JP5173500B2 - 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置 - Google Patents
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Description
この発明によれば、基板を処理するための処理液を第1タンク内に貯留させることができ、第1温度調節手段によって所定の第1温度に調節された処理液を、第1タンクから所定の供給対象に供給することができる。また、前記供給対象に供給された処理液を回収することができ、回収された処理液を再利用することができる。すなわち、前記供給対象に供給された処理液は第2タンクに回収され、この第2タンクに貯留される。さらに、第2タンクに回収された処理液は、移送手段によって第1タンクに移送され、再び第1タンクから前記供給対象に供給される。第2タンクから第1タンクに移送される処理液は、第2温度調節手段によって所定の第2温度に調節されている。ここで、「第2温度」とは、回収された処理液よりも第1温度に近い温度である。
この発明によれば、第1および第2温度調節手段がそれぞれ処理液の温度を室温(25度程度)以上の温度に調節する。すなわち、第1および第2温度が室温以上に設定されており、室温以上の温度に調節された処理液が前記供給対象に供給される。そのため、前記供給対象に供給された処理液は、温度調節等が別途行われない限り、第1温度以下の温度となって回収される。したがって、第2タンクから第1タンクに移送される処理液の温度を第2温度調節手段によって調節することにより、第1タンク内の液温が低下することを抑制または防止することができる。これにより、前記供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる。
この発明によれば、第2タンクから第1タンクに移送される処理液を濾過手段によって濾過することができる。これにより、前記供給対象から回収された処理液に含まれるパーティクル等の異物を処理液から除去することができる。したがって、異物を含む処理液が第1タンクに移送され、当該処理液が第1タンクから前記供給対象に供給されることを抑制または防止できる。さらに、異物が除去された処理液が第1タンクに移送されるので、第1タンク内が異物によって汚染されることを抑制または防止できる。
請求項5記載の発明は、請求項1〜4の何れか1項に記載の処理液供給装置と、前記供給対象としての処理部(2)とを含み、前記処理部内で前記処理液供給装置から供給される処理液を基板に供給して当該基板を処理する、基板処理装置(1)である。
この発明によれば、処理液供給装置から供給対象としての処理部に供給された処理液を、処理部内で基板に供給して、処理液による処理を基板に行うことができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を説明するための概念図である。この基板処理装置1は、基板の一例としての半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)を1枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置1は、ウエハWを処理するための処理ユニット2(処理部)と、この処理ユニット2に処理液を供給するための処理液供給ユニット3とを備えている。図1では、一つの処理ユニット2が図示されているが、処理ユニット2は複数設けられていてもよい。また、それに対応して、処理液供給ユニット3が複数設けられていてもよい。
また、第1ポンプ18が駆動された状態で薬液バルブ20が閉じられ第1リターンバルブ22が開かれると、第1タンク13から汲み出された薬液が、第1ヒータ17、第1フィルタ19、第1リターンバルブ22および第1リターン配管21を通って、第1タンク13に帰還する。これにより、第1タンク13内の薬液が第1循環経路23を循環する。
また、第2ポンプ26が駆動された状態で移送バルブ28が閉じられ第2リターンバルブ30が開かれると、第2タンク14から汲み出された薬液が、第2ヒータ25、第2フィルタ27、第2リターンバルブ30および第2リターン配管29を通って、第2タンク14に帰還する。これにより、第2タンク14内の薬液が第2循環経路31を循環する。
基板処理装置1は、マイクロコンピュータを含む制御部43を備えている。この制御部43には、回転駆動機構9、第1および第2ヒータ17,25、第1および第2ポンプ18,26、薬液バルブ20、第1および第2リターンバルブ22,30、移送バルブ28、第1および第2補充バルブ33,35、第1および第2排液バルブ41,42が制御対象として接続されている。また、制御部43には、各液面センサ37a〜37d,38a〜38dから信号が入力されるようになっている。
未処理のウエハWは、基板搬送ロボット(図示せず)によって、処理ユニット2内へと搬送され、スピンチャック4に受け渡される。そして、基板搬送ロボットのハンドが処理ユニット2内から退出した後、回転駆動機構9によってスピンベース8が回転される。これにより、スピンベース8に保持されたウエハWが、鉛直軸線まわりに回転される。
図3は、薬液供給装置12の第1タンク13に薬液を補充する薬液補充処理について説明するためのフローチャートである。
次に、第2タンク14に回収された薬液は、常時駆動されている第2ポンプ26によって第2タンク14から汲み出される。このとき、第1タンク13内の液面が薬液補充液面高さまで降下していなければ、制御部43は、移送バルブ28を閉じ、第2リターンバルブ30を開いている。そのため、第2タンク14から汲み出された薬液は、第2循環経路31を循環しつつ、第2ヒータ25による温度調節を受ける。したがって、第2タンク14に回収された薬液は、第1タンク13内の液面が薬液補充液面高さに降下するまでの間、第2ヒータ25による温度調節を受け、第2温度に調節される(ステップS2)。
また、第2タンク14から第1タンク13に移送される薬液は、第2ヒータ25による温度調節を受けている。したがって、第1タンク13に移送される薬液は、その温度が、第1温度と同じ、または、ほぼ同じ温度である第2温度に調節されている。そのため、第2タンク14内の薬液が第1タンク13に補充されることにより、第1タンク13内の薬液の温度が低下することが抑制または防止されている。したがって、第1タンク13に薬液が補充された直後に、第1タンク13から薬液ノズル5への薬液の供給が行われても、ウエハWの処理に適した温度である第1温度に調節された薬液が、薬液ノズル5に供給される。これにより、前述のTMAHによるポリマー除去処理のように基板に対する処理が薬液の温度に依存する場合であっても、基板に対して良好な処理が行われる。その結果、基板の処理不良が生じることが抑制または防止される。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 処理ユニット(処理部、供給対象)
12 薬液供給装置(処理液供給装置)
13 第1タンク
14 第2タンク
15 薬液供給管(処理液供給管)
17 第1ヒータ(第1温度調節手段)
24 薬液移送管(処理液移送管)
25 第2ヒータ(第2温度調節手段)
26 第2ポンプ(移送手段)
27 第2フィルタ(濾過手段)
34 第2薬液補充管(新液補充手段)
W ウエハ
Claims (5)
- 基板を処理するための処理液を所定の供給対象に供給するとともに、供給した処理液を再利用のために回収する処理液供給装置であって、
前記供給対象に供給される処理液が貯留される第1タンクと、
前記供給対象から回収された処理液が貯留される第2タンクと、
前記第2タンクに貯留された処理液を前記第1タンクに移送する移送手段と、
前記第1タンクから前記供給対象に供給される処理液の温度を調節するための第1温度調節手段と、
前記第2タンクから前記移送手段によって前記第1タンクに移送される処理液の温度を調節するための第2温度調節手段と、
前記第2タンクに、新しい処理液を補充する第2新液補充手段と、
前記第2温度調節手段によって温度が調節された処理液を、前記第2タンクに戻すための第2リターン配管と、を含む、処理液供給装置。 - 前記第1および第2温度調節手段は、それぞれ、処理液の温度を室温以上の温度に調節するものである、請求項1に記載の処理液供給装置。
- 前記第2タンクから前記移送手段によって前記第1タンクに移送される処理液を濾過する濾過手段をさらに含む、請求項1または2に記載の処理液供給装置。
- 前記第1タンクに、新しい処理液を補充する第1新液補充手段と、
前記第1温度調節手段によって温度が調節された処理液を、前記第1タンクに戻すための第1リターン配管と、をさらに含む、請求項1〜3の何れか1項に記載の処理液供給装置。 - 請求項1〜4の何れか1項に記載の処理液供給装置と、
前記供給対象としての処理部とを含み、
前記処理部内で前記処理液供給装置から供給される処理液を基板に供給して当該基板を処理する、基板処理装置。
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