CN1438523A - 电光装置和电子机器 - Google Patents

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Abstract

在基板(10)上，备有象素电极(9a)和与它连接的TFT(30)，与该TFT连接的扫描线(3a)和数据线(6a)，与上述象素电极连接，构成存储电容(70)的象素电位侧电容电极(71)，通过电介质膜(75)与该象素电位侧电容电极相对配置，构成上述存储电容的固定电位侧电容电极(300)，以及将设置在上述TFT下侧，遮蔽对该TFT的光入射的下侧遮光膜(11a)与上述固定电位侧电容电极电连接的接触孔(501)。因此，能够防止在具有TFT的电光装置中，发生由存储电容窄小化引起的串扰和烧蚀等，并且也能够防止在TFT中发生光漏电流。

Description

电光装置和电子机器
技术领域
本发明属于有源矩阵驱动方式的液晶装置等的电光装置和具备该电光装置的电子机器的技术领域。
背景技术
至今，我们知道备有夹持液晶等的电光物质的一对基板，和设置在用于将电场加到上述电光物质上的上述一对基板的各个基板上的电极等的电光装置。这里，利用上述电极将电场加到上述电光物质上，适当地改变该电光物质的状态。而且，如果根据这种电光装置，则例如将从光源发出的光等入射到该装置，并且如果如上所述适当地改变电光物质的状态，则可以控制该光的透过率，可以进行图象显示。
而且，我们知道在这种电光装置中，在上述一对基板的一方上，备有矩阵状配列的象素电极作为上述电极，并且备有与该象素电极的各个电极连接的薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下为了简便起见，称为“TFT” )，和与各个该TFT连接，分别与行和列方向平行设置的扫描线和数据线等，可以进行所谓的有源矩阵驱动。因此，对于上述象素电极，或者由上述扫描线和上述数据线划出的一个一个的象素中的每一个，可以控制加在上述电光物质上的电压。
又，在上述电光装置中，一般备有可以显示更高品质的图象的上述以外的种种构成。例如，具有代表性的是，设置由上述象素电极和与上述TFT连接的象素电位侧电容电极，和通过电介质膜与该电极相对配置的固定电位侧电容电极构成的存储电容。利用它使加在电光物质上的电压保持所定的时间。
但是，在已有的电光装置中，存在下列那样的问题。即，在上述那样的电光装置中，为了可以显示更明亮的图象，一般希望通过使上述扫描线和上述数据线，或者上述存储电容等在基板上占据的面积更小，使在各象素中作为由于透过或反射实际对图象显示有贡献的光射出的区域的光透过区域更大，来提高孔径率。此外，这里所谓的“孔径率”指的是占据的光透过区域与一个象素的全部区域的比率。此外，为了达到节省功率等的目的，同时要求电光装置的高精细化或小型化。从这种观点出发，一般要求必须微细地形成上述各种构成要素等。
这里特别成为问题的是必须使上述存储电容窄小化这一点。当通过窄幅地形成构成该存储电容的各电极实现这种窄小化时，导致该各电极的高电阻化，在最坏的情形中，会产生串扰和烧蚀等。此外，在已有技术中，构成存储电容的上述象素电位侧电容电极一般例如是由多晶硅和硅化钨(WSi)等形成的，但是这些材料决不能说是低电阻的，所以使上述问题变得更加严重。
又，如上所述为了达到各种构成要素微细化·窄小化的目的，也必须对到上述TFT的光入射给予充分地注意。所以这样说是因为当光入射到构成TFT的半导体层的沟道区域时，会发生光漏电流，因此在图象上产生闪烁等，导致图象品质下降。尤其是当将上述电光装置用作投射型显示装置中的光阀时，一般地说，特别存在着因为将从非常强的光源发出的光入射到该光阀上，所以进一步增加了光入射到TFT上的担心这样的问题。
在已有技术中，为了防止光入射到这种TFT上，采取在上述一对基板中不备有TFT等的基板一侧上设置遮光层的方法。但是，在这种方法中，存在着因为该遮光层与TFT的距离比较大，所以不能期望得到对于斜入射光的有效的遮光功能这样的问题。为了对付这个问题，不得不考虑宽幅地形成遮光层，但是这导致孔径率下降，几乎不可能满足上述一般的要求或解决上述课题。
又，作为防止光入射到TFT上的方法，除了上述方法外，已经提出了将上述数据线用作遮光层的方法。可是，在这种方法中，为了尽可能地减少信号传输的损失，一般用低电阻的材料，例如Al等构成数据线，从而产生具有高光反射率的问题。即，如果用这种方法，则即便能够确实地遮住直接入射到数据线的入射侧面上的光，也要考虑由于从数据线反射的反射光成为杂散光，或者从该数据线的另一面反射的光成为杂散光等，最终达到TFT的这种事态。
此外，在这种方法，也存在着为了提高遮光功能，增大数据线宽度，与上述遮光层同样地导致孔径率下降的问题，鉴于上述杂散光的问题，由于相反地增大了杂散光量，对于防止发生光漏电流来说很可能产生相反的效果。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题提出来的，本发明的课题是提供一面能够防止发生由存储电容窄小化引起的串扰和烧蚀等，并且也能够防止在TFT中发生光漏电流，一面能够满足提高孔径率等的一般要求的电光装置和具备该电光装置的电子机器。
本发明的电光装置是在基板上，备有扫描线，数据线，对应地配置在上述扫描线与上述数据线的交叉部分的薄膜晶体管，对应地配置在上述薄膜晶体管上的象素电极，与上述象素电极电连接，构成存储电容的象素电位侧电容电极，通过电介质膜与该象素电位侧电容电极相对配置，构成上述存储电容的固定电位侧电容电极，和设置在上述薄膜晶体管下侧，遮蔽对该薄膜晶体管的至少沟道区域的光入射的下侧遮光膜，其中上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极电连接，上述下侧遮光膜构成将上述固定电位侧电容电极维持在固定电位的电容线的至少一部分或该电容线的冗长配线。
如果根据本发明的电光装置，则通过扫描线和数据线将扫描信号和图象信号供给薄膜晶体管，能够用有源矩阵驱动，驱动象素电极。这里，因为与象素电位侧电容电极和固定电位侧电容电极相对配置的存储电容与象素电极连接，所以能够在象素电极上长期保持写入的图象信号电压。
又，通过在薄膜晶体管下侧，备有遮蔽入射到该薄膜晶体管的光的下侧遮光膜，能够防止对构成该薄膜晶体管的半导体层，特别是它的沟道区域的光入射于未然，从而能够极力防止发生光漏电流。
而且特别是，在本发明中，通过上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极电连接，并且上述下侧遮光膜构成将上述固定电位侧电容电极维持在固定电位的电容线的至少一部分或该电容线的冗长配线，不会导致该电容线的高电阻化。这是因为通过下侧遮光膜和固定电位侧电容电极的电连接，下侧遮光膜还可以作为固定电位侧电容电极或电容线发挥功能。即，如果根据本发明，则即便当由于裂纹等使电容线破损时，因为下侧遮光膜也继续起着作为电容线的功能，所以可以减少对装置全体工作造成障碍的可能性。
此外，在所谓的“将上述固定电位侧电容电极维持在固定电位的电容线”的情形中，这个“固定电位侧电容电极”既可以构成“电容线”的一部分，又可以看作从“电容线”延伸设置的连接部分。
这种情况特别是当作为用于电容线的材料，由传统上使用的高熔点金属，例如白金，镣，Ti(钛)，Cr(铬)，W(钨)，Ta(钽)，Mo(钼)等的金属单体，合金，金属硅化物，多晶硅化物，和它们的沉积层等构成时，就更加合适，因此在这种情形中，能够更有效地发挥本发明的作用效果。所以这样说是因为当利用上述各种材料时，作用于电容线内部的收缩力或压缩力变得比较大。
但是，当用低温过程制造与本发明有关的电光装置时，也可以用Al(Al)构成电容线。
又，本发明对于实现电容线的窄小化，即存储电容的窄小化，因此造成的孔径率的提高，或电光装置的高度精细化等也是有益的，这是很清楚的。因为，即便使电容线的窄小化，通过下侧遮光膜同时起着作为电容线的功能，也不会导致该电容线的高电阻化。相反地可以说，如果根据本发明，则意味着能够容易地实现提高孔径率或电光装置的高度精细化等。又，通过这样做，可以防止发生成为已有问题的，由电容线的高电阻化引起的串扰和烧蚀等。
进一步，如果根据本发明，则因为下侧遮光膜和包含固定电位侧电容电极的电容线具有上述那样的冗长关系，所以可以提高装置全体的可靠性。
此外，在本发明中，因为下侧遮光膜，如上所述，同时具有防止对薄膜晶体管的光入射的作用，和代替固定电位侧电容电极具有的功能的作用，所以不需要为了防止对薄膜晶体管的光入射的作用，设置一个部件，为了上述代替作用，设置别的部件等那样的构成，从而也可以得到有益于降低制造成本，或提高装置的可靠性等的效果。
在本发明的电光装置的一个样态中，上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极通过设置在存在于该下侧遮光膜和该固定电位侧电容电极之间的层间绝缘膜中的第1接触孔电连接。
如果根据这个样态，则可以比较容易地实现下侧遮光膜和固定电位侧电容电极之间的电连接。
在这个样态中，最好将上述第1接触孔配置在上述数据线的下方。
如果根据这样的构成，则通过使第1接触孔位于数据线的下方，可以提高孔径率。即，一般地说，在具有上述那样构成的电光装置中，数据线成为规定非开孔区域的部件，但是如果在这样的非开孔区域内设置上述第1接触孔，则因为不会导致发生该非开孔区域的新增大那样的事态，所以尽管设置了第1接触孔，但是结果也可以提高孔径率。
在本发明的电光装置的其它样态中，上述固定电位侧电容电极和上述下侧遮光膜中的至少一方在上述基板上形成岛状。
如果根据这个样态，更具体地说，如果取固定电位侧电容电极为例，则当矩阵状地存在着多个上述象素电极时，例如，以由一个该象素电极规定的一个象素为单位，存在着岛状的固定电位侧电容电极。结果，固定电位侧电容电极由于它内部发生的应力容易受到破坏。这可以从考虑如果假定地设想在基板的整个面上较好地形成固定电位侧电容电极那样的极限情况，则在这样的固定电位侧电容电极内部具有非常大的应力使该固定电位侧电容电极自身破损，又，该应力使设置在该固定电位侧电容电极外的其它构成(例如，层间绝缘膜等)破损等的事态了解到。如果根据本样态，则通过使固定电位侧电容电极形成岛状，与上述那种情形比较，能够考虑分散了内部应力，从而可以防止上述那样的破损等于未然。顺便地说，在使下侧遮光膜形成岛状的情形中，当然也能够产生这种优点。
此外，在上面的述说中，我们谈到了以一个象素为单位的岛状，但是本发明不只限定于这种形态。例如，也可以存在当在基板上，想象地设定如左(或上)半平面和右(或下)半平面那样的两个具有比较大面积的区域，使固定电位侧电容电极在上述这两个区域中形成岛状时，即，固定电位侧电容电极与这两个区域中的一个电连接，但是与这两个区域中的另一个之间不形成电连接的情形。此外，也存在着种种形成方法，这是不言而喻的。不管怎么样，如果形成这样的岛状，则能够与它相应地实现与上述那样的本样态有关的作用效果。
在这个样态中特别是，当矩阵状地存在着多个上述象素电极时，最好使上述岛状的固定电位侧电容电极或下侧遮光膜的各个边缘部分的位置处于各象素电极具有的宽度的中间。
如果根据这样的构成，则这里如果以固定电位侧电容电极为例(下面，在说明关于“岛状”的各种样态中，以“固定电位侧电容电极”为例进行说明。)，则通过使上述岛状的固定电位侧电容电极的各个边缘部分的位置处于各象素电极具有的宽度的中间，即象素的宽度的中间，可以有效地形成固定电位侧电容电极，进而有效地形成存储电容。
如果根据这样的构成，则能够更确实地享受上述应力分散的作用效果。这是因为岛状的固定电位侧电容电极的各个边缘部分的位置处于象素电极具有的宽度的中间，一般地说，由于这些岛状的各固定电位侧电容电极全都可以具有大致同样的形状，或者可以是平衡很好的配置等，这些电极中内在的应力对设置在该电极外的其它构成或电光装置全体的影响可以是均等的或者很好平衡的。即，如果根据这本构成，则在电光装置内，因为不会产生惹起应力极端集中的地方，所以能够更确实地享受上述作用效果。
此外，所谓上述的“象素电极具有的宽度的中间” 中的“中间”并不意味着只是严格意义上的“中间”或者“象素电极具有的宽度的1/2” 等。不用说，当然也包含这样的情况，但是例如说，即便上述边缘部分位于从“真正的中间位置”有若干偏离的位置上，也能够大致同样地达到上述作用效果。
需要时，上述的“中间”可以与“大致中间”的意义符合。这时，所谓的“大致”由象素电极，薄膜晶体管等的形成样态或配置样态等具体决定，它的本质不过是设计上能够适当决定而已。
又，最好上述边缘部分具有位于象素电极具有的宽度中间的构成，进一步，上述数据线穿过邻接的上述象素电极间的大致中间延伸，当平面地观看各个上述岛状的固定电位侧电容电极或下侧遮光膜时，它们具有夹着上述数据线的线对称形状。
如果根据这种构成，则因为当平面地观看时，各个岛状的固定电位侧电容电极具有夹着上述数据线的线对称形状，所以在基板上的整个面，能够实现具有几乎同样的并且线对称的形状的固定电位侧电容电极的设计。因此，即便在组合液晶旋转方向不同的电光装置进行图象显示的复板式投影仪装置中采用与本构成有关的电光装置，也不会产生由颜色不均匀等引起的画质恶化。又，线对称地形成固定电位侧电容电极，结果也可以将存储电容设计成对于数据线线对称的图案。
此外，上述的“线对称”的形状，具体地说例如与T字型和十字型等相当，所谓的“夹着上述数据线的线对称”相当于该数据线与T字型和十字型等的纵竖一致的情形。
又，在上述固定电位侧电容电极和上述下侧遮光膜中至少一方形成岛状的样态(包含它的各种样态)中，从上述边缘部分观看时在包含该边缘部分的上述固定电位侧电容电极或上述下侧遮光膜的外部位置中，最好进一步备有连接上述薄膜晶体管和上述象素电极的第2接触孔。
如果根据这种构成，则能够更有效地实现与上述分散应力有关的作用效果。这是以下列情况为基础的。
即，在本样态中，在连接薄膜晶体管和象素电极的第2接触孔中，一般地说，最容易产生在上述固定电位侧电容电极中内在的应力的影响(即，最容易产生该应力的释放)，所以容易发生以该第2接触孔为基点的裂纹等。
然而，在本构成中，从上述边缘部分观看时因为在上述固定电位侧电容电极或上述下侧遮光膜的外部位置中，存在上述那样的第2接触孔，所以出现这种应力的影响难以达到该第2接触孔的状况。即，在本构成中，能够防止由电容线或固定电位侧电容电极的应力产生的影响，具体地说，能够防止发生以第2接触孔为基点的裂纹等。
进一步，在上述固定电位侧电容电极和下侧遮光膜中至少一方形成岛状的样态(包含它的各种样态)中，从上述边缘部分观看时在包含该边缘部分的上述固定电位侧电容电极或上述下侧遮光膜的外部位置中，最好进一步备有连接上述薄膜晶体管和上述数据线的第3接触孔。
如果根据这种构成，则能够实现与关于备有上述第2接触孔的构成所述的作用效果大致相同的作用效果。
在本发明的电光装置的其它样态中，上述存储电容在构成上述薄膜晶体管的沟道区域和上述数据线之间，并且，通过层间绝缘膜与各个该沟道区域和该数据线一起进行配置。
如果根据这个样态，则例如，设想在基板上，以从下而上的顺序，具有薄膜晶体管的沟道区域，层间绝缘膜，存储电容，层间绝缘膜和数据线这样的层积构造。这时，当数据线例如由Al膜等的高反射膜形成时，如已经述说的那样，在该数据线里面反射的光成为杂散光，恐怕会入射到薄膜晶体管，特别是沟道区域，但是因为在该数据线的下方存在着由固定电位侧电容电极，电介质膜和象素电位侧电容电极构成的存储电容，所以因此可以遮蔽上述光。即，如果根据本样态，则可以有效地防止在薄膜晶体管中发生光漏电流。
在本发明的电光装置的其它样态中，通过层间绝缘膜将上述存储电容配置在上述扫描线的上方。
如果根据这个样态，则从平面观看时能够使存储电容和扫描线重合。因此，可以大幅度地提高孔径率，并且可以确保足够的存储电容。
在本发明的电光装置的其它样态中，与构成上述薄膜晶体管的漏区电连接的漏极兼而用作构成上述存储电容的上述象素电位侧电容电极。
如果根据这个样态，则为了构成形成存储电容的象素电位侧电容电极，不需要别的特别的材料。从而，可以与此相应地，降低制造成本。
在本发明的电光装置的其它样态中，上述固定电位侧电容电极由具有遮光性的材料构成。
如果根据这个样态，则因为固定电位侧电容电极具有遮光性，所以除了上述下侧遮光膜外，可以实施作为防止对薄膜晶体管的光入射的上侧遮光膜的功能。
此外，作为这种材料，例如，可以用已经述说的，Al，Ti，Cr，W，Ta，Mo等的金属单体，合金，金属硅化物，多晶硅化物，和它们的沉积层等。
又，在本样态中，特别是通过以与数据线宽度相同的宽度形成构成沿数据线方向的存储电容的各电极的宽度，可以有效地防止在数据线里面反射的杂散光照射到沟道区域。
在本发明的电光装置的其它样态中，上述下侧遮光膜位于上述扫描线的下方，并且，沿该扫描线的方向延伸设置，在上述数据线的方向上突出。
如果根据这个样态，则可以适当地配置下侧遮光膜。特别是，因为与本样态有关的下侧遮光膜在上述数据线的方向上突出，所以可以适当地决定上述第1接触孔的配置，也可以适当地决定装置全体的设计。
在本发明的电光装置的其它样态中，上述下侧遮光膜位于上述扫描线和上述数据线的下方，并且，沿该扫描线和该数据线格子状地进行配设。
如果根据这个样态，则可以进一步增加对于固定电位侧电容电极的下侧遮光膜的冗长性。即，如上所述，当在固定电位侧电容电极或电容线中发生裂纹等，下侧遮光膜发挥它的代替作用时，即便在该下侧遮光膜的一部分中发生任何不适合的情况，因为该下侧遮光膜位于上述扫描线和上述数据线的下方，并且，沿该扫描线和该数据线格子状地进行配设，所以由于存在着许多它的电传导路径，能够更确实地实现上述作用效果。
在本发明的电光装置的其它样态中，上述下侧遮光膜位于图象显示区域的外侧与定电位源连接。
如果根据这个样态，则下侧遮光膜起着向固定电位侧电容电极供给定电位的，可以说是馈线的作用。如上所述，这只不过是以下侧遮光膜与固定电位侧电容电极电连接为基础。这样，如果使固定电位侧电容电极处于固定电位，则能够达到使存储电容等稳定化的目的，又，如果使下侧遮光膜处于固定电位，则几乎不需要担心当该膜的电位变动时给予薄膜晶体管的恶劣影响。
此外，这里所述的“图象显示区域”指的是在基板上的实际能够透过显示图象所必需的光的区域，具体地说，指的是由于存在上述薄膜晶体管，象素电极，扫描线和数据线等而被规定的区域。更具体地说或实际上，当假定在基板上设置画框状的遮光膜时，规定该图象显示区域为该画框状的遮光膜内侧的区域。
在本样态中特别是，最好上述定电位源是由向用于驱动上述数据线的数据线驱动电路供给定电位的定电位源，向用于驱动上述扫描线的扫描线驱动电路供给定电位的定电位源，和向设置在与上述基板相对配置的对置基板上的对置电极供给定电位的定电位源中的任何一个构成的。
与这种构成有关的上述各种定电位源是通常需要的用于驱动与本发明有关的电光装置的定电位源，所以，通常设置在该电光装置中。而且，在本构成中，使用于向上述下侧遮光膜，进而固定电位侧电容电极供给定电位的定电位源与上述各种定电位源中的任何一个共用。
所以，如果根据本构成，不需要设置对于下侧遮光膜或固定电位侧电容电极的专用的定电位源，从而，可以与此相应地降低制造成本，又，也可以使装置构造简略化。
本发明的第2电光装置，在基板上，备有扫描线，数据线，对应地配置在上述扫描线和上述数据线的交叉部分的薄膜晶体管，对应地配置在上述薄膜晶体管上的象素电极，与上述象素电极电连接，构成存储电容的象素电位侧电容电极，通过电介质膜与该象素电位侧电容电极相对配置，构成上述存储电容的固定电位侧电容电极，和设置在上述薄膜晶体管下侧，遮蔽对该上述薄膜晶体管的至少沟道区域的光入射的下侧遮光膜，其中上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极电连接，上述下侧遮光膜构成将上述固定电位侧电容电极维持在固定电位的电容线的至少一部分或该电容线的冗长配线，并且上述固定电位侧电容电极形成岛状，该岛状的固定电位侧电容电极的平面的外形形状是由配置在它外侧的，将构成薄膜晶体管的半导体层和上述数据线之间电连接起来的接触孔，和将上述象素电极和上述象素电位侧电容电极之间电连接起来的接触孔规定的。
如果根据本发明的第2电光装置，则通过将固定电位侧电容电极或电容线和下侧遮光膜电连接起来，两者具有冗长关系，即便在前者发生裂纹等，后者也能够起到作为固定电位侧电容电极或电容线的功能。又，可以说，通过上述固定电位侧电容电极形成岛状，可以分散该固定电位侧电容电极或电容线中的内在应力。进一步，该岛状的固定电位侧电容电极的平面的外形形状是由最容易产生上述应力释放的接触孔，从它的外侧规定的，即岛状的固定电位侧电容电极，由于在它的边缘部分不包含该接触孔，出现这种应力的影响难以达到上述接触孔的状况，从而能够防止发生以该接触孔为基点的裂纹等于未然。
此外，作为与本发明有关的固定电位侧电容电极的具体样态，例如，当设想矩阵状地配列上述象素电极，并且使上述扫描线在该矩阵的行方向延伸，使上述数据线在列方向延伸的情形时，首先，将上述半导体层和上述“数据线”之间电连接起来的接触孔位于列方向中的许多点上。另一方面，将象素电极和上述象素电位侧电容电极之间电连接起来的接触孔可以位于沿上述扫描线的许多点上。所以，在这种情形中，可以认为平面地观看岛状的固定电位侧电容电极时的外形形状是由位于列方向中的点上的两个接触孔和位于行方向中的点上的两个接触孔规定的。
而且，这时进一步，因为能够考虑固定电位侧电容电极的一部分在扫描线方向上延伸，另一部分在数据线方向上延伸那样的形状，所以，作为该岛状的固定电位侧电容电极的具体样态，可以保持大致T字型或大致十字型的外形形状。
本发明的电子机器具备上述的本发明的电光装置(但是，包含它的各种样态)。
如果根据本发明的电子机器，则如上所述，固定电位侧电容电极和下侧遮光膜具有冗长关系，即便固定电位侧电容电极上产生什么不合适的情况，因为具备可以使没有问题的装置继续工作的电光装置，所以可以提高装置全体的可靠性，能够实现例如，液晶投影仪，液晶电视，便携式电话，电子记事本，文字处理机，寻象器型或监视器直视型的视频磁带记录器，工作台，电视电话，POS终端，触摸屏等各种电子机器。
本发明的这种作用及其好处可以从后述的实施形态中清楚地显示出来。
附图的简单说明
图1是表示设置在构成本发明的实施形态的电光装置中的图象显示区域的矩阵状的多个象素上的各种元件，配线等的等效电路的电路图。
图2是形成本发明的实施形态的电光装置中的数据线，扫描线，象素电极等的TFT阵列基板的相邻连接的多个象素组的平面图。
图3是图2的A-A′截面图。
图4是图2的B-B′截面图。
图5是表示电容电极的形成图案的一个样态的平面图。
图6是表示电容电极的形成图案的其它样态的平面图。
图7是从对置基板一侧观看本发明的实施形态的电光装置中的TFT阵列基板以及在它上面形成的各构成要素的平面图。
图8是图7的H-H′截面图。
图9是表示作为本发明的电子机器的实施形态的投射型彩色显示装置的一个例子的彩色液晶投影仪的图式截面图。
标号说明
1a......半导体层
1a′......沟道区域
1b......低浓度源区
1c......低浓度漏区
1d......高浓度源区
1e......高浓度漏区
3a......扫描线
6a......数据线
9a......象素电极
10......TFT阵列基板
10a......图象显示区域
11a......下侧遮光膜
30......TFT
70......存储电容
71......中继线
75......电介质膜
81，83，85......接触孔
300......电容电极
501......接触孔
发明的具体实施方式
下面，我们参照附图说明本发明的实施形态。下面的实施形态将本发明的电光装置应用于液晶装置。
首先，我们参照图1到图4说明本发明的实施形态中的电光装置的象素部分的构成。这里，图1是在构成电光装置的图象显示区域的矩阵状中形成的多个象素中的各种元件，配线等的等效电路。图2是形成数据线，扫描线，象素电极等的TFT阵列基板的相邻连接的多个象素组的平面图。而且，图3和图4是图2的A-A′截面图和B-B′截面图。此外，在图3和图4中，因为使各层·各部件具有在图面上可以认识那样的大小，所以对于该各层·各部件中的每一个，比例尺都是不同的。
在图1中，在构成本实施形态中的电光装置的图象显示区域的矩阵状中形成的多个象素上，分别形成象素电极9a和用于开关控制该象素电极9a的TFT30，被供给图象信号的数据线6a与该TFT30的源极电连接。也可以将写入数据线6a的图象信号S1，S2，......，Sn以这个顺序供给线序列，也可以一个组一个组地供给相邻接的多条数据线6a。
又，扫描线3a与TFT30的栅极电连接，在所定的定时，脉冲地将扫描信号G1，G2，......，Gm以这个顺序以线序列加到扫描线3a上。象素电极9a与TFT30的漏极电连接，通过使作为开关元件的TFT30只接通一定的期间，在所定的定时写入从数据线6a供给的图象信号S1，S2，......，Sn。
使通过象素电极9a写入作为电光物质的一个例子的液晶的所定电平的图象信号S1，S2，......，Sn在与对置基板上形成的对置电极之间保持一定期间。液晶，通过由所加电压电平改变分子集合的取向和有序状态，对光进行调制，可以实施色调显示。如果是正常的白色模式，则以各象素为单位与所加的电压相对应减少入射光的透过率，如果是正常的黑色模式，则以各象素为单位与所加的电压相对应增加入射光的透过率，从作为整体的电光装置射出具有与图象信号对应的对比度的光。
这里为了防止保持的图象信号泄漏，与在象素电极9a和对置电极之间形成的液晶电容并联地附加存储电容70。这个存储电容70，在图1中，备有以具有构成该存储电容70的一个电极的固定电位侧电容电极300并且与它电连接的是下侧遮光膜11a为特征的构成，但是我们将在后面详细述说这一点。
下面，我们参照图2，图3和图4说明由上述数据线6a，扫描线3a，TFT30等实现上述那样的电路工作的电光装置的更具体的构成。
首先，与本实施形态有关的电光装置，如作为图2的A-A′截面图的图3所示，备有构成有源矩阵基板的TFT阵列基板10和与它相对配置的透明的对置基板20。TFT阵列基板10，例如，由石英基板，玻璃基板，硅基板构成，对置基板20例如由玻璃基板和石英基板构成。
如图3所示，在TFT阵列基板10上设置象素电极9a，在它的上侧设置实施了摩擦处理等的所定的取向处理的取向膜16。象素电极9a例如由ITO(Indium Tin Oxide(铟锡氧化物))膜等的透明导电性膜构成。
另一方面，在对置基板20上设置到达它的整个面的对置电极，在它的下侧设置实施了摩擦处理等的所定的取向处理的取向膜22。对置电极21例如由ITO膜等的透明导电性膜构成。此外，为了规定开孔区域(即，为了与矩阵状配列的象素电极9a(请参照图2)对应)，在对置基板20和对置电极21之间，设置具有格子状图案的对置基板侧遮光膜23。
另一方面，在图2中，在电光装置的TFT阵列基板10上矩阵状地设置多个象素电极9a(由虚线部分9a′表示其轮廓)，分别沿象素电极9a的纵横边界设置数据线6a和扫描线3a。
扫描线3a与半导体1a中的图2中右上方的斜线区域所示的沟道区域1a′相对地配置，扫描线3a具有作为栅极的功能。即，在扫描线3a和数据线6a交叉的地方，分别设置使扫描线3a的主线部分作为栅极与沟道区域1a′相对配置的用于象素开关的TFT30。
TFT30，如图3所示，具有LDD(Lightly Doped Drain(光掺杂漏极))构造，作为它的构成要素，备有如上所述具有作为栅极的功能的扫描线3a，例如通过来自由多晶硅膜构成的扫描线3a的电场，形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a′，包含使扫描线3a和半导体层1a绝缘的栅极绝缘膜的绝缘膜2，在半导体层1a中的低浓度源区1b和低浓度漏区1c以及高浓度源区1d和高浓度漏区1e。
此外，TFT30最好如图3所示地具有LDD构造，但是也可以具有在低浓度源区1b和低浓度漏区1c中不注入杂质的补偿构造，也可以是将由扫描线3a的一部分构成的栅极作为掩模注入高浓度的杂质，自调节地形成高浓度源区和高浓度漏区的自调节型TFT。又，在本实施形态中，形成在高浓度源区1d和高浓度漏区1e之间只配置1个用于象素开关的TFT30的栅极的单栅极构造，但是也可以在它们之间配置2个以上的栅极。这样，如果构成双栅极或三栅极以上的TFT，则能够防止沟道与源极和漏极区域的接合部分的漏电流，能够减少断开时的电流。进一步，构成TFT30的半导体层1a既可以是非单晶层也可以是单晶层。为了形成单晶层能够用粘合法等众所周知的方法。通过使半导体层1a为单晶层，特别能够达到使周围电路高性能化的目的。
另一方面，图3和图4中，通过电介质膜75使作为与TFT30的高浓度漏区1e和象素电极9a连接的象素电位侧电容电极的中继层71，和固定电位侧电容电极300(以下，简单地称为“电容电极300”)相对配置，形成存储电容70。如果用这个存储电容70，则可以显著地提高在象素电极9a中的电位保持特性。
中继层71例如具有作为由导电性的多晶硅膜构成的象素电位侧电容电极的功能。但是，中继层71也可以由含有金属或合金的单层膜或多层膜构成。又，中继层71除了具有作为象素电位侧电容电极的功能外，还具有通过接触孔83和85，与象素电极9a和TFT30的高浓度漏区1e中继连接的功能。如果从别的观点来看这种构造，则我们明白与高浓度漏区1e电连接的漏极兼而用作中继层71或象素电位侧电容电极(请参照图3)。
从而，在本实施形态中，因为为了形成象素电位侧电容电极，不需要设置特别的材料，所以可以与此相应地降低制造成本。又，如果利用这种中继层71，则层间距离例如即便长到约2000nm，也能够一面避免两者之间用1个接触孔连接的技术上的困难性，一面用直径比较小的2个以上的串联的接触孔在两者之间实施良好的连接，可以提高象素孔径率。又，也起着防止接触孔开孔时发生刻蚀穿透的作用。
电介质膜75例如膜厚约5～200nm比较薄，由至少包含TaOx(氧化钽)，BST(钛酸锶钡)，PZT(钛酸锆酸盐)，TiO2(氧化钛)，ZiO2(氧化锆)，HfO2(氧化铪)，SiO2(氧化硅)，SiON(氧氮化硅)和SiN(氮化硅)中的一个的绝缘膜构成。特别是，如果使用TaOx，BST，PZT，TiO2，ZiO2和HfO2这种高介电常数的材料，则能够在有限的基板上的区域中增大电容值。
或者，如果使用SiO2(氧化硅)，SiON(氧氮化硅)和SiN(氮化硅)这种含有硅的材料，则能够减少在含有硅的半导体层1a与第1层间绝缘膜41等的层间绝缘膜之间发生的应力。
此外，作为电介质膜75，也可以由HTO(High Temperature Oxide(高温氧化物))膜，LTO(Low Temperature Oxide(低温氧化物))膜等的氧化硅膜，或氮化硅膜等构成。不管用哪个膜，从增大存储电容70的观点出发，只要能够得到足够的膜的可靠性，电介质膜75最好尽可能地薄。
而且在本实施形态中特别是，电容电极300的形态具有种种特征。我们顺次地说明如下。
首先，这个电容电极300，如能够从图2的平面图看到的那样，与TFT30点分布所在的地方，即矩阵的交点相对应地形成岛状，它们的一个一个的形状分别具有大致的十字型。
现在，当我们着眼于其中的一个电容电极300时，该电容电极300的图2中的x方向与扫描线3a重合地形成，图2中的y方向与数据线6a重合地形成。更详细地说，与扫描线3a重合地形成的电容电极300的x方向部分以数据线6a为中心只延伸相同的长度，与数据线6a重合地形成的上述y方向部分以扫描线3a为中心，使图2中的上方向部分比下方向部分长地形成。需要时，在本实施形态中的电容电极300具有对于数据线6a的线对称的形状。
此外，在本实施形态中，由于电容电极300具有上述那样的形状，附设在各个象素电极9a中的存储电容70也具有对于数据线6a的线对称的形状。由于这种形状，存储电容70，尽管只利用非开孔区域形成，但是也可以具有比较大的电容量。即，这种存储电容70具有卓越的电位保持特性，结果能够提高图象的质量。
又，形成岛状的各电容电极300的边缘部分，如能够从图2看到的那样，与接触孔81的形成位置对应。即，与该接触孔81在图中稍稍上面部分形成相对应，该岛状的边缘部分的位置也在稍稍上面部分。顺便地说，接触孔81，如图3所示，是为了电连接TFT30的高浓度源区1d和数据线6a而设置的，相当于本发明中称为“第2接触孔”的一个例子。
又，在扫描线3a方向的上述边缘部分中，如图2所示，也形成接触孔85。这个接触孔85，如图3所示，是为了电连接中继层71和象素电极9a而设置的。而且，该接触孔85相当于本发明中称为“第3接触孔”的一个例子。
需要时，在本实施形态中，作为电容电极300的外形形状的，该电容电极300的边缘部分的位置处于各象素电极9a具有的宽度的大致中间，并且从该边缘部分观看时在包含该边缘部分的电容电极300的外部位置上，设置连接TFT30与数据线6a的接触孔81，和连接与TFT30电连接的中继层71和象素电极9a的接触孔85。这里，请注意当提到“象素电极9a具有的宽度”时，我们意味着图2中象素电极9a的x方向的长度，或者它的y方向的长度两者。
另一方面，从截面观看上述那样的电容电极300的构造，如图3和图4清楚显示的那样，使包含电容电极300的存储电容70，如图3所示，通过TFT30的第1层间绝缘膜41位于沟道区域1a′的上侧，并且通过第2层间绝缘膜42位于数据线6a的下侧那样地进行设置。即，存储电容70位于沟道区域1a′和数据线6a之间，并且通过各个该沟道区域1a′和该数据线6a以及第1和第2层间绝缘膜41和42进行配置。
通过这样的构成，在已有技术中，在数据线6a的里面反射的光成为杂散光，恐怕会入射到TFT30的沟道区域1a′，但是在本实施形态中，该杂散光由于存在存储电容70它的行进被遮挡。所以，如果根据本实施形态，则可以有效地防止在TFT30中发生光漏电流。
此外，因为有效地担负上述那样的功能，所以电容电极300最好由具有光反射性，或光吸收性等其它一般的遮光性能的材料构成。更具体地说，例如，当由高温过程进行制造时，最好是用包含Ti，Cr，W，Ta，Mo，Pd等的高融点中的至少一个的金属单体，合金，金属硅化物，多晶硅化物，和它们的沉积层。另一方面，当由在400℃附近的低温过程进行制造时，最好用Al等。但是，本发明不限定于由这种材料构成电容电极300的形态，更一般地说，电容电极300可以是能够作为存储电容70的一个电极实施功能，例如具有包含金属或合金的导电性的电极。
又，当使存储电容70具有上述那样的遮光功能时特别是，可以使构成沿数据线6a方向的存储电容70的电容电极300和作为象素电位侧电容电极的中继层71层的宽度与该数据线6a的宽度相同或较宽地形成。如果这样做，则可以有效地防止在数据线6a的里面反射的杂散光照射在TFT30的沟道区域1a′上。
这样，在本实施形态中特别是，上述那样的电容电极300，如图4所示，通过作为本发明中称为“第1接触孔”的一个例子的接触孔501，与设置在TFT30下侧的下侧遮光膜11a电连接。
这里，接触孔501，如图4所示，贯通后述的第1层间绝缘膜41和基底绝缘膜12那样地进行设置。又，如图2所示，当平面地观看时，在与上述电容电极300的数据线6a方向有关的边缘部分中，在大致对应的位置上形成接触孔501。进一步，如图2和图4所示，直接在数据线6 a的下面形成这个接触孔501。因此，因为接触孔501存在于由数据线6a规定的非开孔区域内，所以能够进一步提高孔径率。
此外，如图2所示，这个接触孔501，它的整体形状为大致圆柱形状，与整体形状为大致四角柱形状的接触孔81，83和85等不同。如后面所述，当电容电极300中内在的应力影响接触孔501时，它发挥出降低这种影响程度的效果。即，如果假定接触孔501具有与接触孔81，83和85同样的大致四角形状，则要担心在这个截面角部分会产生应力集中，但是在本实施形态中，这样的担心没有必要的。
另一方面，上述下侧遮光膜11a是设置在TFT30的下侧，起着防止光入射到该TFT30的作用的部件。这个下侧遮光膜11a至少沿扫描线3a的方向直到图象显示区域外侧地延伸设置。这时，直接在数据线6a下面，为了通过接触孔510与电容电极300电连接，最好沿数据线6a的方向突出下侧遮光膜11a。又，如图2所示，通过沿扫描线3a和数据线6a格子状地配设下侧遮光膜11a，容易实现起着作为电容线的功能的下侧遮光膜11a的低电阻化和冗长构造。
又，从配置了象素电极9a的图象显示区域10a向它的周围延伸设置上述下侧遮光膜11a，通过与定电位源连接使下侧遮光膜11a具有固定电位。此外，因此，与该下侧遮光膜11a电连接的电容电极300也具有固定电位。这样，如果使下侧遮光膜11a和电容电极300具有固定电位，则能够防止由于它们的电位变动对TFT30和存储电容70给予恶劣影响于未然。
顺便地说，作为用于供给固定电位的定电位源，既可以是向后述的数据线驱动电路或扫描线驱动电路供给正电源和负电源的定电位源，也可以是用于向对置基板20的对置电极21供给定电位而设置的定电位源等。这样，通过共用定电位源，可以与此相应地降低制造成本，又，也可以使装置构造简略化。
此外，在本实施形态中，在TFT阵列基板10上，以从下而上的顺序，顺次地层积中继层71，电介质膜75和电容电极300，但是本发明不限定于这种形态。例如，与此相反，即便以电容电极300，电介质膜75和中继层71的顺次进行层积，也能够不受到任何变更地发挥本发明的作用效果，这是不言而喻的。
在图2，图3和图4中，除了上述的以外，在TFT30下面，还设置了基底绝缘膜12。基底绝缘膜12，除了起着使TFT30与下侧遮光膜11a层间绝缘的功能外，通过在TFT阵列基板10的整个面上形成基底绝缘膜12，还具有防止由于对TFT阵列基板10的表面进行研磨时的粗糙度和洗净后残留的污迹等改变用于象素开关的TFT30的特性的功能。
此外，在扫描线3a上形成分别开孔形成通向高浓度源区1d的接触孔81和通向高浓度漏区1e的接触孔83的第1层间绝缘膜41。
此外，如已经述说的那样，在这些基底绝缘膜12和第1层间绝缘膜41中也开孔形成用于电连接下侧遮光膜11a和电容电极300的接触孔501(请参照图4)。
在第1层间绝缘膜41上形成中继层71和电容电极300，在它们上面形成
分别开孔形成通向高浓度源区1d的接触孔81和通向中继层71的接触孔85的第2层间绝缘膜42。
此外，在本实施形态中，通过对第1层间绝缘膜41进行约1000℃的烧结，也可以达到使注入构成半导体层1a和扫描线3a的多晶硅膜中的离子活性化的目的。另一方面，通过对第2层间绝缘膜42进行这样的烧结，也可以达到缓和在电容电极300的界面附近产生的应力的目的。
在第2层间绝缘膜42上形成数据线6a，在它们上面形成具有通向中继层71的接触孔85的第3层间绝缘膜43。通过CMP(ChemicalMechanical Polishing(化学机械抛光))处理等使第3层间绝缘膜43的表面平坦化，减少由在它下方存在的各种配线和元件等产生的段差引起的液晶层50的取向不良。但是，代替这样地对第3层间绝缘膜43实施平坦化处理，又此外，也可以通过在TFT阵列基板10，基底绝缘膜12，第1层间绝缘膜41和第2层间绝缘膜42中的至少一个中挖出沟槽，埋入数据线6a等的配线和TFT30等，实施平坦化。
如果根据具有以上说明的那种构成的本实施形态的电光装置，则通过设置上述那样的电容电极300，能够实现下面所述的作用效果。
即首先，通过接触孔501使电容电极300和下侧遮光膜11a电连接，即便在电容电极300上发生任何不合适的情况，通过下侧遮光膜11a冗长地支持它的功能，也不会对电光装置全体的工作给予恶劣的影响。又，电容电极300和下侧遮光膜11a的电连接可以通过下侧遮光膜11a向电容电极300供给固定电位。
进一步，在本实施形态中，通过格子状地配设下侧遮光膜11a，能够更确实地享受到这种效果。即，我们可以认为能够在该格子状地配设的下侧遮光膜11a中设想许多电传导路径，即便在它的一部分上发生任何不合适的情况，电流流动也很少会被完全遮蔽。但是，本发明不限定于只是格子状地配设下侧遮光膜11a的形态。例如，为了与电容电极300的形状一致，也可以将下侧遮光膜分割成具有大致十字形状的多个部分。即便在这种情形中，如果使构成该下侧遮光膜的各部分与定电位源连接，则可以使与该各部分电连接的电容电极300维持在定电位。
又，在本实施形态中，因为电容电极300如图2所示形成岛状，所以可以分散在电容电极300内发生的应力。
因此，能够防止电容电极300自身的破损和由该应力作用于外部在第2层间绝缘膜42等中引起的破坏于未然。
进一步，关于这一点，在本实施形态中，因为使岛状的各电容电极300的边缘部分的位置处于象素电极9a具有的宽度的中间，并且电容电极300的形状具有夹着数据线6a的线对称，所以即便上述应力作用于外部，也可以认为它在电光装置内部是均等的，进一步因为通过上述电容电极300的边缘部分的位置，换句话说该电容电极300的外形形状从它的外侧由接触孔81和85规定，上述应力的作用难以达到认为容易产生上述应力集中的该接触孔81和85，所以由于这些作用相互结合，能够更确实地享受与上述应力分散有关的作用效果。加之，接触孔501为大致圆柱形状，如已经述说的那样，也使由应力引起破损等的事态难以发生。
此外，因为使由下侧遮光膜11a进行冗长配线的电容电极300形成岛状，所以与越过象素区域形成的固定电位的电容线比较，能够实现下列的作用效果。
当为了使已有的固定电位的电容线能够耐住约1000℃的高温处理，用Cr和W等的高熔点金属时，特别对于层积在上层的绝缘膜产生应力。这是由于在热处理过程中热膨胀率的不同而产生的。而且，当在固定电位的电容线或该电容线附近的其它配线等中形成接触孔时，由于释放应力在电容线中产生裂纹。即，当形成接触孔时进行湿刻蚀处理时，染上刻蚀液，绝缘膜不能够忍耐电容线的应力，在电容线中引起裂纹。这种裂纹有时会使电容线断开，也会对电容线附近的例如栅极配线施加影响。
又，当产生裂纹和绝缘膜结晶性崩溃时，在由NSG膜，BSG膜，BPSG膜构成的绝缘膜等中，水分侵入各膜的界面，成为使晶体管可靠性下降的原因。
所以，因为使固定电位侧电容电极形成岛状，所以固定电位侧电容电极引起的应力降低，能够抑制在电容线中产生裂纹，和由产生裂纹引起的不合适的情况。
此外，在本实施形态中，电容电极300的边缘部分的位置如上所述处于象素电极9a的宽度的大致中间，并且电容电极300的形状为十字形状等，但是本发明不限定于这种实施形态。
作为这种电容电极的其它的具体形态，我们考虑所有的情况，但是只在图5和图6中表示它们的几个例子。
首先，在图5中，虽然在扫描线3a的方向设置了为了避开接触孔85那样的收缩部分，但是电容电极300′具有与图2不同线状连接的形态。又，在数据线6a的方向，与图2相同，避开接触孔81，形成岛状。即，在图5中，形成在x方向延伸的线状的电容电极300′具有在y方向平行地存在的许多形态。所以，在这种形态中，减少了释放接触孔81中的应力的可能性。
此外，在图5中，与这种电容电极300′相对地设置形成岛状的中继层71。更详细地，各个该岛状的中继层71具有由以扫描线3a为中心沿数据线6a的方向延伸的部分和从这个部分在扫描线3a的一个方向上延伸设置的部分构成的形状。即，可以说具有T字横倒那样的形状。在图5中，在电容电极300′中，作为存储电容70实施功能的部分是与这种中继层71对置的部分。
又，在图6中，电容电极300″在扫描线3a和数据线6a中的任何方向上都是分离的，并形成岛状，但是并不是在图2所示的所有的分离地方都实施该分离，即，可以说是进行每个块的分离。在这种形态中，与图2相同，因为将分离位置很好平衡地配置在TFT阵列基板10上，所以可以使由电容电极300″引起的应力对外部的作用均等。
此外，在图6中也设置了形成与图5同样的岛状的中继层71。
(电光装置的全体构成)
下面我们参照图7和图8说明与以上那样地构成的本实施形态有关的电光装置的全体构成。此外，图7是从对置基板20一侧观看TFT阵列基板以及在它上面形成的各构成要素的平面图，图8是图7的H-H′截面图。
在图7和图8中，在与本实施形态有关的电光装置中，相对地配置TFT阵列基板10和对置基板20。在TFT阵列基板10和对置基板20之间，封入液晶层50，TFT阵列基板10和对置基板20通过设置在位于图象显示区域10a周围的密封区域中的密封材料52相互粘合。
密封材料52，用于粘合两块基板，例如是由紫外线硬化树脂，热硬化树脂等构成的，通过紫外线，加热等使它硬化。又，在密封材料52中，如果本实施形态中的液晶装置是用于投影仪那样的小型的进行放大显示的液晶装置，则散布着用于使两块基板之间的距离(基板间的间隙)具有所定值的间隙材料(垫片)。或者，如果该液晶装置是进行液晶显示器和液晶电视那样的大型的等倍数显示的液晶装置，则最好使这种间隙材料包含在液晶层50中。
在密封材料52的外侧的区域中，沿TFT阵列基板10的一边设置用于在所定的定时将图象信号供给各数据线6a的数据线驱动电路101和外部电路连接端子102，沿与上述一边邻接的两边设置用于在所定的定时将扫描信号供给扫描线3a的扫描线驱动电路104。
此外，如果供给扫描线3a的扫描信号的延迟不成为问题，则扫描线驱动电路104也可以只在单侧，这是不言而喻。又，也可以将数据线驱动电路101配列在沿图象显示区域10a的边的两侧。
在TFT阵列基板10的余下一边上，设置用于将设置在图象显示区域10a两侧的扫描线驱动电路104之间连接起来的多条配线105。
又，在对置基板20的角部分的至少一个地方，设置用于在TFT阵列基板10与对置基板20之间实现电导通的导通材料106。而且，如图8所示，将具有与图7所示的密封材料52大致相同轮廓的对置基板20，通过该密封材料52粘合在TFT阵列基板10上。
在图8中，在TFT阵列基板10上，在形成用于象素开关的TFT和扫描线，数据线等的配线后的图象电极9a上，形成取向膜。另一方面，在对置基板20上，除了对置电极21外，在最上层部分形成取向膜。又，液晶层50例如由混合了一种或数种向列的液晶的液晶构成，在这些一对取向膜之间，具有所定的取向状态。
此外，在TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101，扫描线驱动电路104等外，也可以形成由数据线驱动电路101控制的，在所定的定时将相展开的图象信号加到多条数据线6a上的取样电路，将所定电压电平的预充电信号在供给图象信号前分别供给多条数据线6a的预充电电路，和用于检查制造途中和装运时的该电光装置的品质，缺陷等的检查电路等。
(电子机器的实施形态)
其次，我们说明作为将以上详细说明的电光装置用作光阀的电子机器的一个例子的投射型彩色显示装置的实施形态，它的全体构成，特别是光学构成。这里，图9是投射型彩色显示装置的图式截面图。
在图9中，作为本实施形态中的投射型彩色显示装置的一个例子的液晶投影仪1100准备好3个将驱动电路搭载在TFT阵列基板上的电光装置，构成用作各个GRB用的光阀100R，100G和100B的投影仪。在液晶投影仪1100中，当从金属卤化物灯等的白色光源的灯泡装置1102发出投射光时，由3面镜子1106和2面二向色的镜子1108，分成与RGB的三原色对应的光成分R，G和B，将它们分别导入与各色对应的光阀100R，100G和100B。这时特别是，为了防止由长的光路引起的光损失，通过由入射透镜1122，中继透镜1123和射出透镜1124构成的中继透镜***1121引导B光。而且，与由光阀100R，100G和100B分别进行调制的三原色对应的光成分，在由二向色的棱镜1112再次合成后，通过投射透镜1114作为彩色图象投射到屏幕1120上。
本发明不限定于上述实施形态，在不违反从权利要求书的范围和说明书全体读取的发明要旨或思想的范围内可以进行适当的变更，能够应用于伴随着这种变更的电光装置，例如电泳装置和电致发光显示装置等，包含这些电光装置的电子机器也仍然包含在本发明的技术范围内。

Claims (19)

1.一种电光装置，其特征在于，
在基板上，备有
扫描线，
数据线，
对应地配置在上述扫描线与上述数据线的交叉部分的薄膜晶体管，
对应地配置在上述薄膜晶体管上的象素电极，
与上述象素电极电连接，构成存储电容的象素电位侧电容电极，
通过电介质膜与该象素电位侧电容电极相对配置，构成上述存储电容的固定电位侧电容电极，和
设置在上述薄膜晶体管下侧，遮蔽对该上述薄膜晶体管的至少沟道区域的光入射的下侧遮光膜，其中
上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极电连接，
上述下侧遮光膜构成将上述固定电位侧电容电极维持在固定电位的电容线的至少一部分或该电容线的冗长配线。
2.权利要求1的电光装置，其特征在于，
上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极通过设置在存在于该下侧遮光膜和该固定电位侧电容电极之间的层间绝缘膜中的第1接触孔电连接。
3.权利要求2的电光装置，其特征在于，
上述第1接触孔配置在上述数据线的下方。
4.权利要求1的电光装置，其特征在于，
上述固定电位侧电容电极和上述下侧遮光膜中的至少一方在上述基板上形成岛状。
5.权利要求4的电光装置，其特征在于，
当矩阵状地存在多个上述象素电极时，上述岛状的固定电位侧电容电极或下侧遮光膜的各个边缘部分的位置处于各象素电极所具有的宽度的中间。
6.权利要求5的电光装置，其特征在于，
上述数据线穿过邻接的上述象素电极间的大致中间延伸，当平面地观看各个上述岛状的固定电位侧电容电极或下侧遮光膜时，它们具有夹着上述数据线的线对称形状。
7.权利要求4的电光装置，其特征在于，
当从上述边缘部分观看时，在包含该边缘部分的上述固定电位侧电容电极或上述下侧遮光膜的外部位置上，进一步备有与上述薄膜晶体管和上述象素电极连接的第2接触孔。
8.权利要求4的电光装置，其特征在于，
当从上述岛状观看时，在包含该边缘部分的上述固定电位侧电容电极或上述下侧遮光膜的外部位置上，进一步备有与上述薄膜晶体管和上述数据线连接的第3接触孔。
9.权利要求1的电光装置，其特征在于，
上述存储电容位于构成上述薄膜晶体管的沟道区域和上述数据线之间，并且，通过与上述各个沟道区域和数据线有关的层间绝缘膜进行配置。
10.权利要求1的电光装置，其特征在于，
通过层间绝缘膜将上述存储电容配置在上述扫描线的上方。
11.权利要求1的电光装置，其特征在于，
将与构成上述薄膜晶体管的漏区电连接的漏极兼而用作构成上述存储电容的上述象素电位侧电容电极。
12.权利要求1的电光装置，其特征在于，
上述固定电位侧电容电极是由具有遮光性的材料构成的。
13.权利要求1的电光装置，其特征在于，
上述下侧遮光膜位于上述扫描线的下方，并且，沿该扫描线的方向延伸设置，在上述数据线的方向上突出。
14.权利要求1的电光装置，其特征在于，
上述下侧遮光膜位于上述扫描线和上述数据线的下方，并且，沿该扫描线和该数据线点阵状地进行配设。
15.权利要求1的电光装置，其特征在于，
上述下侧遮光膜位于图象显示区域的外侧与定电位源连接。
16.权利要求15的电光装置，其特征在于，
上述定电位源是由向用于驱动上述数据线的数据线驱动电路供给定电位的定电位源，向用于驱动上述扫描线的扫描线驱动电路供给定电位的定电位源，和向设置在与上述基板相对配置的对置基板上的对置电极供给定电位的定电位源中的任何一个构成的。
17.一种电光装置，其特征在于，
在基板上，备有
扫描线，
数据线，
对应地配置在上述扫描线和上述数据线的交叉部分的薄膜晶体管，
对应地配置在上述薄膜晶体管上的象素电极，
与上述象素电极电连接，构成存储电容的象素电位侧电容电极，
通过电介质膜与该象素电位侧电容电极相对配置，构成上述存储电容的固定电位侧电容电极，和
设置在上述薄膜晶体管下侧，遮蔽对该上述薄膜晶体管的至少沟道区域的光入射的下侧遮光膜，其中
上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极电连接，
上述下侧遮光膜构成将上述固定电位侧电容电极维持在固定电位的电容线的至少一部分或该电容线的冗长配线，并且
上述固定电位侧电容电极形成岛状，
该岛状的固定电位侧电容电极的平面的外形形状是由配置在它的外侧的，将构成薄膜晶体管的半导体层和上述数据线之间电连接起来的接触孔，和将上述象素电极和上述象素电位侧电容电极之间电连接起来的接触孔规定的。
18.一种电光机器，其特征在于，
包含电光装置，上述电光装置
在基板上，备有
扫描线，
数据线，
对应地配置在上述扫描线和上述数据线的交叉部分的薄膜晶体管，
对应地配置在上述薄膜晶体管上的象素电极，
与上述象素电极电连接，构成存储电容的象素电位侧电容电极，
通过电介质膜与该象素电位侧电容电极相对配置，构成上述存储电容的固定电位侧电容电极，和
设置在上述薄膜晶体管下侧，遮蔽对该薄膜晶体管的至少沟道区域的光入射的下侧遮光膜，其中
上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极电连接，
上述下侧遮光膜构成将上述固定电位侧电容电极维持在固定电位的电容线的至少一部分或该电容线的冗长配线。
19.一种电光机器，其特征在于，
包含电光装置，上述电光装置
在基板上，备有
扫描线，
数据线，
对应地配置在上述扫描线和上述数据线的交叉部分的薄膜晶体管，
对应地配置在上述薄膜晶体管上的象素电极，
与上述象素电极电连接，构成存储电容的象素电位侧电容电极，
通过电介质膜与该象素电位侧电容电极相对配置，构成上述存储电容的固定电位侧电容电极，和
设置在上述薄膜晶体管下侧，遮蔽对该薄膜晶体管的至少沟道区域的光入射的下侧遮光膜，其中
上述下侧遮光膜和上述固定电位侧电容电极电连接，
上述下侧遮光膜构成将上述固定电位侧电容电极维持在固定电位的电容线的至少一部分或该电容线的冗长配线，并且
上述固定电位侧电容电极形成岛状，
该岛状的固定电位侧电容电极的平面的外形形状是由配置在它的外侧的，将构成薄膜晶体管的半导体层和上述数据线之间电连接起来的接触孔，和将上述象素电极和上述象素电位侧电容电极之间电连接起来的接触孔规定的。
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