JP3138661B2 - 相変化型光ディスク - Google Patents

相変化型光ディスク

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光の照射に
よる昇温、冷却の熱覆瀝の違いにより結晶と非晶質間の
構造変化並びに光学的性質が変化する光学的情報記録媒
体、すなわち相変化型光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を用いた光ディスク記録方式は
大容量記録が可能であり、非接触で高速にアクセスでき
ることから、大容量メモリとして実用化が進んでいる。
光ディスクはコンパクトディスクやレーザディスクとし
て知られている再生専用型、ユーザ自身で記録できる追
記型、及びユーザ側で繰り返し記録消去ができる書き替
え型の３種類に分類される。追記型、書き替え型の光デ
ィスクはコンピュータの外部メモリ、あるいは文書、画
像ファイルとして使用されている。
【０００３】書き替え型光ディスクは、記録膜の相変化
を利用した相変化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化方向
の変化を利用した光磁気ディスクの２種類がある。この
うち、相変化型光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ
オーバーライトが容易にできること、また再生専用型と
再生方式が同じであるという利点があることから、書き
替え型デジタルビデオディスクなどの書き替え型光ディ
スクの主流になることが期待されている。
【０００４】従来より、照射により結晶−非晶質間の相
変化を起こす記録膜を用いた書き替え可能な、いわゆる
相変化型光ディスクが知られている。相変化型光ディス
クでは記録膜に記録すべき情報に応じた高パワーのレー
ザ光スポットを照射し、記録膜温度を局部的に上昇させ
ることにより、結晶−非晶質間の相変化を起こさせて記
録し、これに伴う光学定数の変化を低パワーのレーザ光
によって反射光強度差として読み取ることにより再生を
行なっている。例えば、結晶化時間が比較的遅い記録膜
を用いた相変化型光ディスクでは、ディスクを回転さ
せ、このディスクに形成された記録膜にレーザ光を照射
し、記録膜の温度を融点以上に上昇させ、レーザ光が通
過した後、急冷することによりその部分を非晶質状態と
し情報を記録する。消去時には、記録膜温度を結晶化温
度以上で融点以下の結晶可能な温度範囲で結晶化を進行
させるために十分な時間保持し、記録膜を結晶化させ
る。このための方法としては、レーザー光の進行方向に
長い長円レーザ光を照射する方法が知られている。既に
記録したデータを消去しながら新しい情報を記録する２
ビームによる擬似的なオーバーライトを行なう場合に
は、消去用の長円レーザ光を記録用円形レーザ光に先行
させて照射するように配置する。
【０００５】一方、高速結晶化が可能な情報記録膜を用
いたディスクでは、円形に集光した１本のレーザ光を使
う。従来より知られている方法は、レーザ光のパワーを
２つのレベル間で変化させることにより、結晶化あるい
は非晶質化を行なう。すなわち、記録膜の温度を融点以
上に上昇させることが可能なパワーのレーザ光を記録膜
に照射することにより、その殆どの部分は冷却時に非晶
質状態となる。一方、記録膜温度が結晶化温度以上、融
点以下の温度に達するようなパワーのレーザ光が照射さ
せた部分は結晶状態となる。相変化型光ディスクの記録
膜には、カルコゲナイド系材料である、ＧｅＳｂＴｅ
系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴ
ｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、Ｓ
ｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系などが用いられるが、い
ずれも抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空蒸着法、ス
パッタリング法などの成膜法で成膜される。成膜直後の
記録膜の状態は一種の非晶質状態であり、この記録膜に
記録を行なって非晶質の記録部を形成するために、記録
膜全体を結晶質にしておく初期化処理が行なわれる。記
録はこの結晶化された状態の中に非晶質部分を形成する
ことにより達成される。
【０００６】従来、相変化型光ディスクにおいて、高密
度記録を行なう手法として、記録マークのエッジに情報
を記録するマークエッジ記録方式が提案されている。マ
ークエッジ記録に適したディスク構成として、高線速で
使用を想定した透過型の反射膜、特にＳｉ反射膜を用い
たディスク構成が提案されている（例；特願平２−２１
８８３４号、特願平６−２３０６７１号、特願平６−２
５３３２６号）。また、低線速でのマークエッジ記録対
応の光ディスク媒体としては、金属反射膜を使用した例
が提案されている（例；石田他：第６回相変化記録研究
会シンポジウム講演予稿集ｐ70，1994.11.）。
【０００７】また、基板上に形成されたトラッキング用
案内溝の凹部と凸部の両方に記録を行なうトラック／グ
ルーブ記録方式が知られている。この方式を採用すれ
ば、原理的にはトラック方向に記録密度を倍増でき、高
密度記録が達成できる（例；大野他：第５回相変化記録
研究会シンポジウム講演予稿集ｐ114，1993.11.）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、高密
度記録の手段としては、マークエッジ記録とトラック／
グルーブ記録の併用が効果的である。オーバーライト相
変化記録においては、従来から知られている高反射率状
態の結晶部に非晶質マークを記録するタイプで、結晶部
と非晶質部の反射率差を大きくとった反射率差再生型媒
体をマークエッジ記録に使用した場合、媒体の透過光が
ないために結晶部の吸収率が非晶質部の吸収率よりかな
り小さくなり、オーバーライト時の記録マークの歪みを
小さく抑えられないという欠点があった。
【０００９】この欠点を解消するために、結晶部と非晶
質部の反射率差を小さくし、両者間の光学的な位相差を
大きく設定する手法が提案されている（例；特開平２−
７３５３７号公報や特開平２−１１３４５１号公報、特
開平７−９３８０４号公報）。この方法を用いると、結
晶部の吸収率が非晶質部の吸収率と同程度あるいはこれ
より大きくなるようにでき、オーバーライト時の記録マ
ークの歪みを小さく抑えることが可能となる。しかしな
がら、倍トラック密度記録では、ランド再生時とグルー
ブ再生時の信号レベルの均一化が要求されるため、結晶
部と非晶質部の光学的位相差を零近傍に設定する必要が
あるため、単に光学的位相差を確保し、結晶部の吸収率
を非晶質部の吸収率と同レベルあるいはこれより大きく
なるようにしたことのみでは、ランド再生とグルーブ再
生の出力レベルのバランスが崩れ、良好なマークエッジ
記録とランド／グルーブ記録併用型に適した媒体が得ら
れないという課題があった。
【００１０】本発明は上記した従来の問題点を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、マー
クエッジ記録とランド／グルーブ記録併用型媒体の欠点
を解消し、所望のマークエッジ記録でのオーバーライト
特性を保ちつつ高密度記録が可能な相変化型光ディスク
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、結晶と非晶質の可逆的な相変化を用い、レ
ーザ光照射による情報記録膜の相状態変化によって情報
の記録、再生、消去を行なう相変化型光ディスクにおい
て、基板上に、下地保護膜、相変化記録膜、上部保護
膜、金属反射膜、保護樹脂膜を順次積層形成し、前記基
板には予めレーザ光トラッキング用の凹凸状の螺旋状ま
たは同心円状の案内溝が形成され、前記案内溝の凹部、
凸部両方に情報を記録する相変化型光ディスクであっ
て、前記相変化記録膜の結晶状態と非晶質状態での反射
レーザ光の光学的位相差が１８０度±５度に設定されて
いることを特徴とする。また、本発明は、相変化記録膜
が結晶状態であるときと、非晶質状態であるときの前記
相変化記録膜の光の吸収率の比が０．９から１．１であ
ることを特徴とする。また、本発明は、使用するレーザ
光の波長をλとしたとき、基板上に形成された案内溝の
光学的深さをλ／９からλ／６の間に設定したことを特
徴とする。また、本発明は、レーザ光波長が６３５ｎｍ
から６５０ｎｍの範囲にあり、基板上に形成された案内
溝の深さが４０ｎｍから７０ｎｍの間に設定されている
ことを特徴とする。また、本発明は、ポリカーボネート
からなる基板上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる下地保護
膜、ＧｅＳｂＴｅを主成分とする相変化記録膜、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2からなる上部保護膜、Ａｌを主成分とする金
属反射膜、紫外線硬化型の保護樹脂が順次積層形成され
ていることを特徴とする。さらに、本発明は、金属反射
膜がＡｌを主成分とし、Ｔｉの重量添加率が０％から
２．０％の間に設定されていることを特徴とする。
【００１２】本発明においては、相変化型光ディスクの
構成を工夫することによって、記録膜の光学的変化に伴
って反射光の光学的位相が変化する。これにより、結晶
と非晶質間の反射率差を大きくしなくても再生信号が得
られる。よって、記録膜が結晶状態である場合の記録膜
での吸収率を高くしやすく、非晶質状態と同レベルもし
くはこれより大きくでき、マークエッジ記録での良好な
オーバーライト特性が得られる。ランド／グルーブ倍ト
ラック記録において、ランド領域の結晶状態と非晶質状
態での反射レーザ光の光学的位相差が１８０度±５度に
なるように設定する。このような光学的位相差において
は、反射光から見ると、ランド部再生時のグルーブ領域
と、グルーブ部再生時のランド領域は光学的に等価とな
る。このため、ランド再生とグルーブ再生の信号レベル
の均一化が図れる。その結果として、倍トラック密度記
録とマークエッジ記録が可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明に係る相変化型光ディスクの
構成を示す断面図である。同図において、相変化型光デ
ィスク１０は、基板１を備え、この基板１の表面に下地
保護膜２、相変化記録膜３、上部保護膜４、金属反射膜
５および保護樹脂膜６をこの順序で順次積層形成するこ
とにより構成されている。また、前記基板１には、予め
レーザ光トラッキング用の凹凸状の螺旋状または同心円
状の図示しない案内溝が形成され、この溝の凹部と凸部
にそれぞれ情報が記録されるようになっている。
【００１５】基板１としては、円盤状のガラスもしくは
プラスチックが用いられる。下地保護膜２と上部保護膜
４の材料としては、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ4 、ＡｌＮ、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 などが用いられる。相
変化記録膜３としては、カルコゲナイド系材料である、
ＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴ
ｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳ
ｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系などが用い
られる。金属反射膜５としては、金属合金薄膜が使用さ
れる。例えば、Ａｌ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−
Ｔａ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｃｏなどが使用
できる。保護樹脂６としては、一般に紫外線で硬化する
紫外線硬化樹脂を用いる。
【００１６】ディスクとしては、もちろん単板で使用す
ることも可能であるが、同じ仕様のディスクを接着剤等
で貼り合わせ、両面仕様として使用することもできる。
また、ディスクの剛性を高めるために、記録膜が成膜さ
れない基板と貼り合わされた片面仕様でもかまわない。
【００１７】図２は、波長を６４０ｎｍとし、ポリカー
ボネート基板１上にＺｎＳ−ＳｉＯ２の下地保護膜２を
５ｎｍから３００ｎｍ、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の相変化記
録膜３を１２ｎｍ厚さに、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の上部保護
膜４を２５ｎｍ厚さに、Ａｌ−Ｔｉ金属反射膜５を１０
０ｎｍ厚さに、屈折率１．５の保護樹脂６を１０μｍの
厚さに順次積層形成した構成での光ディスクの結晶状態
並びに非晶質状態の反射率Ｒｃ，Ｒａ、吸収率Ａｃ，Ａ
ａおよび結晶状態と非晶質状態の反射光の光学的位相差
Δを求めたものである。下地保護膜厚５０ｎｍと２００
ｎｍ近傍で光学的位相差Δが１８０度となり、このとき
結晶状態の吸収率が相変化記録膜３の非晶質状態での吸
収率と同レベルもしくはこれより大きくなる。ここで、
相変化記録膜３が結晶状態であるときと、非晶質状態で
あるときの相変化記録膜３の光の吸収率の比が０．９か
ら１．１の範囲であれば、オーバーライトでの結晶状態
と非晶質状態の温度上昇の差が小さく抑えられるので、
良好なマークエッジ記録が可能となる。
【００１８】図３は、案内溝の光学的深さをλ／６．３
としたとき、相変化記録膜からの反射光の光学的位相差
に対して、クロストークの変化を求めたものである。許
容できるクロストーク量として−２６ｄＢを想定する
と、光学的位相差は１８０度±５度に抑える必要があ
る。
【００１９】
【実施例１】図１と同様の構成となるよう、基板１上に
下地保護膜２、相変化記録膜３、上部保護膜４、金属反
射膜５、保護樹脂６を順次積層形成した。基板１には、
直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍ
ｍ、トラックピッチ１．２μｍ、ランド幅０．６μｍ、
グルーブ幅０．６μｍ、溝深さ５５ｎｍ）を用いた。こ
の基板１上にスパッタ法によりＺｎＳ−ＳｉＯ2 からな
る下地保護膜２（２００ｎｍ厚）、Ｇｅ 2 Ｓｂ 2 Ｔｅ 5 相
変化記録膜３、ＺｎＳ−ＳｉＯ 2 上部保護膜４、Ａｌ−
Ｔｉ（Ｔｉ１．０ｗｔ％）金属反射膜５（１００ｎｍ
厚）を順次形成した。続いて、紫外線硬化樹脂６（大日
本インキ製、ＳＤ３０１、１０μｍ厚）を保護樹脂とし
てスピンコートにより形成し、紫外線照射により硬化さ
せた。
【００２０】続いて、本発明の効果を確認するために、
波長６４０ｎｍの半導体レーザを光源とする光ヘッドを
用い、光ディスクへの記録を試みた。この光ディスクは
予め一定パワーのＤＣレーザ光を照射することにより、
記録膜全体を結晶状態にする初期化処理を施した。記録
に使用した光ヘッドの仕様は、集光レンズの開口数ＮＡ
が０．６０となっており、最大照射パワーは１５ｍＷで
ある。
【００２１】前記光ディスクを線速６．０ｍ／ｓで回転
させ、ディスクのランド部とグルーブ部にマーク長０．
４０μｍの信号Ａとマーク長０．５０μｍの信号Ｂを交
互にオーバーライトした。マークエッジ記録において重
要な評価指標であるオーバーライト後のジッタは信号
Ａ、信号Ｂともに１０回のオーバーライト後に３．０ｎ
ｓ以下に収まっており、良好なマークエッジ記録が可能
であることが確認された。また、ランド／グルーブ間の
クロストークは−３０ｄＢであった。さらに、ランド再
生時の信号出力と、グルーブ再生時の信号出力のレベル
差は、１．０ｄＢ以下に収まっており、このディスクが
マークエッジ記録とランド／グルーブ倍トラック記録併
用型として十分使用できることが確認された。
【００２２】
【実施例２】実施例１と同様の構成で、金属反射膜５の
組成を純Ａｌとした光ディスクを作成し、線速４．０ｍ
／ｓの条件で特性を評価した。ディスクのランド部とグ
ルーブ部にマーク長０．４０μｍの信号Ａとマーク長
０．５０μｍの信号Ｂを交互にオーバーライトした。オ
ーバーライト後のジッタは信号Ａ、信号Ｂともに１０回
のオーバーライト後に４．０ｎｓ以下に収まっており、
良好なマークエッジ記録が可能であることが確認され
た。また、ランド／グルーブ間のクロストークは−２６
ｄＢであった。さらに、ランド再生時の信号出力と、グ
ルーブ再生時の信号出力のレベル差は、０．８ｄＢ以下
に収まっており、このディスクがマークエッジ記録とラ
ンド／グルーブ倍トラック記録併用型として十分使用で
きることが確認された。
【００２３】
【実施例３】実施例１と同様の構成で、金属反射膜５の
組成を純Ａｌ−Ｔｉ（Ｔｉ２．０重量％）とした光ディ
スクを作成し、線速８．０ｍ／ｓの条件で特性を評価し
た。ディスクのランド部とグルーブ部にマーク長０．４
０μｍの信号Ａとマーク長０．５０μｍの信号Ｂを交互
にオーバーライトした。オーバーライト後のジッタは信
号Ａ、信号Ｂともに１０回のオーバーライト後に２．５
ｎｓ以下に収まっており、良好なマークエッジ記録が可
能であることが確認された。また、ランド／グルーブ間
のクロストークは−３２ｄＢであった。さらに、ランド
再生時の信号出力と、グルーブ再生時の信号出力のレベ
ル差は、１．１ｄＢ以下に収まっており、このディスク
がマークエッジ記録とランド／グルーブ倍トラック記録
併用型として十分使用できることが確認された。
【００２４】
【実施例４】実施例１と同様の構成で、基板１の溝深さ
を４０ｎｍとした光ディスクを作成した。この光ディス
クを線速６．０ｍ／ｓで回転させ、ディスクのランド部
とグルーブ部にマーク長０．４０μｍの信号Ａとマーク
長０．５０μｍの信号Ｂを交互にオーバーライトした。
オーバーライト後のジッタは信号Ａ、信号Ｂともに１０
回のオーバーライト後に３．０ｎｓ以下に収まってお
り、良好なマークエッジ記録が可能であることが確認さ
れた。また、ランド／グルーブ間のクロストークは−２
６ｄＢであった。さらに、ランド再生時の信号出力と、
グルーブ再生時の信号出力のレベル差は、０．８ｄＢ以
下に収まっており、このディスクがマークエッジ記録と
ランド／グルーブ倍トラック記録併用型として十分使用
できることが確認された。
【００２５】
【比較例１】実施例１と同様の構成で、基板１の溝深さ
を３５ｎｍとした光ディスクを作成した。この光ディス
クを線速６．０ｍ／ｓで回転させ、ディスクのランド部
とグルーブ部にマーク長０．４０μｍの信号Ａとマーク
長０．５０μｍの信号Ｂを交互にオーバーライトした。
オーバーライト後のジッタは信号Ａ、信号Ｂともに１０
回のオーバーライト後に３．０ｎｓ以下に収まってお
り、良好なマークエッジ記録が可能であることが確認さ
れた。しかしながら、ランド／グルーブ間のクロストー
クは−２０ｄＢであった。さらに、ランド再生時の信号
出力と、グルーブ再生時の信号出力のレベル差は、１．
８ｄＢと大きくなった。
【００２６】
【実施例５】実施例１と同様の構成で、基板１の溝深さ
を７０ｎｍとした光ディスクを作成した。この光ディス
クを線速６．０ｍ／ｓで回転させ、ディスクのランド部
とグルーブ部にマーク長０．４０μｍの信号Ａとマーク
長０．５０μｍの信号Ｂを交互にオーバーライトした。
オーバーライト後のジッタは信号Ａ、信号Ｂともに１０
回のオーバーライト後に３．０ｎｓ以下に収まってお
り、良好なマークエッジ記録が可能であることが確認さ
れた。また、ランド／グルーブ間のクロストークは−２
７ｄＢであった。さらに、ランド再生時の信号出力と、
グルーブ再生時の信号出力のレベル差は、０．９ｄＢ以
下に収まっており、このディスクがマークエッジ記録と
ランド／グルーブ倍トラック記録併用型として十分使用
できることが確認された。
【００２７】
【比較例２】実施例１と同様の構成で、基板１の溝深さ
を７５ｎｍとした光ディスクを作成した。この光ディス
クを線速６．０ｍ／ｓで回転させ、ディスクのランド部
とグルーブ部にマーク長０．４０μｍの信号Ａとマーク
長０．５０μｍの信号Ｂを交互にオーバーライトした。
オーバーライト後のジッタは信号Ａ、信号Ｂともに１０
回のオーバーライト後に３．０ｎｓ以下に収まってお
り、良好なマークエッジ記録が可能であることが確認さ
れた。しかしながら、ランド／グルーブ間のクロストー
クは−１８ｄＢであった。さらに、ランド再生時の信号
出力と、グルーブ再生時の信号出力のレベル差は、１．
５ｄＢと大きくなった。
【００２８】
【実施例６】ランド並びにグルーブに信号が記録された
実施例１と同等の光ディスクを、波長６３５ｎｍの再生
専用光ヘッドを用いて再生した。使用した光ヘッドの仕
様は、集光レンズのＮＡが０．６０となっており、最大
再生パワーは３．０ｍＷである。この光ディスクを線速
６．０ｍ／ｓで回転させ、ディスクのランド部とグルー
ブ部にマーク長０．４０μｍの信号Ａとマーク長０．５
０μｍの信号Ｂを再生パワー１．０ｍＷの条件で再生し
た。ジッタは信号Ａ、信号Ｂともに２．８ｎｓ以下に収
まっており、良好なマークエッジ信号再生が可能である
ことが確認された。また、ランド／グルーブ間のクロス
トークは−３１ｄＢであった。さらに、ランド再生時の
信号出力と、グルーブ再生時の信号出力のレベル差は、
０．８ｄＢ以下に収まっており、このディスクが波長６
３５ｎｍにおいてもマークエッジ記録とランド／グルー
ブ倍トラック記録併用型として十分使用できることが確
認された。
【００２９】
【実施例７】実施例１と同等の光ディスクを波長６５０
ｎｍの光ヘッドを記録再生した。使用した光ヘッドの仕
様は、集光レンズのＮＡが０．６０となっており、最大
照射パワーは１９ｍＷである。この光ディスクを線速
６．０ｍ／ｓで回転させ、ディスクのランド部とグルー
ブ部にマーク長０．４０μｍの信号Ａとマーク長０．５
０μｍの信号Ｂを交互にオーバーライトした。マークエ
ッジ記録において重要な評価指標であるオーバーライト
後のジッタは、信号Ａ、信号Ｂともに３．２ｎｓ以下に
収まっており、良好なマークエッジ記録が可能であるこ
とが確認された。また、ランド／グルーブ間のクロスト
ークは−２８ｄＢであった。さらに、ランド再生時の信
号出力と、グルーブ再生時の信号出力のレベル差は、
０．９ｄＢ以下に収まっており、このディスクがマーク
エッジ記録とランド／グルーブ倍トラック記録併用型と
して十分使用できることが確認された。
【００３０】なお、本発明は上記した構成に何ら限定さ
れるものではなく、幅広く相変化型光ディスクの高密度
化を目的として使用されるマークエッジ記録とランド／
グルーブ記録が適用される相変化型光ディスクに幅広く
適用できることはいうまでもない。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る相変化
型光ディスクは、相変化記録膜の結晶状態と非晶質状態
での反射レーザ光の光学的位相差を１８０度±５度に設
定したので、このときの結晶状態の吸収率を非晶質状態
での吸収率と同レベルまたはこれより大きくすることが
できる。したがって、記録膜が結晶状態である場合の記
録膜での吸収率を高くし易く、所望のマークエッジ記録
でのオーバーライト特性を保ちつつ高密度記録が可能な
相変化型光ディスクが得られ、従来にない高密度記録が
実現できるという優れた効果がある。また、本発明は、
相変化記録膜が結晶状態であるときと、非晶質状態であ
るときの前記相変化記録膜の光の吸収率の比を０．９〜
１．１の範囲に設定しているので、オーバーライトでの
結晶状態と非晶質状態の温度上昇の差を小さく抑えるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る相変化型光ディスクの一実施の
形態を示す断面図である。
【図２】 本発明に係る他の相変化型光ディスクの光学
的特性を示す図である。
【図３】 本発明に係る相変化型光ディスクのクロスロ
ーク特性を示す図である。
【符号の説明】
１…基板、２…下地保護膜、３…相変化記録膜、４…上
部保護膜、５…金属反射膜、６…保護樹脂、１０…相変
化型光ディスク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−4900（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/24

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 結晶と非晶質の可逆的な相変化を用い、
    レーザ光照射による情報記録膜の相状態変化によって情
    報の記録、再生、消去を行なう相変化型光ディスクにお
    いて、基板上に、下地保護膜、相変化記録膜、上部保護
    膜、金属反射膜、保護樹脂膜を順次積層形成し、前記基
    板には予めレーザ光トラッキング用の凹凸状の螺旋状ま
    たは同心円状の案内溝が形成され、前記案内溝の凹部、
    凸部両方に情報を記録する相変化型光ディスクであっ
    て、前記相変化記録膜の結晶状態と非晶質状態での反射
    レーザ光の光学的位相差が１８０度±５度に設定されて
    いることを特徴とする相変化型光ディスク。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の相変化型光ディスクにお
    いて、相変化記録膜が結晶状態であるときと、非晶質状
    態であるときの前記相変化記録膜の光の吸収率の比が
    ０．９から１．１であることを特徴とする相変化型光デ
    ィスク。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載の相変化型光ディ
    スクにおいて、使用するレーザ光の波長をλとしたと
    き、基板上に形成された案内溝の光学的深さをλ／９か
    らλ／６の間に設定したことを特徴とする相変化型光デ
    ィスク。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の相変化型光ディスクにお
    いて、レーザ光波長が６３５ｎｍから６５０ｎｍの範囲
    にあり、基板上に形成された案内溝の深さが４０ｎｍか
    ら７０ｎｍの間に設定されていることを特徴とする相変
    化型光ディスク。
  5. 【請求項５】 請求項１，２，３または４記載の相変化
    型光ディスクにおいて、ポリカーボネートからなる基板
    上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 からなる下地保護膜、ＧｅＳｂ
    Ｔｅを主成分とする相変化記録膜、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 か
    らなる上部保護膜、Ａｌを主成分とする金属反射膜、紫
    外線硬化型の保護樹脂が順次積層形成されていることを
    特徴とする相変化型光ディスク。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の相変化型光ディスクにお
    いて、金属反射膜がＡｌを主成分とし、Ｔｉの重量添加
    率が０％から２．０％の間に設定されていることを特徴
    とする相変化型光ディスク。
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