JPH10320835A - 光ディスク - Google Patents

光ディスク

Info

Publication number
JPH10320835A
JPH10320835A JP9128638A JP12863897A JPH10320835A JP H10320835 A JPH10320835 A JP H10320835A JP 9128638 A JP9128638 A JP 9128638A JP 12863897 A JP12863897 A JP 12863897A JP H10320835 A JPH10320835 A JP H10320835A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
groove
optical disk
side wall
groove depth
depth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9128638A
Other languages
English (en)
Inventor
Madoka Nishiyama
円 西山
Seiji Morita
成二 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP9128638A priority Critical patent/JPH10320835A/ja
Priority to US09/081,024 priority patent/US20010012265A1/en
Priority to EP98303960A priority patent/EP0880130A3/en
Publication of JPH10320835A publication Critical patent/JPH10320835A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24073—Tracks
    • G11B7/24076—Cross sectional shape in the radial direction of a disc, e.g. asymmetrical cross sectional shape
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
    • G11B7/00718—Groove and land recording, i.e. user data recorded both in the grooves and on the lands
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24073—Tracks
    • G11B7/24079—Width or depth
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0055—Erasing
    • G11B7/00557—Erasing involving phase-change media
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/006—Overwriting

Landscapes

  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、ランド・グルーブ記録を行う相変
化型の光ディスクに関し、狭トラックピッチ化の弊害を
解消することを目的とする。 【解決手段】 アモルファスと結晶間の相変化を利用し
て、ランド部とグルーブ部とに記録を行う光ディスクに
おいて、光の波長をλとし、ディスク基板の屈折率をｎ
としたとき、ランド部とグルーブ部との段差であるグル
ーブ深さを、λ／（３．７８ｎ）以上の数値範囲に限定
する。また、グルーブ深さを、λ／（３ｎ），｛λ／
（３ｎ）＋λ／（２ｎ）｝，｛λ／（６ｎ）＋λ／（２
ｎ）｝の値付近のいずれかに設定する。さらに、上記の
ようにグルーブ深さを深くしつつ、溝側壁の荒れ幅を５
０ｎｍ以下もしくは２０ｎｍ以下に抑制する。また、溝
側壁のテーパ角を６０度以上、８０度以上もしくは８４
度以上に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクに関
し、特に、グルーブ深さを適正に設定することによっ
て、消去率などの特性を向上させた光ディスクに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、大容量メモリとして民生
用および計算機用などに実用化され、急速に普及しつつ
ある。マルチメディア時代を迎え、情報の増大・多様化
に対応するため、次世代の光ディスクにおいては、さら
なる大容量化、転送速度の高速化、さらにはオーバーラ
イト化などの要求がますます高まっている。
【０００３】特に最近では、トラック密度を倍増させて
大容量化を図るため、光ディスクのランド部およびグル
ーブ部の双方に信号を記録する方式（以下、「ランド・
グルーブ記録」という）が注目されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなランド・グ
ルーブ記録においては、トラックピッチが従来の半分程
度まで狭くなる。
【０００５】そのため、再生時に隣接トラックの信号が
再生信号に混入するクロストークや、消去時に隣接トラ
ックの信号を消してしまうクロスイレーズや、隣接トラ
ックにはみ出して信号を記録してしまうクロスライトな
どの弊害が発生しやすい。特に、記録再生を繰り返す光
ディスクにおいては、クロスイレーズやクロスライトの
影響が累積されるため、上記弊害の影響が大きく現れ
る。
【０００６】また、狭トラックピッチ化に伴って、再生
信号の出力自体が低下するため、ＣＮＲ（キャリア−ノ
イズ比）が低下するという弊害も生じる。さらに、狭ト
ラックピッチ化に伴って、消去特性も低下する。消去特
性の低下の原因としては、記録マークが、狭いトラック
幅いっぱいに、もしくは若干はみ出す程度に書き込ま
れ、オーバーライト時に消し残りを生じるためと考えら
れる。
【０００７】上述したような弊害のために、ランド・グ
ルーブ記録を行う光ディスクでは、０．８〜０．７μｍ
程度のトラックピッチが限界であり、これ以上の狭トラ
ックピッチ化は困難であると考えられていた。そこで、
請求項１〜３に記載の発明では、上述した弊害を解決し
つつ、トラックピッチをさらに狭くすることができる光
ディスクを提供することを目的とする。
【０００８】請求項４〜６に記載の発明では、請求項１
の目的と併せて、クロストークを格段に減少させること
ができる光ディスクを提供することを目的とする。請求
項７〜１１に記載の発明では、グルーブ深さを従来以上
に深くした際に生じる弊害を解決した光ディスクを提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、アモルファスと結晶間の相変化を利用して、ランド
部とグルーブ部とにそれぞれ記録を行う光ディスクにお
いて、照射光の波長をλとし、ディスク基板の屈折率を
ｎとしたとき、ランド部とグルーブ部との段差であるグ
ルーブ深さを、λ／（３．７８ｎ）以上にしたことを特
徴とする。
【００１０】このような構造により、ランド部とグルー
ブ部との間の熱伝搬距離が長くなる。そのため、光の照
射熱は隣接トラックへ伝搬しにくくなり、熱伝搬により
生じるクロスイレーズやクロスライトなどの弊害が軽減
される。また、隣接トラックに熱が伝搬しにくくなるこ
とにより、ランド部およびグルーブ部ともに熱が溜まり
やすくなる。そのため、記録マークを消去する際、アモ
ルファスマークを結晶化温度の近傍に長い時間留まらせ
ることが可能となる。その結果、アモルファスマークの
結晶化効率が向上し、消去率が向上する。
【００１１】特に、グルーブ深さをλ／（３．７８ｎ）
以上に設定することにより、トラックピッチが０．６μ
ｍ程度の場合に、実用可能なクロスライト耐性Ｐｗ／Ｐ
ｐ（後述）の値を確保することが可能となる。このよう
な作用により、狭トラックピッチ化の弊害が軽減され、
０．６μｍ以下の狭トラックピッチ化を図ることが可能
となる。
【００１２】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の光ディスクにおいて、トラックピッチが、１．１８λ
よりも狭いことを特徴とする。請求項３に記載の発明
は、請求項１または請求項２に記載の光ディスクにおい
て、グルーブ深さが、λ／（３．７８ｎ）〜λ／（１．
１３ｎ）の範囲にあることを特徴とする。
【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１または
請求項２に記載の光ディスクにおいて、グルーブ深さ
が、λ／（３ｎ）であることを特徴とする。このように
ランド−グルーブ間の光路差を設定することにより、隣
接トラックからのクロストークを極小にすることができ
る。請求項５に記載の発明は、請求項１または請求項２
に記載の光ディスクにおいて、グルーブ深さが、｛λ／
（３ｎ）＋λ／（２ｎ）｝であることを特徴とする。
【００１４】このようにランド−グルーブ間の光路差を
設定することにより、隣接トラックからのクロストーク
を極小にすることができる。請求項６に記載の発明は、
請求項１または請求項２に記載の光ディスクにおいて、
グルーブ深さが、｛λ／（６ｎ）＋λ／（２ｎ）｝であ
ることを特徴とする。このようにランド−グルーブ間の
光路差を設定することにより、隣接トラックからのクロ
ストークを極小にすることができる。
【００１５】請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６
のいずれか１項に記載の光ディスクにおいて、溝側壁の
荒れ幅が、５０ｎｍ以下であることを特徴とする。グル
ーブ深さを深くすることにより、溝側壁の荒れに起因す
る再生ノイズが増加する。そこで、今回実験した結果、
従来１５０ｎｍ以上であった荒れ幅を最大５０ｎｍに抑
えることにより、ノイズレベルを低減してＣＮＲ４５ｄ
Ｂを確保できることを見いだした。このＣＮＲ４５ｄＢ
の値は、ＩＳＯ規格などで定められるＣＮＲの規格値４
５ｄＢを満足する値である。
【００１６】請求項８に記載の発明は、請求項１乃至６
のいずれか１項に記載の光ディスクにおいて、溝側壁の
荒れ幅が、２０ｎｍ以下であることを特徴とする。グル
ーブ深さを深くすることにより、溝側壁の荒れに起因す
る再生ノイズが増加する。そこで、今回実験した結果、
荒れ幅を最大２０ｎｍに抑えることにより、ノイズレベ
ルを低減してＣＮＲ４８ｄＢを確保できることを見いだ
した。このＣＮＲ４８ｄＢの値は、ＩＳＯ規格などで定
められるＣＮＲの規格値４５ｄＢに対して３ｄＢ程度の
マージンを確保した値である。
【００１７】請求項９に記載の発明は、請求項１乃至６
のいずれか１項に記載の光ディスクにおいて、溝側壁の
テーパ角が、６０度以上であることを特徴とする。通
常、溝側壁はテーパ角を持たせて形成される。そのた
め、グルーブ深さを深くするに従って、光ピックアップ
からみた溝側壁の幅が広がる。このとき、両側のトラッ
クからの信号が溝側壁にはみ出して記録されているた
め、溝側壁へのクロスライト分だけクロスライト耐性が
悪化する。
【００１８】そこで、今回実験した結果、テーパ角を６
０度以上にすることにより、クロスライト耐性に実用可
能な１以上の値を確保できることを見いだした。請求項
１０に記載の発明は、請求項１乃至６のいずれか１項に
記載の光ディスクにおいて、溝側壁のテーパ角が、８０
度以上であることを特徴とする。今回実験した結果、テ
ーパ角を８０度以上にすることにより、クロスライト耐
性に実用可能な１．１以上の値を十分確保できることを
見いだした。
【００１９】請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至
６のいずれか１項に記載の光ディスクにおいて、溝側壁
のテーパ角が、８４度以上であることを特徴とする。今
回実験した結果、テーパ角を８４度以上にすることによ
り、クロスライト耐性が急激に向上することを見いだし
た。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明にお
ける実施の形態を説明する。
【００２１】図１は、今回作製した相変化型光ディスク
の基本構造（急冷構造）を示す断面図である。図１にお
いて、ディスク基板１は、直径８６mm、内径１５mm、厚
さ１．２mmからなる円盤状のガラス２Ｐ基板（屈折率ｎ
＝１．５２）であり、その表面には、ランド部とグルー
ブ部とをなす溝がスパイラル状に形成される。このとき
のグルーブ深さは、従来のグルーブ深さ（４０〜８５ｎ
ｍ）よりも深い値（１２０ｎｍ以上）に設定される。
【００２２】このディスク基板１の表面には、保護層
２，記録層３，保護層４，反射層５が順に形成される。
まず、保護層２は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる膜厚１３
５ｎｍの層である。記録層３は、ＧｅＳｂＴｅの合金か
らなる膜厚２５ｎｍの層である。保護層４は、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2からなる膜厚２０ｎｍの層である。反射層５
は、Ａｌからなる膜厚１５０ｎｍの層である。
【００２３】一方、光ディスクの評価測定用に使用した
光ピックアップ（図示せず）は、レーザ光の波長λが６
８５ｎｍであり、対物レンズの開口数（ＮＡ）が０．６
である。以下、各測定結果ごとに光ディスクの特性を説
明する。 （オーバーライト時の消去率）トラックピッチを０．６
μｍに設定し、グルーブ深さを１６０ｎｍに設定した光
ディスクを対象にして、次の手順に従って消去率を測定
した。
【００２４】（１）３Ｔマークを記録する。 （２）その３Ｔマークを再生する。 （３）その上に、８Ｔマークを記録する。 上記の手順（１）〜（３）を１０００回繰り返した後、
最終的に３Ｔマークを記録する。この光ディスクを再生
した際に、再生信号中の８Ｔ成分（オーバーライト時の
消し残り）と３Ｔ成分との比を測定し、消去率とする。
【００２５】図２は、消去パワーを種々に設定した場合
の消去率の値を示した図である。図中の丸印は、従来の
光ディスク（グルーブ深さ＝４０ｎｍ）における消去率
を示し、三角印は、本実施形態の光ディスク（グルーブ
深さ＝１６０ｎｍ）における消去率を示す。図２におい
て、本実施形態の光ディスクは、従来の光ディスクに比
べて、消去率が３〜１０ｄＢほど全体的に向上してい
る。
【００２６】そのため、例えば消去率３０ｄＢ以上を実
使用範囲と考えると、消去パワーの変動マージンが、従
来の±６％からさらに拡大し、本実施形態においては±
３５．５％の変動マージンを確保することができる。以
下、オーバーライト時の消去率が向上する理由につい
て、いくつかの説明を試みる。
【００２７】まず、グルーブ深さを深くすることによ
り、ランド部とグルーブ部との間の熱伝搬距離が長くな
る。その結果、光の照射熱は隣接トラックへ伝搬しにく
くなり、熱がトラック内に集中しやすくなる。その結
果、記録時と消去時とにおける熱の広がりがほぼ同一の
範囲に制限され、マーク周辺部などの消し残りが従来に
比べて生じにくくなると考えられる。
【００２８】また、ランド部とグルーブ部との間の熱伝
搬距離が長くなることにより、トラック上に熱が溜まり
やすくなる。そのため、記録マークを消去する際、アモ
ルファス部分を結晶化温度の近傍に長い時間留まらせる
ことが可能となる。その結果、アモルファス部分の結晶
化効率が向上し、消去率が向上すると考えられる。以上
のように、グルーブ深さを深くすることにより、消去率
が改善されるので、一層の狭トラックピッチ化や高転送
レート化を図ることが可能となる。
【００２９】次に、別の測定結果について説明する。 （クロスライト耐性）次の手順に従って、クロスライト
耐性を測定する。まず、光ディスク全体を結晶構造（消
去状態）にする。この光ディスクのランド上の１トラッ
ク分に対し、線速５ｍ／sec の状態で、０．４μｍの長
さの単一周波数記録ビットを記録する。
【００３０】このとき、ＣＮＲおよび消去率が最適とな
る記録パワーの値を求めて、最適記録パワーＰｐとす
る。次に、隣接する両側のグルーブ部に対し、それぞれ
数１００回程度０．４３μｍの長さの単一周波数記録ビ
ットを記録する。その後、ランド部に戻ってＣＮＲの測
定を行う。
【００３１】このとき、ランド部のＣＮＲが落ちはじめ
る（０．５ｄＢダウン）記録パワーＰｗの値を求める。
ここで、記録パワーの比Ｐｗ／Ｐｐを算出し、クロスラ
イト耐性とする。このクロスライト耐性Ｐｗ／Ｐｐが１
未満の場合、最適記録パワーＰｐで所定トラックを記録
した際に、隣接トラックでは、クロスライトが発生して
ＣＮＲが０．５ｄＢ以上低下してしまう。そのため、ク
ロスライト耐性Ｐｗ／Ｐｐが１未満の場合は、ほぼ実用
に適さない。
【００３２】一方、クロスライト耐性Ｐｗ／Ｐｐが１以
上の場合、最適記録パワーＰｐで所定トラックを記録す
る際に、隣接トラックにおけるＣＮＲの低下は、０．５
ｄＢ以下に抑えることができる。そのため、クロスライ
ト耐性Ｐｗ／Ｐｐが１以上になる範囲が実用可能な範囲
となる。実際には、記録パワーの変動マージンを見込む
ため、クロスライト耐性Ｐｗ／Ｐｐは、１．１以上ある
ことが好ましい。
【００３３】図３は、トラックピッチとグルーブ深さと
を種々に設定した光ディスクについて、クロスライト耐
性Ｐｗ／Ｐｐをそれぞれ測定した結果である。図３に示
すように、グルーブ深さを深くするに従って、クロスラ
イト耐性Ｐｗ／Ｐｐが向上する。ここで、トラックピッ
チが０．６μｍの場合、グルーブ深さを１２０ｎｍ以上
に設定することにより、クロスライト耐性Ｐｗ／Ｐｐに
実用可能な１以上の値を確保することが可能となる。
【００３４】すなわち、グルーブ深さを１２０ｎｍ以上
にすることにより、従来可能であったトラックピッチ
０．７μｍの限界をさらに越えて、０．６μｍ以下のト
ラックピッチを実現することができる。このようなグル
ーブ深さの臨界条件１２０ｎｍを、レーザ光の波長をλ
とし、ディスク基板の屈折率をｎとして、光学的に換算
することにより、λ／（３．７８ｎ）が求まる。
【００３５】図４は、図３と同様の測定結果に基づい
て、トラックピッチとクロスライト耐性Ｐｗ／Ｐｐとの
関係を示した図である。図４に示されるように、グルー
ブ深さを１６０ｎｍに設定した場合には、トラックピッ
チを０．５３μｍまで狭めつつ、実用可能なクロスライ
ト耐性Ｐｗ／Ｐｐを確保することが可能となる。
【００３６】さらに、グルーブ深さを２００ｎｍに設定
した場合には、トラックピッチを０．５μｍ以下に狭め
ても、実用可能なクロスライト耐性Ｐｗ／Ｐｐを確保す
ることが可能となる。
【００３７】次に、別の測定結果について説明する。 （クロストーク）従来、ランド・グルーブ記録方式にお
いて、グルーブ深さをλ／（６ｎ）程度に設定した場
合、隣接トラックからのクロストークを極小にできるこ
とが知られている。
【００３８】今回は、グルーブ深さをλ／（３．７８
ｎ）以上に設定するに際して、クロストークを極小にす
るポイントを新たに検討した。その結果、グルーブ深さ
ｄを次の値付近に設定することにより、クロストークが
極小になることを初めて見いだした。 ｄ＝λ／（３ｎ） ・・・（１） ｄ＝λ／（６ｎ）＋λ／（２ｎ） ・・・（２） ｄ＝λ／（３ｎ）＋λ／（２ｎ） ・・・（３） さらに、光学的計算の結果、クロストークが極小となる
グルーブ深さｄの一般値は、 ｄ＝λ／（３ｎ）＋ｐλ／（２ｎ） ・・・（４） （ただし、係数ｐ＝０，１，２・・・） ｄ＝λ／（６ｎ）＋ｍλ／（２ｎ） ・・・（５） （ただし、係数ｍ＝０，１，２・・・）と表されること
を初めて見いだした。
【００３９】図５は、グルーブ深さとクロストークとの
関係を示す図である。なお、図５に示す黒丸は測定値で
あり、実線は計算値である。図５においては、グルーブ
深さｄ＝１３５ｎｍ，３１０ｎｍ，３６０ｎｍの付近
で、クロストークが極小になる。これらの値は、上記
（１）〜（３）式から求められる値付近にそれぞれ位置
する。
【００４０】このようにグルーブ深さｄを設定すること
により、クロストークの発生を効果的に抑制することが
可能となる。図６は、記録パワーの変化に伴ってクロス
トークを測定した結果を示した図である。図６に示す丸
印は、従来通りにグルーブ深さをλ／（６ｎ）に設定し
た場合の測定データであり、図６に示す三角印は、グル
ーブ深さをλ／（３ｎ）に設定した場合の測定データで
ある。
【００４１】図６に示されるように、グルーブ深さがλ
／（３ｎ）の場合には、記録パワーが大きく変動して
も、クロストークには変化がほとんど観られない。これ
は、グルーブ深さを深くすることにより、記録マーク幅
のはみ出しが溝側壁で制限されているためと考えられ
る。したがって、上記（１）〜（３）式によるグルーブ
深さｄの設定を行うことにより、通常時のクロストーク
抑制に有効なばかりか、光ピックアップ部の記録パワー
が大きく変動するような悪条件下においても、クロスト
ークを強く抑制できることがわかる。
【００４２】次に、別の測定結果について説明する。 （溝側壁の荒れ）図７は、スタンパー表面の電子顕微鏡
写真である。図７（ａ）は、溝側壁の荒れ幅が、１５０
ｎｍ程度の場合である。一方、図７（ｂ）は、溝側壁の
荒れ幅が、２０ｎｍ以下の場合である。なお、図７
（ｂ）のスタンパーは、既知のマスタリングプロセスに
ついて各因子を試行錯誤的に適正化することにより作製
された。
【００４３】図８は、溝側壁の荒れ低減による改善効果
を示す図である。図８に示されるように、溝側壁の荒れ
幅が１５０ｎｍ以上では、再生ノイズのノイズレベルは
（−６０ｄＢｍ）となり、ＣＮＲは４２ｄＢとなる。一
方、溝側壁の荒れ幅が５０ｎｍ以下では、再生ノイズの
ノイズレベルは（−６３ｄＢｍ）まで改善され、ＣＮＲ
は４５ｄＢに改善される。
【００４４】さらに、溝側壁の荒れ幅を２０ｎｍ以下に
抑えると、再生ノイズのノイズレベルは（−６６ｄＢ
ｍ）まで改善され、ＣＮＲは４８ｄＢに改善される。次
に、別の測定結果について説明する。 （溝側壁のテーパ角）図９は、溝側壁のテーパ角を定義
するための図である。
【００４５】ここでは、図９に示すように、溝側壁の面
とディスクの板面とがなす鋭角θをテーパ角と定義す
る。図１０は、テーパ角を種々に設定した場合のクロス
ライト耐性Ｐｗ／Ｐｐを示した図である。なお、測定に
使用した光ディスクのグルーブ深さは、１８０ｎｍであ
る。
【００４６】図１０に示されるように、テーパ角を急峻
（９０度に近づける）にするに従って、クロスライト耐
性Ｐｗ／Ｐｐは向上する。これは、テーパ角を急峻にす
るに従って、光ピックアップから観た溝側壁の幅が狭く
なり、溝側壁へのクロスライト分が低減するためと考え
られる。特に、テーパ角を６０度以上に設定した場合、
トラックピッチ０．５μｍにおいても、クロスライト耐
性に実用可能な１以上の値を確保することができる。
【００４７】また、テーパ角を８０度以上に設定した場
合は、トラックピッチ０．５μｍにおいても、クロスラ
イト耐性に実用可能な１．１以上の値を確保することが
できる。さらに、テーパ角を８４度以上に設定した場合
には、トラックピッチから観た溝側壁の幅は無視できる
程度となるため、クロスライト耐性は急激に向上する。
なお、上述した実施形態では、急冷構造の光ディスク
（図１）を中心に説明したが、本発明は急冷構造の光デ
ィスクに限定されるものではない。
【００４８】例えば、図１１に示すように第２の保護層
４を２００μｍ程度に厚膜化したり、もしくは、放熱部
である反射層５を２０ｎｍ程度に薄膜化することによっ
て、徐冷構造の光ディスクを形成することができる。
【００４９】このような徐冷構造の光ディスクにおいて
も、グルーブ深さを深くすることによる作用効果を同様
に得ることができる。例えば、図４に示す白三角印は、
徐冷構造の光ディスクに関する測定データである。この
ような測定データでは、急冷構造の光ディスクとほぼ同
じ傾向のデータが得られる。また、上述した実施形態で
は、ディスク基板１にガラスを使用しているが、この材
質に限定されるものではない。一般的には、耐熱性がよ
く、吸水率が低く、かつ反りが少ないなどの特性を有す
る材質であればよい。例えば、ポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート、ポリオレフィン系樹脂などを使
用してもよい。
【００５０】さらに、上述した実施形態では、保護層
２，４としてＺｎＳ−ＳｉＯ2を使用しているが、この
材質に限定されるものではない。一般的には、透明で熱
的に安定な材質であればよい。例えば、金属や半金属の
酸化物、窒化物、カルコゲン化物、フッ化物、炭化物な
どを使用してもよい。また、上述した実施形態では、記
録層３としてＧｅＳｂＴｅからなる合金を使用している
が、この材質に限定されるものではない。一般的には、
安定なアモルファス状態を室温で保ち、かつアモルファ
ス状態と結晶状態との間で光学的変化が大きい材質であ
ればよい。例えば、ＩｎＳｂＴｅ，ＩｎＳｂＴｅＡｇ，
ＧａＳｂ，ＩｎＧａＳｂ，ＧｅＳｎＴｅ，ＡｇＳｂＴｅ
などを使用してもよい。
【００５１】さらに、上述した実施形態では、反射層５
にＡｌを使用しているが、この材質に限定されるもので
はない。一般的には、光を反射する金属膜であればよ
い。例えば、Ａｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｓｉなど
を使用してもよい。また、他層の膜厚や屈折率を調整す
ることにより、反射層５を用いない構造とすることもで
きる。
【００５２】また、誘電体保護層４と反射層５との間
に、熱膨張係数の小さいＳｉＯ2層を付加した構造の光
ディスクとしてもよい。さらに、誘電体保護層４と反射
層５との間に、ＳｉＯ2層＋ＺｎＳ-ＳｉＯ2等の保護層
を付加した構造の光ディスクでもよい。
【００５３】さらには、基板１と誘電体保護層２との間
に、Ａｕなどの反射層を付加した構造の光ディスクでも
よい。また、上述した実施形態では、光ピックアップ部
のレーザ光の波長λを６８５ｎｍとしているが、この波
長に限定されるものではない。例えば、レーザ光の波長
λを４１０ｎｍ程度に短波長化してもよい。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜３に記
載の発明では、グルーブ深さを、λ／（３．７８ｎ）以
上に設定するので、ランド部とグルーブ部との間の熱伝
搬距離が長くなる。その結果、光の照射熱は隣接トラッ
クへ伝搬しにくくなり、熱伝搬により生じるクロスイレ
ーズやクロスライトが減少する。
【００５５】また、隣接トラックに熱が伝搬しにくくな
ることにより、トラック上に熱が溜まりやすくなる。そ
のため、記録マークを消去する際、アモルファス部分を
結晶化温度の近傍に長時間留まらせることが可能とな
る。その結果、アモルファス部分の結晶化効率が向上
し、消去率が向上する。さらに、今回の測定結果から、
光ディスクのグルーブ深さを深くすることによって、消
去パワーや記録パワーの変動マージンを拡大できること
が明らかになった。
【００５６】特に、グルーブ深さをλ／（３．７８ｎ）
以上に限定することにより、トラックピッチが０．６μ
ｍの場合においても、クロスライト耐性Ｐｗ／Ｐｐに実
用可能な１以上の値を確保することが可能となる。請求
項４に記載の発明では、グルーブ深さをλ／（３ｎ）に
設定する。このようなにランド−グルーブ間の光路差を
設定することにより、隣接トラックからのクロストーク
を極小にすることができる。
【００５７】請求項５に記載の発明では、グルーブ深さ
を｛λ／（３ｎ）＋λ／（２ｎ）｝に設定する。このよ
うにランド−グルーブ間の光路差を設定することによ
り、隣接トラックからのクロストークを極小にすること
ができる。請求項６に記載の発明では、グルーブ深さを
｛λ／（６ｎ）＋λ／（２ｎ）｝に設定する。このよう
にランド−グルーブ間の光路差を設定することにより、
隣接トラックからのクロストークを極小にすることがで
きる。
【００５８】請求項７に記載の発明では、溝側壁の荒れ
幅を５０ｎｍ以下に設定するので、再生ノイズのレベル
を低減してＣＮＲ４５ｄＢ程度を確保することが可能と
なる。このＣＮＲ４５ｄＢの値は、ＩＳＯ規格などで定
められるＣＮＲの規格値４５ｄＢを満足する値である。
請求項８に記載の発明では、溝側壁の荒れ幅を２０ｎｍ
以下に設定するので、再生ノイズのレベルを低減してＣ
ＮＲ４８ｄＢを確保することが可能となる。このＣＮＲ
４８ｄＢの値は、ＩＳＯ規格などで定められるＣＮＲの
規格値４５ｄＢに対して３ｄＢ程度のマージンを確保で
きる値である。
【００５９】請求項９に記載の発明では、溝側壁のテー
パ角を６０度以上に設定するので、光ピックアップから
観た溝側壁の幅はそれほど広がらず、クロスライト耐性
に実用可能な１以上の値を確保することができる。請求
項１０に記載の発明は、溝側壁のテーパ角を８０度以上
に設定するので、光ピックアップから観た溝側壁の幅は
広がらず、クロスライト耐性に実用可能な１．１以上の
値を十分確保することができる。
【００６０】請求項１１に記載の発明は、溝側壁のテー
パ角を８４度以上に設定するので、光ピックアップから
観た溝側壁の幅は無視できる程度となり、クロスライト
耐性を急激に向上させることができる。以上説明したよ
うに、本発明を適用した光ディスクでは、狭トラックピ
ッチ化に伴う弊害を的確に低減することができる。した
がって、従来以上の狭トラックピッチ化が可能となり、
光ディスクの大容量化，小型化などを図ることが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】相変化型光ディスクの基本構造（急冷構造）を
示す断面図である。
【図２】消去パワーを種々に設定した場合の消去率の値
を示した図である。
【図３】グルーブ深さとクロスライト耐性Ｐｗ／Ｐｐと
の関係を示した図である。
【図４】トラックピッチとクロスライト耐性Ｐｗ／Ｐｐ
との関係を示した図である。
【図５】グルーブ深さとクロストークとの関係を示す図
である。
【図６】記録パワーを種々に設定した場合のクロストー
クを示した図である。
【図７】図面に代わる「スタンパー表面の電子顕微鏡写
真」である。
【図８】溝側壁の荒れ低減による改善効果を示す図であ
る。
【図９】溝側壁のテーパ角を定義する図である。
【図１０】テーパ角を種々に設定した場合のクロスライ
ト耐性Ｐｗ／Ｐｐを示した図である。
【図１１】相変化型光ディスクの基本構造（徐冷構造）
を示す断面図である。
【符号の説明】
１ ディスク基板 ２ 保護層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 反射層

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 アモルファスと結晶間の相変化を利用し
    て、ランド部とグルーブ部とにそれぞれ記録を行う光デ
    ィスクにおいて、 照射光の波長をλとし、ディスク基板の屈折率をｎとし
    たとき、ランド部とグルーブ部との段差であるグルーブ
    深さが、λ／（３．７８ｎ）以上であることを特徴とす
    る光ディスク。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光ディスクにおいて、 トラックピッチが、１．１８λよりも狭いことを特徴と
    する光ディスク。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の光ディ
    スクにおいて、 前記グルーブ深さが、λ／（３．７８ｎ）〜λ／（１．
    １３ｎ）の範囲にあることを特徴とする光ディスク。
  4. 【請求項４】 請求項１または請求項２に記載の光ディ
    スクにおいて、 前記グルーブ深さが、λ／（３ｎ）であることを特徴と
    する光ディスク。
  5. 【請求項５】 請求項１または請求項２に記載の光ディ
    スクにおいて、 前記グルーブ深さが、｛λ／（３ｎ）＋λ／（２ｎ）｝
    であることを特徴とする光ディスク。
  6. 【請求項６】 請求項１または請求項２に記載の光ディ
    スクにおいて、 前記グルーブ深さが、｛λ／（６ｎ）＋λ／（２ｎ）｝
    であることを特徴とする光ディスク。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
    光ディスクにおいて、 溝側壁の荒れ幅が、５０ｎｍ以下であることを特徴とす
    る光ディスク。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
    光ディスクにおいて、 溝側壁の荒れ幅が、２０ｎｍ以下であることを特徴とす
    る光ディスク。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の
    光ディスクにおいて、 溝側壁のテーパ角が、６０度以上であることを特徴とす
    る光ディスク。
  10. 【請求項１０】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載
    の光ディスクにおいて、 溝側壁のテーパ角が、８０度以上であることを特徴とす
    る光ディスク。
  11. 【請求項１１】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載
    の光ディスクにおいて、 溝側壁のテーパ角が、８４度以上であることを特徴とす
    る光ディスク。
JP9128638A 1997-05-19 1997-05-19 光ディスク Pending JPH10320835A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9128638A JPH10320835A (ja) 1997-05-19 1997-05-19 光ディスク
US09/081,024 US20010012265A1 (en) 1997-05-19 1998-05-19 Optical disk having increased erasure efficiency
EP98303960A EP0880130A3 (en) 1997-05-19 1998-05-19 Optical disk having increased erasure efficiency

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9128638A JPH10320835A (ja) 1997-05-19 1997-05-19 光ディスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10320835A true JPH10320835A (ja) 1998-12-04

Family

ID=14989775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9128638A Pending JPH10320835A (ja) 1997-05-19 1997-05-19 光ディスク

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20010012265A1 (ja)
EP (1) EP0880130A3 (ja)
JP (1) JPH10320835A (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100561382B1 (ko) * 1999-03-25 2006-03-16 삼성전자주식회사 광디스크 기판
JP3104699B1 (ja) 1999-06-01 2000-10-30 株式会社ニコン 細溝付き成形基板の製造方法
JP2001243665A (ja) * 1999-11-26 2001-09-07 Canon Inc 光ディスク基板成型用スタンパおよびその製造方法
JP2002050090A (ja) * 2000-05-25 2002-02-15 Fujitsu Ltd 光記録媒体
CN1221951C (zh) * 2000-09-29 2005-10-05 松下电器产业株式会社 光学信息记录介质及其记录和再现方法
KR100798193B1 (ko) * 2000-10-03 2008-01-24 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 다층 광디스크 및 다층 광디스크의 제작 방법
JP2002251793A (ja) * 2001-02-21 2002-09-06 Sony Corp 光記録媒体原盤の作製方法
US7548505B2 (en) 2001-07-18 2009-06-16 Sony Corporation Optical recording medium having a relationship between groove width and track pitch
DE10310573A1 (de) * 2003-03-11 2004-09-30 Infineon Technologies Ag Nicht-flüchtige, integrierte Speicherzelle und Verfahren zum Einschreiben oder Auslesen einer Information in die / aus der Speicherzelle
US20050152338A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Chen Christopher Y.W. System and method for managing voice communications between a telephone, a circuit switching network and/or a packet switching network
US7920458B2 (en) * 2005-04-27 2011-04-05 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium, and recording and reproducing method

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0008543B1 (en) * 1978-08-28 1984-05-09 Discovision Associates Method for moulding a videodisc composition
LU86722A1 (fr) * 1986-12-23 1988-07-14 Glaverbel Feuille en matiere vitreuse portant un dessin grave et procede pour graver un dessin sur un substrat en matiere vitreuse
JPS6486344A (en) * 1987-09-29 1989-03-31 Victor Company Of Japan Information recording carrier and production thereof
JPH01189039A (ja) * 1988-01-22 1989-07-28 Mitsubishi Electric Corp 光学式情報記録担体
US4950579A (en) * 1988-07-08 1990-08-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Optical disc recording medium having a microstructure-derived inhomogeneity or anisotropy
US5530641A (en) * 1991-05-17 1996-06-25 Olympus Optical Co., Ltd. Optical recording medium having grooves and lands and/or plural pit lines, and reproducing apparatus therefor
JPH05109119A (ja) * 1991-10-14 1993-04-30 Sony Corp 光デイスク
US5493561A (en) * 1992-06-17 1996-02-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and information recording and reproducing method thereof
JP3040894B2 (ja) * 1993-03-10 2000-05-15 松下電器産業株式会社 光ディスク基板および光ディスク
JP2697555B2 (ja) * 1993-05-26 1998-01-14 松下電器産業株式会社 光情報記録媒体
JP2799544B2 (ja) * 1994-04-28 1998-09-17 株式会社オハラ 情報記録ディスク用結晶化ガラス
JPH08147761A (ja) * 1994-11-21 1996-06-07 Nikon Corp 情報記録媒体
KR100401282B1 (ko) * 1995-03-28 2004-02-05 도레이 가부시끼가이샤 광기록매체
JPH0917032A (ja) * 1995-06-27 1997-01-17 Toshiba Corp 光情報記録媒体
JPH0935334A (ja) * 1995-07-12 1997-02-07 Nikon Corp 光ディスク及び光ディスクのアクセス方法
JPH10326435A (ja) * 1997-03-25 1998-12-08 Sony Corp 光学記録媒体及び光学ディスク装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20010012265A1 (en) 2001-08-09
EP0880130A3 (en) 2001-02-14
EP0880130A2 (en) 1998-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6606292B2 (en) Recording method for phase-change recording medium
WO2000021081A1 (fr) Support d'enregistrement d'information et dispositif d'enregistrement d'information
US6064642A (en) Phase-change type optical disk
JP2000182274A (ja) 光記録媒体および光記録方法
JPH10320835A (ja) 光ディスク
JP3080739B2 (ja) 光学的情報記録媒体および光学的情報記録消去再生方法
JP2005025910A (ja) 光学的情報記録媒体及びその製造方法
JP4119604B2 (ja) 相変化型記録媒体の記録方法
JPH07105574A (ja) 光情報記録媒体
JP2004220699A (ja) 光記録媒体
US5982739A (en) Optical data recording apparatus producing a laser beam having a diameter larger than optical media groove width
JPH11115315A (ja) 光学情報記録媒体とその製造方法、及びこの媒体を用いた情報の記録再生方法
JP3130847B2 (ja) 光学情報記録媒体
JP3289716B2 (ja) 相変化光ディスク
JPH10106025A (ja) 光記録媒体
JP3413986B2 (ja) 光学的情報記録用媒体および記録再生方法
JPH1153773A (ja) 光記録媒体
JP4058204B2 (ja) 光記録媒体
JP3586349B2 (ja) 光学的情報記録用媒体及びその記録方法
JP3376807B2 (ja) 光記録媒体および記録再生方法
JPH06103609A (ja) 光記録媒体
JPH0973665A (ja) 光記録媒体およびその記録方法
JP2007188629A (ja) 相変化型記録媒体の記録方法
JPH0664332A (ja) 相変化型光ディスク
JP2005190661A5 (ja)