CN109906385A - 电子装置的制造方法、电子装置制造用粘着性膜及电子部件试验装置 - Google Patents

电子装置的制造方法、电子装置制造用粘着性膜及电子部件试验装置 Download PDF

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Abstract

本发明的电子装置的制造方法具备下述工序：工序(A)，准备结构体，所述结构体具备粘着性膜以及粘贴于其粘着面上的1个或2个以上的电子部件；工序(B)，将结构体配置在具备具有电子部件搭载区域的试样台以及探针卡的电子部件试验装置内，以使电子部件隔着粘着性膜而位于电子部件试验装置中的试样台的电子部件搭载区域上，所述探针卡设置于与试样台对置的位置，并且具有探针端子；工序(C)，在被粘贴于粘着性膜上的状态下，使探针端子与电子部件的端子接触来评价电子部件的特性；工序(D)，然后，从粘着性膜拾取电子部件。而且，至少在工序(C)中，结构体被配置在框架的框内，并且粘着性膜的端部被固定于框架，在试样台的垂直方向上，使框架的上表面配置于比试样台的电子部件搭载区域的上表面靠下方。

Description

电子装置的制造方法、电子装置制造用粘着性膜及电子部件 试验装置
技术领域
本发明涉及电子装置的制造方法、电子装置制造用粘着性膜以及电子部件试验装置。
背景技术
在电子装置的制造工序中，有时要评价电子部件的特性。
在该电子部件的特性评价工序中，例如，在高温或低温下进行电子部件的特性评价。通过这样做，能够加速内部存在着发生不良的原因的电子部件的劣化，能够使电子部件的初期不良提前发生，除去次品。由此，能够高效地获得可靠性优异的电子部件。
作为与这样的电子部件的特性评价的加速试验相关的技术，可举出例如，专利文献1(日本特开平10-163281号公报)所记载的技术。
专利文献1中记载了一种半导体元件的制造方法，其特征在于：对于形成有多个半导体元件的半导体晶片实施切割，在保持实施了该切割的半导体元件间的位置关系的状态下，在形成于上述半导体元件的电极上按压与试验器(tester)连接的接触端子而电连接，在该连接了的状态下，利用试验器对于半导体元件进行动作特性试验的检查，制造半导体元件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-163281号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明人认识到在进行电子部件70A的特性评价时，固定电子部件70A的粘着性膜50A由于加热或冷却而产生褶皱53A，会有该褶皱53A与探针端子95A接触的情况(参照图13)。在该情况下，粘着性膜50A会干扰探针端子95A，因此会变得不能准确地评价电子部件70A的特性。
即，本发明人发现了在电子部件的特性评价工序中，从精度良好且稳定地进行电子部件的特性评价这样的观点出发，具有改善的余地。
本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的在于提供能够精度良好且稳定地进行电子部件的特性评价的电子装置的制造方法。
用于解决课题的方法
本发明人为了完成上述课题而反复进行了深入研究。其结果发现，在评价电子部件的特性时，通过在试样台的垂直方向上，使固定粘着性膜的端部的框架的上表面配置于比试样台的电子部件搭载区域的上表面靠下方，从而能够抑制进行电子部件的特性评价时粘着性膜接触探针端子，能够精度良好且稳定地进行电子部件的特性评价，由此完成了本发明。
根据本发明，提供以下所示的电子装置的制造方法、电子装置制造用粘着性膜及电子部件试验装置。
[1]
一种电子装置的制造方法，其具备下述工序：
工序(A)，准备结构体，所述结构体具备粘着性膜以及粘贴于上述粘着性膜的粘着面上的1个或2个以上的电子部件；
工序(B)，将上述结构体配置在具备具有电子部件搭载区域的试样台以及探针卡的电子部件试验装置内，以使上述电子部件位于上述电子部件试验装置中的上述试样台的上述电子部件搭载区域上，所述探针卡设置于与上述试样台对置的位置，并且具有探针端子；
工序(C)，在被粘贴于上述粘着性膜上的状态下，使上述探针端子与上述电子部件的端子接触来评价上述电子部件的特性；
工序(D)，在上述工序(C)之后，从上述粘着性膜拾取上述电子部件；
至少在上述工序(C)中，上述结构体被配置在框架的框内，并且上述粘着性膜的端部被固定于上述框架，在上述试样台的垂直方向上，使上述框架的上表面配置于比上述试样台的上述电子部件搭载区域的上表面靠下方。
[2]
根据上述[1]所述的电子装置的制造方法，
在上述工序(C)中，在0℃以下或者50℃以上且200℃以下的温度环境下，进行上述电子部件的特性评价。
[3]
根据上述[1]或[2]所述的电子装置的制造方法，
至少在上述工序(C)中，
以使上述粘着性膜的褶皱不与上述探针卡的上述探针端子接触的方式，在上述试样台的垂直方向上使上述框架的上表面配置于比上述试样台的上述电子部件搭载区域的上表面靠下方。
[4]
根据上述[1]～[3]中任一项所述的电子装置的制造方法，
在上述工序(D)中，使上述粘着性膜中的粘贴有上述电子部件的区域沿膜的面内方向扩张，在使相邻的上述电子部件间的间隔扩大了的状态下，从上述粘着性膜拾取上述电子部件。
[5]
根据上述[1]～[4]中任一项所述的电子装置的制造方法，
上述试样台至少在上述电子部件搭载区域，具有通过进行抽真空来保持上述结构体的第1抽真空设备。
[6]
根据上述[5]所述的电子装置的制造方法，
上述试样台在与上述电子部件搭载区域不同的外周侧的区域，具有将上述粘着性膜的未粘贴上述电子部件的区域进行抽真空的第2抽真空设备。
[7]
根据上述[6]所述的电子装置的制造方法，
上述第2抽真空设备是遍及上述试样台的外周且连续地闭合的真空吸附槽。
[8]
根据上述[5]～[7]中任一项所述的电子装置的制造方法，
在上述试样台的外周部设置有真空密封部。
[9]
根据上述[1]～[8]中任一项所述的电子装置的制造方法，
上述粘着性膜至少具有柔软性树脂层和粘着性树脂层。
[10]
根据上述[9]所述的电子装置的制造方法，
构成上述柔软性树脂层的柔软性树脂包含选自由聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚酰亚胺系弹性体和聚对苯二甲酸丁二醇酯所组成的组中的一种或二种以上。
[11]
一种电子装置制造用粘着性膜，其是上述[1]～[10]中任一项所述的电子装置的制造方法中所使用的上述粘着性膜，
其至少具有柔软性树脂层和粘着性树脂层。
[12]
根据上述[11]所述的电子装置制造用粘着性膜，
上述柔软性树脂层的熔点为100℃以上且250℃以下。
[13]
根据上述[11]或[12]所述的电子装置制造用粘着性膜，
构成上述柔软性树脂层的柔软性树脂包含选自由聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚酰亚胺系弹性体和聚对苯二甲酸丁二醇酯所组成的组中的一种或二种以上。
[14]
根据上述[11]～[13]中任一项所述的电子装置制造用粘着性膜，
构成上述粘着性树脂层的粘着剂包含选自(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂和苯乙烯系粘着剂中的一种或二种以上。
[15]
一种电子部件试验装置，是用于评价电子部件的特性的电子部件试验装置，其具备：
试样台，其具有电子部件搭载区域，
探针卡，其设置于与上述试样台对置的位置，并且具有探针端子，以及
框架，其在框内配置作为试验体的上述电子部件和保持上述电子部件的粘着性膜，并且，固定上述粘着性膜的端部，
使上述探针端子与上述电子部件的端子接触来评价上述电子部件的特性时，在上述试样台的垂直方向上，上述框架的上表面配置于比上述试样台的上述电子部件搭载区域的上表面靠下方。
[16]
根据上述[15]所述的电子部件试验装置，
上述试样台至少在上述电子部件搭载区域，具有通过进行抽真空来保持上述电子部件和上述粘着性膜的第1抽真空设备。
[17]
根据上述[16]所述的电子部件试验装置，
上述试样台在与上述电子部件搭载区域不同的外周侧的区域，具有将上述粘着性膜的未粘贴上述电子部件的区域进行抽真空的第2抽真空设备。
[18]
根据上述[17]所述的电子部件试验装置，
上述第2抽真空设备是遍及上述试样台的外周且连续地闭合的真空吸附槽。
[19]
根据上述[16]～[18]中任一项所述的电子部件试验装置，
在上述试样台的外周部设置有真空密封部。
发明的效果
根据本发明，能够提供能精度良好且稳定地进行电子部件的特性评价的电子装置的制造方法。
附图说明
上述目的和其他目的、特征和优点通过以下所述的优选实施方式及其所附带的以下附图而进一步变得明确。
图1为表示本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的流程图。
图2为示意性地示出本发明涉及的实施方式的电子部件试验装置和结构体的结构的一例的截面图，(a)表示在电子部件试验装置内配置有结构体的状态，(b)表示评价电子部件的特性的状态。
图3为示意性地示出本发明涉及的实施方式的结构体的结构的一例的平面图。
图4为示意性地示出本发明涉及的实施方式的电子部件试验装置和结构体的结构的一例的截面图，(a)表示在电子部件试验装置内配置有结构体的状态，(b)表示评价电子部件的特性的状态。
图5为示意性地示出本发明涉及的实施方式的第1抽真空设备的结构的一例的截面图。
图6为示意性地示出本发明涉及的实施方式的第1抽真空设备的结构的一例的截面图。
图7为示意性地示出本发明涉及的实施方式的第1抽真空设备和第2抽真空设备的结构的一例的截面图。
图8为示意性地示出本发明涉及的实施方式的第1抽真空设备和第2抽真空设备的结构的一例的截面图。
图9为示意性地示出本发明涉及的实施方式的第1抽真空设备和第2抽真空设备的结构的一例的平面图。
图10为示意性地示出本发明涉及的实施方式的真空密封部的结构的一例的平面图。
图11为示意性地示出本发明涉及的实施方式的粘着性膜的结构的一例的截面图。
图12为示意性地示出本发明涉及的实施方式的粘着性膜的结构的一例的截面图。
图13为用于示意性地说明进行电子部件的特性评价时粘着性膜会与探针端子接触的截面图。
具体实施方式
以下，对于本发明的实施方式，使用附图进行说明。另外，在全部附图中，同样的构成要素附上共同的符号，适当省略说明。此外，图为概略图，与实际的尺寸比例不一致。此外，数值范围“A～B”只要没有特别规定，就表示A以上且B以下。此外，在本实施方式中，所谓“(甲基)丙烯酸”，是指丙烯酸和甲基丙烯酸的一者或两者。
1.电子装置的制造方法和电子部件试验装置
首先，对于本实施方式涉及的电子装置的制造方法和电子部件试验装置进行说明。
图1为表示本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的流程图。图2和4为示意性地示出本发明涉及的实施方式的电子部件试验装置200和结构体100的结构的一例的截面图，(a)表示在电子部件试验装置200内配置有结构体100的状态，(b)表示评价电子部件70的特性的状态。图3为示意性地示出本发明涉及的实施方式的结构体100的结构的一例的平面图。
本实施方式涉及的电子装置的制造方法至少具备以下4个工序：
工序(A)，准备结构体100，所述结构体100具备粘着性膜50以及粘贴于粘着性膜50的粘着面上的1个或2个以上的电子部件70；
工序(B)，将结构体100配置在具备具有电子部件搭载区域85的试样台80和探针卡90的电子部件试验装置200内，以使电子部件70隔着粘着性膜50而位于电子部件试验装置200中的试样台80的电子部件搭载区域85上，所述探针卡90设置于与试样台80对置的位置，并且具有探针端子95；
工序(C)，在被粘贴于粘着性膜50上的状态下，使探针端子95与电子部件70的端子75接触来评价电子部件70的特性；
工序(D)，在工序(C)之后，从粘着性膜50拾取电子部件70，
而且，至少在工序(C)中，结构体100被配置在框架150的框内，并且粘着性膜50的端部55被固定于框架150，在试样台80的垂直方向X上，使框架150的上表面155配置于比试样台80的电子部件搭载区域85的上表面88靠下方。
本发明人认识到在进行电子部件70A的特性评价时，固定电子部件70A的粘着性膜50A由于加热或冷却而产生褶皱53A，会有该褶皱53A与探针端子95A接触的情况(参照图13)。在该情况下，粘着性膜50A会干扰探针端子95A，因此会变得不能准确地评价电子部件70A的特性。
即，本发明人发现了在电子部件的特性评价工序中，从精度良好且稳定地进行电子部件的特性评价这样的观点出发，具有改善的余地。
本发明人为了完成上述课题而反复进行了深入研究。其结果发现，在评价电子部件70的特性时，通过在试样台80的垂直方向X上，使固定粘着性膜50的端部55的框架150的上表面155配置于比试样台80的电子部件搭载区域85的上表面88靠下方，从而能够抑制进行电子部件70的特性评价时粘着性膜50接触探针端子95，能够精度良好且稳定地进行电子部件70的特性评价。
即，至少在工序(C)中，通过使框架150的上表面155配置于比试样台80的电子部件搭载区域85的上表面88靠下方，从而即使粘着性膜50由于加热或冷却而产生褶皱53，也能够抑制该褶皱53与探针端子95接触，其结果是能够抑制粘着性膜50干扰探针端子95，能够精度良好且稳定地进行电子部件70的特性评价。
如以上那样，根据本实施方式涉及的电子装置的制造方法，通过具备上述工序(A)～(D)，从而能够精度良好且稳定地进行电子部件70的特性评价。
以下，对于本实施方式涉及的电子装置的制造方法的各工序进行说明。
(工序(A))
首先，准备结构体100，所述结构体100具备粘着性膜50以及粘贴于粘着性膜50的粘着面上的1个或2个以上的电子部件70。
这样的结构体例如可以如下来制作，在粘着性膜50的粘着面(例如，后述的粘着性树脂层10的表面)上粘贴电子部件70，根据需要将粘着性膜50上的电子部件70进行单片化。
以下，将电子部件70为半导体基板和半导体芯片的情况作为例子，对于结构体100的制造方法进行具体地说明。
首先，在粘着性膜50的粘着面上粘贴半导体基板。
作为粘贴于粘着性膜50的半导体基板，可举出例如，硅、锗、镓-砷、镓-磷、镓-砷-铝等的基板(例如，晶片)。
此外，作为半导体基板，优选使用表面形成有电路的半导体基板。
在向粘着性膜50的粘着面粘贴电子部件70时，可以将粘着性膜50粘贴于框架150，然后，向粘着性膜50的粘着面粘贴电子部件50，也可以将框架150和电子部件50同时粘贴于粘着性膜50。
粘着性膜50的粘贴可以人工来进行，但通常是通过安装有卷状的表面保护膜的自动粘贴机来进行。
粘贴时的粘着性膜50和半导体基板的温度没有特别限制，优选为25℃～80℃。
此外，关于粘贴时的粘着性膜50与半导体基板的压力，没有特别限制，优选为0.3MPa～0.5MPa。
接着，将粘着性膜50上的半导体基板切割成半导体芯片。
这里所谓“切割”，包括：
(a)通过对于半导体基板设置与该半导体基板的厚度相同深度的切痕，分割半导体基板，获得多个被分割后的半导体芯片的操作(以下，也称为“全切割”)，以及
(b)通过照射激光、等离子体，对于半导体基板设置还不至于切断半导体基板的变质区域，获得多个半导体芯片的操作(以下，也称为“隐形切割”)。
上述切割可以使用切割刀(切割机)、激光、等离子体等来进行。
在切割为全切割的情况下，通过切割，半导体基板被分割为多个半导体芯片。
另一方面，在切割为隐形切割的情况下，仅通过切割，半导体基板还不至于被分割成多个半导体芯片，通过切割后的粘着性膜50的扩张，半导体基板被分割而获得多个被分割后的半导体芯片。另外，在为隐形切割的情况下，粘着性膜50的扩张可以在工序(C)之前进行，也可以在工序(C)之后进行。
另外，工序(A)中的电子部件70包含：通过全切割获得的被分割后的多个半导体芯片，以及通过隐形切割获得的被分割之前的多个半导体芯片这两者。
(工序(B))
接下来，将结构体100配置于电子部件试验装置200内，以使电子部件70隔着粘着性膜50而位于电子部件试验装置200中的试样台80的电子部件搭载区域85上。
以下，对于本实施方式涉及的电子部件试验装置200进行说明。
本实施方式涉及的电子部件试验装置200是用于评价电子部件70的特性的电子部件试验装置，其具备：具有电子部件搭载区域85的试样台80；设置于与试样台80对置的位置，并且具有探针端子95的探针卡90；以及，在框内配置作为试验体的电子部件70和保持电子部件70的粘着性膜50，并且固定粘着性膜50的端部55的框架150。而且，在使探针端子95与电子部件70的端子75接触来评价电子部件70的特性时，以在试样台80的垂直方向X上，框架150的上表面155以能够配置于比试样台80的电子部件搭载区域85的上表面88靠下方的方式来构成。
具有探针端子95的探针卡90没有特别限定，一般能够使用公知的探针卡。
框架150的形状没有特别限定，可举出圆形、椭圆形、矩形等。作为框架150，可举出例如，环框架。
作为将框架150的上表面155配置于比试样台80的电子部件搭载区域85的上表面88靠下方的构成，可举出例如，能够使框架150或试样台80沿垂直方向自由地移动那样的机构、图4所示那样的试样台80的电子部件搭载区域85中的台阶87等。
这里，图5和6为示意性地示出本发明涉及的实施方式的第1抽真空设备210的结构的一例的截面图。
如图5和6所示那样，在本实施方式涉及的电子部件试验装置200中，优选试样台80至少在电子部件搭载区域85具有第1抽真空设备210。
第1抽真空设备210通过进行抽真空来保持电子部件70和粘着性膜50(结构体100)。电子部件试验装置200通过进一步具备第1抽真空设备210，从而能够在评价电子部件70的特性时，将电子部件70和粘着性膜50(结构体100)更稳定地保持于试样台80。
这里，图7和8为示意性地示出本发明涉及的实施方式的第1抽真空设备210和第2抽真空设备220的结构的一例的截面图。图9为示意性地示出本发明涉及的实施方式的第1抽真空设备210和第2抽真空设备220的结构的一例的平面图。
如图7和8所示那样，在本实施方式涉及的电子部件试验装置200中，优选试样台80在与电子部件搭载区域85不同的外周侧的区域89，具有将粘着性膜50的未粘贴电子部件70的区域58进行抽真空的第2抽真空设备220。
电子部件试验装置200通过进一步具有第2抽真空设备220，从而能够进一步拉伸粘着性膜50的由于加热或冷却而产生的褶皱53，能够进一步降低褶皱53的高低差。由此，在进行电子部件70的特性评价时，能够进一步抑制粘着性膜50与探针端子95接触，能够进一步精度良好地进行电子部件70的特性评价。
第1抽真空设备210和第2抽真空设备220没有特别限定，能够使用公知的抽真空设备。可举出例如，由抽真空的泵(例如，真空泵)以及与真空泵连接的吸附孔构成的抽真空设备等。这里，第1抽真空设备210和第2抽真空设备220的真空管可以各自独立，也可以连着。这里，图5～10中，作为第1抽真空设备210和第2抽真空设备220，仅示出吸附孔，真空泵未图示。真空泵连接于该吸附孔，能够使用真空泵从吸附孔将电子部件70和粘着性膜50(结构体100)抽真空。
此外，如图9所示那样，第2抽真空设备220优选为遍及试样台80的外周且连续地闭合的真空吸附槽。
通过这样做，能够抑制气体流入至连续地闭合的真空吸附槽的内侧的区域，能够进一步有效地吸引粘着性膜50。其结果是能够进一步抑制粘着性膜50的由于加热或冷却而产生的褶皱53。
这里，图10为示意性地示出本发明涉及的实施方式的真空密封部230的结构的一例的平面图。
在本实施方式涉及的电子部件试验装置200中，优选在试样台80的外周部设置有真空密封部230。由此，能够使真空密封部230的内侧的区域的真空度变得更好，因而能够进一步有效地吸引粘着性膜50。其结果是能够进一步抑制粘着性膜50的由于加热或冷却而产生的褶皱53。真空密封部230的材质没有特别限定，优选为硅橡胶等耐热弹性体。
(工序(C))
接下来，在被粘贴于粘着性膜50上的状态下，使探针端子95与电子部件70的端子75接触来评价电子部件70的特性。
电子部件70的特性评价例如是电子部件70的动作确认测试，如图2(b)和图4(b)所示那样，可以使用具有探针端子95的探针卡90来进行。
例如，介由探针卡90，使与试验器连接的探针端子95接触电子部件70的端子75。由此，能够在电子部件70与试验器之间，进行动作电力、动作试验信号等的授受，判别电子部件70的动作特性的好坏等。
在工序(C)中，如图2～4所示那样，结构体100被配置在框架150的框内，并且，粘着性膜50的端部55被固定于框架150。
而且，如图2(a)和图4(a)所示那样，在试样台80的垂直方向X上，使框架150的上表面155配置于比试样台80的电子部件搭载区域85的上表面88靠下方。
这里，作为将框架150的上表面155配置于比试样台80的电子部件搭载区域85的上表面88靠下方的方法，可举出例如，如图2(a)所示那样，使框架150向垂直方向X的下方移动的方法；使试样台80向垂直方向X的上方移动的方法等。
此外，作为将框架150的上表面155配置于比试样台80的电子部件搭载区域85的上表面88靠下方的方法，例如，也可以采用如图4(a)所示那样，在试样台80的电子部件搭载区域85设置台阶87的方法。这里，台阶87只要是框架150的上表面155能够配置于比试样台80的电子部件搭载区域85的上表面88靠下方那样的构成，就没有特别限定，可以与试样台80一体化，也可以不一体化。
此外，台阶87的高度例如是，电子部件搭载区域85的上表面88与框架150的上表面155的高低差+电子部件70的高度＞褶皱53的高度那样的高度。
此外，优选至少在工序(C)中，如图2(b)和图4(b)所示那样，以粘着性膜50的由于加热或冷却而产生的褶皱53不与探针卡90的探针端子95接触的方式，在试样台80的垂直方向X上，使框架150的上表面155配置于比试样台80的电子部件搭载区域85的上表面88靠下方。
由此，在进行电子部件70的特性评价时，能够更确实地抑制粘着性膜50与探针端子95接触。
这里，电子部件搭载区域85的上表面88与框架150的上表面155的高低差为例如3～20mm，优选为3～15mm左右。如果上述高低差为上述下限值以上，则粘着性膜50的褶皱被进一步消除，因此优选。如果上述高低差为上述上限值以下，则粘着性膜50扩张而电子部件70的间隔发生变化，能够抑制探针端子95与电子部件70的位置关系发生偏移。
在工序(C)中，优选在0℃以下或者50℃以上且200℃以下的温度环境下进行电子部件70的特性评价，更优选在60℃以上且180℃以下的温度环境下进行电子部件70的特性评价，进一步优选在80℃以上且160℃以下的温度环境下进行电子部件70的特性评价。通过这样做，能够加速内部存在着发生不良的原因的电子部件70的劣化，能够使电子部件70的初期不良提前发生，除去次品。由此，能够成品率良好地获得可靠性优异的电子部件70。
例如，通过将结构体100放入恒温槽、烘箱，或者利用设置于试样台80的加热器进行加热，能够处于上述温度环境下。
(工序(D))
接着，在工序(C)之后，从粘着性膜50拾取电子部件70。
通过该拾取，从而能够从粘着性膜50剥离电子部件70。
电子部件70的拾取能够使用公知的方法来进行。
在工序(D)中，优选使粘着性膜50中的粘贴有电子部件70的区域沿膜的面内方向扩张，在使相邻的电子部件70间的间隔扩大了的状态下，从粘着性膜50拾取电子部件70。
通过这样操作，从而相邻的电子部件70间的间隔扩大，因此变得容易从粘着性膜50拾取电子部件70。进一步，因粘着性膜50的面内方向的扩张而产生电子部件70与粘着性膜50的滑动应力，由于该滑动应力，电子部件70与粘着性膜50的粘着力降低，因此变得容易从粘着性膜50拾取电子部件70。
此外，作为粘着性膜50，在使用依次具有后述的耐热性树脂层30、柔软性树脂层20和粘着性树脂层10的膜的情况下，优选在工序(C)之后将耐热性树脂层30从粘着性膜50剥离，进行工序(D)。由此，能够更容易地进行粘着性膜50的面内方向的扩张。耐热性树脂层30的剥离有时也利用手来进行，但一般而言，可以通过被称为自动剥离机的装置来进行。
(工序(E))
在本实施方式涉及的电子装置的制造方法中，在工序(D)之前可以进一步具备工序(E)：对于粘着性膜50照射放射线，使粘着性膜50发生交联，从而使粘着性膜50相对于电子部件70的粘着力降低。
通过进行工序(E)，能够容易地从粘着性膜50拾取电子部件70。此外，能够抑制电子部件70的表面被构成粘着性膜50的粘着成分所污染。
关于放射线，例如从粘着性膜50的与粘着面相反侧的面照射。
在使用紫外线作为放射线的情况下，对于粘着性膜50照射的紫外线的剂量优选为100mJ/cm2以上，更优选为350mJ/cm2以上。
如果紫外线的剂量为上述下限值以上，则能够充分地降低粘着性膜50的粘着力，其结果是能够进一步抑制在电子部件70表面产生糊料残留。
此外，对粘着性膜50照射的紫外线的剂量的上限没有特别限定，从生产率的观点考虑，例如为1500mJ/cm2以下，优选为1200mJ/cm2以下。
关于紫外线照射，例如，能够使用高压水银灯来进行。
进行工序(E)的时机没有特别限制，工序(A)与工序(B)之间、工序(B)与工序(C)之间或者工序(C)与工序(D)之间均可，但在电子部件搭载区域85被预先加热了的情况下，优选在工序(A)与工序(B)之间进行工序(E)。在将结构体100配置于电子部件搭载区域85之后进行升温的情况下，可以在工序(B)与工序(C)之间或者工序(C)与工序(D)之间进行工序(E)。
(其他工序)
本实施方式涉及的电子装置的制造方法可以具有上述以外的其他工序。作为其他工序，能采用电子装置的制造方法中公知的工序。
例如，可以在进行工序(D)之后，进一步进行将所得的半导体芯片等电子部件70安装于电路基板的工序、或在引线接合工序、密封工序等电子部件的制造工序中通常进行的任意工序。
此外，在使用具有电路面的半导体基板作为电子部件70的情况下，例如，可以进一步具有：在半导体基板的电路形成面利用通常所用的方法进行电极形成和在非电路面进行保护膜形成的工序。设置有进行该电极形成和树脂密封的工序的制造方法也被称为WLP(Wafer Level Package，晶片级封装)。
此外，可以进一步具有在电子部件的电路面形成再配线层的工序。
通过在超过半导体芯片面积的宽广区域中形成再配线层而获得的电子装置，也被称为扇出封装(Fan-out Package)。
2.粘着性膜
接下来，对于本实施方式涉及的电子装置的制造方法中所用的粘着性膜50(也被称为电子装置制造用粘着性膜。)进行说明。
图11和12为示意性地示出本发明涉及的实施方式的粘着性膜50的结构的一例的截面图。
粘着性膜50至少具有粘着性树脂层10。此外，从提高粘着性膜50的柔软性，进一步提高电子部件70的拾取性的观点考虑，粘着性膜50优选除了粘着性树脂层10以外，还具有柔软性树脂层20。
此外，从使柔软性和耐热性的平衡变得更好的观点考虑，粘着性膜50优选除了粘着性树脂层10以外，还具有柔软性树脂层20和耐热性树脂层30这两者。
在粘着性膜50包含粘着性树脂层10、柔软性树脂层20和耐热性树脂层30的情况下，优选粘着性膜50依次具有耐热性树脂层30、柔软性树脂层20和粘着性树脂层10。
通过这样做，借助耐热性树脂层30，粘着性树脂层10的变形、熔融被抑制，能够抑制电子部件70的位置偏移，其结果是能够更准确地进行上述工序(D)中的电子部件70的拾取。即，能够使粘着性膜50的粘着性、耐热性和柔软性的平衡变得更好。
这里，在本实施方式中，所谓耐热性，是指高温或低温下的膜、树脂层的尺寸稳定性。即，意味着越是耐热性优异的膜、树脂层，则高温或低温下的膨胀、收缩、软化等变形、熔融等越难以发生。
(粘着性树脂层)
粘着性树脂层10是将粘着性膜50粘贴于电子部件70时，与电子部件70的表面接触而粘着的层。
构成粘着性树脂层10的粘着剂可举出(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂、苯乙烯系粘着剂等。其中，从能够容易地调整粘接力的方面等考虑，优选为将(甲基)丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的(甲基)丙烯酸系粘着剂。
作为构成粘着性树脂层10的粘着剂，可以使用通过放射线使粘着力降低的放射线交联型粘着剂。由放射线交联型粘着剂构成的粘着性树脂层10通过放射线的照射而交联，粘着力显著地降低，因此在电子部件70的拾取工序中，变得容易从粘着性树脂层10拾取电子部件70。作为放射线，可举出紫外线、电子射线、红外线等。
作为放射线交联型粘着剂，优选为紫外线交联型粘着剂。
作为(甲基)丙烯酸系粘着剂所包含的(甲基)丙烯酸系聚合物，可举出例如，(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物与共聚单体的共聚物等。作为(甲基)丙烯酸酯化合物，可举出例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。这些(甲基)丙烯酸酯化合物可以单独使用一种，也可以将二种以上并用来使用。
此外，作为构成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚单体，可举出例如，乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯酰胺、羟甲基(甲基)丙烯酰胺、马来酸酐等。这些共聚单体可以单独使用一种，也可以将二种以上并用来使用。
放射线交联型粘着剂，例如，包含上述(甲基)丙烯酸系粘着剂等粘着剂、交联性化合物(具有碳-碳双键的成分)以及光聚合引发剂或热聚合引发剂。
作为交联性化合物，可举出例如，分子中具有碳-碳双键，能够通过自由基聚合而交联的单体、低聚物或聚合物等。作为这样的交联性化合物，可举出例如，三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸与多元醇的酯；酯(甲基)丙烯酸酯低聚物；2-丙烯基-二-3-丁烯基氰脲酸酯、2-羟基乙基双(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯等异氰脲酸酯或异氰脲酸酯化合物等。
另外，在粘着剂为聚合物的侧链具有碳-碳双键的放射线交联型聚合物的情况下，也可以不添加交联性化合物。
交联性化合物的含量相对于粘着剂100质量份优选为5～900质量份，更优选为20～200质量份。通过交联性化合物的含量为上述范围，从而与比上述范围少的情况相比，粘着力的调整变得容易，与比上述范围多的情况相比，不易发生因对热、光的灵敏度过高而引起的保存稳定性的降低。
作为光聚合引发剂，只要是通过照射放射线就开裂并生成自由基的化合物即可，可举出例如，苯偶姻甲基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻烷基醚类；苯偶酰、苯偶姻、二苯甲酮、α-羟基环己基苯基酮等芳香族酮类；苯偶酰二甲基缩酮等芳香族缩酮类；聚乙烯基二苯甲酮；氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮类等。
作为热聚合引发剂，可举出例如，有机过氧化物衍生物、偶氮系聚合引发剂等。从加热时不产生氮方面出发，优选为有机过氧化物衍生物。作为热聚合引发剂，可举出例如，酮过氧化物、过氧化缩酮、氢过氧化物、二烷基过氧化物、二酰基过氧化物、过氧化酯和过氧化二碳酸酯等。
可以在粘着剂中添加交联剂。作为交联剂，可举出例如，山梨糖醇聚缩水甘油基醚、聚甘油聚缩水甘油基醚、季戊四醇聚缩水甘油基醚、二甘油聚缩水甘油基醚等环氧系化合物；四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶羧基酰胺)、N,N’-六亚甲基-1,6-双(1-氮丙啶羧基酰胺)等氮丙啶系化合物；四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、多异氰酸酯等异氰酸酯系化合物等。
粘着性树脂层10的厚度没有特别限制，例如，优选为1μm以上且100μm以下，更优选为3μm以上且50μm以下。
粘着性树脂层10例如，能够通过在基材层、柔软性树脂层20上涂布粘着剂涂布液来形成。
作为涂布粘着剂涂布液的方法，能够采用以往公知的涂布方法，例如，辊式涂布法、逆转辊式涂布法、凹版辊法、棒涂法、逗点涂布法、模涂法等。被涂布的粘着剂的干燥条件没有特别限制，一般而言，优选在80～200℃的温度范围内，干燥10秒～10分钟。进一步优选在80～170℃，干燥15秒～5分钟。为了充分地促进交联剂与粘着剂的交联反应，可以在粘着剂涂布液的干燥结束之后，在40～80℃加热5～300小时左右。
(柔软性树脂层)
柔软性树脂层20是出于使粘着性膜50的柔软性、伸缩性等特性变得良好的目的而设置的层。
通过设置柔软性树脂层20，从而粘着性膜50的伸缩性、柔软性提高，在拾取电子部件70的工序(D)中，能够更容易地使粘着性膜50在面内方向上扩张。
柔软性树脂层20只要是能在面内方向上扩张的层，就没有特别限定，优选为柔软性、伸缩性等特性优异，并且具有在高温或低温下进行电子部件70的特性评价时能够维持与粘着性树脂层10的粘接性的程度的耐热性的层。
作为构成上述柔软性树脂层20的柔软性树脂，可举出例如，选自聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚酰亚胺系弹性体和聚对苯二甲酸丁二醇酯等中的一种或二种以上。
柔软性树脂层20的熔点优选为100℃以上且250℃以下。
如果使用这样的柔软性树脂层20，则能够进一步抑制在高温或低温下进行电子部件70的特性评价时的粘着性膜50的热膨胀。
柔软性树脂层20的厚度没有特别限制，例如，优选为10μm以上且500μm以下，更优选为20μm以上且300μm以下，进一步优选为30μm以上且250μm以下，特别优选为50μm以上且200μm以下。
(耐热性树脂层)
耐热性树脂层30是出于使粘着性膜50的操作性、机械特性、耐热性等特性变得更良好的目的而设置的层。
耐热性树脂层30只要具有在高温或低温下进行电子部件70的特性评价时，不发生引起电子部件70的位置偏移那样的变形、熔融的程度的耐热性，就没有特别限定，例如，能够使用耐热性树脂膜。
作为构成上述耐热性树脂膜的树脂，可举出例如，选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；尼龙-6、尼龙-66、聚己二酰间苯二甲胺等聚酰胺；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚酰胺酰亚胺；聚碳酸酯；改性聚苯醚；聚缩醛；聚芳酯；聚砜；聚醚砜；聚苯硫醚；聚醚醚酮；氟系树脂；液晶聚合物；1,1-二氯乙烯树脂；聚苯并咪唑；聚苯并唑；聚甲基戊烯等中的一种或二种以上。
其中，从耐热性、机械强度、透明性、价格等的平衡优异的观点考虑，优选为选自聚酰亚胺、聚酰胺和聚酯中的一种或二种以上。
耐热性树脂层30的熔点优选为200℃以上，更优选为220℃以上。或者耐热性树脂层30优选为不显示熔点的物质，更优选分解温度为200℃以上，进一步优选分解温度为220℃以上。
如果使用这样的耐热性树脂层30，则能够进一步抑制在高温或低温下进行电子部件70的特性评价时的粘着性膜50的变形。
耐热性树脂层30可以为单层，也可以为二种以上的层。
此外，作为用于形成耐热性树脂层30的树脂膜的形态，可以为拉伸膜，也可以为沿单轴方向或双轴方向进行了拉伸的膜，从提高耐热性树脂层30的耐热性和机械强度的观点考虑，优选为沿单轴方向或双轴方向进行了拉伸的膜。
从获得良好的膜特性的观点考虑，耐热性树脂层30的厚度优选为10μm以上且1000μm以下，更优选为10μm以上且500μm以下，进一步优选为20μm以上且300μm以下。
为了改良与其他层的粘接性，耐热性树脂层30也可以进行表面处理。具体而言，可以进行电晕处理、等离子体处理、底涂(under coat)处理、底漆(primer coat)处理等。
耐热性树脂层30优选相对于柔软性树脂层20以能够剥离的方式被叠层。
能够剥离地叠层的方法没有特别限定，可举出例如，隔着能够剥离的粘接层(未图示)进行叠层的方法。所谓能够剥离的粘接层，是指通过在剥离时施加放射线、热等某种刺激而能够容易剥离的层。
作为这样的能够剥离的粘接层，可举出例如，(1)由通过放射线照射而能够降低粘着力的放射线交联型粘着剂构成的粘接层、(2)由通过加热而膨胀并能够降低粘着力的加热膨胀型粘着剂构成的粘接层、(3)由通过加热而收缩并能够降低粘着力的、将收缩性膜作为基材的两面粘着性膜构成的粘接层等。
放射线交联型粘着剂是在放射线照射前对耐热性树脂层30和柔软性树脂层20具有充分的粘接力，在放射线照射后粘接力显著地减少的粘着剂。即，在放射线照射前能够粘接耐热性树脂层30和柔软性树脂层20，在放射线照射后能够容易地从柔软性树脂层20剥离耐热性树脂层30。
作为放射线交联型粘着剂，一般而言，可以使用公知的紫外线交联型粘着剂等放射线交联型粘着剂。
加热膨胀型粘着剂是指在粘着剂中分散有热膨胀性微粒、发泡剂等的粘着剂。作为粘着剂，一般而言，可以使用公知的粘着剂，可举出例如，(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、橡胶系粘着剂、聚氨酯系粘着剂、聚乙烯基醚系粘着剂等。
作为热膨胀性微粒，可举出例如，使异丁烷、丙烷、戊烷等通过加热而容易气化并膨胀的物质包埋于具有弹性的壳内而得的微粒。
作为发泡剂，可举出例如，具有热分解而产生水、二氧化碳气体、氮气的能力的化学物质等。
如果热膨胀性微粒、发泡剂通过加热而发生膨胀，则粘接层的表面状态发生变化，能够降低柔软性树脂层20与耐热性树脂层30的粘接力，其结果是能够容易地从柔软性树脂层20剥离耐热性树脂层30。
作为将收缩性膜作为基材的两面粘着性膜中所使用的收缩膜，可举出通过加热而收缩的热收缩膜。例如能够举出，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯等单轴或双轴拉伸膜等。
作为设置于收缩性膜的两面的粘着剂，一般而言，能够使用公知的粘着剂，可举出例如，(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、橡胶系粘着剂、聚氨酯系粘着剂、聚乙烯基醚系粘着剂等。
如果基材的收缩性膜通过加热而发生收缩，则粘接层的表面状态发生变化，能够降低柔软性树脂层20与耐热性树脂层30的粘接力，其结果是能够容易地从柔软性树脂层20剥离耐热性树脂层30。
本实施方式涉及的粘着性膜50可以在粘着性树脂层10上进一步叠层脱模膜。作为脱模膜，可举出例如，实施了脱模处理的聚酯膜等。
本实施方式涉及的粘着性膜50的全光线透射率优选为80％以上，更优选为85％以上。通过这样做，能够对粘着性膜50赋予透明性。而且，通过使粘着性膜50的全光线透射率为上述下限值以上，能够对粘着性树脂层10更有效地照射放射线，能够提高放射线照射效率。另外，粘着性膜50的全光线透射率能够按照JIS K7105(1981)来测定。
接下来，对于本实施方式涉及的粘着性膜50的制造方法的一例进行说明。
本实施方式涉及的粘着性膜50能够如下来获得，通过在基材层、柔软性树脂层20上涂布粘着剂涂布液并使其干燥，从而形成粘着性树脂层10。
柔软性树脂层20例如能够通过挤出到基材层、耐热性树脂层30的一面上而利用层压法来形成。此外，耐热性树脂层30与柔软性树脂层20也可以通过共挤出成型来形成，还可以将膜状的耐热性树脂层30与膜状的柔软性树脂层20进行层压(叠层)来形成。
以上，对于本发明的实施方式进行了描述，但它们是本发明的例示，也能够采用上述以外的各种构成。
另外，本发明不限定于上述实施方式，能实现本发明的目的的范围内的变形、改良等也包含于本发明中。
本申请主张以2016年10月27日申请的日本申请特愿2016-210616号作为基础的优先权，将其全部公开内容援引至本申请中。

Claims (19)

1.一种电子装置的制造方法，其具备下述工序：
工序(A)，准备结构体，所述结构体具备粘着性膜以及粘贴于所述粘着性膜的粘着面上的1个或2个以上的电子部件；
工序(B)，将所述结构体配置在具备具有电子部件搭载区域的试样台以及探针卡的电子部件试验装置内，以使所述电子部件隔着所述粘着性膜而位于所述电子部件试验装置中的所述试样台的所述电子部件搭载区域上，所述探针卡设置于与所述试样台对置的位置，并且具有探针端子；
工序(C)，在被粘贴于所述粘着性膜上的状态下，使所述探针端子与所述电子部件的端子接触来评价所述电子部件的特性；
工序(D)，在所述工序(C)之后，从所述粘着性膜拾取所述电子部件；
至少在所述工序(C)中，所述结构体被配置在框架的框内，并且所述粘着性膜的端部被固定于所述框架，在所述试样台的垂直方向上，使所述框架的上表面配置于比所述试样台的所述电子部件搭载区域的上表面靠下方。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，
在所述工序(C)中，在0℃以下或者50℃以上且200℃以下的温度环境下，进行所述电子部件的特性评价。
3.根据权利要求1或2所述的电子装置的制造方法，
至少在所述工序(C)中，
以使所述粘着性膜的褶皱不与所述探针卡的所述探针端子接触的方式，在所述试样台的垂直方向上使所述框架的上表面配置于比所述试样台的所述电子部件搭载区域的上表面靠下方。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子装置的制造方法，
在所述工序(D)中，使所述粘着性膜中的粘贴有所述电子部件的区域沿膜的面内方向扩张，在使相邻的所述电子部件间的间隔扩大了的状态下，从所述粘着性膜拾取所述电子部件。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子装置的制造方法，
所述试样台至少在所述电子部件搭载区域具有通过进行抽真空来保持所述结构体的第1抽真空设备。
6.根据权利要求5所述的电子装置的制造方法，
所述试样台在与所述电子部件搭载区域不同的外周侧的区域具有将所述粘着性膜的未粘贴所述电子部件的区域进行抽真空的第2抽真空设备。
7.根据权利要求6所述的电子装置的制造方法，
所述第2抽真空设备是遍及所述试样台的外周且连续地闭合的真空吸附槽。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的电子装置的制造方法，
在所述试样台的外周部设置有真空密封部。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的电子装置的制造方法，
所述粘着性膜至少具有柔软性树脂层和粘着性树脂层。
10.根据权利要求9所述的电子装置的制造方法，
构成所述柔软性树脂层的柔软性树脂包含选自由聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚酰亚胺系弹性体和聚对苯二甲酸丁二醇酯所组成的组中的一种或二种以上。
11.一种电子装置制造用粘着性膜，其是权利要求1～10中任一项所述的电子装置的制造方法中所使用的所述粘着性膜，
其至少具有柔软性树脂层和粘着性树脂层。
12.根据权利要求11所述的电子装置制造用粘着性膜，
所述柔软性树脂层的熔点为100℃以上且250℃以下。
13.根据权利要求11或12所述的电子装置制造用粘着性膜，
构成所述柔软性树脂层的柔软性树脂包含选自由聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚酰亚胺系弹性体和聚对苯二甲酸丁二醇酯所组成的组中的一种或二种以上。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的电子装置制造用粘着性膜，
构成所述粘着性树脂层的粘着剂包含选自(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂和苯乙烯系粘着剂中的一种或二种以上。
15.一种电子部件试验装置，是用于评价电子部件的特性的电子部件试验装置，其具备：
试样台，其具有电子部件搭载区域，
探针卡，其设置于与所述试样台对置的位置，并且具有探针端子，以及
框架，其在框内配置作为试验体的所述电子部件和保持所述电子部件的粘着性膜，并且，固定所述粘着性膜的端部；
使所述探针端子与所述电子部件的端子接触来评价所述电子部件的特性时，在所述试样台的垂直方向上，所述框架的上表面配置于比所述试样台的所述电子部件搭载区域的上表面靠下方。
16.根据权利要求15所述的电子部件试验装置，
所述试样台至少在所述电子部件搭载区域具有通过进行抽真空来保持所述电子部件和所述粘着性膜的第1抽真空设备。
17.根据权利要求16所述的电子部件试验装置，
所述试样台在与所述电子部件搭载区域不同的外周侧的区域具有将所述粘着性膜的未粘贴所述电子部件的区域进行抽真空的第2抽真空设备。
18.根据权利要求17所述的电子部件试验装置，
所述第2抽真空设备是遍及所述试样台的外周且连续地闭合的真空吸附槽。
19.根据权利要求16～18中任一项所述的电子部件试验装置，
在所述试样台的外周部设置有真空密封部。
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