CN107342040B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。根据本发明的示例性实施例的显示装置包括：扫描线，在第一方向上延伸；数据线，与扫描线交叉并且传输数据信号；驱动电压线，与扫描线交叉并且传输驱动电压；导电构件，包括连接到驱动电压线并且与第一数据线叠置的部分，其中，第一绝缘层***导电构件与数据线之间；控制线，包括均在第一方向上延伸的多个主线部以及在平面图中位于所述多个主线部中的彼此相邻的两个主线部之间的迂回部，其中，迂回部将两个相邻的主线部连接在一起，其中，迂回部的一部分在平面图中位于导电构件与驱动电压线之间。

Description

显示装置
本专利申请要求于2016年4月29日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0053034号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置包括阴极、阳极以及位于阴极与阳极之间的有机发射层。从阴极注射的电子和从阳极注射的空穴在有机发射层中结合，从而形成激子，激子释放能量，从而可以发射光。
有机发光显示装置包括用于显示图像的多个像素。像素均包括由阴极、阳极和有机发射层形成的有机发光二极管、设置为驱动有机发光二极管的多个晶体管以及至少一个电容器。
然而，寄生电容会出现在有机发光显示装置中。这些寄生电容会改变一个或更多个像素的亮度，从而降低图像质量。因此，需要减小或防止这些寄生电容的有机发光显示装置。
发明内容
根据本发明的示例性实施例的显示装置包括：扫描线，在第一方向上延伸；第一数据线，与扫描线交叉并且传输数据信号；第一驱动电压线，与扫描线交叉并且传输驱动电压；导电构件，包括连接到第一驱动电压线并且与第一数据线叠置的部分，其中，第一绝缘层***导电构件与第一数据线之间；控制线，包括均在第一方向上延伸的多个主线部和在平面图中位于所述多个主线部中的彼此相邻的两个主线部之间的迂回部，其中，迂回部将两个相邻的主线部连接在一起，其中，迂回部的一部分在平面图中位于导电构件与第一驱动电压线之间。
在实施例中，显示装置还包括与控制线间隔开的第一驱动栅电极，其中，迂回部包括在平面图中位于第一驱动栅电极与导电构件之间的部分。
在实施例中，显示装置还包括具有与第一驱动栅电极叠置的第一沟道区的半导体构件，其中，第二绝缘层***半导体构件与第一沟道区之间，其中，半导体构件包括多个沟道区和导电区，所述多个沟道区包括第一沟道区，导电区包括导电构件。
在实施例中，所述多个沟道区包括与控制线叠置的至少一个沟道区。
在实施例中，第一绝缘层包括设置在半导体构件的导电区上的接触孔，第一驱动电压线通过接触孔连接到导电区。
在实施例中，导电构件通过在与导电构件的延伸方向不同的方向上延伸的连接部分连接到与第一驱动电压线连接的导电区。
在实施例中，迂回部包括与第一数据线平行地延伸的一对竖直部和连接一对竖直部的水平部。
在实施例中，扫描线在剖视图中与控制线位于同一层中，所述多个沟道区包括与扫描线叠置的至少一个沟道区。
在实施例中，水平部在平面图中位于导电构件与扫描线之间。
在实施例中，第一驱动栅电极在平面图中位于扫描线与控制线的水平部之间。
在实施例中，水平部与第一数据线交叉。
在实施例中，竖直部在平面图中位于导电构件与第一驱动栅电极之间。
在实施例中，第一驱动电压线在与第一方向交叉的第二方向上延伸，第一驱动电压线包括在第一方向上延伸的第一扩展部，第一驱动电压线利用***第一驱动电压线与第一驱动栅电极之间的第一绝缘层与第一驱动栅电极叠置而形成电容器。
在实施例中，显示装置还包括与第一数据线相邻的第二数据线，其中，导电构件与第二数据线叠置。
在实施例中，显示装置还包括第二驱动栅电极和具有在第一方向上延伸的第二扩展部的第二驱动电压线，其中，两个驱动栅电极位于两条数据线之间，其中，分别与两个驱动栅电极叠置的两个扩展部彼此连接。
在实施例中，主线部不与导电构件叠置，迂回部不与导电构件叠置并且沿导电构件的***延伸。
在实施例中，导电构件包括在平面图中不与数据线叠置的凹部，凹部设置在主线部的延长线上。
根据本发明的示例性实施例的显示装置包括：扫描线，在第一方向上延伸；数据线和驱动电压线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；控制线，包括与第一方向平行的第一部分、连接到第一部分并且与第二方向平行的第二部分以及连接到第二部分并且与第一方向平行的第三部分；驱动栅电极，在平面图中位于多条扫描线之中的第一扫描线与控制线的第一部分之间，其中，控制线的第二部分在平面图中位于数据线与驱动栅电极之间，控制线的第三部分与数据线交叉。
在实施例中，显示装置还包括连接到驱动电压线并且与数据线叠置的导电构件，其中，第一部分的延伸部延伸超过导电构件的边缘，第二部分和第三部分沿导电构件的***延伸。
在实施例中，第二部分在平面图中位于驱动栅电极与导电构件之间。
在实施例中，显示装置还包括：半导体构件，包括与驱动栅电极叠置的沟道区；绝缘层，***沟道区与驱动栅电极之间；导电区，连接到沟道区，其中，导电区可以包括导电构件。
根据示例性实施例，提出了具有多个像素的显示装置。每个像素包括：有机发光二极管(OLED)；发光控制晶体管，连接到OLED；控制线，构造为将发光控制信号施加到发光控制晶体管的栅电极和操作控制晶体管的栅电极；数据线，传输数据信号；导体，与数据线叠置并且接收驱动电压，其中，控制线在导体的***周围弯折。
在实施例中，控制线包括布置在数据线的方向上的第一部分、布置在与数据线垂直的方向上的第二部分和布置在数据线的方向上的第三部分。
在实施例中，导体包括不与将导体的剩余部分连接到供应驱动电压的驱动电压线的数据线叠置的凹部。
在实施例中，凹部的宽度比剩余部分的宽度小。
在实施例中，显示装置还包括：操作控制晶体管，连接在驱动电压与发光控制晶体管之间；驱动晶体管，连接在操作控制晶体管与发光控制晶体管之间；电容器，连接在驱动电压与驱动晶体管的栅极之间；开关晶体管，连接在数据线与位于操作控制晶体管和驱动晶体管之间的节点之间，其中，开关晶体管的栅电极接收扫描信号。
附图说明
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意性布局图。
图2是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的电路图。
图3是施加到根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的信号的时序图。
图4是根据本发明的示例性实施例的显示装置中的两个相邻的像素的布局图。
图5是根据本发明的示例性实施例的显示装置中的四个相邻的像素的布局图。
图6是图4的沿线VI-VIa截取的显示装置的剖视图。
图7是图4的沿线VII-VIIa截取的显示装置的剖视图。
图8是图4的沿线VIII-VIIIa截取的显示装置的剖视图。
图9是根据本发明的示例性实施例的显示装置中的两个相邻的像素的布局图。
图10是根据本发明的示例性实施例的显示装置中的四个相邻的像素的布局图。
图11是根据本发明的示例性实施例的显示装置中的两个相邻的像素的布局图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，在全部不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改描述的实施例。贯穿说明书，同样的附图标记表示同样的元件。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，它可以直接在所述另一元件上或者也可以存在中间元件。
此外，在本说明书中，短语“在平面图中”意为从顶部看目标部分，短语“在剖面中”意为通过从侧面竖直地切割目标部分看剖面。
在下文中，将参照图1描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意性布局图。
参照图1，根据本发明的示例性实施例的显示装置1包括显示面板100、第一驱动器200(例如，第一驱动器电路)和第二驱动器300(例如，第二驱动器电路)。
显示面板100包括可显示图像的显示区域DA。显示区域DA包括多个像素PX和多条信号线151、152、153、171和172。每个像素PX是用于显示图像的最小单元，显示装置可以利用多个像素PX显示图像。
在实施例中，每个像素PX包括连接到多条信号线151、152、153、171和172的多个晶体管(未示出)、电容器(未示出)和有机发光二极管(未示出)。
信号线151、152、153、171和172可以包括多条扫描线151和152(例如，栅极线)、多条控制线153、多条数据线171和多条驱动电压线172。
多条扫描线151和152可以传输扫描信号或栅极信号。扫描信号可以包括可使包括在每个像素PX中的至少一个晶体管导通/截止的栅极导通电压和/或栅极截止电压。例如，栅极导通电压可以用于导通晶体管，栅极截止电压可以用于截止晶体管，其中，栅极导通电压的逻辑电平与栅极截止电压的逻辑电平不同。在实施例中，连接到像素PX的扫描线151和152包括当前扫描线151以及以与当前扫描线151的时序不同的时序传输栅极导通电压的前扫描线152。
在实施例中，多条扫描线151和152与第一方向Dr1平行地延伸或者与第一方向Dr1基本平行地延伸。
控制线153可以传输控制信号。在示例性实施例中，控制线153传输对像素PX的有机发光二极管OLED的发光进行控制的发光控制信号。例如，发光控制信号可以控制正在由OLED发射的光量。在实施例中，通过控制线153传输的控制信号包括栅极导通电压和/或栅极截止电压。在实施例中，控制信号具有与通过扫描线151和152传输的扫描信号的波形不同的波形。
在实施例中，控制线153包括曲线或折线而不是在恒定方向上延伸。在实施例中，曲线或折线以规则的间隔重复。在实施例中，控制线153包括多段，其中，每段包括在第二方向Dr2上延伸的第一部分、在第一方向Dr1上延伸并连接到第一部分的第二部分、在第二方向Dr2上延伸并连接到第二部分的第三部分和在第一方向Dr1上延伸并连接到第三部分的第四部分。具体地，如图1中所示，控制线153可以在形状上以恒定节距规则地改变，恒定节距可以与在第一方向Dr1上的至少一个像素PX的宽度相等。在实施例中，每个像素仅包括多段中的一段。如果存在由第一方向Dr1上的n个重复像素PX形成的单元(这里，n是大于1的自然数)，则至少一个像素PX的在第一方向Dr1上的宽度可以表示重复单元的节距。图1示例性地示出控制线153以一个像素PX的第一方向Dr1上的宽度为单位规则地弯折，但是发明不限于此。
更具体地，控制线153可以包括与第一方向Dr1平行地延伸或者与第一方向Dr1基本平行地延伸的多个分离的主线部153a以及均设置在两个相邻的主线部153a之间的迂回部153b。
迂回部153b与每两个相邻的主线部153a的彼此面对的两个端部连接。迂回部153b可以包括例如分别连接到两个相邻的主线部153a的端部并且彼此面对的一对竖直部53，以及设置在一对竖直部53之间并且连接一对竖直部53的水平部54。竖直部53可以在作为与第一方向Dr1交叉的方向的第二方向Dr2上延伸或者基本在第二方向Dr2上延伸，水平部54可以在第一方向Dr1上延伸或者基本在第一方向Dr1上延伸，但是本发明不限于此。在示例性实施例中，第二方向Dr2与第一方向Dr1垂直(例如，成直角)或者与第一方向Dr1基本垂直，但是发明不限于此。水平部54可以在距当前扫描线151一定距离处与当前扫描线151近似平行地延伸，但是发明不限于此。
彼此连接的一个主线部153a和一个迂回部153b形成单个单元，这样的单元可以沿第一方向Dr1重复地布置。在实施例中，单个迂回部153b的水平部54的中心与相邻的迂回部153b的水平部54的中心之间的距离等于一个像素PX的在第一方向Dr1上的宽度。
数据线171传输数据信号。数据信号的值可以基于将要显示的图像变化。数据线171可以在第二方向Dr2上延伸或者基本在第二方向Dr2上延伸并且因此可以与扫描线151和152交叉。
驱动电压线172传输驱动电压ELVDD。在实施例中，驱动电压ELVDD是不变的或恒定的电压。驱动电压线可以在第二方向Dr2上延伸或者基本在第二方向Dr2上延伸并且因此可以与扫描线151和152交叉。
参照图1，控制线153的主线部153a不包括与数据线171叠置的部分，控制线153的迂回部153b包括与数据线171交叉或叠置的部分。即，控制线153与第一方向Dr1基本平行地延伸，然后在与数据线171相邻的点处弯折使得迂回部153b形成。
在实施例中，数据线171位于控制线153的每个迂回部153b的一对竖直部53之间，迂回部153b的水平部54在与数据线171交叉的同时与数据线171叠置。
第一驱动器200和第二驱动器300可以分别将信号传输到多条信号线151、152、153、171和172。例如，第一驱动器200可以包括将扫描信号传输到多条扫描线151和152的扫描驱动器(例如，栅极驱动器)，第二驱动器300可以包括将数据信号传输到数据线171的数据驱动器。
第一驱动器200可以与包括在像素PX中的多个晶体管一起直接形成在显示面板100上，或者可以作为至少一个驱动电路芯片附着在显示面板100上。可选择地，第一驱动器200附着在连接到显示面板100的印刷电路膜上，因此第一驱动器200可以将信号传输到显示面板100。设置在显示面板100上的第二驱动器300或印刷电路膜可以设置在显示区域DA的***区域(未示出)中。例如，第二驱动器300或印刷电路膜可以设置在显示区域DA外部。
将参照图1、图2和图3描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的详细结构和操作的示例。
图2是根据本发明的示例性实施例的显示装置中的一个像素(例如，PX)的电路图，图3是施加到根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的信号的时序图。
参照图2，根据本示例性实施例的显示装置是有机发光显示装置，显示装置的每个像素PX包括连接到多条信号线151、152、153、171和172的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、电容器Cst以及有机发光二极管OLED。每个像素PX可以包括单个有机发光二极管OLED。
晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和旁路晶体管T7。在实施例中，补偿晶体管T3和初始化晶体管T4具有用于减小泄露电流的双栅电极结构。
当前扫描线151可以将扫描信号Sn传输到开关晶体管T2和补偿晶体管T3，前扫描线152可以将前扫描信号Sn-1传输到初始化晶体管T4和旁路晶体管T7，控制线153可以将发光控制信号EM传输到发光控制晶体管T6。
驱动晶体管T1的栅电极G1与电容器Cst的第一端Cst1连接，驱动晶体管T1的源电极S1经由操作控制晶体管T5与驱动电压线172连接，驱动晶体管T1的漏电极D1经由发光控制晶体管T6与有机发光二极管OLED的阳极电连接。驱动晶体管T1根据开关晶体管T2的开关操作接收通过数据线171传输的数据信号Dm，并且将驱动电流Id供应到有机发光二极管OLED。
开关晶体管T2的栅电极G2与当前扫描线151连接，开关晶体管T2的源电极S2与数据线171连接，开关晶体管T2的漏电极D2与驱动晶体管T1的源电极S1连接并且经由操作控制晶体管T5与驱动电压线172连接。开关晶体管T2根据通过当前扫描线151接收的扫描信号Sn而导通，并且将从数据线171传输的数据信号Dm传输到驱动晶体管T1的源电极S1。
补偿晶体管T3的栅电极G3连接到当前扫描线151，补偿晶体管T3的源电极S3与驱动晶体管T1的漏电极D1连接并且经由发光控制晶体管T6与有机发光二极管OLED的阳极连接。补偿晶体管T3的漏电极D3连接到初始化晶体管T4的漏电极D4、电容器Cst的第一端Cst1以及驱动晶体管T1的栅电极G1。补偿晶体管T3根据通过当前扫描线151接收的扫描信号Sn而导通，并且可以通过将驱动晶体管T1的栅电极G1与漏电极D1彼此连接来二极管连接驱动晶体管T1。
初始化晶体管T4的栅电极G4与前扫描线152连接，初始化晶体管T4的源电极S4与初始化电压线192连接，初始化晶体管T4的漏电极D4通过补偿晶体管T3的漏电极D3与电容器Cst的第一端Cst1和驱动晶体管T1的栅电极G1连接。初始化晶体管T4的根据通过前扫描线152接收的前扫描信号Sn-1而导通，并且因此将初始化电压Vint传输到驱动晶体管T1的栅电极G1，从而可以执行使驱动晶体管T1的栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制晶体管T5的栅电极G5与控制线153连接，操作控制晶体管T5的源电极S5与驱动电压线172连接，操作控制晶体管T5的漏电极D5与驱动晶体管T1的源电极S1和开关晶体管T2的漏电极D2连接。
发光控制晶体管T6的栅电极G6与控制线153连接，发光控制晶体管T6的源电极S6与驱动晶体管T1的漏电极D1和补偿晶体管T3的源电极S3连接，发光控制晶体管T6的漏电极D6与有机发光二极管OLED的阳极电连接。操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6根据通过控制线153接收的发光控制信号EM而同时导通，使得驱动电压ELVDD通过二极管结合的驱动晶体管T1而被补偿然后传输到有机发光二极管OLED。
旁路晶体管T7的栅电极G7与前扫描线152连接，旁路晶体管T7的源电极S7与发光控制晶体管T6的漏电极D6和有机发光二极管OLED的阳极连接，旁路晶体管T7的漏电极D7连接到供应初始化电压Vint的端子和初始化晶体管T4的源电极S4。可选择地，旁路晶体管T7的栅电极G7可以与附加的控制线(未示出)连接。
在实施例中，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的至少一个是诸如正金属氧化物半导体(PMOS)的P型沟道晶体管，但是本发明不限于此。在实施例中，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的至少一个是诸如负金属氧化物半导体(NMOS)的N型沟道晶体管，但是本发明不限于此。
电容器Cst的第二端Cst2与驱动电压线172连接，有机发光二极管OLED的阴极与供应共电压ELVSS的端子连接。在实施例中，共电压是接地电压。在实施例中，共电压ELVSS比驱动电压ELVDD低。
根据本发明的示例性实施例的像素PX的结构不限于图2中示出的结构，晶体管的数量、电容器的数量和连接关系可以进行各种修改。例如，可以省略图2中示出的晶体管中的一个或更多个以创建较简单的像素PX。
接下来，将参照图2和图3描述用于驱动根据本发明的示例性实施例的显示装置的方法。在本公开中，为了易于讨论，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7将被描述为P型沟道晶体管。
在初始化时间段期间，通过前扫描线152供应低电平前扫描信号Sn-1。然后，初始化晶体管T4响应于低电平前扫描信号Sn-1而导通，初始化电压Vint通过导通的初始化晶体管T4传输到驱动晶体管T1的栅电极G1，利用初始化电压Vint来使驱动晶体管T1初始化。
接下来，当在数据编程和补偿时间段期间通过当前扫描线151供应低电平扫描信号Sn时，开关晶体管T2和补偿晶体管T3响应于低电平扫描信号Sn而导通。在这种情况下，驱动晶体管T1通过导通的补偿晶体管T3而二极管结合并因此正向偏置。然后，将由数据线171供应的数据信号Dm减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth的补偿电压Dm+Vth(Vth是负(-)值)施加到驱动晶体管T1的栅电极G1。即，施加到驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压变为补偿电压Dm+Vth。
将驱动电压ELVDD和补偿电压Dm+Vth施加到电容器Cst的相对端，与电容器Cst的相对端之间的电压差对应的电荷储存在电容器Cst中。
接下来，从控制线153供应的发光控制信号EM从高电平变为低电平并且在发光时间段期间保持在低电平。然后，操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6在发光时间段期间通过低电平发光控制信号EM而导通。因此，产生取决于驱动晶体管T1的栅电极G1的栅极电压与驱动电压ELVDD之间的电压差的驱动电流Id，驱动电流Id通过发光控制晶体管T6流向有机发光二极管OLED，使得电流Ioled流向有机发光二极管OLED。驱动晶体管T1的栅极-源极电压Vgs通过电容器Cst保持在(Dm+Vth)-ELVDD，根据驱动晶体管T1的电流-电压关系，驱动电流Id可以与从栅极-源极电压Vgs减去阈值电压Vth获得的电压的平方(即，(Dm-ELVDD)2)成正比。因此，可以确定驱动电流Id而与驱动晶体管T1的阈值电压Vth无关。
同时，在初始化时间段期间，旁路晶体管T7通过前扫描线152接收低电平前扫描信号Sn-1并且因此导通。因此，驱动电流Id的一部分可以通过旁路晶体管T7作为旁路电流Ibp而被引出。
接下来，将参照图4至图8与图1至图3一起示例性地描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的详细结构。
图4是根据本发明的示例性实施例的显示装置中的两个相邻的像素的布局图，图5是根据本发明的示例性实施例的显示装置中的四个相邻的像素的布局图，图6是图4的沿线VI-VIa截取的显示装置的剖视图，图7是图4的沿线VII-VIIa截取的显示装置的剖视图，图8是图4的沿线VIII-VIIIa截取的显示装置的剖视图。
参照图4和图5，将描述显示装置的平面结构，然后将参照图6至图8描述显示装置的剖面结构。
参照图4和图5与图1至图3一起，根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素PX包括与当前扫描线151、前扫描线152、控制线153、数据线171和驱动电压线172连接的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7以及电容器Cst。
参照图4和图5，在第一方向Dr1上相邻的两个像素参照其间的边界线相对于彼此对称地设置，但是发明不限于此。此外，数据线171和驱动电压线172参照两个相邻的像素PX之间的边界线相对于彼此对称地设置。因此，多条数据线171包括两条相邻的数据线。
数据线171和驱动电压线172可以在第二方向Dr2上延伸或者基本在第二方向Dr2上延伸。
在实施例中，数据线171与接收恒定电压(例如，ELVDD)的导电构件135叠置。导电构件135也可以被称作屏蔽电极。在实施例中，数据线171在第一方向Dr1上与导电构件135完全叠置。即，在实施例中，导电构件135的在第一方向Dr1上的宽度比数据线171的在第一方向Dr1上的宽度大。后面将详细地描述导电构件135。
在实施例中，驱动电压线172包括在第一方向Dr1上延伸的扩展部178。扩展部178在与驱动电压线172相邻的数据线171的相对方向上延伸，单个扩展部178可以设置在每个像素PX中。在实施例中，两个扩展部178彼此连接，其中，这两个扩展部178分别设置在沿第一方向Dr1相邻的两个像素中并且没有数据线171***这两个扩展部178之间。因此，通过相对于两个相邻的像素PX的驱动电压线172传输的驱动电压ELVDD可以通过彼此连接的扩展部178在第一方向Dr1上均匀地传输。
相邻的驱动电压线172可以通过连接构件154彼此连接。连接构件154可以在第一方向Dr1上延伸或者基本在第一方向Dr1上延伸。驱动电压线172通过接触孔68与连接构件154连接。因此，驱动电压ELVDD沿驱动电压线172在第二方向Dr2上传输并且也通过连接构件154传输到第一方向Dr1，使得驱动电压ELVDD可以以网格结构在整个显示面板100中传输。例如，用于传输驱动电压ELVDD的整个传输路径可以看起来像网或网格以向像素提供更均匀的驱动电压。因此，可以使驱动电压ELVDD在整个显示面板100中的压降最小化。
参照图4，前扫描线152设置在当前扫描线151上方，控制线153设置在当前扫描线151下方。
如前所述，控制线153包括与第一方向Dr1平行地延伸的多个主线部153a和连接到主线部153a的迂回部153b。主线部153a设置在两条相邻的数据线171之间，并且不与数据线171叠置。主线部153a靠近数据线171弯折并且然后连接到迂回部153b。迂回部153b可以包括在第二方向Dr2上延伸或者基本在第二方向Dr2上延伸的竖直部53以及在第一方向Dr1上延伸或者基本在第一方向Dr1上延伸的水平部54，但是所述结构不限于此。竖直部53从主线部153a朝向当前扫描线151延伸然后在其端部处连接到水平部54。在实施例中，水平部54在与数据线171交叉的同时与数据线171叠置。
参照图4和图5，在示例性实施例中，根据两个相邻的像素的对称结构，一个迂回部153b的水平部54的中心与相邻的迂回部153b的水平部54的中心之间的距离等于或大于这两个像素PX的在第一方向Dr1上的宽度。两个相邻像素PX的在第一方向上的宽度可以是由第一方向Dr1上的每两个相邻的像素形成的单元的在第一方向Dr1上的节距。更具体地，如图4和图5中所示，在实施例中，两个像素PX的在第一方向Dr1上的宽度等于一对相邻的数据线171之间的竖直中心线与下一对相邻的数据线171之间的竖直中心线之间的距离。水平部54可以与彼此相邻的两个像素的边界叠置，相邻的一条数据线171可以***其间。
多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每个的沟道可以形成在单个半导体构件130中，半导体构件130可以以各种形状弯折。半导体构件130可以由诸如多晶硅或氧化物半导体的半导体材料制成。
半导体构件130包括形成晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每个的沟道的沟道区131。沟道区131是半导体。在附图中，各晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7的沟道区131表示为131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g。
在实施例中，半导体构件130包括设置在沟道区131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g中的每个的侧面处的导电区。在实施例中，半导体构件130具有比沟道区131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g的载流子浓度高的载流子浓度。在半导体构件130中，除了沟道区131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g之外的其他部分可以是导电区。设置在晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每个晶体管的沟道区131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g中的每个沟道区的相对端处的导电区可以成为源区和漏区，使得它们可以用于起到源电极和漏电极的功能。
参照图4和图5，在实施例中，设置在每个像素中的半导体构件130包括彼此面对并使驱动晶体管T1的沟道区131a***其间的第一竖直部132和第二竖直部133。第一竖直部132和第二竖直部133可以大部分为导电区。第一竖直部132和第二竖直部133可以在与第二方向Dr2平行的方向上延伸或者在与第二方向Dr2基本平行的方向上延伸。半导体构件130的第一竖直部132可以设置在包括在控制线153的迂回部153b中的竖直部53与驱动晶体管T1的沟道区131a之间。在实施例中，控制线153的竖直部53与半导体构件130的第一竖直部132之间的间隙W2大于0。即，控制线153的竖直部53和半导体构件130的第一竖直部132彼此不叠置。
驱动晶体管T1包括沟道区131a、设置在沟道区131a的相对端处的作为半导体构件130的导电区的源区和漏区以及与沟道区131a叠置的驱动栅电极155a。
沟道区131a可以弯折至少一次。例如，驱动晶体管T1的沟道区131a可以具有蜿蜒形状或之字形状。在图4和图5中，沟道区131a具有“U”形形状或者基本具有“U”形形状。沟道区131a与半导体构件130的第一竖直部132连接，第一竖直部132与驱动晶体管T1的源区对应。
在实施例中，驱动栅电极155a设置在半导体构件130的第一竖直部132和第二竖直部133之间。驱动栅电极155a通过接触孔61与连接构件174连接。
在实施例中，驱动栅电极155a和驱动晶体管T1的沟道区131a设置在当前扫描线151与控制线153的主线部153a之间。另外，在实施例中，根据两个相邻像素PX的对称结构，一对驱动栅电极155a和一对沟道区131a设置在两个在第一方向Dr1上相邻的迂回部153b之间。
开关晶体管T2包括沟道区131b、设置在沟道区131b的相对端处的作为半导体构件130的导电区的源区和漏区以及与沟道区131b叠置的栅电极155b。在实施例中，当前扫描线151的与沟道区131b叠置的部分形成栅电极155b。半导体构件130的设置在相对于当前扫描线151的上部中并且连接到沟道区131b的导电区为开关晶体管T2的源区并且通过接触孔62与数据线171连接。沟道区131b与半导体构件130的第一竖直部132连接，第一竖直部132与开关晶体管T2的漏区对应。
补偿晶体管T3包括沟道区131c、设置在沟道区131c的相对端处的作为半导体构件130的导电区的源区和漏区以及与沟道区131c叠置的栅电极155c。在实施例中，当前扫描线151的与沟道区131c叠置的部分形成栅电极155c。栅电极155c可以由防止漏电流的两部分形成。半导体构件130的设置在相对于当前扫描线151的上部中并且连接到沟道区131c的导电区为补偿晶体管T3的漏区并且通过接触孔63与连接构件174连接。沟道区131c与半导体构件130的第二竖直部133连接，第二竖直部133与补偿晶体管T3的源区对应。
初始化晶体管T4包括沟道区131d、设置在沟道区131d的相对端处的作为半导体构件130的导电区的源区和漏区以及与沟道区131d叠置的栅电极155d。在实施例中，当前扫描线152的与沟道区131d叠置的部分形成栅电极155d。栅电极155d可以由防止漏电流的两部分形成。半导体构件130的设置在相对于前扫描线152的下部中并且不与补偿晶体管T3连接的导电区为初始化晶体管T4的源区并且通过接触孔64与连接构件175连接。
操作控制晶体管T5包括沟道区131e、设置在沟道区131e的相对端处的作为半导体构件130的导电区的源区和漏区以及与沟道区131e叠置的栅电极155e。在实施例中，控制线153的与沟道区131e叠置的部分形成栅电极155e。在具体的实施例中，控制线153的主线部153a的与沟道区131e叠置的部分形成栅电极155e。半导体构件130的设置在相对于控制线153的下部中的导电区为操作控制晶体管T5的源区并且通过接触孔65与驱动电压线172连接。沟道区131e与半导体构件130的第一竖直部132连接，第一竖直部132与操作控制晶体管T5的漏区对应。
发光控制晶体管T6包括沟道区131f、设置在沟道区131f的相对端处的作为半导体构件130的导电区的源区和漏区以及与沟道区131f叠置的栅电极155f。在实施例中，控制线153的与沟道区131f叠置的部分形成栅电极155f。在具体的实施例中，控制线153的主线部153a的与沟道区131f叠置的部分形成栅电极155f。半导体构件130的设置在相对于控制线153的下部中的导电区为发光控制晶体管T6的漏区并且通过接触孔66与连接构件179连接。沟道区131f与半导体构件130的第二竖直部133连接，第二竖直部133与发光控制晶体管T6的源区对应。
旁路晶体管T7包括沟道区131g、设置在沟道区131g的相对端处的作为半导体构件130的导电区的源区和漏区以及与沟道区131g叠置的栅电极155g。在实施例中，前扫描线152的与沟道区131g叠置的部分形成栅电极155g。半导体构件130的设置在相对于前扫描线152的下部中的导电区为旁路晶体管T7的漏区，并且与初始化晶体管T4的源区连接且通过接触孔64与连接构件175连接。半导体构件130的设置在相对于前扫描线152的下部中的导电区为旁路晶体管T7的源区，并且与发光控制晶体管T6的漏区连接且通过接触孔66与连接构件179连接。
在实施例中，驱动晶体管T1的沟道区131a的第一端与开关晶体管T2和操作控制晶体管T5连接，沟道区131a的第二端与补偿晶体管T3和发光控制晶体管T6连接。
在实施例中，电容器Cst包括作为两个端子彼此叠置的驱动栅电极155a和驱动电压线172的扩展部178。电容器Cst可以保持与通过驱动电压线172传输的驱动电压ELVDD与驱动栅电极155a的电压之间的差对应的电压差。在本示例性实施例中，当电容器Cst通过使驱动晶体管T1的驱动栅电极155a与驱动电压线172的一部分直接叠置并在其间***绝缘层来形成时，不需要用于形成电容器Cst的额外的电极，使得可以减少制造成本。电容器Cst可以具有宽区域，从而电容器Cst具有足够的容量并且可以增大空间效率。
驱动栅电极155a通过接触孔61与连接构件174的第一端连接，连接构件174的第二端通过接触孔63与补偿晶体管T3的漏区和初始化晶体管T4的漏区连接。连接构件174可以在与第二方向Dr2平行的方向上延伸或者可以在与第二方向Dr2基本平行的方向上延伸。连接构件174与驱动栅电极155a一起与图2的电路图中的驱动栅极节点GN对应。
连接构件179通过接触孔81与像素电极(未示出)连接。在实施例中，连接构件175通过接触孔82与传输初始化电压Vint的初始化电压线(未示出)连接。
在实施例中，半导体构件130包括与数据线171叠置的导电构件135(例如，导体)。在实施例中，导电构件135包括在半导体构件130的导电区中。导电构件135可以与第二方向Dr2平行地延伸或者与第二方向Dr2基本平行地延伸。如前所述，在实施例中，导电构件135在第一方向Dr1上与数据线171完全叠置。在实施例中，导电构件135的在第一方向Dr1上的宽度比数据线171的在第一方向Dr1上的宽度大。
在图4和图5中示出的示例性实施例中，一个导电构件135根据两个相邻像素PX的对称结构与两条相邻的数据线171两者叠置。在本实施例中，单个导电构件135在第一方向Dr1上与两个相邻的数据线171完全叠置。即，在实施例中，一个导电构件135的在第一方向Dr1上的宽度比两条相邻的数据线171的在第一方向Dr1上的宽度的总和大。
在实施例中，导电构件135与连接部134连接，连接部134通过接触孔65与驱动电压线172连接并且因此接收来自驱动电压线172的驱动电压ELVDD。连接部134可以与第一方向Dr1平行地延伸或者与第一方向Dr1基本平行地延伸。
具有导电性的导电构件135通过与数据线171叠置来屏蔽数据线171，使得可以阻止数据线171与它的相邻的驱动栅电极155a之间的寄生电容。具体地，导电构件135阻止数据线171与驱动栅电极155a之间的寄生电容，使得由于根据数据信号Dm的信号变化的驱动栅电极155a的电压变化造成的有机发光二极管OLED的驱动电流Id的波动可以得以防止。即，可以防止作为由数据线171与驱动栅电极155a之间的寄生电容引起的亮度变化的串扰。
导电构件135是半导体构件130的一部分。因此，不需要形成额外的电极用于屏蔽数据线171，因此，可以屏蔽数据线171而不增加制造成本。
另外，因为当在平面图中看时，控制线153尤其是控制线153的迂回部153b穿过数据线171和驱动栅电极155a，所以可以通过在数据线171与驱动栅电极155a之间进行屏蔽来更有效地阻止数据线171与驱动栅电极155a之间的寄生电容的产生。
导电构件135与半导体构件130的连接部134不与在显示面板100中在第一方向Dr1上传输信号的信号线叠置。详细地，半导体构件130的导电构件135不与多条扫描线151和152以及多条控制线153叠置。
虽然控制线153的主线部153a的假想线(例如，见图4中的IML)延伸超过导电构件135的边缘，但是导电构件135不与控制线153叠置。如前所述，控制线153的主线部153a在第一方向Dr1上延伸然后靠近导电构件135在第二方向上弯折，使得迂回部153b形成，迂回部153b在导电构件135与半导体构件130的第一竖直部132之间沿第二方向Dr2延伸，因此控制线153不与导电构件135叠置。迂回部153b的竖直部53靠近导电构件135的上边缘在第一方向Dr1上弯曲并且因此连接到水平部54，水平部54在沿导电构件135的上边缘延伸之后靠近导电构件135的边缘在第二方向Dr2上弯曲并且然后连接到另一竖直部53。因此，迂回部153b可以在沿导电构件135的***延伸的同时弯折。
在实施例中，导电构件135与控制线153之间的间隙W1(例如，空间)大于0，导电构件135与控制线153的水平部54之间的间隙W3大于0。即，控制线153的竖直部53和水平部54与半导体构件130的导电构件135彼此不叠置。
如果控制线153不包括迂回部153b并且与扫描线151和152一样在第一方向Dr1上连续地延伸，则控制线153将与半导体构件130的导电构件135叠置，在这种情况下，会产生额外的寄生电容。当产生额外的寄生电容时，导电构件135基本浮置使得导电构件135的电压浮动而不是保持诸如驱动电压ELVDD的恒定电压水平。当导电构件135浮置并且因此电压变得不一致时，通过数据线171传输的数据信号Dm受这样的导电构件135影响，导致在显示面板100中显示的图像中的色差或污点的产生。
然而，根据本示例性实施例，控制线153形成迂回部153b以避免与半导体构件153b的导电构件135叠置，迂回部153b通过沿导电构件135的***形成而不与导电构件135叠置，使得可以防止导电构件135与控制线153之间的不必要的叠置以及由于不必要的叠置产生的寄生电容。因此，可以防止通过数据线171传输的数据信号Dm经受不期望的变化，从而防止通过显示装置显示的图像中的色差和污点的出现。
参照图4和图5，导电构件135包括凹部31，凹部31在第一方向Dr1上的宽度比其他宽度小。凹部31不与数据线171叠置。凹部31可以设置在控制线153的主线部153a的假想线(例如，见图4的IML)上。在实施例中，凹部31的在第一方向Dr1上的宽度比导电构件135的其余部分的在同一第一方向Dr1上的宽度小。考虑通过导电构件135与数据线171的叠置区域和由于与导电构件135叠置造成的数据信号Dm的延迟程度对数据线171的屏蔽效果，可以适当地调整凹部31的尺寸。
在下文中，将参照图6至图8与图4和图5一起描述根据本发明的示例性实施例的显示装置的剖面结构的示例。
根据本示例性实施例的显示装置的显示面板包括基底110。基底110可以是包括玻璃、石英、陶瓷或塑料的绝缘基底。
缓冲层120设置在基底110上。缓冲层120阻止杂质渗透到缓冲层120的上层中，具体地，渗透到半导体构件130中，从而可以改善半导体构件130的特性，并且可以减轻应力。缓冲层120可以包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。可以省略缓冲层120。
与前述半导体构件相同的半导体构件130设置在缓冲层120上，栅极绝缘层140设置在半导体构件130上。
包括具有上述栅电极155b和155c的当前扫描线151、具有栅电极155d和155g的前扫描线152、具有栅电极155e和155f的控制线153、驱动栅电极155a以及连接构件154的栅极导体设置在栅极绝缘层140上。栅极导体可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)或它们的合金的金属。
层间绝缘层160设置在栅极导体和栅极绝缘层140上。层间绝缘层160可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料或者有机绝缘材料。
层间绝缘层160和/或栅极绝缘层140可以包括设置在驱动栅电极155a上的接触孔61、设置在半导体构件130的导电区之中的与开关晶体管T2的沟道区131b连接的源区上的接触孔62、设置在半导体构件130的导电区之中的与补偿晶体管T3的沟道区131c连接的漏区或连接到初始化晶体管T4的沟道区131d的漏区上的接触孔63、设置在半导体构件130的导电区的与初始化晶体管T4的沟道区131d连接的源区或与旁路晶体管T7的沟道区131g连接的漏区上的接触孔64、设置在半导体构件130的导电区的与操作控制晶体管T5的沟道区131e连接的源区上的接触孔65、设置在半导体构件130的导电区的与发光控制晶体管T6的沟道区131f连接的漏区上的接触孔66和设置在连接构件154上的接触孔68。
包括数据线171、具有扩展部178的驱动电压线172以及多个连接构件174、175和179的数据导体设置在层间绝缘层160上。数据导体可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)或它们的合金的金属。
数据线171通过形成在栅极绝缘层140和层间绝缘层160中的接触孔62连接到与开关晶体管T2的沟道区131b连接的源区。参照图8，数据线171与半导体构件130的导电构件135叠置，层间绝缘层160和栅极绝缘层140***数据线171与导电构件135之间。
参照图6，因为扩展部178与驱动栅电极155a叠置并且层间绝缘层160***扩展部178与驱动栅电极155a之间，所以驱动电压线172的扩展部178与驱动栅电极155a形成电容器Cst。
参照图7，连接构件174可以连接到与补偿晶体管T3的沟道区131c连接的漏区以及与初始化晶体管T4的沟道区131d连接的漏区。
连接构件175通过接触孔64连接到与初始化晶体管T4的沟道区131d连接的源区以及与旁路晶体管T7的沟道区131g连接的漏区。
参照图6，连接构件179通过接触孔66连接到与发光控制晶体管T6的沟道区131f连接的漏区。
钝化层180设置在数据导体和层间绝缘层160上。钝化层180可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料，钝化层180的上表面可以是平坦的或者基本平坦的。钝化层180包括设置在连接构件179上的接触孔81和设置在连接构件175上的接触孔82。
像素电极191和初始化电压线192设置在钝化层180上。参照图6和图7，像素电极191通过接触孔81与连接构件179连接并且通过接触孔82与连接构件175连接。
像素限定层PDL350设置在钝化层180、初始化电压线192和像素电极191上。像素限定层350包括设置在像素电极191上的开口351。
有机发射层370设置在像素电极191上。有机发射层370设置在开口351中。
共电极270设置在有机发射层370上。共电极270也可以设置在像素限定层350上并且因此在多个像素PX之上延伸。
像素电极191、有机发射层370和共电极270形成有机发光二极管OLED。
保护有机发光二极管OLED的包封层(未示出)还可以设置在共电极270上。包封层可以包括交替层叠的无机层和有机层。
接下来，将参照图9和图10与以上附图一起描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。与上述示例性实施例中的构成元件相同的构成元件指定相同的附图标记。
图9是根据本发明的示例性实施例的显示装置的两个相邻的像素的布局图，图10是根据本发明的示例性实施例的显示装置的四个相邻的像素的布局图。
参照图9和图10，除了在平面图中的驱动晶体管T1的沟道区131a的形状之外，根据本示例性实施例的显示装置与根据上述图4至图8的示例性实施例的显示装置相同。例如，在图9和图10的实施例中，驱动晶体管T1的沟道区131a具有“S”形形状和反向“S”形形状。
图9和图10的显示装置的其他的特征和效果与图4至图8的上述示例性实施例的特征和效果相同，因此不需要进一步详细的描述。
接下来，将参照图11与上述附图一起描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。
图11是根据本发明的示例性实施例的显示装置的两个相邻的像素的布局图。
参照图11，除了在第一方向Dr1上彼此相邻的两个像素PX具有相同的形状而不是具有对称的结构之外，根据本示例性实施例的显示装置与根据图4至图8的示例性实施例的显示装置相同。
因此，位于一个像素PX中的驱动电压线172的扩展部178设置在对应的像素PX的有限的区域中。另外，半导体构件130的导电构件135与设置在两个相邻的像素PX之间的一条数据线171叠置。
作为控制线153弯折的空间周期的节距可以与一个像素PX在第一方向Dr1上的宽度相同或者近似相同。即，在实施例中，控制线153的一个迂回部153b的水平部54的中心与其相邻的迂回部153b的水平部54的中心之间的距离跟一个像素PX在第一方向Dr1上的宽度相同或者近似相同。
虽然已经结合目前视为实际的示例性实施例描述了发明，但是将理解的是，发明不限于公开的实施例，而是相反，意图覆盖包括在本公开的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (9)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
扫描线，在第一方向上延伸；
第一数据线，与所述扫描线交叉并且传输数据信号；
第一驱动电压线，与所述扫描线交叉并且传输驱动电压；
导电构件，包括连接到所述第一驱动电压线并且与所述第一数据线叠置的部分，其中，第一绝缘层***所述导电构件与所述第一数据线之间；
控制线，包括均在所述第一方向上延伸的多个主线部和在平面图中位于所述多个主线部中的彼此相邻的两个主线部之间的迂回部，其中，所述迂回部将所述相邻的两个主线部连接在一起；以及
第一驱动栅电极，与所述控制线间隔开，
其中，所述迂回部包括在平面图中位于所述第一驱动栅电极与所述导电构件之间的部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括具有与所述第一驱动栅电极叠置的第一沟道区的半导体构件，其中，第二绝缘层***所述第一驱动栅电极与所述第一沟道区之间，
其中，所述半导体构件包括多个沟道区和一个导电区，所述多个沟道区包括所述第一沟道区，
所述导电区包括所述导电构件。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个沟道区包括与所述控制线叠置的至少一个沟道区。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一绝缘层包括设置在所述半导体构件的所述导电区上的接触孔，
所述第一驱动电压线通过所述接触孔连接到所述导电区。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述导电构件通过在与所述导电构件的延伸方向不同的方向上延伸的连接部分连接到与所述第一驱动电压线连接的所述导电区。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述迂回部包括与所述第一数据线平行地延伸的一对竖直部和连接所述一对竖直部的水平部。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述扫描线在剖视图中与所述控制线位于同一层中，
所述多个沟道区包括与所述扫描线叠置的至少一个沟道区。
8.一种显示装置，所述显示装置包括多个像素，其中，每个像素包括：
有机发光二极管；
发光控制晶体管，连接到所述有机发光二极管；
控制线，构造为将发光控制信号施加到所述发光控制晶体管的栅电极；
数据线，在第一方向上延伸并传输数据信号；
导体，与所述数据线叠置并且接收驱动电压；以及
驱动栅电极，与所述控制线间隔开，
其中，所述控制线包括在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第一部分和在所述第一方向上延伸并从所述第一部分延伸的第二部分，并且
其中，所述控制线的所述第二部分在平面图中位于所述驱动栅电极与所述导体之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述控制线还包括在所述第二方向上延伸并从所述第二部分延伸的第三部分。
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