CN112133645A - 供应液体用单元、具有该单元的处理基板用设备及方法 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 196
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 84
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 11
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
- H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
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Abstract
提供一种供应液体用单元、具有该单元的处理基板用设备及方法。用于处理基板的设备包括:处理容器,其具有处于所述处理容器内部的处理空间;基板支撑单元,其用于在所述处理空间中支撑基板;以及液体供应单元,其用于将处理液体供应至由所述基板支撑单元支撑的所述基板。所述液体供应单元包括:喷嘴;供应管线,其用于将所述处理液体供应至所述喷嘴且在所述供应管线中安装有第一阀;以及排出管线,其自作为所述供应管线中所述第一阀下游的点的分支点分支,以自所述供应管线排出所述处理液体,且在所述排出管线中安装有第二阀。在所述供应管线中,在所述分支点与所述喷嘴之间的区域中没有阀。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月24日提交的、申请号为10-2019-0075144的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文所述的本发明概念的实施方案涉及一种用于处理基板的设备及方法,且更具体地涉及一种用于对基板执行液体处理的设备及方法。
背景技术
为了制造半导体装置,所要图案通过诸如光刻、蚀刻、灰化、离子植入以及薄膜沉积工艺的各种工艺形成于基板上。该等工艺是各种各样的,且随时间而变复杂,因此会产生污染物及粒子。因此,清洁工艺是于该等工艺之前及之后的阶段中执行。
清洁工艺包括用于将化学物质供应至基板上的液体处理工艺。图1为例示用于供应液体的典型单元的视图。参照图1,用于供应液体的单元具有液体供应管线2及阀6。液体供应管线2连接至喷嘴4以将液体供应至喷嘴4。阀6安装于液体供应管线2中以打开或闭合液体供应管线2,以便供应液体或停止液体的供应。阀6通过对化学物质流过的流体通路执行打开或闭合操作来调整液体的供应。阀6的此种打开或闭合操作包括隔膜的碰撞过程,这是产生粒子的主要原因。
因此,供应含有粒子的化学物质会导致液体处理工艺失败。
发明内容
本发明概念的实施方案提供一种能够将纯化液体供应至基板的设备。
本发明概念的实施方案提供一种能够使液体供应管线的阀中的粒子的产生最小化的设备。
根据示范性实施方案,提供一种用于对基板执行液体处理的设备及方法。
用于处理基板的该设备包括:处理容器,该处理容器具有处于该处理容器内部的处理空间;基板支撑单元,该基板支撑单元用于在该处理空间中支撑基板;以及液体供应单元,该液体供应单元将处理液体供应至由该基板支撑单元支撑的该基板。该液体供应单元包括:喷嘴;供应管线,该供应管线将该处理液体供应至该喷嘴且在该供应管线中安装有第一阀;以及排出管线,该排出管线自作为该供应管线中该第一阀下游的点的分支点分支以自该供应管线排出该处理液体,且具有安装于该排出管线中的第二阀。在该供应管线中,在该分支点与该喷嘴之间的区域中没有阀。
基于该分支点,该供应管线的下游区域的端部可以定位成高于该排出管线。
该下游区域的该端部可以定位成高于分支点。该下游区域的、自该分支点沿下游方向延伸的区域可以设置成具有弯曲形状。该下游方向可以基于该分支点在该供应管线的上游区域中向下设置,且该弯曲形状可以以凸面向上的形状设置。
该液体供应单元还可以包括第一传感器,该第一传感器用于感测该下游区域中的该处理液体的第一水位。该下游区域可以包括:第一部分,该第一部分自该分支点延伸且具有该弯曲形状;第二部分,该第二部分自该第一部分延伸,且设置在与该第一部分的位置成直线的位置处、或设置在低于该第一部分的该位置的位置处;以及第三部分,该第三部分自该第二部分延伸,定位成高于该第一部分且包括该端部。该第一传感器可以安装于该第三部分中。
该液体供应单元还可以包括缓冲器,该缓冲器在该排出管线中安装于该第二阀的下游,以将该处理液体暂时储存于该缓冲器中。该缓冲器可以包括:外壳,该外壳安装于该排出管线中且于该外壳中具有缓冲空间;以及第二传感器,该第二传感器用于感测填充于该缓冲空间中的该处理液体的第二水位。
该液体供应单元还可以包括:泵,该泵用于向沿着该供应管线流动的该处理液体施加流动压力;以及控制器,该控制器用于调整该处理液体向该喷嘴的供应,且该控制器可以控制该第二阀,使得该第二阀在供应模式下切断以将该处理液体供应至该喷嘴、而在待用模式下打开以停止该处理液体向该喷嘴的供应。在该待用模式下,该控制器可以在自该第一传感器或该第二传感器接收到针对该处理液体的感测信号时切断该第一阀及该第二阀。
该控制器可以调整该泵,使得该处理液体在该待用模式下填充于该第二部分中。
根据示范性实施方案,一种液体供应单元包括:喷嘴;供应管线,该供应管线用于将处理液体供应至该喷嘴且在该供应管线中安装有第一阀;以及排出管线,该排出管线自作为该供应管线中第一阀下游的点的分支点分支,以自该供应管线排出该处理液体,且在该排出管线中安装有第二阀。在该供应管线中,在该分支点与该喷嘴之间的区域中没有阀。
基于该分支点,该供应管线的下游区域的端部可以定位成高于该分支点及该排出管线。
该下游区域的、自该分支点沿下游方向延伸的区域可以具有弯曲形状。该下游方向可以基于该分支点在该供应管线的上游区域中向下设置,且该弯曲形状可以以凸面向上的形状设置。该液体供应单元还可以包括第一传感器,该第一传感器用于感测该下游区域中的该处理液体的第一水位。该下游区域可以包括:第一部分,该第一部分自该分支点延伸且具有该弯曲形状;第二部分,该第二部分自该第一部分延伸,且设置在与该第一部分的位置成直线的位置处、或设置在低于该第一部分的该位置的位置处;以及第三部分,该第三部分自该第二部分延伸、设置成高于该第一部分且包括该端部。该第一传感器可以安装于该第三部分中。
该液体供应单元还可以包括:缓冲器,该缓冲器在该排出管线中安装于该第二阀的下游以将该处理液体暂时储存于该缓冲器中,且该缓冲器可以包括:外壳,该外壳安装于该排出管线中,且于该外壳中具有缓冲空间;以及第二传感器,该第二传感器用于感测填充于该缓冲空间中的该处理液体的第二水位。
该液体供应单元还可以包括:控制器,该控制器用于调整该处理液体向该喷嘴的供应,且该控制器可以控制该第二阀,使得该第二阀在供应模式下切断以将该处理液体供应至该喷嘴、而在待用模式下打开以停止该处理液体向该喷嘴的供应。
根据示范性实施方案,一种使用用于处理基板的设备来处理基板的方法包括:在将该处理液体供应至该基板时,在该第一阀是打开的且该第二阀是切断的状态下,向该供应管线施加流动压力,以将该处理液体供应至高于该供应管线中该下游区域的最高点的点;以及当停止该处理液体向该基板的所述供应时,打开该第二阀,且保持该流动压力,以防止该处理液体流动至该最高点。
当停止该处理液体的所述供应时且当该处理液体自该排出管线溢出时,可以切断该第一阀及该第二阀,以防止该处理液体流动至该最高点。
附图说明
以上及其他目的及特征将通过参考以下附图的以下描述而变得显而易见,其中除非另外指明,否则遍及各个附图,相同参考标号是指相同部件,且其中:
图1是例示用于供应液体的典型单元的视图;
图2是例示根据本发明概念的实施方案的基板处理设施的平面图;
图3是例示图2的基板处理设备的截面图;
图4是例示图3的液体供应单元的视图;
图5是例示图4的供应管线的分支点及下游区域的放大部分的视图;
图6是例示图4的液体供应单元中的待用模式的视图;
图7是例示图4的液体供应单元中的供应模式的视图;
图8是例示图4的液体供应单元中的维护模式的视图;以及
图9是例示根据另一实施方案的图5的液体供应单元的视图。
具体实施方式
本发明概念的实施方案可以以各种形式修改,且本发明概念的范畴不应解释为由以下所述的本发明概念的实施方案限制。提供本发明概念的实施方案以本领域技术人员更完整地描述本发明概念。因此,附图中的组件的形状及其类似物经夸大来强调更清晰的描述。
在下文中,将参考图2至图9详细描述本发明概念的一个实施例。
图2为根据本发明概念的实施方案的基板处理设施的平面图。
参照图2,基板处理设施1具有索引模块10及工艺处理模块20,且索引模块10包括装载端口120及馈给框架140。装载端口120、馈给框架140以及工艺处理模块20可以顺序地布置成一列。在下文中,装载端口120、馈给框架140以及工艺处理模块20的布置方向将称为第一方向12,当自上方观察时,垂直于第一方向12的方向将称为第二方向14,且垂直于含有第一方向12及第二方向14的平面的方向将称为第三方向16。
于其中接纳有基板W的载体18安置于装载端口120上。提供多个装载端口120,且该多个装载端口沿第二方向14布置成线。图2例示了提供四个装载端口120。然而,装载端口120的数量可以视条件而增加或减少,该条件诸如工艺处理模块20的处理效率或占据面积。狭槽(未例示)形成于载体18中以支撑基板的边缘。多个狭槽沿第三方向16提供,且基板定位于载体18中,以使得基板在彼此间隔开的情况下沿第三方向16堆叠。前开式晶圆传送盒(front opening unified pod,FOUP)可用作为载体18。
工艺处理模块20包括缓冲单元220、馈给腔室240以及工艺腔室260及280。馈给腔室240设置成使得其纵向平行于第一方向12。工艺腔室260及280沿第二方向14布置于馈给腔室240的相反侧处。工艺腔室260及280可以关于馈给腔室240彼此对称地提供。工艺腔室260及280中的一些沿馈给腔室240的纵向布置。另外,工艺腔室260及280中的一些布置为彼此堆叠。换言之,工艺腔室260及280可以以矩阵A×B(A及B为自然数)的形式布置于馈给腔室240的相反侧处。在此情况下,A为沿第一方向12成直线对齐的工艺腔室260及280的数目,且B为沿第三方向16成直线对齐的工艺腔室260及280的数目。当于馈给腔室240的相反侧处提供四个或六个工艺腔室260及280时,第一工艺腔室260及280可以以2×2或3×2布置。工艺腔室260的数目可以增大或减小。
不同地,工艺腔室260可以仅设置于馈给腔室240的任一侧处。另外,工艺腔室260及280可以以单一层设置于馈给腔室240的一侧处及相反侧处。另外,与以上描述不同,工艺腔室260及280可以不同地布置。
本实施方案的以下描述将关于以下内容进行:于工艺腔室260及280中的一者(工艺腔室260)中执行液体处理工艺,且于工艺腔室260及280中的另一者(工艺腔室280)中执行干燥工艺。该干燥工艺可以为超临界处理工艺。
缓冲单元220插置于馈给框架140与馈给腔室240之间。缓冲单元220提供一空间,在基板W于馈给腔室240与馈给框架140之间运送之前,基板W停留于该空间中。缓冲单元220在其中设置有狭槽(未例示),基板W放置于该狭槽中且多个狭槽(未例示)沿第三方向16彼此间隔开。缓冲单元220于面向馈给框架140及馈给腔室240的表面中是开放的。
馈给框架140于安置于装载端口120中的载体18与缓冲单元220之间运送基板W。索引轨道142及索引机械手144设置于馈给框架140上。索引轨道142设置成使得其纵向平行于第二方向14。索引机械手144安装于索引轨道142上,以便沿着索引轨道142于第二方向14上线性地移动。索引机械手144具有基座114a、主体114b以及多个索引臂141c。基座114a安装成可沿着索引轨道142移动。主体114b可以接合至基座114a。主体114b可以设置成可于基座114a上沿第三方向16移动。此外,主体114b可以设置成可于基座114a上旋转。索引臂114c可以接合至主体114b,以使得索引臂114c可相对于主体114b向前及向后移动。可以提供多个索引臂114c,且可以彼此独立地驱动。索引臂114c设置成在沿第三方向16彼此间隔开的情况下堆叠。索引臂114c中的一些在将基板W自工艺处理模块20运送至载体18时使用,且索引臂114c中的另一些可以在将基板W自载体18运送至工艺处理模块20时使用。该结构可以防止在工艺处理之前自基板W产生的粒子在索引机械手144引入及抽出基板W的过程中黏附至工艺处理之后的基板W。
馈给腔室240于缓冲单元220与工艺腔室260之间运送基板W。馈给腔室240包括导引轨道242及索引机械手244。导引轨道242设置成使得其纵向平行于第一方向12。索引机械手244安装于导引轨道242上以于导引轨道242上沿第一方向12线性地移动。
在下文中,将描述于工艺腔室260中提供的用于处理基板的设备(基板处理设备)300。本实施方案的以下描述将关于基板处理设备300执行液体处理工艺而进行描述。液体处理工艺包括清洁基板的工艺。
图3为例示图2的基板处理设备的截面图。参照图3,基板处理设备300可以包括腔室310、处理容器320、旋转头340、升降单元360、用于供应液体(处理液体)的单元(液体供应单元)400、以及控制器500。腔室310提供用于执行处理基板W的工艺的空间。风扇314安装于腔室310的顶面上以在处理空间中形成向下流动。风扇314可以定位成面向处理容器310。由风扇314形成的向下流动可以被提供至位于处理容器320中的基板W。
处理容器320位于腔室310中,且具有杯的形状,该杯具有开放的上部。处理容器320具有用于在其中处理基板的处理空间。处理容器320包括内部回收器皿322及外部回收器皿326。内部回收器皿322及外部回收器皿326回收于工艺中所用的互不相同的处理液体。内部回收器皿322设置成具有环绕旋转头340的环形环的形状,且外部回收器皿326设置成具有环绕内部回收器皿322的环形环的形状。内部回收器皿322的内部空间322a及外部回收器皿326与内部回收器皿322之间的空间326a分别充当用于将处理液体引入内部回收器皿322及外部回收器皿326中的入口。回收管线322b及326b与内部回收器皿322及外部回收器皿326连接,以自内部回收器皿322及外部回收器皿326的底表面竖直地向下延伸。回收管线322b及326b充当排出管,以分别排出引入内部回收器皿322及外部回收器皿326中的处理液体。所排出的处理液体可以通过外部处理液体再循环***(未例示)进行再循环。
旋转头340充当基板支撑单元340,以支撑基板W且使其旋转。旋转头340设置于处理容器320中。旋转头340支撑基板W且于工艺期间使基板W旋转。旋转头340具有主体342、支撑销344、卡盘销346、以及支撑轴348。当自上方观察时,主体342具有设置成基本上圆形形状的顶表面。支撑轴348固定地耦接至主体342的底表面以便可通过马达349旋转。提供多个支撑销344。支撑销344可以布置成在自主体342向上突出的情况下于主体342的顶表面的边缘部分处彼此间隔开。支撑销344布置成通过其组合形成典型的环形环的形状。支撑销344支撑基板W的后表面的边缘,以使得基板W与主体342的顶表面间隔开特定距离。提供多个卡盘销346。卡盘销346可以设置成比支撑销344更远离主体342的中心。卡盘销346设置成自主体342向上突出。卡盘销346支撑基板W的侧部,以使得基板W在旋转头340旋转时不会侧向偏离其右侧位置。卡盘销346设置成可沿主体342的径向方向于待用位置与支撑位置之间线性地移动。待用位置比支撑位置更远离主体342的中心。当基板W装载至旋转头340上或自该旋转头卸载时,卡盘销346位于待用位置处。当对基板W执行工艺时,卡盘销346位于支撑位置处。卡盘销346于支撑位置处与基板W的侧部接触。
升降单元360可以调整处理容器320与基板W之间的相对高度。升降单元360使处理容器320线性地向上和向下移动。随着处理容器320向上和向下移动,处理容器320至旋转头340的相对高度得以改变。升降单元360具有托架362、可移动轴364、以及驱动器366。托架362固定地安装于处理容器320的外壁上,且可移动轴364固定地耦接至托架362以通过驱动器366向上和向下移动。当基板W放置于旋转头340上或自旋转头340升降时,处理容器320向下移动以使得旋转头340自处理容器320向上突出。处理容器320的高度被调整成使得根据执行工艺时供应至基板W的处理液体的类型而将处理液体引入预设的处理容器320中。
替代地,升降单元360可以代替处理容器320来使旋转头340向上和向下移动。
液体供应单元400可以将各种处理液体供应至基板W上。液体供应单元400包括喷嘴410、供应管线420、泵428、排出管线440、缓冲器450、流通管线(circulation line)460、以及控制器500。
喷嘴410移动工艺位置及待用位置。在此情况下,工艺位置界定为喷嘴410能够将液体排出至位于处理容器320中的基板W上的位置,且待用位置界定为喷嘴410偏离工艺位置并待用的位置。根据实施例,在工艺位置中,喷嘴410将液体供应到的位置包括基板W的中心。举例而言,当自上方观察时,喷嘴410可以线性地移动或围绕轴线旋转,以于工艺位置与待用位置之间移动。
自喷嘴410排出的处理液体可以包括化学品、冲洗液体、以及干燥流体。举例而言,化学品对应于用于蚀刻形成于基板W上的膜或用于将残留粒子自基板W去除的液体。化学品可以为具有强酸或强碱性质的液体。化学品可以包括硫酸、磷酸、氢氟酸或氨。冲洗液体可以为能够冲洗基板W上所残留的化学品的液体。举例而言,冲洗液体可以为纯水。干燥流体可以提供为能够置换基板W上所残留的冲洗液体的液体。干燥流体可以为表面张力低于冲洗液体的表面张力的液体。干燥流体可以为有机溶剂。干燥流体可以为异丙醇(isopropylalcohol,IPA)。
图4为例示图3的液体供应单元的视图,且图5为例示图4的供应管线的分支点及下游区域的放大部分的视图。参照图4及图5,供应管线420将液体槽415连接至喷嘴410。储存于液体槽415中的液体通过供应管线420供应至喷嘴410。泵428及第一阀424安装于供应管线420中,泵428向处理液体施加流动压力,且第一阀424打开/闭合供应管线420。举例而言,第一阀424位于泵428的下游。排出管线440自供应管线420分支以排出液体。第二阀442安装于排出管线440中,且排出管线440由第二阀442打开及闭合。排出管线440的分支点在供应管线420中位于第一阀424的下游。举例而言,排出管线440可以自供应管线420分支且可以连接至液体槽415。第二阀442可以定位成低于分支点。
根据本实施方案,基于排出管线440的分支点,供应管线420被分成上游区域422及下游区域430。
自分支点沿下游方向延伸的下游区域430的端部定位成高于分支点,且于下游区域430中不提供额外单元来打开或闭合供应管线420或调整液体的供应。换言之,阀未安装于下游区域430中,且液体的供应是使用分支点与下游区域430的端部之间的高度差来调整的。
下游区域430具有第一部分432、第二部分434、以及第三部分436。第一部分432自分支点延伸,具有弯曲形状,定位成低于下游区域430的端部。第二部分434自第一部分432沿下游方向延伸。第二部分434定位成与第一部分432成直线或定位成低于第一部分432。第三部分436自第二部分434延伸且连接至喷嘴410。第三部分436定位成高于第二部分434且包括端部。举例而言,下游方向可以在上游区域422中向下设置。第一部分432的弯曲形状可以设置成具有凸面向上的形状。因此,与分支点相邻的上游区域422、下游区域430以及排出管线440可以具有基本上Y形状。Y形状可以防止自上游区域422供应至排出管线440的处理液体流动至下游区域430。第一传感器426安装于第三部分436中以感测处理液体的第一水位。第一传感器426定位成高于第一部分432。第一传感器426可以为水平传感器(levelsensor)。当于第三部分436中感测到处理液体达到第一水位时,第一传感器426将所感测的信号传输至控制器500。
缓冲器450安装于排出管线440中。缓冲器450包括外壳452及第二传感器454。外壳452设置成在其中具有缓冲空间的桶的形状。外壳452在排出管线440上位于第二阀442的下游。外壳452具有开放的相对端部,相对端部中的一者充当用于处理液体的入口,而相对端部中的另一者充当用于处理液体的出口。因此,在排出期间,处理液体流过外壳452,而没有在缓冲空间中填充超过特定水位。第二传感器454感测填充于缓冲空间中的处理液体的第二水位。第二传感器454感测高于缓冲器450的空间中的特定水位的第二水位。因此,当于缓冲器450的空间中感测到处理液体达到第二水位时,第二传感器454将感测信号传输至控制器500。
流通管线460将沿着供应管线420流动的液体流通至液体槽415。流通管线460于供应管线420的上游区域422中自供应管线420分支,且连接至液体槽415。流通管线460于第一阀424的上游分支,且第三阀462安装于流通管线460中。
控制器500调整第一阀424、第二阀442与第三阀462以及泵428,以控制液体的流动。控制器500可以根据供应模式、待用模式以及维护模式来不同地调整每个阀。根据实施方案,供应模式可以为用于将处理液体供应至喷嘴410的模式。待用模式可以为处理液体未供应至喷嘴410的模式。维护模式为用于解决以下问题的模式:即使在待用模式下亦因处理液体的回流及溢出而将处理液体供应至喷嘴410。
在供应模式下,控制器500打开第一阀424且切断第二阀442及第三阀462。因此,处理液体可以自液体槽415供应至喷嘴410。
在待用模式下,控制器500打开第一阀424及第二阀442并切断第三阀462。因此,处理液体可以通过排出管线440排出。举例而言,通过排出管线440排出的处理液体可以流通至液体槽415。另外,在待用模式下,控制器500可以调整泵428的流动压力,以使得将处理液体填充于供应管线420的下游区域430的第一部分432及第二部分434中,而没有填充于第三部分436中。此为通过将处理液体填充于第一部分432及第二部分434中来防止通过喷嘴410将异物引入管中。
在维护模式下,控制器500可以切断第一阀424及第二阀442并打开第三阀462。因此,可以防止将处理液体供应至供应管线420的下游区域430。
在下文中,将描述对基板W执行液体处理的过程。图6为例示图4的液体供应单元中的待用模式的视图,图7为例示图4的液体供应单元中的供应模式的视图,且图8为例示图4的液体供应单元中的维护模式的视图。参照图6至图8,在将基板W放置于基板支撑单元340上之前或当喷嘴410待用时,应用待用模式。换言之,第一阀424及第二阀442是打开的,而第三阀462是切断的。在待用模式下,处理液体可以通过供应管线420及排出管线440流通。
当将基板W放置于基板支撑单元340上时,喷嘴410移动至工艺位置以排出液体,且将供应模式应用于液体供应单元400。在供应模式下,第一阀424是打开的,而第二阀442及第三阀462是切断的。因此,液体槽415中的处理液体沿着供应管线420传送至喷嘴410且供应至基板W上。当将处理液体完全供应至基板W时,再次将待用模式应用于液体供应单元,因此第一阀424及第二阀442是打开的,而第三阀462是切断的。在应用待用模式的情况下,处理液体的回流及溢出可因高压而发生于排出管线440中。在此情况下,处理液体可以填充于缓冲器450的空间及第三部分436中。在此情况下,第一传感器426及第二传感器454感测到第一水位处的处理液体到达第三部分436或第二水位处的处理液体到达缓冲器450的空间,且将感测信号传输至控制器500。控制器500基于感测信号通过切断第一阀424及第二阀442来防止处理液体传送至喷嘴410。然而,即使在供应模式下接收到感测信号,控制器500亦可保持第一阀424打开。
根据上述实施方案,当供应处理液体或停止处理液体的供应时,第一阀424始终打开。因此,可以在打开或闭合第一阀424的过程中防止粒子。另外,当供应处理液体或停止处理液体的供应时,第二阀442闭合或打开。然而,可以防止于第二阀442中产生的粒子在第二阀442的下游流动及传送至喷嘴410。因此,可以防止因阀的打开/闭合操作而产生的粒子传送至喷嘴410。
另外,已经描述了上述实施方案,其中供应管线420的第一部分432具有凸面向上的形状。然而,如图9所示,第一部分432于纵向上与第二部分434没有高度差。
根据本发明概念的实施方案,液体可以通过供应管线的头差(head difference)来供应,且阀未设置于分支点的下游区域中。因此,可以防止因阀而产生粒子,且可以供应清洁液体。
另外,根据本发明概念的实施方案,安装于供应管线及缓冲器中的水平传感器可以感测液体的回流及溢出,且切断每个阀以防止液体于不期望的时刻供应至喷嘴。
另外,根据本发明概念的实施方案,供应管线的下游区域保持为填充有特定量的液体。因此,可以使喷嘴的外部粒子至供应管线中的引入最小化。
尽管本发明概念已参照示范性实施方案加以描述,但对于本领域技术人员而言显而易见的是,可在不脱离本发明概念的精神及范畴下进行各种变化及修改。因此,应当理解,以上实施方案不是限制性的,而是例示性的。
附图标记说明
1:基板处理设施
2:液体供应管线
4:喷嘴
6:阀
10:索引模块
20:工艺处理模块
12:第一方向
14:第二方向
16:第三方向
18:载体
114a:基座
114b:主体
114c:索引臂
120:装载端口
140:馈给框架
142:索引轨道
144:索引机械手
220:缓冲单元
240:馈给腔室
242:导引轨道
244:索引机械手
260:工艺腔室
280:工艺腔室
300:基板处理设备
310:腔室
314:风扇
320:处理容器
322:内部回收器皿
322a:内部空间
322b:回收管线
326:外部回收器皿
326a:空间
326b:回收管线
340:旋转头/基板支撑单元
342:主体
344:支撑销
346:卡盘销
348:支撑轴
349:马达
360:升降单元
362:托架
364:可移动轴
366:驱动器
410:喷嘴
415:液体槽
420:供应管线
422:上游区域
424:第一阀
426:第一传感器
428:泵
430:下游区域
432:第一部分
434:第二部分
436:第三部分
400:液体供应单元
440:排出管线
442:第二阀
450:缓冲器
452:外壳
454:第二传感器
460:流通管线
462:第三阀
500:控制器
W:基板
Claims (20)
1.一种用于处理基板的设备,所述设备包括:
处理容器,所述处理容器具有处于所述处理容器内部的处理空间;
基板支撑单元,所述基板支撑单元配置为在所述处理空间中支撑基板;以及
液体供应单元,所述液体供应单元配置为将处理液体供应至由所述基板支撑单元支撑的所述基板;
其中,所述液体供应单元包括:
喷嘴;
供应管线,所述供应管线配置为将所述处理液体供应至所述喷嘴,且在所述供应管线中安装有第一阀;以及
排出管线,所述排出管线自作为所述供应管线中所述第一阀下游的点的分支点分支,以自所述供应管线排出所述处理液体,且在所述排出管线中安装有第二阀;并且
其中,在所述供应管线中,在所述分支点与所述喷嘴之间的区域中没有阀。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,基于所述分支点,所述供应管线的下游区域的端部定位成高于所述排出管线。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述下游区域的所述端部定位成高于所述分支点。
4.根据权利要求3所述的设备,其中,所述下游区域的、自所述分支点沿下游方向延伸的区域具有弯曲形状。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述下游方向基于所述分支点在所述供应管线的上游区域中向下设置;并且
其中,所述弯曲形状以凸面向上的形状设置。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述液体供应单元还包括:
第一传感器,所述第一传感器配置为感测所述下游区域中的所述处理液体的第一水位;
其中,所述下游区域包括:
第一部分,所述第一部分自所述分支点延伸,且具有所述弯曲形状;
第二部分,所述第二部分自所述第一部分延伸,且设置在与所述第一部分的位置成直线的位置处、或设置在低于所述第一部分的所述位置的位置处;以及
第三部分,所述第三部分自所述第二部分延伸,定位成高于所述第一部分且包括所述端部;并且
其中,所述第一传感器安装于所述第三部分中。
7.根据权利要求6所述的设备,其中,所述液体供应单元还包括:
缓冲器,所述缓冲器安装在所述排出管线中的所述第二阀的下游,且配置为将所述处理液体暂时储存于所述缓冲器中。
8.根据权利要求7所述的设备,其中,所述缓冲器包括:
外壳,所述外壳安装于所述排出管线中,且于所述外壳中具有缓冲空间;以及
第二传感器,所述第二传感器配置为感测填充于所述缓冲空间中的所述处理液体的第二水位。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的设备,其中所述液体供应单元还包括:
泵,所述泵配置为向沿着所述供应管线流动的所述处理液体施加流动压力;以及
控制器,所述控制器配置为调整所述处理液体向所述喷嘴的供应;并且
其中,所述控制器控制所述第二阀,使得所述第二阀在供应模式下切断以将所述处理液体供应至所述喷嘴、而在待用模式下打开以停止所述处理液体向所述喷嘴的所述供应。
10.根据权利要求9所述的设备,其中,在所述待用模式下,所述控制器在自所述第一传感器或所述第二传感器接收到针对所述处理液体的感测信号时切断所述第一阀及所述第二阀。
11.根据权利要求9所述的设备,其中所述控制器调整所述泵,使得所述处理液体在所述待用模式下填充于所述第二部分中。
12.一种液体供应单元,其包括:
喷嘴;
供应管线,所述供应管线配置为将处理液体供应至所述喷嘴,且在所述供应管线中安装有第一阀;以及
排出管线,所述排出管线自作为所述供应管线中所述第一阀下游的点的分支点分支,以自所述供应管线排出所述处理液体,且在所述排出管线中安装有第二阀;
其中,在所述供应管线中,在所述分支点与所述喷嘴之间的区域中没有阀。
13.根据权利要求12所述的液体供应单元,其中,基于所述分支点,所述供应管线的下游区域的端部定位成高于所述分支点及所述排出管线。
14.根据权利要求13所述的液体供应单元,其中,所述下游区域的、自所述分支点沿下游方向延伸的区域具有弯曲形状。
15.根据权利要求14所述的液体供应单元,其中,所述下游方向基于所述分支点在所述供应管线的上游区域中向下设置;并且
其中,所述弯曲形状以凸面向上的形状设置。
16.根据权利要求15所述的液体供应单元,其中,所述液体供应单元还包括:
第一传感器,所述第一传感器配置为感测所述下游区域中的所述处理液体的第一水位;
其中,所述下游区域包括:
第一部分,所述第一部分自所述分支点延伸,且具有所述弯曲形状;
第二部分,所述第二部分自所述第一部分延伸,且设置在与所述第一部分的位置成直线的位置处、或设置在低于所述第一部分的所述位置的位置处;以及
第三部分,所述第三部分自所述第二部分延伸,定位成高于所述第一部分且包括所述端部;并且
其中,所述第一传感器安装于所述第三部分中。
17.根据权利要求16所述的液体供应单元,其中,所述液体供应单元还包括:
缓冲器,所述缓冲器安装在所述排出管线中的所述第二阀的下游,且配置为将所述处理液体暂时储存于所述缓冲器中;并且
其中,所述缓冲器包括:
外壳,所述外壳安装于所述排出管线中,且于所述外壳中具有缓冲空间;以及
第二传感器,所述第二传感器配置为感测填充于所述缓冲空间中的所述处理液体的第二水位。
18.根据权利要求12至17中任一项所述的液体供应单元,其中所述液体供应单元还包括:
控制器,所述控制器配置为调整所述处理液体向所述喷嘴的供应;并且
其中,所述控制器控制所述第二阀,使得所述第二阀在供应模式下切断以将所述处理液体供应至所述喷嘴、而在待用模式下打开以停止所述处理液体向所述喷嘴的所述供应。
19.一种使用根据权利要求2-8、10和11中任一项所述的用于处理基板的设备来处理基板的方法,所述方法包括:
在将所述处理液体供应至所述基板时,在所述第一阀是打开的且所述第二阀是切断的状态下,向所述供应管线施加流动压力,以将所述处理液体供应至高于所述供应管线中所述下游区域的最高点的点;以及
当停止所述处理液体向所述基板的所述供应时,打开所述第二阀,且保持所述流动压力,以防止所述处理液体流动至所述最高点。
20.根据权利要求19所述的方法,其还包括:
当停止所述处理液体的所述供应时且当所述处理液体自所述排出管线溢出时,切断所述第一阀及所述第二阀,以防止所述处理液体流动至所述最高点。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0075144 | 2019-06-24 | ||
KR1020190075144A KR102346529B1 (ko) | 2019-06-24 | 2019-06-24 | 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112133645A true CN112133645A (zh) | 2020-12-25 |
Family
ID=73850307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010591142.5A Pending CN112133645A (zh) | 2019-06-24 | 2020-06-24 | 供应液体用单元、具有该单元的处理基板用设备及方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11658048B2 (zh) |
JP (1) | JP7290607B2 (zh) |
KR (1) | KR102346529B1 (zh) |
CN (1) | CN112133645A (zh) |
TW (1) | TWI769469B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102346529B1 (ko) * | 2019-06-24 | 2021-12-31 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20220085582A (ko) * | 2020-12-15 | 2022-06-22 | 세메스 주식회사 | 약액 수용 어셈블리 및 이를 포함하는 약액 토출 장치 |
KR102584512B1 (ko) | 2020-12-31 | 2023-10-05 | 세메스 주식회사 | 버퍼 유닛 및 온도 변화가 수반되는 기판 지지 부재의 수평 측정용 기판형 센서의 보관 방법 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5000207A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | U.S. Philips Corporation | Apparatus suitable for processing semiconductor slices |
US5922138A (en) * | 1996-08-12 | 1999-07-13 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment method and apparatus |
JP2009158597A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US20110023909A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
CN102891096A (zh) * | 2011-07-20 | 2013-01-23 | 大日本网屏制造株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
JP2013094768A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Toste Co Ltd | ゴム栓洗浄方法及びゴム栓洗浄装置 |
JP2013175552A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Tokyo Electron Ltd | 処理液交換方法および基板処理装置 |
JP2016037365A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社カワタ | 分岐装置および気力輸送装置 |
US20160270646A1 (en) * | 2014-07-16 | 2016-09-22 | Olympus Corporation | Liquid supplying apparatus and endoscope reprocessing apparatus |
US20170256426A1 (en) * | 2014-09-18 | 2017-09-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device |
WO2018136715A1 (en) * | 2017-01-19 | 2018-07-26 | The Coca-Cola Company | Automated cleaning system for beverage dispensing machine |
JP2019087652A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003215002A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
EP1347496A3 (en) * | 2002-03-12 | 2006-05-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
JP4527670B2 (ja) | 2006-01-25 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
US8303797B2 (en) * | 2006-06-16 | 2012-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning system and cleaning method |
JP4688741B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2011-05-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2008153521A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回収カップ洗浄方法および基板処理装置 |
TWI439571B (zh) * | 2007-01-15 | 2014-06-01 | Shibaura Mechatronics Corp | Sulfuric acid electrolysis device, electrolysis method and substrate processing device |
JP4825178B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5173500B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2013-04-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置 |
JP5033108B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、および記憶媒体 |
WO2011155335A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | 栗田工業株式会社 | 洗浄システムおよび洗浄方法 |
US20130269599A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and Apparatus for Continuous Pressure Control Processing |
WO2014050941A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置、基板処理装置、処理液供給方法、基板処理方法、処理液処理装置および処理液処理方法 |
US9831016B2 (en) * | 2012-11-29 | 2017-11-28 | Abb Schweiz Ag | Stripping structure and method for removing enamel insulation from lead ends |
JP6010457B2 (ja) | 2012-12-28 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および薬液回収方法 |
KR101499248B1 (ko) | 2013-01-04 | 2015-03-05 | 제일모직주식회사 | 봉지용 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 |
JP6502633B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2019-04-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
WO2015136872A1 (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理システムおよび配管洗浄方法 |
TWI630652B (zh) * | 2014-03-17 | 2018-07-21 | 斯克林集團公司 | 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法 |
JP6439964B2 (ja) | 2014-09-17 | 2018-12-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6499414B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-04-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US9972513B2 (en) * | 2016-03-07 | 2018-05-15 | Shibaura Mechatronics Corporation | Device and method for treating a substrate with hydrofluoric and nitric acid |
JP6884523B2 (ja) | 2016-07-22 | 2021-06-09 | 株式会社東芝 | 画像形成装置 |
JP6743724B2 (ja) | 2017-02-22 | 2020-08-19 | 株式会社デンソー | 通信ネットワーク及び通信端末 |
JP6975018B2 (ja) | 2017-02-22 | 2021-12-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6959743B2 (ja) | 2017-02-22 | 2021-11-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7096004B2 (ja) * | 2018-02-07 | 2022-07-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
KR102346529B1 (ko) * | 2019-06-24 | 2021-12-31 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
-
2019
- 2019-06-24 KR KR1020190075144A patent/KR102346529B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-06-11 JP JP2020101800A patent/JP7290607B2/ja active Active
- 2020-06-19 US US16/906,392 patent/US11658048B2/en active Active
- 2020-06-23 TW TW109121269A patent/TWI769469B/zh active
- 2020-06-24 CN CN202010591142.5A patent/CN112133645A/zh active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5000207A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | U.S. Philips Corporation | Apparatus suitable for processing semiconductor slices |
US5922138A (en) * | 1996-08-12 | 1999-07-13 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment method and apparatus |
JP2009158597A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US20110023909A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
CN102891096A (zh) * | 2011-07-20 | 2013-01-23 | 大日本网屏制造株式会社 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
JP2013094768A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Toste Co Ltd | ゴム栓洗浄方法及びゴム栓洗浄装置 |
JP2013175552A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Tokyo Electron Ltd | 処理液交換方法および基板処理装置 |
US20160270646A1 (en) * | 2014-07-16 | 2016-09-22 | Olympus Corporation | Liquid supplying apparatus and endoscope reprocessing apparatus |
JP2016037365A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社カワタ | 分岐装置および気力輸送装置 |
US20170256426A1 (en) * | 2014-09-18 | 2017-09-07 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device |
WO2018136715A1 (en) * | 2017-01-19 | 2018-07-26 | The Coca-Cola Company | Automated cleaning system for beverage dispensing machine |
JP2019087652A (ja) * | 2017-11-08 | 2019-06-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210000362A (ko) | 2021-01-05 |
JP7290607B2 (ja) | 2023-06-13 |
KR102346529B1 (ko) | 2021-12-31 |
JP2021002653A (ja) | 2021-01-07 |
TWI769469B (zh) | 2022-07-01 |
TW202100255A (zh) | 2021-01-01 |
US11658048B2 (en) | 2023-05-23 |
US20200402818A1 (en) | 2020-12-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |