例10。
(实施例11)
除把光记录媒体的第1电介质层的厚度作成为250nm、记录层的厚度为25nm、第2电介质层的厚度为12nm、反射层的厚度为120nm、记录层的组成为Pd0.1Ge19.0Sb26.0Te54.9之外，用与实施例10同样的光记录媒体，用8/16调制(EFM+)作为调制方式。8/16调制是最短记录符号为3T的调制方式，在此，T是窗口宽度。本实施例中，线速度是5.8m/s、T＝35.6ns。
用一串脉冲来记录最短符号3T(重放时的频率为4.7MHz)，这串脉冲是由脉冲宽度1.5T(起始脉冲)的记录脉冲和紧接其后的脉冲宽度为1.5T的断开脉冲构成的。
与实施例7一样，在记录符号只为T的长度内加上T/2的记录脉冲，再紧接其后加上断开脉冲，用这样的一串脉冲序列形成记录符号。最长符号14T的记录符号(重放时的频率为1.0MHz)也是用一串脉冲来进行记录，这串脉冲是由宽度为1.5T的起始脉冲和其后接续11个宽为T/2，周期为T的后续脉冲共12个记录脉冲，以及紧接后续脉冲之后设置的脉冲宽度为1.5T的断开脉冲构成。
照射断开脉冲时的功率取为0.5mW。
在纹间表面和沟纹两方进行测定。
按与实施例8同样的条件进行C/N的测定；抹除率的测定如下进行，即：使用记录功率固定于11mW、抹除功率调制在3～6mW的半导体激光器重写3T100次之后，再重写一次11T，测定3T的抹除率；并测定这时的11T的抖动特性。
这样，在大于8mW的记录功率下，纹间表面和沟纹都得到了实用上足够的50dB以上、最大57dB的C/N。在记录功率11mW、抹除功率为3.5～5.5mW下，纹间表面和沟纹都得到大于30dB、最大35dB的抹除率。关于11T符号的始端、末端的抖动特性，在与上述同样的抹除功率范围内，得到小于3.5ns、最小为2.0ns的抖动特性。
由此可知，在纹间表面和沟纹两方，始端和末端两端的抖动都小于窗口宽度(T＝35.6ns)的10％，实用上这是足够小的。
(实施例12)
光记录媒体、调制方式等的实验条件均与实施例11相同。
下面对本实施例所用的记录脉冲予以说明。
基本的脉冲图形如下，即：最短符号的3T(重放时的频率为4.7MHz)由一串脉冲构成，它们是脉冲宽度T(始端脉冲)、由此的T/2后加上宽度为T/2的记录脉冲、再紧接其后加上脉冲宽度为1.5T的断开脉冲。
只有记录符号长到T时，把T/2宽的记录脉冲加在T/2后，再在其后加上宽度为1.5T的断开脉冲，用这样的一串记录脉冲序列来形成记录符号。
在本实施例中，最适宜根据上述的记录脉冲用该记录符号的长度以及该记录符号与紧接着的记录符号之间的间隔这样两个参数来确定起始脉冲的位置。
具体地说，在该记录符号与紧接着的记录符号之间的间隔(以下表示为Tsb)为3T、该记录符号的长度(以下表示为Tmk)为3T时，起始脉冲的位置仅被延迟32ns。同样，Tsb为3T、Tmk为4T时，延迟26ns；Tsb为3T、Tmk大于5T时，延迟24ns；Tsb为4T、Tmk为3T时，延迟28ns；Tsb为4T、Tmk为4T时，延迟24ns；Tsb为4T、Tmk大于5T时，延迟24ns；Tsb大于5T、Tmk为3T时，延迟24ns；Tsb大于5T、Tmk为4T时，延迟24ns；Tsb、Tmk都大于5T时，延迟18ns；只有起始脉冲的位置被延迟。
用上述的记录脉冲，在记录功率为11mW、抹除功率为4.5mW的条件下，在纹间表面和沟纹上重写随机图形100次，测定这时的总的抖动特性，照射断开脉冲时的功率为0.5mW。
这样，得到的结果是纹间表面的起始抖动、末端抖动的值分别为2.94ns、2.93ns；沟纹的起始抖动、末端抖动分别为2.94ns、2.54ns。
可以确认，上述的全部抖动特性都是在窗口宽度的10％以下，这在使用上是相当小的。
按照本发明的光记录媒体，能够达到以下的效果：
(1)能够降低纹间表面·沟纹记录法中的信号串漏。
(2)在纹间表面·沟纹记录法中能够使纹间表面和沟纹的记录特性一致。
(3)能够降低纹间表面·沟纹记录法中的交叉抹除。
(4)能够容易地用溅散法来制作。
(5)能够降低重写时的抖动。
(6)能够提高抹除特性。

Claims (13)

1.一种通过非晶相和结晶相之间的相变化来进行信息的记录和抹除，在纹间表面和沟纹两方形成记录符号来进行记录的光记录媒体，其特征在于所述的记录媒体至少具有基板/第1电介质层/记录层/第2电介质层/光吸收层/反射层，其沟纹深度形成重放光波长的1/7以上1/5以下的光路长，并且记录层的非结晶部分和结晶部分的光吸收率由下式(6)表示：
式(6)
          Aa-Ac≤10％
其中Aa表示记录层的非结晶部分的光吸收率(％)，Ac表示记录层的结晶部分的光吸收率(％)。
2.根据权利要求1的光记录媒体，其特征在于镜面部分的非结晶部分的反射率小于10％；镜面部分的结晶部分的反射率大于15％小于35％。
3.根据权利要求1或2中所述的光记录媒体，其特征在于结晶部分和非结晶部分的反射光的相位差大于2nπ-π/3而小于2nπ+π/3；或者大于2nπ-2π/3而小于2nπ+2π/3，其中n是整数。
4.根据权利要求1或2中所述的光记录媒体，其特征在于结晶部分和非结晶部分的反射光的相位差大于2nπ-0.1π而小于2nπ+0.1π；或者大于2nπ+0.9π而小于2nπ+1.1π，其中n是整数。
5.根据权利要求1或2所述的光记录媒体，其特征在于记录层包含Sb或Te。
6.根据权利要求5的光记录媒体，其特征在于记录层组成是Ge、Sb、Te的3元素合金或Ge、Sb、Te的3元素与从Pd、Nb、Pt、Ag、Ni、Co中选出的至少一种金属的合金；记录层的厚度大于10nm小于40nm。
7.根据权利要求5或6的光记录媒体，其特征在于记录层的组成用下式(7)来表示：
式(7)
    Mα(SbxTe1-x)1-y-α(Ge0.5Te0,5)y
    0.4≤x≤0.6
    0.3≤y≤0.5
    0≤α≤0.05
其中x，y，α表示克分子量比，M是从Pd、Nb、Pt、Ag、Ni、Co中选出的至少一种金属。
8.根据权利要求5中所述的光记录媒体，其特征在于记录层至少包含In或Se。
9.根据权利要求8中所述的光记录媒体，其特征在于光吸收层的材料实质上是从Ti、Zr、Hf、Cr、Ta、Mo、Mn、W、Nb、Rh、Ni、Fe、Y、V、Co、Cu、Zn、Ru、Pd、镧系元素、Te中选出的至少一种以上的金属、混合物或它们的合金。
10.根据权利要求8中所述的光记录媒体，其特征在于光吸收层由一种以上的金属与Si或/和Ge构成的合金形成。
11.根据权利要求10中所述的光记录媒体，其特征在于，在记录层中含有氮。
12.根据权利要求11所述的光记录媒体，其特征在于，记录层的氮含有量，在0.1％原子以上，10％原子以下。
13.根据权利要求12所述的光记录媒体，其特征在于：
记录的氮含有量，在1％原子以上、3.5％原子以下。
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