KR20190075982A - 점착성 적층 필름 및 전자 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 점착성 적층 필름(50)은, 내열성 수지층(10), 유연성 수지층(20) 및 점착성 수지층(30)을 이 순서로 갖고, JIS Z0237에 준거하여 하기의 방법으로 측정되는, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P0이 0.01N/25mm 이상 2.0N/25mm 이하이고, 또한 점착성 적층 필름(50)을 160℃에서 4시간 열 처리한 후의, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P1이 0.05N/25mm 이상 1.5N/25mm 이하이다.
(박리 강도의 측정 방법)
점착성 수지층(30)이 실리콘 웨이퍼에 접하도록, 점착성 적층 필름(50)을 상기 실리콘 웨이퍼에 첩부한다. 이어서, 인장 시험기를 사용하여, 내열성 수지층(10)을 유연성 수지층(20)으로부터, 25℃, 인장 속도 300mm/분의 조건으로 180도 방향으로 박리하고, 이때의 강도(N/25mm)를 2회 측정하여, 그의 평균값을 박리 강도로 한다.

Description

점착성 적층 필름 및 전자 장치의 제조 방법
본 발명은, 점착성 적층 필름 및 전자 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
전자 장치의 제조 공정에 있어서, 전자 부품의 특성을 평가하는 경우가 있다.
이 전자 부품의 특성 평가 공정에서는, 예를 들어 고온 또는 저온에서 전자 부품의 특성 평가를 행한다. 이와 같이 함으로써, 불량 발생의 요인이 내재되어 있는 전자 부품의 열화를 가속할 수 있으며, 전자 부품의 초기 불량을 조기에 발생시켜, 그 불량품을 제거할 수 있다. 이에 의해, 신뢰성이 우수한 전자 부품을 효율적으로 얻을 수 있다.
이러한 전자 부품의 특성 평가의 가속 시험에 관한 기술로서는, 예를 들어 특허문헌 1(일본 특허 공개 평10-163281호 공보)에 기재된 것을 들 수 있다.
특허문헌 1에는, 복수개의 반도체 소자를 형성한 반도체 웨이퍼에 대하여 다이싱을 실시하고, 이 다이싱이 실시된 반도체 소자간의 위치 관계를 유지한 상태에서 상기 반도체 소자에 형성된 전극에 테스터에 접속된 접촉 단자를 밀어붙여서 전기적으로 접속하고, 이 접속한 상태에서 테스터에 의해 반도체 소자에 대하여 동작 특성시험에 의한 검사를 행하여 반도체 소자를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 평10-163281호 공보
본 발명자의 검토에 의하면, 종래의 전자 장치의 제조 방법에 관하여 이하와 같은 과제를 알아내었다.
우선, 본 발명자는, 종래의 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 고온 또는 저온에서 전자 부품의 특성 평가를 행할 때에, 전자 부품을 가고정하는 점착성 필름이 변형되거나, 용융되거나 한다는 것을 지견하였다. 이 경우, 점착성 필름 상의 전자 부품의 위치 어긋남이 일어나, 그 후의 전자 부품의 픽업을 잘 할 수 없게 되어버린다.
또한, 본 발명자의 검토에 의하면, 점착성 필름의 변형이나 용융을 억제하기 위해, 점착성 필름의 내열성을 높이면, 점착성 필름의 변형이나 용융이 억제되어 전자 부품의 위치 어긋남은 개선되는 한편, 이번에는 점착성 필름의 신축성이나 유연성이 악화되어, 전자 부품의 픽업을 잘 할 수 없게 되어버린다는 것이 밝혀졌다.
즉, 종래의 점착성 필름에는, 고온 또는 저온에서의 전자 부품의 특성 평가 후에 있어서의 전자 부품의 픽업성에 있어서 개선의 여지가 있었다.
그 때문에, 종래의 전자 장치의 제조 방법에서는, 전자 부품의 픽업을 잘 행하는 관점에서, 도 3에 도시한 바와 같이 점착성 필름(50A) 상의 전자 부품(70A)을 트레이(80A) 등에 한 번 픽업한 후, 다시 전자 부품(70A)을 로봇으로 이송하여 시료대(90A)에 배치하고, 고온 또는 저온에서의 전자 부품(70A)의 특성 평가를 행하며, 그 후, 다시 전자 부품(70A)을 로봇으로 트레이(80A) 등에 이송해야 해서, 공정이 복잡해지고 있었다.
즉, 본 발명자들은, 종래의 전자 장치의 제조 방법에는, 전자 부품의 특성 평가 공정의 간략화와, 전자 부품의 픽업성을 양립시킨다는 관점에 있어서, 개선의 여지가 있다는 것을 알아내었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 전자 부품의 특성 평가 공정을 간략화할 수 있음과 함께, 전자 부품을 고정밀도로 픽업하는 것이 가능한 점착성 필름을 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 달성하기 위해 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 전자 부품을 가고정하는 필름으로서, 내열성 수지층, 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 이 순서로 갖고, 또한 상기 내열성 수지층과 상기 유연성 수지층 사이의 박리 강도가 특정한 조건을 만족하는 점착성 적층 필름을 사용하여, 전자 부품의 픽업 공정 전에 상기 내열성 수지층을 박리함으로써, 전자 부품의 특성 평가 공정의 간략화와, 전자 부품의 픽업성을 양립할 수 있다는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
본 발명에 따르면, 이하에 나타내는 점착성 적층 필름 및 전자 장치의 제조 방법이 제공된다.
[1]
내열성 수지층, 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 이 순서로 갖는 점착성 적층 필름이며,
JIS Z0237에 준거하여 하기의 방법으로 측정되는, 상기 내열성 수지층과 상기 유연성 수지층 사이의 박리 강도 P0이 0.01N/25mm 이상 2.0N/25mm 이하이고, 또한 상기 점착성 적층 필름을 160℃에서 4시간 열 처리한 후의, 상기 내열성 수지층과 상기 유연성 수지층 사이의 박리 강도 P1이 0.05N/25mm 이상 1.5N/25mm 이하인 점착성 적층 필름.
(박리 강도의 측정 방법)
상기 점착성 수지층이 실리콘 웨이퍼에 접하도록, 상기 점착성 적층 필름을 상기 실리콘 웨이퍼에 첩부한다. 이어서, 인장 시험기를 사용하여, 상기 내열성 수지층을 상기 유연성 수지층으로부터 25℃, 인장 속도 300mm/분의 조건으로 180도 방향으로 박리하고, 이때의 강도(N/25mm)를 2회 측정하여, 그의 평균값을 박리 강도로 한다.
[2]
상기 [1]에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
JIS K7161에 준거하여, 샘플 폭 10mm, 척간 거리 30mm, 인장 속도 300mm/분의 조건으로 측정되는, 상기 유연성 수지층의 160℃에서의 인장 탄성률(E')이 1MPa 이상 300MPa 이하인 점착성 적층 필름.
[3]
상기 [1] 또는 [2]에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 내열성 수지층의 융점이 200℃ 이상이거나, 혹은 상기 내열성 수지층은 융점을 갖지 않는 점착성 적층 필름.
[4]
상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 유연성 수지층의 융점이 100℃ 이상 250℃ 이하인 점착성 적층 필름.
[5]
상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 내열성 수지층을 구성하는 내열성 수지가 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리에스테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 점착성 적층 필름.
[6]
상기 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 유연성 수지층을 구성하는 유연성 수지가 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 점착성 적층 필름.
[7]
상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 내열성 수지층과 상기 유연성 수지층 사이에 접착층을 더 갖는 점착성 적층 필름.
[8]
상기 [7]에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 접착층이 (메트)아크릴계 점착제를 포함하는 점착성 적층 필름.
[9]
상기 [8]에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 (메트)아크릴계 점착제가 (메트)아크릴계 점착성 수지 및 가교제를 포함하고,
상기 (메트)아크릴계 점착제 중의 상기 가교제의 함유량이, 상기 (메트)아크릴계 점착성 수지 100질량부에 대하여 5질량부 이상인 점착성 적층 필름.
[10]
상기 [9]에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 가교제가 에폭시계 화합물, 이소시아네이트계 화합물 및 아지리딘계 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 점착성 적층 필름.
[11]
상기 [9] 또는 [10]에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 (메트)아크릴계 점착제에 포함되는 상기 (메트)아크릴계 점착성 수지가, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 2 이상 갖는 다관능성 모노머 유래의 구성 단위를 포함하는 점착성 적층 필름.
[12]
상기 [1] 내지 [11] 중 어느 하나에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 점착성 수지층을 구성하는 점착제가 (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제 및 스티렌계 점착제로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 점착성 적층 필름.
[13]
상기 [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
상기 점착성 적층 필름의 전체 광선 투과율이 80％ 이상인 점착성 적층 필름.
[14]
상기 [1] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
다이싱 테이프인 점착성 적층 필름.
[15]
상기 [1] 내지 [14] 중 어느 하나에 기재된 점착성 적층 필름에 있어서,
내열성 수지층, 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 이 순서로 갖는 점착성 적층 필름과, 상기 점착성 수지층 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품을 구비하는 구조체를 준비하는 공정 (A)와,
상기 점착성 수지층 상에 첩부된 상태에서, 상기 전자 부품의 특성을 평가하는 공정 (B)와,
상기 공정 (B) 후에 상기 내열성 수지층을 상기 점착성 적층 필름으로부터 박리하는 공정 (C)와,
상기 공정 (C) 후에 상기 점착성 수지층으로부터 상기 전자 부품을 픽업하는 공정 (D)
를 구비하는 전자 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 점착성 적층 필름에 사용되는 점착성 적층 필름.
[16]
내열성 수지층, 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 이 순서로 갖는 점착성 적층 필름과, 상기 점착성 수지층 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품을 구비하는 구조체를 준비하는 공정 (A)와,
상기 점착성 수지층 상에 첩부된 상태에서, 상기 전자 부품의 특성을 평가하는 공정 (B)와,
상기 공정 (B) 후에 상기 내열성 수지층을 상기 점착성 적층 필름으로부터 박리하는 공정 (C)와,
상기 공정 (C) 후에 상기 점착성 수지층으로부터 상기 전자 부품을 픽업하는 공정 (D)
를 구비하는 전자 장치의 제조 방법이며,
상기 점착성 적층 필름으로서 상기 [1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 점착성 적층 필름을 사용하는 전자 장치의 제조 방법.
[17]
상기 [16]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 공정 (B)에서는, 0℃ 이하 또는 50℃ 이상 200℃ 이하의 온도 환경하에서 상기 전자 부품의 특성 평가를 행하는 전자 장치의 제조 방법.
[18]
상기 [16] 또는 [17]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 공정 (D)에서는, 상기 점착성 수지층에 있어서의 상기 전자 부품이 첩부된 영역을 필름의 면 내 방향으로 확장시켜, 인접하는 상기 전자 부품간의 간격을 확대시킨 상태에서, 상기 점착성 수지층으로부터 상기 전자 부품을 픽업하는 전자 장치의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 전자 부품의 특성 평가 공정을 간략화할 수 있음과 함께, 전자 부품을 고정밀도로 픽업하는 것이 가능한 점착성 필름을 제공할 수 있다.
상술한 목적 및 기타 목적, 특징 및 이점은, 이하에 설명하는 적합한 실시 형태 및 그에 부수되는 이하의 도면에 의해 더욱 명백해진다.
도 1은 본 발명에 관한 실시 형태의 점착성 적층 필름의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 종래의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 마찬가지인 구성 요소에는 공통된 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다. 또한, 도면은 개략도이며, 실제의 치수 비율과는 일치하고 있지 않다. 또한, 수치 범위의 「A 내지 B」는 특별히 언급이 없으면, A 이상 B 이하를 나타낸다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 「(메트)아크릴」이란 아크릴, 메타크릴 또는 아크릴 및 메타크릴의 양쪽을 의미한다.
1. 점착성 적층 필름
이하, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)에 대하여 설명한다.
도 1은, 본 발명에 관한 실시 형태의 점착성 적층 필름(50)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다. 도 2는, 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)은, 내열성 수지층(10), 유연성 수지층(20) 및 점착성 수지층(30)을 이 순서로 갖는다. 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)에 있어서, 전자 부품(70)의 픽업 공정 전에 있어서의 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 접착성을 양호하게 유지하는 관점에서, JIS Z0237에 준거하여 하기의 방법으로 측정되는, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P0이 0.01N/25mm 이상 2.0N/25mm 이하이다. 또한, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)에 있어서, 전자 부품(70)의 특성 평가 공정 후에 내열성 수지층(10)을 유연성 수지층(20)으로부터 양호하게 박리시킬 수 있다는 관점에서, JIS Z0237에 준거하여 하기의 방법으로 측정되는, 점착성 적층 필름(50)을 160℃에서 4시간 열 처리한 후의 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P1이 0.05N/25mm 이상 1.5N/25mm 이하이다.
(박리 강도의 측정 방법)
점착성 수지층(30)이 실리콘 웨이퍼에 접하도록, 점착성 적층 필름(50)을 상기 실리콘 웨이퍼에 첩부한다. 이어서, 인장 시험기를 사용하여, 내열성 수지층(10)을 유연성 수지층(20)으로부터 25℃, 인장 속도 300mm/분의 조건으로 180도 방향으로 박리하고, 이때의 강도(N/25mm)를 2회 측정하여, 그의 평균값을 박리 강도로 한다.
본 발명자들은, 전자 부품의 특성 평가 공정을 간략화할 수 있음과 함께, 전자 부품을 고정밀도로 픽업하는 것이 가능한 점착성 필름을 실현하기 위해, 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 전자 부품을 가고정하는 필름으로서, 내열성 수지층, 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 이 순서로 갖는 점착성 적층 필름을 사용하여, 전자 부품의 픽업 공정 전에 상기 내열성 수지층을 박리하는 방법이, 전자 부품의 특성 평가 공정의 간략화와, 전자 부품의 픽업성을 양립하는 방법으로서 유효하다는 지견을 얻었다.
그리고, 본 발명자들은 상기 지견을 바탕으로 더욱 예의 검토한 결과, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P0 및 박리 강도 P1이 상기 범위 내인 점착성 적층 필름(50)이, 전자 부품(70)의 픽업 공정 전에 있어서의 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 접착성을 유지하면서, 전자 부품(70)의 특성 평가 공정 후에 내열성 수지층(10)을 유연성 수지층(20)으로부터 양호하게 박리시킬 수 있다는 것을 처음으로 알아내었다.
즉, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)은, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P0을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 전자 부품(70)의 픽업 공정 전에 있어서의 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 접착성을 양호하게 유지하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)은, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P1을 상기 상한값 이하로 함으로써, 전자 부품(70)의 특성 평가 공정 후에 내열성 수지층(10)을 유연성 수지층(20)으로부터 양호하게 박리시킬 수 있다.
본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)에 있어서, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P0이 0.01N/25mm 이상 2.0N/25mm 이하이지만, 바람직하게는 0.02N/25mm 이상, 보다 바람직하게는 0.04N/25mm 이상, 그리고 바람직하게는 1.5N/25mm 이하, 보다 바람직하게는 1.0N/25mm 이하, 더욱 바람직하게는 0.5N/25mm 이하, 특히 바람직하게는 0.3N/25mm 이하이다.
또한, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)에 있어서, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P1이 0.05N/25mm 이상 1.5N/25mm 이하이지만, 바람직하게는 1.0N/25mm 이하, 보다 바람직하게는 0.7N/25mm 이하, 특히 바람직하게는 0.5N/25mm 이하, 그리고 바람직하게는 0.08N/25mm 이상, 보다 바람직하게는 0.10N/25mm 이상이다.
내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P0 및 박리 강도 P1은, 예를 들어 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이에 후술하는 접착층을 마련하거나, 내열성 수지층(10)의 표면에 대하여 표면 처리를 실시하거나 함으로써 상기 범위 내로 제어할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, 예를 들어 (1) 접착층을 구성하는 각 성분의 종류나 배합 비율, (2) 접착층을 구성하는 점착성 수지에 있어서의 각 모노머의 종류나 함유 비율 등을 적절하게 조절함으로써, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P0 및 박리 강도 P1을 상기 범위 내로 제어하는 것이 가능하다.
이들 중에서도, 예를 들어 접착층을 구성하는 점착성 수지에 있어서의 가교제의 종류나 배합 비율 등을, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P0 및 박리 강도 P1을 원하는 수치 범위로 하기 위한 요소로서 들 수 있다.
본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50) 전체의 두께는, 기계적 특성과 취급성의 밸런스로부터, 바람직하게는 25㎛ 이상 1100㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 30㎛ 이상 700㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이상 500㎛ 이하이다.
본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)은, 전자 장치의 제조 공정에 있어서 전자 부품을 가고정하기 위한 필름 등에 사용할 수 있으며, 특히 다이싱 테이프로서 적합하게 사용할 수 있다.
본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)의 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 80％ 이상이고, 보다 바람직하게는 85％ 이상이다. 이와 같이 함으로써, 점착성 적층 필름(50)에 투명성을 부여할 수 있다. 그리고, 점착성 적층 필름(50)의 전체 광선 투과율을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 점착성 수지층(30)으로 보다 효과적으로 방사선을 조사할 수 있으며, 방사선 조사 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 점착성 적층 필름(50)의 전체 광선 투과율은, JIS K7105(1981)에 준하여 측정하는 것이 가능하다.
이어서, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)을 구성하는 각 층에 대하여 설명한다.
여기서, 본 실시 형태에 있어서, 내열성이란 고온 또는 저온에 있어서의 필름이나 수지층의 치수 안정성을 의미한다. 즉, 내열성이 우수한 필름이나 수지층일수록, 고온 또는 저온에 있어서의 팽창이나 수축, 연화 등의 변형이나 용융 등이 일어나기 어려운 것을 의미한다.
<내열성 수지층>
내열성 수지층(10)은, 점착성 적층 필름(50)의 취급성이나 기계적 특성, 내열성 등의 특성을 보다 양호하게 하는 것을 목적으로 하여 마련되는 층이다.
내열성 수지층(10)은, 고온 또는 저온에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때에, 전자 부품(70)의 위치 어긋남이 일어날 정도의 변형이나 용융이 일어나지 않을 정도의 내열성이 있으면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 내열성 수지 필름을 사용할 수 있다.
상기 내열성 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르; 나일론-6, 나일론-66, 폴리메타크실렌아디파미드 등의 폴리아미드; 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리아미드이미드; 폴리카르보네이트; 변성 폴리페닐렌에테르; 폴리아세탈; 폴리아릴레이트; 폴리술폰; 폴리에테르술폰; 폴리페닐렌술피드; 폴리에테르에테르케톤; 불소계 수지; 액정 폴리머; 염화비닐리덴 수지; 폴리벤조이미다졸; 폴리벤조옥사졸; 폴리메틸펜텐 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
이들 중에서도, 내열성이나 기계적 강도, 투명성, 가격 등의 밸런스가 우수하다는 관점에서, 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리에스테르로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이 바람직하다.
내열성 수지층(10)의 융점은 200℃ 이상인 것이 바람직하고, 220℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 혹은, 내열성 수지층(10)은 융점을 나타내지 않는 것인 것이 바람직하며, 분해 온도가 200℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 분해 온도가 220℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
이러한 내열성 수지층(10)을 사용하면, 고온 또는 저온에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때의 점착성 적층 필름(50)의 변형을 한층 더 억제할 수 있다.
내열성 수지층(10)은 단층이어도, 2종 이상의 층이어도 된다.
또한, 내열성 수지층(10)을 형성하기 위해 사용하는 수지 필름의 형태로서는, 연신 필름이어도 되고, 1축 방향 또는 2축 방향으로 연신된 필름이어도 되지만, 내열성 수지층(10)의 내열성 및 기계적 강도를 향상시키는 관점에서, 1축 방향 또는 2축 방향으로 연신된 필름인 것이 바람직하다.
내열성 수지층(10)의 두께는, 양호한 필름 특성을 얻는 관점에서 바람직하게는 10㎛ 이상 1000㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상 500㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이상 300㎛ 이하이다.
내열성 수지층(10)은 다른 층과의 접착성을 개량하기 위해, 표면 처리를 행해도 된다. 구체적으로는, 코로나 처리, 플라스마 처리, 언더코트 처리, 프라이머 코트 처리 등을 행해도 된다.
내열성 수지층(10)은 유연성 수지층(20)에 대하여 박리 가능하도록 적층되어 있다.
박리 가능하게 적층하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 박리 가능한 접착층(도시 생략)을 통해 적층하는 방법이나, 내열성 수지층(10)의 유연성 수지층(20)과 접하는 측의 표면의 표면 조도를 조정하고, 또한 그 표면을 이형 처리하는 방법 등을 들 수 있다.
즉, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)은, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도의 조정을 보다 용이하게 하는 관점에서, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이에 접착층을 더 갖는 것이 바람직하다.
이러한 박리 가능한 접착층으로서는, 예를 들어 (1) 가열에 의해 팽창하여 점착력의 앙진을 억제할 수 있는 가열 팽창형 점착제에 의해 구성된 접착층, (2) 가열에 의해 수축하여 점착력의 앙진을 억제할 수 있는, 수축성 필름을 기재로 한 양면 점착성 필름에 의해 구성된 접착층, (3) 고온 또는 저온에서의 처리 후에도 점착력의 앙진을 억제할 수 있는 내열성 접착층 등을 들 수 있다.
((1) 가열에 의해 팽창하여 점착력의 앙진을 억제할 수 있는 가열 팽창형 점착제에 의해 구성된 접착층)
가열 팽창형 점착제는 점착제 중에 열팽창성 미립자나 발포제 등이 분산되어 있는 점착제를 말한다. 점착제로서는, 일반적으로 공지된 점착제를 사용할 수 있으며, 예를 들어 (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제, 폴리우레탄계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 들 수 있다.
열팽창성 미립자로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판, 펜탄 등의 가열에 의해 쉽게 가스화되어 팽창하는 물질을, 탄성을 갖는 껍데기 내에 내포시킨 미립자를 들 수 있다.
발포제로서는, 예를 들어 열 분해되어, 물, 탄산 가스, 질소를 발생시키는 능력을 갖는 화학 물질 등을 들 수 있다.
가열에 의해 열팽창성 미립자나 발포제가 팽창하면, 접착층의 표면 상태가 변화되고, 유연성 수지층(20)과 내열성 수지층(10)의 점착력의 앙진을 억제할 수 있으며, 그 결과, 유연성 수지층(20)으로부터 내열성 수지층(10)을 용이하게 박리할 수 있다.
((2) 가열에 의해 수축하여 점착력의 앙진을 억제할 수 있는, 수축성 필름을 기재로 한 양면 점착성 필름에 의해 구성된 접착층)
수축성 필름을 기재로 한 양면 점착성 필름에 사용되는 수축 필름으로서는, 가열에 의해 수축하는 열 수축 필름을 들 수 있다. 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 등의 1축 또는 2축 연신 필름 등을 들 수 있다.
수축성 필름의 양면에 마련되는 점착제로서는, 일반적으로 공지된 점착제를 사용할 수 있으며, 예를 들어 (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제, 폴리우레탄계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 들 수 있다.
가열에 의해 기재의 수축성 필름이 수축하면, 접착층의 표면 상태가 변화되고, 유연성 수지층(20)과 내열성 수지층(10)의 점착력의 앙진을 억제할 수 있으며, 그 결과, 유연성 수지층(20)으로부터 내열성 수지층(10)을 용이하게 박리할 수 있다.
((3) 고온 또는 저온에서의 처리 후에도 점착력의 앙진을 억제할 수 있는 내열성 접착층)
고온 또는 저온에서의 처리 후에도 점착력의 앙진을 억제할 수 있는 내열성 접착층을 구성하는 점착제는, (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제, 스티렌계 점착제 등을 들 수 있다.
여기서, (메트)아크릴계 점착제는 (메트)아크릴계 점착성 수지를 필수 성분으로서 포함하고 있다. 실리콘계 점착제는 실리콘계 점착성 수지를 필수 성분으로서 포함하고 있다. 우레탄계 점착제는 우레탄계 점착성 수지를 필수 성분으로서 포함하고 있다.
이들 중에서도 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도의 조정을 보다 용이하게 하는 관점 등에서, (메트)아크릴계 점착제가 바람직하다.
(메트)아크릴계 점착제에 사용되는 (메트)아크릴계 점착성 수지로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 단위 (A) 및 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 모노머 단위 (B)를 포함하는 공중합체를 들 수 있다.
본 실시 형태에 있어서 (메트)아크릴산알킬에스테르란, 아크릴산알킬에스테르, 메타크릴산알킬에스테르 또는 이들의 혼합물을 의미한다.
본 실시 형태에 관한 (메트)아크릴계 점착성 수지는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 (A) 및 가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 모노머 (B)를 포함하는 모노머 혼합물을 공중합함으로써 얻을 수 있다.
(메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 단위 (A)를 형성하는 모노머 (A)로서는, 탄소수 1 내지 12 정도의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르를 들 수 있다. 바람직하게는, 탄소수 1 내지 8의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르이다. 구체적으로는, 아크릴산메틸, 메타크릴산메틸, 아크릴산에틸, 메타크릴산에틸, 아크릴산부틸, 메타크릴산부틸, 아크릴산-2-에틸헥실, 메타크릴산-2-에틸헥실 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
본 실시 형태에 관한 (메트)아크릴계 점착성 수지에 있어서, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머 단위 (A)의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 10질량％ 이상 98.9질량％ 이하인 것이 바람직하고, 85질량％ 이상 95질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
가교제와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 모노머 (B)를 형성하는 모노머 (B)로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 메사콘산, 시트라콘산, 푸마르산, 말레산, 이타콘산모노알킬에스테르, 메사콘산모노알킬에스테르, 시트라콘산모노알킬에스테르, 푸마르산모노알킬에스테르, 말레산모노알킬에스테르, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, 아크릴산-2-히드록시에틸, 메타크릴산-2-히드록시에틸, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, tert-부틸아미노에틸아크릴레이트, tert-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴산-2-히드록시에틸, 메타크릴산-2-히드록시에틸, 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등이다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 사용해도 된다.
본 실시 형태에 관한 (메트)아크릴계 점착성 수지에 있어서, 모노머 단위 (B)의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 1질량％ 이상 40질량％ 이하인 것이 바람직하고, 1질량％ 이상 20질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 1질량％ 이상 10질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 실시 형태에 관한 (메트)아크릴계 점착성 수지는, 모노머 단위 (A) 및 모노머 단위 (B) 이외에, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 2 이상 갖는 다관능성 모노머 (C) 유래의 구성 단위(이하, 다관능성 모노머 단위 (C)라고도 부른다.)나 계면 활성제로서의 성질을 갖는 특정한 코모노머(이하, 중합성 계면 활성제라 부른다) 단위를 더 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 접착층의 내열성이나 밀착력과의 밸런스를 한층 더 향상시키는 관점에서, 본 실시 형태에 관한 (메트)아크릴계 점착성 수지는, 다관능성 모노머 (C) 유래의 구성 단위 (C)를 포함하는 것이 바람직하다.
중합성 계면 활성제는, 모노머 (A), 모노머 (B) 및 모노머 (C)와 공중합하는 성질을 가짐과 함께, 유화 중합하는 경우에는 유화제로서의 작용을 갖는다.
다관능성 모노머 단위 (C)를 형성하는 모노머 (C)로서는, 메타크릴산알릴, 아크릴산알릴, 디비닐벤젠, 메타크릴산비닐, 아크릴산비닐, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 2-프로페닐디-3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-(메트)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)이소시아누레이트나, 예를 들어 양쪽 말단이 디아크릴레이트 또는 디메타크릴레이트이며 주쇄의 구조가 프로필렌글리콜형(이하, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트라고도 부른다.)(예를 들어, 니혼 유시(주)제, 상품명; PDP-200, 동 PDP-400, 동 ADP-200, 동 ADP-400), 양쪽 말단이 디아크릴레이트 또는 디메타크릴레이트이며 주쇄의 구조가 테트라메틸렌글리콜형(이하, 폴리테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트라고도 부른다.)(예를 들어, 니혼 유시(주)제, 상품명; ADT-250, 동 ADT-850) 및 이들의 혼합형(예를 들어, 니혼 유시(주)제, 상품명: ADET-1800, 동 ADPT-4000)인 것 등을 들 수 있다.
이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 이들 중에서도, 접착층의 내열성이나 밀착력과의 밸런스를 한층 더 향상시키는 관점에서, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트 및 폴리테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 폴리테트라메틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
본 실시 형태에 관한(메트)아크릴계 점착성 수지에 있어서, 모노머 단위 (C)의 함유량은, (메트)아크릴계 점착성 수지 중의 전체 모노머 단위의 합계를 100질량％로 했을 때, 0.1질량％ 이상 30질량％ 이하인 것이 바람직하고, 0.1질량％ 이상 5질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
중합성 계면 활성제의 예로서는, 예를 들어 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르의 벤젠환에 중합성의 1-프로페닐기를 도입한 것(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명: 아쿠아론 RN-10, 동 RN-20, 동 RN-30, 동 RN-50 등), 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르의 황산에스테르의 암모늄염의 벤젠환에 중합성의 1-프로페닐기를 도입한 것(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명: 아쿠아론 HS-10, 동 HS-20, 동 HS-1025 등) 및 분자 내에 중합성 이중 결합을 갖는, 술포숙신산디에스테르계(가오(주)제; 상품명: 라테믈 S-120A, 동 S-180A 등) 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에 관한 (메트)아크릴계 점착성 수지는, 또한 필요에 따라 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등의 중합성 이중 결합을 갖는 모노머에 의해 형성된 모노머 단위를 더 함유해도 된다.
본 실시 형태에 관한 (메트)아크릴계 점착성 수지의 중합 반응 기구로서는, 라디칼 중합, 음이온 중합, 양이온 중합 등을 들 수 있다. (메트)아크릴계 점착성 수지의 제조 비용, 모노머의 관능기의 영향 등을 고려하면 라디칼 중합에 의해 중합하는 것이 바람직하다.
라디칼 중합 반응에 의해 중합할 때, 라디칼 중합 개시제로서 벤조일퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, 3,3,5-트리메틸헥사노일퍼옥사이드, 디-2-에틸헥실퍼옥시디카르보네이트, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시프탈레이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디-t-부틸퍼옥시아세테이트, t-부틸퍼옥시이소부티레이트, t-부틸퍼옥시-2-헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, 아세틸퍼옥사이드, 이소부티릴퍼옥사이드, 옥타노일퍼옥사이드, t-부틸퍼옥사이드, 디-t-아밀 퍼옥사이드 등의 유기 과산화물; 과황산암모늄, 과황산칼륨, 과황산나트륨 등의 무기 과산화물; 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸부티로니트릴, 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭 애시드 등의 아조 화합물을 들 수 있다.
유화 중합법에 의해 중합하는 경우에는, 이들 라디칼 중합 개시제 중에서, 수용성의 과황산암모늄, 과황산칼륨, 과황산나트륨 등의 무기 과산화물, 마찬가지로 수용성의 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭 애시드 등의 분자 내에 카르복실기를 가진 아조 화합물이 바람직하고, 과황산암모늄, 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭 애시드 등의 분자 내에 카르복실기를 갖는 아조 화합물이 더욱 바람직하고, 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭 애시드 등의 분자 내에 카르복실기를 갖는 아조 화합물이 특히 바람직하다.
(메트)아크릴계 점착제는, (메트)아크릴계 점착성 수지에 더하여, 가교성의 관능기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 가교제를 더 포함하는 것이 바람직하다.
가교성의 관능기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 가교제는, (메트)아크릴계 점착성 수지가 갖는 관능기와 반응시켜, 점착력 및 응집력을 조정하기 위해 사용한다.
이러한 가교제로서는, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 디글리세롤폴리글리시딜에테르, 글리세롤폴리글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 레조르신디글리시딜에테르 등의 에폭시계 화합물; 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸올프로판의 톨루엔디이소시아네이트 3부가물, 폴리이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 화합물; 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), N,N'-헥사메틸렌-1,6-비스(1-아지리딘카르복시아미드), N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-(2-메틸아지리딘)프로피오네이트 등의 아지리딘계 화합물; N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 1,3-비스(N,N'-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산 등의 4관능성 에폭시계 화합물; 헥사메톡시메틸올멜라민 등의 멜라민계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
이들 중에서도, 에폭시계 화합물, 이소시아네이트계 화합물 및 아지리딘계 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것이 바람직하고, 접착층의 내열성이나 밀착력과의 밸런스를 한층 더 향상시키는 관점에서, 에폭시계 화합물이 보다 바람직하다.
(메트)아크릴계 점착제 중의 가교제의 함유량은, 접착층의 내열성이나 밀착력과의 밸런스를 향상시키는 관점에서, (메트)아크릴계 점착성 수지 100질량부에 대하여 5질량부 이상인 것이 바람직하고, 8질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 10질량부 이상인 것이 더욱 바람직하고, 12질량부 이상인 것이 특히 바람직하고, 그리고 50질량부 이하인 것이 바람직하고, 30질량부 이하가 더욱 바람직하다.
또한, (메트)아크릴계 점착제 중의 가교제의 함유량을 조정함으로써, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도 P0 및 박리 강도 P1을 조정할 수 있다.
본 실시 형태에 관한 (메트)아크릴계 점착제는, 점착성 수지에 더하여, 자외선 중합 개시제를 더 포함해도 된다. 이에 의해 자외선 조사에 의한 경화 시간 그리고 자외선 조사량을 적게 할 수 있다.
자외선 중합 개시제의 예에는, 메톡시아세토페논 등의 아세토페논계 광중합 개시제; 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤 등의 α-케톨 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 등의 벤조인계 광중합 개시제; 벤조페논, 벤조일벤조산 등의 벤조페논계 광중합 개시제 등을 들 수 있다.
점착제 중의 자외선 중합 개시제의 함유량은, 점착성 수지 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 2.5질량부 이상 5질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.
접착층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
접착층은, 예를 들어 내열성 수지층(10) 또는 유연성 수지층(20) 상에 점착제 도포액을 도포함으로써 형성할 수 있다.
점착제 도포액을 도포하는 방법으로서는, 종래 공지된 도포 방법, 예를 들어 롤 코터법, 리버스 롤 코터법, 그라비아 롤법, 바 코트법, 콤마 코터법, 다이 코터법 등을 채용할 수 있다. 도포된 점착제의 건조 조건에는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 80 내지 200℃의 온도 범위에서 10초 내지 10분간 건조하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 80 내지 170℃에서 15초 내지 5분간 건조한다. 가교제와 점착제의 가교 반응을 충분히 촉진시키기 위해, 점착제 도포액의 건조가 종료된 후, 40 내지 80℃에서 5 내지 300시간 정도 가열해도 된다.
또한, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)에 있어서, 내열성 수지층(10)의 유연성 수지층(20)과 접하는 측의 표면의 표면 조도를 조정하고, 또한 그 표면을 이형 처리함으로써도, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20) 사이의 박리 강도를 조정하는 것이 가능하다.
여기서, JIS-B0601에 의해 규정되는, 내열성 수지층(10)의 유연성 수지층(20)과 접하는 측의 표면의 표면 조도(Ra)는 바람직하게는 0.10㎛ 이상 10㎛ 이하이다.
또한, 내열성 수지층(10)의 유연성 수지층(20)과 접하는 측의 표면이 실리콘이나 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 이형제에 의해 이형 처리되어 있는 것이 바람직하다.
<유연성 수지층>
유연성 수지층(20)은, 점착성 적층 필름(50)의 유연성이나 신축성 등의 특성을 양호하게 하는 것을 목적으로 하여 마련되는 층이다.
유연성 수지층(20)을 마련함으로써, 점착성 적층 필름(50)의 신축성이나 유연성이 향상되고, 전자 부품(70)을 픽업하는 공정에 있어서 점착성 적층 필름(50)을 면 내 방향으로 확장시키는 것을 보다 용이하게 할 수 있다.
유연성 수지층(20)은 면 내 방향으로 확장할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 유연성이나 신축성 등의 특성이 우수하고, 또한 고온 또는 저온에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때에 점착성 수지층(30)과의 접착성을 유지할 수 있을 정도의 내열성이 있는 것이 바람직하다.
상기 유연성 수지층(20)을 구성하는 유연성 수지로서는, 예를 들어 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머 및 폴리부틸렌테레프탈레이트 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
JIS K7161에 준거하여, 샘플 폭 10mm, 척간 거리 30mm, 인장 속도 300mm/분의 조건으로 측정되는, 유연성 수지층(20)의 160℃에서의 인장 탄성률(E')이 1MPa 이상 300MPa 이하인 것이 바람직하고, 5MPa 이상 150MPa 이하인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 유연성 수지층(20)의 유연성이나 신축성 등의 특성을 양호하게 유지하면서, 고온 또는 저온에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때의 점착성 적층 필름(50)의 열팽창을 한층 더 억제할 수 있다.
유연성 수지층(20)의 융점은 100℃ 이상 250℃ 이하인 것이 바람직하다.
이러한 유연성 수지층(20)을 사용하면, 고온 또는 저온에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때의 점착성 적층 필름(50)의 열팽창을 한층 더 억제할 수 있다.
유연성 수지층(20)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 10㎛ 이상 500㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이상 300㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30㎛ 이상 250㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 50㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.
<점착성 수지층>
점착성 수지층(30)은 점착성 적층 필름(50)을 전자 부품(70)에 첩부할 때에, 전자 부품(70)의 표면에 접촉하여 점착하는 층이다.
점착성 수지층(30)을 구성하는 점착제는, (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제, 스티렌계 점착제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 접착력의 조정을 용이하게 할 수 있다는 점 등에서, (메트)아크릴계 중합체를 베이스 폴리머로 하는 (메트)아크릴계 점착제가 바람직하다.
점착성 수지층(30)을 구성하는 점착제로서는, 방사선에 의해 점착력을 저하시키는 방사선 가교형 점착제를 사용할 수 있다. 방사선 가교형 점착제에 의해 구성된 점착성 수지층(30)은, 방사선의 조사에 의해 가교되어 점착력이 현저하게 감소하기 때문에, 전자 부품(70)의 픽업 공정에 있어서, 점착성 수지층(30)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하기 쉬워진다. 방사선으로서는, 자외선, 전자선, 적외선 등을 들 수 있다.
방사선 가교형 점착제로서는, 자외선 가교형 점착제가 바람직하다.
(메트)아크릴계 점착제에 포함되는 (메트)아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산에스테르 화합물의 단독 중합체, (메트)아크릴산에스테르 화합물과 코모노머의 공중합체 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르 화합물로서는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 (메트)아크릴산에스테르 화합물은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하여 사용해도 된다.
또한, (메트)아크릴계 공중합체를 구성하는 코모노머로서는, 예를 들어 아세트산비닐, (메트)아크릴니트릴, (메트)아크릴아미드, 스티렌, (메트)아크릴산, 이타콘산, (메트)아크릴아미드, 메틸올(메트)아크릴아미드, 무수 말레산 등을 들 수 있다. 이들 코모노머는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하여 사용해도 된다.
방사선 가교형 점착제는, 예를 들어 상기 (메트)아크릴계 점착제 등의 점착제와, 가교성 화합물(탄소-탄소 이중 결합을 갖는 성분)과, 광중합 개시제 또는 열 중합 개시제를 포함한다.
가교성 화합물로서는, 예를 들어 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 라디칼 중합에 의해 가교 가능한 모노머, 올리고머 또는 폴리머 등을 들 수 있다. 이러한 가교성 화합물로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알코올의 에스테르; 에스테르(메트)아크릴레이트 올리고머; 2-프로페닐디-3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-(메트)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트 또는 이소시아누레이트 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 점착제가, 폴리머의 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 방사선 가교형 폴리머인 경우에는, 가교성 화합물을 가하지 않아도 된다.
가교성 화합물의 함유량은, 점착제 100질량부에 대하여 5 내지 100질량부가 바람직하고, 10 내지 50질량부가 보다 바람직하다. 가교성 화합물의 함유량이 상기 범위임으로써, 상기 범위보다도 적은 경우에 비해 점착력의 조정을 하기 쉬워지고, 상기 범위보다도 많은 경우에 비해, 열이나 광에 대한 감도가 지나치게 높음에 따른 보존 안정성의 저하가 일어나기 어렵다.
광중합 개시제로서는, 방사선을 조사함으로써 개열되어 라디칼을 생성하는 화합물이면 되고, 예를 들어 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인알킬에테르류; 벤질, 벤조인, 벤조페논, α-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 방향족 케톤류; 벤질디메틸케탈 등의 방향족 케탈류; 폴리비닐벤조페논; 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤류 등을 들 수 있다.
열 중합 개시제로서는, 예를 들어 유기 과산화물 유도체나 아조계 중합 개시제 등을 들 수 있다. 가열시에 질소가 발생하지 않는다는 점에서, 바람직하게는 유기 과산화물 유도체이다. 열 중합 개시제로서는, 예를 들어 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르 및 퍼옥시디카르보네이트 등을 들 수 있다.
점착제에는 가교제를 첨가해도 된다. 가교제로서는, 예를 들어 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 디글리세롤폴리글리시딜에테르 등의 에폭시계 화합물; 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), N,N'-헥사메틸렌-1,6-비스(1-아지리딘카르복시아미드) 등의 아지리딘계 화합물; 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 폴리이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 화합물 등을 들 수 있다. 가교제는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. 가교제의 함유량은, 점착성 수지층(30)의 내열성이나 밀착력과의 밸런스를 향상시키는 관점에서, (메트)아크릴계 점착성 수지 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 10질량부 이하인 것이 바람직하다.
점착성 수지층(30)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
점착성 수지층(30)은, 예를 들어 기재층이나 유연성 수지층(20) 상에 점착제 도포액을 도포함으로써 형성할 수 있다.
점착제 도포액을 도포하는 방법으로서는, 종래 공지된 도포 방법, 예를 들어 롤 코터법, 리버스 롤 코터법, 그라비아 롤법, 바 코트법, 콤마 코터법, 다이 코터법 등을 채용할 수 있다. 도포된 점착제의 건조 조건에는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 80 내지 200℃의 온도 범위에서 10초 내지 10분간 건조하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 80 내지 170℃에서 15초 내지 5분간 건조한다. 가교제와 점착제의 가교 반응을 충분히 촉진시키기 위해, 점착제 도포액의 건조가 종료된 후, 40 내지 80℃에서 5 내지 300시간 정도 가열해도 된다.
<기타 층>
본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)은, 점착성 수지층(30) 상에 이형 필름을 더 적층시켜도 된다. 이형 필름으로서는, 예를 들어 이형 처리가 실시된 폴리에스테르 필름 등을 들 수 있다.
<점착성 적층 필름의 제조 방법>
이어서, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다.
본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)은, 예를 들어 내열성 수지층(10)의 한쪽의 면에 유연성 수지층(20)을 압출하여 라미네이트법에 의해 형성하고, 유연성 수지층(20) 상에 점착제 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 점착성 수지층(30)을 형성함으로써 얻을 수 있다.
또한, 내열성 수지층(10)과 유연성 수지층(20)은 공압출 성형에 의해 형성해도 되고, 필름 형상의 내열성 수지층(10)과 필름 형상의 유연성 수지층(20)을 라미네이트(적층)하여 형성해도 된다.
2. 전자 장치의 제조 방법
이어서, 본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 2는, 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법은, 예를 들어 이하의 4개의 공정을 적어도 구비하고 있다.
(A) 내열성 수지층(10), 유연성 수지층(20) 및 점착성 수지층(30)을 이 순서로 갖는 점착성 적층 필름(50)과, 점착성 적층 필름(50)의 점착성 수지층(30) 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품(70)을 구비하는 구조체(100)를 준비하는 공정
(B) 점착성 수지층(30) 상에 첩부된 상태에서, 전자 부품(70)의 특성을 평가하는 공정
(C) 공정 (B) 후에 내열성 수지층(10)을 점착성 적층 필름(50)으로부터 박리하는 공정
(D) 공정 (C) 후에 점착성 수지층(30)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하는 공정
그리고, 본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법에서는, 점착성 적층 필름(50)으로서, 상술한 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)을 사용한다.
본 발명자들의 검토에 의하면, 종래의 전자 장치의 제조 방법에 관하여 이하와 같은 과제를 알아내었다.
우선, 본 발명자는, 종래의 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 고온 또는 저온에서 전자 부품의 특성 평가를 행할 때에, 전자 부품을 가고정하는 점착성 필름이 변형되거나, 용융되거나 한다는 것을 지견하였다. 이 경우, 점착성 필름 상의 전자 부품의 위치 어긋남이 일어나, 그 후의 전자 부품의 픽업을 잘 할 수 없게 되어버린다.
또한, 본 발명자의 검토에 의하면, 점착성 필름의 변형이나 용융을 억제하기 위해, 점착성 필름의 내열성을 높이면, 점착성 필름의 변형이나 용융이 억제되어 전자 부품의 위치 어긋남은 개선되는 한편, 이번에는 점착성 필름의 신축성이나 유연성이 악화되어, 전자 부품의 픽업을 잘 할 수 없게 되어버린다는 것이 밝혀졌다.
즉, 종래의 점착성 필름에는, 고온 또는 저온에서의 전자 부품의 특성 평가 후에 있어서의 전자 부품의 픽업성에 있어서 개선의 여지가 있었다.
그 때문에, 종래의 전자 장치의 제조 방법에서는, 전자 부품의 픽업을 잘 행하는 관점에서, 도 3에 도시한 바와 같이 점착성 필름(50A) 상의 전자 부품(70A)을 트레이(80A) 등에 한 번 픽업한 후, 다시 전자 부품(70A)을 로봇으로 이송하여 시료대(90A)에 배치하고, 고온 또는 저온에서의 전자 부품(70A)의 특성 평가를 행하며, 그 후, 다시 전자 부품(70A)을 로봇으로 트레이(80A) 등에 이송해야 하여, 공정이 복잡해지고 있었다.
즉, 본 발명자들은, 종래의 전자 장치의 제조 방법에는, 전자 부품의 특성 평가 공정의 간략화와, 전자 부품의 픽업성을 양립시킨다는 관점에 있어서, 개선의 여지가 있다는 것을 알아내었다.
본 발명자들은, 상기 과제를 달성하기 위해 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 내열성 수지층(10), 유연성 수지층(20) 및 점착성 수지층(30)을 이 순서로 갖는 점착성 적층 필름(50)을 사용하고, 또한 전자 부품(70)의 픽업 공정 전에 열성 수지층(10)을 박리함으로써, 전자 부품의 특성 평가 공정의 간략화와, 전자 부품의 픽업성을 양립할 수 있다는 것을 알아내었다.
즉, 내열성 수지층(10)을 갖는 점착성 적층 필름(50)을 사용하여 상기 공정 (B)를 행함으로써, 내열성 수지층(10)에 의해 점착성 수지층(30)의 변형이나 용융이 억제되어 전자 부품(70)의 위치 어긋남을 억제할 수 있으며, 그 결과, 상기 공정 (D)에서의 전자 부품(70)의 픽업을 보다 정확하게 행할 수 있다.
또한, 상기 공정 (B) 후에 상기 공정 (C)를 행함으로써 신축성이나 유연성이 떨어지는 내열성 수지층(10)이 제거되기 때문에, 상기 공정 (D)에 있어서, 점착성 수지층(30) 및 유연성 수지층(20)을 구비하는 필름의 신축성이나 유연성이 양호해지고, 상기 공정 (D)에서의 전자 부품(70)의 픽업을 보다 용이하게 행할 수 있다.
또한, 점착성 적층 필름(50) 상에 첩부한 채, 고온 또는 저온에서의 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 수 있기 때문에, 전자 부품(70)의 특성 평가 전에 점착성 적층 필름(50)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하여 트레이 등에 이동시킬 필요가 없으며, 전자 부품(70)의 특성 평가 공정을 간략화할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법에 의하면, 상기 공정 (A) 내지 (D)를 구비함으로써, 전자 부품(70)의 특성 평가 공정을 간략화할 수 있음과 함께, 전자 부품(70)을 고정밀도로 픽업하는 것이 가능하게 된다.
이하, 본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법의 각 공정에 대하여 설명한다.
(공정 (A))
먼저, 점착성 적층 필름(50)과, 점착성 적층 필름(50)의 점착성 수지층(30) 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품(70)을 구비하는 구조체(100)를 준비한다.
이러한 구조체는, 예를 들어 점착성 적층 필름(50)의 점착성 수지층(30) 상에 전자 부품(70)을 첩부하고, 필요에 따라 점착성 적층 필름(50) 상의 전자 부품(70)을 개편화함으로써 제작할 수 있다.
이하, 전자 부품(70)이 반도체 기판 및 반도체 칩인 경우를 예로 하여, 구조체(100)의 제조 방법에 대하여 구체적으로 설명한다.
먼저, 점착성 적층 필름(50)의 점착성 수지층(30) 상에 반도체 기판을 첩부한다.
점착성 적층 필름(50)에 첩부하는 반도체 기판으로서는, 예를 들어 실리콘, 게르마늄, 갈륨-비소, 갈륨-인, 갈륨-비소-알루미늄 등의 기판(예를 들어, 웨이퍼)을 들 수 있다.
또한, 반도체 기판으로서는, 표면에 회로가 형성된 반도체 기판을 사용하는 것이 바람직하다.
점착성 적층 필름(50)의 첩부는 사람의 손으로 행해도 되지만, 통상, 롤 형상의 표면 보호 필름을 설치한 자동 부착기에 의해 행한다.
첩부시의 점착성 적층 필름(50) 및 반도체 기판의 온도에는 특별히 제한은 없지만, 25℃ 내지 80℃가 바람직하다.
또한, 첩부시의 점착성 적층 필름(50)과 반도체 기판의 압력에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 0.3MPa 내지 0.5MPa가 바람직하다.
이어서, 점착성 적층 필름(50) 상의 반도체 기판을 반도체 칩에 다이싱한다.
여기에서 말하는 「다이싱」에는,
(a) 반도체 기판에 대하여 이 반도체 기판의 두께와 동일한 깊이의 절입을 마련함으로써 반도체 기판을 분단하고, 복수의 분단된 반도체 칩을 얻는 조작(이하, 「풀컷 다이싱」이라고도 한다), 및
(b) 레이저광을 조사함으로써, 반도체 기판에 대하여, 반도체 기판의 절단까지는 이르지 않는 변질 영역을 마련하고, 복수의 반도체 칩을 얻는 조작(이하, 「스텔스 다이싱」이라고도 한다)이 포함된다.
상기 다이싱은, 다이싱 블레이드(다이싱 소), 레이저광 등을 사용하여 행할 수 있다.
다이싱이 풀컷 다이싱인 경우에는, 다이싱에 의해 반도체 기판이 복수의 반도체 칩으로 분단된다.
한편, 다이싱이 스텔스 다이싱인 경우에는, 다이싱에 의해서만은 반도체 기판이 복수의 반도체 칩으로 분단되는 것까지는 이르지 않고, 다이싱 후의 점착성 적층 필름(50)의 확장에 의해 반도체 기판이 분단되어 복수의 분단된 반도체 칩이 얻어진다.
또한, 공정 (A)에 있어서의 전자 부품(70)에는, 풀컷 다이싱으로부터 얻어지는 분단된 복수의 반도체 칩과, 스텔스 다이싱에 의해 얻어지는 분단되기 전의 복수의 반도체 칩의 양쪽을 포함한다.
(공정 (B))
이어서, 점착성 수지층(30) 상에 첩부된 상태에서, 전자 부품(70)의 특성을 평가한다.
전자 부품(70)의 특성 평가는, 예를 들어 전자 부품(70)의 동작 확인 테스트이며, 도 2에 도시한 바와 같이, 프로브 단자(95)를 갖는 프로브 카드(92)를 사용하여 행할 수 있다.
예를 들어, 전자 부품(70)의 단자(75)에 대하여, 프로브 카드(92)를 통해 테스터에 접속된 프로브 단자(95)를 접촉시킨다. 이에 의해, 전자 부품(70)과 테스터 사이에서, 동작 전력이나 동작 시험 신호 등의 수수를 행하고, 전자 부품(70)의 동작 특성의 양부 등을 판별할 수 있다.
공정 (B)에서는, 0℃ 이하 또는 50℃ 이상 200℃ 이하의 온도 환경하에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행하는 것이 바람직하고, 60℃ 이상 180℃ 이하의 온도 환경하에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행하는 것이 보다 바람직하고, 80℃ 이상 160℃ 이하의 온도 환경하에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행하는 것이 더욱 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 불량 발생의 요인이 내재되어 있는 전자 부품(70)의 열화를 가속할 수 있으며, 전자 부품(70)의 초기 불량을 조기에 발생시켜, 그 불량품을 제거할 수 있다. 이에 의해, 신뢰성이 우수한 전자 부품(70)을 수율 높게 얻을 수 있다.
예를 들어, 구조체(100)를 항온조나 오븐에 넣거나, 또는 시료대(90)에 마련된 히터로 가열함으로써, 상기한 온도 환경하로 할 수 있다.
(공정 (C))
이어서, 공정 (B) 후에 내열성 수지층(10)을 점착성 적층 필름(50)으로부터 박리한다.
점착성 적층 필름(50)의 박리는 손에 의해 행해지는 경우도 있지만, 일반적으로는 자동 박리기라 불리는 장치에 의해 행할 수 있다.
(공정 (D))
이어서, 공정 (C) 후에 점착성 수지층(30)으로부터 전자 부품(70)을 픽업한다.
이 픽업에 의해, 점착성 적층 필름(50)으로부터 전자 부품(70)을 박리할 수 있다.
전자 부품(70)의 픽업은, 공지된 방법으로 행할 수 있다.
공정 (D)에서는, 점착성 수지층(30)에 있어서의 전자 부품(70)이 첩부된 영역을 필름의 면 내 방향으로 확장시켜, 인접하는 전자 부품(70) 사이의 간격을 확대시킨 상태에서, 점착성 수지층(30)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하는 것이 바람직하다.
이와 같이 함으로써, 인접하는 전자 부품(70) 사이의 간격이 확대되기 때문에, 점착성 수지층(30)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하기 쉬워진다. 또한, 점착성 수지층(30)의 면 내 방향의 확장에 의해 발생하는, 전자 부품(70)과 점착성 수지층(30)의 전단 응력에 의해 전자 부품(70)과 점착성 수지층(30)의 점착력이 저하되기 때문에, 점착성 수지층(30)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하기 쉬워진다.
(공정 (E))
본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 공정 (D) 전에 점착성 수지층(30)에 대하여 방사선을 조사하고, 점착성 수지층(30)을 가교시킴으로써, 전자 부품(70)에 대한 점착성 수지층(30)의 점착력을 저하시키는 공정 (E)를 더 구비해도 된다.
공정 (E)를 행함으로써, 점착성 수지층(30)으로부터 전자 부품(70)을 용이하게 픽업할 수 있다. 또한, 점착성 수지층(30)을 구성하는 점착 성분에 의해 전자 부품(70)의 표면이 오염되는 것을 억제할 수 있다.
방사선은, 예를 들어 점착성 적층 필름(50)의 점착성 수지층(30)측의 면과는 반대측의 면으로부터 조사된다.
방사선으로서 자외선을 사용하는 경우, 점착성 적층 필름(50)에 대하여 조사하는 자외선의 선량은 100mJ/cm2 이상이 바람직하고, 350mJ/cm2 이상이 보다 바람직하다.
자외선의 선량이 상기 하한값 이상이면, 점착성 수지층(30)의 점착력을 충분히 저하시킬 수 있으며, 그 결과, 전자 부품(70) 표면에 점착제 잔류가 발생하는 것을 보다 억제할 수 있다.
또한, 점착성 적층 필름(50)에 대하여 조사하는 자외선의 선량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 생산성의 관점에서, 예를 들어 1500mJ/cm2 이하이고, 바람직하게는 1200mJ/cm2 이하이다.
자외선 조사는, 예를 들어 고압 수은 램프나 LED를 사용하여 행할 수 있다.
공정 (E)는 공정 (B) 또는 공정 (C) 전에 행해도 되고, 공정 (C) 후에 행해도 되지만, 공정 (B) 전, 공정 (B)와 공정 (C) 사이 혹은 공정 (C)와 공정 (D) 사이에 행하는 것이 바람직하고, 공정 (B) 전에 행하는 것이 보다 바람직하다.
(기타 공정)
본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법은, 상기 이외의 기타 공정을 갖고 있어도 된다. 기타 공정으로서는, 전자 장치의 제조 방법에 있어서 공지된 공정을 사용할 수 있다.
예를 들어, 공정 (D)를 행한 후, 얻어진 반도체 칩 등의 전자 부품(70)을 회로 기판에 실장하는 공정이나, 와이어 본딩 공정, 밀봉 공정 등의 전자 부품의 제조 공정에 있어서 일반적으로 행해지고 있는 임의의 공정을 더 행해도 된다.
또한, 전자 부품(70)으로서 회로면을 갖는 반도체 기판을 사용하는 경우, 예를 들어 반도체 기판의 회로 형성면에 통상 사용되는 방법으로 전극 형성 및 비회로면에 보호막 형성을 행하는 공정을 더 가져도 된다. 이 전극 형성 및 수지 밀봉을 행하는 공정이 마련된 제조 방법은, WLP(Wafer Level Package)라고도 불리고 있다.
또한, 전자 부품의 회로면에 재배선층을 형성하는 공정을 더 가져도 된다. 반도체 칩 면적을 초과하는 넓은 영역에 재배선층을 형성함으로써 얻어지는 전자 장치는, 팬 아웃 패키지(Fan-out Package)라고도 불리고 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수도 있다.
또한, 본 발명은 상술한 실시 형태로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함되는 것이다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
점착성 적층 필름의 제작에 사용한 재료의 상세한 설명은 이하와 같다.
<내열성 수지층>
내열성 수지층 1: 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(유니티카사제, 제품명: 엔블릿(등록 상표) S-50, 융점: 260℃, 분해 온도: 약 400℃, 두께: 50㎛)
<유연성 수지층 형성용의 유연성 수지>
유연성 수지 1: 폴리에스테르계 엘라스토머(도레이·듀퐁사제, 상품명: 하이트렐(등록 상표) 4767N, 융점: 200℃)
<점착성 수지층 형성용의 점착제>
(점착제 1(자외선 가교형 아크릴계 점착제))
아크릴산에틸 48중량부, 아크릴산-2-에틸헥실 27중량부, 아크릴산메틸 20중량부, 메타크릴산글리시딜 5중량부 및 중합 개시제로서 벤조일퍼옥사이드 0.5중량부를 혼합하였다. 이것을, 톨루엔 65중량부, 아세트산에틸 50중량부가 들어간 질소 치환 플라스크 중에 교반하면서 80℃에서 5시간에 걸쳐서 적하하고, 5시간 더 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 이 용액을 냉각하고, 이것에 크실렌 25중량부, 아크릴산 2.5중량부 및 테트라데실벤질암모늄클로라이드 1.5중량부를 가하고, 공기를 불어 넣으면서 80℃에서 10시간 반응시켜, 광중합성 탄소-탄소 이중 결합이 도입된 아크릴산에스테르 공중합체 용액을 얻었다.
이 용액에, 공중합체(고형분) 100중량부에 대하여 자외선 중합 개시제로서 벤조인 7중량부, 이소시아네이트계 가교제(미쓰이 가가꾸(주)제, 상품명: 오레스타P49-75S) 2중량부, 1분자 내에 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 저분자량 화합물로서 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(도아 고세(주)제, 상품명: 아로닉스 M-400) 15중량부를 첨가하고, 점착제 1(자외선 가교형 점착제 도포액)을 얻었다.
<접착층 형성용의 점착제>
(점착성 수지 용액 1)
탈이온을 행한 순수 중에, 중합 개시제로서 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭 애시드(오쯔까 가가꾸(주)제, 상품명: ACVA)를 0.5질량부, 모노머 (A)로서 아크릴산-n-부틸을 74.3질량부 및 메타크릴산메틸을 13.7질량부, 모노머 (B)로서 메타크릴산-2-히드록시에틸을 9질량부, 중합성 계면 활성제로서 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르의 황산에스테르의 암모늄염의 벤젠환에 중합성의 1-프로페닐기를 도입한 것(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명: 아쿠아론 HS-1025)을 3질량부 각각 투입하고, 교반하에서 70 내지 72℃에서 8시간 유화 중합을 실시하여, 아크릴계 수지 에멀션을 얻었다. 이것을 암모니아수로 중화(pH=7.0)하여, 고형분 농도 42.5％의 점착성 수지 용액 1을 얻었다.
(점착성 수지 용액 2)
탈이온을 행한 순수 중에, 중합 개시제로서 과황산암모늄을 0.5질량부, 모노머 (A)로서 아크릴산-2-에틸헥실을 63질량부, 아크릴산-n-부틸을 21질량부 및 메타크릴산메틸을 9질량부, 모노머 (B)로서 메타크릴산-2-히드록시에틸을 3질량부, 모노머 (C)로서 폴리테트라메틸렌글리콜디아크릴레이트(니혼 유시(주)제, 상품명; ADT-250)를 1질량부, 중합성 계면 활성제로서 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르의 황산에스테르의 암모늄염의 벤젠환에 중합성의 1-프로페닐기를 도입한 것(다이이찌 고교 세야꾸(주)제; 상품명: 아쿠아론 HS-1025)을 2질량부 각각 투입하고, 교반하에서 70 내지 72℃에서 8시간 유화 중합을 실시하여, 아크릴계 수지 에멀션을 얻었다. 이것을 암모니아수로 중화(pH=7.0)하여, 고형분 농도 56.5％의 점착성 수지 용액 2를 얻었다.
(점착제 도포액 1)
점착성 수지 용액 1을 57.4질량부, 점착성 수지 용액 2를 42.6질량부, 디메틸에탄올아민을 0.4질량부, 가교제인 에폭시계 화합물(나가세 켐텍스사제, Ex-1610)을 9.3질량부 각각 혼합하여, 점착제 도포액 1을 얻었다.
(점착제 도포액 2)
점착성 수지 용액 1을 100질량부, 폴리프로필렌글리콜을 10.0질량부, 가교제인 아지리딘계 화합물(닛본 쇼꾸바이사제, 케미타이트 Pz-33)을 1.7질량부 각각 혼합하여, 점착제 도포액 2를 얻었다.
[실시예 1]
내열성 수지층 1 상에 점착제 도포액 1을 도포한 후, 건조시켜, 두께 20㎛의 접착층을 형성하였다. 이어서 접착층 상에 유연성 수지층이 되는 유연성 수지 1에 의해 구성된 필름(두께: 110㎛, 탄성률: 55MPa(JIS K7161에 준거하여, 샘플 폭 10mm, 척간 거리 30mm, 인장 속도 300mm/분의 조건으로 측정))을 적층하였다.
이어서, 얻어진 필름의 유연성 수지층 상에 점착제 1의 도포액을 도포한 후, 건조시켜, 두께 20㎛의 점착성 수지층을 형성하고, 점착성 적층 필름을 얻었다.
얻어진 점착성 적층 필름에 대하여 이하의 평가를 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.
[실시예 2]
접착층의 두께를 10㎛로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 점착성 적층 필름을 얻었다.
얻어진 점착성 적층 필름에 대하여 이하의 평가를 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 1]
내열성 수지층 1 상에 접착층을 형성하지 않는 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 점착성 적층 필름을 얻었다.
얻어진 점착성 적층 필름에 대하여 이하의 평가를 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.
[비교예 2]
점착제 도포액 1 대신에 점착제 도포액 2를 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여 점착성 적층 필름을 얻었다.
얻어진 점착성 적층 필름에 대하여 이하의 평가를 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.
<평가>
(1) 내열성 수지층과 유연성 수지층 사이의 박리 강도 P0 및 박리 강도 P1의 측정
내열성 수지층과 유연성 수지층 사이의 박리 강도 P0 및 박리 강도 P1은, JIS Z0237에 준거하여, 하기의 방법으로 측정하였다.
우선, 점착성 수지층이 실리콘 웨이퍼(SUMCO사제, 상품명: 실리콘 미러 웨이퍼, 두께: 760㎛)에 접하도록, 점착성 적층 필름을 상기 실리콘 웨이퍼에 첩부하였다. 이어서, 인장 시험기(도요 세끼사제, 상품명: 스트로그래프)를 사용하여, 내열성 수지층을 유연성 수지층으로부터, 25℃, 인장 속도 300mm/분의 조건으로 180도 방향으로 박리하고, 이때의 강도(N/25mm)를 2회 측정하여, 그의 평균값을 박리 강도 P0으로 하였다.
또한, 점착성 적층 필름을 핫 플레이트 상에서 160℃, 4시간 열 처리한 후, 박리 강도 P0의 측정 방법과 마찬가지의 방법으로, 점착성 적층 필름에 있어서의 내열성 수지층과 유연성 수지층 사이의 박리 강도 P1을 측정하였다. 여기서, 내열성 수지층측을 핫 플레이트측으로 하였다.
(2) 전자 부품의 픽업성
점착성 적층 필름의 점착성 수지층 상에 전자 부품(실리콘 칩)을 복수개 배치하고, 구조체를 얻었다.
이어서, 얻어진 구조체를 핫 플레이트 상에서 160℃, 4시간 열 처리한 후, 내열성 수지층을 유연성 수지층으로부터 박리하였다. 여기서, 내열성 수지층측을 핫 플레이트측으로 하였다.
이어서, 하기의 기준으로 전자 부품의 픽업성을 평가하였다.
○: 내열성 수지층을 유연성 수지층으로부터 양호하게 박리할 수 있음과 함께, 실리콘 칩의 위치 어긋남이나 점착성 수지층 및 유연성 수지층의 변형이 일어나지 않아, 그 후의 실리콘 칩의 픽업을 고정밀도로 할 수 있었음
×: 내열성 수지층을 유연성 수지층으로부터 박리할 수 있었지만, 박리가 심하고, 내열성 수지층을 박리 중에 실리콘 칩의 위치 어긋남이나 점착성 수지층 및 유연성 수지층의 변형이 일어나, 그 후의 실리콘 칩의 픽업을 고정밀도로 할 수 없었음
××: 내열성 수지층과 유연성 수지층이 견고하게 접착하여, 내열성 수지층을 유연성 수지층으로부터 박리할 수 없었음
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박리 강도 P0이 0.01N/25mm 이상 2.0N/25mm 이하이고, 또한 박리 강도 P1이 0.05N/25mm 이상 1.5N/25mm 이하인 실시예 1 및 2의 점착성 적층 필름은, 핫 플레이트 상에서, 160℃, 4시간 열 처리한 후에도, 내열성 수지층을 유연성 수지층으로부터 양호하게 박리할 수 있음과 함께, 실리콘 칩의 위치 어긋남이나 점착성 수지층 및 유연성 수지층의 변형이 일어나지 않아, 그 후의 실리콘 칩의 픽업을 고정밀도로 할 수 있었다. 즉, 본 실시 형태에 관한 점착성 적층 필름(50)에 의하면, 전자 부품의 특성 평가 공정을 간략화할 수 있음과 함께, 전자 부품을 고정밀도로 픽업하는 것이 가능하다는 것을 이해할 수 있다.
이에 비해, 비교예 1 및 2의 점착성 적층 필름은 전자 부품의 픽업성이 떨어졌다.
즉, 비교예 1 및 2의 점착성 적층 필름에서는, 전자 부품의 특성 평가 공정의 간략화와 전자 부품의 픽업성을 양립할 수 없다는 것을 이해할 수 있다.
이 출원은, 2016년 11월 25일에 출원된 일본 출원 특원2016-229118호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시된 전부를 여기에 원용한다.

Claims (18)

  1. 내열성 수지층, 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 이 순서로 갖는 점착성 적층 필름이며,
    JIS Z0237에 준거하여 하기의 방법으로 측정되는, 상기 내열성 수지층과 상기 유연성 수지층 사이의 박리 강도 P0이 0.01N/25mm 이상 2.0N/25mm 이하이고, 또한 상기 점착성 적층 필름을 160℃에서 4시간 열 처리한 후의, 상기 내열성 수지층과 상기 유연성 수지층 사이의 박리 강도 P1이 0.05N/25mm 이상 1.5N/25mm 이하인 점착성 적층 필름.
    (박리 강도의 측정 방법)
    상기 점착성 수지층이 실리콘 웨이퍼에 접하도록, 상기 점착성 적층 필름을 상기 실리콘 웨이퍼에 첩부한다. 이어서, 인장 시험기를 사용하여, 상기 내열성 수지층을 상기 유연성 수지층으로부터, 25℃, 인장 속도 300mm/분의 조건으로 180도 방향으로 박리하고, 이때의 강도(N/25mm)를 2회 측정하여, 그의 평균값을 박리 강도로 한다.
  2. 제1항에 있어서,
    JIS K7161에 준거하여, 샘플 폭 10mm, 척간 거리 30mm, 인장 속도 300mm/분의 조건으로 측정되는, 상기 유연성 수지층의 160℃에서의 인장 탄성률(E')이 1MPa 이상 300MPa 이하인 점착성 적층 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 내열성 수지층의 융점이 200℃ 이상이거나, 혹은 상기 내열성 수지층은 융점을 갖지 않는 점착성 적층 필름.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유연성 수지층의 융점이 100℃ 이상 250℃ 이하인 점착성 적층 필름.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내열성 수지층을 구성하는 내열성 수지가 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리에스테르로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 점착성 적층 필름.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유연성 수지층을 구성하는 유연성 수지가 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 점착성 적층 필름.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내열성 수지층과 상기 유연성 수지층 사이에 접착층을 더 갖는 점착성 적층 필름.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 접착층이 (메트)아크릴계 점착제를 포함하는 점착성 적층 필름.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 (메트)아크릴계 점착제가 (메트)아크릴계 점착성 수지 및 가교제를 포함하고,
    상기 (메트)아크릴계 점착제 중의 상기 가교제의 함유량이, 상기 (메트)아크릴계 점착성 수지 100질량부에 대하여 5질량부 이상인 점착성 적층 필름.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 가교제가 에폭시계 화합물, 이소시아네이트계 화합물 및 아지리딘계 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 점착성 적층 필름.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 (메트)아크릴계 점착제에 포함되는 상기 (메트)아크릴계 점착성 수지가, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 2 이상 갖는 다관능성 모노머 유래의 구성 단위를 포함하는 점착성 적층 필름.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착성 수지층을 구성하는 점착제가 (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제 및 스티렌계 점착제로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 점착성 적층 필름.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착성 적층 필름의 전체 광선 투과율이 80％ 이상인 점착성 적층 필름.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    다이싱 테이프인 점착성 적층 필름.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    내열성 수지층, 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 이 순서로 갖는 점착성 적층 필름과, 상기 점착성 수지층 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품을 구비하는 구조체를 준비하는 공정 (A)와,
    상기 점착성 수지층 상에 첩부된 상태에서, 상기 전자 부품의 특성을 평가하는 공정 (B)와,
    상기 공정 (B) 후에 상기 내열성 수지층을 상기 점착성 적층 필름으로부터 박리하는 공정 (C)와,
    상기 공정 (C) 후에 상기 점착성 수지층으로부터 상기 전자 부품을 픽업하는 공정 (D)
    를 구비하는 전자 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 점착성 적층 필름에 사용되는 점착성 적층 필름.
  16. 내열성 수지층, 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 이 순서로 갖는 점착성 적층 필름과, 상기 점착성 수지층 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품을 구비하는 구조체를 준비하는 공정 (A)와,
    상기 점착성 수지층 상에 첩부된 상태에서, 상기 전자 부품의 특성을 평가하는 공정 (B)와,
    상기 공정 (B) 후에 상기 내열성 수지층을 상기 점착성 적층 필름으로부터 박리하는 공정 (C)와,
    상기 공정 (C) 후에 상기 점착성 수지층으로부터 상기 전자 부품을 픽업하는 공정 (D)
    를 구비하는 전자 장치의 제조 방법이며,
    상기 점착성 적층 필름으로서 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 점착성 적층 필름을 사용하는 전자 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 공정 (B)에서는, 0℃ 이하 또는 50℃ 이상 200℃ 이하의 온도 환경하에서 상기 전자 부품의 특성 평가를 행하는 전자 장치의 제조 방법.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 공정 (D)에서는, 상기 점착성 수지층에 있어서의 상기 전자 부품이 첩부된 영역을 필름의 면 내 방향으로 확장시켜, 인접하는 상기 전자 부품간의 간격을 확대시킨 상태에서, 상기 점착성 수지층으로부터 상기 전자 부품을 픽업하는 전자 장치의 제조 방법.
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