CN109440074A - 一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法 - Google Patents

一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109440074A
CN109440074A CN201811485665.0A CN201811485665A CN109440074A CN 109440074 A CN109440074 A CN 109440074A CN 201811485665 A CN201811485665 A CN 201811485665A CN 109440074 A CN109440074 A CN 109440074A
Authority
CN
China
Prior art keywords
hydrogen
film
quick
bridge
hydrogen storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811485665.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109440074B (zh
Inventor
蒋洪川
艾梦婷
王亮
王窈
邓新武
赵晓辉
张万里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN201811485665.0A priority Critical patent/CN109440074B/zh
Publication of CN109440074A publication Critical patent/CN109440074A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109440074B publication Critical patent/CN109440074B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/0005—Reversible uptake of hydrogen by an appropriate medium, i.e. based on physical or chemical sorption phenomena or on reversible chemical reactions, e.g. for hydrogen storage purposes ; Reversible gettering of hydrogen; Reversible uptake of hydrogen by electrodes
    • C01B3/001—Reversible uptake of hydrogen by an appropriate medium, i.e. based on physical or chemical sorption phenomena or on reversible chemical reactions, e.g. for hydrogen storage purposes ; Reversible gettering of hydrogen; Reversible uptake of hydrogen by electrodes characterised by the uptaking medium; Treatment thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen
    • C01B3/0005—Reversible uptake of hydrogen by an appropriate medium, i.e. based on physical or chemical sorption phenomena or on reversible chemical reactions, e.g. for hydrogen storage purposes ; Reversible gettering of hydrogen; Reversible uptake of hydrogen by electrodes
    • C01B3/001—Reversible uptake of hydrogen by an appropriate medium, i.e. based on physical or chemical sorption phenomena or on reversible chemical reactions, e.g. for hydrogen storage purposes ; Reversible gettering of hydrogen; Reversible uptake of hydrogen by electrodes characterised by the uptaking medium; Treatment thereof
    • C01B3/0084—Solid storage mediums characterised by their shape, e.g. pellets, sintered shaped bodies, sheets, porous compacts, spongy metals, hollow particles, solids with cavities, layered solids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C06—EXPLOSIVES; MATCHES
    • C06C—DETONATING OR PRIMING DEVICES; FUSES; CHEMICAL LIGHTERS; PYROPHORIC COMPOSITIONS
    • C06C7/00—Non-electric detonators; Blasting caps; Primers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30—Hydrogen technology
    • Y02E60/32—Hydrogen storage

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)

Abstract

本发明提供了一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法，属于火工品技术领域。所述氢爆膜桥自下而上依次为基片、桥区薄膜层和保护层，所述桥区薄膜层为储氢薄膜。本发明选择储氢薄膜作为冲击片***的膜桥材料，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量作用下发生等离子***，同时由于膜桥中含有大量氢，储氢薄膜自身也会发生氢爆；因此，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量的作用下会同时发生等离子***和氢爆，极大地提高了该过程的单位能量输出和能量转换效率，提升了***箔的可靠性和稳定性，并有效降低了起爆能量和起爆电压。

Description

一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法
技术领域
本发明属于火工品技术领域，涉及一种冲击片***用***箔，具体涉及一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法。
背景技术
冲击片***作为各类点火起爆装置中的关键换能元件，被广泛应用于航空、航天、导弹发射、矿山***等军用和民用领域。传统的冲击片***主要包括***箔、飞片、加速膛以及***柱等，如图1所示。其中，***箔在***过程中起着将激励能量(电能、脉冲激光、冲击波等)转换为飞片动能的作用，是冲击片***的关键元件，其工作原理是***箔材料在激励能量作用下发生相变，由固态转变为等离子态，相变生成的等离子体剪切并加速飞片材料，使得飞片以极高的速度撞击火药，实现冲击片***的点火起爆功能。
目前，***箔通常采用金属Cu作为桥区薄膜材料，该材料易在高电场作用下发生电爆产生等离子体，但单一的铜***桥存在能量转换率较低、能量输出不高等问题。为此，国内外研究人员尝试在Cu***箔上集成含能反应多层薄膜，如Al/Ni、Al/CuO、B/Ti等，利用含能薄膜反应过程中释放的化学能量，实现电能和化学能相结合提高***桥的能量密度，增强***箔的能量输出。但是，该方法往往存在起爆能量较高、含能薄膜的反应速率与***箔的离子化过程不匹配等问题，导致***桥的能量转换效率提高能力有限。因此，设计制备新型的膜桥材料和结构，提高冲击片***的能量转换效率，是冲击片***永恒不变的主题。
发明内容
本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种高能量输出的氢爆膜桥(***箔)及其制备方法。本发明选择储氢薄膜作为冲击片***的膜桥材料，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量作用下发生等离子***，同时由于膜桥中含有大量氢，储氢薄膜自身也会发生氢爆；因此，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量的作用下会同时发生等离子***和氢爆，极大地提高了该过程的单位能量输出和能量转换效率。
本发明的技术方案如下：
一种高能量输出的氢爆膜桥，其特征在于，所述氢爆膜桥自下而上依次为基片、桥区薄膜层和保护层，所述桥区薄膜层为储氢薄膜。
进一步地，所述储氢薄膜为Ti系合金薄膜(Ti/Mo、Ti/Fe、Ti/Ni等)，Mg系合金薄膜(Mg/Al、Mg/Ni、Mg/Pd等)，或者Zr系合金薄膜(Zr/Co、Zr等)等储氢合金薄膜。
进一步地，所述基片为陶瓷基底、硅基底或者玻璃基底等；所述保护层材料为Ta、Mo或Cr等金属材料。
进一步地，所述储氢薄膜的厚度为0.1～5μm，所述保护层的厚度为0.01～5μm。
一种高能量输出的氢爆膜桥的制备方法，包括以下步骤：
步骤1、采用磁控溅射法在基片上形成储氢薄膜；
步骤2、采用磁控溅射法在步骤1得到的储氢薄膜上形成保护层；
步骤3、将步骤2得到的带储氢薄膜和保护层的基片放置于气体吸附仪中，抽真空至5×10-4Pa以下，然后加热基片至20～1000℃；再向吸附仪中通入氢气，直至气体气压达到0.5KPa～5MPa，在温度为20～1000℃、氢气气压为0.5KPa～5MPa的条件下，保持0.5～100h，以使储氢薄膜吸收氢气；完成所述氢爆膜桥的制备。
进一步地，步骤3所述氢气的纯度以体积百分比计不低于99.99％。
本发明还提供了一种高能量输出的氢爆膜桥的制备方法，选取MgAl合金薄膜作为储氢薄膜材料、Ta作为保护层材料防止Mg氧化，具体包括以下步骤：
步骤1、清洗基片：将基片依次在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗，烘干，待用；
步骤2、采用磁控溅射法在步骤1清洗干净的基片上沉积MgAl薄膜作为储氢薄膜；其中，溅射气压为0.3～0.6Pa，溅射功率为40～200W，溅射气体为氩气等惰性气体，溅射时间为40～120min，得到的MgAl薄膜的厚度为0.1～5μm；
步骤3、采用磁控溅射法在步骤2得到的储氢薄膜上沉积一层Ta薄膜，作为保护层；其中，溅射气压为0.3～0.6Pa，溅射功率为40～200W，溅射气体为氩气等惰性气体，溅射时间为40～120min，得到的Ta薄膜的厚度为0.01～5μm；
步骤4、将步骤3得到的带储氢薄膜和保护层的基片取出，依次在丙酮和去离子水中清洗，烘干；
步骤5、储氢薄膜的加氢反应：将步骤4烘干后的样品放置于气体吸附仪中，抽真空至5×10-4Pa以下，然后加热基片至20～1000℃；再向吸附仪中通入氢气，直至气体气压达到0.5KPa～5MPa，在温度为20～1000℃、氢气气压为0.5KPa～5MPa的条件下，保持0.5～100h，以使储氢薄膜吸收氢气；完成所述氢爆膜桥的制备。
进一步地，步骤5所述氢气的纯度以体积百分比计不低于99.99％。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明提供了一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法，选择储氢薄膜作为冲击片***的膜桥材料，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量作用下发生等离子***，同时由于膜桥中含有大量氢，储氢薄膜自身也会发生氢爆；因此，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量的作用下会同时发生等离子***和氢爆，极大地提高了该过程的单位能量输出和能量转换效率，提升了***箔的可靠性和稳定性，并有效降低了起爆能量和起爆电压。
附图说明
图1为传统的冲击片***的结构示意图；
图2为本发明提供的氢爆膜桥的结构示意图；其中，1为基片，2为储氢薄膜层，3为保护层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，详述本发明的技术方案。
一种高能量输出的氢爆膜桥，其特征在于，所述氢爆膜桥自下而上依次为基片、桥区薄膜层和保护层，所述桥区薄膜层为储氢薄膜；所述储氢薄膜为Ti系合金薄膜(Ti/Mo、Ti/Fe、Ti/Ni等)，Mg系合金薄膜(Mg/Al、Mg/Ni、Mg/Pd等)，或者Zr系合金薄膜(Zr/Co、Zr等)等储氢合金薄膜。
本发明还提供了一种高能量输出的氢爆膜桥的制备方法，选取MgAl合金薄膜作为储氢薄膜材料、Ta作为保护层材料防止Mg氧化，具体包括以下步骤：
步骤1、清洗基片：选取3英寸的Al2O3陶瓷基片作为基片，依次在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗15min，烘干，待用；
步骤2、采用光刻技术在步骤1清洗干净的基片上形成光刻胶掩膜，然后采用磁控溅射法沉积MgAl薄膜作为储氢薄膜；其中，溅射气压为0.3～0.6Pa，溅射功率为40～200W，溅射气体为氩气，溅射时间为40～120min，得到的MgAl薄膜的厚度为0.1～5μm；
步骤3、采用磁控溅射法在步骤2得到的储氢薄膜上沉积一层Ta薄膜，作为保护层；其中，溅射气压为0.3～0.6Pa，溅射功率为40～200W，溅射气体为氩气，溅射时间为40～120min，得到的Ta薄膜的厚度为0.01～5μm；
步骤4、将步骤3得到的带储氢薄膜和保护层的基片取出，在丙酮中浸泡以除去基片上的光刻胶和粘附于光刻胶上的薄膜，再采用去离子水冲洗干净，烘干；
步骤5、储氢薄膜的加氢反应：将步骤4烘干后的样品放置于气体吸附仪中，抽真空至5×10-4Pa以下，然后加热基片至20～1000℃；再向吸附仪中通入氢气，直至气体气压达到0.5KPa～5MPa，在温度为20～1000℃、氢气气压为0.5KPa～5MPa的条件下，保持0.5～100h，以使储氢薄膜吸收氢气；完成所述氢爆膜桥的制备。
进一步地，步骤2和步骤3中的氩气的纯度以体积百分比计不低于99.99％。
实施例1
本实施例提供了一种高能量输出的氢爆膜桥的制备方法，选取MgAl合金薄膜作为储氢薄膜材料、Ta作为保护层材料防止Mg氧化，具体包括以下步骤：
步骤1、清洗基片：选取直径为3英寸的Al2O3陶瓷基片作为基片，依次在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗15min，烘干，待用；
步骤2、利用甩胶机在步骤1清洗干净的基片表面涂覆一层PR1-4000A型光刻胶，采用光刻技术在基片表面形成一层光刻胶掩膜，然后采用磁控溅射法沉积MgAl薄膜作为储氢薄膜；其中，溅射气压为0.6Pa，溅射功率为100W，溅射气体为氩气，得到的MgAl薄膜的厚度为2μm；
步骤3、采用磁控溅射法在步骤2得到的MgAl薄膜上沉积一层Ta薄膜，作为保护层；其中，溅射气压为0.45Pa，溅射功率为40W，溅射气体为氩气，得到的Ta薄膜的厚度为20nm；
步骤4、将步骤3得到的带储氢薄膜和保护层的基片取出，在丙酮中浸泡以除去基片上的光刻胶和粘附于光刻胶上的薄膜，再采用去离子水冲洗干净，烘干；
步骤5、储氢薄膜的加氢反应：将步骤4烘干后的样品放置于3H-2000PH1型高温高压气体吸附仪中，抽真空至5×10-4Pa以下，然后加热基片至300℃；再向吸附仪中通入氢气，直至气体气压达到2MPa，在温度为300℃、氢气气压为2MPa的条件下，保持3h，以使储氢薄膜吸收氢气；完成所述氢爆膜桥的制备。
实施例2
本实施例与实施例1相比，区别在于，步骤5的过程为：将步骤4烘干后的样品放置于3H-2000PH1型高温高压气体吸附仪中，抽真空至5×10-4Pa以下，然后加热基片至600℃；再向吸附仪中通入氢气，直至气体气压达到0.5KPa，在温度为600℃、氢气气压为0.5KPa的条件下，保持20h，以使储氢薄膜吸收氢气。其余步骤与实施例1相同。
实施例3
本实施例与实施例1相比，区别在于，步骤5的过程为：将步骤4烘干后的样品放置于3H-2000PH1型高温高压气体吸附仪中，抽真空至5×10-4Pa以下，然后加热基片至900℃；再向吸附仪中通入氢气，直至气体气压达到3MPa，在温度为900℃、氢气气压为3MPa的条件下，保持80h，以使储氢薄膜吸收氢气；完成所述氢爆膜桥的制备。其余步骤与实施例1相同。
传统的金属薄膜桥发生***反应生成等离子体的过程中，会伴随能量扩散和热传递等现象，大部分的能量(电能，激光，冲击波等)并没有转换为飞片的动能，而是以热能或光能等形式消耗掉。与现有的***箔材料相比，本发明提出的氢爆膜桥在***箔作用过程中，储氢薄膜层发生物理形态的转变生成等离子体，同时储氢薄膜层释放的氢气与空气发生氢爆反应，在二者的共同作用下，增强了***箔的能量输出，提升了***箔的能量转换效率。因此，本发明氢爆膜桥在激励能量的作用下，储氢薄膜层以及其存储的氢气同时反应释放出巨大的能量，共同作用于飞片材料，使得飞片具有更高的动能，从而提升了***箔起爆***的可靠性和稳定性，并有效降低其起爆能量和起爆电压。

Claims (7)

1.一种高能量输出的氢爆膜桥，其特征在于，所述氢爆膜桥自下而上依次为基片、桥区薄膜层和保护层，所述桥区薄膜层为储氢薄膜。
2.根据权利要求1所述的高能量输出的氢爆膜桥，其特征在于，所述储氢薄膜为Ti系合金薄膜、Mg系合金薄膜或者Zr系合金薄膜。
3.根据权利要求1所述的高能量输出的氢爆膜桥，其特征在于，所述储氢薄膜为Ti/Mo、Ti/Fe、Ti/Ni、Mg/Al、Mg/Ni、Mg/Pd、Zr/Co或Zr。
4.根据权利要求1所述的高能量输出的氢爆膜桥，其特征在于，所述基片为陶瓷基底、硅基底或者玻璃基底；所述保护层材料为Ta、Mo或Cr。
5.根据权利要求1所述的高能量输出的氢爆膜桥，其特征在于，所述储氢薄膜的厚度为0.1～5μm，所述保护层的厚度为0.01～5μm。
6.一种高能量输出的氢爆膜桥的制备方法，包括以下步骤：
步骤1、采用磁控溅射法在基片上形成储氢薄膜；
步骤2、采用磁控溅射法在步骤1得到的储氢薄膜上形成保护层；
步骤3、将步骤2得到的带储氢薄膜和保护层的基片放置于气体吸附仪中，抽真空至5×10-4Pa以下，然后加热基片至20～1000℃；再向吸附仪中通入氢气，直至气体气压达到0.5KPa～5MPa，在温度为20～1000℃、氢气气压为0.5KPa～5MPa的条件下，保持0.5～100h，以使储氢薄膜吸收氢气；完成所述氢爆膜桥的制备。
7.一种高能量输出的氢爆膜桥的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1、清洗基片：将基片依次在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗，烘干，待用；
步骤2、采用磁控溅射法在步骤1清洗干净的基片上沉积MgAl薄膜作为储氢薄膜；其中，溅射气压为0.3～0.6Pa，溅射功率为40～200W，溅射气体为惰性气体，溅射时间为40～120min，得到的MgAl薄膜的厚度为0.1～5μm；
步骤3、采用磁控溅射法在步骤2得到的储氢薄膜上沉积一层Ta薄膜，作为保护层；其中，溅射气压为0.3～0.6Pa，溅射功率为40～200W，溅射气体为惰性气体，溅射时间为40～120min，得到的Ta薄膜的厚度为0.01～5μm；
步骤4、将步骤3得到的带储氢薄膜和保护层的基片取出，依次在丙酮和去离子水中清洗，烘干；
步骤5、储氢薄膜的加氢反应：将步骤4烘干后的样品放置于气体吸附仪中，抽真空至5×10-4Pa以下，然后加热基片至20～1000℃；再向吸附仪中通入氢气，直至气体气压达到0.5KPa～5MPa，在温度为20～1000℃、氢气气压为0.5KPa～5MPa的条件下，保持0.5～100h，以使储氢薄膜吸收氢气；完成所述氢爆膜桥的制备。
CN201811485665.0A 2018-12-06 2018-12-06 一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法 Active CN109440074B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811485665.0A CN109440074B (zh) 2018-12-06 2018-12-06 一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811485665.0A CN109440074B (zh) 2018-12-06 2018-12-06 一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109440074A true CN109440074A (zh) 2019-03-08
CN109440074B CN109440074B (zh) 2021-04-30

Family

ID=65557700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811485665.0A Active CN109440074B (zh) 2018-12-06 2018-12-06 一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109440074B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110699649A (zh) * 2019-11-10 2020-01-17 中电国基南方集团有限公司 一种用于电子封装的吸氢材料及其制备方法
CN110777369A (zh) * 2019-11-10 2020-02-11 中电国基南方集团有限公司 一种主动式封装吸氢材料及其制备方法
CN113028905A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 南京理工大学 一种小型化脉冲激光器和原位集成微型起爆单元的激光飞片起爆装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1776003A (zh) * 2005-11-29 2006-05-24 辽宁省轻工科学研究院 陶瓷基片溅射铜箔生产方法
CN102432408A (zh) * 2011-09-19 2012-05-02 中国科学技术大学 氢化钛型储氢乳化***
US8444786B2 (en) * 2007-01-05 2013-05-21 Lockheed Martin Corporation Solid composite propellants and methods of making propellants
CN104342617A (zh) * 2013-07-25 2015-02-11 北京大学 一种高容量储氢薄膜及其制备方法
CN107104255A (zh) * 2011-02-28 2017-08-29 尼古拉斯·基恩 具有安全和稳定的氢储存的能量单元
CN107121035A (zh) * 2017-06-28 2017-09-01 电子科技大学 一种高能量转换率复合含能薄膜桥
CN107540486A (zh) * 2017-10-09 2018-01-05 安徽理工大学 一种储氢型乳化震源药柱及使用该震源药柱的震源弹

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1776003A (zh) * 2005-11-29 2006-05-24 辽宁省轻工科学研究院 陶瓷基片溅射铜箔生产方法
US8444786B2 (en) * 2007-01-05 2013-05-21 Lockheed Martin Corporation Solid composite propellants and methods of making propellants
CN107104255A (zh) * 2011-02-28 2017-08-29 尼古拉斯·基恩 具有安全和稳定的氢储存的能量单元
CN102432408A (zh) * 2011-09-19 2012-05-02 中国科学技术大学 氢化钛型储氢乳化***
CN104342617A (zh) * 2013-07-25 2015-02-11 北京大学 一种高容量储氢薄膜及其制备方法
CN107121035A (zh) * 2017-06-28 2017-09-01 电子科技大学 一种高能量转换率复合含能薄膜桥
CN107540486A (zh) * 2017-10-09 2018-01-05 安徽理工大学 一种储氢型乳化震源药柱及使用该震源药柱的震源弹

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110699649A (zh) * 2019-11-10 2020-01-17 中电国基南方集团有限公司 一种用于电子封装的吸氢材料及其制备方法
CN110777369A (zh) * 2019-11-10 2020-02-11 中电国基南方集团有限公司 一种主动式封装吸氢材料及其制备方法
CN113028905A (zh) * 2019-12-25 2021-06-25 南京理工大学 一种小型化脉冲激光器和原位集成微型起爆单元的激光飞片起爆装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109440074B (zh) 2021-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109440074A (zh) 一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法
CN101768714B (zh) 热障涂层激光复合等离子喷涂制备方法
CN103396282B (zh) 一种薄膜桥式点火器
CN107121035B (zh) 一种高能量转换率复合含能薄膜桥
CN105693442B (zh) 一种网格状含能薄膜点火桥
CN109468568B (zh) 一种抗裂纹扩展的稀土硅酸盐环境障碍涂层及制备方法
WO2020134655A1 (zh) 一种超极限合金及其制备方法
CN109609952B (zh) 一种超极限镁合金及其制备方法
CN104561882A (zh) 一种铌合金表面高温抗氧化涂层及其制备方法
CN109554707B (zh) 一种超极限铝合金及其制备方法
CN108869220A (zh) 一种用于空间机动平台的推进装置及推进方法
CN109487196B (zh) 一种超极限镍合金及其制备方法
Guo et al. Efficiency relationship between initiation of HNS-IV and nanosecond pulsed laser-driven flyer plates of layered structure
CN105755423B (zh) 一种抗氧化涂层及其制备方法
CN113699479A (zh) 一种提高热障涂层抗cmas腐蚀能力的方法
CN110004393A (zh) 一种超音速火焰喷涂技术制备y2o3陶瓷涂层的方法
CN102219499B (zh) 一种提高氧化锌基低压压敏陶瓷薄膜电性能的方法
Sarfraz et al. Laser sputtering of Zr under Ar and O2 environments explored by quartz crystal microbalance and SEM analysis
CN109680254B (zh) 一种镁铝合金载氢薄膜材料及其制备方法
CN101566077A (zh) 一种汽轮机末级叶片及其制备方法
CN105256264A (zh) 一种锆合金包壳材料表面纳米结构的制备方法
CN105648423B (zh) 一种电阻加热丝制作方法
CN114540754A (zh) 一种Cu/Ti-W/陶瓷复合材料及其制备方法
CN110198590A (zh) 磁控等离子体鞘层特性研究方法
CN116136380A (zh) 基于Ti/Al烧蚀层的冲击片换能元及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant