JPH10261242A - 光ディスク - Google Patents
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- JPH10261242A JPH10261242A JP9063628A JP6362897A JPH10261242A JP H10261242 A JPH10261242 A JP H10261242A JP 9063628 A JP9063628 A JP 9063628A JP 6362897 A JP6362897 A JP 6362897A JP H10261242 A JPH10261242 A JP H10261242A
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
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- G11B7/24076—Cross sectional shape in the radial direction of a disc, e.g. asymmetrical cross sectional shape
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/1055—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers
- G11B11/10576—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers with provision for moving the transducers for maintaining alignment or spacing relative to the carrier
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
- G11B7/00718—Groove and land recording, i.e. user data recorded both in the grooves and on the lands
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24073—Tracks
- G11B7/24079—Width or depth
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0938—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following servo format, e.g. guide tracks, pilot signals
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ランド／グルーブ方式の光ディスクにおい
て、ランドとグルーブとにおける光学的特性が等価にさ
れ、ランド／グルーブ記録に最適な光ディスクを提供す
る。 【解決手段】 基板２上に形成されたグルーブの幅が、
基板２上に形成されたランドの幅よりも広くされてい
る。基板２に形成されたグルーブの平均幅Ｗｇが、下記
の式（１）で示す範囲内とされている。 ０．４６Ｔｐ＋２Δ≦Ｗｇ≦０．５４Ｔｐ＋２Δ・・・
（１） ただしΔ＝（Ｔｇ−Ｔｏ）／ｔａｎθ Ｔｇは、基板２に形成されたグルーブの傾斜部上に形成
された記録層３の膜厚、Ｔｏは、基板２に形成されたグ
ルーブの平坦部上に形成された記録層３の膜厚、θは、
基板２に形成されたグルーブの傾斜部と平坦部との成す
角度、Ｔｐは、基板２に形成されたグルーブの平均幅Ｗ
ｇとランドの平均幅Ｗｌとの和である。
て、ランドとグルーブとにおける光学的特性が等価にさ
れ、ランド／グルーブ記録に最適な光ディスクを提供す
る。 【解決手段】 基板２上に形成されたグルーブの幅が、
基板２上に形成されたランドの幅よりも広くされてい
る。基板２に形成されたグルーブの平均幅Ｗｇが、下記
の式（１）で示す範囲内とされている。 ０．４６Ｔｐ＋２Δ≦Ｗｇ≦０．５４Ｔｐ＋２Δ・・・
（１） ただしΔ＝（Ｔｇ−Ｔｏ）／ｔａｎθ Ｔｇは、基板２に形成されたグルーブの傾斜部上に形成
された記録層３の膜厚、Ｔｏは、基板２に形成されたグ
ルーブの平坦部上に形成された記録層３の膜厚、θは、
基板２に形成されたグルーブの傾斜部と平坦部との成す
角度、Ｔｐは、基板２に形成されたグルーブの平均幅Ｗ
ｇとランドの平均幅Ｗｌとの和である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクに関
し、詳しくは、ランドが形成された部分と、グルーブが
形成された部分との両方に情報信号の記録がなされる光
ディスクに関する。
し、詳しくは、ランドが形成された部分と、グルーブが
形成された部分との両方に情報信号の記録がなされる光
ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】情報記録の分野においては、光学式情報
記録方式に関する研究が、各所で進められている。この
光学式情報記録方式は、非接触で記録・再生が行えるこ
と、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記録密度が達
成できること、再生専用型、追記型、書換可能型の各メ
モリー形態に対応できる等の数々の利点を有し、安価な
大容量ファイルの実現を可能とする方式として産業用か
ら民生用まで幅広く実用化されている。
記録方式に関する研究が、各所で進められている。この
光学式情報記録方式は、非接触で記録・再生が行えるこ
と、磁気記録方式に比べて一桁以上も高い記録密度が達
成できること、再生専用型、追記型、書換可能型の各メ
モリー形態に対応できる等の数々の利点を有し、安価な
大容量ファイルの実現を可能とする方式として産業用か
ら民生用まで幅広く実用化されている。
【０００３】上記再生専用型の記録媒体としては、音楽
情報が記録されたデジタルオーディオディスクや画像情
報が記録された光学式ビデオディスク等が普及してい
る。また、上記書換可能型の記録媒体としては、光磁気
ディスクや相変化型光ディスク等が普及している。
情報が記録されたデジタルオーディオディスクや画像情
報が記録された光学式ビデオディスク等が普及してい
る。また、上記書換可能型の記録媒体としては、光磁気
ディスクや相変化型光ディスク等が普及している。
【０００４】これら光ディスクの高密度化のためには、
様々な方法が提案されている。その方法の一つとして、
ランドが形成された部分とグルーブが形成された部分と
の両方に情報を記録することによって高密度化を実現す
るアプローチがある。
様々な方法が提案されている。その方法の一つとして、
ランドが形成された部分とグルーブが形成された部分と
の両方に情報を記録することによって高密度化を実現す
るアプローチがある。
【０００５】通常、光ディスク基板には、螺旋状あるい
は同心円状の連続溝として形成された溝状のグルーブ
と、グルーブ同士の間の丘に対応する丘状のランドとが
形成されている。そして、従来、この光ディスクへの情
報信号の記録は、このランドが形成された部分とグルー
ブが形成された部分とのいずれか一方のみを記録トラッ
クとなされてきた。ランドが形成された部分とグルーブ
が形成された部分との両方に記録を行わないのは、情報
の再生に際して隣接トラックの信号を読んでしまう、ク
ロストークの発生を防ぐためである。
は同心円状の連続溝として形成された溝状のグルーブ
と、グルーブ同士の間の丘に対応する丘状のランドとが
形成されている。そして、従来、この光ディスクへの情
報信号の記録は、このランドが形成された部分とグルー
ブが形成された部分とのいずれか一方のみを記録トラッ
クとなされてきた。ランドが形成された部分とグルーブ
が形成された部分との両方に記録を行わないのは、情報
の再生に際して隣接トラックの信号を読んでしまう、ク
ロストークの発生を防ぐためである。
【０００６】しかしながら、記録密度の向上という観点
から、ランドが形成された部分とグルーブが形成された
部分との両方に情報信号を記録する方法が、はるかに有
利である。そこで、グルーブの深さＧｄをλ／６ｎ（但
しλは情報再生のレーザー波長、ｎは基板の屈折率であ
る）近傍に設定し、ランドとグルーブとの両方を記録ト
ラックとした光ディスクが、特開平５−２８２７０５号
公報に提案されている。以後、この方式をランド／グル
ーブ方式と記述する。グルーブの深さＧｄを上記条件を
満たすように設定した光ディスクでは、例えば、グルー
ブを再生しているときにそれと隣接するランドにレーザ
ー光が照射されても、ランドからのクロストークは極め
て小さい値に抑制される。このことは、グルーブとラン
ドとの関係を逆にした場合でも同様である。
から、ランドが形成された部分とグルーブが形成された
部分との両方に情報信号を記録する方法が、はるかに有
利である。そこで、グルーブの深さＧｄをλ／６ｎ（但
しλは情報再生のレーザー波長、ｎは基板の屈折率であ
る）近傍に設定し、ランドとグルーブとの両方を記録ト
ラックとした光ディスクが、特開平５−２８２７０５号
公報に提案されている。以後、この方式をランド／グル
ーブ方式と記述する。グルーブの深さＧｄを上記条件を
満たすように設定した光ディスクでは、例えば、グルー
ブを再生しているときにそれと隣接するランドにレーザ
ー光が照射されても、ランドからのクロストークは極め
て小さい値に抑制される。このことは、グルーブとラン
ドとの関係を逆にした場合でも同様である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のランド／グルー
ブ方式の光ディスクは、基板上にグルーブとランドとを
それぞれの幅が略同一になるように形成し、そのグルー
ブ及びランド上に記録層が形成されていた。
ブ方式の光ディスクは、基板上にグルーブとランドとを
それぞれの幅が略同一になるように形成し、そのグルー
ブ及びランド上に記録層が形成されていた。
【０００８】しかしながら、このランド／グルーブ方式
の光ディスクでは、記録層上に形成されたランドとグル
ーブとにおける光学的特性等が異なってしまい、ランド
／グルーブ記録が良好に行えなかったという問題があっ
た。
の光ディスクでは、記録層上に形成されたランドとグル
ーブとにおける光学的特性等が異なってしまい、ランド
／グルーブ記録が良好に行えなかったという問題があっ
た。
【０００９】そこで、本発明は、従来の実情に鑑みて提
案されたものであり、ランド／グルーブ方式の光ディス
クにおいて、ランドとグルーブとにおける光学的特性等
が等価にされ、ランド／グル−ブ記録に適した光ディス
クを提供することを目的とする。
案されたものであり、ランド／グルーブ方式の光ディス
クにおいて、ランドとグルーブとにおける光学的特性等
が等価にされ、ランド／グル−ブ記録に適した光ディス
クを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明者は、ランド／グルーブ記録に適した光デ
ィスクについて、鋭意研究を重ねた結果、上述した従来
のランド／グルーブ方式の光ディスクの問題点であっ
た、記録層上に形成されたランドとグルーブとにおける
光学的特性等が異なってしまう原因を見いだし、本発明
を完成するに至った。
めに、本発明者は、ランド／グルーブ記録に適した光デ
ィスクについて、鋭意研究を重ねた結果、上述した従来
のランド／グルーブ方式の光ディスクの問題点であっ
た、記録層上に形成されたランドとグルーブとにおける
光学的特性等が異なってしまう原因を見いだし、本発明
を完成するに至った。
【００１１】ところで、ランド／グルーブ方式の光ディ
スクにおいては、ポリカーボネイト等を用いた透明基板
にランドとグルーブとをそれぞれの幅が等しくなるよう
に形成し、その基板上に記録層が形成されている。信号
の記録再生は、基板上の記録層が形成されていない側の
面からレーザー光を入射させて行われる。このとき、レ
ーザー光は、この記録層上に形成されたランドとグルー
ブとの形状に依存して散乱回折される。
スクにおいては、ポリカーボネイト等を用いた透明基板
にランドとグルーブとをそれぞれの幅が等しくなるよう
に形成し、その基板上に記録層が形成されている。信号
の記録再生は、基板上の記録層が形成されていない側の
面からレーザー光を入射させて行われる。このとき、レ
ーザー光は、この記録層上に形成されたランドとグルー
ブとの形状に依存して散乱回折される。
【００１２】従来のランド／グルーブ方式の光ディスク
は、図１に示すように、基板に形成されたグルーブの傾
斜部上に形成された記録層の膜厚がややうすくなり、上
記基板に形成されたグルーブが記録層によって多少埋ま
ってしまい、その結果、成膜後に記録層上に形成された
グルーブの幅が、上記ランドの幅よりも小さくなってし
まう。このため、基板にランドとグルーブとをそれぞれ
の幅がほぼ等しくなるように形成しても、記録層上に形
成されたグルーブの幅とランドの幅とが異なってしま
い、記録層上に形成されたランドとグルーブとの光学的
特性等を等価とすることができなかったと判明した。
は、図１に示すように、基板に形成されたグルーブの傾
斜部上に形成された記録層の膜厚がややうすくなり、上
記基板に形成されたグルーブが記録層によって多少埋ま
ってしまい、その結果、成膜後に記録層上に形成された
グルーブの幅が、上記ランドの幅よりも小さくなってし
まう。このため、基板にランドとグルーブとをそれぞれ
の幅がほぼ等しくなるように形成しても、記録層上に形
成されたグルーブの幅とランドの幅とが異なってしま
い、記録層上に形成されたランドとグルーブとの光学的
特性等を等価とすることができなかったと判明した。
【００１３】したがって、ランド／グルーブ方式の光デ
ィスクでは、ランドとグルーブとの光学的特性等を等価
とするために、記録層上に形成されるランドの幅とグル
ーブの幅とが略同一とされる必要がある。
ィスクでは、ランドとグルーブとの光学的特性等を等価
とするために、記録層上に形成されるランドの幅とグル
ーブの幅とが略同一とされる必要がある。
【００１４】そこで、本発明は、溝状のグルーブと、丘
状のランドとが形成されてなる基板を有し、ランドが形
成された部分と、グルーブが形成された部分との両方に
情報信号の記録がなされる光ディスクにおいて、上記基
板に形成されたグルーブの幅が、上記基板に形成された
ランドの幅よりも広くされ、上記基板上に、情報信号が
記録される記録層が少なくとも形成されていることを特
徴とする。
状のランドとが形成されてなる基板を有し、ランドが形
成された部分と、グルーブが形成された部分との両方に
情報信号の記録がなされる光ディスクにおいて、上記基
板に形成されたグルーブの幅が、上記基板に形成された
ランドの幅よりも広くされ、上記基板上に、情報信号が
記録される記録層が少なくとも形成されていることを特
徴とする。
【００１５】さらに、本発明者は、基板と反射膜面での
形状の対応を示す模式図を用いて最適な基板形状を決定
する近似式を導出し、様々な光ディスクを調べることに
より、この近似式を検証し、決定するに至った。
形状の対応を示す模式図を用いて最適な基板形状を決定
する近似式を導出し、様々な光ディスクを調べることに
より、この近似式を検証し、決定するに至った。
【００１６】まず、上述した近似式を導出するための模
式図として、図１に示すような基板表面上に記録層が形
成されている光ディスクを用いる。
式図として、図１に示すような基板表面上に記録層が形
成されている光ディスクを用いる。
【００１７】ここで、Ｗｇは、基板に形成されたグルー
ブの平均幅、Ｗｌは、基板に形成されたランドの平均
幅、Ｔｇは、基板に形成されたグルーブの傾斜部上に形
成された記録層の膜厚、Ｔｏは、基板に形成されたグル
ーブの平坦部上に形成された記録層の膜厚、θは、基板
に形成されたグルーブの傾斜部と平坦部との成す角度、
Ｔｐは、基板に形成されたグルーブの平均幅Ｗｇとラン
ドの平均幅Ｗｌとの和とする。図１に示すように、成膜
後の記録層上に形成されたグルーブの平均幅は、基板に
形成されたグルーブの平均幅Ｗｇよりも２Δだけ狭くな
り、その分成膜後の記録層上に形成されたランドの平均
幅が広くなることになる。
ブの平均幅、Ｗｌは、基板に形成されたランドの平均
幅、Ｔｇは、基板に形成されたグルーブの傾斜部上に形
成された記録層の膜厚、Ｔｏは、基板に形成されたグル
ーブの平坦部上に形成された記録層の膜厚、θは、基板
に形成されたグルーブの傾斜部と平坦部との成す角度、
Ｔｐは、基板に形成されたグルーブの平均幅Ｗｇとラン
ドの平均幅Ｗｌとの和とする。図１に示すように、成膜
後の記録層上に形成されたグルーブの平均幅は、基板に
形成されたグルーブの平均幅Ｗｇよりも２Δだけ狭くな
り、その分成膜後の記録層上に形成されたランドの平均
幅が広くなることになる。
【００１８】ランド／グルーブ方式では、成膜後の記録
層上に形成されたグルーブの平均幅が、そのランドの平
均幅と略同一になることが必要とされているから、次の
関係式を満たす必要がある。
層上に形成されたグルーブの平均幅が、そのランドの平
均幅と略同一になることが必要とされているから、次の
関係式を満たす必要がある。
【００１９】 Ｗｇ−２Δ＝Ｗｌ＋２Δ ・・・（２） トラックピッチをＴｐとすると、Ｔｐ＝Ｗｇ＋Ｗｌであ
ることから、（２）に代入して次式が導かれる。
ることから、（２）に代入して次式が導かれる。
【００２０】 Ｗｇ＝０．５Ｔｐ＋２Δ ・・・（３） 基板に形成されたグルーブの傾斜部と平坦部との成す角
をθとすると、Δは次式で表される。
をθとすると、Δは次式で表される。
【００２１】 Δ＝（Ｔｇ−Ｔｏ）／ｔａｎθ ・・・（４） 以上により、θとＴｇがわかれば、設計目標とするＷｇ
の値を知ることができる。
の値を知ることができる。
【００２２】θの値は、基板に形成されたグルーブの傾
斜部の幅をＧｅ、基板に形成されたグルーブの深さをＧ
ｄで表すなら、次式で定義できる。
斜部の幅をＧｅ、基板に形成されたグルーブの深さをＧ
ｄで表すなら、次式で定義できる。
【００２３】 θ＝ｔａｎ-1（Ｇｄ／Ｇｅ） ・・・（５） ＧｅとＧｄは、例えば、ＡＦＭの写真から容易に求める
ことができる。また、Ｔｇは、断層写真を撮って測定す
ることができる。以上のように、ランド／グルーブ方式
に最適な基板を設計するための式（３）を導出すること
ができた。
ことができる。また、Ｔｇは、断層写真を撮って測定す
ることができる。以上のように、ランド／グルーブ方式
に最適な基板を設計するための式（３）を導出すること
ができた。
【００２４】記録再生用光ディスク媒体の記録層におい
て、最も厚く成膜されるのは、誘電体膜である。誘電体
膜は、一般にＲＦスパッタで成膜される。このとき、例
えばある位置に成膜される分子は、その周り四方八方か
ら飛んでくることになる。平坦な面にＲＦスパッタによ
り成膜されるときのモデルを図２に示す。平坦な面上の
ある位置に、半球状のエリアから飛んできた分子が積層
され、その結果Ｔｏの膜厚となる。
て、最も厚く成膜されるのは、誘電体膜である。誘電体
膜は、一般にＲＦスパッタで成膜される。このとき、例
えばある位置に成膜される分子は、その周り四方八方か
ら飛んでくることになる。平坦な面にＲＦスパッタによ
り成膜されるときのモデルを図２に示す。平坦な面上の
ある位置に、半球状のエリアから飛んできた分子が積層
され、その結果Ｔｏの膜厚となる。
【００２５】一方、傾斜面にＲＦスパッタにより成膜さ
れるときのモデルを図３に示す。図３に示すように、図
中左方の傾斜角θに相当する分の体積が、その位置の成
膜に寄与しないことになる。また、逆に図中右下から回
り込んでくる分子も存在する。しかし、回り込む分子の
量は、遮られた分子の量よりも少ない。その結果、基板
のグルーブ傾斜部に対して鉛直方向の記録層の膜厚Ｔｅ
は、Ｔｏよりも薄くなると解釈できる。その回り込む量
を考慮し定数αを導入すると、Ｔｅは、次式で近似的に
表すことができる。但し、式中θの単位は、ｒａｄｉａ
ｎである。
れるときのモデルを図３に示す。図３に示すように、図
中左方の傾斜角θに相当する分の体積が、その位置の成
膜に寄与しないことになる。また、逆に図中右下から回
り込んでくる分子も存在する。しかし、回り込む分子の
量は、遮られた分子の量よりも少ない。その結果、基板
のグルーブ傾斜部に対して鉛直方向の記録層の膜厚Ｔｅ
は、Ｔｏよりも薄くなると解釈できる。その回り込む量
を考慮し定数αを導入すると、Ｔｅは、次式で近似的に
表すことができる。但し、式中θの単位は、ｒａｄｉａ
ｎである。
【００２６】 Ｔｅ＝（π−αθ）Ｔｏ／π ・・・（６） αは、０≦α≦１の範囲の成膜機に依存する定数であ
る。繰り返し成膜基板の断層写真を撮り、この係数を確
定しておけば、以後その値を利用することができる。実
験に用いた成膜機においては、この値は０．６６であっ
た。
る。繰り返し成膜基板の断層写真を撮り、この係数を確
定しておけば、以後その値を利用することができる。実
験に用いた成膜機においては、この値は０．６６であっ
た。
【００２７】さらに、図１から次式が導かれる。
【００２８】 Ｔｇ＝Ｔｅ／ｃｏｓθ ・・・（７） 上述のように、断層写真により予め係数αを確定してお
けば、式（６）、式（７）により近似的にＴｇを算出す
ることができる。
けば、式（６）、式（７）により近似的にＴｇを算出す
ることができる。
【００２９】また、一般に、光ディスクの規格では、デ
ィスク全面の反射率変動について基準値から±１２％程
度の変動を許容している。ランド／グル−ブ方式では、
記録層上に形成されたランド又はグルーブの一方の幅が
広がれば、他方が狭まり、反射率が変動する。そのた
め、光ディスク全面の反射率の許容範囲に対応して、グ
ルーブ及びランド幅の変動についても、許容範囲がある
と考えられ、この許容範囲を特定する必要がある。
ィスク全面の反射率変動について基準値から±１２％程
度の変動を許容している。ランド／グル−ブ方式では、
記録層上に形成されたランド又はグルーブの一方の幅が
広がれば、他方が狭まり、反射率が変動する。そのた
め、光ディスク全面の反射率の許容範囲に対応して、グ
ルーブ及びランド幅の変動についても、許容範囲がある
と考えられ、この許容範囲を特定する必要がある。
【００３０】そこで、矩形溝の場合の記録層上に形成さ
れたグルーブの幅の変動とランド及びグル−ブの反射率
との関係について数値実験をし、この結果を図４に示
す。数値実験には、フ−リエ解析を用いた。
れたグルーブの幅の変動とランド及びグル−ブの反射率
との関係について数値実験をし、この結果を図４に示
す。数値実験には、フ−リエ解析を用いた。
【００３１】ここで、縦軸は、記録層上に形成されたラ
ンドとグルーブとの幅が等しい時の反射率を１として規
格化した反射率をとった。また、横軸は、上記ランドと
グルーブとの幅が等しい時の、記録層上に形成されたグ
ルーブの幅を０とし、その幅からのグルーブの変動量を
トラックピッチに対して規格した値をとった。
ンドとグルーブとの幅が等しい時の反射率を１として規
格化した反射率をとった。また、横軸は、上記ランドと
グルーブとの幅が等しい時の、記録層上に形成されたグ
ルーブの幅を０とし、その幅からのグルーブの変動量を
トラックピッチに対して規格した値をとった。
【００３２】図４に示すように、基板に形成されたグル
ーブの幅が変動すると、記録層上に形成されたグルーブ
及びランドの反射率も比例して変動するといえる。Ｔｐ
１．４μｍ・λ６８０ｎｍ、Ｔｐ１．６μｍ・λ６８０
ｎｍ、Ｔｐ１．６μｍ・λ７８０ｎｍ（いずれもＡ／Ｗ
＝（１．１））の３パターンを調べたが、傾向はほぼ一
致しているといえた。
ーブの幅が変動すると、記録層上に形成されたグルーブ
及びランドの反射率も比例して変動するといえる。Ｔｐ
１．４μｍ・λ６８０ｎｍ、Ｔｐ１．６μｍ・λ６８０
ｎｍ、Ｔｐ１．６μｍ・λ７８０ｎｍ（いずれもＡ／Ｗ
＝（１．１））の３パターンを調べたが、傾向はほぼ一
致しているといえた。
【００３３】さらに、反射率の変動の許容範囲を±１０
％までに制限すると、図４に示すように、グルーブの幅
の変動量は、トラックピッチに対して±４％程度が許容
範囲であるとわかった。よって、基板に形成されたグル
ーブの平均幅Ｗｇが、次式（１）で示した範囲であるこ
とが好ましいといえる。
％までに制限すると、図４に示すように、グルーブの幅
の変動量は、トラックピッチに対して±４％程度が許容
範囲であるとわかった。よって、基板に形成されたグル
ーブの平均幅Ｗｇが、次式（１）で示した範囲であるこ
とが好ましいといえる。
【００３４】 ０．４６ＴＰ＋２Δ≦Ｗg≦０．５４ＴＰ＋２Δ ・・・（１） ただし Δ＝（Ｔｇ−Ｔｏ）／ｔａｎθ なお、上記の式（３）の検証については、後述する。
【００３５】以上のように構成された本発明に係る光デ
ィスクによれば、基板に形成されたグルーブの幅が、基
板に形成されたランドの幅よりも広くなるように設計さ
れることにより、基板に形成されたグルーブの一部が成
膜によって埋まり、記録層上に形成されたグルーブの幅
とランドの幅とを略同一とすることができ、ランドとグ
ルーブとにおける光学的特性等が等しくされてランド／
グルーブ方式に好適となる。
ィスクによれば、基板に形成されたグルーブの幅が、基
板に形成されたランドの幅よりも広くなるように設計さ
れることにより、基板に形成されたグルーブの一部が成
膜によって埋まり、記録層上に形成されたグルーブの幅
とランドの幅とを略同一とすることができ、ランドとグ
ルーブとにおける光学的特性等が等しくされてランド／
グルーブ方式に好適となる。
【００３６】さらに、上記基板に形成されたグルーブの
平均幅Ｗｇが、上記の（１）式を満たすように、上記基
板に形成されたランド幅よりも広くされることにより、
反射率の変動を許容範囲内に保持するとともに、記録層
上に形成されたグル−ブの幅とランドの幅とを略同一と
させることができ、ランドとグルーブとにおける光学的
特性等が等しいランド／グルーブ方式に好適な基板を、
効率的に設計することが可能となる。
平均幅Ｗｇが、上記の（１）式を満たすように、上記基
板に形成されたランド幅よりも広くされることにより、
反射率の変動を許容範囲内に保持するとともに、記録層
上に形成されたグル−ブの幅とランドの幅とを略同一と
させることができ、ランドとグルーブとにおける光学的
特性等が等しいランド／グルーブ方式に好適な基板を、
効率的に設計することが可能となる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態として
図面を参照しながら詳細に説明する。
図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３８】本発明を適用した光ディスク１は、図５に
示すように、基板２上に、記録層３、反射膜４、保護層
８がこの順で積層形成されてなる。
示すように、基板２上に、記録層３、反射膜４、保護層
８がこの順で積層形成されてなる。
【００３９】基板２は、図５に示すように、溝状で凹部
であるグルーブ２ａと、丘状で凸部であるランド２ｂと
を有する。本発明を適用した光ディスク１においては、
基板２に形成されたグルーブの平均幅Ｗｇが、基板２に
形成されたランドの平均幅Ｗｌよりも広くなされてい
る。さらに、基板２に形成されたグルーブの平均幅Ｗｇ
が、次式（１）を満たすことが好ましい。
であるグルーブ２ａと、丘状で凸部であるランド２ｂと
を有する。本発明を適用した光ディスク１においては、
基板２に形成されたグルーブの平均幅Ｗｇが、基板２に
形成されたランドの平均幅Ｗｌよりも広くなされてい
る。さらに、基板２に形成されたグルーブの平均幅Ｗｇ
が、次式（１）を満たすことが好ましい。
【００４０】 ０．４６ＴＰ＋２Δ≦Ｗg≦０．５４ＴＰ＋２Δ ・・・（１） ただし Δ＝（Ｔｇ−Ｔｏ）／ｔａｎθ 記録層３は、図５に示すように、第１の誘電体膜５、記
録膜６、第２の誘電体膜７がこの順で基板２を覆うよう
に積層形成されてなる。また、この記録層３に、情報信
号が記録される。記録層３には、基板２に形成されたグ
ルーブ２ａとランド２ｂとに対応するグルーブ３ａとラ
ンド３ｂとが反射膜４側に形成され、読み取り面を構成
する。本発明を適用した光ディスク１においては、成膜
後のこの記録層３に形成されたグルーブ３ａの平均幅Ｗ
Ｇとランド３ｂの平均幅ＷＬとが略同一になされてい
る。
録膜６、第２の誘電体膜７がこの順で基板２を覆うよう
に積層形成されてなる。また、この記録層３に、情報信
号が記録される。記録層３には、基板２に形成されたグ
ルーブ２ａとランド２ｂとに対応するグルーブ３ａとラ
ンド３ｂとが反射膜４側に形成され、読み取り面を構成
する。本発明を適用した光ディスク１においては、成膜
後のこの記録層３に形成されたグルーブ３ａの平均幅Ｗ
Ｇとランド３ｂの平均幅ＷＬとが略同一になされてい
る。
【００４１】ここで、図１に示すように、Ｗｇは、基板
２に形成されたグルーブ２ａの平均幅を示す。Ｔｇは、
基板２に形成されたグルーブ２ａの傾斜部上に形成され
た記録層３の膜厚を示す。Ｔｏは、基板２に形成された
グルーブ２ａの平坦部上に形成された記録層３の膜厚を
示す。Ｔｅは、基板２に形成されたグルーブ２ａの傾斜
部上に形成された記録層３の傾斜部に対する鉛直方向の
膜厚を示す。Ｇｄは、基板２に形成されたランド２ｂの
膜厚、言い変えるとグルーブ２ａの深さを示す。Ｇｅ
は、グル−ブ２ａの傾斜部の幅を示す。また、２Δは、
記録層３のグルーブ３ａの幅と、基板２に形成されたグ
ルーブ３ａの幅との差を示す。
２に形成されたグルーブ２ａの平均幅を示す。Ｔｇは、
基板２に形成されたグルーブ２ａの傾斜部上に形成され
た記録層３の膜厚を示す。Ｔｏは、基板２に形成された
グルーブ２ａの平坦部上に形成された記録層３の膜厚を
示す。Ｔｅは、基板２に形成されたグルーブ２ａの傾斜
部上に形成された記録層３の傾斜部に対する鉛直方向の
膜厚を示す。Ｇｄは、基板２に形成されたランド２ｂの
膜厚、言い変えるとグルーブ２ａの深さを示す。Ｇｅ
は、グル−ブ２ａの傾斜部の幅を示す。また、２Δは、
記録層３のグルーブ３ａの幅と、基板２に形成されたグ
ルーブ３ａの幅との差を示す。
【００４２】また、θは、基板２に形成されたグルーブ
２ａの傾斜部と平坦部との成す角度を示している。本発
明においては、このθが著しく大きい時に、その効果が
顕著に現れるため、特に４５°以上であると効果的であ
る。
２ａの傾斜部と平坦部との成す角度を示している。本発
明においては、このθが著しく大きい時に、その効果が
顕著に現れるため、特に４５°以上であると効果的であ
る。
【００４３】そこで、次式（３）を検証するため、基板
２に形成されたグルーブ２ａの深さＧｄを変化させて、
成膜後の反射膜４側の記録層３に形成されたグルーブ３
ｂの平均幅ＷＧとランド３ａの平均幅ＷＬとを略同一と
させて、この時の基板２に形成されたグルーブ２ａの平
均幅Ｗｇを測定した。上記の測定値と式（３）で算出し
た計算値とを図５に示す。
２に形成されたグルーブ２ａの深さＧｄを変化させて、
成膜後の反射膜４側の記録層３に形成されたグルーブ３
ｂの平均幅ＷＧとランド３ａの平均幅ＷＬとを略同一と
させて、この時の基板２に形成されたグルーブ２ａの平
均幅Ｗｇを測定した。上記の測定値と式（３）で算出し
た計算値とを図５に示す。
【００４４】この時、Ｔｐを０．８５μｍ、Ｇｅを０．
０７μｍ、Ｔｏを２００ｎｍに固定し、Ｇｄを変化させ
た。以下に、式（３）を用いた計算値の算出方法を示
す。
０７μｍ、Ｔｏを２００ｎｍに固定し、Ｇｄを変化させ
た。以下に、式（３）を用いた計算値の算出方法を示
す。
【００４５】 Ｗｇ＝０．５Ｔｐ＋２Δ ・・・（３） Δ＝（Ｔｇ−Ｔｏ）／ｔａｎθ ・・・（４） θ＝ｔａｎ-1（Ｇｄ／Ｇｅ） ・・・（５） Ｔｅ＝（π−αθ）Ｔｏ／π ・・・（６） Ｔｇ＝Ｔｅ／ｃｏｓθ ・・・（７） 先ず、式（５）より上記のＧｅとＧｄを代入してθを算
出した。このθ値を式（６）に代入し、かつＴｏを代入
してＴｅを算出した。次に、上記θと式（６）で算出し
たＴｅを式（７）に代入してＴｇを算出した。そして、
上記θとＴｇとＴｏとを式（４）に代入してΔを算出し
た。次に、固定したＴｐと算出したΔとを式（３）に代
入して、その結果Ｗｇが算出され、これを計算値とし
た。
出した。このθ値を式（６）に代入し、かつＴｏを代入
してＴｅを算出した。次に、上記θと式（６）で算出し
たＴｅを式（７）に代入してＴｇを算出した。そして、
上記θとＴｇとＴｏとを式（４）に代入してΔを算出し
た。次に、固定したＴｐと算出したΔとを式（３）に代
入して、その結果Ｗｇが算出され、これを計算値とし
た。
【００４６】以上の結果から、図６に示すように、実験
におけるＷｇの測定値と、上述したように算出したＷｇ
の計算値とを比較すると、その誤差は、数％に留まって
おり、式（３）の整合性が証明された。
におけるＷｇの測定値と、上述したように算出したＷｇ
の計算値とを比較すると、その誤差は、数％に留まって
おり、式（３）の整合性が証明された。
【００４７】また、このことから、基板２に形成される
グルーブ２ａの平均幅Ｗｇを式（３）によって算出した
値とすることにより、記録層３上に形成されたグルーブ
の平均幅ＷＧとランドの平均幅ＷＬとを略同一とするこ
とができる。
グルーブ２ａの平均幅Ｗｇを式（３）によって算出した
値とすることにより、記録層３上に形成されたグルーブ
の平均幅ＷＧとランドの平均幅ＷＬとを略同一とするこ
とができる。
【００４８】さらに、上述したように、反射率の変動を
±１０％の許容範囲内で抑えるためには、図５に示すよ
うに、基板２に形成されるグルーブ２ａの平均幅のＷｇ
が、トラックピッチで規格化すると、±４％の範囲内で
あれば許容されることがわかる。
±１０％の許容範囲内で抑えるためには、図５に示すよ
うに、基板２に形成されるグルーブ２ａの平均幅のＷｇ
が、トラックピッチで規格化すると、±４％の範囲内で
あれば許容されることがわかる。
【００４９】したがって、基板２に形成されたグルーブ
２ａの平均幅Ｗｇの変動の許容範囲が±４％という上述
した結果と、上記の式（３）とから、次式（１）が導か
れることになる。
２ａの平均幅Ｗｇの変動の許容範囲が±４％という上述
した結果と、上記の式（３）とから、次式（１）が導か
れることになる。
【００５０】 ０．４６ＴＰ＋２Δ≦Ｗg≦０．５４ＴＰ＋２Δ ・・・（１） 通常、光ディスク用基板２の材料としては、ポリカーボ
ネート樹脂やメタクリル樹脂が主に用いられている。さ
らに、熱的特性の良い材料としては、変性したポリカー
ボネート樹脂が用いられている。その他の材料として
は、アクリル樹脂、ポレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の
プラスチック材料や、ガラス材料が用いられる。
ネート樹脂やメタクリル樹脂が主に用いられている。さ
らに、熱的特性の良い材料としては、変性したポリカー
ボネート樹脂が用いられている。その他の材料として
は、アクリル樹脂、ポレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の
プラスチック材料や、ガラス材料が用いられる。
【００５１】記録層３は、基板２上に第１の誘電体膜５
が形成され、第１の誘電体膜５上に上記記録膜６が形成
され、上記記録膜６上に第２の誘電体膜７が形成されて
なる。
が形成され、第１の誘電体膜５上に上記記録膜６が形成
され、上記記録膜６上に第２の誘電体膜７が形成されて
なる。
【００５２】記録層３を構成する記録膜６の材料として
は、光磁気ディスクの場合、ＴｂＦｅＣｏ系材料等、相
変化型ディスクの場合、ＴｅＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅ系、
ＩｎＳｅ系、ＳｉＴｅＳｎ系、ＴｅＧｅＳｂ系材料等が
用いられる。この記録膜６の膜厚は、光磁気ディスクの
場合、２０ｎｍ〜２４ｎｍが好ましい。また、相変化型
磁気ディスクの場合、２０ｎｍ〜３０ｎｍが好ましい。
は、光磁気ディスクの場合、ＴｂＦｅＣｏ系材料等、相
変化型ディスクの場合、ＴｅＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅ系、
ＩｎＳｅ系、ＳｉＴｅＳｎ系、ＴｅＧｅＳｂ系材料等が
用いられる。この記録膜６の膜厚は、光磁気ディスクの
場合、２０ｎｍ〜２４ｎｍが好ましい。また、相変化型
磁気ディスクの場合、２０ｎｍ〜３０ｎｍが好ましい。
【００５３】第１及び第２の誘電体膜５、７の材料とし
ては、光磁気ディスクの場合、ＳｉＮや相変化型磁気デ
ィスクの場合、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等が挙げられる。
ては、光磁気ディスクの場合、ＳｉＮや相変化型磁気デ
ィスクの場合、ＺｎＳ−ＳｉＯ2等が挙げられる。
【００５４】第１の誘電体膜５の膜厚は、光磁気ディス
クの場合、８０ｎｍ〜１１０ｎｍが好ましい。また、相
変化型光ディスクの場合、１００ｎｍ〜１２０ｎｍが好
ましい。
クの場合、８０ｎｍ〜１１０ｎｍが好ましい。また、相
変化型光ディスクの場合、１００ｎｍ〜１２０ｎｍが好
ましい。
【００５５】第２の誘電体膜７の膜厚は、光磁気ディス
クの場合、３０ｎｍ〜４０ｎｍが好ましい。また、相変
化型光ディスクの場合、２０ｎｍ〜３０ｎｍが好まし
い。
クの場合、３０ｎｍ〜４０ｎｍが好ましい。また、相変
化型光ディスクの場合、２０ｎｍ〜３０ｎｍが好まし
い。
【００５６】反射膜４は、上記記録層３上に形成され
る。この反射膜４の膜厚は、光磁気ディスクの場合、５
０ｎｍ〜７０ｎｍが好ましい。また、相変化型光ディス
クの場合、７０ｎｍ〜１１０ｎｍが好ましい。
る。この反射膜４の膜厚は、光磁気ディスクの場合、５
０ｎｍ〜７０ｎｍが好ましい。また、相変化型光ディス
クの場合、７０ｎｍ〜１１０ｎｍが好ましい。
【００５７】保護層８は、上記反射膜４上に形成され
る。この保護層８の材料としては、紫外線硬化樹脂が挙
げられる。
る。この保護層８の材料としては、紫外線硬化樹脂が挙
げられる。
【００５８】以上のように構成された本発明に係る光デ
ィスク１を、光磁気ディスクに適用した実施例を図７
に、相変化型光ディスクに適用した実施例を図８に示
す。
ィスク１を、光磁気ディスクに適用した実施例を図７
に、相変化型光ディスクに適用した実施例を図８に示
す。
【００５９】本発明を適用した光磁気ディスクは、図７
に示すように、屈折率（ｎ）が１．５８のポリカーボネ
ートを用いた基板２上に、厚さ９５ｎｍのＳｉＮからな
る第１の誘電体膜５、厚さ２２ｎｍのＴｂＦｅＣｏから
なる記録膜６、厚さ３５ｎｍのＳｉＮからなる第２の誘
電体膜７及び厚さ６０ｎｍＡｌＴｉからなる反射膜４
が、順次積層形成されている。
に示すように、屈折率（ｎ）が１．５８のポリカーボネ
ートを用いた基板２上に、厚さ９５ｎｍのＳｉＮからな
る第１の誘電体膜５、厚さ２２ｎｍのＴｂＦｅＣｏから
なる記録膜６、厚さ３５ｎｍのＳｉＮからなる第２の誘
電体膜７及び厚さ６０ｎｍＡｌＴｉからなる反射膜４
が、順次積層形成されている。
【００６０】一方、ここで、Ｔｐは、１．４μｍ、Ｔｏ
は、１５２ｎｍ、Ｇｄは、７０ｎｍ、Ｇｅは、７０ｎ
ｍ、αは、０．６６とする。
は、１５２ｎｍ、Ｇｄは、７０ｎｍ、Ｇｅは、７０ｎ
ｍ、αは、０．６６とする。
【００６１】さらに、式（１）〜式（７）により、θ
を、４５°、Ｔｇを、１２７ｎｍ、Δを、２５ｎｍと
し、Ｗｇを０．７５０μｍとする。
を、４５°、Ｔｇを、１２７ｎｍ、Δを、２５ｎｍと
し、Ｗｇを０．７５０μｍとする。
【００６２】上述の本実施例は、記録膜３上に形成され
たグルーブ３ａの平均幅ＷＧとランド３ｂの平均幅ＷＬ
とが略同一となるように、式（１）〜式（７）により算
出したＷｇをもとに作製した光磁気ディスクである。こ
の光磁気ディスクにおいては、ランドとグルーブとにお
ける光学的特性等が等しくされ、ランド／グルーブ方式
に最適な光磁気ディスクとなる。
たグルーブ３ａの平均幅ＷＧとランド３ｂの平均幅ＷＬ
とが略同一となるように、式（１）〜式（７）により算
出したＷｇをもとに作製した光磁気ディスクである。こ
の光磁気ディスクにおいては、ランドとグルーブとにお
ける光学的特性等が等しくされ、ランド／グルーブ方式
に最適な光磁気ディスクとなる。
【００６３】本発明を適用した相変化型ディスクは、図
８に示すように、屈折率（ｎ）が１．５８のポリカーボ
ネートを用いた基板上に、厚さ１１０ｎｍのＳｉＮから
なる第１の誘電体膜５、厚さ１６０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ
からなる記録膜６、厚さ２５ｎｍのＳｉＮからなる第２
の誘電体膜７及び厚さ９０ｎｍのＡｌＴｉからなる反射
膜４が、順次積層形成されてなる。
８に示すように、屈折率（ｎ）が１．５８のポリカーボ
ネートを用いた基板上に、厚さ１１０ｎｍのＳｉＮから
なる第１の誘電体膜５、厚さ１６０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ
からなる記録膜６、厚さ２５ｎｍのＳｉＮからなる第２
の誘電体膜７及び厚さ９０ｎｍのＡｌＴｉからなる反射
膜４が、順次積層形成されてなる。
【００６４】ここで、Ｔｐは、１．４μｍ、Ｔｏは、１
６０ｎｍ、Ｇｄは、７０ｎｍ、Ｇｅは、７０ｎｍ、α
は、０．６６とする。
６０ｎｍ、Ｇｄは、７０ｎｍ、Ｇｅは、７０ｎｍ、α
は、０．６６とする。
【００６５】式（１）〜式（７）により、θを、４５
°、Ｔｇを、１３４ｎｍ、Δを、２６ｎｍとし、Ｗｇを
０．７５２ｍとする。
°、Ｔｇを、１３４ｎｍ、Δを、２６ｎｍとし、Ｗｇを
０．７５２ｍとする。
【００６６】上述の本実施例は、記録膜３上に形成され
たグルーブ３ａの平均幅ＷＧとランド３ｂの平均幅ＷＬ
とが略同一となるように、式（１）〜式（７）により算
出したＷｇをもとに作製した相変化型光ディスクであ
る。この相変化型光ディスクにおいては、ランドとグル
ーブとにおける光学的特性等が等しくされ、ランド／グ
ルーブ方式に最適な相変化型光ディスクとなる。
たグルーブ３ａの平均幅ＷＧとランド３ｂの平均幅ＷＬ
とが略同一となるように、式（１）〜式（７）により算
出したＷｇをもとに作製した相変化型光ディスクであ
る。この相変化型光ディスクにおいては、ランドとグル
ーブとにおける光学的特性等が等しくされ、ランド／グ
ルーブ方式に最適な相変化型光ディスクとなる。
【００６７】上述したように、本発明を適用した光ディ
スク１としては、光磁気ディスクや相変化型光ディスク
が適用可能であることが分かった。
スク１としては、光磁気ディスクや相変化型光ディスク
が適用可能であることが分かった。
【００６８】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明で
は、溝状のグルーブと、丘状のランドとが形成されてな
る基板を有し、ランドが形成された部分と、グルーブが
形成された部分との両方に情報信号の記録がなされる光
ディスクにおいて、上記基板に形成されたグルーブの幅
が、上記基板に形成されたランドの幅よりも広くなされ
ていることによって、基板に形成されたグルーブの一部
が成膜によって埋まり、記録層上に形成されたグル−ブ
の幅とランドの幅とを略同一とすることができ、ランド
とグルーブとにおける光学的特性等を等価にすることが
でき、ランド／グルーブ方式に好適な光ディスクを提供
することができる。
は、溝状のグルーブと、丘状のランドとが形成されてな
る基板を有し、ランドが形成された部分と、グルーブが
形成された部分との両方に情報信号の記録がなされる光
ディスクにおいて、上記基板に形成されたグルーブの幅
が、上記基板に形成されたランドの幅よりも広くなされ
ていることによって、基板に形成されたグルーブの一部
が成膜によって埋まり、記録層上に形成されたグル−ブ
の幅とランドの幅とを略同一とすることができ、ランド
とグルーブとにおける光学的特性等を等価にすることが
でき、ランド／グルーブ方式に好適な光ディスクを提供
することができる。
【００６９】さらに、上記基板に形成されたグルーブの
幅Ｗｇが、０．４６Ｔｐ＋２Δ≦Ｗｇ≦０．５４Ｔｐ＋
２Δの式を満たすように、上記基板に形成されたランド
の幅よりも広くされることにより、反射率の変動を許容
範囲内に保持するとともに、記録層上に形成されたグル
−ブの幅とランドの幅とを略同一とさせてランドとグル
ーブとにおける光学的特性等を等価にすることができる
基板を、効率的に設計することができ、設計における労
力が大幅に削減されて生産性が向上する。
幅Ｗｇが、０．４６Ｔｐ＋２Δ≦Ｗｇ≦０．５４Ｔｐ＋
２Δの式を満たすように、上記基板に形成されたランド
の幅よりも広くされることにより、反射率の変動を許容
範囲内に保持するとともに、記録層上に形成されたグル
−ブの幅とランドの幅とを略同一とさせてランドとグル
ーブとにおける光学的特性等を等価にすることができる
基板を、効率的に設計することができ、設計における労
力が大幅に削減されて生産性が向上する。
【図１】基板及び記録層に形成されたグルーブとランド
とを示す光ディスクの一例を示す断面図である。
とを示す光ディスクの一例を示す断面図である。
【図２】平坦面にＲＦスパッタにより成膜する時の様子
を示す図である。
を示す図である。
【図３】傾斜面にＲＦスパッタにより成膜する時の様子
を示す図である。
を示す図である。
【図４】数値実験によるグルーブ幅の変動量とランドと
グル−ブとの反射率の関係を示す図である。
グル−ブとの反射率の関係を示す図である。
【図５】本発明を適用した光ディスクの一例を示す断面
図である。
図である。
【図６】グルーブの平均幅Ｗｇとグルーブの深さＷｄと
の関係について、測定値と計算値を示した図である。
の関係について、測定値と計算値を示した図である。
【図７】本発明を適用した光磁気ディスクの一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図８】本発明を適用した相変化型光ディスクの一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
１ 光ディスク、２ 基板、３ 記録層、４ 反射膜、
５ 第１の誘電体膜、６ 記録膜、７ 第２の誘電体
膜、８ 保護層
５ 第１の誘電体膜、６ 記録膜、７ 第２の誘電体
膜、８ 保護層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年２月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４１】ここで、図１に示すように、Ｗｇは、基板
２に形成されたグルーブ２ａの平均幅を示す。Ｔｇは、
基板２に形成されたグルーブ２ａの傾斜部上に形成され
た記録層３の膜厚を示す。Ｔｏは、基板２に形成された
グルーブ２ａの平坦部上に形成された記録層３の膜厚を
示す。Ｔｅは、基板２に形成されたグルーブ２ａの傾斜
部上に形成された記録層３の傾斜部に対する鉛直方向の
膜厚を示す。Ｇｄは、基板２に形成されたランド２ｂの
膜厚、言い変えるとグルーブ２ａの深さを示す。Ｇｅ
は、グル−ブ２ａの傾斜部の幅を示す。また、２Δは、
記録層３のグルーブ３ａの幅と、基板２に形成されたグ
ルーブ２ａの幅との差を示す。
２に形成されたグルーブ２ａの平均幅を示す。Ｔｇは、
基板２に形成されたグルーブ２ａの傾斜部上に形成され
た記録層３の膜厚を示す。Ｔｏは、基板２に形成された
グルーブ２ａの平坦部上に形成された記録層３の膜厚を
示す。Ｔｅは、基板２に形成されたグルーブ２ａの傾斜
部上に形成された記録層３の傾斜部に対する鉛直方向の
膜厚を示す。Ｇｄは、基板２に形成されたランド２ｂの
膜厚、言い変えるとグルーブ２ａの深さを示す。Ｇｅ
は、グル−ブ２ａの傾斜部の幅を示す。また、２Δは、
記録層３のグルーブ３ａの幅と、基板２に形成されたグ
ルーブ２ａの幅との差を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５０】 ０．４６ＴＰ＋２Δ≦Ｗg≦０．５４ＴＰ＋２Δ ・・・（１） 通常、光ディスク用基板２の材料としては、ポリカーボ
ネート樹脂やメタクリル樹脂が主に用いられている。さ
らに、熱的特性の良い材料としては、変性したポリカー
ボネート樹脂が用いられている。その他の材料として
は、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂
等のプラスチック材料や、ガラス材料が用いられる。
ネート樹脂やメタクリル樹脂が主に用いられている。さ
らに、熱的特性の良い材料としては、変性したポリカー
ボネート樹脂が用いられている。その他の材料として
は、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂
等のプラスチック材料や、ガラス材料が用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６５】式（１）〜式（７）により、θを、４５
°、Ｔｇを、１３４ｎｍ、Δを、２６ｎｍとし、Ｗｇを
０．７５２μｍとする。
°、Ｔｇを、１３４ｎｍ、Δを、２６ｎｍとし、Ｗｇを
０．７５２μｍとする。
Claims (4)
- 【請求項１】 溝状の凹部であるグルーブと、丘状の凸
部であるランドとが形成されてなる基板を有し、ランド
が形成された部分と、グルーブが形成された部分との両
方に情報信号の記録がなされる光ディスクにおいて、 上記基板に形成されたグルーブの幅が、上記基板に形成
されたランドの幅よりも広くされ、 上記基板上に、情報信号が記録される記録層が少なくと
も形成されていることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 上記基板に形成されたグルーブの平均幅
Ｗｇが、下記式（１）で示す範囲内とされていることを
特徴とする請求項１記載の光ディスク。 ０．４６Ｔｐ＋２Δ≦Ｗｇ≦０．５４Ｔｐ＋２Δ ・・・（１） ただし Δ＝（Ｔｇ−Ｔｏ）／ｔａｎθ Ｔｇは、基板に形成されたグルーブの傾斜部上に形成さ
れた記録層の膜厚、 Ｔｏは、基板に形成されたグルーブの平坦部上に形成さ
れた記録層の膜厚、 θは、基板に形成されたグルーブの傾斜部と平坦部との
成す角度、 Ｔｐは、基板に形成されたグルーブの平均幅Ｗｇとラン
ドの平均幅Ｗｌとの和である。 - 【請求項３】 記録層の相変化を利用して情報信号の記
録再生がなされることを特徴とする請求項１記載の光デ
ィスク。 - 【請求項４】 記録層の磁気光学効果を利用して情報信
号の記録再生がなされることを特徴とする請求項１記載
の光ディスク。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9063628A JPH10261242A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 光ディスク |
| EP98104498A EP0866447B1 (en) | 1997-03-17 | 1998-03-12 | Optical disk |
| DE69837731T DE69837731T2 (de) | 1997-03-17 | 1998-03-12 | Optische Platte |
| US09/039,222 US6400677B2 (en) | 1997-03-17 | 1998-03-16 | High recording density optical disc |
| KR1019980008719A KR100551145B1 (ko) | 1997-03-17 | 1998-03-16 | 광디스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9063628A JPH10261242A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261242A true JPH10261242A (ja) | 1998-09-29 |
Family
ID=13234809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9063628A Pending JPH10261242A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 光ディスク |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH10261242A (ja) |
| KR (1) | KR100551145B1 (ja) |
| DE (1) | DE69837731T2 (ja) |
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| KR100657246B1 (ko) * | 1999-11-24 | 2006-12-19 | 삼성전자주식회사 | 광디스크 |
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-
1998
- 1998-03-12 EP EP98104498A patent/EP0866447B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-12 DE DE69837731T patent/DE69837731T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-16 KR KR1019980008719A patent/KR100551145B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-16 US US09/039,222 patent/US6400677B2/en not_active Expired - Lifetime
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