TWI402325B - 切割用黏著片以及使用此黏著片的切割方法 - Google Patents

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Description

切割用黏著片以及使用此黏著片的切割方法
本發明是有關於一種切割用黏著片，且特別是有關於一種使用該切割用黏著片進行切割的方法、通過該切割方法得到的被切割物小片。
以往，以矽(Si)、鎵(Ga)、砷(As)等作為材料的半導體晶片是以大直徑狀態製造後，被切斷分離(切割)為單元小片，再被安裝後封裝。在該封裝中，通常是一次封裝多個晶片，再對該半導體封裝體進行切割、拾取，做成各個半導體晶片。半導體封裝體在貼附於黏著片上而被固定的狀態下，實施切割製程、洗淨製程、膨脹製程、拾取(pick)製程等各製程。黏著片通常是在使用由塑膠膜構成的基材上塗布1~200μm左右的丙烯酸系黏著劑而製成的黏著片。
半導體封裝體的切割製程通常是使用邊旋轉邊移動的圓型刀片來進行。此時，圓型刀片切入到保持著半導體封裝體的切割用黏著片的基材內部。此時，若該切入進行到黏著片的基材內部，則作為基材的塑膠膜本身就會產生纖維狀的切割碎屑。如果該纖維狀切屑附著在封裝體(被切割物)側面等，則連帶所附著的纖維狀切屑也會在後續製程中被封裝。其結果，纖維狀切屑成為使電子電路的品質顯著降低的原因，成為問題。
纖維狀切屑產生的機理如下，即如同在日本專利特開2001－72947號公報中記載的那樣，由於切割刀片切斷被切割物時摩擦生熱，使得該切割刀片切入到基材薄膜時，使構成基材薄膜的樹脂熔融。熔融的樹脂通過切割刀片的旋轉被卷起後，被切割冷卻水冷卻固化後變成纖維狀切屑。在以往進行的矽片的切割中，例如在日本專利特開平11－43656號公報與日本專利特開2003－7654號公報等中記載的那樣，以聚丙烯為主要構成成分的基材薄膜對抑制纖維狀切屑的產生是有效的，其原因被推測為聚丙烯的熔點高、很少由於發熱的切割刀片而熔融的緣故。
另外，作為解決這樣的纖維狀切屑問題的方法，除了上述現有技術以外，還可以列舉例如下述日本專利特開平5－156214號公報與日本專利特開平5－211234號公報等中公開的方法。
但是，在日本專利特開平11－43656號公報、日本專利特開平5－156214號公報、和日本專利特開平5－211234號公報中公開的現有技術中，即使可以解決切割矽片時產生纖維狀切屑的問題，但是對半導體封裝體的切割還不能消除產生纖維狀切屑的問題。
即，在日本專利特開平11－43656號公報中，提出了使用無拉伸聚丙烯膜作為黏著片的基材薄膜。該方法可以抑制矽片切割中纖維狀切屑的產生，但本申請發明者們研究的結果發現對半導體封裝體的切割，該方案的抑制效果不佳。而且沒有膨脹性等，在作業性上也存在問題。
在日本專利特開平5－156214號公報中，提出了使用乙烯－甲基丙烯酸酯共聚物作為基材的黏著片。但是，該黏著片在矽切割中多少能抑制纖維狀切屑的產生，但尚不能滿足在半導體晶片的製造中所要求的水準。另外，在半導體封裝體切割中，完全可以說其效果幾乎為零。
在日本專利特開平5－211234號公報中，提出了作為基材薄膜使用以1~80Mrad的電子射線或γ射線等的輻射進行了照射的交聯膜的黏著片。該黏著片當其基材薄膜的厚度在80~100μm左右時，可以認為在矽片的切割中具有一定程度抑制纖維狀切屑的產生的效果。但是，基材薄膜的厚度在大於等於120μm，特別是在150~300μm時，若切割半導體封裝體就會產生纖維狀切屑。這是起因於儘管基材薄膜的最外表面在一定程度上被交聯，但在基材薄膜內部沒有被輻射充分地交聯。
本發明是為了解決上述背景技術中存在的問題而進行的，其目的在於提供一種不存在產品品位的下降和成本上的不利面、而且切割時纖維狀切屑少的切割用黏著片。本發明的目的還在於提供一種使用該切割用黏著片的切割方法。
本發明人對構成能夠解決上述課題的切割用黏著片的基材薄膜進行了深入研究。其結果發現通過採用具有含有乙烯系樹脂且熔點為小於等於95℃的層的多層結構的基材薄膜，可以減少切割時的纖維狀切屑的產生，從而完成了本發明。
即，為了解決上述課題，本發明的切割用黏著片是在基材的至少一面上具有黏著劑層的切割用黏著片，其特徵在於，所述基材是具有含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層的多層結構，所述層的厚度為大於等於1/2的基材總厚度。
在使用具有以熔點高的樹脂(例如聚丙烯等)等作為主要成分的基材的切割用黏著片時，例如切割半導體封裝體時，也存在切割刀片與被切割物之間產生的摩擦熱比其熔點高的情況。由於半導體封裝體與矽片等相比厚度大，且使用的切割刀片厚度也大，所以，切割刀片與半導體封裝體之間的摩擦也變大。
而本發明的切割用黏著片，作為基材使用具有含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層的多層結構的基材，可使該基材在熔融時的熔融黏度充分地降低。從而，即使上述層通過切割刀片的旋轉而被卷起，也不會因熔融張力而引起拉伸成絲狀的狀態，可以如液體般飛散，顯著地抑制纖維狀切屑的產生。
另外，為了解決上述課題，本發明的切割用黏著片是在基材的至少一面上具有黏著劑層的切割用黏著片，其特徵在於，所述基材是具有含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層的多層結構，而且所述基材在其與上述黏著劑層相接觸的一側設有具有交聯結構的層。
即使上述基材具備含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層的情況下，通過切割刀片的旋轉而被卷起時，該層在熔融時的熔融黏度沒有充分下降，由於熔融張力而拉伸成絲狀進而產生所謂的鬚狀物。這是由於切割刀刃切斷完被切割物時，因不再存在被切割物而使切割刀片的溫度下降所引起的。這樣的鬚狀物並不與被切割物直接相連，但在切割中被切碎時，有時會被切削水沖洗等而被附著到被切割物上。但是，如上述構成那樣使被切割刀刃完全切斷的部分位於具有交聯結構的層，就可以抑制上述那樣的鬚狀物的產生。另外，即使切割刀刃切入的深度大的時候，由於在具有交聯結構的層的下方設有含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層，因此，還可以抑制纖維狀切屑的產生。
在上述各構成中，上述乙烯系樹脂在190℃的熔體流動速率優選為大於等於1.5g/10min。
若上述乙烯系樹脂在190℃的熔體流動速率為大於等於1.5g/10min，就可以增大熔融時的流動性。其結果可以進一步降低熔融張力，從而進一步抑制構成上述層的樹脂拉伸成絲狀。
在上述的各構成中，上述基材的總厚度優選為大於等於100μm。
上述構成是為了使黏著片具有足夠的厚度而使基材的層厚為大於等於100μm。由此，在切割半導體封裝體時，可以將切割刀片充分地切入到黏著片中。其結果能夠提供可提高對半導體封裝體的切斷品位的黏著片。
在上述各構成中，上述黏著劑層優選包含輻射固化型(radiation curing)黏著劑而構成。
若使用由輻射固化型黏著劑形成的黏著劑層，則可通過照射輻射而使黏著力降低，且可以在切斷分離半導體封裝體等之後，容易地進行半導體封裝體等的剝離。
另外，為了解決上述課題，本發明的切割方法是通過將貼合了切割用黏著片的被切割物切入到該切割用黏著片的基材而進行切割的方法，其特徵在於，所使用的上述切割用黏著片在其基材的至少一面上具有黏著劑層，上述基材具有含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層的多層結構，上述層的厚度為大於等於1/2的基材總厚度。
根據上述方法，即使基材中的黏著劑層一側的層由於切割時切割刀片的摩擦熱而熔融，構成該層的樹脂通過切割刀片的旋轉而被捲起，由於構成該層的樹脂的熔點為小於等於95℃、且熔融黏度充分小，所以減少了由熔融張力導致的樹脂被拉伸成絲狀的現象。即，如液體般地飛散，從而可以顯著地抑制纖維狀切屑的產生。其結果抑制了例如以纖維狀切屑附著在被切割物上的狀態被封裝而導致的被切割物品質的顯著下降，從而可以提高成品率。
另外，為了解決上述課題，本發明的切割方法是通過將貼著了切割用黏著片的被切割物切入到該切割用黏著片的基材而進行切割的方法，其特徵在於，所使用的上述切割用黏著片在其基材的至少一面上具有黏著劑層，所述基材是具有含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層的多層結構，並且所述基材在其與上述黏著劑層相接觸的一側設有具有交聯結構的層。
根據上述方法，由於使用在基材與黏著劑層相接觸的一側設有具有交聯結構的層的黏著片作為切割用黏合片，因此，即使當切割刀刃切斷完被切割物時，由於不再存在被切割物而使切割刀刃的溫度下降的情況下，也可以抑制所謂的鬚狀物的產生。此外，即使在切割刀刃的切入深度大的情況下，由於在具有交聯結構的層的下方設有含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層，所以，還可以抑制纖維狀切屑的產生。其結果可以抑制由於切割中被切碎的鬚狀物和纖維狀切屑附著到被切割物的狀態下直接被封裝所導致的被切割物品質的顯著下降，實現成品率的提高。
在上述各方法中，還可包括在進行上述切割後，從切割用黏著片拾取切割後的被切割物小片的製程。
由此，可以以同一個黏著片進行從切割製程到拾取製程，從而實現生產效率的提高。
另外，在上述各方法中，上述切割中使用的切割刀片優選使用以金屬作為結合材料的金剛石刀片。
根據上述的方法，作為結合材料使用金屬，就可以增大在切割時的切割發熱。由此，構成熔點為小於等於95℃的層的樹脂的熔融黏度下降，可以進一步抑制纖維狀切屑的生成。
另外，當上述被切割物為半導體封裝體時，本發明的切割方法最為有效。
根據上述方法，由於減少了纖維狀切屑的產生，所以不會惡化半導體裝置的品質，因此可實現成品率的提高。
另外，為了解決上述課題，本發明的被切割物小片是通過在上述記載的切割方法中，切割上述被切割物而獲得的。
利用上述記載的切割方法製造的被切割物小片，不會附著纖維狀切屑，且具有優異的品質。
本發明利用上述說明的方法，取得以下所述的效果。
即，根據本發明，通過在黏著劑層一側設置含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層，可以減少切割時發生的基材纖維狀切屑的產生，可以提高成品率。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
 切割用黏著片
以下參照附圖對本發明實施例的切割用黏著片進行說明。其中，說明中省略了不需要的部分，另外，為了容易地說明，有些部分放大或縮小等而圖示。圖1之(a)是示意地表示本實施例的切割用黏著片(以下稱為黏著片)的截面模式圖。
如圖1之(a)所示，黏著片10的結構是在基材薄膜11的一面上依次層壓黏著劑層12和隔離層13所構成。
上述基材膜(基材)11作為黏著劑層12等的支撐母體，且基材薄膜(基材)11是至少由內層11a和外層11b構成的多層膜。內層11a與黏著劑層12相面對地設置。
上述內層11a是包含熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層。其中，該乙烯系樹脂的熔點優選為大於等於40℃，更優選為大於等於70℃。這是由於如果熔點過低，會存在內層11a的製膜或在室溫下的保管變得困難的情況。作為乙烯系樹脂沒有特別的限定，例如可以列舉，乙烯－醋酸乙烯酯共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸酯共聚物、離聚物樹脂、聚氨酯樹脂、聚丁二烯樹脂、乙烯與α－烯烴的共聚物等。另外，所謂的乙烯－(甲基)丙烯酸共聚物是指乙烯－丙烯酸共聚物和/或乙烯－甲基丙烯酸共聚物，本發明中所述的“(甲基)”都是同樣的意思。
包含在內層11a中的其他構成材料沒有特別的限定，例如可以列舉，低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、SEBS、SEPS等。
上述外層11b沒有特別的限定，例如可以舉例，低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚氯乙烯、乙烯－醋酸乙烯酯共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯－α烯烴共聚物等。
上述乙烯系樹脂的含有率優選為大於等於40wt%、更優選為大於等於50wt%、特別優選為大於等於60wt%。通過將乙烯系樹脂的含有率控制在上述範圍內，可充分降低內層11a在熔融時的熔融黏度。其結果為即使內層11a通過切割刀片的旋轉而被卷起，也可防止由於熔融張力而被拉伸成絲狀的現象。
上述乙烯系樹脂優選在190℃的熔體流動速率為大於等於1.5g/10min，更優選為大於等於2g/10min。通過使熔體流動速率為大於等於1.5g/10min，可以提高內層11a在熔融時的流動性。其中，若考慮膜的製膜性，熔體流動速率的上限值最好在小於等於12g/10min。
上述基材薄膜11的厚度通常優選在100~500μm的範圍內。但是，為了使切割時切割刀片充分地切入到黏著片10中，需賦予黏著片10充分的厚度。因此，上述基材薄膜11的厚度更優選為大於等於120μm。這是為了防止在被切割物中出現切割不充分的部分，將切斷品質維持在高水準。
在這裏，內層11a的厚度優選為大於等於1/2的基材薄膜11的總厚度。考慮到基材薄膜11的厚度，內層11a的厚度更詳細地是在大於等於50μm、且小於250μm的範圍內。另外，基材薄膜11中的內層11a，必須設置在進行半導體封裝體的切割時切割刀片到達的位置。因此，從這樣的觀點出發，內層11a優選與黏著劑層12相接觸並且其厚度為大於等於80μm。
基材薄膜11可以使用無拉伸的膜，也可以根據需要使用施加了單軸或雙軸拉伸處理的膜。另外，在其表面，可以根據需要實施消光處理、電暈放電處理、底漆處理、交聯處理(化學交聯(矽烷鍵))等常用的物理或化學處理。
作為構成黏著劑層12的黏著劑，可以使用通常被使用的壓敏性黏著劑(pressure－sensitive adhesive)。具體而言，例如可以列舉，丙烯酸類黏著劑、橡膠類黏著劑、矽類黏著劑、聚乙烯醚等的各種黏著劑。其中，從對作為被切割物的半導體晶片或半導體封裝體的黏著性、剝離後用超純水或醇等有機溶劑清洗半導體晶片等時的洗淨性等出發，優選以(甲基)丙烯酸類聚合物作為基礎聚合物(base polymer)的(甲基)丙烯酸類黏著劑。
作為上述(甲基)丙烯酸類聚合物，例如可以列舉，使用下述化合物中的1種或2種或2種以上作為單體製得的(甲基)丙烯酸類聚合物等：(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2－乙基己酯、異辛酯、異壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等的碳原子數1~30的烷基，特別是碳原子數4~18的直鏈狀或支鏈狀的烷基酯等)、(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊酯、環己酯等)、(甲基)丙烯酸羥烷基酯(例如羥乙基酯、羥丁基酯、羥己基酯等)、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸酐、(甲基)丙烯酸醯胺、(甲基)丙烯酸N－羥甲基醯胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、叔丁基氨基乙基甲基丙烯酸酯等)、醋酸乙烯酯、苯乙烯。
上述(甲基)丙烯酸類聚合物以凝聚力、黏著性等的改性為目的，還可以根據需要含有對應於可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚合的其他單體成分的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基(甲基)丙烯酸酯、羧戊基(甲基)丙烯酸酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等的含羧基的單體；馬來酸酐、衣康酸酐等的酸酐單體；(甲基)丙烯酸－2－羥乙基酯、(甲基)丙烯酸－2－羥丙基酯、(甲基)丙烯酸－4－羥丁基酯、(甲基)丙烯酸－6－羥己基酯、(甲基)丙烯酸－8－羥辛基酯、(甲基)丙烯酸－10－羥癸基酯、(甲基)丙烯酸－12－羥十二烷基酯、(4－羥甲基環己基)甲基(甲基)丙烯酸酯等含有羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2－(甲基)丙烯醯胺－2－甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯醯基萘磺酸等含磺酸基的單體；2－羥乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基的單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。這些可共聚的單體成分，可以使用1種、2種或2種以上。這些可共聚的單體的用量優選是小於等於全部單體成分的30重量百分比(wt%)，更優選為小於等於15 wt%。
另外，為了使上述(甲基)丙烯酸類聚合物交聯，還可以根據需要包含有多官能性單體等作為共聚用單體成分。通過使基礎聚合物交聯，可提高黏著劑層的自我保持性，從而可防止黏著片發生大的變形，以易於維持黏著片10的平板狀態。
作為多官能性單體，例如可列舉，己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能性單體也可以使用1種、2種或2種以上。從黏著特性等出發，多官能性單體的用量優選是小於等於全部單體成分的30 wt%。
上述(甲基)丙烯酸類聚合物可以通過對單一單體或對2種或2種以上單體的混合物進行聚合而製得。聚合可以採用溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合、光聚合等任意方式進行。特別是，在照射紫外線、電子射線等輻射以進行聚合時，優選在氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯類低聚物中混合單體成分和光聚合起始劑，通過鑄塑由此得到的液狀組合物並使之光聚合，而合成(甲基)丙烯酸類聚合物。
上述氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯類低聚物是数均分子量(Mn)為500~10万左右、优选為1,000~3万的低聚物，并且是以酯．二醇為主要骨架的2官能化合物。另外，作為單體成分，可以列舉，嗎啉(甲基)丙烯酸酯、異冰片基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烷基(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、甲氧基化環癸三烯(甲基)丙烯酸酯等。氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯類低聚物與單體成分的混合比，優選是低聚物：單體成分＝95~5：5~95(wt%)，更優選為50~70：50~30(wt%)。若氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯類低聚物的含量過多，液狀組合物的黏度就變高，而存在聚合變得困難的傾向。
從防止被切割物等的污染等出發，黏著劑層12優選低分子量物質的含量小。由此出發，(甲基)丙烯酸類聚合物的數均分子量優選是20萬~300萬左右，更優選是25萬~150萬左右。
另外，為了提高作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸類聚合物等的數均分子量，可以在上述黏著劑中適當地採用外部交聯劑。作為外部交聯方法的具體手段，可以列舉，添加聚異氰酸酯化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、環氧樹脂、聚胺、含有羧基的聚合物等的所謂交聯劑而進行反應的方法。使用外部交聯劑時，其用量按照與需要交聯的基礎聚合物之間的平衡，進一步按照作為黏著劑的使用用途來適當決定。通常，相對於100重量份上述基礎聚合物，優選混合1~5重量份左右的外部交聯劑。除上述成分以外，在黏著劑中還可以根據需要使用現有公知的各種增黏劑(tackifier)、抗老化劑(antioxidant)等的添加劑。
另外，作為上述黏著劑，可以使用輻射固化型黏著劑。輻射固化型黏著劑可不受特別限制地使用具有碳－碳雙鍵等輻射固化性的官能基並顯示黏著性的物質。作為輻射固化型黏著劑，希望是由紫外線照射而使黏著力下降的紫外線固化型黏著劑。根據這樣的黏著劑層12，在背面研磨(研磨)製程後或在切割製程後，可通過紫外線照射容易地進行黏著片10的剝離。
紫外線固化型黏著劑，例如可以由上述(甲基)丙烯酸酯的單獨聚合或與共聚性的共聚用單體的共聚物(丙烯酸類聚合物)、紫外線固化成分(也可以在上述丙烯酸聚合物的側鏈上加成碳－碳雙鍵製成的物質)、光聚合起始劑、以及根據需要添加的交聯劑、增黏劑、填充劑、抗老化劑、著色劑等常用的添加劑構成。
上述紫外線固化性成分，可以是在分子中具有碳－碳雙鍵並可通過自由基聚合固化的單體、低聚物或聚合物。具體而言，例如，可以列舉氨基甲酸乙酯低聚物、氨基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4－丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6－己二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等的(甲基)丙烯酸與多元醇的酯；酯丙烯酸酯低聚物；2－丙烯基二－3－丁烯基氰酸酯、2－羥乙基雙(2－丙烯醯氧基乙基)異氰酸酯、三(2－甲基丙烯醯氧基乙基)異氰酸酯等的異氰酸酯或異氰酸酯化合物等。另外，作為丙烯酸類聚合物使用在聚合物側鏈上具有碳－碳雙鍵的紫外線固化型聚合物時，不需要特別加入上述紫外線固化成分。相對於構成黏著劑的(甲基)丙烯酸類聚合物等的基礎聚合物100重量份，紫外線固化性單體成分和低聚物成分的混合量例如為20~200重量份，優選為50~150重量份左右。
另外，作為輻射固化性的黏著劑，除了上述說明的添加型的輻射固化型黏著劑以外，還可以列舉作為基礎聚合物使用聚合物側鏈上或主鏈中或主鏈末端具有碳－碳雙鍵的基礎聚合物的內在型輻射固化型黏著劑。內在型輻射固化型黏著劑由於不需要含有低分子成分的低聚物成分等、或含有得不多，因此不存在低聚物成分等隨時間在黏著劑中移動的現象。由此，可以形成穩定的層結構的黏著劑層12。
上述具有碳－碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有碳－碳雙鍵以及具有黏著性的基礎聚合物。作為這樣的基礎聚合物，優選以(甲基)丙烯酸類聚合物作為基本骨架的基礎聚合物。作為(甲基)丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉上述例示的(甲基)丙烯酸類聚合物。
若在上述(甲基)丙烯酸類聚合物中的聚合物側鏈上導入碳－碳雙鍵，分子設計就變得較容易。碳－碳雙鍵的導入方法沒有特別限制，其可以採用各種方法。碳－碳雙鍵的導入方法例如可以列舉，預先使(甲基)丙烯酸類聚合物和具有官能基的單體共聚後，再與具有可與該官能基發生反應的官能基和碳－碳雙鍵的化合物以維持碳－碳雙鍵的輻射固化性的狀態進行縮合或加成反應。
作為這些官能基的組合例，可以列舉羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。在這些官能基的組合中，從反應追蹤的容易程度出發，優選羥基與異氰酸酯基的組合。另外，如果是通過這些官能基的組合生成上述具有碳－碳雙鍵的(甲基)丙烯酸類聚合物那樣的組合，官能基可以在(甲基)丙烯酸類聚合物和上述化合物中的任意一側，但在上述優選的組合中，優選(甲基)丙烯酸類聚合物具有羥基，上述化合物具有異氰酸酯基。此時，作為具有碳－碳雙鍵的異氰酸酯化合物，例如可以列舉，甲基丙烯醯基異氰酸酯、2－甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基－α,α－二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為(甲基)丙烯酸類聚合物，可以列舉將上述例示的含有羥基的單體或2－羥乙基乙烯醚、4－羥丁基乙烯醚或二乙二醇單***等的醚類化合物共聚製得的物質。
作為上述內在型的輻射固化型黏著劑，可以單獨使用上述具有碳－碳雙鍵的基礎聚合物(特別是(甲基)丙烯酸類聚合物)。此外，還可以以不使特性惡化的程度混合上述輻射固化性的單體成分或低聚物成分。相對於100重量份基礎聚合物，輻射固化性低聚物成分等的混合量通常為小於等於30重量份，優選為小於等於10重量份。
作為上述聚合起始劑，可以是通過照射可作為聚合反應的誘因的適當波長的紫外線而***生成自由基的物質。具體而言，例如可以列舉，安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚等的安息香烷基醚類；苯偶醯、安息香、二苯甲酮、α－羥基環己基苯基酮等的芳香族酮類；苄基二甲基縮酮等的芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯甲酮；氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮等的噻噸酮類等。相對於構成黏著劑的(甲基)丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，聚合起始劑的混合量是0.1~20重量份左右，優選是1~10重量份。
另一方面，作為上述加熱剝離型黏著劑，可以列舉在上述一般的壓敏性黏著劑中混合了熱膨脹性微粒的熱發泡型黏著劑。在達到物品的黏著目的之後，通過加熱含有熱膨脹性微粒的壓敏黏著劑而使黏著劑層12發泡或膨脹以使黏著劑層12表面變得凹凸，減少與被黏著體之間的黏著面積，從而降低黏著力，使得能夠容易地將物品分離，可以在電子物品或其材料等的加工時用於固定、搬運等的物流等多種多樣的目的中。
對熱膨脹性微粒沒有特別的限定，可以選擇使用各種無機類或有機類的熱膨脹性微球、並製成剝離開始溫度低的物質和剝離開始溫度高的物質這種具有不同剝離開始溫度的組合。這二種熱膨脹性微球的剝離開始溫度差根據熱膨脹性微球的感溫特性等的處理精度適當決定，但一般為20~70℃，優選為30~50℃的溫度差。
熱發泡型黏著劑是通過由熱引起的熱膨脹性微粒的發泡而使黏著面積減少從而使剝離變得容易的黏著劑，熱膨脹性微粒的平均粒徑優選是1~25μm左右、更優選是5~15μm、特別優選是10μm左右的微粒。
作為熱膨脹性微粒，可以沒有特別限制地使用在加熱下膨脹的原材料，但從混合操作容易等方面出發，可以優選使用將熱膨脹性物質微膠囊化而成的膨脹性微粒。例如，可以是將異丁烷、丙烷、戊烷等容易經加熱而氣化膨脹的物質內包在具有彈性的外殼內製成的微球。上述外殼通常由熱塑性物質、熱熔融性物質、通過熱膨脹而破裂的物質等形成。作為形成上述外殼的物質，例如可以列舉，偏氯乙烯－丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、聚碸等。熱膨脹性微膠囊還具有與上述黏著劑的分散混合性方面優異等的優點。作為熱膨脹性微膠囊的市售品，例如可以列舉(商品名；松本油脂公司生產)等。另外，還可以根據需要添加熱膨脹助劑。
熱膨脹性微粒(熱膨脹性微膠囊)對上述黏著劑的混合量，可以根據上述黏著劑層12的種類適當決定能夠降低其黏著力的量。通常，優選的混合量是可以使含有熱膨脹性微粒的黏著劑層12的厚度維持在大於等於剛加熱膨脹之後的厚度的60%、優選為大於等於70%、更優選為大於等於80%的量。另外，相對於100重量份基礎聚合物，該混合量為1~100重量份左右，優選5~40重量份，更優選10~20重量份。
從兼顧黏著固定性與剝離性的觀點出發，黏著劑層12的厚度優選為1~100μm，更優選為5~50μm左右。另外，黏著劑層12的黏著力只要在最終能夠容易地從支撐晶片剝離的範圍內，就沒有特別限定。例如，對半導體晶片的180度剝離黏著力的值優選在1~30N/10mm的範圍內，更優選在5~20N/10mm的範圍內。
為了用於標籤加工或使黏著劑層12的表面平滑的目的，根據需要設置隔離層13。作為隔離層13的構成材料，可以列舉紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等的合成樹脂膜等。為了提高從黏著劑層12的剝離性，隔離層13的表面還可以根據需要施加矽處理、長鏈烷烴處理、氟處理等的剝離處理。另外，根據需要，為了使黏著片10不會因環境紫外線而發生反應，還可以施加防紫外線處理。隔離層13的厚度通常為10~200μm，優選為25~100μm。
另外，在黏著劑層12由紫外線等的輻射固化型黏著劑構成時，為了在切割前或切割後對黏著劑層12照射輻射，基材薄膜11需要具備充分的輻射透過性。
與通常的基材等相比較，內層11a是軟質的層。因此，製造黏著片10之後，一旦將該黏著片10卷取成為滾筒狀時，有時會引起黏連(基材薄膜11的背面(外層11b)與黏著劑層12的熔接)。因此，出於防止黏連的目的，還可在外層11b的外側設置幾~幾十μm的抑制黏連發生的層。作為該抑制黏連發生的層沒有特別的限定，例如，可以例示施加了壓紋處理的層等。另外，出於與上述同樣的目的或提高膨脹性能的目的，還可以在基材薄膜11的設有黏著劑層12一側的相反側設置其他層。
接著，對本發明的其他實施例的黏著片進行說明。圖1之(b)是示意地表示上述黏著片的截面模式圖。圖1之(b)中的黏著片10’與黏著片10相比較，不同點在於使用具有交聯結構的層(以下稱其為交聯層)11c的基材薄膜11’來代替基材薄膜11。
作為上述交聯層11c，例如，可以例示具有交聯結構的聚烯烴類膜。聚烯烴類膜的構成材料沒有特別限定，例如，可以列舉聚乙烯、聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯－醋酸乙烯酯共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯－乙烯醇共聚物、聚丁烯、乙烯－離聚物共聚物等。這些構成材料可以單獨使用1種、也可以並用2種或2種以上。另外，交聯層11c並不限定于單層，也可以由多層構成。
交聯層11c的厚度是考慮到切割時的切入深度而設定的，優選是大於等於20μm、小於等於150μm。進一步若考慮在厚度方向上的交聯密度的變化，更優選大於等於20μm、小於等於100μm，特別優選大於等於20μm、且小於40μm。
作為交聯層11c的形成方法，可以列舉對由上述構成材料形成的聚烯烴類膜預先照射電子射線或γ射線使之交聯，將該膜以幹式層壓等貼合到內層11a上的方法，或將聚烯烴類膜與其他膜通過共擠出法製膜，再照射電子射線等使該聚烯烴類膜交聯而製成交聯層11c的方法。通過這些方法形成的交聯層11c具有交聯密度隨著從照射面向厚度方向遠離而逐漸下降的交聯結構。
交聯層11c的交聯密度可以通過適當改變電子射線或γ射線照射量來控制。電子射線或γ射線照射量通常在10~250Mrad的範圍內，優選是20~200Mrad，特別優選是30~150Mrad。另外，交聯層11c由聚乙烯形成的情況下，電子射線或γ射線照射量優選為30~150Mrad左右。此外，交聯層11c由乙烯共聚物形成的情況下，電子射線或γ射線照射量優選為20~100Mrad左右。
另外，這裏所謂的電子射線指的是自由電子束即陰極射線。電子射線的照射具體通過使用電子射線加速器(包括高能、低能、以及掃描等的任意類型)，以預定的條件使所發生的電子射線通過聚烯烴類膜而進行。
另外，所謂γ射線如通常所定義的那樣，指的是放射性元素蛻變時放出的電磁波的一種。γ射線的照射具體是在具有Co6 0 射線源的照射室中設置聚烯烴類膜並照射預定量的γ射線而進行。此時，聚烯烴類膜阿可以直接以滾筒狀的狀態進行處理，因此，操作性良好。
以這樣的照射量對聚烯烴類膜照射電子射線或γ射線，就可以減少切割時的纖維狀切屑的發生。另外，可以不損害基材薄膜11’的彈性、強度等的機械特性，無障礙地進行黏著片10’的膨脹。另一方面，若電子射線或γ射線照射量不足1Mrad，電子射線或γ射線照射所產生的效果就不充分，有時在切割時會產生與未照射的情況同樣大量的纖維狀切屑。另外，若電子射線或γ射線照射量超過80Mrad，基材薄膜11’的彈性、強度等的機械特性受到損害，在膨脹時基材薄膜11’有破裂，另外，有時會使照射後的基材薄膜11’劣化。
黏著片的製造方法
下面，對本實施例的黏著片的製造方法進行說明。在以下的說明中，以使用黏著片10的情況作為例子。
基材薄膜11可以通過以往公知的製膜方法製膜。作為該製膜方法，例如，可以列舉壓延製膜法、在有機溶劑中的鑄造法、在封閉體系中的膨脹擠出法、T型模頭擠出法、共擠出法、幹式層壓法等。
接下來，在基材薄膜11的內層11a上塗布含有黏著劑的組合物，使之乾燥(根據需要使之加熱交聯)形成黏著劑層12。在內層11a上還有其他層時，在該其他層上形成黏著劑層12。作為塗布方式，可以列舉輥式塗布、絲網塗布、凹版印刷塗布等。另外，還可以直接在基材上進行塗布，也可以塗布到表面進行了剝離處理的剝離紙等上之後轉印到基材上。接著，在黏著劑層12的表面貼合隔離層13，從而可以得到本實施例的黏著片10。
切割方法
其次，以被切割物為半導體封裝體的情況為例，對本發明的切割方法進行說明。
本實施例的切割方法如圖2之(a)~(e)所示，至少包括以下製程：在引線框14上貼合黏著片10的製程、半導體晶片15的搭載製程、用接合引線16進行引線接合的製程、用封裝樹脂17進行封裝的製程、對作為被封裝的結構物的半導體封裝體21進行切割的製程。
在引線框14上貼附黏著片10的製程通過首先從黏著片10剝離隔離層13，將引線框14與黏著片10的位置進行對合來進行。貼合可以通過以往公知的方法進行。
半導體晶片15的搭載如圖2之(a)和圖2之(b)所示，在外部片墊側(圖的下側)貼合有黏著片10的金屬製引線框14的晶片墊(die pad)14c上黏貼半導體晶片15。
所謂引線框14是以例如銅等金屬為原材料刻有QFN的端子圖案的框，在其電連接點部分有時以銀、鎳、鈀、金等原材料覆蓋(鍍)。引線框14的厚度一般是100~300μm。另外，局部被蝕刻等加工而變薄的部分不在該範圍內。
為了在後面的切斷製程中容易切斷分開，引線框14優選為各個QFN整齊地配置的配置圖案。例如，在引線框14上配列為縱橫矩陣狀的配置圖案等被稱為QFN矩陣或MAP－QFN等，是最為優選的引線框形狀中的一種形態。特別是近年來從生產性的觀點出發，為了增加在1個引線框中配列的封裝體數目，不僅這些各個封裝體被細密化，而且在1個封裝部分可以封裝多個封裝體，也大大擴大了這些配列數目。
如圖2之(a)所示，在引線框14的封裝體圖案區域中，整齊地配列有在相鄰的多個開口14a上配列有多個端子部分14b的QFN的基板圖樣。一般的QFN的情況下，各個基板圖樣由配列在開口14a的周圍的在其下側具有外部導線面的端子部分14b、配置在開口14a的中央的晶片墊14c、在開口14a的四角支撐晶片墊14c的晶片擋棒(die bar)(未繪示)構成。
黏著片10黏貼在至少比封裝體圖案區域更外側，優選黏貼在包含被樹脂封裝的樹脂封裝區域外側的全部周圍的區域。引線框14通常優選在端邊附近具有用於決定樹脂封裝位置的導銷孔，並且黏貼在不將該導銷孔塞住的區域。另外，由於樹脂封裝區域在引線框14的長度方向被多個配置，優選跨過這些多個區域連續地黏貼黏著片10。
在上述那樣的引線框14上，搭載著半導體晶片15，即作為半導體積體電路部分的矽片/晶片。在引線框14上設有用於固定該半導體晶片15的被稱為晶片墊14c的固定區域。對晶片墊14c的黏著(固定)使用導電性糊劑19進行。但是，本發明並不限定於該方法，還可以採用使用膠黏帶或膠黏劑等的各種方法。使用導電性糊劑19或熱固性膠黏劑等進行晶片接合時，一般以150~200℃左右的溫度加熱固化30~90分鐘左右。
上述的引線接合製程如圖2之(c)所示，是將引線框14的端子部分14b(內部導線)的尖端與半導體晶片15上的電極襯墊15a，以接合引線16進行電連接的製程。作為接合引線16，例如，可以使用金線或鋁線等。本製程一般在加熱到120~250℃的狀態下，通過聯合使用超聲波產生的振動能與外加壓力產生的壓迫能而進行連線。此時，通過真空吸引黏貼在引線框14上的黏著片10的面，可以切實地固定在加熱塊上。
上述封裝製程如圖2之(d)所示，是利用封裝樹脂17對半導體晶片側進行單面封裝的製程。本製程是為了保護搭載在引線框14上的半導體晶片15和接合引線16而進行的，特別有代表性的是使用以環氧類樹脂為主的封裝樹脂17在金屬模中成型。此時，通常使用由具有多個凹模的上金屬模與下金屬模組成的金屬模，以多個封裝樹脂17同時進行封裝製程。具體而言，例如樹脂封裝時的加熱溫度是170~180℃，以該溫度固化幾分鐘之後，再進行幾小時的模塑後固化。另外，黏著片10優選在模塑後固化之前剝離。
上述切割製程是對半導體封裝體21進行全切割而分割成單個半導體裝置的製程。該切割使用例如切割刀片等，切割到從封裝樹脂的切斷部分直至達到基材薄膜11中的內層11a的程度。此時，切割刀片由於與半導體封裝體的摩擦而產生摩擦熱。由此，切割刀片發熱到高於內層11a的熔點。其結果是內層11a熔融，該熔點與通常的基材材料相比是較低的。因此，被切割刀片卷起的構成內層11a的樹脂，不會被切削冷卻水冷卻成纖維狀切屑，而是如液體般地飛散。其結果不需要以往進行的用於檢查除去纖維狀切屑的製程、或可實現製程作業的減輕。
作為切割的條件，可以根據被切割物適當設定。其中，切割刀片必須從黏著劑層12表面切入到大於等於深度70μm的位置為止。這是由於在基材薄膜11中的內層11a被設置在該位置的緣故。另外，切削冷卻水的溫度通常在10~30℃的範圍內。
在這裏，如圖3之(a)和(b)所示，作為上述切割刀片優選使用具有使用鎳合金等金屬的結合材料33和以砂紙狀分散在該結合材料33中而被各個保持著的多個金剛石粒子32(2~6μm)的金剛石刀片31。當使用金剛石刀片31進行切割時，由於結合材料33由金屬組成，特別是由切斷產生的摩擦熱變大。其結果可以進一步降低內層11a的熔融黏度，對纖維狀切屑生成的抑制是有效的。
另外，在本發明中，還可以包括在進行切割後從切割用黏著片10拾取作為被切割物小片的半導體元件的製程。拾取的方法沒有特別限定，可以採用以往公知的各種方法。例如，可以列舉利用針使各個半導體元件從黏著片10側(下方一側)突起，由拾取裝置拾取突起的半導體元件的方法等。
另外，在本實施例中，作為被切割物以半導體封裝體21為例進行說明，但本發明並不限定於此。作為該被切割物，除半導體封裝體21以外，可以例示矽片、化合物半導體晶片、玻璃等。另外，使用這些被切割物時，其與黏著片10的貼合可以利用以往公知的方法進行。
以下，例舉出本發明優選的實施例進行詳細說明。其中，在該實施例中記載的材料、混合量等，只要沒有特別限定的記載，本發明的範圍就不限定於此，所記載的僅僅是說明例。
實施例1
首先，利用常規方法使95重量份的丙烯酸丁酯與5重量份的丙烯酸在醋酸乙酯中共聚。在含有所得到的丙烯酸類共聚物(数均分子量80万)溶液中，加入70重量份的二季戊四醇六丙烯酸酯(商品名“DPHA”、日本化药株式会社生產)、3重量份自由基聚合起始劑(商品名“ 651”、．．生產)、5重量份聚異氰酸酯化合物(商品名“L”、日本生產)，配製丙烯酸類紫外线固化型黏着劑溶液。將該溶液塗布到聚酯隔離片(隔離層)的矽酮處理面上，在800℃下加熱10分鐘加熱交聯該溶液。由此形成厚度20μm的紫外線固化型黏著劑層(黏著劑層)。
接著，製作基材薄膜(基材)。即，將乙烯－醋酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂(熔點84℃、熔體流動速率2.5g/10min)和低密度聚乙烯(LDPE)樹脂(熔點110℃、熔體流動速率2.3g/10min)，利用T型模頭共擠出法製膜，並使EVA層(內層)/LDPE層(外層)＝120μm/30μm。進一步在EVA層一側施加電暈處理。另外，熔體流動速率按照JIS K7210測定。另外，測定條件是試驗溫度190℃、荷重21.18N。
接著，使設置在聚酯隔離層上的黏著劑層和基材薄膜的電暈處理面相面對地貼合兩者。由此，製作本實施例1的紫外線固化型半導體封裝體切割用黏著片。
實施例2
首先，與實施例1同樣地操作，在聚酯隔離片上形成紫外線固化型黏著劑層。接著，將乙烯－丙烯酸乙酯共聚物(EEA)樹脂(熔點92℃、熔體流動速率5g/10min)和低密度聚乙烯(LDPE)樹脂(熔點110℃、熔體流動速率3.5g/10min)’利用T型模頭共擠出法製膜，並使EEA層(內層)/LDPE層(外層)＝150μm/50μm。進一步在EEA層一側施加電暈處理，製作基材薄膜。接著，使設置在聚酯隔離層上的黏著劑層和基材薄膜的電暈處理面相面對地貼合兩者。由此製作本實施例2的紫外線固化型半導體封裝體切割用黏著片。
實施例3
與實施例1同樣地操作，在聚酯隔離片上形成紫外線固化型黏著劑層。接著，將低密度聚乙烯(LDPE)樹脂(熔點110℃、熔體流動速率2g/10min)和乙烯－醋酸乙烯酯共聚物(EVA)樹脂(熔點84℃、熔體流動速率2.5g/10min)，利用T型模頭共擠出法製膜，並使LDPE層/EVA層(內層)/LDPE層(外層)＝70μm/100μm/30μm。進一步對厚度70μm的LDPE層照射電子射線使之交聯，製作基材薄膜(※照射條件為照射量100Mrad)。接著，使設置在聚酯隔離層上的黏著劑層和厚度70μm的LDPE層相面對地貼合兩者。由此製作本實施例3的紫外線固化型半導體封裝體切割用黏著片。
對照例1
作為基材薄膜，使用低密度聚乙烯(LDPE)樹脂(熔點110℃、熔體流動速率2g/10min)利用T型模頭擠出法製膜形成厚度為150μm的基材薄膜，並且在其一面上施加電暈處理，除此之外與上述實施例1同樣地操作，得到紫外線固化型半導體封裝體切割用黏著片。
對照例2
作為基材薄膜，將EVA樹脂(熔點103℃、熔體流動速率2g/10min)利用T型模頭擠出法一邊施加消光處理一邊製膜形成厚度為200μm的膜，並且在經消光處理的相反面上施加電暈處理，除此之外與上述實施例1同樣地操作，得到紫外線固化型半導體封裝體切割用黏著片。
對照例3
作為基材薄膜，將低密度聚乙烯(LDPE)樹脂(熔點110℃、熔體流動速率2g/10min)利用T型模頭擠出法製膜形成厚度為200μm的膜，對其一面照射電子射線(※照射條件為照射量100Mrad)。除使用這樣製得的基材薄膜之外，與上述實施例1同樣地操作，得到紫外線固化型半導體封裝體切割用黏著片。
評價試驗
由下述方法評價各實施例與對照例中製作的各切割用黏著片。即，在切割用黏著片上安裝厚度為1.0mm的10cm×10cm環氧基板，以下述條件進行切割。
切割條件：切割機：DISCO公司生產的DFD－651切割刀片：DISCO公司生產的BIA801DC320N50M51切割刀片轉數：45000rpm切割速度：50mm/sec切割深度：從黏著片表面起100μm切割尺寸：5×5mm切割模式：向下切割
以光學顯微鏡(100倍)觀察經切割試驗切斷後的切斷線，分別計數環氧基板上和黏著片上沒有環氧基板的部分上的纖維狀切屑的個數。結果示於下述表1。從表1可知，各實施例1~3的黏著片中的纖維狀切屑的產生較少，將10cm×10cm尺寸的基板切割成5×5mm時產生的纖維狀切屑為小於等於30個可以實用的水準。另一方面，對照例1與2的黏著片中纖維狀切屑的產生極其多，達不到可以實用的水準。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、10’．．．黏著片
11、11’．．．基材薄膜(基材)
11a．．．內層
11b．．．外層
11c．．．交聯層
12．．．黏著劑層
13．．．隔離層
14．．．引線框
14a．．．開口
14b．．．端子部分
14c．．．晶片墊
15．．．半導體晶片
15a．．．電極襯墊
16．．．接合引線
17．．．封裝樹脂
19．．．導電性糊劑
21．．．半導體封裝體
31．．．金剛石刀片
32．．．金剛石粒子
33．．．結合材料
圖1是示意地表示本發明的切割用黏著片的截面模式圖，子圖(a)表示基材薄膜由內層和外層組成的情況，子圖(b)表示基材薄膜具有防止移動層的情況。
圖2是示意地表示本發明的一個實施例的切割用黏著片的截面模式圖。
圖3是用於說明本發明的一個實施例的切割刀片的模式圖，子圖(a)表示切割刀片，子圖(b)表示切割刀片的主要部分。
10．．．黏著片
11．．．基材薄膜(基材)
11a．．．內層
11b．．．外層
12．．．黏著劑層
13．．．隔離層

Claims (17)

  1. 一種切割用黏著片，其特徵在於，在一基材的至少一面上具有一黏著劑層，該基材是一多層結構，該多層結構具有含有熔點為小於等於95℃的一乙烯系樹脂的層，所述層的厚度為大於等於1/2的基材總厚度，該乙烯系樹脂在190℃的熔體流動速率為大於等於1.5g/10min，且所述含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層與該黏著劑層相面對。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之切割用黏著片，其特徵在於，該基材的總厚度為大於等於100μm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之切割用黏著片，其特徵在於，該黏著劑層是由包含輻射固化型黏著劑而構成。
  4. 一種切割用黏著片，其特徵在於，在一基材的至少一面上具有一黏著劑層，該基材是一多層結構，該多層結構具有含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層，且該基材在其與該黏著劑層相接觸的一側設有具交聯結構的層。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之切割用黏著片，其特徵在於，該乙烯系樹脂在190℃的熔體流動速率為大於等於1.5g/10min。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之切割用黏著片，其特徵在於，該基材的總厚度為大於等於100μm。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之切割用黏著片，其特徵在於，該黏著劑層是由包含輻射固化型黏著劑而構成。
  8. 一種切割方法，其特徵在於，通過將貼著有切割用黏著片的被切割物切入到該切割用黏著片的基材而進行切割，該切割用黏著片在其基材的至少一面上具有黏著劑層，該基材是多層結構，該多層結構具有含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層，且所述層的厚度為大於等於1/2的基材總厚度。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之切割方法，其特徵在於，包含如下製程：在進行所述切割之後，從切割用黏著片拾取切割後的被切割物小片。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之切割方法，其特徵在於，作為在所述切割中所使用的切割刀片，使用以金屬作為結合材料的金剛石刀片。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之切割方法，其特徵在於，該被切割物是半導體封裝體。
  12. 一種被切割物小片，其是在如申請專利範圍第8項所述之切割方法中，通過切割所述被切割物而獲得的。
  13. 一種切割方法，通過將貼著有切割用黏著片的被切割物切入到該切割用黏著片的基材而進行切割，其特徵在於，該切割用黏著片在其基材的至少一面上具有黏著劑層，該基材是多層結構，該多層結構具有含有熔點為小於等於95℃的乙烯系樹脂的層，並且，該基材在其與該黏著劑層相接觸的一側設有具有交聯結構的層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之切割方法，其特徵在於，包含如下製程：在進行所述切割之後，從切割用黏 著片拾取切割後的被切割物小片。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之切割方法，其特徵在於，作為在所述切割中所使用的切割刀片，使用以金屬作為結合材料的金剛石刀片。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之切割方法，其特徵在於，該被切割物是半導體封裝體。
  17. 一種被切割物小片，其是在如申請專利範圍第13項所述之切割方法中，通過切割該被切割物而獲得的。
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