CN1445767A - 光学信息记录介质及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的光学信息记录介质，其特征为，至少含有一个信息层，该信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。
Description
发明领域
本发明涉及通过激光的照射等而可进行信息的记录、清除、改写、再生的光学信息记录介质及其制造方法。
背景技术
作为使用激光记录、清除、改写(重写)、再生信息的光学信息记录介质，有相变化型光学信息记录介质。在对相变化型光学信息记录介质进行信息的记录、清除、改写时，利用记录材料在结晶相和非晶质相之间产生可逆的相变化的现象。一般地，记录信息的场合，照射高功率(记录功率)的激光，使记录材料熔融，通过冷却使记录材料的照射了激光的部分(激光照射部)成为非晶质相，从而记录信息。另一方面，清除信息的场合，照射比记录时低的功率(清除功率)的激光，使记录材料升温，通过缓冷使激光照射部成为结晶相，从而清除所记录的信息。所以，相变化型光学信息记录介质通过对记录材料照射在高功率级和低功率级之间调整变化功率的激光，能够一边清除所记录的信息一边记录新的信息，即改写信息(例如，参照角田义人等《光盘存储器的基础和应用》电子信息通信学会编，1995年，第2章)。
作为相变化型光学信息记录介质的一例，发明人等可举出已商品化的4.7GB/DVD-RAM(DVD-Random Access Memory)。图6示出了与该4.7GB/DVD-RAM同样构成的光学信息记录介质101。在该光学信息记录介质101上从激光入射侧开始顺序地配置基板102、信息层103、粘接层104以及伪(dummy)基板105。信息层103用从激光入射侧顺序地配置的入射侧保护膜106、入射侧电介质膜107、记录膜108、反入射侧电介质膜109、反入射侧保护膜110、光吸收修正膜111以及反射膜112构成。
入射侧保护膜106和反入射侧保护膜110有以下功能：调节光程，提高对记录膜108的光吸收效率，增大在记录膜108的结晶相和非晶质相的反射率变化，从而增大信号振幅的光学的功能；使在记录时变成高温的记录膜108和不耐热的基板102以及伪基板105之间绝热的热学的功能。在入射侧保护膜106和反入射侧保护膜110上一般所使用的80mol％ZnS-20mol％SiO2的混合物，是光透射率和折射率高、因低热传导率而绝热性也好、而且机械特性和耐湿性也良好的优异的电介质材料。
对于记录膜108，例如能够使用含Ge-Sn-Sb-Te的高速结晶化材料。采用这样的材料，不仅初期记录改写性能，也能实现优异的记录保存性、改写保存性。
入射侧电介质膜107和反入射侧电介质膜109，有防止在入射侧保护膜106和记录膜108、以及反入射侧保护膜110和记录膜108之间产生的物质移动的功能。所谓该物质移动，是入射侧保护膜106和反入射侧保护膜110的材料使用80mol％ZnS-20mol％SiO2的场合，当将激光照射到记录膜108，反复进行改写记录时，S扩散到记录膜108中的现象。当S扩散到记录膜108中时，反复改写性能恶化(N.Yamadaet al.Japanese Journal of Applied Physics Vol.37(1998)pp.2104-2110)。为了防止该反复改写性能恶化，如国际公开号WO97/34298和特开平10-275360号公报所揭示的那样，将含Ge的氮化物用于入射侧电介质膜107和反入射侧电介质膜109为好。
采用以上的技术，实现了优异的改写性能和高的可靠性，从而将4.7GB/DVD-RAM商品化。
近年，要求光学信息记录介质进一步大容量化，研究了用于大容量化的各种各样的技术。具体讲，研究了：由过去的红色激光使用短波长的蓝紫色激光，或者减薄配置在激光入射侧的基板的厚度，或者使用数值口径(孔径)(NA)大的物镜，由此更减小激光的光斑直径，进行高密度的记录的技术等。为了这样地减小光斑直径来进行记录，必需即使小的记录掩模也能形成为良好的形状的光学信息记录介质。这是因为，当减小光斑直径来进行记录时，向记录膜照射激光的时间相对地变短，所以记录膜的结晶能降低。
又，作为用于大容量化的技术，使用备有2个信息层的光学信息记录介质将记录容量提高到2倍，对于这2个信息层，采用从光学信息记录介质的单面侧入射的激先进行记录再生的技术也正在研究(例如，参照特开平12-36130号公报)。用从单面侧入射的激光记录再生2个信息层的光学信息记录介质，为了使用透过配置在激光的入射侧的第1信息层的激光，进行远离激光入射侧地配置的第2信息层的记录再生，需要极力减薄第1信息层的记录膜，来提高光透射率。可是，如果减薄记录膜，则记录材料结晶化时形成的晶核减少，同时原子的可移动的距离变短。因此，记录膜的膜厚越薄，结晶相越难形成，结晶化速度降低。
如以上那样，为了实现光学信息记录介质的大容量化，提高记录膜的结晶能成为重要的课题。在发明人等的实验中，作为记录材料，使用在GeTe-Sb2Te3系列上的拟二元系及其附近的组成中用Sn置换一部分Ge的组成的材料，由此知道，记录膜的结晶化速度提高。可是，当增加置换的Sn的量时，结晶相和非晶质相之间的光学特性变化变小，所以产生信号振幅降低的问题。
因此，作为不使信号振幅降低而能提高记录膜的结晶能的手段，设置有促进记录膜的结晶化的效果的膜并使其与记录膜接触是有效的。根据发明人等的实验可知，通过设置至少含Cr、Zr和O的电介质并使之与记录膜接触，能够提高结晶化促进效果。
可是，与记录膜接触地设置这样的电介质膜的构成的场合，记录膜和电介质膜的附着性(附着力)不怎么良好，特别是证实了：相对于记录膜设置在与激光入射侧相反一侧的面上的电介质膜，比起相对于记录膜设置在激光入射侧的面上的电介质膜，与记录膜的附着性差。另外，设置多个信息层的光学信息记录介质的场合，也证实了：由于设在激光入射侧的信息层为使光透射率最高而薄薄地形成，所以从外部容易浸入水，电介质膜和记录膜的附着性更降低。所以，设置有促进记录膜的结晶化的效果的电介质并使其与记录膜接触的构成的场合，起因于电介质膜和记录膜的粘接不良的可靠性降低是问题。
发明内容
本发明的第1光学信息记录介质，其特征为，是包含基板和信息层的光学信息记录介质，前述信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。
又，本发明的第2光学信息记录介质，其特征为，是包含基板和信息层的光学信息记录介质，前述信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr、Si和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr、Si和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Si原子浓度比前述第1电介质膜的Si原子浓度小。
本发明的第1光学信息记录介质的制造方法，是用于制造本发明的第1光学信息记录介质的方法，其特征为，包括：使用至少含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1溅射靶(target)，通过溅射形成第1电介质膜的工序；形成通过激光照射光学特性可逆地变化的记录膜的工序；使用至少含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2溅射靶，通过溅射形成第2电介质膜的工序，前述第2溅射靶的Cr原子浓度比前述第1溅射靶的Cr原子浓度大。
本发明的第2光学信息记录介质的制造方法，是用于制造本发明的第2光学信息记录介质的方法，其特征为，包括：使用至少含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Si、Cr和O的第1溅射靶，通过溅射形成第1电介质膜的工序；形成通过激光照射光学特性可逆地变化的记录膜的工序；使用至少含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Si、Cr和O的第2溅射靶，通过溅射形成第2电介质膜的工序，前述第2溅射靶的Si原子浓度比前述第1溅射靶的Si原子浓度小。
附图的简单说明
图1是表示本发明实施形态1的光学信息记录介质的构成的截面图。
图2是表示本发明实施形态2的光学信息记录介质的构成的截面图。
图3是表示本发明实施形态3的光学信息记录介质的构成的截面图。
图4是表示本发明实施形态4的光学信息记录介质的构成的截面图。
图5是概略地表示对本发明的光学信息记录介质进行信息的记录再生的记录再生装置的部分构成的说明图。
图6是表示以往的光学信息记录介质的构成的截面图。
实施发明的最佳形态
根据本发明的第1光学信息记录介质，能够同时使第1电介质膜和记录膜之间的附着性、以及第2电介质膜和记录膜之间的附着性提高。一般地第2电介质膜比第1电介质膜更容易从记录膜剥离，但在本发明中，通过使第2电介质膜的Cr原子浓度比第1电介质膜的Cr原子浓度大，即使在第2电介质膜和记录膜之间也能得到足够的附着性。通过提高这样的第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜之间的附着性，难以发生外部的水的浸入等导致的膜剥离，能够得到可靠性和耐湿性优异的光学信息记录介质。
又，根据本发明的第1光学信息记录介质，能够提供：例如初期的跳动(jitter)值和长期保存后的跳动值之差为约2％以下，记录保存性良好，而且，例如，初期的跳动值和在长期保存后写上信息后的跳动值之差为约2％以下，改写保存性良好的、光学信息记录介质。
在本发明的第1光学信息记录介质中，优选的情况是，将前述第1电介质膜所含的M1、Cr和O表记为组成式CrA1(M1)B1O(100-A1-B1)的场合，前述A1和B1为6＜A1＜29、9＜B1＜29；将前述第2电介质膜所含的M1、Cr和O表记为组成式CrA2(M1)B2O(100-A2-B2)的场合，前述A2和B2为11＜A1＜32、6＜B1＜24。通过这样地形成第1电介质膜和第2电介质膜，能得到第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜的附着性更良好、而且记录改写性能也良好的光学信息记录介质。
在本发明的第1光学信息记录介质中，优选的情况是，前述第1电介质膜含有由Cr2O3和(M1)O2构成的第1混合物，在前述第1混合物中，Cr2O3为10mol％以上60mol％以下，前述第2电介质膜含有由Cr2O3和(M1)O2构成的第2混合物，在前述第2混合物中，Cr2O3为20mol％以上80mol％以下，并且，前述第2混合物的Cr2O3浓度(mol％)比前述第1混合物的Cr2O3浓度(mol％)大。通过这样地形成第1电介质膜和第2电介质膜，能得到第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜的附着性更良好、而且记录改写性能也良好的光学信息记录介质。
在本发明的第1光学信息记录介质中，前述第1电介质膜的Cr原子浓度和前述第2电介质膜的Cr原子浓度之差在3at％以上、15at％以下为好。由此可得到难以产生膜剥离、可靠性优异的光学信息记录介质。
在本发明的第1光学信息记录介质中，前述第1电介质膜还可以含有Si。
在本发明的第1光学信息记录介质中，在第1电介质膜和第2电介质膜含有(M1)、Cr和O以外的其他元素的场合，其他元素的含量在1at％以下为好。
根据本发明的第2光学信息记录介质，能够同时使第1电介质膜和记录膜之间的附着性、以及第2电介质膜和记录膜之间的附着性提高。一般地第2电介质膜比第1电介质膜更容易从记录膜剥离，但在本发明中，通过使第2电介质膜的Si原子浓度比第1电介质膜的Si原子浓度小，即使在第2电介质膜和记录膜之间也能得到足够的附着性。通过提高这样的第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜之间的附着性，难以发生外部的水的浸入等导致的膜剥离，能够得到可靠性和耐湿性优异的光学信息记录介质。
又，根据本发明的第2光学信息记录介质，能够提供：例如初期的跳动值和长期保存后的跳动值之差为约2％以下，记录保存性良好，而且，例如，初期的跳动值和在长期保存后写上信息后的跳动值之差为约2％以下，改写保存性良好的光学信息记录介质。
在本发明的第2光学信息记录介质中，使前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大为好。原因是更使容易从记录膜剥离的第2电介质膜的附着性提高。
在本发明的第2光学信息记录介质中，优选的情况是，将前述第1电介质膜所含的M1、Cr、Si和O表记为组成式SiC3CrA3M1B3O(100-A3-B3-C3)的场合，前述A3、B3和C3为6＜A3＜32、1＜B3、1＜C3＜13；将前述第2电介质膜所含的M1、Cr、Si和O表记为组成式SiC4CrA4M1B4O(100-A4-B4-C4)的场合，前述A4、B4和C4为11＜A4＜35、1＜B4、0＜C4＜11。进一步优选A3＜A4。通过这样地形成第1电介质膜和第2电介质膜，能得到第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜的附着性更良好、而且记录改写性能也良好的光学信息记录介质。
在本发明的第2光学信息记录介质中，优选的情况是，前述第1电介质膜含有由SiO2、Cr2O3和(M1)O2构成的第1混合物，在前述第1混合物中，SiO2为5mol％以上40mol％以下，Cr2O3为10mol％以上、70mol％以下，SiO2+Cr2O3为15mol％以上95mol％以下，前述第2电介质膜含有由SiO2、Cr2O3和(M1)O2构成的第2混合物，在前述第2混合物中，SiO2为35mol％以下，Cr2O3为20mol％以上80mol％以下，SiO2+Cr2O3为超过20mol％95mol％以下，并且，前述第2电介质膜的SiO2浓度(mol％)比前述第1电介质膜的SiO2浓度(mol％)小。进一步地，前述第2混合物的Cr2O3浓度(mol％)比前述第1混合物的Cr2O3浓度(mol％)大为好。通过这样地形成第1电介质膜和第2电介质膜，能得到第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜的附着性更良好、而且记录改写性能也良好的光学信息记录介质。
在本发明的第2光学信息记录介质中，前述第1电介质膜的Si原子浓度和前述第2电介质膜的Si原子浓度之差在1at％以上、10at％以下为好。由此可得到难以产生膜剥离、可靠性优异的光学信息记录介质。
在本发明的第2光学信息记录介质中，在第1电介质膜和第2电介质膜含有(M1)、Cr、Si和O以外的其他元素的场合，其他元素的含量在1at％以下为好。
在本发明的第1和第2光学信息记录介质中，也可以设置多个前述信息层。据此可得到可靠性和记录改写性能优异的、大容量的光学信息记录介质。
在本发明的第1和第2光学信息记录介质中，优选的情况是，前述记录膜含有从Sb和Bi中选择的至少1种元素(M2)、Ge和Te，将前述的M2、Ge和Te表记为组成式Gea(M2)bTe3+a的场合，0＜a≤60、1.5≤b≤7。原因是即使是记录膜的厚度薄至约12nm以下的场合也能得到良好的记录再生性能。
对于本发明的第1和第2光学信息记录介质，在前述Gea(M2)bTe3+a中，前述Ge的至少一部分用从Sn和Pb中选择的至少一种元素(M3)置换为好。置换了Ge-M2-Te这一3元系组成的Ge的元素M3提高结晶能，即使是记录膜的厚度极薄至约7nm以下的场合也能得到足够的改写性能。
在本发明的第1和第2光学信息记录介质中，优选的情况是，前述记录膜含有从Sb和Bi中选择的至少1种元素(M2)、从Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Se、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Os、Ir、Pt、Gd、Td、Dy和Au中选择的至少一种元素(M4)以及Ge和Te，将前述的M2、M4、Ge和Te表记为组成式(Gea(M2)bTe3+a)100-c(M4)c的场合，0＜a≤60、1.5≤b≤7、0＜c≤20。在Ge-M2-Te这一3元系组成中添加的元素M4使记录膜的熔点和结晶化温度上升，所以记录膜的热稳定性提高。
在本发明的第1和第2光学信息记录介质中，优选的情况是，前述记录膜含有Sb、Te以及从Ag、In、Ge、Sn、Se、Bi、Au和Mn中选择的至少一种元素(M5)，将前述Sb、Te和M5用组成式(SbdTe100-d)100-e(M5)e表记的场合，50≤d≤95、0＜e≤20。这样的记录膜熔点比较低，所以即使是比较小的激光功率也能得到良好的记录特性。
在本发明的第1和第2光学信息记录介质中，优选的情况是，前述信息层还含有与前述第1电介质膜接触地设置在前述第1电介质膜的激光入射侧的保护膜，前述保护膜含有从TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、C-N、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N、ZnS以及SiC中选择的至少一种。这是为了防止了记录膜的氧化、腐蚀以及变形等。
在本发明的第1和第2光学信息记录介质中，前述信息层还进一步含有设置在前述第2电介质膜的与激光入射侧相反一侧的反射膜，前述反射膜含有从Ag、Au、Cu以及Al中选择的至少一种元素。这样使被记录膜吸收的光量增加，且使在记录膜产生的热扩散。
在本发明的第1和第2光学信息记录介质中，优选情况是，前述信息层还含有与前述反射膜接触地设置在前述反射膜的与激光入射侧相反一侧的透射率调整膜，前述透射率调整膜含有从TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N、以及ZnS中选择的至少一种。设置多个信息层的场合，需要使激光也达到离激光入射侧的面远地配置的信息层。所以，这种场合下，能够提高信息层的透射率的该构成特别有效。
在本发明的第1和第2光学信息记录介质中，也可以含有膜构成与前述信息层不同的其他信息层，但该场合，最接近激光入射侧的面而配置的信息层(第1信息层)为本发明的构成为好。这是因为，在多层结构的光学信息记录介质中，第1信息层所包含的记录膜为了得到高透射率而薄薄地形成，所以作为第1信息层，要求是即使薄的记录膜其结晶能也高、且可靠性高的信息层。
根据本发明的第1光学信息记录介质的制造方法，能够制作第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜的附着性良好的、可靠性高的光学信息记录介质。
在本发明的第1光学信息记录介质的制造方法中，优选的情况是，将前述第1溅射靶所含的M1、Cr、和O表记为组成式CrD1M1E1O100-D1-E1的场合，前述D1和E1为3＜D1＜29、9＜E1＜31，将前述第2溅射靶所含的M1、Cr、和O表记为组成式CrD2M1E2O100-D2-E2的场合，前述D2和E2为9＜D2＜32、6＜E2＜26。这样能够制作第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜的附着性更良好、且记录改写性能也良好的光学信息记录介质。
在本发明的第1光学信息记录介质的制造方法中，优选的情况是，前述第1溅射靶含有由Cr2O3和(M1)O2构成的第1混合物，在前述第1混合物中，Cr2O3为5mol％以上、60mol％以下，前述第2溅射靶含有由Cr2O3和(M1)O2构成的第2混合物，在前述第2混合物中，Cr2O3为15mol％以上、80mol％以下，并且，前述第2混合物的Cr2O3浓度(mol％)比前述第1混合物的Cr2O3浓度(mol％)大。这样，能够制作第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜的附着性更良好、且记录改写性能也良好的光学信息记录介质。
又，根据本发明的第2光学信息记录介质的制造方法，能够制作第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜的附着性良好的、可靠性高的的光学信息记录介质。
在本发明的第2光学信息记录介质的制造方法中，前述第2溅射靶的Cr原子浓度比前述第1溅射靶的Cr原子浓度大为好。这样能制作第2电介质膜与记录膜的附着性更良好的光学信息记录介质。
在本发明的第2光学信息记录介质的制造方法中，优选的情况是，将前述第1溅射靶所含的M1、Si、Cr、和O表记为组成式SiF3CrD3M1E3O100-D3-E3-F3的场合，前述D3、E3和F3为3＜D3＜32、1＜E3、1＜F3＜13，将前述第2溅射靶所含的M1、Si、Cr、和O表记为组成式SiF4CrD4M1E4O100-D4-E4-F4的场合，前述D4、E4和F4为9＜D4＜35、1＜E4、0＜F4＜11。这样能够制作第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜的附着性更良好、且记录改写性能也良好的光学信息记录介质。
在本发明的第2光学信息记录介质的制造方法中，优选的情况是，前述第1溅射靶含有由SiO2、Cr2O3和(M1)O2构成的第1混合物，在前述第1混合物中，SiO2为5mol％以上、40mol％以下，Cr2O3为5mol％以上、70mol％以下，SiO2+Cr2O3为10mol％以上、95mol％以下，前述第2溅射靶含有由SiO2、Cr2O3和(M1)O2构成的第2混合物，在前述第2混合物中，SiO2为35mol％以下，Cr2O3为15mol％以上、80mol％以下，SiO2+Cr2O3为超过10mol％、95mol％以下，并且，前述第2混合物的SiO2浓度(mol％)比前述第1混合物的SiO2浓度(mol％)小。这样能够制作第1电介质膜以及第2电介质膜与记录膜的附着性更良好、且记录改写性能也良好的光学信息记录介质。
又，在制造包含多个信息层的多层结构的光学信息记录介质的场合，使用本发明的第1或第2光学信息记录介质的制造方法也能够制作其多个信息层之中的至少一个信息层。
以下一边参看附图一边说明本发明的实施形态。
实施形态1
说明本发明的光学信息记录介质的实施形态。图1表示本实施形态的光学信息记录介质1的截面构成。光学信息记录介质1是通过激光的照射而能够进行信息的记录再生的光学信息记录介质。
在光学信息记录介质1中，在基板11上设置信息层12，再设置透明层13。激光从透明层13侧向该光学信息记录介质1照射。信息层12通过从激光照射侧按顺序层合入射侧保护膜14、入射侧电介质膜(第1电介质膜)15、记录膜16、反入射侧电介质膜(第2电介质膜)17、反入射侧保护膜18、金属膜19、以及反射膜20而形成。再者，在电介质膜和保护膜的名称中，所谓入射侧意味着相对于记录膜16配置在激光入射侧。所谓反入射侧意味着相对于记录膜16配置在与激光入射侧相反的一侧。
透明层13由光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)和迟效性热固化型树脂等树脂、或电介质等构成，相对于使用的激光，光吸收率小为好，另外，在短波长区双折射率小为好。另外，透明层13也可以使用透明的圆盘状的聚碳酸酯、无定形聚烯烃、或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)等树脂、或玻璃。使用这些材料的场合，采用例如光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)和迟效性热固化型树脂等树脂通过在信息层12上粘合而形成透明层13。
基板11是透明的圆盘状。基板11例如能够使用聚碳酸酯、无定形聚烯烃、或PMMA等树脂、或玻璃，但从复制性和大量生产性优异、且低成本方面考虑，聚碳酸酯特别理想。在基板11与信息层12接触的面上，根据需要也可以形成引导激光的导向槽。与基板11和信息层12接触的面相反的一侧的面平滑为好。
再者，基板11的厚度，为了有充分的强度、且使光学信息记录介质1的总厚度达到1200μm左右，在500μm-1200μm的范围内为好。再者，透明层13的厚度为600μm左右(是在NA＝0.6能进行良好的记录再生的厚度)的场合，基板11的厚度在550μm-650μm的范围内为好。又，透明层13的厚度为100μm左右(是在NA＝0.85能进行良好的记录再生的厚度)的场合，基板11的厚度在1050μm-1150μm的范围内为好。
将激光聚光时的光斑直径由激光的波长λ决定，波长λ越短约能聚光成为小的光斑直径。因此，高密度记录的场合，激光的波长λ在450nm以下为好。另外，波长λ不到350nm的场合，透明层13等所致的光吸收变大。因此，激光的波长λ在350nm以上为好。
其次，说明构成信息层12的各膜。
入射侧保护膜14由电介质构成。该入射侧保护膜14有以下功能：防止记录膜16的氧化、腐蚀、变形等功能；调整光程提高记录膜16的光吸收效率的功能；增大记录前后的反射光量的变化，从而增大信号振幅的功能。入射侧保护膜14例如可以使用TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3等氧化物。另外，也可以使用C-N、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N等氮化物。此外，也可以使用ZnS等硫化物和SiC等碳化物。又，也可以使用上述材料的混合物。例如，ZnS和SiO2的混合物(ZnS-SiO2)作为入射侧保护膜14的材料特别优异。ZnS-SiO2为非晶质材料，折射率高、成膜速度快、机械特性和耐湿性良好。
入射侧保护膜14的膜厚可以通过基于矩阵法(例如，参看久保田广著《波动光学》岩波书店，1971年，第3章)的计算来决定，以满足以下条件：记录膜16为结晶相的场合和为非晶质相的场合之间的反射光量的变化变大，且在记录膜16的光吸收变大。
入射侧电介质膜15有以下功能：防止通过反复记录而在入射侧保护膜14和记录膜16之间产生的物质位移的功能；促进记录膜16的结晶化的功能。入射侧电介质膜15由于与记录膜16接触而设置，所以优选是有在记录时不能熔化的程度的高熔点的材料、且是与记录膜16的附着性好的材料。“是具有在记录时不能熔化的程度的高熔点的材料”是避免在照射高功率的激光时入射侧电介质膜15的材料熔融并混入到记录膜16中所必需的特性。构成入射侧电介质膜15的物质混入到记录膜16中时，记录膜16的组成变化，改写性能显著降低。另外，“是与由硫属材料构成的记录膜16的附着性好的材料”是确保可靠性所必需的特性。
入射侧电介质膜15使用含有Zr和Hf中的至少1种元素(M1)、Cr和O的材料。在这样的材料中，Cr和O形成Cr2O3化合物，M1和O形成(M1)O2化合物，成为Cr2O3和(M1)O2的混合物(第1混合物)的材料为好。Cr2O3是与记录膜16的附着性好的材料。另外，ZrO2和HfO2是透明、熔点高达约2700-2800℃、且在氧化物中热传导率低的材料，所以有助于反复改写性能提高。因此，通过入射侧电介质膜15含有由这2种氧化物构成的混合物，能够实现反复改写性能优异、且可靠性高的光学信息记录介质。再者，为了确保与记录膜16的附着性，混合物Cr2O3-(M1)O2中的Cr2O3在10mol％以上为好。当Cr2O3的含量多时，存在光吸收增加的倾向，所以为了保证在入射侧电介质膜15的光吸收小，Cr2O3在60mol％以下为好。更优选的Cr2O3的含量为20mol％以上50mol％以下。
入射侧电介质膜15，也能够使用除了(M1)、Cr和O元素以外还含Si的材料。在这样的材料中，Cr和O形成化合物Cr2O3，M1和O形成化合物(M1)O2，Si和O形成化合物SiO2，成为SiO2、Cr2O3和(M1)O2的混合物(第1混合物)的材料为好。通过含有SiO2，促进记录膜16结晶化的效果变高，能实现改写性能优异的光学信息记录介质。混合物SiO2-Cr2O3-(M1)O2中的SiO2在5mol％以上为好。为确保与记录膜16的附着性，优选40mol％以下。更优选10mol％以上35mol％以下。又，混合物SiO2-Cr2O3-(M1)O2中的Cr2O3的含量在10mol％以上70mol％以下为好。为确保良好的记录改写性能，SiO2和Cr2O3的含量之和在95mol％以下为好。
入射侧电介质膜15的膜厚，为了避免由于在入射侧电介质膜15的光吸收而使光学信息记录介质1的记录前后的反射光量的变化变小，希望在1nm-10nm的范围内，在2nm-5nm的范围内更理想。
反入射侧电介质膜17与入射侧电介质膜15一样，具有防止由于反复记录而在反入射侧保护膜18和记录膜16之间产生的物质位移的功能、促进记录膜16的结晶化的功能，此外，还具有调整光程提高记录膜16的光吸收效率的功能、增大记录前后的反射光量的变化，从而增大信号振幅的功能。与入射侧电介质膜15一样，将含有(M1)、Cr和O元素的材料用于反入射侧电介质膜17为好。在这样的材料中，Cr和O形成化合物Cr2O3，M1和O形成化合物(M1)O2，成为Cr2O3和(M1)O2的混合物(第2混合物)为好。反入射侧电介质膜17由于比入射侧电介质膜15容易从记录膜16剥离，所以必需比入射侧电介质膜15增大Cr原子浓度，以提高与记录膜16的附着性。因此，例如，反入射侧电介质膜17包含混合物Cr2O3-(M1)O2的场合，混合物Cr2O3-(M1)O2中的Cr2O3含量在比入射侧电介质膜15的Cr2O3含量多的20mol％以上80mol％以下为好，在30mol％以上70mol％以下更好，这是因为，比入射侧电介质膜15容易浸入水的反入射侧电介质膜17，比入射侧电介质膜15容易从记录膜16剥离，所以使与记录膜16的附着性良好的Cr2O3含量增加，以提高附着性。
与入射侧电介质膜15一样，将除了(M1)、Cr和O元素以外还含有Si的材料用于反入射侧电介质膜17也可以。在这样的材料中，Cr和O形成化合物Cr2O3，M1和O形成化合物(M1)O2，Si和O形成化合物SiO2，成为SiO2、Cr2O3和(M1)O2的混合物(第2混合物)为好。混合物SiO2-Cr2O3-(M1)O2中的SiO2含量，为提高与记录膜16的附着性，在比入射侧电介质膜15的SiO2含量少的35mol％以下为好，在5mol％以上30mol％以下更好。又，混合物SiO2-Cr2O3-(M1)O2中的Cr2O3的含量在20mol％以上80mol％以下为好。为确保良好的记录改写性能，SiO2和Cr2O3的含量之和在95mol％以下为好。
反入射侧电介质膜17的膜厚在2nm-75nm为好，在2nm-40nm更好。通过在该范围内形成反入射侧电介质膜17的膜厚，能够有效地使在记录膜16产生的热向反射膜20一侧扩散。
反入射侧电介质膜18能够使用与入射侧保护膜14一样体系的材料。混合物ZnS-SiO2作为反入射侧电介质膜18是优异的材料。
反入射侧电介质膜18的膜厚，在2nm-75nm为好，在2nm-40nm更好。通过在该范围内形成反入射侧电介质膜18的膜厚，能够有效地使在记录膜16产生的热向反射膜20侧扩散。再者，形成不设反入射侧电介质膜18的构成也是可以的。
记录膜16是由通过激光的照射而在结晶相和非晶质相之间引起可逆的相变化的材料构成，例如，可采用包含Ge-M2-Te的材料形成。其中，M2是从Sb和Bi中选择的至少1种元素。具体讲，记录膜16例如可采用用组成式Gea(M2)bTe3+a表示的材料形成。采用这样的材料，能形成非晶质相稳定、信号振幅大、熔点的上升和结晶化速度的降低少的记录膜。再者，在Gea(M2)bTe3+a中，a希望满足0＜a≤60，满足4≤a≤23更好。对于b，为了使非晶质相稳定、信号振幅大、结晶化速度的降低少，满足1.5≤b≤7为好，满足1.5≤b≤3更好。
另外，在Gea(M2)bTe3+a中，记录膜16也可以采用用从Sn和Pb中选择的至少一种元素(M3)置换了Ge的一部分的材料形成。使用该材料的场合，由于置换了Ge的M3使结晶能提高，所以即使记录膜16的膜厚薄的场合，也能得到充分的清除率。作为M3从没有毒性的观点看更优选Sn。再者，该场合也优选为0＜a≤60(更优选4≤a≤23)、且1.5≤b≤7(更优选1.5≤b≤3)。再者，记录膜16使用该组成的材料的场合，对在高线速(6m/s-10m/s)的记录再生特别有效。
另外，记录膜16也可以采用用组成式(GeaM2bTe3+a)100-c(M4)c(其中，M4是从Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Se、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Os、Ir、Pt、Gd、Td、Dy和Au中选择的至少一种元素)表示的材料形成。这种场合下，由于所添加的元素M4使记录膜的熔点和结晶化温度上升，所以记录膜16的热稳定性提高。在这样的材料中，优选0＜c≤20，更优选2≤c≤10。另外，优选0＜a≤60(更优选4≤a≤23)、且1.5≤b≤7(更优选1.5≤b≤3)。再者，记录膜16使用该组成的材料的场合，对在低线速(3m/s-4m/s)的记录再生特别有效。
又，记录膜16也可以采用用组成式(SbdTe100-d)100-e(M5)e(其中，M5是从Ag、In、Ge、Sn、Se、Bi、Au和Mn中选择的至少一种元素)表示的材料形成。在d和e满足50≤d≤95、0＜e≤20的场合，由于能增大记录膜16为结晶相的场合和非晶质相的场合之间的光学信息记录介质1的反射率差，所以能得到良好的记录再生特性。在65≤d的场合，结晶化速度特别快，能得到特别良好的清除率。又，在80≤d的场合，非晶化变得困难。因此，更优选65≤d≤85。另外，为了得到良好的记录再生性能，添加用于调整结晶化速度的M5为好。e更优选1≤e≤10。e≤10的场合，由于能抑制多个相出现，所以能抑制反复记录引起的特性劣化。
记录膜16的膜厚，为了提高记录灵敏度，在6nm-15nm的范围内为好。即使在该范围内，当记录膜16过厚的场合，热向面内方向的扩散导致的对邻接区域的热影响也变大。而当记录膜16过薄的场合，光学信息记录介质1的反射率变小。因此，记录膜16的膜厚在8nm-12nm的范围内更好。
反射膜20有使被记录膜16吸收的光量增大这一光学的功能。另外，反射膜20也有使在记录膜16产生的热迅速扩散、使记录膜16容易非晶化这一热学的功能。进一步地，反射膜20还有从使用的环境保护多层膜这一功能。
反射膜20的材料例如能够使用Ag、Au、Cu和Al这些热传导率高的单质金属、以及Al-Cr、Al-Ti、Au-Pd、Au-Cr、Ag-Pd、Ag-Pd-Cu、Ag-Pd-Ti、Ag-Ru-Au、Ag-Nd-Au、Ag-Nd-Cu、或Cu-Si这些合金。特别是Ag合金，由于热传导率大，所以作为反射膜20的材料理想。反射膜20的膜厚在热扩散功能变得充分的30nm以上是优选的。即使在该膜厚范围，当反射膜20厚于200nm的场合，其热扩散功能过于变大，光学信息记录介质1的记录灵敏度降低。所以，反射膜20的膜厚在30nm-200nm的范围内是更优选的。
在反射膜20的激光入射侧的界面也可以配置金属膜19。这种场合，金属膜19能够使用比关于反射膜20所说明的材料热传导率低的材料。反射膜20使用Ag合金的场合，金属膜19使用Al或Al合金为好。另外，金属膜19的膜厚优选为3nm-100nm，更优选为10nm-50nm。
象以上那样的构成的光学信息记录介质1，记录膜16与入射侧以及反入射侧的电介质膜15、17的附着性良好、可靠性高、改写性能良好、且能够实现由于记录膜16的结晶能提高所带来的大容量化。
(实施形态2)
说明本发明的光学信息记录介质的别的实施形态。图2表示本实施形态的光学信息记录介质2的截面构成。光学信息记录介质2是包含多个信息层，通过从单面的激光照射能够进行对各信息层的信息的记录再生的、多层结构的光学信息记录介质。
在光学信息记录介质2中，在基板21上层合第1-第n的n个(n是满足n≥2的自然数)信息层221-22n，再设置透明层23。再者，在本说明书中，从激光的入射侧数，将第1个信息层记为第1信息层221，将第n个信息层记为第n信息层22n，相互邻接的信息层使光学分离层24介于中间来层合。在光学信息记录介质2中，第1信息层221-第(n-1)信息层22n-1有光透射性。这是由于有必要使激光到达至第n信息层22n。
基板21和透明层23的材料分别能够使用与在实施形态1中说明的基板11和透明层13同样的材料。另外，关于它们的形状和功能，也与实施形态1的情况相同。
光学分离层24由光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)和迟效性热固化型树脂等树脂、或电介质等构成，相对于使用的激光，光吸收率小为好，在短波长区光学上双折射率小为好。
设在各信息层间的光学分离层24，为区别第1信息层221、第2信息层222、…、第n信息层22n各自的焦点(focus)位置而被使用。光学分离层24的厚度，需要在由物镜的数值口径(NA)和激光的波长λ所确定的焦点深度ΔZ以上。假定焦点的光强度的基准为无像差场合的80％的情况下，焦点深度ΔZ能用ΔZ＝λ/{2(NA)2}近似。λ＝400nm、NA＝0.6时，ΔZ＝0.556μm，±0.6μm以内为焦点深度内。为此，在该场合，光学分离层24的厚度，必需在1.2μm以上。又，使用物镜设定各信息层间的距离使得成为能将激光聚光的范围是所希望的。因此，光学分离层24的厚度，在物镜能允许的公差内(例如50μm以下)为好。
在光学分离层24中，在激光的λ射侧的表面根据需要也可以形成用于引导激光的导向槽。该场合下，只照射来自单侧的激光，利用从第1信息层221-第(k-1)信息层22k-1透射的激光能够将第k信息层22k(k为1＜k≤n的自然数)记录再生。
以下详细说明第1信息层221的构成。第1信息层221上设有从激光入射侧按顺序配置的入射侧保护膜25、入射侧电介质膜(第1电介质膜)26、记录膜27、反入射侧电介质膜(第2电介质膜)28、反射膜29以及透射率调整膜30。
入射侧保护膜25能够使用与在实施形态1中说明的入射侧保护膜14同样的材料。同时功能也与入射侧保护膜14同样。入射侧保护膜25的膜厚的膜厚可以通过基于矩阵法的计算来决定，以满足以下条件：记录膜27为结晶相的场合和为非晶质相的场合之间的反射光量的变化变大，且在记录膜27的光吸收变大。
入射侧电介质膜26能够使用与在实施形态1中说明的入射侧电介质膜15同样的材料。同时功能和形状也与入射侧电介质膜15同样。
反入射侧电介质膜28能够使用与在实施形态1中说明的反入射侧电介质膜17同样的材料。同时功能和形状也与反入射侧电介质膜17同样。
记录膜27能够使用与在实施形态1中说明的记录膜16同样的材料。记录膜27的膜厚尽量薄为好。这是因为，为了使记录再生时所必需的激光量到达至采用从第1信息层221透射的激光进行信息的记录再生的信息层(比第1信息层221远离激光入射侧地配置的信息层)，有必要使第1信息层221的透射率高。例如，用组成式Gea(M2)bTe3+a表示的材料、在Gea(M2)bTe3+a中用M3置换了Ge的一部分的材料、以及用组成式(Gea(M2)bTe3+a)100-c(M4)c表示的材料的场合，在3nm-9nm的范围内为好，在4nm-8nm的范围内更好。另外，记录膜27采用用组成式(SbdTe100-d)100-e(M5)e表示的材料形成的场合，厚度在1nm-7nm的范围内为好，在2nm-6nm的范围内更好。
反射膜29能够使用与在实施形态1中说明的反射膜20同样的材料。同时功能也与反射膜20同样。为了尽可能提高第1信息层221的透射率，反射膜29的膜厚在3nm-15nm的范围内为好，在8nm-12nm的范围内更好。通过使反射膜29的膜厚在该范围内，使得其热扩散功能充分，且能够确保在第1信息层221的足够的反射率，而且第1信息层221的透射率也变得充分。
透射率调整膜30由电介质构成，有调整第1信息层221的透射率的功能。采用该透射率调整膜30，能够同时提高记录膜27为结晶相的场合的在第1信息层221的透射率Tc(％)、记录膜27为非晶质相的场合的在第1信息层221的透射率Ta(％)。具体讲，具备透射率调整膜30的第1信息层221与没有透射率调整膜30的场合比，透射率Tc和Ta上升2％-10％左右。另外，透射率调整膜30也有使在记录膜27发生的热有效地扩散的功能。
透射率调整膜30的折射率n1和衰减系数k1，为了更增大提高第1信息层221的透射率Tc和Ta的作用，满足2.0≤n1、且k1≤0.1为好，满足2.0≤n1≤3.0、且k1≤0.05更好。
透射率调整膜30的膜厚d1，优选在(1/32)λ/n1≤d1≤(3/16)λ/n1、或者(17/32)λ/n1≤d1≤(11/16)λ/n1的范围内，更优选在(1/16)λ/n1≤d1≤(5/32)λ/n1、或者(9/16)λ/n1≤d1≤(21/32)λ/n1的范围内。再者，例如当使激光的波长λ和透射率调整膜30的折射率n1为350nm≤λ≤450nm、2.0≤n1≤3.0时，膜厚d1优选在3nm≤d1≤40nm或者60nm≤d1≤130nm的范围内，更优选在7nm≤d1≤30nm或者65nm≤d1≤120nm的范围内。通过在该范围内选择膜厚d1，能够同时提高第1信息层221的透射率Tc和Ta。
透射率调整膜30例如可以使用TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3等氧化物。另外，也可以使用Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N等氮化物。此外，也可以使用ZnS等硫化物。又，也可以使用上述材料的混合物。在这些之中，特别优选使用TiO2或包含TiO2的材料。这些材料折射率大(n1＝2.5-2.8)、衰减系数小(k1＝0.0-0.05)，所以提高第1信息层221的透射率的作用大。
第1信息层221的透射率Tc和Ta，为使在记录再生时所需的激光量到达第2信息层222-第n信息层22n，满足40＜40＜Tc、且40＜Ta为好，满足46＜Tc、且46＜Ta更好。
第1信息层221的透射率Tc和Ta，满足-5≤(Tc-Ta)≤5为好，满足-3≤(Tc-Ta)≤3更好。通过使透射率Tc和Ta满足该条件，在第2-第n信息层222-22n进行信息的记录再生时，根据第1信息层221的记录膜27的状态产生的对透射率变化的影响变小，所以能得到良好的记录再生特性。
记录膜27为结晶相时的第1信息层221的反射率Rc1以及记录膜27为非晶质相时的第1信息层221的反射率Ra1，满足Ra1＜Rc1为好。由此，比起记录了信息的状态，在未记录信息的初期状态下反射率高，能够稳定地进行记录再生工作。又，为了增大(Rc1-Ra1)以得到良好的记录再生特性，Rc1、Ra1满足0.1≤Ra1≤5、且4≤Rc1≤15为好，满足0.1≤Ra1≤3、且4≤Rc1≤10更好。
再者，本实施形态的光学信息记录介质2所包含的第1信息层221以外的其他信息层的膜构造，既可以与第1信息层221同样，也可以是别的构造。另外，使多个信息层中的至少一个为与本实施形态所说明的第1信息层221同样的膜构造，而其他信息层为不同的构造也可以，但使在最接近激光入射侧的面的位置配置的第1信息层221为本实施形态所说明的膜构造是优选的。另外，也可以使第1信息层221以外的其他信息层的任一个为再生专用型的信息层(ROM(Read OnlyMemory))或只能写入1次的追记型信息层(WO(Write Once))。
象以上那样的构成的光学信息记录介质2，记录膜27与入射侧以及反入射侧的电介质膜26、28的附着性良好，可靠性高，改写性能良好，且通过记录膜27的结晶能的提高，能够实现大容量化。
(实施形态3)
说明本发明的光学信息记录介质的另一实施形态。图3表示本实施形态的光学信息记录介质3的截面构成。光学信息记录介质3是包含2个信息层，通过从单面的激光照射能够进行对各信息层的信息的记录再生的、多层结构的光学信息记录介质。
光学信息记录介质3由在基板31上顺次层合的第2信息层322、光学分离层34、第1信息层321以及透明层33构成。激光从透明层33侧入射。基板31、光学分离层34、第1信息层321以及透明层33可以使用与在实施形态1或2中说明的基板11，21、光学分离层24、第1信息层221、透明层13，23同样的材料，同时形状和功能也一样。
以下，详细说明第2信息层322。在第2信息层322上设有从激光入射侧按顺序配置的入射侧保护膜35、入射侧电介质膜(第1电介质膜)36、记录膜37、反入射侧电介质膜(第2电介质膜)38、反入射侧保护膜39、金属膜40、以及反射膜41。第2信息层322采用从透明层33、第1信息层321、以及光学分离层34透射的激光来进行信息的记录再生。
入射侧保护膜35能够使用与在实施形态1中说明的入射侧保护膜14同样的材料，另外关于功能也一样。入射侧保护膜35的膜厚的膜厚可以通过基于矩阵法的计算来决定，使得满足以下条件：记录膜37为结晶相的场合和为非晶质相的场合之间的反射光量的变化变大，且在记录膜37的光吸收变大。
入射侧电介质膜36能够使用与在实施形态1中说明的入射侧电介质膜15同样的材料。另外功能和形状也一样。
反入射侧电介质膜38能够使用与在实施形态1中说明的反入射侧电介质膜17同样的材料。另外功能和形状也一样。
记录膜37能够使用与在实施形态1中说明的记录膜16同样的材料，另外膜厚也一样。
反入射侧保护膜39能够使用与在实施形态1中说明的反入射侧保护膜18同样的材料，另外功能和形状也一样。再者，也可以形成不设反入射侧保护膜39的构成。
金属膜40能够使用与在实施形态1中说明的金属膜19同样的材料，另外功能和形状也一样。再者，也可以形成不设金属膜40的构成。
反射膜41能够使用与在实施形态1中说明的反射膜20同样的材料，另外它们的功能和形状也一样。
象以上那样的构成的光学信息记录介质3，第1信息层321和第2信息层322都是入射侧电介质膜26，36和反入射侧电介质膜28，38与记录膜27，37的附着性良好、可靠性高、改写性能良好、且也能够实现由于记录膜27，37的结晶能提高所带来的大容量化。
(实施形态4)
说明本发明的光学信息记录介质的另一实施形态。图4表示本实施形态的光学信息记录介质5的截面构成。光学信息记录介质5是包含多个信息层、通过从单面的激光照射能够进行对各信息层的信息的记录再生的、多层结构的光学信息记录介质。
光学信息记录介质5与在实施形态1-3中说明的光学信息记录介质1-3不同，基板51配置在激光入射侧。在该基板51上层合有n个第1-第n信息层521-52n，再使粘接层53介于中间配置伪基板54。n个信息层521-52n，使光学分离层55介于中间而相互地层合。
基板51和伪基板54与在实施形态1中说明的基板11一样，是透明的圆盘状的基板。基板51和伪基板54，例如可以使用聚碳酸酯、无定形聚烯烃、或PMMA等的树脂、或玻璃。
在基板51的第1信息层521侧的表面根据需要也可以形成用于引导激光的导向槽。基板51的与第1信息层521侧相反一侧的表面平滑为好。作为基板51和伪基板54的材料，从复制性和大量生产性优异、低成本来考虑，特别优选聚碳酸酯。再者，基板51的厚度优选在500-1200μm的范围内，使得有充分的强度，且光学信息记录介质5的厚度总体达到1200μm左右。
粘接层53由光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)和迟效性热固化型树脂等树脂构成，对于使用的激光光吸收率小为好，在短波长区光学上双折射率小为好。
再者，第1信息层521的膜构成与在实施形态2中说明的第1信息层221的膜构成一样，即使关于各膜的材料、形状和功能等也一样。另外，光学分离层54也能使用与在实施形态2中说明的光学分离层24一样的材料，形状和功能也一样。
象以上那样，对于在激光入射侧配置了基板51的光学信息记录介质5也能得到与在实施例1-3中说明的光学信息记录介质1-3同样的效果。
(实施形态5)
关于本发明的光学信息记录介质的制造方法的实施形态予以说明。在本实施形态中，说明在实施形态1中说明的光学信息记录介质1的制造方法。
首先，准备基板11(例如厚度为1100μm)，配置于成膜装置内。接着，在基板11上制作信息层12。具体讲，在基板11上首先形成反射膜20。此时，在基板11上形成用于引导激光的导向槽的场合，在形成该导向槽的面上形成反射膜20。反射膜20可在Ar气体气氛中、或者Ar气体和反应气体(选自氧气和氮气的至少一种气体)的混合气体气氛中通过溅射由构成反射膜20的金属或合金构成的溅射靶来形成。
接着，在反射膜20上根据需要形成金属膜19。金属膜19可以使用由构成金属膜19的金属或合金构成的溅射靶，采用与反射膜20的场合同样的方法来形成。
接着，在金属膜19上(不设金属膜19的构成的场合是在反射膜20上)根据需要形成反入射侧保护膜18。反入射侧保护膜18可在Ar气体气氛中、或者Ar气体和反应气体的混合气体气氛中通过溅射由构成反入射侧保护膜18的化合物构成的溅射靶来形成。另外，反入射侧保护膜18可在Ar气体和反应气体的混合气体气氛中通过反应性溅射由含有构成反入射侧保护膜18的元素的金属构成的溅射靶来形成。
接着，在反入射侧保护膜18上(不设反入射侧保护膜18的构成的场合是在金属膜19上或者反射膜20上)形成反入射侧电介质膜17。反入射侧电介质膜17可使用含有混合物Cr2O3-(M1)O2或混合物SiO2-Cr2O3-(M1)O2的溅射靶(第2溅射靶)通过溅射来形成。在该溅射靶所含的混合物为Cr2O3-(M1)O2的场合，该混合物中Cr2O3优选为15mol％以上80mol％以下。另外，该溅射靶所含的混合物为SiO2-Cr2O3-(M1)O2的场合，该混合物中SiO2：35mol％以下、Cr2O3：15mol％以上80mol％以下、SiO2+Cr2O3：超过15mol％但在95mol％以下是优选的。
在Ar气体气氛中、或者Ar气体和反应气体的混合气体气氛中通过溅射象上述这些的溅射靶能够形成反入射侧电介质膜17。在此，Cr2O3相对于(M1)O2、SiO2采用溅射容易形成，所以溅射靶的Cr2O3含量相对于规定的膜组成少一些为好。
接着，在反入射侧电介质膜17上形成记录膜16。记录膜16根据其组成，可使用一个电源通过溅射由Ge-M2-Te合金构成的溅射靶、或由Ge-M2-Te-M3合金构成的溅射靶、或由Ge-M2-Te-M4合金构成的溅射靶、或由Sb-Te-M5合金构成的溅射靶来形成。
形成记录膜16的场合的溅射的气氛气体可以使用Ar气体、Kr气体、Ar气体和反应气体的混合气体、或者Kr气体和反应气体的混合气体。另外，记录膜16可使用多个电源通过同时溅射含有Ge、Te、M2、M3、M4和M5之中必需的金属的溅射靶来形成。另外，记录膜16可使用多个电源通过同时溅射由Ge、Te、M2、M3、M4和M5组合了必需的元素的2元系溅射靶和3元系溅射靶等来形成。即使这些场合，也能够在Ar气体气氛中、Kr气体气氛中、Ar气体和反应气体的混合气体气氛中、或者Kr气体和反应气体的混合气体气氛中通过溅射来形成。
接着，在记录膜16上形成入射侧电介质膜15。入射侧电介质膜15可使用含有混合物Cr2O3-(M1)O2或混合物SiO2-Cr2O3-(M1)O2的溅射靶(第1溅射靶)通过溅射来形成。在该溅射靶所含的混合物为Cr2O3-(M1)O2的场合，该混合物中Cr2O3优选为5mol％以上60mol％以下。另外，该溅射靶所含的混合物为SiO2-Cr2O3-(M1)O2的场合，该混合物中SiO2：5mol％以上40mol％以下、Cr2O3：5mol％以上70mol％以下、SiO2+Cr2O3：10mol％以上95mol％以下是优选的。在Ar气体气氛中、或者Ar气体和反应气体的混合气体气氛中通过溅射象上述这些的溅射靶能够形成入射侧电介质膜15。在此，Cr2O3相对于(M1)O2、SiO2采用溅射容易形成，所以溅射靶的Cr2O3含量相对于规定的膜组成少一些为好。
接着，在入射侧电介质膜15上形成入射侧保护膜14。入射侧保护膜14，能够通过在Ar气体气氛中、或者Ar气体和反应气体的混合气体气氛中溅射由构成入射侧保护膜14的化合物构成的溅射靶而形成。另外，入射侧保护膜14，也能够在Ar气体和反应气体的混合气体气氛中通过反应性溅射由含有构成入射侧保护膜14的元素的金属构成的溅射靶来形成。
最后，在入射侧保护膜14上形成透明层13。透明层13，能够在入射侧保护膜14上涂敷光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂并旋涂(spin coat)后，通过使树脂固化而形成。另外，作为透明层13，也可以使用透明的圆盘状的聚碳酸酯、无定形聚烯烃、或PMMA等树脂、或玻璃等的基板。在此场合，透明层13能够在入射侧保护膜14上涂敷光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂等的树脂，接着使基板附着在入射侧保护膜14上，使整体旋转并均匀地拉伸树脂(旋涂)后，通过使树脂固化而形成。另外，也可以使预先均匀地涂敷了粘着性的树脂的基板附着在入射侧保护膜14上。
再者，在本实施形态中，作为各膜的成膜方法使用了溅射法，但不限于此，也能够使用真空蒸镀法、离子镀法、CVD(Chemical VaporDeposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)等。
再者，形成入射侧保护膜14后、或者形成透明层13后，根据需要也可以进行使记录膜16的整个面结晶化的初始化工序。记录膜16的结晶化可通过照射激光来进行。
象以上那样，能够制造光学信息记录介质1。
(实施形态6)
关于本发明的光学信息记录介质的制造方法的别的实施形态予以说明。在本实施形态中，说明在实施形态2中说明的光学信息记录介质2的制造方法。
首先，在基板21(例如厚度为1100μm)上使光学分离层24介于中间顺次层合第n信息层22n-第2信息层222这(n-1)层的信息层，各信息层由单层膜或多层膜构成，这些各膜可通过在成膜装置内顺次溅射作为材料的溅射靶来形成。另外，光学分离层24能够在信息层上涂敷光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂，采用旋转涂敷均匀地拉伸树脂，其后通过使树脂固化而形成。再者，在光学分离层24上形成激光的导向槽的场合，使在表面形成了规定的形状的沟槽的复制用基板(模)附着在固化前的树脂上后，使基板21和复制用基板旋转并旋涂后，其后使树脂固化，再其后通过使复制用基板从固化的树脂剥离，能够形成在表面形成了规定的导向槽的光学分离层24。
这样，在基板21上使光学分离层24介于中间顺次层合(n-1)层的信息层后，再形成光学分离层24。接着，在形成于(n-1)层的信息层上的光学分离层24上形成第1信息层221。具体讲，首先将形成了(n-1)层的信息层和光学分离层24的基板21配置在成膜装置内，在光学分离层24上形成透射率调整膜30。透射率调整膜30能够通过在Ar气体气氛中、或者Ar气体和反应气体的混合气体气氛中溅射由构成透射率调整膜30的化合物构成的溅射靶来形成。另外，透射率调整膜30可以使用由构成透射率调整膜30的元素构成的金属作为溅射靶，在Ar气体和反应气体的混合气体气氛中通过反应性溅射来形成。
接着，在透射率调整膜30上形成反射膜29。反射膜29能够采用与在实施形态5中说明的反射膜20一样的方法形成。
接着，在反射膜29上形成反入射侧电介质膜28。反入射侧电介质膜28能够采用与在实施形态5中说明的反入射侧电介质膜17一样的方法形成。
接着，在反入射侧电介质膜28上形成记录膜27。记录膜27能够采用与在实施形态5中说明的记录膜16一样的方法形成。
接着，在记录膜27上形成入射侧电介质膜26。入射侧电介质膜26能够采用与在实施形态5中说明的入射侧电介质膜15一样的方法形成。
接着，在入射侧电介质膜26上形成入射侧保护膜25。入射侧保护膜25能够采用与在实施形态5中说明的入射侧保护膜14一样的方法形成。
最后，接着，在入射侧保护膜25上形成透明层23。透明层23能够采用与在实施形态5中说明的透明层13一样的方法形成。
再者，形成入射侧保护膜25后、或者形成透明层23后，根据需要也可以进行使记录膜27的整个面结晶化的初始化工序。记录膜27的结晶化能够通过照射激光来进行。
如以上那样能够制造光学信息记录介质2。
(实施形态7)
关于本发明的光学信息记录介质的制造方法的别的实施形态予以说明。在本实施形态中，说明在实施形态3中说明的光学信息记录介质3的制造方法。
首先，在基板31形成第2信息层322。具体讲，首先准备基板31(例如厚度为1100μm)，配置在成膜装置内。
接着，在基板31上形成反射膜41。此时，在基板31上形成用于引导激光的导向槽的场合，在形成了导向槽的面上形成反射膜41。反射膜41能够采用与在实施形态5中说明的反射膜20一样的方法形成。
接着，在反射膜41上根据需要形成金属膜40。金属膜40能够采用与在实施形态5中说明的金属膜19一样的方法形成。
接着，在金属膜40上(不设金属膜400的场合是在反射膜41上)根据需要形成反入射侧保护膜39。反入射侧保护膜39能够采用与在实施形态5中说明的反入射侧保护膜18一样的方法形成。
接着，在反入射侧保护膜39上(不设反入射侧保护膜39的场合是在金属膜40上或反射膜41上)形成反入射侧电介质膜38。反入射侧电介质膜38能够采用与在实施形态5中说明的反入射侧电介质膜17一样的方法形成。
接着，在反入射侧电介质膜38上形成记录膜37。记录膜37能够采用与在实施形态5中说明的记录膜16一样的方法形成。
接着，在记录膜37上形成入射侧电介质膜36。入射侧电介质膜36能够采用与在实施形态5中说明的入射侧电介质膜15一样的方法形成。
接着，在入射侧电介质膜36上形成入射侧保护膜35。入射侧保护膜35能够采用与在实施形态5中说明的入射侧保护膜14一样的方法形成。
如以上那样形成第2信息层322。
接着，在第2信息层322的入射侧保护膜35上形成光学分离层34。光学分离层34能够采用与在实施形态6中说明的光学分离层24一样的方法形成。
再者，形成入射侧保护膜35后、或者形成光学分离层34后，根据需要也可以进行使记录膜37的整个面结晶化的初始化工序。记录膜37的结晶化能够通过照射激光来进行。
接着，在光学分离层34上形成第1信息层321。具体讲，在光学分离层34上按顺序形成透射率调整膜30、反射膜29、反入射侧电介质膜28、记录膜27、入射侧电介质膜26、以及入射侧保护膜25。这些的各膜能够采用在实施形态5中说明的方法形成。
最后，在入射侧保护膜25上形成透明层33。透明层33能够采用与在实施形态5中说明的透明层13一样的方法形成。
再者，形成入射侧保护膜25后、或者形成透明层33后，根据需要也可以进行使记录膜27的整个面结晶化的初始化工序。记录膜27的结晶化能够通过照射激光来进行。
另外，形成第1信息层321的入射侧保护膜25后、或者形成透明层33后，根据需要也可以进行使第2信息层322的记录膜37以及第1信息层321的记录膜27的整个面结晶化的初始化工序。在此场合，先使第2信息层322的记录膜37结晶化为好。
如以上那样能够制造光学信息记录介质3。
(实施形态8)
关于本发明的光学信息记录介质的制造方法的又一别的实施形态予以说明。在本实施形态中，说明在实施形态4中说明的光学信息记录介质5的制造方法。
首先，在基板51(例如厚度为600μm)上形成第1信息层521。此时，在基板51上形成用于引导激光的导向槽的场合，在形成了导向槽的面上形成第1信息层521。具体讲，将基板51配置在成膜装置内，以与在实施形态6中说明的第1信息层221相反的顺序，顺次形成入射侧保护膜25、入射侧电介质膜26、记录膜27、反入射侧电介质膜28、反射膜29以及透射率调整膜30。各膜的成膜方法与在实施形态6中说明的方法相同。
其后，使光学分离层55介于中间顺次层合第2信息层522-第n信息层52n这(n-1)层的信息层，各信息层由单层膜或多层膜构成，这些的各膜与在实施形态6中说明的方法一样，可通过在成膜装置内顺次溅射作为材料的溅射靶来形成。
最后，使用粘接层53粘合第n信息层52n和伪基板54。具体讲，将光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效性热固化型树脂涂敷在第n信息层52n上，通过该树脂使伪基板54附着在第n信息层52n上，进行旋涂后，使树脂固化即可。另外，预先将粘着性的树脂均匀涂敷在伪基板54上，也能够使伪基板54附着在第n信息层52n上。
再者，使伪基板54附着后，根据需要也可以进行使第1信息层521的记录膜27的整个面结晶化的初始化工序。记录膜27的结晶化能够通过照射激光来进行。
如以上那样能够制造光学信息记录介质5。
(实施形态9)
关于对在实施形态1-4中说明的光学信息记录介质1、2、3或5进行信息的记录再生的方法进行说明。图5示意性地示出本实施形态的记录再生方法所用的记录再生装置6的一部分的构成。记录再生装置6包括用于使光学信息记录介质7转动的主轴马达61、具备半导体激光器62的光学头(head)63、聚集由半导体激光器62射出的激光的物镜64。光学信息记录介质7是光学信息记录介质1、2、3或5，包含1个信息层或多个信息层(例如，在光学信息记录介质3中的第1信息层321和第2信息层322)。物镜64将激光聚集在光学信息记录介质7的信息层上。
对光学信息记录介质7的信息的记录、清除及写上记录，通过使激光的功率调制为高功率的峰值功率(Pp(mW))和低功率的偏置功率(bias power)(Pb(mW))来进行。通过照射峰值功率的激光，在信息层所含的记录膜的局部地方的一部分上形成非晶质相，该非晶质相成为记录标记。在记录标记间照射偏置功率的激光形成结晶相(清除部分)。再者，在照射峰值功率的激光的场合，一般为以脉冲列形成的、所谓的多脉冲(multi pulse)。再者，多脉冲既可以只以峰值功率和偏置功率的功率级调制，又可以采用0mW-峰值功率的范围的功率级调整。
另外，比峰值功率和偏置功率的任何的功率级都低、通过在其功率级下的激光的照射，记录标记的光学状态不受影响、且由光学信息记录介质7得到用于记录标记再生的足够的反射光量的功率作为再生功率(Pr(mW))，通过照射再生功率的激光而得到的来自光学信息记录介质7的信号用检测器读取，由此进行信息信号的再生。
物镜64的数值口径(NA)，为了将激光的光斑直径调整为0.4μm-0.7μm的范围内，优选在0.5-1.1的范围内(更优选在0.6-1.0的范围内)。激光的波长优选在450nm以下(更优选在350-450nm的范围内)。记录信息时的光学信息记录介质7的线速度优选在难以由再生光引起结晶化、且能得到充分的清除率的3m/秒-20m/秒的范围内(更优选在4m/秒-15m/秒的范围内)。
例如，在光学信息记录介质7为具备2个信息层的光学信息记录介质3的场合，在对第1信息层321进行记录时，使激光的焦点对合在记录膜27上，通过从透明层33透射的激光向记录膜27记录信息。信息的再生使用通过反射膜27反射、从透明层33透射的激光来进行。另一方面，在对第2信息层322进行记录时，使激光的焦点对合在记录膜37上，通过从透明层33、第1信息层321和光学分离层34透射的激光记录信息。信息的再生使用通过反射膜37反射、从光学分离层34、第1信息层321、以及透明层33透射的激光来进行。
再者，在光学信息记录介质3的基板31和光学分离层34的表面形成用于引导激光的导向槽的场合，信息既可以在离激光的入射侧近的一方的沟面(凹沟；groove)进行记录，也可以在离其远的一方的沟面(纹间表面；land)进行记录，另外，也可以在凹沟和纹间表面这两者上记录信息。
实施例
以下使用实施例进一步详细说明本发明。
(实施例1-6和比较例1-4)
作为实施例1-6和比较例1-4的光学信息记录介质，制作了设置一层的信息层、该信息层为图2所示的光学信息记录介质2的第1信息层221的光学信息记录介质。即，制作了在光学信息记录介质2中，在基板21和透明层23之间只设第1信息层221的光学信息记录介质。实施例1-6和比较例1-4的光学信息记录介质，信息层所含的入射侧电介质膜26和反入射侧电介质膜28均是由Cr、Zr和O元素构成(用混合物Cr2O3-ZrO2形成)。但是，Cr原子浓度(Cr2O3的含量)，各实施例和比较例分别不一样。
具体讲，首先，作为基板21，准备了形成了用于引导激光的导向槽(深20nm、道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度1100μm)。其次，在该聚碳酸酯基板上顺次采用溅射法层合作为透射率调整膜30的TiO2膜(厚度：20nm)、作为反射膜29的Ag-Pd-Cu膜、作为反入射侧电介质膜28的Cr2O3-ZrO2膜(厚度：约10nm)、作为记录膜27的Ge22Sb2Te25膜(厚度：6nm)、作为入射侧电介质膜26的Cr2O3-ZrO2膜(厚度：5nm)、作为入射侧保护膜25的ZnS-SiO2膜(厚度：约40nm、ZnS：80mol％、SiO2：20mol％)。最后，将紫外线固化型树脂(日本化药(株)制的DVD-003)涂敷在入射侧保护膜25上，使聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度70μm)附着在入射侧保护膜25上，旋转涂敷后，照射紫外线使树脂固化，从而形成了透明层23。其后，进行使记录膜27结晶化的初始化工序。
如以上那样，制造了入射侧电介质膜26和反入射侧电介质膜28的Cr原子浓度分别不同的实施例1-6和比较例1-4的光学信息记录介质。实施例1-6和比较例1-4的光学信息记录介质各自中的入射侧电介质膜26和反入射侧电介质膜28的材料示于表1。
再者，实施例1-6和比较例1-4的光学信息记录介质各自中的入射侧电介质膜26和反入射侧电介质膜28的膜厚，通过基于矩阵法的计算而被严格地确定。具体讲，确定它们的膜厚，使得在波长405nm时，记录膜27为结晶相时的信息层的反射率Rc1(在基板的镜面部的反射)尽量取在4≤Rc1≤10的范围内，并且记录膜27为非晶质相时的信息层的反射率Ra1(在基板的镜面部的反射)尽量取在0.5≤Ra1≤3的范围内。
关于象以上那样形成的各个实施例和比较例的光学信息记录介质，评价入射侧电介质膜26以及反入射侧电介质膜28与记录膜27的附着性和反复改写性能。
首先，使用图5所示的记录再生装置6，测定各光学信息记录介质的记录改写次数。此时，激光的波长为405nm，物镜64的数值口径(NA)为0.85，测定时样品的线速度为5.0m/s，最短标记长为0.149μm，基板的导向槽的道间距为0.32μm。另外，信息记录在凹沟上。
记录改写性能这样地评价：在Pp和Pb之间进行激光的功率调制，用(1-7)调制方式将标记长从0.149μm(2T)到0.596μm(8T)的随机信号连续记录在相同的凹沟上，用时间间隔测定器测定各记录改写次数的前端跳动(在记录标记前端部的跳动)、后端跳动(在记录标记后端部的跳动)以及前端跳动和后端跳动的平均跳动。将相对于第1次的跳动值增加3％的改写次数作为反复改写性能的上限值。再者，确定Pp和Pb，使得平均跳动值最小。
其后，评价入射侧电介质膜26以及反入射侧电介质膜28的材料与记录膜27的附着性。再者，附着性的评价在除了评价可记录改写性能的部分以外的区域进行。具体讲，在温度90℃、相对湿度80％的条件下，在恒湿槽放置光学信息记录介质100小时后，用光学显微镜目视观察，调查在入射侧电介质膜26以及反入射侧电介质膜28与记录膜27之间是否发生了剥离。
将以上的评价结果示于表1。再者，在表1中，将xmol％Cr2O3-(100-x)mol％ZrO2的混合物表记为(Cr2O3)x(ZrO2)100-x。
表1
| 入射侧电介质膜材料 | 反入射侧电介质膜材料 | 有无剥离 | 改写次数(次) | |
| 实施例1 | (Cr2O3)10(ZrO2)90(Cr6.3Zr28.1O65.6) | (Cr2O3)20(ZrO2)80(Cr11.8Zr23.5O64.7) | 无 | 5000 |
| 实施例2 | (Cr2O3)10(ZrO2)90(Cr6.3Zr26.1O65.6) | (Cr2O3)80(ZrO2)20(Cr34.8Zr4.3O60.9) | 无 | 1000 |
| 实施例3 | (Cr2O3)40(ZrO2)60(Cr21.1Zr15.8O63.1) | (Cr2O3)50(ZrO2)50(Cr25.0Zr12.5O82.5) | 无 | 3000 |
| 实施例4 | (Cr2O3)60(ZrO2)40(Cr28.6Zr9.5O61.9) | (Cr2O3)80(ZrO2)20(Cr34.8Zr4.3O60.9) | 无 | 1000 |
| 实施例5 | (Cr2O3)70(ZrO2)30(Cr31.8Zr6.8O61.4) | (Cr2O3)80(ZrO2)20(Cr34.8Zr4.3O60.9) | 无 | 500 |
| 实施例6 | (Cr2O3)60(ZrO2)40(Cr28.6Zr9.5O61.9) | (Cr2O3)90(ZrO2)10(Cr37.5Zr2.1O60.4) | 无 | 500 |
| 比较例1 | (Cr2O3)5(ZrO2)95(Cr3.2Zr30.6O66.2) | (Cr2O3)10(ZrO2)90(Cr6.3Zr28.1O65.6) | 有(入射侧·反入射侧) | 7000 |
| 比较例2 | (Cr2O3)5(ZrO2)95(Cr3.2Zr30.6O86.2) | (Cr2O3)80(ZrO2)20(Cr34.8Zr4.3O60.9) | 有（入射侧) | 1000 |
| 比较例3 | (Cr2O3)10(ZrO2)90(Cr6.3Zr28.1O65.6) | (Cr2O3)10(ZrO2)90(Cr6.3Zr28.1O65.8) | 有(反入射侧) | 7000 |
| 比较例4 | (Cr2O3)20(ZrO2)80(Cr11.8Zr23.5O64.7) | (Cr2O3)10(ZrO2)90(Cr6.3Zr28.1O65.6) | 有(反入射侧) | 5000 |
如表1所示，在实施例1-6的光学信息记录介质中，反入射侧电介质膜28的Cr原子浓度比入射侧电介质膜26的Cr原子浓度大、且入射侧电介质膜26的Cr原子浓度在6at％以上，反入射侧电介质膜28的Cr原子浓度在9at％以上。另外，将入射侧电介质膜26的材料表记为x1mol％Cr2O3-(100-x1)mol％ZrO2，将反入射侧电介质膜28的材料表记为x2mol％Cr2O3-(100-x2)mol％ZrO2的场合，在实施例1-6的光学信息记录介质中，满足10≤x1、20≤x2和x1＜x2的关系。这样的实施例1-6的光学信息记录介质，在入射侧电介质膜26以及反入射侧电介质膜28与记录膜27之间没有剥离，附着性充分。另外，实施例1-4的光学信息记录介质，反复改写次数良好，达1000次以上，而实施例5和6的光学信息记录介质的场合，为500次，不怎么良好，证实了入射侧电介质膜26以及反入射侧电介质膜28的Cr2O3含量变多时，反复改写次数缓慢变少。由此可知，如果能确保附着性，则Cr2O3含量尽量少为好，x也优选x1≤60、x2≤80。
另外，比较例1和2的光学信息记录介质，反入射侧电介质膜28的Cr原子浓度比入射侧电介质膜26的Cr原子浓度大(在混合物Cr2O3-ZrO2中，反入射侧电介质膜28的Cr2O3含量比入射侧电介质膜26的Cr2O3含量大)。可是，比较例1的场合，入射侧电介质膜26的Cr原子浓度和反入射侧电介质膜28的Cr原子浓度(Cr2O3含量)都过少，在两电介质膜26，28与记录膜27之间发生了剥离。比较例2的场合，入射侧电介质膜26的Cr原子浓度(Cr2O3含量)过少，在入射侧电介质膜26与记录膜27之间发生了剥离。又，比较例3和4的光学信息记录介质，反入射侧电介质膜28的Cr原子浓度在入射侧电介质膜26的Cr原子浓度以下，反入射侧电介质膜28的Cr原子浓度(Cr2O3含量)过少，因此在反入射侧电介质膜28与记录膜27之间发生了剥离。
(实施例7-13和比较例5-8)
作为实施例7-13和比较例5-8的光学信息记录介质，制作了设置一层的信息层、该信息层为图2所示的光学信息记录介质2的第1信息层221的光学信息记录介质。即，制作了在光学信息记录介质2中，在基板21和透明层23之间只设第1信息层221的光学信息记录介质。实施例7-13和比较例5-8的光学信息记录介质，信息层所含的入射侧电介质膜26和反入射侧电介质膜28均是由Si、Cr、Zr和O元素构成(用混合物SiO2-Cr2O3-ZrO2形成)。但是，Si原子浓度和Cr原子浓度(SiO2的含量和Cr2O3的含量)，各实施例和比较例分别不一样。
实施例7-13和比较例5-8的光学信息记录介质，除了入射侧电介质膜26以及反入射侧电介质膜28所使用的材料不一样以外，其他与实施例1-6和比较例1-4的光学信息记录介质一样地制作。实施例7-13和比较例5-8的光学信息记录介质各自中的入射侧电介质膜26和反入射侧电介质膜28的材料示于表2。在表2中，将ymol％SiO2-xmol％Cr2O3-(100-x-y)mol％ZrO2的混合物表记为(SiO2)y(Cr2O3)x(ZrO2)100-x-y。
关于象以上那样形成的各个实施例和比较例的光学信息记录介质，采用与实施例1-6和比较例1-4的情况一样的方法调查入射侧电介质膜26以及反入射侧电介质膜28与记录膜27的附着性和反复改写性能。其结果也示于表2。表2
| 入射侧电介质膜材料 | 反入射侧电介质膜材料 | 有无剥离 | 改写次数(次) | |
| 实施例7 | (SiO2)5(Cr2O3)10(ZrO2)85(Si1.6Cr6.2Zr26.6O65.6) | (SiO2)3(Cr2O3)20(ZrO2)77(Si0.9Cr11.8Zr22.6O64.7) | 无 | 5000 |
| 实施例8 | (SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(Si5.6Cr16.7Zr13.9O63.8) | (SiO2)10(Cr2O3)20(ZrO2)70(Si2.9Cr11.8Zr20.6O64.7) | 无 | 7000 |
| 实施例9 | (SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(Si9.7Cr16.7Zr9.7O63.9) | (SiO2)20(Cr2O3)30(ZrO2)50(Si5.6Cr16.7Zr13.9O63.8) | 无 | 10000 |
| 实施例10 | (SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(Si9.7Cr16.7Zr9.7O63.9) | (SiO2)35(Cr2O3)50(ZrO2)15(Si18.75Cr25Zr3.75O62.5) | 无 | 7000 |
| 实施例11 | (SiO2)25(Cr2O3)50(ZrO2)25(Si6.25Cr25Zr6.25O62.5) | (SiO2)15(Cr2O3)60(ZrO2)25(Si3.6Cr26.6Zr5.9O61.9) | 无 | 5000 |
| 实施例12 | (SiO2)35(CrO3)60(ZrO2)5(Si8.3Cr28.6Zr1.2O61.9) | (SiO2)25(Cr2O3)70(ZrO2)5(Si5.7Cr31.8Zr1.1O81.4) | 无 | 1000 |
| 实施例13 | (SiO2)15(Cr2O3)80(ZrO2)5(Si3.3Cr34.8Zr1.1O60.8) | (SiO2)5(Cr2O3)90(ZrO2)5(Si1.04Cr37.5Zr1.04O60.42 | 无 | 500 |
| 比较例5 | (SiO2)5(Cr2O3)5(ZrO2)90(Si1.6Cr3.2Zr29.0O66.2) | (SiO2)5(Cr2O3)10(ZrO2)85(Si1.6Cr6.2Zr26.6O65.6) | 有(入射·反入射侧) | 7000 |
| 比较例6 | (SiO2)5(Cr2O3)5(ZrO2)90(Si1.6Cr3.2Zr29.0O66.2) | (SiO2)5(Cr2O3)70(ZrO2)25(Si1.1Cr31.8Zr5.7O61.4) | 有(入射侧) | 1000 |
| 比较例7 | (SiO2)5(Cr2O3)10(ZrO2)85(Si1.6Cr6.2Zr26.6O65.5) | (SiO2)5(Cr2O3)10(ZrO2)85(Si1.6Cr6.2Zr26.6O65.6) | 有(反入射侧) | 7000 |
| 比较例8 | (SiO2)35(Cr2O3)30(ZrO2)35(Si9.7Cr16.7Zr9.7O63.9) | (SiO2)40(Cr2O3)30(ZrO2)30(Si11.1Cr16.7Zr8.3O63.9) | 有(反入射侧) | 10000 |
如表2所示，在实施例7-13的光学信息记录介质中，反入射侧电介质膜28的Si原子浓度比入射侧电介质膜26的Si原子浓度小、且入射侧电介质膜26的Cr原子浓度在6at％以上，反入射侧电介质膜28的Cr原子浓度在9at％以上。另外，将入射侧电介质膜26的材料表记为y1mol％SiO2-x1mol％Cr2O3-(100-x1-y1)mol％ZrO2，将反入射侧电介质膜28的材料表记为y2mol％SiO2-x2mol％Cr2O3-(100-x2-y2)mol％ZrO2的场合，在实施例7-13的光学信息记录介质中，满足10≤x1、5≤y1≤40、15≤x1+y1≤95、20≤x2、0＜y2≤35、20＜x2+y2≤95的关系，还满足y1＞y2的关系。这样的实施例7-13的光学信息记录介质，在入射侧电介质膜26以及反入射侧电介质膜28与记录膜27之间没有剥离，附着性良好。另外，实施例7-12的光学信息记录介质，反复改写次数良好，达1000次以上，而实施例13的光学信息记录介质，反复改写次数为500次，不怎么良好，可证实了当入射侧电介质膜26以及反入射侧电介质膜28的SiO2含量变少、或Cr2O3的含量变多时，反复改写次数缓慢变少。因此，由此可知，如果能确保附着性，则Cr2O3含量尽量少(优选x1≤60、且x2≤70。)、SiO2含量尽量多为好。
比较例5和6的光学信息记录介质，由于入射侧电介质膜26的Cr原子浓度过少，所以可认为不管入射侧电介质膜26的Si原子浓度和反入射侧电介质膜28的Si原子浓度的关系，在入射侧电介质膜26与记录膜27之间发生剥离，附着性不充分。另外，比较例5的场合，反入射侧电介质膜28的Cr原子浓度也过少，因此在反入射侧电介质膜28与记录膜27之间也发生了剥离。另外，比较例7的光学信息记录介质，反入射侧电介质膜28的Si原子浓度和入射侧电介质膜26的Si原子浓度相同，反入射侧电介质膜28的Cr原子浓度过少，所以在反入射侧电介质膜28与记录膜27之间发生了剥离。又，比较例8的光学信息记录介质，反入射侧电介质膜28的Si原子浓度比入射侧电介质膜26的Si原子浓度大，因此在反入射侧电介质膜28与记录膜27之间发生了剥离。
再者，关于图3所示的光学信息记录介质3和图4所示的光学信息记录介质5，对于第1信息层也采用同样的方法评价附着性和反复改写性能，得到同样的结果。
(实施例14)
作为实施例14的光学信息记录介质，制造图1所示的光学信息记录介质1，评价信息层12的特性。
具体讲，首先作为基板11，准备形成了用于引导激光的导向槽(深20nm、道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm，厚度1100μm)。然后在该聚碳酸酯基板上顺次使用规定的组成的靶材通过溅射层合作为反射膜20的Ag-Pd-Cu膜(厚度：80nm)、作为金属膜19的Al膜(厚度：5nm)、作为反入射侧保护膜18的ZnS-SiO2膜(厚度：22nm、ZnS：80mol％、SiO2：20mol％)、作为反入射侧电介质膜17的SiO2-Cr2O3-ZrO2膜(厚度：5nm、SiO2：20mol％、Cr2O3：30mol％、ZrO2：50mol％)、作为记录膜16的Ge22Sb2Te25膜(厚度：10nm)、作为入射侧电介质膜15的SiO2-Cr2O3-ZrO2膜(厚度：5nm、SiO2：35mol％、Cr2O3：30mol％、ZrO2：35mol％)、作为入射侧保护膜14的ZnS-SiO2膜(厚度：60nm、ZnS：80mol％、SiO2：20mol％)。
再者，入射侧保护膜14和反入射侧保护膜18的膜厚，通过基于矩阵法的计算来严格地确定，使得在波长405nm时，记录膜16为结晶相时的反射光量比为非晶质相时的反射光量大，且记录膜16为结晶相时和为非晶质相时相比反射光量的变化更大，且记录膜16的光吸收变大。
其后，将紫外线固化型树脂涂敷在入射侧保护膜14上，接着使聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度90μm)附着在入射侧保护膜14上，旋涂后照射紫外线，使树脂固化，由此形成了透明层13。最后，进行使记录膜16的整个面结晶化的初始化工序。
象以上那样制造了实施例14的光学信息记录介质。
关于本实施例的光学信息记录介质，采用与实施例1-13的光学信息记录介质的场合相同的方法，评价附着性和反复改写性能。其结果，在两电介质膜15、17与记录膜16之间未发生剥离，并得到了10000次以上的反复改写次数。另外，第1次的跳动值也得到了9％这一良好的值。
(实施例15)
作为实施例15的光学信息记录介质，制作了图3所示的光学信息记录介质3，评价了第1信息层321和第2信息层322各自的特性。
首先在基板31上形成了第2信息层322。具体讲，首先，作为基板31，准备形成了用于引导激光的导向槽(深20nm、道间距0.32μm)的聚碳酸酯基板(直径120mm，厚度1100μm)。然后在该聚碳酸酯基板上通过溅射顺次层合作为反射膜41的Ag-Pd-Cu膜(厚度：80nm)、作为金属膜40的Al膜(厚度：5nm)、作为反入射侧保护膜39的ZnS-SiO2膜(厚度：22nm、ZnS：80mol％、SiO2：20mol％)、作为反入射侧电介质膜38的SiO2-Cr2O3-ZrO2膜(厚度：5nm、SiO2：20mol％、Cr2O3：30mol％、ZrO2：50mol％)、作为记录膜37的Ge22Sb2Te25膜(厚度：10nm)、作为入射侧电介质膜26的SiO2-Cr2O3-ZrO2膜(厚度：5nm、SiO2：35mol％、Cr2O3：30mol％、ZrO2：35mol％)、作为入射侧保护膜25的ZnS-SiO2膜(厚度：60nm、ZnS：80mol％、SiO2：20mol％)。
再者，入射侧保护膜35和反入射侧保护膜39的膜厚，通过基于矩阵法的计算来严格地确定，使得在波长405nm时，记录膜37为结晶相时的反射光量比为非晶质相时的反射光量大，且记录膜37为结晶相时和为非晶质相时相比反射光量的变化更大，且记录膜37的光吸收变大。
其次，在入射侧保护膜35上涂敷紫外线固化型树脂，在其上配置形成了导向槽(深20nm、道间距0.32μm)的复制用基板，旋涂，使树脂固化后，剥离复制用基板。通过该工序形成了在表面(用后面的工序形成的第1信息层321一侧的面)形成了引导激光的导向槽的光学分离层34。接着，进行使记录膜37的整个面结晶化的初始化工序。
其次，在光学分离层34的上面形成了第1信息层321。具体讲，在光学分离层34上，通过溅射顺次层合了作为透射率调整膜30的TiO2膜(厚度：20nm)、作为反射膜29的Ag-Pd-Cu膜(厚度：10nm)、作为反入射侧电介质膜28的SiO2-Cr2O3-ZrO2膜(厚度：10nm、SiO2：20mol％、Cr2O3：30mol％、ZrO2：50mol％)、作为记录膜27的Ge22Sb2Te25膜(厚度：6nm)、作为入射侧电介质膜26的SiO2-Cr2O3-ZrO2膜(厚度：5nm、SiO2：35mol％、Cr2O3：30mol％、ZrO2：35mol％)、作为入射侧保护膜25的ZnS-SiO2膜(厚度：45nm、ZnS：80mol％、SiO2：20mol％)。
其后，将紫外线固化型树脂涂敷在入射侧保护膜25上，接着使聚碳酸酯基板(直径120mm、厚度90μm)附着在入射侧保护膜25上，旋涂后照射紫外线，使树脂固化，由此形成了透明层33。最后，进行使记录膜27的整个面结晶化的初始化工序，
象以上那样制造了实施例15的光学信息记录介质。
关于本实施例的光学信息记录介质，采用与实施例1-13的光学信息记录介质的场合相同的方法，评价附着性和反复改写性能。其结果，第1信息层321和第2信息层322都在入射侧电介质膜以及反入射侧电介质膜与记录膜16之间未发生剥离，得到了10000次以上的反复改写次数。另外，第1次的跳动值，第1信息层321和第2信息层322也都得到了10％以下的良好的值。
再者，在实施例1-15中，作为入射侧电介质膜和反入射侧电介质膜所含的化合物(M1)O2使用了ZrO2，但使用HfO2的场合以及使用了含有ZrO2和HfO2各一半的混合物的场合也得到同样的结果。
再者，在以上说明的实施形态和实施例中，只对分别与记录膜接触地设入射侧电介质膜和反入射侧电介质膜的光学信息记录介质进行了阐述，但在入射侧电介质膜和记录膜之间、反入射侧电介质膜和记录膜之间，有时也设其他的薄膜。
如以上那样，采用本发明的光学信息记录介质，记录膜和配置在记录膜两侧的电介质膜的附着性提高，所以能实现可靠性高、能长期保存记录的信息的光学信息记录介质。
在发明的详细说明项中阐述的具体的实施形态或实施例，是彻底地明确本发明的技术内容的，并不应该只限定于那些具体例来狭义地解释，在本发明的精神和后面所述的请求保护的范围内能够进行种种变更来实施。
Claims (30)
1.一种光学信息记录介质，是包含基板和信息层的光学信息记录介质，其特征为，前述信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。
2.权利要求1所述的光学信息记录介质，其中，将前述第1电介质膜所含的M1、Cr和O表记为组成式CrA1(M1)B1O(100-A1-B1)的场合，前述A1和B1为6＜A1＜29、9＜B1＜29；将前述第2电介质膜所含的M1、Cr和O表记为组成式CrA2(M1)B2O(100-A2-B2)的场合，前述A2和B2为11＜A1＜32、6＜B1＜24。
3.权利要求1所述的光学信息记录介质，其中，前述第1电介质膜含有由Cr2O3和(M1)O2构成的第1混合物，在前述第1混合物中，Cr2O3为10mol％以上60mol％以下；前述第2电介质膜含有由Cr2O3和(M1)O2构成的第2混合物，在前述第2混合物中，Cr2O3为20mol％以上80mol％以下，并且，前述第2混合物的Cr2O3浓度(mol％)比前述第1混合物的Cr2O3浓度(mol％)大。
4.权利要求1所述的光学信息记录介质，其中，前述第1电介质膜的Cr原子浓度和前述第2电介质膜的Cr原子浓度之差在3at％以上、15at％以下。
5.一种光学信息记录介质，是包含基板和信息层的光学信息记录介质，其特征为，前述信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr、Si和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr、Si和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原于浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Si原子浓度比前述第1电介质膜的Si原子浓度小。
6.权利要求5所述的光学信息记录介质，其中，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。
7.权利要求5所述的光学信息记录介质，其中，将前述第1电介质膜所含的M1、Cr、Si和O表记为组成式SiC3CrA3M1B3O(100-A3-B3-C3)的场合，前述A3、B3和C3为6＜A3＜32、1＜B3、1＜C3＜13；将前述第2电介质膜所含的M1、Cr、Si和O表记为组成式SiC4CrA4M1B4O(100-A4-B4-C4)的场合，前述A4、B4和C4为11＜A4＜35、1＜B4、0＜C4＜11。
8.权利要求7所述的光学信息记录介质，其中，前述A3和A4为A3＜A4。
9.权利要求5所述的光学信息记录介质，其中，前述第1电介质膜含有由SiO2、Cr2O3和(M1)O2构成的第1混合物，在前述第1混合物中，SiO2为5mol％以上40mol％以下，Cr2O3为10mol％以上70mol％以下，SiO2+Cr2O3为15mol％以上95mol％以下，前述第2电介质膜含有由SiO2、Cr2O3和(M1)O2构成的第2混合物，在前述第2混合物中，SiO2为35mol％以下，Cr2O3为20mol％以上80mol％以下，SiO2+Cr2O3为超过20mol％但在95mol％以下，并且，前述第2电介质膜的SiO2浓度(mol％)比前述第1电介质膜的SiO2浓度(mol％)小。
10.权利要求9所述的光学信息记录介质，其中，前述第2混合物的Cr2O3浓度(mol％)比前述第1混合物的Cr2O3浓度(mol％)大。
11.权利要求5所述的光学信息记录介质，其中，前述第1电介质膜的Si原子浓度和前述第2电介质膜的Si原子浓度之差在1at％以上10at％以下。
12.权利要求1或者5所述的光学信息记录介质，其中，前述信息层设了多个。
13.权利要求1或者5所述的光学信息记录介质，其中，前述记录膜含有从Sb和Bi中选择的至少1种元素(M2)、Ge和Te，将前述的M2、Ge和Te表记为组成式Gea(M2)bTe3-a的场合，0＜a≤60、1.5≤b≤7。
14.权利要求13所述的光学信息记录介质，其中，在前述Gea(M2)bTe3+a中，前述Ge的至少一部分用从Sn和Pb中选择的至少一种元素(M3)置换。
15.权利要求1或者5所述的光学信息记录介质，其中，前述记录膜含有从Sb和Bi中选择的至少1种元素(M2)、从Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Se、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Os、Ir、Pt、Gd、Td、Dy和Au中选择的至少一种元素(M4)以及Ge和Te，将前述的M2、M4、Ce和Te表记为组成式(Gea(M2)bTe3+a)100-c(M4)c的场合，0＜a≤60、1.5≤b≤7、0＜c≤20。
16.权利要求1或者5所述的光学信息记录介质，其中，前述记录膜含有Sb、Te以及从Ag、In、Ge、Sn、Se、Bi、Au和Mn中选择的至少一种元素(M5)，将前述Sb、Te和M5用组成式(SbdTe100-d)100-e(M5)e标记的场合，50≤d≤95、0＜e≤20。
17.权利要求1或者5所述的光学信息记录介质，其中，前述信息层还进一步含有与前述第1电介质膜接触地设置在前述第1电介质膜的激光入射侧的保护膜，前述保护膜含有从TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、C-N、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N、ZnS以及SiC中选择的至少一种。
18.权利要求1或者5所述的光学信息记录介质，其中，前述信息层还进一步含有设置在前述第2电介质膜的与激光入射侧相反一侧的反射膜，前述反射膜含有从Ag、Au、Cu以及Al中选择的至少一种元素。
19.权利要求18所述的光学信息记录介质，其中，前述信息层还进一步含有与前述反射膜接触地设置在前述反射膜的与激光入射侧相反一侧的透射率调整膜，前述透射率调整膜含有从TiO2、ZrO2、HfO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、SiO2、Al2O3、Bi2O3、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、Ge-Cr-N、以及ZnS中选择的至少一种。
20.权利要求1或者5所述的光学信息记录介质，是从激光入射侧按顺序层合了第1信息层-第n信息层(n为2以上的自然数)的多层构造的光学信息记录介质，前述第1信息层-第n信息层的至少一个是前述信息层。
21.权利要求20所述的光学信息记录介质，其中，前述第1信息层是前述信息层。
22.权利要求1所述的光学信息记录介质，其中，前述第1电介质膜还进一步含有Si。
23.一种光学信息记录介质的制造方法，是制造权利要求1所述的光学信息记录介质的方法，其特征为，包括：使用至少含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1溅射靶，通过溅射形成第1电介质膜的工序；形成通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜的工序；使用至少含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2溅射靶，通过溅射形成第2电介质膜的工序，前述第2溅射靶的Cr原子浓度比前述第1溅射靶的Cr原子浓度大。
24.权利要求23所述的光学信息记录介质的制造方法，其中，将前述第1溅射靶所含的M1、Cr、和O表记为组成式CrD1MlE1O100-D1-E1的场合，前述D1和E1为3＜D1＜29、9＜E1＜31，将前述第2溅射靶所含的M1、Cr、和O表记为组成式CrD2M1E2O100-D2-E2的场合，前述D2和E2为9＜D2＜32、6＜E2＜26。
25.权利要求23所述的光学信息记录介质的制造方法，其中，前述第1溅射靶含有由Cr2O3和(M1)O2构成的第1混合物，在前述第1混合物中，Cr2O3为5mol％以上60mol％以下；前述第2溅射靶含有由Cr2O3和(M1)O2构成的第2混合物，在前述第2混合物中，Cr2O3为15mol％以上80mol％以下，并且，前述第2混合物的Cr2O3浓度(mol％)比前述第1混合物的Cr2O3浓度(mol％)大。
26.一种光学信息记录介质的制造方法，是制造权利要求5所述的光学信息记录介质的方法，其特征为，包括：使用至少含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Si、Cr和O的第1溅射靶，通过溅射形成第1电介质膜的工序；形成通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜的工序；使用至少含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Si、Cr和O的第2溅射靶，通过溅射形成第2电介质膜的工序，前述第2溅射靶的Si原子浓度比前述第1溅射靶的Si原子浓度小。
27.权利要求26所述的光学信息记录介质的制造方法，其中，前述第2溅射靶的Cr原子浓度比前述第1溅射靶的Cr原子浓度大。
28.权利要求26所述的光学信息记录介质的制造方法，其中，将前述第1溅射靶所含的M1、Si、Cr、和O表记为组成式SiF3CrD3M1E3O100-D3-E3-F3的场合，前述D3、E3和F3为3＜D3＜32、1＜E3、1＜F3＜13；将前述第2溅射靶所含的M1、Si、Cr、和O表记为组成式SiF4CrD4M1E4O100-D4-E4-F4的场合，前述D4、E4和F4为9＜D4＜35、1＜E4、0＜F4＜11。
29.权利要求26所述的光学信息记录介质的制造方法，其中，前述第1溅射靶含有由SiO2、Cr2O3和(M1)O2构成的第1混合物，在前述第1混合物中，SiO2为5mol％以上40mol％以下，Cr2O3为5mol％以上70mol％以下，SiO2+Cr2O3为10mol％以上95mol％以下；前述第2溅射靶含有由SiO2、Cr2O3和(M1)O2构成的第2混合物，在前述第2混合物中，SiO2为35mol％以下，Cr2O3为15mol％以上80mol％以下，SiO2+Cr2O3为超过10mol％但在95mol％以下，并且，前述第2混合物的SiO2浓度(mol％)比前述第1混合物的SiO2浓度(mol％)小。
30.一种光学信息记录介质的制造方法，是包含多个信息层的多层构造的光学信息记录介质的制造方法，前述多个信息层的至少一个采用权利要求23或者26所述的方法形成。
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