JP5173500B2 - 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置 - Google Patents

処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5173500B2
JP5173500B2 JP2008061057A JP2008061057A JP5173500B2 JP 5173500 B2 JP5173500 B2 JP 5173500B2 JP 2008061057 A JP2008061057 A JP 2008061057A JP 2008061057 A JP2008061057 A JP 2008061057A JP 5173500 B2 JP5173500 B2 JP 5173500B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tank
liquid
temperature
chemical
processing liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008061057A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009218405A (ja
Inventor
祥司 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2008061057A priority Critical patent/JP5173500B2/ja
Priority to US12/370,023 priority patent/US8844545B2/en
Publication of JP2009218405A publication Critical patent/JP2009218405A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5173500B2 publication Critical patent/JP5173500B2/ja
Priority to US14/483,556 priority patent/US9466513B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/14Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

この発明は、基板を処理するための処理液を所定の供給対象に供給するとともに、供給した処理液を再利用のために回収する処理液供給装置、およびそれを備えた基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハなどの基板を処理液によって処理する基板処理装置が用いられる。基板を1枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に向けて処理液を吐出する処理液ノズルとを備えている。処理液ノズルには、処理液供給装置から延びる処理液供給管が接続されており、この処理液供給管を介して処理液供給装置の処理液タンクに貯留された処理液が供給される(たとえば特許文献1参照。)。
特許文献1記載の処理液供給装置では、処理液供給管に、処理液ノズルへの処理液の供給および供給停止を切り換える三方弁と、当該処理液供給管内を流通する処理液の温度を調節する温度調節器とが介装されている。三方弁には、処理液供給管に送り込まれた処理液を処理液タンクに帰還させるリターン配管が接続されている。処理液供給管、三方弁およびリターン配管によって処理液タンク内の処理液を循環させる循環経路が形成されている。処理液ノズルに対して処理液が供給されていない間、処理液タンク内の処理液は前記循環経路を循環させられる。これにより、処理液タンク内の処理液が温度調節器によって温度調節され、処理液タンク内の液温が所定の温度に調節される。
また、基板処理装置には、処理液タンクから延びる処理液回収管が接続されている。処理液ノズルから基板に供給された処理液は、この処理液回収管を介して前記処理液タンクに回収される。処理液タンク内に回収された処理液は、再び処理液ノズルに供給され、基板に供給される。これにより、回収された処理液が再利用される。
特開2006−351709号公報
処理液タンクから処理液ノズルに向けて送り出された処理液は、通常、送り出されるときの温度と異なる温度になって処理液タンクに回収される。そのため、処理液タンクに処理液が回収されると、処理液タンク内の液温が一時的に変化することになる。しかしながら、処理液タンク内の液温が変化した状態で、処理液ノズルへの処理液の供給が行われると、意図する温度と異なる温度の処理液が基板に供給されることになる。そのため、たとえば基板に対する処理が処理液の温度に依存する場合、意図する処理が基板に行われなくなり処理不良が生じてしまう。
そこで、この発明の目的は、所定の供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板(W)を処理するための処理液を所定の供給対象に供給するとともに、供給した処理液を再利用のために回収する処理液供給装置であって、前記供給対象(2)に供給される処理液が貯留される第1タンク(13)と、前記供給対象から回収された処理液が貯留される第2タンク(14)と、前記第2タンクに貯留された処理液を前記第1タンクに移送する移送手段(26)と、前記第1タンクから前記供給対象に供給される処理液の温度を調節するための第1温度調節手段(17)と、前記第2タンクから前記移送手段によって前記第1タンクに移送される処理液の温度を調節するための第2温度調節手段(25)と、前記第2タンクに、新しい処理液を補充する第2新液補充手段(34)と、前記第2温度調節手段によって温度が調節された処理液を、前記第2タンクに戻すための第2リターン配管(29)と、を含む、処理液供給装置(12)である。
第1温度調節手段は、第1タンクから前記供給対象へと供給される処理液が流通する処理液供給管(15)内の処理液の温度を調節するものであってもよいし、第1タンクに貯留されている処理液の温度を調節するものであってもよい。同様に、第2温度調節手段は、第2タンクから第1タンクへと移送される処理液が流通する処理液移送管(24)内の処理液の温度を調節するものであってもよいし、第2タンクに貯留されている処理液の温度を調節するものであってもよい。また、第1および第2温度調節手段は、それぞれ、加熱して処理液の温度を調節するものであってもよいし、冷却して処理液の温度を調節するものであってもよい。
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すものとする。
この発明によれば、基板を処理するための処理液を第1タンク内に貯留させることができ、第1温度調節手段によって所定の第1温度に調節された処理液を、第1タンクから所定の供給対象に供給することができる。また、前記供給対象に供給された処理液を回収することができ、回収された処理液を再利用することができる。すなわち、前記供給対象に供給された処理液は第2タンクに回収され、この第2タンクに貯留される。さらに、第2タンクに回収された処理液は、移送手段によって第1タンクに移送され、再び第1タンクから前記供給対象に供給される。第2タンクから第1タンクに移送される処理液は、第2温度調節手段によって所定の第2温度に調節されている。ここで、「第2温度」とは、回収された処理液よりも第1温度に近い温度である。
第2タンクに回収された処理液は、第2温度調節手段によって温度調節された状態で、移送手段によって第1タンクに移送される。つまり、回収された処理液は、予め温度調節されたうえで第1タンクに送り込まれる。これにより、第1タンク内の処理液に、回収処理液に起因する大きな温度変化が生じることが抑制できるから、前記供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる。
すなわち、第1温度調節手段が第1タンクに貯留されている処理液の温度を調節するものである場合、第1タンク内の液温が第1温度に維持されるので、前記供給対象に供給される処理液の温度が安定化される。また、第1温度調節手段が前記処理液供給管内の処理液の温度を調節するものである場合、第1タンクから処理液供給管に供給される処理液の温度が第1温度に近づけられているので、処理液供給管内の処理液の温度を即座に第1温度に調節することができる。これにより、前記供給対象に供給される処理液の温度が安定化される。
第2温度調節手段による処理液の調節温度である第2温度は、第1温度調節手段による処理液の調節温度である第1温度と同じ温度、または、ほぼ同じ温度であることが好ましい。すなわち、第1および第2温度調節手段は、それぞれ、同じ温度またはほぼ同じ温度に処理液の温度を調節するものであることが好ましい。この場合、第2タンクから第1タンクに移送される処理液の温度を第1温度と同じ、または、ほぼ同じ温度にすることができるので、前記供給対象に供給される処理液の温度をより安定化させることができる。
さらに、第2新液補充手段によって第2タンクに新しい処理液を補充することができる。これにより、第2タンク内の液量を所定量以上に維持することができる。また、第2新液補充手段から第2タンクに補充された処理液の温度が、第1温度と異なる温度であっても、当該処理液の温度を第2温度調節手段によって調節することにより、補充された処理液の温度を第1温度に近づけた状態で、当該処理液を第1タンクに移送させることができる。これにより、前記供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる。
請求項記載の発明は、前記第1および第2温度調節手段は、それぞれ、処理液の温度を室温以上の温度に調節するものである、請求項1記載の処理液供給装置である。
この発明によれば、第1および第2温度調節手段がそれぞれ処理液の温度を室温(25度程度)以上の温度に調節する。すなわち、第1および第2温度が室温以上に設定されており、室温以上の温度に調節された処理液が前記供給対象に供給される。そのため、前記供給対象に供給された処理液は、温度調節等が別途行われない限り、第1温度以下の温度となって回収される。したがって、第2タンクから第1タンクに移送される処理液の温度を第2温度調節手段によって調節することにより、第1タンク内の液温が低下することを抑制または防止することができる。これにより、前記供給対象に安定した温度で処理液を供給することができる。
請求項記載の発明は、前記第2タンクから前記移送手段によって前記第1タンクに移送される処理液を濾過する濾過手段(27)をさらに含む、請求項1または2に記載の処理液供給装置である。
この発明によれば、第2タンクから第1タンクに移送される処理液を濾過手段によって濾過することができる。これにより、前記供給対象から回収された処理液に含まれるパーティクル等の異物を処理液から除去することができる。したがって、異物を含む処理液が第1タンクに移送され、当該処理液が第1タンクから前記供給対象に供給されることを抑制または防止できる。さらに、異物が除去された処理液が第1タンクに移送されるので、第1タンク内が異物によって汚染されることを抑制または防止できる。
前記処理液供給装置は、請求項4に記載の発明のように、前記第1タンクに、新しい処理液を補充する第1新液補充手段と、前記第1温度調節手段によって温度が調節された処理液を、前記第1タンクに戻すための第1リターン配管と、をさらに含んでいてもよい。
請求項5記載の発明は、請求項1〜4の何れか1項に記載の処理液供給装置と、前記供給対象としての処理部(2)とを含み、前記処理部内で前記処理液供給装置から供給される処理液を基板に供給して当該基板を処理する、基板処理装置(1)である。
この発明によれば、処理液供給装置から供給対象としての処理部に供給された処理液を、処理部内で基板に供給して、処理液による処理を基板に行うことができる。
前述のように、処理液供給装置から処理部には安定した温度で処理液が供給される。したがって、たとえば基板に対する処理が処理液の温度に依存する場合であっても、基板に対して良好な処理を行うことができる。これにより、基板の処理不良が抑制または防止される。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の構成を説明するための概念図である。この基板処理装置1は、基板の一例としての半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という。)を1枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置1は、ウエハWを処理するための処理ユニット2(処理部)と、この処理ユニット2に処理液を供給するための処理液供給ユニット3とを備えている。図1では、一つの処理ユニット2が図示されているが、処理ユニット2は複数設けられていてもよい。また、それに対応して、処理液供給ユニット3が複数設けられていてもよい。
処理ユニット2は、ウエハWを水平に保持して回転させるスピンチャック4と、処理液としての薬液をウエハWに供給する薬液ノズル5と、処理液としてのリンス液をウエハWに供給するリンス液ノズル6と、ウエハWから排出される処理液を受け止めるためのカップ7とを備えている。スピンチャック4は、ウエハWをほぼ水平に保持して鉛直軸線まわりに回転可能なスピンベース8と、このスピンベース8を鉛直軸線まわりに回転させる回転駆動機構9とを含む。薬液ノズル5およびリンス液ノズル6は、それぞれ、ウエハW上での処理液の着液位置が固定された固定ノズルであってもよいし、処理液の着液位置がウエハWの回転中心からウエハWの周縁に至る範囲で移動されるスキャンノズルであってもよい。また、カップ7は、環状をなしており、スピンチャック4を取り囲んでいる。カップ7は、薬液が集められる薬液捕獲部10と、リンス液が集められるリンス液捕獲部11とを有している。薬液およびリンス液は、それぞれ、薬液捕獲部10およびリンス液捕獲部11に集められる。
処理液供給ユニット3は、薬液供給装置12(処理液供給装置)を備えている。薬液供給装置12は、同種の薬液がそれぞれ貯留された第1タンク13および第2タンク14と、薬液ノズル5に薬液を供給する薬液供給管15(処理液供給管)と、カップ7により受け止められた薬液を回収する薬液回収管16とを備えている。薬液ノズル5には、第1タンク13に貯留された薬液が薬液供給管15を介して供給される。
薬液供給管15は、その一端が薬液ノズル5に接続されており、その他端が第1タンク13に接続されている。薬液供給管15には、薬液流通方向に沿って、第1ヒータ17(第1温度調節手段)、第1ポンプ18、第1フィルタ19および薬液バルブ20が順に介装されている。第1ヒータ17は、薬液供給管15内を流通する薬液の温度を調節することができる。第1ポンプ18は、第1タンク13から薬液を汲み出して薬液供給管15に送り込むことができる。第1ポンプ18は常時駆動されており、第1タンク13内の薬液を常時汲み出している。また、第1フィルタ19は、薬液供給管15内を流通する薬液から異物を除去することができる。薬液バルブ20は、薬液ノズル5への薬液の供給および供給停止を切り換えることができる。
また、薬液供給管15において薬液バルブ20よりも薬液流通方向の上流側には、薬液供給管15を流通する薬液を第1タンク13に帰還させるための第1リターン配管21が分岐接続されている。第1リターン配管21には、第1リターンバルブ22が介装されている。薬液供給管15および第1リターン配管21により、第1タンク13内の薬液を循環させる第1循環経路23が形成されている。
第1ポンプ18が駆動された状態で薬液バルブ20が開かれ第1リターンバルブ22が閉じられると、第1タンク13から汲み出された薬液が、第1ヒータ17、第1フィルタ19および薬液バルブ20を通って薬液ノズル5に供給される。これにより、薬液ノズル5から薬液が吐出される。
また、第1ポンプ18が駆動された状態で薬液バルブ20が閉じられ第1リターンバルブ22が開かれると、第1タンク13から汲み出された薬液が、第1ヒータ17、第1フィルタ19、第1リターンバルブ22および第1リターン配管21を通って、第1タンク13に帰還する。これにより、第1タンク13内の薬液が第1循環経路23を循環する。
第1タンク13内の薬液は、第1循環経路23を循環することにより第1ヒータ17による温度調節を受け、その温度がウエハWの処理に適した所定の第1温度に保持される。また、第1タンク13内の薬液は、第1循環経路23を循環することにより第1フィルタ19によって濾過され、薬液中に含まれるパーティクル等の異物が除去される。これにより、異物を含む薬液が薬液ノズル5に供給されることが抑制または防止されている。したがって、異物を含む薬液がウエハWに供給され、当該異物によってウエハWが汚染されることが抑制または防止されている。
一方、薬液回収管16は、その一端がカップ7(薬液捕獲部10)の底面に接続されており、その他端が第2タンク14に接続されている。カップ7により受け止められた薬液は、薬液回収管16を介して第2タンク14に導かれ、第2タンク14に貯留される。また、第2タンク14は、薬液移送管24(処理液移送管)を介して第1タンク13に連結されている。第2タンク14内の薬液は、薬液移送管24に介装された第2ポンプ26(移送手段)によって汲み出され、第1タンク13に移送される。
薬液移送管24は、その一端が第2タンク14の下部に接続されており、その他端が第1タンク13の上部に接続されている。薬液移送管24には、薬液流通方向に沿って、第2ヒータ25(第2温度調節手段)、第2ポンプ26、第2フィルタ27(濾過手段)および移送バルブ28が順に介装されている。第2ヒータ25は、薬液移送管24内を流通する薬液の温度を調節することができる。第2ポンプ26は、第2タンク14から薬液を汲み出して薬液移送管24に送り込むことができる。第2ポンプ26は常時駆動されており、第2タンク14内の薬液を常時汲み出している。また、第2フィルタ27は、薬液移送管24内を流通する薬液から異物を除去することができる。移送バルブ28は、第1タンク13への薬液の移送および移送停止を切り換えることができる。
また、薬液移送管24において移送バルブ28よりも薬液流通方向の上流側には、薬液移送管24を流通する薬液を第2タンク14に帰還させるための第2リターン配管29が分岐接続されている。第2リターン配管29には、第2リターンバルブ30が介装されている。薬液移送管24および第2リターン配管29により、第2タンク14内の薬液を循環させる第2循環経路31が形成されている。
第2ポンプ26が駆動された状態で移送バルブ28が開かれ第2リターンバルブ30が閉じられると、第2タンク14から汲み出された薬液が、第2ヒータ25、第2フィルタ27および移送バルブ28を通って第1タンク13に移送される。これにより、第1タンク13に薬液が補充される。
また、第2ポンプ26が駆動された状態で移送バルブ28が閉じられ第2リターンバルブ30が開かれると、第2タンク14から汲み出された薬液が、第2ヒータ25、第2フィルタ27、第2リターンバルブ30および第2リターン配管29を通って、第2タンク14に帰還する。これにより、第2タンク14内の薬液が第2循環経路31を循環する。
第2タンク14内の薬液は、第2循環経路31を循環することにより第2ヒータ25による温度調節を受け、その温度が所定の第2温度に保持される。第2温度は、たとえば、第1温度と同じ、または、ほぼ同じ温度(たとえば第1温度よりもやや低い温度、あるいはやや高い温度)に設定されている。また、第2タンク14内の薬液は、第2循環経路31を循環することにより第2フィルタ27によって濾過され、薬液中に含まれるパーティクル等の異物が除去される。これにより、異物を含む薬液が第1タンク13に供給されることが抑制または防止されている。また、異物を含む薬液の供給が抑制または防止されるので、薬液中の異物により第1タンク13内が汚染されることが抑制または防止されている。第2タンク14には、新しい薬液(未使用の薬液)に比べて多くの異物を含む回収薬液が導入される。そこで、第2タンク14内の薬液を第2フィルタ27によって濾過することにより、第1タンク13内に異物が進入することを確実に抑制または防止することができる。
また、第1タンク13には、新しい薬液を補充するための第1薬液補充管32が接続されている。第1薬液補充管32には第1補充バルブ33が介装されている。第1補充バルブ33の開閉により、第1タンク13への新液の供給および供給停止が制御される。同様に、第2タンク14には、新しい薬液を補充するための第2薬液補充管34(新液補充手段)が接続されている。第2薬液補充管34には第2補充バルブ35が介装されている。第2補充バルブ35の開閉により、第2タンク14への新液の供給および供給停止が制御される。第1および第2薬液補充管32,34は、図示しない薬液供給源に接続された集合配管36に接続されている。
第1タンク13への新液の補充は、第1および第2タンク13,14が空になっているときに行われる。また、第2タンク14への新液の補充は、第1および第2タンク13,14が空になっているときや、第2タンク14内の薬液の液量が所定量以下になったときに行われる。第1タンク13には、高さの異なる複数の位置に複数の液面センサ37(液面センサ37a〜37d)が取り付けられており、これらの液面センサ37によって、第1タンク13内の薬液の液面高さが検出される。また、第2タンク14には、高さの異なる複数の位置に複数の液面センサ38(液面センサ38a〜38d)が取り付けられており、これらの液面センサ38によって、第2タンク14内の薬液の液面高さが検出される。
各タンク13,14において、最下方に配置された液面センサ37a,38aは、それぞれ、タンク13,14内の薬液液面の下限高さを検出するものであり、この下限高さを液面が下回ると、基板処理装置1および薬液供給装置12は動作停止する。また、最上方に配置された液面センサ37d,38dは、タンク13,14内の薬液液面の上限高さを検出するものであり、この上限高さを液面が上回ると、基板処理装置1および薬液供給装置12は動作停止する。下から2番目に配置された液面センサ37b,38bは、薬液補充液面高さを検出するものであり、下から3番目に配置された液面センサ37c,38cは薬液補充停止液面高さを検出するものである。
第1タンク13から薬液ノズル5に薬液が供給され、第1タンク13内の液面が薬液補充液面高さまで降下すると、第2リターンバルブ30が閉じられ、移送バルブ28が開かれ、第2ポンプ26によって第2タンク14内の薬液が第1タンク13に移送される。これにより、第1タンク13に薬液が補充される。第2タンク14から第1タンク13への薬液の移送は、第1タンク13内の液面高さが、薬液補充停止液面高さに達するまで行われる。こうして、第1タンク13内の液面高さが、液面センサ37b,37cの検出高さの間に保持される。
また、第2タンク14内の液面が薬液補充液面高さまで降下すると、第2薬液補充管34に介装された第2補充バルブ35が開かれ、第2タンク14に新しい薬液が補充される。第2タンク14への新液の補充は、たとえば、第2タンク14から第1タンク13に薬液が移送されていないときに行われる。すなわち、第2タンク14から第1タンク13への薬液の移送中に第2タンク14内の液面が薬液補充液面高さまで降下した場合には、第1タンク13内の薬液液面が薬液補充停止液面高さに達するまで、第2タンク14への新液の補充が待機される。そして、第1タンク13への薬液の移送が終了した後に、第2補充バルブ35が開かれ、第2タンク14に新しい薬液が補充される。第2タンク14への薬液の補充は、第2タンク14内の液面高さが、薬液補充停止液面高さに達するまで行われる。
第1タンク13および第2タンク14には、それぞれ、タンク13,14内の薬液を排液させるための第1排液配管39および第2排液配管40が接続されている。第1排液配管39は、その一端が第1タンク13の下部に接続されており、その他端が図示しない排液タンクに接続されている。第1排液配管39には第1排液バルブ41が介装されており、この第1排液バルブ41が開かれることにより、第1タンク13内の薬液が第1排液配管39へ流下して、排液される。第1排液バルブ41は、たとえば、常時閉じられており、第1タンク13のメンテナンス時や、第1タンク13内の薬液を新しい薬液に入れ替えるときに開かれる。
また、第2排液配管40は、その一端が第2タンク14の下部に接続されており、その他端が第1排液配管39において第1排液バルブ41よりも薬液流通方向の下流側に接続されている。第2排液配管40には第2排液バルブ42が介装されている。この第2排液バルブ42が開かれることにより、第2タンク14内の薬液が第2排液配管40へ流下して、排液される。第2排液バルブ42は、たとえば、常時閉じられており、第2タンク14のメンテナンス時や、第2タンク14内の薬液を新しい薬液に入れ替えるときに開かれる。
図2は、基板処理装置1の電気的構成を説明するためのブロック図である。
基板処理装置1は、マイクロコンピュータを含む制御部43を備えている。この制御部43には、回転駆動機構9、第1および第2ヒータ17,25、第1および第2ポンプ18,26、薬液バルブ20、第1および第2リターンバルブ22,30、移送バルブ28、第1および第2補充バルブ33,35、第1および第2排液バルブ41,42が制御対象として接続されている。また、制御部43には、各液面センサ37a〜37d,38a〜38dから信号が入力されるようになっている。
次に、図1および図2を参照して、基板処理装置1によるウエハWの処理の一例について説明する。
未処理のウエハWは、基板搬送ロボット(図示せず)によって、処理ユニット2内へと搬送され、スピンチャック4に受け渡される。そして、基板搬送ロボットのハンドが処理ユニット2内から退出した後、回転駆動機構9によってスピンベース8が回転される。これにより、スピンベース8に保持されたウエハWが、鉛直軸線まわりに回転される。
ウエハWが鉛直軸線まわりに回転されると、制御部43により、第1リターンバルブ22が閉じられた状態で薬液バルブ20が開かれ、薬液供給装置12の第1タンク13から薬液ノズル5に薬液が供給される。これにより、薬液ノズル5から薬液が吐出され、ウエハWの上面(表面)における回転中心を含む範囲に薬液が着液する。ウエハWに着液した薬液は、ウエハWの回転による遠心力を受けてウエハWの周縁に向かって広がっていく。これにより、ウエハWの上面全域に薬液が供給され、ウエハWの上面に薬液による薬液処理が行われる。
薬液ノズル5に供給される薬液としては、たとえば、高温(室温以上の温度)にすることで処理能力が向上する薬液が用いられている。具体的には、ウエハWからポリマーを除去するポリマー除去処理では、薬液として、たとえば、TMAH(テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド:水酸化テトラメチルアンモニウム)が用いられている。TMAHは、第1ヒータ17によって第1温度(たとえば80±1℃)に温度が調節されている。したがって、ウエハWには、約80℃に温度調節されたTMAHが供給されることになる。
ポリマー除去処理に用いられる薬液としては、TMAHに限らず、TMAHを含む液体、有機アルカリ液を含む液体、有機酸を含む液体、無機酸を含む液体、ふっ化アンモン系物質を含む液体のうちの少なくともいずれか1つが使用できる。そのうち、有機アルカリ液を含む液体としては、DMF(ジメチルホルムアミド)、DMSO(ジメチルスルホキシド)、ヒドロキシルアミン、コリンのうちの少なくともいずれか1つを含む液体が挙げられる。また、有機酸を含む液体としては、クエン酸、蓚酸、イミノジ酸、および琥珀酸のうちの少なくともいずれか1つを含む液体が挙げられる。また、無機酸を含む液体としては、ふっ酸および燐酸のうちの少なくともいずれか1つを含む液体が挙げられる。その他、ポリマー除去成分液としては、1−メチル−2ピロリドン、テトラヒドロチオフェン1.1−ジオキシド、イソプロパノールアミン、モノエタノールアミン、2−(2アミノエトキシ)エタノール、カテコール、N−メチルピロリドン、アロマティックジオール、パークレン(テトラクロロエチレン)、フェノールを含む液体などのうちの少なくともいずれか1つを含む液体があり、より具体的には、1−メチル−2ピロリドンとテトラヒドロチオフェン1.1−ジオキシドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルスルホキシドとモノエタノールアミンとの混合液、2−(2アミノエトキシ)エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合液、2−(2アミノエトキシ)エタノールとN−メチルピロリドンとの混合液、モノエタノールアミンと水とアロマティックジオールとの混合液、パークレンとフェノールとの混合液などのうちの少なくともいずれか1つが挙げられる。その他、トリエタノールアミン、ペンタメチルジエチレントリアミンなどのアミン類、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのうちの少なくともいずれか1つを含む液体が挙げられる。
また、高温にすることで処理能力が向上する薬液としては、前述の薬液以外に、SC―1(アンモニアと過酸化水素水との混合液)や、SC−2(塩酸と過酸化水素水との混合液)などを用いることができる。SC―1は、たとえば、パーティクルや各種金属不純物などの不要物を除去する洗浄処理に用いられる薬液であり、SC−2は、たとえば、パーティクルや各種金属不純物などの不要物を除去する洗浄またはエッチング処理に用いられる薬液である。これらの薬液は、たとえば40〜60℃に温度調節される。
薬液ノズル5からウエハWに供給された薬液(本処理例では、80±1℃に温度が調節されたTMAH)は、ウエハWの周縁から排出され、カップ7により受け止められる。そして、薬液回収管16を介して第2タンク14に導かれ、回収される。このとき、回収された薬液の温度は、たとえば25〜30℃になっている。すなわち、薬液ノズル5から吐出された薬液は、第2タンク14に至る過程でウエハWや周囲の室温雰囲気等に吸熱され、室温程度の温度となって第2タンク14に回収される。
薬液処理が所定時間にわたって行われると、制御部43により薬液バルブ20が閉じられて、薬液供給装置12から薬液ノズル5への薬液の供給が停止される。これにより、薬液ノズル5からの薬液の吐出が停止される。そして、リンス液の一例である純水(脱イオン水)がリンス液ノズル6から吐出され、ウエハWの上面における回転中心を含む範囲に純水が着液する。ウエハWに着液した純水は、ウエハWの回転による遠心力を受けてウエハWの周縁に向かって広がっていく。これにより、ウエハW上の薬液が洗い流され、ウエハWの上面に純水によるリンス処理が行われる。
こうして一定時間のリンス処理を行った後には、純水の供給を停止するとともに、回転駆動機構9によりスピンチャック4を高速回転させてウエハWを乾燥させる乾燥処理が行われる。この乾燥処理の後、基板搬送ロボットにより、処理済のウエハWが処理ユニット2から払い出される。
図3は、薬液供給装置12の第1タンク13に薬液を補充する薬液補充処理について説明するためのフローチャートである。
基板処理装置1のカップ7から薬液回収管16を介して第2タンク14に薬液が回収されると(ステップS1)、当該薬液は第2タンク14に貯留される。回収された薬液の温度は、たとえば、第1タンク13から送り出されるときの温度(第1温度)よりも低下している。
次に、第2タンク14に回収された薬液は、常時駆動されている第2ポンプ26によって第2タンク14から汲み出される。このとき、第1タンク13内の液面が薬液補充液面高さまで降下していなければ、制御部43は、移送バルブ28を閉じ、第2リターンバルブ30を開いている。そのため、第2タンク14から汲み出された薬液は、第2循環経路31を循環しつつ、第2ヒータ25による温度調節を受ける。したがって、第2タンク14に回収された薬液は、第1タンク13内の液面が薬液補充液面高さに降下するまでの間、第2ヒータ25による温度調節を受け、第2温度に調節される(ステップS2)。
第2循環経路31において第2タンク14内の薬液を循環させている間、制御部43は、第1タンク13において下から2番目に配置された液面センサ37bからの入力信号に基づいて、第1タンク13に薬液を補充させるべきか否かを判断している(ステップS3)。すなわち、液面センサ37bから制御部43に信号が入力されている間は第1タンク13内の液面が薬液補充液面高さまで降下していないので、第1タンク13に薬液を補充させずに、第2タンク14内の薬液を循環させ続ける(ステップS3においてNoと判断されたとき)。
一方、第1タンク13内の液面が薬液補充液面高さまで降下して、液面センサ37bからの入力信号が停止すると、制御部43は、第2リターンバルブ30を閉じ、移送バルブ28を開く(ステップS3においてYesと判断されたとき)。これにより、第2タンク14内の薬液が第2ポンプ26によって第1タンク13に移送され、第1タンク13への薬液の補充が開始される(ステップS4)。
第2タンク14内の薬液が第1タンク13に移送されることで、第2タンク14に回収された薬液が1タンク13に供給される。したがって、基板処理装置1から回収された薬液は、再び第1タンク13から薬液ノズル5に供給されることになる。これにより、基板処理装置1に供給された薬液が再利用される。
また、第2タンク14から第1タンク13に移送される薬液は、第2ヒータ25による温度調節を受けている。したがって、第1タンク13に移送される薬液は、その温度が、第1温度と同じ、または、ほぼ同じ温度である第2温度に調節されている。そのため、第2タンク14内の薬液が第1タンク13に補充されることにより、第1タンク13内の薬液の温度が低下することが抑制または防止されている。したがって、第1タンク13に薬液が補充された直後に、第1タンク13から薬液ノズル5への薬液の供給が行われても、ウエハWの処理に適した温度である第1温度に調節された薬液が、薬液ノズル5に供給される。これにより、前述のTMAHによるポリマー除去処理のように基板に対する処理が薬液の温度に依存する場合であっても、基板に対して良好な処理が行われる。その結果、基板の処理不良が生じることが抑制または防止される。
また、第2タンク14から第1タンク13に移送される薬液は、第2フィルタ27による濾過処理を受けている。したがって、第1タンク13に移送される薬液は、薬液中に含まれるパーティクル等の異物が除去されている。これにより、薬液中に含まれる異物によって第1タンク13内が汚染されることや、異物を含む薬液が第1タンク13から薬液ノズル5に供給されることが抑制または防止されている。
第1タンク13への薬液の補充が開始されると、次に、制御部43は、第1タンク13への薬液の補充を停止すべきか否かを判断する(ステップS5)。すなわち、第1タンク13において下から3番目に配置された液面センサ37cから制御部43に信号が入力されなければ、第1タンク13内の液面高さが、薬液補充停止液面高さに達していないので、第1タンク13への薬液の補充が継続される(ステップS5においてNoと判断されたとき)。
一方、薬液補充停止液面高さに達して、液面センサ37cから制御部43に信号が入力されると、制御部43は、移送バルブ28を閉じ、第2リターンバルブ30を開く(ステップS5においてYesと判断されたとき)。これにより、第2タンク14から第1タンク13への薬液の移送が停止され、第1タンク13への薬液の補充が停止される(ステップS6)。そして、第2タンク14内の薬液が再び第2循環経路31を循環させられる。
第1タンク13への薬液の移送が停止された後、第2タンク14内の液面が薬液補充液面高さまで降下している場合には、第2薬液補充管34に介装された第2補充バルブ35が開かれ、第2タンク14に新しい薬液が補充される。そして、第2タンク14に補充された新しい薬液は、第1タンク13内の液面が再び薬液補充液面高さに降下するまで、第2循環経路31を循環させられ、第2ヒータ25による温度調節を受ける。したがって、新しい薬液の温度が第1温度と異なる場合であっても、当該薬液は、第2ヒータ25による温度調節を受けた後に第1タンク13に移送されるので、第1タンク13内の薬液の温度が変化することが抑制または防止されている。
以上のように本実施形態では、基板処理装置1から回収された薬液が、第2タンク14に貯留され、第2ヒータ25による温度調節を受けた後、第1タンク13に移送される。そのため、回収された薬液の温度が、第1ヒータ17による薬液の調節温度である第1温度と異なる場合であっても、第2ヒータ25によって第1温度と同じ、または、ほぼ同じ温度である第2温度に温度調節された状態で第1タンク13に移送される。これにより、薬液の回収によって第1タンク13内の薬液の温度が変化することが抑制または防止されている。そのため、薬液ノズル5に供給される薬液の温度が安定化されており、安定した温度で薬液がウエハWに供給される。したがって、基板に対する処理が薬液の温度に依存する場合であっても、基板に対して良好な処理が行われる。
また、薬液供給装置12の連続作動時において、第1タンク13には第2タンク14を介して新しい薬液が補充される。したがって、新しい薬液の温度が第1温度と異なる場合であっても、当該薬液は、第2ヒータ25によって第1温度と同じ、または、ほぼ同じ温度に調節された状態で第1タンク13に移送される。これにより、新液の補充により第1タンク13内の薬液の温度が変化することが抑制または防止されている。
この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の実施形態では、第1および第2ヒータ17,25が配管(薬液供給管15、薬液移送管24)内の薬液を加熱することにより、それぞれ、第1および第2タンク13,14内の薬液の温度を調節する場合について説明したが、これに限られない。すなわち、第1および第2ヒータ17,25は、それぞれ第1および第2タンク13,14に取り付けられていて、第1および第2タンク13,14に貯留された薬液の温度を調節するものであってもよい。
また、前述の実施形態では、第2温度調節手段として第2ヒータ25を用いた場合について説明したが、たとえば、第2タンク14に回収される薬液の温度が第1温度よりも高い場合には、ペルチェ素子や冷却パイプ機構等の冷却装置を第2温度調節手段として用いてもよい。さらに、前述の実施形態では、第1温度調節手段として第1ヒータ17を用いた場合について説明したが、たとえば第1温度が室温よりも低い場合には、ペルチェ素子や冷却パイプ機構等の冷却装置を第1温度調節手段として用いてもよい。
また、前述の実施形態では、処理対象となる基板としてウエハWを取り上げたが、ウエハWに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための概念図である。 基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 薬液供給装置の第1タンクに薬液を補充する薬液補充処理について説明するためのフローチャートである。
符号の説明
1 基板処理装置
2 処理ユニット(処理部、供給対象)
12 薬液供給装置(処理液供給装置)
13 第1タンク
14 第2タンク
15 薬液供給管(処理液供給管)
17 第1ヒータ(第1温度調節手段)
24 薬液移送管(処理液移送管)
25 第2ヒータ(第2温度調節手段)
26 第2ポンプ(移送手段)
27 第2フィルタ(濾過手段)
34 第2薬液補充管(新液補充手段)
W ウエハ

Claims (5)

  1. 基板を処理するための処理液を所定の供給対象に供給するとともに、供給した処理液を再利用のために回収する処理液供給装置であって、
    前記供給対象に供給される処理液が貯留される第1タンクと、
    前記供給対象から回収された処理液が貯留される第2タンクと、
    前記第2タンクに貯留された処理液を前記第1タンクに移送する移送手段と、
    前記第1タンクから前記供給対象に供給される処理液の温度を調節するための第1温度調節手段と、
    前記第2タンクから前記移送手段によって前記第1タンクに移送される処理液の温度を調節するための第2温度調節手段と
    前記第2タンクに、新しい処理液を補充する第2新液補充手段と、
    前記第2温度調節手段によって温度が調節された処理液を、前記第2タンクに戻すための第2リターン配管と、を含む、処理液供給装置。
  2. 前記第1および第2温度調節手段は、それぞれ、処理液の温度を室温以上の温度に調節するものである、請求項1記載の処理液供給装置。
  3. 前記第2タンクから前記移送手段によって前記第1タンクに移送される処理液を濾過する濾過手段をさらに含む、請求項1または2に記載の処理液供給装置。
  4. 前記第1タンクに、新しい処理液を補充する第1新液補充手段と、
    前記第1温度調節手段によって温度が調節された処理液を、前記第1タンクに戻すための第1リターン配管と、をさらに含む、請求項1〜3の何れか1項に記載の処理液供給装置。
  5. 請求項1〜4の何れか1項に記載の処理液供給装置と、
    前記供給対象としての処理部とを含み、
    前記処理部内で前記処理液供給装置から供給される処理液を基板に供給して当該基板を処理する、基板処理装置。
JP2008061057A 2008-03-11 2008-03-11 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置 Active JP5173500B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008061057A JP5173500B2 (ja) 2008-03-11 2008-03-11 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
US12/370,023 US8844545B2 (en) 2008-03-11 2009-02-12 Treatment liquid supply apparatus and substrate treatment apparatus including the same
US14/483,556 US9466513B2 (en) 2008-03-11 2014-09-11 Treatment liquid supply apparatus and substrate treatment apparatus including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008061057A JP5173500B2 (ja) 2008-03-11 2008-03-11 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009218405A JP2009218405A (ja) 2009-09-24
JP5173500B2 true JP5173500B2 (ja) 2013-04-03

Family

ID=41061649

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008061057A Active JP5173500B2 (ja) 2008-03-11 2008-03-11 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8844545B2 (ja)
JP (1) JP5173500B2 (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5372680B2 (ja) 2009-09-24 2013-12-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 障害物検知装置
KR101676693B1 (ko) * 2010-06-07 2016-11-16 쿠리타 고교 가부시키가이샤 세정 시스템 및 세정 방법
JP5668914B2 (ja) * 2010-08-27 2015-02-12 栗田工業株式会社 洗浄方法および洗浄システム
JP5307780B2 (ja) * 2010-09-13 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 液体加熱ユニット、これを備える液処理装置、および液処理方法
JP5615650B2 (ja) * 2010-09-28 2014-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2012204746A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR101927190B1 (ko) * 2012-03-16 2018-12-10 세메스 주식회사 약액 공급 장치
CN103377972B (zh) * 2012-04-30 2016-12-28 细美事有限公司 基板处理装置和供给处理溶液的方法
US9870933B2 (en) * 2013-02-08 2018-01-16 Lam Research Ag Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
KR102246213B1 (ko) * 2013-03-15 2021-04-28 티이엘 매뉴팩처링 앤드 엔지니어링 오브 아메리카, 인크. 고온 에칭액을 제공하는 처리 시스템 및 방법
JP6022431B2 (ja) * 2013-10-17 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6064875B2 (ja) * 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
KR102219880B1 (ko) * 2013-12-27 2021-02-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2015136872A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理システムおよび配管洗浄方法
TWI630652B (zh) 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
KR101696194B1 (ko) * 2014-05-29 2017-01-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6320869B2 (ja) * 2014-07-29 2018-05-09 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101671118B1 (ko) 2014-07-29 2016-10-31 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6359925B2 (ja) 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6499414B2 (ja) 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US10332761B2 (en) 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6478692B2 (ja) * 2015-02-18 2019-03-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6361071B2 (ja) * 2015-02-25 2018-07-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN105914167B (zh) 2015-02-25 2018-09-04 株式会社思可林集团 基板处理装置
JP6468916B2 (ja) * 2015-03-31 2019-02-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN105185734B (zh) * 2015-08-28 2017-09-19 中国电子科技集团公司第四十五研究所 一种晶圆湿法腐蚀清洗装置
CN106158709B (zh) * 2016-07-22 2018-09-11 江苏鲁汶仪器有限公司 一种晶圆切割装置和方法
JP2018056469A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6861553B2 (ja) * 2017-03-24 2021-04-21 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6900274B2 (ja) * 2017-08-16 2021-07-07 株式会社Screenホールディングス 薬液供給装置、基板処理装置、薬液供給方法、および基板処理方法
JP6995547B2 (ja) * 2017-09-22 2022-01-14 株式会社Screenホールディングス 薬液生成方法、薬液生成装置および基板処理装置
CN107863313B (zh) * 2017-11-21 2020-12-04 长江存储科技有限责任公司 用于晶圆刻蚀的化学液供应装置及化学液供应方法
US10510564B2 (en) * 2018-01-10 2019-12-17 Lam Research Corporation Dynamic coolant mixing manifold
JP7089902B2 (ja) * 2018-02-28 2022-06-23 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法
US11052432B2 (en) 2018-03-26 2021-07-06 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6538927B2 (ja) * 2018-05-10 2019-07-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US10741429B2 (en) * 2018-06-21 2020-08-11 Lam Research Corporation Model-based control of substrate processing systems
JP7001553B2 (ja) * 2018-06-26 2022-01-19 株式会社Screenホールディングス 処理液温度調整装置、基板処理装置、および処理液供給方法
CN111696891B (zh) * 2019-03-15 2024-05-03 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、混合方法和基片处理方法
JP7292107B2 (ja) * 2019-05-27 2023-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR102346529B1 (ko) * 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR102319966B1 (ko) * 2019-12-31 2021-11-02 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
TW202147481A (zh) * 2020-01-23 2021-12-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及藥液
KR20220088561A (ko) * 2020-12-18 2022-06-28 세메스 주식회사 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
JP7438171B2 (ja) * 2021-09-13 2024-02-26 芝浦メカトロニクス株式会社 供給タンク、供給装置、供給システム

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0741132B2 (ja) * 1986-04-07 1995-05-10 高砂熱学工業株式会社 電子部品加工用循環水回路
US5948140A (en) * 1996-06-25 1999-09-07 Paul L. Hickman Method and system for extracting and refining gold from ores
JP4426036B2 (ja) 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4678665B2 (ja) * 2001-11-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4172769B2 (ja) 2003-03-10 2008-10-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2006351709A (ja) 2005-06-14 2006-12-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置
WO2007062111A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-31 Fsi International, Inc. Process for removing material from substrates
JP2007273791A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US8460478B2 (en) * 2007-05-29 2013-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet processing apparatuses

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009218405A (ja) 2009-09-24
US9466513B2 (en) 2016-10-11
US20090229641A1 (en) 2009-09-17
US8844545B2 (en) 2014-09-30
US20140373882A1 (en) 2014-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5173500B2 (ja) 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
JP6359925B2 (ja) 基板処理装置
US9437464B2 (en) Substrate treating method for treating substrates with treating liquids
TWI503910B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP5390808B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7312656B2 (ja) 基板処理装置
US20150020968A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7220537B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US11433420B2 (en) Solution supply apparatus and solution supply method
TWI749294B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR20170129610A (ko) 기판 액처리 장치, 탱크 세정 방법 및 기억 매체
US20210166933A1 (en) Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer
WO2022009661A1 (ja) 液処理装置および液処理方法
KR20180029219A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5977058B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
JP2007273791A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102570394B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2017011095A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7376424B2 (ja) 基板処理用の処理液の交換方法および基板処理装置
JP2012204746A (ja) 基板処理装置
JP6538927B2 (ja) 基板処理装置
JP2007123847A (ja) 排液処理方法及び処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100630

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101216

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110523

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120416

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120531

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120719

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5173500

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250