JP4233224B2 - 光記録媒体 - Google Patents
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、高密度記録が可能で、しかも記録情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変化型のものは、レーザービームを照射することにより記録層の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一のレーザービームの強度を変調することによりオーバーライトが可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されている。
【0003】
一般に相変化型光記録媒体において情報を記録する際には、まず、記録層全体を結晶質状態としておき、記録層が融点以上まで昇温されるような高パワー(記録パワー)のレーザービームを照射する。記録パワーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷され、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マークを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低パワー(消去パワー)のレーザービームを照射する。消去パワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上まで加熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に戻る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光ビームの強度を変調することにより、オーバーライトが可能である。
【0004】
相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定度が比較的高いことなどから、Ge−Sb−Te系材料やAg−In−Sb−Te系材料が用いられることが多い。
【0005】
相変化型光記録媒体では、トラッキングのために透光性基体にグルーブ(案内溝)が形成されており、このグルーブがアドレス情報を担持していることもある。従来は、グルーブ内または隣接するグルーブ間の領域(ランド)に記録マークを形成することが一般的であった。しかし、最近、高密度記録を行うため記録トラックピッチを狭める必要性から、グルーブとランドとの両方を記録トラックとするランド・グルーブ記録が提案されている。しかし、ランド・グルーブ記録では記録トラックピッチが狭くなるので、記録再生に用いるレーザー光のビームスポットが隣接トラックにはみ出してしまう。これにより、再生時には、クロストークが大きくなってしまう。
【0006】
そこで、例えば特許第2697555号公報では、ランド幅とグルーブ幅とをほぼ等しくした上で、グルーブ深さをλ/7〜λ/5の光学長とすることにより、ランド・グルーブ記録におけるクロストークを低減する提案がなされている。なお、λは再生光の波長である。同公報には、グルーブ深さが光学長で1/6のときにクロストークが最小となることが記載されている。また、特開平11−7658号公報には、ランド・グルーブ記録方式においてはグルーブ深さが光学長でλ/6〜λ/3のときに、クロストークが最小になることが記載されている。実際、DVD−RAMでは、グルーブ深さ70nm(光学長でほぼλ/6)で実用化されている。
【0007】
一方、高密度記録化のための他の手段として、記録再生用のレーザー光のビームスポット径を小さくすることも有効である。ビームスポット径は、レーザー光の波長をλ、記録再生光学系の対物レンズの開口数をNAとして、一般にλ/NAで表される。したがって、ビームスポット径を小さくするためには、記録・再生波長を短くするか、NAを大きくすればよい。例えばDVDをCDと比較すると、記録・再生波長を780nmから650nmへと短くし、NAを0.45から0.6へと大きくすることにより、6〜8倍の記録容量(4.7GB/面)を達成している。
【0008】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記(1)〜(11)のいずれかの構成により達成される。
(1) グルーブおよび前記グルーブに隣接するランドが形成された透光性基体であって、前記グルーブと前記ランドの幅が実質的に等しい透光性基体を有し、グルーブおよび前記グルーブに隣接するランドを記録トラックとして用い、再生光が透光性基体を通して照射される光記録媒体であって、
再生光の波長をλとし、波長λにおける透光性基体の屈折率をnとし、再生光学系の開口数をNAとし、記録トラックピッチをPTとし、グルーブ深さをλ/(x・n)とし、T=PT/(λ/NA)としたとき、
−12.6T+15.6≦x≦25T−3.8、かつ
0.55≦T≦0.68
であることを特徴とする光記録媒体。
(2)
NA≧0.6
である再生光学系と組み合わせて使用される上記(1)の光記録媒体。
(3) 透光性基体を有し、この透光性基体にグルーブが存在し、グルーブおよび隣り合うグルーブ間に存在する領域を記録トラックとし、再生光が透光性基体を通して照射される光記録媒体を設計するに際し、
再生光の波長をλとし、波長λにおける透光性基体の屈折率をnとし、再生光学系の開口数をNAとし、記録トラックピッチをPTとし、グルーブ深さをλ/(x・n)とし、T=PT/(λ/NA)としたとき、
−12.6T+15.6≦x≦25T−3.8、かつ
0.55≦T≦0.68
となるようにグルーブ深さを設定する光記録媒体の設計方法。
(4)
NA≧0.6
として設計を行う上記(3)の光記録媒体の設計方法。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従来、ランド・グルーブ記録方式を採用した光記録媒体において、十分に広いチルトマージンと十分に小さいクロストークとを共に実現する提案はなされていない。また、本発明者らの研究によれば、クロストーク減少を主目的として媒体設計を行うと、十分な再生出力が得られず、その結果、ジッタが大きくなってしまう場合があることがわかった。
【0010】
本発明の目的は、ランド・グルーブ記録方式を採用した光記録媒体において、十分なチルトマージンを得ると共にクロストークを小さくし、かつ、十分に大きな再生出力を実現することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記(1)〜(4)の構成により達成される。
(1) 透光性基体を有し、この透光性基体にグルーブが存在し、グルーブおよび隣り合うグルーブ間に存在する領域を記録トラックとし、再生光が透光性基体を通して照射される光記録媒体であって、
再生光の波長をλとし、波長λにおける透光性基体の屈折率をnとし、再生光学系の開口数をNAとし、記録トラックピッチをPTとし、グルーブ深さをλ/(x・n)とし、T=PT/(λ/NA)としたとき、
−12.6T+15.6≦x≦25T−3.8、かつ
0.55≦T≦0.68
である光記録媒体。
(2)
NA≧0.6
である再生光学系と組み合わせて使用される上記(1)の光記録媒体。
(3) 透光性基体を有し、この透光性基体にグルーブが存在し、グルーブおよび隣り合うグルーブ間に存在する領域を記録トラックとし、再生光が透光性基体を通して照射される光記録媒体を設計するに際し、
再生光の波長をλとし、波長λにおける透光性基体の屈折率をnとし、再生光学系の開口数をNAとし、記録トラックピッチをPTとし、グルーブ深さをλ/(x・n)とし、T=PT/(λ/NA)としたとき、
−12.6T+15.6≦x≦25T−3.8、かつ
0.55≦T≦0.68
となるようにグルーブ深さを設定する光記録媒体の設計方法。
(4)
NA≧0.6
として設計を行う上記(3)の光記録媒体の設計方法。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明では、上記Tを用いて、すなわち再生光のビームスポット径λ/NAに対する記録トラックピッチPTの比率を用いて、グルーブ深さλ/(x・n)を規定するxの範囲を規制し、同時に、Tの範囲も限定する。これにより、ランド・グルーブ記録方式の光記録媒体において、十分に広いチルトマージンを得た上で、クロストークを十分に小さくすることができ、かつ、十分に大きな再生出力を得ることができる。
【0013】
本発明では、
−12.6T+15.6≦x≦25T−3.8、かつ
0.55≦T≦0.68
とし、好ましくは
0.55≦T≦0.66
とする。xを上記範囲とする理由は、以下のとおりである。Tが上記範囲内にある場合においてxが上記範囲を下回ると出力が臨界的に低くなり、その結果、ジッタが悪化する。一方、xが上記範囲を上回ると、臨界的にクロストークが急激に増大してしまう。
【0014】
また、Tの一次式によってxの範囲を決定する理由は、以下のとおりである。なお、以下の説明においては、ビームスポット径に対する記録トラックピッチの比率Tを、相対的トラック幅と呼ぶ。
【0015】
まず、xの上限は、クロストーク量を抑えるために定められた値である。クロストークは、相対的トラック幅が狭いほど大きくなる。一方、グルーブ深さがλ/6n未満の場合、グルーブが深いほどクロストークは小さくなる。したがって、クロストークを一定量以下に抑えるためには、Tが小さい場合にはxを小さく(グルーブを深く)し、Tが大きい場合にはxを大きく(グルーブを浅く)すればよい。本発明者らは、クロストーク低減のために必要なTとxとの関係を求めるために多数の実験を行い、x≦25T−3.8とすればよいことを見いだした。
【0016】
一方、xの下限は、十分な再生出力を確保するために定められた値である。相対的トラック幅Tが小さいと、再生出力が小さくなるため、ジッタが悪化する。一方、グルーブを浅くすれば、再生出力は大きくなる。したがって、十分な再生出力を確保するためには、Tが小さい場合にはxを大きく(グルーブを浅く)する必要があり、Tが大きい場合にはxが小さくても(グルーブが深くても)よい。本発明者らは、再生出力確保のために必要なTとxとの関係を求めるために多数の実験を行い、−12.6T+15.6≦xとすればよいことを見いだした。
【0017】
次に、Tの範囲を限定する理由を説明する。
【0018】
Tが上記範囲を下回る場合、すなわちビームスポットの記録トラックからのはみ出し量が多い場合、クロストークが大きくなり、また、チルトマージンが小さくなってしまう。また、記録時に隣接トラックの記録マークを消去してしまう現象(クロスイレーズともいう)が生じやすくなる。
【0019】
一方、Tが大きい場合、すなわちビームスポットの記録トラックからのはみ出し量が少ない場合、トラッキングサーボの安定性が不十分となることがあり、特に線速度が速い場合にトラッキングサーボが不安定になりやすい。また、Tが上記範囲を上回る場合、利用できるビームスポットの大きさに対し、媒体の高密度化が十分であるとはいえない。すなわち、利用できる資源を十分に活用しているとはいえない。本発明は、Tが小さい場合、すなわち、利用できるビームスポット径に対し限界まで高密度化した場合に、効果を発揮する。
【0020】
前記特許第2697555号公報および前記特開平11−7658号公報に記載されているように、従来、クロストークの低減を主目的として、グルーブ深さは再生光の波長λだけを用いて限定されることが一般的であった。しかし、本発明者らは、相対的トラック幅PT/(λ/NA)がクロストーク、チルトマージンおよび再生出力に密接に関係することを見いだした。そして本発明では、この知見に基づき、グルーブ深さを規定するxの範囲を、PT/(λ/NA)を用いて限定し、これによりクロストーク低減、チルトマージン確保および再生出力確保を共に実現した。
【0021】
本発明は、クロスイレーズ低減にも有効であり、特に、短波長のレーザー光で記録する場合のクロスイレーズ低減に有効である。その理由を以下に説明する。
【0022】
ビームスポット径λ/NAは波長λが短いほど小さくなるので、ビーム内でのエネルギー密度は波長λが短いほど高くなる。したがって、例えば波長400nm付近の青紫色レーザーで記録を行う場合、DVD−RAMなどに用いられている波長650nm付近の赤色レーザーを用いる場合に比べ、記録層の温度が上昇しやすくなる。そのため、記録波長λが短いと、ビームスポット径に対する記録トラックピッチの比率Tがそれほど小さくない場合でもクロスイレーズが発生しやすくなる。
【0023】
クロスイレーズを小さくする手段の一つとして、記録感度を上げることが有効である。本発明者らの研究によれば、記録感度を高くするためには媒体の反射率を低くすることが有効であることがわかった。しかし、反射率を低くすると、通常、それに伴って再生出力が低下する。また、再生出力は、記録層の結晶質領域と非晶質記録マークとの反射率差に依存し、400nm付近の短波長域では、媒体の光学設計を最適化しても、650nmの波長域と同等の反射率差を確保することが難しいため、これによっても再生出力が低くなる。そのため、ジッタが大きくなってしまう。
【0024】
これに対し本発明では、上記したように、xを大きく(グルーブを浅く)することにより再生出力を高くできる。クロスイレーズを低減するために反射率の低い設計とすれば再生出力が低下してしまい、また、短波長域では再生出力が低下してしまうが、本発明ではxの制御によりこの再生出力の低下を抑えることができる。そのため本発明では、短波長レーザーを利用する高密度記録媒体において、再生出力低下によるジッタ増大を抑えた上で、クロスイレーズを小さくする設計が可能となる。
【0025】
なお、短波長域、特に200〜450nmの波長域においては、再生出力が低くなりやすいためxの下限を大きくすることが好ましく、具体的には、
−12.6T+16.0≦x
とすることが好ましい。また、このような短波長域におけるクロスイレーズを低減するためには、
x≦25T−4.5
とすることが好ましい。また、このような短波長域では、前述したようにクロスイレーズが大きくなりやすいため、ビームスポットの記録トラックからのはみ出し量を規定する前記Tは、
0.56≦T
であることが好ましい。
【0026】
本発明が適用される光記録媒体の構成例を、図1に示す。この光記録媒体は、透光性基体2上に第1誘電体層31、相変化型の記録層4、第2誘電体層32、反射層5および保護層6をこの順に設けた片面記録型(単板型)媒体である。なお、この片面記録型媒体を2枚用い、保護層6が内側になるように接着層により接着した両面記録型の媒体にも、本発明は適用できる。また、上記片面記録型媒体と保護基体とを接着層により接着した媒体にも、本発明は適用できる。
【0027】
透光性基体2
本発明の光記録媒体では透光性基体2を通して記録層4に記録再生光が照射されるので、透光性基体2は、記録再生光に対して実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスなどから構成されることが好ましい。樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレフィン等を用いればよい。
【0028】
透光性基体2は、ランド22を挟んでグルーブ21を有する。光入射側(透光性基体2側)から見たとき、ランド22の表面に対しグルーブ21の表面は相対的に手前側に存在する。ランド22およびグルーブ21は、いずれも記録トラックとして用いられる。グルーブ幅とランド幅とは同一であってもよく異なってもよい。ただし、グルーブおよびランドの両方において本発明の効果を十分に発揮させるためには、グルーブ21の幅をWG、ランド22の幅をWLとしたとき、好ましくは
0.3≦WG/(WL+WG)≦0.7
とする。
【0029】
高密度記録を行うためには、記録トラックピッチを好ましくは0.7μm以下、より好ましくは0.6μm以下とする。なお、記録トラックピッチは、(グルーブ幅+ランド幅)/2である。
【0030】
透光性基体2の厚さは、0.8mm以下、好ましくは0.2〜0.65mmである。透光性基体2が厚すぎると、チルトマージンが小さくなってしまい、透光性基体2が薄すぎると、透光性基体が変形しやすくなってエラーが多くなってしまう。透光性基体の形状は特に限定されないが、通常、ディスク状とし、その場合の直径は、50〜360mm程度とする。
【0031】
なお、図1に示す構成例は、他部材で支持することなく形状の維持が可能な程度の厚さを有する樹脂板やガラス板を透光性基体2として利用するが、本発明は、記録密度向上のために透光性基体をさらに薄くした光記録媒体にも適用することができる。その場合の構成例を図2に示す。
【0032】
図2に示す光記録媒体は、支持基体20上に、反射層5、第2誘電体層32、記録層4、第1誘電体層31および透光性基体2をこの順で設けた片面記録型のものである。図2における支持基体20は、図1に示す透光性基体2と同様に、それ自体で形状維持が可能な程度の厚さをもつ樹脂板やガラス板から構成される。支持基体20の厚さは、好ましくは0.2〜1.6mm、より好ましくは0.4〜1.2mmである。支持基体20上の反射層5から第1誘電体層31までの積層順は、記録再生光入射側(透光性基体2側)から見て、図1に示す構成例と同じである。
【0033】
図2における透光性基体2は、記録再生光を透過するために透光性を有する。例えば、支持基体20と同程度の厚さの樹脂板やガラス板を透光性基体2として用いてもよい。
【0034】
ただし、本発明は、高記録密度達成のために記録再生光学系を高NA化する場合に特に有効である。したがって、前記特開平11−7658号公報に記載された光透過層と同様に、透光性基体2を薄型化することが好ましい。この場合の透光性基体2の厚さは、30〜300μmの範囲から選択することが好ましい。透光性基体2が薄すぎると、透光性基体2表面に付着した塵埃による光学的な影響が大きくなる。一方、透光性基体2が厚すぎると、高NA化による高記録密度達成が難しくなる。
【0035】
透光性基体2を薄型化するに際しては、例えば、透光性樹脂からなる光透過性シートを各種接着剤や粘着剤により第1誘電体層31に貼り付けて透光性基体としたり、塗布法を利用して透光性樹脂層を第1誘電体層31上に直接形成して透光性基体としたりすればよい。
【0036】
図2に示す透光性基体2においても図1と同様に、記録再生光入射側から見て、グルーブ21表面はランド22表面に対し相対的に手前側に存在する。透光性基体2がもつランド22およびグルーブ21は、そのネガパターンである凹凸パターンを支持基体20表面に設け、その上に誘電体層、記録層等および透光性基体2を設けて前記凹凸パターンを転写することにより形成できる。
【0037】
第1誘電体層31および第2誘電体層32
これらの誘電体層は、記録層の酸化、変質を防ぎ、また、記録時に記録層から伝わる熱を遮断ないし面内方向に逃がすことにより、支持基体20や透光性基体2を保護する。また、これらの誘電体層を設けることにより、変調度を向上させることができる。各誘電体層は、組成の相異なる2層以上の誘電体層を積層した構成としてもよい。
【0038】
これらの誘電体層に用いる誘電体としては、例えば、Si、Ge、Zn、Al、希土類元素等から選択される少なくとも1種の金属成分を含む各種化合物が好ましい。化合物としては、酸化物、窒化物または硫化物が好ましく、これらの化合物の2種以上を含有する混合物を用いることもできる。具体的には、例えば硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物(ZnS−SiO2)、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムなどが好ましい。第1誘電体層および第2誘電体層の厚さは、保護効果や変調度向上効果が十分に得られるように適宜決定すればよいが、通常、第1誘電体層31の厚さは好ましくは30〜300nm、より好ましくは50〜250nmであり、第2誘電体層32の厚さは好ましくは10〜50nm、より好ましくは13〜45nmである。各誘電体層は、スパッタ法により形成することが好ましい。
【0039】
記録層4
記録層の組成は特に限定されず、各種相変化材料から適宜選択すればよいが、少なくともSbおよびTeを含有するものが好ましい。SbおよびTeだけからなる記録層は、結晶化温度が130℃程度と低く、保存信頼性が不十分なので、結晶化温度を向上させるために他の元素を添加することが好ましい。この場合の添加元素としては、In、Ag、Au、Bi、Se、Al、P、Ge、H、Si、C、V、W、Ta、Zn、Ti、Sn、Pb、Pdおよび希土類元素(Sc、Yおよびランタノイド)から選択される少なくとも1種が好ましい。これらのうちでは、保存信頼性向上効果が特に高いことから、希土類元素、Ag、InおよびGeから選択される少なくとも1種が好ましい。
【0040】
SbおよびTeを含有する組成としては、以下のものが好ましい。SbおよびTeをそれぞれ除く元素をMで表し、記録層構成元素の原子比を
式I (SbaTe1-a)1-bMb
で表したとき、好ましくは
0.2≦a≦0.90、
0≦b≦0.25
であり、より好ましくは
0.55≦a≦0.85、
0.01≦b≦0.20
である。
【0041】
上記式Iにおいて、Sbの含有量を表すaが小さすぎると、結晶化速度が遅くなりすぎる。また、記録層の結晶質領域での反射率が低くなるため、再生信号出力が低くなる。また、aが著しく小さいと、記録も困難となる。一方、aが大きすぎると、結晶状態と非晶質状態との間での反射率差が小さくなってしまう。
【0042】
元素Mは特に限定されないが、保存信頼性向上効果を示す上記元素のなかから少なくとも1種を選択することが好ましい。元素Mの含有量を表すbが大きすぎると結晶化速度が低下してしまうので、bは上記範囲内であることが好ましい。
【0043】
記録層の厚さは、好ましくは4nm超50nm以下、より好ましくは5〜30nmである。記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、結晶化が困難となる。一方、記録層が厚すぎると、記録層の熱容量が大きくなるため記録が困難となるほか、再生信号出力の低下も生じる。
【0044】
記録層の形成は、スパッタ法により行うことが好ましい。
【0045】
反射層5
反射層5の材質は特に限定されないが、通常、Al、Au、Ag、Pt、Cu等の単体あるいはこれらの1種以上を含む合金などの高反射率金属から構成すればよい。反射層は、スパッタ法や蒸着法等の気相成長法により形成することが好ましい。
【0046】
保護層6
保護層は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられる。この保護層は種々の有機系の物質から構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通常、0.1〜100μm程度であり、スピンコート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の方法により形成すればよい。
【0047】
接着層
図1に示す構成例を両面記録型の光記録媒体に適用する際には、接着層を設ける。この接着層を構成する接着剤は特に限定されず、例えば、ホットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよい。
【0048】
その他
記録再生に用いるレーザー光の波長λuは特に限定されないが、本発明は高密度記録媒体を対象とするので、
λu≦680 [nm]
であることが好ましい。また、前述したように本発明は、短波長域におけるクロスイレーズ低減に有効であるが、この効果は特に
λu≦450[nm]
において高くなる。なお、使用波長の下限は特にないが、極端に短波長のレーザーは実用化が困難であるため、通常、
λu≧200[nm]
である。
【0049】
再生光学系の開口数NAは特に限定されないが、開口数が小さすぎると高密度記録媒体の再生が困難となる。また、本発明は、チルトマージンが狭くなる場合、すなわち、開口数NAの大きな再生光学系を用いた場合に特に有効である。そのため、本発明の光記録媒体は、再生光学系のNAが
NA≧0.6
であるとき、特に
NA≧0.65
であるときに、特に有効である。
【0050】
なお、本発明はランド・グルーブ記録が行われる光記録媒体であれば特に制限なく適用できるが、前述した作用効果から明らかなように、本発明は相変化型光記録媒体に適用する場合に特に有効である。
【0051】
【実施例】
実施例1
図1に示す構成を有する光記録ディスクサンプルを、以下の手順で作製した。
【0052】
透光性基体2には、射出成形によりグルーブを同時形成した直径120mm、厚さ0.6mmのディスク状ポリカーボネートを用いた。グルーブ幅とランド幅とは同じとし、記録トラックピッチおよびグルーブ深さは、前記Tおよび前記xが表1に示される値となるように設定した。
【0053】
第1誘電体層31は、Ar雰囲気中においてスパッタ法により形成した。ターゲットには、ZnS(80モル%)−SiO2(20モル%)を用いた。第1誘電体層の厚さは235nmとした。
【0054】
記録層4は、スパッタ法により形成した。記録層の組成(原子比)は
Ag6In4Sb63Te27
とした。記録層の厚さは15nmとした。
【0055】
第2誘電体層32は、第1誘電体層と同様にして形成した。第2誘電体層の厚さは25nmとした。
【0056】
反射層5は、ターゲットとしてAl−1.7モル%Cr合金を用い、Ar雰囲気中においてスパッタ法により形成した。反射層5の厚さは100nmとした。
【0057】
保護層6は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の保護層厚さは5μm であった。
【0058】
このようにして作製した各サンプルを、バルクイレーザーを用いて初期化した。初期化後の各サンプルについて、光記録媒体評価装置を用い、チルトさせない状態でのジッタ、チルトマージンおよび再生出力を以下の条件で測定した。なお、チルトマージンは、ジッタが15%以下となるチルト角の範囲である。測定結果を表1に示す。なお、表1では、チルトマージンが0.80度未満である場合およびジッタが10%を超える場合を、それぞれ好ましい範囲外として表示してある。
【0059】
測定条件
波長λ :634nm、
開口数NA:0.6、
線速度 :3.5m/s、
記録信号 :8−16変調、
再生パワー:0.9mW、
記録パワーおよび消去パワー:各サンプルにおいてジッタが最小になる値
【0060】
【表1】
【0061】
表1から、本発明の効果が明らかである。すなわち、Tおよびxが本発明で限定する範囲内に存在する場合、再生出力が大きく、かつ、クロストークが小さい。そのためジッタが小さくなっている。また、チルトマージンも十分に広くなっている。なお、サンプルNo.1においてチルトマージンが好ましい範囲を下回っているのは、チルトさせない状態において既にジッタが大きかったためである。
【0062】
実施例2
図2に示す構成を有する光記録ディスクサンプルを、以下の手順で作製した。
【0063】
支持基体20には、直径120mm、厚さ1.1mmのディスク状ポリカーボネートを用いた。この支持基体の表面には、透光性基体2に転写後にグルーブおよびランドとなる凹凸パターンを設けた。グルーブ幅とランド幅とは同じとし、記録トラックピッチおよびグルーブ深さは、前記Tおよび前記xが表2に示される値となるように設定した。
【0064】
反射層5は、Ar雰囲気中においてスパッタ法により形成した。ターゲットにはAg98Pd1Cu1を用いた。反射層の厚さは100nmとした。
【0065】
第2誘電体層32は、Al2O3ターゲットを用いてAr雰囲気中でスパッタ法により形成した。第2誘電体層の厚さは25nmとした。
【0066】
記録層4は、合金ターゲットを用い、Ar雰囲気中でスパッタ法により形成した。記録層の組成(原子比)は
Ag0.5In0.5Sb74Te19Ge6
とした。記録層の厚さは12nmとした。
【0067】
第1誘電体層31は、ZnS(80モル%)−SiO2(20モル%)ターゲットを用いてAr雰囲気中でスパッタ法により形成した。第1誘電体層の厚さは130nmとした。
【0068】
透光性基体2は、第1誘電体層31の表面に、溶剤型の紫外線硬化型アクリル系樹脂からなる厚さ3μmの接着層を介して、ポリカーボネートシート(厚さ100μm)を接着することにより形成した。
【0069】
このようにして作製した各サンプルを、バルクイレーザーを用いて初期化した後、以下の条件で実施例1と同じ項目について測定を行った。結果を表2に示す。
【0070】
測定条件
波長λ :405nm、
開口数NA:0.85、
線速度 :6.5m/s、
記録信号 :(1,7)RLL、
再生パワー:0.3mW、
記録パワーおよび消去パワー:各サンプルにおいてジッタが最小になる値
【0071】
【表2】
【0072】
表2から、記録再生波長が短い場合でも、本発明の効果が得られることがわかる。
【0073】
実施例3
前記Tおよび前記xを表3に示す値とし、また、第1誘電体層31の厚さを変更することにより反射率を表3に示す値としたほかは実施例2の各サンプルと同様にして、光記録ディスクサンプルを作製した。
【0074】
これらのサンプルについて、再生出力、ジッタおよびクロスイレーズを測定した。結果を表3に示す。なお、クロスイレーズおよびジッタは下記手順で測定した。
【0075】
まず、測定対象トラックに8T信号を記録し、このキャリア出力をC1とした。次いで、上記測定対象トラックに隣接する両側のトラックに、それぞれ7T信号を10回オーバーライトした。次に、最初に測定対象トラックに記録した8T信号について再びキャリア出力を測定し、これをC2とした。C2−C1が表3に示すクロスイレーズである。
【0076】
表3に示すジッタは、測定対象トラックに記録し、次いで測定対象トラックに隣接する両側のトラックにそれぞれ10回オーバーライトした後、最初に測定対象トラックに記録した信号について測定したジッタである。すなわち、クロスイレーズの影響が加味されたジッタである。なお、実施例1および実施例2におけるジッタも、このようにして測定した。
【0077】
【表3】
【0078】
表3から、x=6.4であってもx=8.5であっても、反射率を低くすることによりクロスイレーズを低減できることがわかる。しかし、本発明で限定する範囲を下回るx=6.4の場合には、再生出力が低い。そのため、反射率低下によるクロスイレーズ低減量がx=8.5のサンプルとほぼ同等であっても、クロスイレーズの影響が加味されたジッタが10%を超えている。これに対し本発明サンプルでは、x=8.5であってグルーブが浅いため、十分に大きな再生出力が得られている。そのため、クロスイレーズの影響が加味されたジッタが10%以下に抑えられている。
【0079】
【発明の効果】
本発明では、再生光のビームスポット径λ/NAに対する記録トラックピッチPTの比率Tを用いて、グルーブ深さλ/(x・n)を規定するxの範囲を規制し、同時に、Tの範囲も限定する。これにより、ランド・グルーブ記録方式の光記録媒体において、十分に広いチルトマージンを得た上で、クロストークを十分に小さくすることができ、かつ、十分に大きな再生出力を得ることができる。また、クロスイレーズおよびジッタが小さい媒体が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図である。
【図2】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図である。
【符号の説明】
2 透光性基体
20 支持基体
31 第1誘電体層
32 第2誘電体層
4 記録層
5 反射層
6 保護層
Claims (6)
- グルーブおよび前記グルーブに隣接するランドが形成された透光性基体であって、前記グルーブと前記ランドの幅が実質的に等しい透光性基体を有し、グルーブおよび前記グルーブに隣接するランドを記録トラックとして用い、再生光が透光性基体を通して照射される光記録媒体であって、
再生光の波長をλとし、波長λにおける透光性基体の屈折率をnとし、再生光学系の開口数をNAとし、記録トラックピッチをPTとし、グルーブ深さをλ/(x・n)とし、T=PT/(λ/NA)としたとき、
−12.6T+15.6≦x≦25T−3.8、かつ
0.55≦T≦0.68
であることを特徴とする光記録媒体。 - 0.55≦T≦0.66
であることを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体。 - 200〜450nmの波長の再生光を照射することによって再生が行われ、
−12.6T+16.0≦x≦25T−4.5、かつ、
0.56≦T≦0.66
であることを特徴とする請求項2に記載の光記録媒体。 - 前記記録トラックピッチPTが0.7μm以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の光記録媒体。
- 前記記録トラックピッチPTが0.6μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の光記録媒体。
- NA≧0.6
である再生光学系と組み合わせて使用されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の光記録媒体。
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