JP5834705B2 - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
上記電気光学装置として、画素ごとに薄膜トランジスターなどのスイッチング素子が設けられたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。アクティブ駆動型の液晶装置は、一対の電極間に液晶層を有し、画素ごとに書き込まれた画像信号は、該一対の電極と液晶層とからなる電気容量において一時的に保持される。これに加えて、該画像信号を所定の期間電気的に保持する容量素子が画素ごとに設けられている。
例えば、特許文献１には、画素電極に接続された中継配線と、その上層に、誘電体層を介してシールド層とを重ねて配置することで、容量素子を設けることが開示されている。
特開２０１０−３９２１２号公報
しかしながら、画素電極とコンタクトホールを介して接続された中継配線が、シールド層よりも下層に配置されるので、シールド層で中継配線を完全に覆うことができない。言い換えれば、中継配線を容量配線として用いる場合、容量配線の面積を有効に利用できていないという課題がある。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、ゲート電極、第１ソースドレイン領域、第２ソースドレイン領域を有するトランジスターと、前記ゲート電極と電気的に接続された走査線と、前記第１ソースドレイン領域と電気的に接続されたデータ線と、前記第２ソースドレイン領域と電気的に接続された画素電極と、容量線に電気的に接続された第１容量電極と、前記第１容量電極と対向して設けられた第２容量電極と、前記第１容量電極と前記第２容量電極とに挟持された誘電体層と、を有する容量素子と、を備え、前記トランジスターと前記走査線と前記データ線とが設けられた層と、前記画素電極が設けられた層と、の間において、前記第１容量電極は、前記誘電体層及び前記第２容量電極に覆われて配置されていることを特徴とする。
この構成によれば、第１容量電極が誘電体層及び第２容量電極に覆われて配置されているので、従来のように第１容量電極の上方のみに誘電体層及び第２容量電極が配置されている場合と比較して、第１容量電極と誘電体層及び第２容量電極との重なる面積を多くすることが可能となる。つまり、第１容量電極の側壁を利用して面積を多くすることができる。よって、従来のものより容量素子の容量を大きくすることができる。加えて、容量電極の面積を有効に利用することができる。
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、請求項１に記載の電気光学装置であって、前記第２容量電極と前記画素電極との間には、第１絶縁膜が形成されており、前記第１絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記第２容量電極と前記画素電極とは電気的に接続されており、前記第１コンタクトホールは、前記容量素子と平面視で重なる位置に配置されることが好ましい。
この構成によれば、第２ソースドレイン電極と接続される画素電極と第２容量電極との間に第１絶縁膜が配置されているので、画素電極と第２容量電極とを第１コンタクトホールを介して接続したとしても、第２容量電極で第１容量電極を覆うように配置することが可能となる。よって、容量素子の容量面積が少なくならず、容量電極の面積を有効に利用できると共に、容量素子の容量を大きくすることができる。更に、第１コンタクトホールの配置が他に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１容量電極と前記容量線との間には第２絶縁膜が設けられており、前記第２絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記第１容量電極と前記容量線とが接続されており、前記第２コンタクトホールは、平面視で前記第１容量電極の大きさと略重なる大きさに形成されていることが好ましい。
この構成によれば、第２コンタクトホールの大きさを第１容量電極と略同じ大きさにすることにより（言い換えれば、他のコンタクトホールより大きくすることにより）、容量電極の面積や厚みを増やすことが可能となり、容量素子の容量を大きくすることができる。
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１コンタクトホールは、平面視で前記第２コンタクトホールと重ならない位置に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、第１コンタクトホールの位置を平面視で第２コンタクトホールと重ならない位置に設けるので、第２容量電極と画素電極とをより安定に接続を行うことができる。
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記容量素子は、平面視で前記走査線と前記データ線との交差部に設けられていることが好ましい。
この構成によれば、走査線とデータ線との交差部に容量素子を設けるので、非開口領域の領域を利用して、遮光性の容量素子を設けることが可能となり、開口率が低下することを抑えることができる。
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記容量素子は、平面視で前記トランジスターと重なる位置に設けられていることが好ましい。
この構成によれば、平面視でトランジスターと重なる領域に容量素子を設けるので、非開口領域の領域を利用して、遮光性の容量素子を設けることが可能となり、開口率が低下することを抑えることができる。
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記した電気光学装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、上記した電気光学装置を備えるので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
第１実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置の構成を示す模式図であり、（ａ）は液晶装置の構成を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置における画素の配置を示す模式平面図。 液晶装置における画素の構成を示す模式平面図。 液晶装置における画素の構成を示す模式平面図。 液晶装置における画素の構成を示す模式平面図。 図４〜図６に示す画素のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。 液晶装置を備えた電子機器の（プロジェクター）の構成を示す模式図。 第２実施形態の電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図。 図９の液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
本実施形態では、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えた電気光学装置としてのアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
（第１実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
図１（ａ）は、電気光学装置としての液晶装置の構成を示す模式平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図２は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構造を、図１及び図２を参照しながら説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基板１１、および対向基板２０を構成する第２基板１２は、透明な例えば石英などのガラス基板が用いられている。
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材１４を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
第１基板１１の１辺部に沿ったシール材１４との間にデータ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４の内側に検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４の内側に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材１４の内側には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線（図示せず）が設けられている。
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子４１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２と表示領域Ｅとの間のシール材１４の内側に沿った位置に設けてもよい。
図１（ｂ）に示すように、第１基板１１の液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極２７およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター３０（以降、「ＴＦＴ３０」と称する。）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。
第２基板１２の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された層間膜層（図示せず）と、層間膜層を覆うように設けられた共通電極３１と、共通電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。
遮光膜１８は、図１（ａ）に示すように平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
層間膜層は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような層間膜層の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
共通電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、層間膜層を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
画素電極２７を覆う配向膜２８および共通電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０の第１ソースドレイン領域としてのデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７はＴＦＴ３０の第２ソースドレイン領域としての画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路２２（図１参照）に接続されている。複数の外部接続端子４１に接続された半導体集積回路もしくは制御部は、複数の外部接続端子４１のうち一部の端子に画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを供給する。当該一部の端子に供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎは、データ線駆動回路２２を介してデータ線６ａに供給される。走査線３ａは走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線６ａに供給された画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎは、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍに応じて画素Ｐに供給される。
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。データ線駆動回路２２は、画像信号Ｄ１〜Ｄｎをデータ線６ａに供給するタイミングを制御している。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された共通電極３１との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と共通電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に電気的に接続されている。容量素子１６は、遮光性の第１容量電極１６ａおよび第２容量電極１６ｃとの間に誘電体層１６ｂを有するものである。
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
図３は、液晶装置における画素の配置を示す模式平面図である。図４〜図６は、液晶装置における画素の構成を示す模式平面図である。図７は、図４〜図６に示す画素のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、画素の平面的な構造と断面構造について、図３〜図７を参照しながら説明する。
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａと容量線３ｂが設けられている。データ線６ａおよび容量線３ｂも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光膜１８（図１参照）によっても構成することができる。
非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０や容量素子１６が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０や容量素子１６を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
図４は、第１基板１１上における走査線３ａが設けられた層からデータ線６ａが設けられた層までの平面的な構造を示している。図５は、データ線６ａが設けられた層から容量線３ｂが設けられた層までの平面的な構造を示している。図６は、容量線３ｂが設けられた層から画素電極２７が設けられた層までの平面的な構造を示している。
図４に示すように、画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａの交差部に設けられたＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃと画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。また、図４のように、半導体層３０ａは、Ｘ方向に延在している。
走査線３ａは、データ線６ａとの交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された拡張部を有ししており、当該拡張部において他の部位と比して走査線３ａの幅が広くなっている。また換言すると、当該拡張部の平面形状は四角形となっている。当該拡張部に平面的に重なると共に接合領域３０ｆおよび画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと重ならない開口部を有する折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。
ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６によって、電気的に走査線３ａと接続している。また、図４のように、ゲート電極３０ｇのチャネル領域３０ｃと対向する部位は、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６のＸ方向における位置から左側にずれて配置されている。
コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。
データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３ａとの交差部において同じく拡張部を有し、当該拡張部において他の部位と比してデータ線６ａの幅が広くなっている。当該拡張部からＸ方向に突出した部分に設けられたコンタクトホールＣＮＴ１によってデータ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がデータ線側ソースドレイン電極５１となっている。走査線３ａは、このデータ線６ａのＸ方向に突出した部分及びコンタクトホールＣＮＴ１と平面視重なるように設けられている。
一方、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄの一部（端部）にもコンタクトホールＣＮＴ２が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分が画素電極側ソースドレイン電極５２（図４及び図５参照）となっている。コンタクトホールＣＮＴ２は、中継電極６ｂを介してコンタクトホールＣＮＴ３と電気的に接続されている（図４及び図５参照）。ここで、データ線６ａのＸ方向における左右に突出した部分は、画素電極側ソースドレイン電極５２と間隙を空けて配置されるとともに、半導体層３０ａを覆うように設けられている。
図５に示すように、容量線３ｂは、Ｙ方向に延在しており、データ線６ａの一部及び走査線３ａの一部と平面的に重なるように容量線３ｂが設けられている。容量線３ｂは、走査線３ａとの交差部において拡張部を有し、当該拡張部において他の部位と比して容量線３ｂの幅が広くなっている。容量線３ｂと第１容量電極１６ａとは、第２コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ４を介して電気的に接続されている。
また、コンタクトホールＣＮＴ４は、容量線３ｂの拡張部に設けられている。さらに、容量線３ｂは、当該拡張部からＸ方向に突出した部分を有し、半導体層３０ａと重なるように配置されている。また、容量線３ｂの突出した部分は、コンタクトホールＣＮＴ１またはコンタクトホールＣＮＴ２と重なるように設けられることが好ましい。
容量素子１６は、非開口領域（図３参照）に配置されており、上記したように、島状の第１容量電極１６ａと、誘電体層１６ｂと、第２容量電極１６ｃとが第１基板１１側から順に積層されている。誘電体層１６ｂは、第１容量電極１６ａを覆うように形成されている。更に、第２容量電極１６ｃは、第１容量電極１６ａ及び誘電体層１６ｂを覆うように形成されている。
更に図６に示すように、容量線３ｂの一部と平面的に重なるように、容量素子１６を構成する第１容量電極１６ａが島状に設けられている。第１容量電極１６ａは、容量線３ｂの拡張部と重なるように拡張部を有している。そして、第１容量電極１６ａは、当該拡張部からＸ方向左側に突出した第１部分、Ｘ方向右側に突出した第２部分、及びＹ方向上側に突出した第３部分を有している。
第１容量電極１６ａの第１部分は、半導体層３０ａの接合領域３０ｅと平面視重なるように設けられることが好ましい。第１容量電極１６ａの第１部分は、さらにデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ及びコンタクトホールＣＮＴ１と平面視重なるように設けられることが好ましい。第１容量電極１６ａの第２部分は、半導体層３０ａの接合領域３０ｆと平面視重なるように設けられることが好ましい。第１容量電極１６ａの第２部分は、さらに画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及びコンタクトホールＣＮＴ２と平面視重なるように設けられることが好ましい。第１容量電極１６ａの第２部分は、コンタクトホールＣＮＴ３と平面視と重なるように設けてもよい。第１容量電極１６ａの第３部分は、図６において上側に突出し、下側には突出しないことが望ましい。すなわち、第１容量電極１６ａの第３部分は、ＴＦＴ３０と電気的に接続された画素電極２７とＸ方向において隣り合う画素電極２７との間において、Ｙ方向に突出することが好ましい。さらに、第１容量電極１６ａの拡張部において、上記第１部分及び第２部分よりＹ方向における幅が広くなっている。また、第１容量電極１６ａの拡張部において、上記第３部分よりＸ方向における幅が広くなっている。
また、容量線３ｂに所定の定電位が供給されている場合には、容量線３ｂ及び第１容量電極１６ａは、第２容量電極１６ｃもしくはデータ線６ａと画素電極２７との間のクロストークを低減する役割を果たす。
第２容量電極１６ｃは、画素Ｐごとに独立して島状に設けられている。第２容量電極１６ｃは、第１容量電極１６ａと平面視同様の形状を有している。第２容量電極１６ｃは、容量線３ｂの拡張部と重なるように拡張部を有している。そして、第２容量電極１６ｃは、当該拡張部からＸ方向左側に突出した第１部分、Ｘ方向右側に突出した第２部分、及びＹ方向上側に突出した第３部分を有している。
第２容量電極１６ｃの第１部分は、半導体層３０ａの接合領域３０ｅと平面視重なるように設けられることが好ましい。第２容量電極１６ｃの第１部分は、さらにデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ及びコンタクトホールＣＮＴ１と平面視重なるように設けられることが好ましい。第２容量電極１６ｃの第２部分は、半導体層３０ａの接合領域３０ｆと平面視重なるように設けられることが好ましい。第２容量電極１６ｃの第２部分は、さらに画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及びコンタクトホールＣＮＴ２と平面視重なるように設けられることが好ましい。第２容量電極１６ｃの第３部分は、図６において上側に突出し、下側には突出しないことが望ましい。すなわち、第２容量電極１６ｃの第３部分は、ＴＦＴ３０と電気的に接続された画素電極２７とＸ方向において隣り合う画素電極２７との間において、Ｙ方向に突出することが好ましい。特に、第２容量電極１６ｃは、画素電極２７と電気的に接続されるため、第２容量電極１６ｃの第３部分は、画素電極２７に供給された画像信号に対応した電位となるため好ましい。さらに、第２容量電極１６ｃの拡張部において、上記第１部分及び第２部分よりＹ方向における幅が広くなっている。また、第２容量電極１６ｃの拡張部において、上記第３部分よりＸ方向における幅が広くなっている。
以上のように、容量素子１６は、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとが誘電体層１６ｂを介して対向する領域に設けられている。そして、容量素子１６は、第１容量電極１６ａ及び第２容量電極１６ｃと同様に、拡張部、当該拡張部からＸ方向左側に突出した第１部分、Ｘ方向右側に突出した第２部分、及びＹ方向上側に突出した第３部分を有している。
１つの画素Ｐを囲むようにして当該画素Ｐの第２容量電極１６ｃと隣り合う画素Ｐの第２容量電極１６ｃとが配置され、遮光性の非開口領域（図３参照）を構成している。
以上のように構成することで、容量素子１６をできるだけ広い領域に形成できるため、容量素子の保持性能を高めることができる。また、容量線３ｂ、第１容量電極１６ａ、第２容量電極１６ｃは遮光性を有する材料で構成され、半導体層３０ａと平面視重なるように形成することにより、半導体層３０ａに対する遮光性を高めることができる。
また、第２コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ４は、第１容量電極１６ａ、誘電体層１６ｂ、及び第２容量電極１６ｃと平面視重なる、即ち、容量素子１６と平面視重なる位置、特に第１容量電極１６ａと平面視重なる位置に設けられることが好ましい。これにより、容量素子１６の平面的面積を確保できる。また、コンタクトホールＣＮＴ４を広く確保できるため、容量線３ｂと第１容量電極１６ａとの電気的接続を確実に行うことができる。また換言すれば、これにより、画素Ｐの開口率を向上できる。
コンタクトホールＣＮＴ３は、島状の中継電極３ｃを介してコンタクトホールＣＮＴ７と電気的に接続されている。コンタクトホールＣＮＴ７は、第２容量電極１６ｃの端部と電気的に接続されている。
更に、第２容量電極１６ｃには、第１コンタクトホールとしてのコンタクトホールＣＮＴ８が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ８を介して画素電極２７（Ｐ）と電気的に接続されている。言い換えれば、第２容量電極１６ｃの一部はコンタクトホールＣＮＴ８と重なる位置まで突出し、コンタクトホールＣＮＴ７とコンタクトホールＣＮＴ８とを電気的に接続させる中継層としても機能している。
画素電極２７（Ｐ）は、走査線３ａやデータ線６ａと外縁部が重なるように設けられており、本実施形態では走査線３ａと重なる位置に設けられたコンタクトホールＣＮＴ２，ＣＮＴ３，ＣＮＴ７，ＣＮＴ８を介して画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。
また、コンタクトホールＣＮＴ８は、図３の非開口領域の交差部付近であって、他の部分より非開口領域の幅が広くなっている領域と画素電極２７とが重なる領域に設けられている。そして、コンタクトホールＣＮＴ８は、走査線３ａ、データ線６ａ、容量線３ｂに設けられた拡張部と重なるように設けられる。
図６では、コンタクトホールＣＮＴ８は、開口領域から見て左下に対応する非開口領域に設けられている。コンタクトホールＣＮＴ８は、第１容量電極１６ａ、誘電体層１６ｂ、及び第２容量電極１６ｃと平面視重なる、即ち、容量素子１６と平面視重なる位置に設けられることが好ましい。これにより、容量素子１６の平面的面積を確保できる。
また、コンタクトホールＣＮＴ８を広く確保できるため、第１容量電極１６ａと画素電極２７との電気的接続をより確実に行うことができる。また換言すれば、これにより、画素Ｐの開口率を向上できる。また、コンタクトホールＣＮＴ８は、走査線３ａ、ゲート電極３０ｇ、データ線６ａ、容量線３ｂのうち少なくともいずれかの一部と重なるように形成することが好ましい。また、コンタクトホールＣＮＴ８は、コンタクトホールＣＮＴ４と重ならない位置に設けられることが好ましい。コンタクトホールＣＮＴ４による段差の影響を受けることないため、第１容量電極１６ａと画素電極２７との電気的接続をより確実に行うことができる。
次に、図７を参照して、画素Ｐの構造について、さらに詳しく説明する。図７に示すように、第１基板１１上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１１ａが形成され、下地絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述したデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
半導体層３０ａを覆うように第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。走査線３ａと重なる位置に下地絶縁膜１１ａ、第１絶縁膜１１ｂを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６が形成される。さらに２つのコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６を埋めると共に、第１絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成され、ゲート電極３０ｇは、２つのコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６を介して走査線３ａと電気的に接続される。
ゲート電極３０ｇと第１絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第２絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第１絶縁膜１１ｂ、第２絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第２絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介してデータ線側ソースドレイン領域３０ｓに繋がるデータ線側ソースドレイン電極５１ならびにデータ線６ａが形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに繋がる画素電極側ソースドレイン電極５２（中継電極６ｂ）が形成される。
次に、データ線６ａおよび中継電極６ｂと第２絶縁膜１１ｃを覆って層間絶縁膜１１ｄが形成される。層間絶縁膜１１ｄは、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。その後、層間絶縁膜１１ｄを貫通するＣＮＴ３が形成される。
平坦化された層間絶縁膜１１ｄ上には、ＣＮＴ３を埋めると共に、層間絶縁膜１１ｄを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ３を介して画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに繋がる中継電極３ｃならびに容量線３ｂが形成される。
容量線３ｂは、下層にアルミニウム（Ａｌ）膜が配置され、上層に窒化チタン（ＴｉＮ）膜が配置された積層構造になっている。アルミニウム膜の厚みは、例えば、１５０ｎｍ〜２００ｎｍである。窒化チタン膜の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜１５０ｎｍである。
次に、容量線３ｂ及び中継電極６ｂを覆って第２絶縁膜としての層間絶縁膜１１ｅが形成される。層間絶縁膜１１ｅは、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなる。その後、層間絶縁膜１１ｅを貫通するＣＮＴ４が形成される。層間絶縁膜１１ｅの厚みは、例えば、４００ｎｍである。
層間絶縁膜１１ｅ上には、ＣＮＴ４を埋めると共に、層間絶縁膜１１ｅを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ４を介して容量線３ｂに繋がると共に、容量素子１６を構成する第１容量電極１６ａが形成される。
第１容量電極１６ａは、例えば、窒化チタンである。第１容量電極１６ａの厚みは、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
層間絶縁膜１１ｅ上には、第１容量電極１６ａを覆って誘電体層１６ｂが成膜される。誘電体層１６ｂとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。また、誘電体層１６ｂは、第１容量電極１６ａを覆う形状にパターニングしてもよい。その後、層間絶縁膜１１ｅを貫通するＣＮＴ７が形成される。
層間絶縁膜１１ｅ上には、ＣＮＴ７を埋めると共に、層間絶縁膜１１ｅを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ７を介して中継電極３ｃ（画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ）に繋がると共に、容量素子１６を構成する第２容量電極１６ｃが形成される。第２容量電極１６ｃは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）と窒化チタン（ＴｉＮ）の積層構造で構成されている。第２容量電極１６ｃの厚みは、例えば、３００ｎｍ〜５００ｎｍである。
ここで、第２容量電極１６ｃは、第１容量電極１６ａを覆うように形成されているため、第２容量電極１６ｃをパターニングする際に、第１容量電極１６ａが一緒にパターニングされるのを防ぐことができる。
以上のように、容量線３ｂは、平坦化された層間絶縁膜１１ｄ上に設けられることが好ましい。これにより、容量線３ｂの高抵抗化を防ぐことができる。また、その後に形成される第１容量電極１６ａ、誘電体層１６ｂ、第２容量電極１６ｃ、及び層間絶縁膜１１ｅの成膜・加工をより確実に行うことができる。
次に、第２容量電極１６ｃなどを覆う第１絶縁膜としての層間絶縁膜１１ｆが形成される。層間絶縁膜１１ｆも例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、層間絶縁膜１１ｅと同様に平坦化処理を施してもよい。
層間絶縁膜１１ｆを貫通するコンタクトホールＣＮＴ８が第２容量電極１６ｃの端部と重なる位置に形成され、このコンタクトホールＣＮＴ８を埋めるようにしてＩＴＯなどの透明導電膜が成膜される。この透明導電膜をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ８を介して第２容量電極１６ｃと繋がる画素電極２７が形成される。
上述したように、第２容量電極１６ｃは、コンタクトホールＣＮＴ７、中継電極３ｃ、コンタクトホールＣＮＴ３、中継電極６ｂ、コンタクトホールＣＮＴ２を介して、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続されると共に、コンタクトホールＣＮＴ８を介して画素電極２７と電気的に接続されている。
また、コンタクトホールＣＮＴ８の位置を平面視でコンタクトホールＣＮＴ４と重ならない位置に設けることが好ましい。このようにすることで、コンタクトホールＣＮＴ８による第２容量電極１６ｃと画素電極２７との電気的接続をより確実に行うことができる。これにより、画素電極２７でのコンタクトホールＣＮＴ４の段差による影響を抑制できる。また、コンタクトホールＣＮＴ４による段差がないため、コンタクトホールＣＮＴ８の加工を確実に行うことができる。
また、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に容量素子１６を設ける、また、平面視でトランジスター３０と重なる領域に容量素子１６を設けるので、非開口領域を利用して、遮光性の容量素子１６を設けることが可能となり、開口率が低下することを抑えることができる。
＜電子機器の構成＞
図８は、上記した液晶装置を備えた電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。以下、液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を、図８を参照しながら説明する。
図８に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
このような投射型表示装置１０００によれば、上記した液晶装置１００が採用された液晶モジュールを介すことによって、保持容量を十分に確保することが可能となり、表示品質が向上する電子機器を提供することができる。
以上詳述したように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、第１容量電極１６ａが誘電体層１６ｂ及び第２容量電極１６ｃに覆われて（オーバーラップして）配置されているので、従来のように第１容量電極の上方のみに誘電体層及び第２容量電極が配置されている場合と比較して、第１容量電極１６ａと誘電体層１６ｂ及び第２容量電極１６ｃとの重なる面積を多くすることが可能となる。言い換えれば、第１容量電極１６ａの側壁でも容量をつくることができる。つまり、第１容量電極１６ａの厚みを利用できる。よって、従来のものより容量素子１６の容量を大きくすることができる。加えて、容量電極１６ａ，１６ｃの面積を有効に利用することができる。
（２）本実施形態の液晶装置１００によれば、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと接続される画素電極２７と第２容量電極１６ｃとの間に層間絶縁膜１１ｆが配置されているだけなので、画素電極２７と第２容量電極１６ｃとをコンタクトホールＣＮＴ８を介して接続したとしても、第２容量電極１６ｃで第１容量電極１６ａを覆うように配置することが可能となる。よって、コンタクトホールＣＮＴ８を避けることによって生じる容量素子１６の容量面積が少なくなることを防ぎ、容量電極１６ｃの面積を有効に利用できると共に、容量素子１６の容量を大きくすることができる。
（３）本実施形態の電子機器によれば、上記のような液晶装置１００を備えているので、保持容量を十分に確保することが可能となり、表示品質が向上する電子機器を提供することができる。
（第２実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
図９は、第２実施形態の電気光学装置としての液晶装置の構造を示す模式平面図である。図１０は、図９の液晶装置の画素のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、画素の平面的な構造と断面構造について、図９及び図１０を参照しながら説明する。
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態と比べて、容量素子１１６の構造が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図９及び図１０に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、データ線６ａの一部及び走査線３ａの一部と平面的に重なるように容量線３ｂが設けられており、容量素子１１６は、非開口領域（図３参照）に配置されており、第１容量電極１１６ａと、誘電体層１１６ｂと、第２容量電極１１６ｃとが第１基板１１側から順に積層されている。誘電体層１１６ｂは、第１容量電極１１６ａを覆うように形成されている。更に、第２容量電極１１６ｃは、第１容量電極１１６ａ及び誘電体層１１６ｂを覆うように形成されている。
更に、容量線３ｂの一部と平面的に重なるように、第１容量電極１１６ａと容量線３ｂとを接続するコンタクトホールＣＮＴ４がＬ字状に設けられている。また、換言すれば、コンタクトホールＣＮＴ４は、コンタクトホールＣＮＴ８と重ならないように切り欠きを有し、第１容量電極１１６ａの拡張部に設けられている。拡張部に設けられているので、より幅の広い面積のコンタクトホールＣＮＴ４を形成できる。このように容量素子１６は、トレンチ（溝）状の形状を有している。また、換言すると、容量素子１６は、コンタクトホールＣＮＴ４の側壁に沿った部分を有している。また、図９では、コンタクトホールＣＮＴ４のＸ方向の幅は、第１容量電極１１６ａの第３部分よりも広く、コンタクトホールＣＮＴ４のＹ方向の幅は、第１容量電極１１６ａの第１部分又は第２部分よりも広くなっている。
また、図１０のように、第１容量電極１１６ａ、誘電体層１１６ｂ、第２容量電極１１６ｃは、コンタクトホールＣＮＴ４に倣った形で形成され、容量素子１６は立体的に形成されている。そして、第１容量電極１１６ａのコンタクトホールＣＮＴ４内の底面において、第１容量電極１１６ａと容量線３ｂとが電気的に接続されている（図１０参照）。
ここで、コンタクトホールＣＮＴ４の平面視の幅は、層間絶縁膜１１ｅの厚み以上であることが好ましい。仮に、コンタクトホールＣＮＴ４は、異なる方向に対し異なる幅を有するのであれば、短い方の幅が層間絶縁膜１１ｅの厚み以上であることが好ましい。層間絶縁膜１１ｅの厚みは、例えば、４００ｎｍであれば、短い方の幅は４００ｎｍ以上であることが好ましい。コンタクトホールＣＮＴ４の短い方の幅は、第１容量電極１６ａの厚みの３倍以上であることが好ましい。例えば、第１容量電極１６ａの厚みが２００ｎｍであれば、コンタクトホールＣＮＴ４の短い方の幅は、６００ｎｍ以上であることが好ましい。このようにすることで、第１容量電極１６ａがコンタクトホールＣＮＴ４に倣った形で形成され、コンタクトホールＣＮＴ４の側壁にも容量素子１６が形成され、容量素子１６の容量を大きくすることができる。
更に具体的には、図１０に示すように、層間絶縁膜１１ｅに、容量線３ｂまで貫通する略Ｌ字状の溝部（凹部）を形成する。層間絶縁膜１１ｅ上には、この溝部を埋めると共に、層間絶縁膜１１ｅを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、容量線３ｂに繋がる第１容量電極１１６ａが形成される。
また、第１実施形態と同様に、層間絶縁膜１１ｆを貫通するコンタクトホールＣＮＴ８が第２容量電極１１６ｃの端部と重なる位置に形成され、このコンタクトホールＣＮＴ８を埋めるようにしてＩＴＯなどの透明導電膜が成膜される。この透明導電膜をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ８を介して第２容量電極１１６ｃと繋がる画素電極２７が形成される。
このように、第１容量電極１１６ａと容量線３ｂとの接続を、第１容量電極１１６ａをトレンチ構造にすることによって直接接続するので、第１実施形態と比較して、接触する部分の周長を長くすることが可能となる。更に、第１容量電極１１６ａの厚みも増やすことが可能となる。よって、容量素子１１６の容量を増やすことができる。これにより、液晶装置２００が微細化したとしても、容量素子１１６の容量を確保することができる。
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００によれば、以下に示す効果が得られる。
（４）第２実施形態の液晶装置２００によれば、第１容量電極１１６ａと容量線３ｂとを電気的に接続するコンタクトホールの大きさを第１容量電極１１６ａの大きさと略同じ大きさにすることにより（言い換えれば、他のコンタクトホールＣＮＴ８などより大きくする、また、トレンチ構造によって第１容量電極１１６ａと容量線３ｂとを直接接続することにより）、容量電極１１６ａ，１１６ｃの面積（周長）や厚みを増やすことが可能となり、容量を大きくすることができる。言い換えれば、第１容量電極１１６ａをトレンチ構造にすることにより、トレンチの側壁でも容量を形成することができ、容量を大きくすることができる。
なお、本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
（変形例１）
上記したように、容量素子１６を構成する２つの容量電極１６ａ，１６ｃが金属層（アルミニウム、窒化チタンなど）で構成されていることに限定されず、例えば、ＩＴＯなど透明導電膜で構成するようにしてもよい。
（変形例２）
上記した第２実施形態のように、第１容量電極１１６ａの形状がＬ字状であることに限定されず、例えば、第１容量電極１１６ａの面積が極端に減らない形状であれば、その他の形状でもよい。また、コンタクトホールＣＮＴ４の周長を長くするように、コンタクトホールＣＮＴ４の周部を波状にしてもよい。
（変形例３）
上記実施形態では、コンタクトホールＣＮＴ８の位置を平面視でコンタクトホールＣＮＴ４と重ならない位置に設けるようにしたが、コンタクトホールＣＮＴ８の位置を平面視でコンタクトホールＣＮＴ４と重なる位置にしてもよい。これにより、コンタクトホールＣＮＴ８及びコンタクトホールＣＮＴ４のコンタクト面積を広げることができる。
（変形例４）
上記したように、上記液晶装置１００などの電気光学装置は、例えば、トランジスターを備えたアクティブ駆動型の電気光学装置であって、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置、電気泳動装置などの表示装置にも適用することができる。また、反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）にも適用可能である。
（変形例５）
上記したように、電子機器として投射型表示装置１０００（プロジェクター）を例に説明してきたが、これに限定されず、例えば、ビューワー、ビューファインダー、ヘッドマウントディスプレイなどに適用するようにしてもよい。また、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、モバイル型のパーソナルコンピューター、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ページャー、電卓、タッチパネルなどの各種電子機器、また、電子ペーパーなどの電気泳動装置、カーナビゲーション装置等に適用するようにしてもよい。
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…中継電極、６ａ…データ線、６ｂ…中継電極、１０…素子基板、１１…第１基板、１１ａ…下地絶縁膜、１１ｂ…第１絶縁膜、１１ｃ…第２絶縁膜、１１ｄ…層間絶縁膜、１１ｅ…第２絶縁膜としての層間絶縁膜、１１ｆ…第１絶縁膜としての層間絶縁膜、１２…第２基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…誘電体層、１６ｃ…第２容量電極、１８…遮光膜、２０…対向基板、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…配向膜、３０…ＴＦＴ（トランジスター）、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…第２ソースドレイン領域としての画素電極側ソースドレイン領域、３０ｅ，３０ｆ…接合領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…第１ソースドレイン領域としてのデータ線側ソースドレイン領域、３１…共通電極、３２…配向膜、４１…外部接続端子、５１…データ線側ソースドレイン電極、５２…画素電極側ソースドレイン電極、１００，２００…液晶装置、１１６…容量素子、１１６ａ…第１容量電極、１１６ｂ…誘電体層、１１６ｃ…第２容量電極、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (7)

  1. ゲート電極、第１ソースドレイン領域、第２ソースドレイン領域を有するトランジスターと、
    前記ゲート電極と電気的に接続された走査線と、前記第１ソースドレイン領域と電気的に接続されたデータ線と、前記第２ソースドレイン領域と電気的に接続された画素電極と、
    容量線に電気的に接続された第１容量電極と、前記第１容量電極と対向して設けられた第２容量電極と、前記第１容量電極と前記第２容量電極とに挟持された誘電体層と、を有する容量素子と、
    を備え、
    前記トランジスターと前記走査線と前記データ線とが設けられた層と、前記画素電極が設けられた層と、の間において、前記第１容量電極は、前記誘電体層及び前記第２容量電極に覆われて配置され、
    前記第２容量電極と前記画素電極との間には、第１絶縁膜が形成されており、
    前記第１絶縁膜に設けられた第１コンタクトホールを介して前記第２容量電極と前記画素電極とは電気的に接続されており、
    前記第１コンタクトホールは、前記容量素子と平面視で重なる位置に配置され、
    前記第１容量電極と前記容量線との間には第２絶縁膜が設けられており、
    前記第２絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールを介して前記第１容量電極と前記容量線とが接続されており、
    前記第２コンタクトホールは、平面視で前記第１容量電極と重なる位置に配置され、
    前記第２絶縁膜に設けられた第３コンタクトホールを介して前記第２容量電極と前記第２ソースドレイン領域とが電気的に接続されており、
    前記第３コンタクトホールは、平面視で前記第２容量電極と重なる位置に配置され、
    前記第２容量電極は、遮光性を有し、島状に形成され、前記トランジスター、前記走査線、前記データ線、前記容量線、および、前記第２コンタクトホールを覆うことを特徴とする電気光学装置。
  2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
    前記誘電体層は、前記第１容量電極を覆う形状にパターニングされ、
    前記第２容量電極は、前記誘電体の側壁を覆うことを特徴とする電気光学装置。
  3. 請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
    前記第２コンタクトホールは、平面視で前記第１容量電極と略重なる大きさに形成されていることを特徴とする電気光学装置。
  4. 請求項３に記載の電気光学装置であって、
    前記第１コンタクトホールは、平面視で前記第２コンタクトホールと重ならない位置に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
    前記容量素子は、平面視で前記走査線と前記データ線との交差部に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
  6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
    前記容量素子は、平面視で前記トランジスターと重なる位置に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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