KR102290483B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔 라인, 기판 위에 형성되어 있으며 초기화 신호를 전달하는 초기화 라인, 기판 위에 형성되어 있으며 발광 제어 신호를 전달하는 발광 제어 라인, 스캔 라인과 교차하며 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인 및 스캔 라인과 교차하며 전원 전압을 전달하는 전원 라인을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 스캔 라인 및 데이터 라인과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터, 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인과 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터의 드레인에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드, 초기화 라인을 통해 전달된 초기화 신호에 의해 턴 온되어 구동 트랜지스터의 게이트로 전원 전압을 인가하는 초기화 박막 트랜지스터 및 발광 제어 라인을 통해 전달된 발광 제어 신호에 의해 턴 온되어 전원 전압을 구동 박막 트랜지스터로 전달하는 동작 제어 박막 트랜지스터를 포함하고, 한 프레임 내에서 초기화 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 전원 전압의 값과 동작 제어 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 전원 전압의 값이 서로 다를 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 표시 품질이 우수한 유기 발광 표시 장치 및 그 표시 장치 구동 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 전류 또는 전압에 의해 휘도가 제어되는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)를 이용한다. 유기 발광 표시 장치는 높은 콘트라스트 및 빠른 응답에 적합하므로, 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 PC(slate PC), 태블릿 PC(tablet PC), 울트라북(ultrabook), 웨어러블 디바이스(wearable device), 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터, 디지털 사이니지 등에 사용되고 있다.
유기 발광 표시 장치는 복수의 스캔 라인, 복수의 데이터 라인 및 복수의 전원 라인과, 상기 라인들에 연결되어 매트릭스 형태로 배열되는 복수의 화소 회로를 구비한다. 또한, 상기 각 화소 회로는 통상적으로 유기 발광 소자, 복수의 트랜지스터, 즉 데이터 신호를 전달하기 위한 스위칭 트랜지스터와 상기 데이터 신호에 따라 상기 유기 발광 소자를 구동시키기 위한 구동 트랜지스터 및 상기 데이터 전압을 유지시키기 위한 캐패시터로 이루어진다.
최근에는 표시 장치의 해상도가 증가하는 추세에 따라, 좁은 표시 영역 내에 복수의 화소가 집적된다. 이때, 화소 각각이 차지하는 면적이 제한적이므로 하나의 화소에 형성된 복수의 박막 트랜지스터 및 캐패시터가 정상적으로 구동하기 위한 면적을 확보해야하는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 또 다른 목적은 화소 내에 포함된 소자들의 면적을 확보할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해, 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔 라인, 기판 위에 형성되어 있으며 초기화 신호를 전달하는 초기화 라인, 기판 위에 형성되어 있으며 발광 제어 신호를 전달하는 발광 제어 라인, 스캔 라인과 교차하며 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인 및 스캔 라인과 교차하며 전원 전압을 전달하는 전원 라인을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 스캔 라인 및 데이터 라인과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터, 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인과 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터의 드레인에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드, 초기화 라인을 통해 전달된 초기화 신호에 의해 턴 온되어 구동 트랜지스터의 게이트로 전원 전압을 인가하는 초기화 박막 트랜지스터 및 발광 제어 라인을 통해 전달된 발광 제어 신호에 의해 턴 온되어 전원 전압을 구동 박막 트랜지스터로 전달하는 동작 제어 박막 트랜지스터를 포함하고, 한 프레임 내에서 초기화 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 전원 전압의 값과 동작 제어 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 전원 전압의 값이 서로 다를 수 있다.
전원 라인은 초기화 박막 트랜지스터에 연결되는 제1 라인과 동작 제어 박막 트랜지스터에 연결되는 제2 라인을 포함하고, 제1 라인 및 제2 라인은 서로 교차하며, 접촉 구멍을 통해 서로 연결될 수 있다.
구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하며 구동 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 보상 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
발광 제어 라인을 통해 전달된 발광 제어 신호에 의해 턴온되어, 구동 박막 트랜지스터에서 유기 발광 다이오드로 전원 전압을 전달하는 발광 제어 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 발광 제어 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터의 드레인과 유기 발광 다이오드 사이에 위치할 수 있다.
기판 위에 형성되어 있으며 리셋 신호를 전달하는 리셋 라인 및 리셋 라인을 통해 전달된 리셋 신호에 의해 턴 온되어 유기 발광 다이오드의 애노드로 전원 전압을 인가하는 리셋 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
리셋 트랜지스터는 초기화 트랜지스터와 함께 제1 라인에 연결될 수 있다.
초기화 박막 트랜지스터와 리셋 박막 트랜지스터는 동시에 턴온될 수 있다.
전원 라인에 연결되는 일단 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트에 연결되는 타단을 포함하는 스토리지 커패시터를 더 포함할 수 있다.
초기화 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 전원 전압의 값과 동작 제어 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 전원 전압의 극성이 서로 반대일 수 있다.
실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치 구동 방법은 유기 발광 다이오드를 포함하는 복수의 화소가 배치되는 표시부, 화소들에 연결되는 데이터 구동부, 화소에 연결되는 스캔 구동부, 화소에 연결되는 초기화 구동부, 화소에 연결되는 발광 구동부 및 화소로 전원 전압을 공급하는 전원 공급부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 전원 전압이 로우 레벨로 변경되는 단계, 초기화 구동부가 인에이블 레벨의 초기화 신호를 화소로 인가하는 단계 및 전원 전압이 하이 레벨로 변경되는 단계를 포함한다.
전원 전압이 하이 레벨로 변경된 후, 스캔 구동부 및 데이터 구동부가 화소에 데이터 신호를 기입하는 단계를 더 포함할 수 있다.
화소에 데이터 신호가 기입된 후, 발광 구동부가 인에이블 레벨의 발광 제어 신호를 화소로 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
화소는 초기화 신호에 의해 턴 온되는 초기화 박막 트랜지스터 및 유기 발광 다이오드로 구동 전류를 공급하는 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 초기화 구동부가 인에이블 레벨의 초기화 신호를 화소로 인가하는 단계는 초기화 박막 트랜지스터가 구동 박막 트랜지스터의 게이트로 로우 레벨의 전원 전압을 연결하는 단계를 포함할 수 있다.
초기화 구동부가 인에이블 레벨의 리셋 신호를 화소로 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
화소는 리셋 신호에 의해 턴 온되는 리셋 박막 트랜지스터를 더 포함하고, 초기화 구동부가 인에이블 레벨의 리셋 신호를 화소로 인가하는 단계는 리셋 박막 트랜지스터가 유기 발광 다이오드의 애노드로 로우 레벨의 전원 전압을 연결하는 단계를 포함할 수 있다.
초기화 구동부가 인에이블 레벨의 초기화 신호를 화소로 인가하는 단계와 초기화 구동부가 인에이블 레벨의 리셋 신호를 화소로 인가하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 표시 품질을 높일 수 있다는 장점이 있다.
본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 화소에 포함된 소자들의 불량 발생을 저하할 수 있다는 장점이 있다.
본 발명의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 본 발명의 바람직한 실시 예와 같은 특정 실시 예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 관련된 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 블록도(block diagram)이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 관련된 유기 발광 표시 장치의 화소를 설명하기 위한 등가 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 복수의 박막 트랜지스터 및 캐패시터의 위치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 구체적인 배치도이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법의 복수의 프레임을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 관련된 유기 발광 표시 장치의 화소의 구체적인 동작 과정을 설명하기 위한 타이밍도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 동일하거나 유사한 구성요소에는 동일, 유사한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 일 실시 예에 관련된 유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법은 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터, 디지털 사이니지, 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 PC(slate PC), 태블릿 PC(tablet PC), 울트라북(ultrabook), 웨어러블 디바이스(wearable device, 예를 들어, 워치형 단말기 (smartwatch), 글래스형 단말기 (smart glass), HMD(head mounted display))와 같은 다양한 유형의 전자 기기에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 관련된 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 블록도(block diagram)이다.
유기 발광 표시 장치는 표시부(10), 스캔 구동부(20), 초기화 구동부(22), 데이터 구동부(30), 발광 구동부(40), 신호 제어부(50) 및 전원 공급부(60)를 포함한다. 도 18에 도시된 구성요소들은 표시 장치를 구현하는데 있어서 필수적인 것은 아니어서, 본 명세서 상에서 설명되는 표시 장치는 위에서 열거된 구성요소들 보다 많거나, 또는 적은 구성요소들을 가질 수 있다.
표시부(10)는 복수의 스캔 라인 중 대응하는 스캔 라인, 복수의 초기화 라인 중 대응하는 초기화 라인, 복수의 데이터 라인 중 대응하는 데이터 라인에 연결된 화소(PX)를 복수 개 포함하는 표시 패널이다. 상기 복수의 화소(PX) 각각은 해당 화소에 전달되는 데이터 신호에 따라 영상을 표시한다.
표시부(10)에 포함된 복수의 화소(PX) 각각은 복수의 스캔 라인, 복수의 초기화 라인, 복수의 리셋 라인, 복수의 발광 제어 라인 및 복수의 데이터 라인에 연결되어 대략 행렬의 형태로 배열된다.
복수의 스캔 라인은 대략 행 방향으로 연장되어 서로가 거의 평행하다. 복수의 초기화 라인, 복수의 리셋 라인과 복수의 발광 제어 라인은 대략 행 방향으로 연장되어 서로가 거의 평행하다. 복수의 데이터 라인은 대략 열 방향으로 연장되어 서로가 거의 평행하다.
표시부(10)의 복수의 화소(PX) 각각은 전원 공급부(60)로부터 가변 구동전압(ELVDD_V) 및 제2 구동 전압(ELVSS)을 공급받는다.
스캔 구동부(20)는 복수의 스캔 라인을 통해 표시부(10)에 연결된다. 스캔 구동부(20)는 제어 신호(CONT2)에 따라 복수의 스캔 신호(GW[1]~GW[n])를 생성하여 복수의 스캔 라인 중 대응하는 스캔 라인에 전달한다.
초기화 구동부(22)는 복수의 초기화 라인 및 복수의 리셋 라인을 통해 표시부(10)에 연결된다. 초기화 구동부(22)는 제어 신호(CONT3)에 따라 복수의 초기화 신호(GI) 및 리셋 신호(GB)를 생성하여 복수의 초기화 라인 중 대응하는 초기화 라인 및 복수의 리셋 라인 중 대응하는 리셋 라인에 전달한다. 특히, 초기화 구동부(22)는 복수의 초기화 라인 및 복수의 리셋 라인 전체에 초기화 신호(GI) 및 리셋 신호(GB)를 동시에 공급할 수 있다.
제어 신호(CONT2, CONT3)는 신호 제어부(50)에서 생성하여 전달되는 스캔 구동부(20) 및 초기화 구동부(22)의 동작 제어 신호이다. 제어 신호(CONT2, CONT3)는 스캔 시작 신호, 서로 다른 종류의 클록 신호 등을 포함할 수 있다. 스캔 시작 신호는 한 프레임의 영상을 표시하기 위한 첫 번째 스캔 신호(GW[1])를 발생시키는 신호이다. 어느 하나의 클록 신호는 복수의 스캔 라인에 순차적으로 스캔 신호(GW[1]~GW[n])를 인가시키기 위한 동기 신호이고, 또 다른 하나의 클록 신호는 복수의 초기화 라인에 동시에 초기화 신호(GI) 및 리셋 신호(GB)를 인가시키기 위한 동기 신호이다.
데이터 구동부(30)는 복수의 데이터 라인을 통해 표시부(10)의 각 화소(PX)와 연결된다. 데이터 구동부(30)는 영상 데이터 신호(DATA)를 전달받아 제어 신호(CONT1)에 따라서 복수의 데이터 라인 중 대응하는 데이터 라인에 데이터 신호(Data[1]~Data[m])를 전달한다.
제어 신호(CONT1)는 신호 제어부(50)에서 생성하여 전달되는 데이터 구동부(30)의 동작 제어 신호이다.
데이터 구동부(30)는 영상 데이터 신호(DATA)에 따른 계조 전압을 선택하여 데이터 신호(Data[1]~Data[m])로서 복수의 데이터 라인에 전달한다.
데이터 구동부(30)는 제어 신호(CONT1)에 따라 입력된 영상 데이터 신호(DATA)를 샘플링 및 홀딩하고, 복수의 데이터 라인 각각에 복수의 데이터 신호(Data[1]~Data[m])를 전달한다. 예를 들어, 데이터 구동부(30)는 게이트 온 전압의 스캔 신호(GW[1]~GW[n])에 대응하여 복수의 데이터 라인에 소정의 전압 범위를 갖는 데이터 신호(Data[1]~Data[m])를 인가할 수 있다.
발광 구동부(40)는 발광 제어 신호(CONT4)에 따라 복수의 발광 제어 신호(EM[1]~EM[n])를 생성한다. 발광 구동부(40)는 제어 신호(CONT4)에 따라 복수의 발광 제어 라인 각각에 복수의 발광 제어 신호(EM[1]~EM[n])를 전달한다.
신호 제어부(50)는 외부로부터 입력되는 영상 신호(IS) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호를 수신한다. 영상 신호(IS)는 표시부(10)의 화소(PX) 각각의 계조(gray)로 구분되는 휘도(luminance) 정보를 포함할 수 있으며, 상기에서 설명한 프레임 데이터를 포함할 수 있다.
한편, 신호 제어부(50)에 전달되는 입력 제어 신호의 예로는 수직 동기 신호(Vsync)와 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록 신호(CLK) 등이 있다.
신호 제어부(50)는 영상 신호(IS), 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync) 및 메인 클록 신호(MCLK)에 따라 제어 신호들(CONT1~CONT5) 및 영상 데이터 신호(DATA)를 생성한다.
신호 제어부(50)는 입력되는 영상 신호(IS)와 상기 입력 제어 신호를 기초로 영상 신호(IS)를 표시부(10) 및 데이터 구동부(30)의 동작 조건에 맞게 적절히 영상 처리한다. 구체적으로, 신호 제어부(50)는 영상 신호(IS)에 대하여 감마 보정, 휘도 보상 등의 영상 처리 과정을 거쳐 영상 데이터 신호(DATA)를 생성할 수 있다.
예를 들어, 신호 제어부(50)는 데이터 구동부(30)의 동작을 제어하는 제어 신호(CONT1)를 생성하고, 상기 영상 처리 과정을 거친 영상 데이터 신호(DATA)와 함께 데이터 구동부(30)에 전달한다. 그리고, 신호 제어부(50)는 스캔 구동부(20)의 동작을 제어하는 제어 신호(CONT2)를 스캔 구동부(20)에 전달한다. 또한, 신호 제어부(50)는 초기화 구동부(22)의 동작을 제어하는 제어 신호(CONT3)를 초기화 구동부(22)에 전달한다. 또한, 신호 제어부(50)는 발광 제어 신호(CONT4)를 발광 구동부(40)에 전달하여 발광 구동부(40)를 구동시킬 수 있다.
그리고, 신호 제어부(50)는 전원 공급부(60)의 구동을 제어할 수 있다. 전원 공급부(60)는 표시부(10)의 각 화소(PX)의 구동을 위한 전원 전압(ELVDD_V, ELVSS)을 공급할 수 있다. 일례로, 신호 제어부(50)는 전원 제어 신호(CONT5)를 전원 공급부(60)에 전달하여 전원 공급부(60)를 구동시킬 수 있다.
전원 공급부(60)는 표시 패널(10)에 형성된 전원 라인에 연결된다. 전원 공급부(60)은 제어 신호(CONT5)에 따라 가변 전원 전압(ELVDD_V)의 전압 레벨을 변경할 수 있다. 예를 들어, 전원 공급부(60)는 표시 패널(10)에 형성된 동일한 전원 라인으로 하이 레벨의 가변 전원 전압(ELVDD_V) 및 로우 레벨의 가변 전원 전압(ELVDD_V)를 공급한다. 그리고, 고정 전원 전압(ELVSS)은 로우 레벨로 고정되어 표시 패널(10)에 형성된 전원 라인으로 공급될 수 있다.
다음으로, 도 2 내지 도 4를 참조하여 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소에 대해 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 관련된 유기 발광 표시 장치의 화소를 설명하기 위한 등가 회로도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소(PX)는 복수의 신호선(121, 122, 123, 124, 125, 171, 172), 복수의 신호선에 연결되어 있는 복수개의 박막 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7), 스토리지 캐패시터(storage capacitor, Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다.
박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(T1), 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(T2), 보상 박막 트랜지스터(T3), 초기화 박막 트랜지스터(T4), 동작 제어 박막 트랜지스터(T5), 발광 제어 박막 트랜지스터(T6) 및 리셋 박막 트렌지스터(T7)를 포함한다.
신호선은 스캔 신호(GW)를 전달하는 스캔 라인(121), 초기화 박막 트랜지스터(T4)에 초기화 신호(GI)를 전달하는 초기화 라인(122), 리셋 박막 트랜지스터(T7)에 리셋 신호(GB)를 전달하는 리셋 라인(126), 동작 제어 박막 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)에 발광 제어 신호(EM)를 전달하는 발광 제어 라인(123), 스캔 라인(121)과 교차하며 데이터 신호(Data)를 전달하는 데이터 라인(171), 가변 전원 전압(ELVDD_V)을 전달하며 데이터 라인(171)과 거의 평행하게 형성되어 있는 전원 라인(172), 구동 박막 트랜지스터(T1) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 초기화하는 가변 전원 전압(ELVDD_V)을 전달하는 전원 라인(124)을 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트는 스토리지 캐패시터(Cst)의 일단(Cst1)과 연결되어 있고, 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스는 동작 제어 박막 트랜지스터(T5)를 경유하여 전원 라인(172)과 연결되어 있으며, 구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인은 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(T1)는 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호(Data)를 전달받아 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류(Id)를 공급한다.
스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 게이트는 스캔 라인(121)과 연결되어 있고, 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 소스는 데이터 라인(171)과 연결되어 있으며, 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 드레인은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스와 연결되어 있으면서 동작 제어 박막 트랜지스터(T5)을 경유하여 전원 라인(172)과 연결되어 있다.
이러한 스위칭 박막 트랜지스터(T2)는 스캔 라인(121)을 통해 전달받은 스캔 신호(GW)에 따라 턴 온되어 데이터 라인(171)으로 전달된 데이터 신호(Data)을 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 박막 트랜지스터(T3)의 게이트는 스캔 라인(121)에 연결되어 있고, 보상 박막 트랜지스터(T3)의 소스는 구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인과 연결되어 있으면서 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode)와 연결되어 있으며, 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인은 스토리지 캐패시터(Cst)의 일단(Cst1), 초기화 박막 트랜지스터(T4)의 드레인 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트와 함께 연결되어 있다.
이러한 보상 박막 트랜지스터(T3)는 스캔 라인(121)을 통해 전달받은 스캔 신호(GW)에 따라 턴 온되어 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트와 드레인을 서로 연결하여 구동 박막 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다.
초기화 박막 트랜지스터(T4)는 더블 게이트 트랜지스터(T4-1, T4-2)를 형성하여 누설 전류(leakage current)를 방지한다. 초기화 박막 트랜지스터(T4-1)의 게이트는 초기화 라인(122-1)과 연결되어 있고, 초기화 박막 트랜지스터(T4-1)의 드레인은 초기화 박막 트랜지스터(T4-2)의 소스와 연결되어 있으며, 초기화 박막 트랜지스터(T4-1)의 소스는 스토리지 캐패시터(Cst)의 일단, 보상 박막 트랜지스터(T3)의 드레인 및 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트와 함께 연결되어 있다.
초기화 박막 트랜지스터(T4-2)의 게이트는 초기화 라인(122-2)과 연결되어 있고, 초기화 박막 트랜지스터(T4-2)의 드레인은 전원 라인(124)과 연결되어 있으며, 초기화 박막 트랜지스터(T4-2)의 소스는 초기화 박막 트랜지스터(T4-1)의 드레인과 연결되어 있다.
이러한 초기화 박막 트랜지스터(T4)는 초기화 라인(122)을 통해 전달받은 초기화 신호(GI)에 따라 턴 온되어 로우 레벨의 가변 전원 전압(ELVDD_V)을 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트에 전달하여 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트의 전압을 초기화시키는 초기화 동작을 수행한다.
동작 제어 박막 트랜지스터(T5)의 게이트는 발광 제어 라인(123)과 연결되어 있으며, 동작 제어 박막 트랜지스터(T5)의 소스는 전원 라인(172)와 연결되어 있고, 동작 제어 박막 트랜지스터(T5)의 드레인은 구동 박막 트랜지스터(T1)의 소스 및 스위칭 박막 트랜지스터(T2)의 드레인와 연결되어 있다.
발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 게이트는 발광 제어 라인(123)과 연결되어 있으며, 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 소스는 구동 박막 트랜지스터(T1)의 드레인 및 보상 박막 트랜지스터(T3)의 소스와 연결되어 있고, 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 드레인은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode) 및 리셋 박막 트랜지스터(T7)의 소스와 함께 전기적으로 연결되어 있다.
이러한 동작 제어 박막 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)는 발광 제어 라인(123)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(EM)에 따라 동시에 턴 온되어 하이 레벨의 가변 전원 전압(ELVDD_V)이 유기 발광 다이오드(OLED)에 전달되어 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류(Id)가 흐르게 된다.
리셋 박막 트렌지스터(T7)의 게이트는 리셋 라인(126)과 연결되어 있으며, 리셋 박막 트렌지스터(T7)의 드레인은 전원 라인(124)와 연결되어 있고, 리셋 박막 트렌지스터(T7)의 소스는 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드(anode) 및 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)의 드레인과 함께 전기적으로 연결되어 있다.
이러한 리셋 박막 트렌지스터(T7)는 리셋 라인(126)을 통해 전달받은 리셋 신호(GB)에 따라 동시에 턴 온되어 로우 레벨의 가변 전원 전압(ELVDD_V)으로 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드의 전압을 초기화시키는 초기화 동작을 수행한다.
스토리지 캐패시터(Cst)의 타단은 전원 라인(172)과 연결되어 있으며, 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드(cathode)는 공통 전압(ELVSS)과 연결되어 있다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 박막 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류(Id)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시한다.
그러면 도 2에 도시한 유기 발광 표시 장치의 화소의 상세 구조에 대하여 도 3 및 도 4를 도 2와 함께 참고하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 복수개의 박막 트랜지스터 및 캐패시터의 위치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소의 구체적인 배치도이다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소는 스캔 신호(GW), 초기화 신호(GI), 발광 제어 신호(EM) 및 로우 레벨의 가변 전원 전압(ELVDD_V)을 각각 인가하며 행 방향을 따라 형성되어 있는 스캔 라인(121), 초기화 라인(122), 발광 제어 라인(123) 및 전원 라인(124)을 포함한다.
또한, 화소는 스캔 라인(121), 초기화 라인(122), 발광 제어 라인(123) 및 전원 라인(124) 모두와 교차하고 있으며 화소에 데이터 신호(Data) 및 하이 레벨의 가변 전원 전압(ELVDD_V)을 각각 인가하는 데이터 라인(171) 및 전원 라인(172)을 포함한다.
이때, 전원 라인(124)와 전원 라인(172)는 접촉구멍(CH)을 통해 서로 연결될 수 있다. 전원 라인(124) 및 전원 라인(172) 중 적어도 하나는 전원 공급부(60)로부터 가변 전원 전압(ELVDD_V)를 인가받는다. 그러면, 전원 라인(124)과 전원 라인(172)이 서로 연결되어 있어, 가변 전원 전압(ELVDD_V)이 동작 제어 박막 트랜지스터(T5)의 소스, 리셋 박막 트렌지스터(T7)의 드레인, 초기화 박막 트랜지스터(T4-2)의 드레인 및 스토리지 캐패시터(Cst)의 타단으로 함께 공급된다. 가변 전원 전압(ELVDD_V)은 하이 레벨 또는 로우 레벨로 변경된다. 이에 대해서는 도 5 및 도 6을 참조하여 후술한다.
또한, 화소에는 구동 박막 트랜지스터(T1), 스위칭 박막 트랜지스터(T2), 보상 박막 트랜지스터(T3), 초기화 박막 트랜지스터(T4), 동작 제어 박막 트랜지스터(T5), 발광 제어 박막 트랜지스터(T6), 리셋 박막 트랜지스터(T7) 및 스토리지 캐패시터(Cst)가 형성되어 있다.
구동 박막 트랜지스터(T1), 스위칭 박막 트랜지스터(T2), 보상 박막 트랜지스터(T3), 초기화 박막 트랜지스터(T4), 동작 제어 박막 트랜지스터(T5), 발광 제어 박막 트랜지스터(T6) 및 리셋 박막 트랜지스터(T7)는 반도체층을 따라 형성되어 있으며, 반도체층은 다양한 형상으로 굴곡되어 형성되어 있다.
이러한 반도체층은 구동 박막 트랜지스터(T1)에 형성되는 구동 반도체층(131a), 스위칭 박막 트랜지스터(T2)에 형성되는 스위칭 반도체층, 보상 박막 트랜지스터(T3)에 형성되는 보상 반도체층, 초기화 박막 트랜지스터(T4)에 형성되는 초기화 반도체층, 동작 제어 박막 트랜지스터(T5)에 형성되는 동작 제어 반도체층, 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)에 형성되는 발광 제어 반도체층 및 리셋 박막 트랜지스터(T7)에 형성되는 리셋 반도체층을 포함한다.
구동 박막 트랜지스터(T1)는 구동 반도체층(131a), 구동 게이트(125a), 구동 소스(176a) 및 구동 드레인(177a)을 포함한다. 구동 반도체층(131a)은 굴곡되어 있다. 구동 반도체층(131a)은 'ㄹ' 형상으로 길게 배치되어 있다. 이러한 구동 반도체층(131a)은 'S', 'M', 'W' 등의 다양한 형태로 형성될 수 있다.
이와 같이, 굴곡된 형상의 구동 반도체층(131a)을 형성함으로써, 좁은 공간 내에 길게 구동 반도체층(131a)을 형성할 수 있다. 따라서, 구동 반도체층(131a)의 구동 채널 영역을 길게 형성할 수 있으므로 구동 게이트(125a)에 인가되는 게이트 전압의 구동 범위(driving range)는 넓어지게 된다. 따라서, 게이트 전압의 구동 범위가 넓으므로 게이트 전압의 크기를 변화시켜 유기 발광 다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 계조를 보다 세밀하게 제어할 수 있으며, 그 결과 유기 발광 표시 장치의 해상도를 높이고 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
트랜지스터들(T1~T7)은 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(amorphous-Si TFT), 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon, LTPS) 박막 트랜지스터, 및 산화물 박막 트랜지스터(Oxide TFT) 중 어느 하나로 마련될 수 있다. 산화물 박막 트랜지스터(Oxide TFT)는 비정질 IGZO(Indium-Galium-Zinc-Oxide), ZnO(Zinc-Oxide), TiO(Titanum Oxide) 등의 산화물을 반도체층으로 가질 수 있다.
이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법 및 한 화소의 구체적인 동작 과정을 상세히 설명한다. 유기 발광 표시 장치는 연속된 복수의 프레임 동안 영상 신호(IS)에 대응하는 영상을 표시한다.
본 발명의 일 실시 예에서 유기 발광 표시 장치는 어느 하나의 화소에 데이터 기입이 완료되면 그 화소가 발광을 시작하는 순차 발광 방식으로 동작한다. 따라서, 데이터 기입 순서가 제1행 화소부터 제n행 화소까지 순차적인 경우, 데이터 기입이 완료되는 순서에 따라 제1행 화소부터 제n행 화소까지 순차적으로 발광한다.
본 발명의 다른 실시 예에서는 유기 발광 표시 장치가 동시 발광 방식으로 동작한다. 동시 발광 방식이란, 표시장치에 표시되는 한 프레임의 영상이 동시에 표시되도록, 해당 프레임에 발광하는 복수의 화소가 동시에 발광하는 방식이다.
발광 기간 동안 모든 화소가 동시 발광하기 위해서는, 발광 기간 전에 모든 화소에 데이터 기입이 완료되어야 한다. 만약 한 프레임의 기간이 모든 화소에 데이터를 기입하는 주사 기간과 발광 기간으로 구분되어야 있다면, 주사 기간이 한 프레임 기간의 반 이하일 수 있다. 뿐만 아니라 발광 기간 역시 한 프레임 기간의 반 이하일 수 있다.
이하에서는, 유기 발광 표시 장치가 순차 발광 방식으로 동작하는 실시 예를 구체적으로 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구동 방법의 복수의 프레임(N frame, N+1 frame)을 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 관련된 유기 발광 표시 장치의 화소의 구체적인 동작 과정을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 하나의 프레임(N frame)은 초기화 기간(IN1), 스캔 기간(IN2), 발광 기간(IN3)을 순차적으로 포함할 수 있다.
먼저, 초기화 기간(IN1)은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전압을 방전시키고, 화소의 구동 박막 트랜지스터(T1) 게이트의 전압을 로우 레벨(L)의 전압으로 초기화시키는 기간으로, 초기화 신호(GI) 및 리셋 신호(GB)가 모든 화소에 동시에 공급된다. 이때, 전원 공급부는 모든 화소의 전원 라인으로 로우 레벨(L)의 가변 전원 전압(ELVDD_V)를 인가한다.
다음으로, 스캔 기간(IN2)은 화소에 순차적으로 데이터를 기입하는 기간으로, 스캔 구동부는 모든 화소에 순차적으로 스캔 신호(GW)를 공급하고, 데이터 구동부는 대응하는 화소로 대응하는 데이터 신호(Data)를 공급한다. 이때, 전원 공급부는 모든 화소의 전원 라인으로 하이 레벨(H)의 가변 전원 전압(ELVDD_V)를 인가한다.
마지막으로, 발광 기간(IN3)은 데이터 신호가 인가된 화소가 발광하는 기간으로, 발광 구동부는 모든 화소에 순차적으로 발광 제어 신호(EM)를 공급한다.
도 6을 참조하여 하나의 화소의 동작 과정을 설명한다.
우선, 초기화 기간(IN1) 동안 초기화 라인(122)을 통해 로우 레벨(L)의 초기화 신호(GI)가 공급되고, 리셋 라인(126)을 통해 로우 레벨(L)의 리셋 신호(GB)가 공급된다.
그러면, 로우 레벨(L)의 초기화 신호(GI)에 대응하여 초기화 박막 트랜지스터(T4)가 턴 온(Turn on)되며, 전원 라인(124)으로부터 초기화 박막 트랜지스터(T4)를 통해 로우 레벨(L)의 가변 전원 전압(ELVDD_V)이 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트에 연결되고, 로우 레벨(L)의 가변 전원 전압(ELVDD_V)에 의해 구동 박막 트랜지스터(T1)가 초기화된다.
또한, 로우 레벨(L)의 리셋 신호(GB)에 대응하여 리셋 박막 트랜지스터(T7)가 턴 온되며, 전원 라인(124)으로부터 리셋 박막 트랜지스터(T7)를 통해 로우 레벨(L)의 가변 전원 전압(ELVDD_V)이 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 연결되고, 로우 레벨(L)의 가변 전원 전압(ELVDD_V)에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)가 초기화된다.
실시 예에서, 로우 레벨(L)의 가변 전원 전압(ELVDD_V)는 초기화 기간(IN1) 동안 리셋 박막 트렌지스터(T7)의 드레인, 초기화 박막 트랜지스터(T4-2)의 드레인에 공급되어 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전압을 방전시키고, 화소의 구동 박막 트랜지스터(T1) 게이트의 전압을 로우 레벨(L)의 전압으로 초기화시킨다. 이에 따라, 화소에 초기화 박막 트랜지스터(T4) 및 리셋 박막 트랜지스터(T7)에 초기화 전압을 공급하는 별도의 배선을 형성하지 않을 수 있다. 그러면, 화소에 포함된 소자들, 특히 스토리지 커패시터(Cst)의 면적을 넓게 형성할 수 있어, 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 풍부한 계조 표현이 가능한 효과가 있다.
초기화 기간(IN1)이 종료되면, 가변 전원 전압(ELVDD_V)의 레벨이 하이 레벨(H)로 변경되어 스캔 기간(IN2) 및 발광 기간(IN3) 동안 유지된다.
이 후, 스캔 기간(IN2) 중 스캔 라인(121)을 통해 로우 레벨(L)의 스캔 신호(GW[n])가 공급된다. 그러면, 로우 레벨(L)의 스캔 신호(GW[n])에 대응하여 스위칭 박막 트랜지스터(T2) 및 보상 박막 트랜지스터(T3)가 턴 온된다.
이 때, 구동 박막 트랜지스터(T1)는 턴 온된 보상 박막 트랜지스터(T3)에 의해 다이오드 연결되고, 순방향으로 바이어스된다.
그러면, 데이터 라인(171)으로부터 공급된 데이터 신호(Data)에서 구동 박막 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(Threshold voltage, Vth)만큼 감소한 보상 전압이 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트에 인가된다.
스토리지 커패시터(Cst)의 양단에는 하이 레벨(H)의 가변 전원 전압(ELVDD_V)과 보상 전압이 인가되고, 스토리지 커패시터(Cst)에는 양단 전압 차에 대응하는 전하가 저장된다. 이 후, 발광 기간(IN3) 동안 발광 제어 라인(123)으로부터 공급되는 발광 제어 신호(EM[n])가 하이 레벨(H)에서 로우 레벨(L)로 변경된다. 그러면, 발광 기간(IN3) 동안 로우 레벨(L)의 발광 제어 신호(EM[n])에 의해 동작 제어 박막 트랜지스터(T5) 및 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)가 턴 온된다.
그러면, 구동 박막 트랜지스터(T1)의 게이트의 전압과 하이 레벨(H)의 가변 전원 전압(ELVDD_V) 간의 전압차에 따르는 구동 전류(Id)가 발생하고, 발광 제어 박막 트랜지스터(T6)를 통해 구동 전류(Id)가 유기 발광 다이오드(OLED)에 공급된다.
상기의 실시 예에서는 박막 트랜지스터들(T1~T7)이 P타입 트랜지스터일 수 있다. 이때, 박막 트랜지스터들(T1~T7)를 턴 온시키는 게이트 온 전압은 로우 레벨 전압이고 턴 오프시키는 게이트 오프 전압은 하이 레벨 전압이다.
여기서는 P타입 트랜지스터를 나타내었으나, 박막 트랜지스터들(T1~T7) 중 적어도 어느 하나는 N타입 트랜지스터일 수 있다. 이때 N타입 트랜지스터를 턴 온시키는 게이트 온 전압은 하이 레벨 전압이고 턴-오프시키는 게이트 오프 전압은 로우 레벨 전압이다.
그리고, 하이 레벨(H)의 가변 전원 전압(ELVDD_V)과 로우 레벨(L)의 가변 전원 전압(ELVDD_V)의 극성은 서로 반대일 수 있다.
상기 각 구성요소들 중 적어도 일부는, 이하에서 설명되는 다양한 실시 예들에 따른 화소, 화소를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 동작, 제어, 또는 구동 방법을 구현하기 위하여 서로 협력하여 동작할 수 있다.
전술한 본 발명은, 프로그램이 기록된 매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 매체는, 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 매체의 예로는, HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Disk), SDD(Silicon Disk Drive), ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피 디스크, 광 데이터 저장 장치 등이 있으며, 또한 캐리어 웨이브(예를 들어, 인터넷을 통한 전송)의 형태로 구현되는 것도 포함한다. 또한, 상기 컴퓨터는 단말기의 제어부를 포함할 수도 있다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
10: 표시부 20: 스캔 구동부
22: 초기화 구동부 30: 데이터 구동부
40: 발광 구동부 50: 신호 제어부
60: 전원 공급부

Claims (16)

  1. 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔 라인, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 초기화 신호를 전달하는 초기화 라인, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 발광 제어 신호를 전달하는 발광 제어 라인, 상기 스캔 라인과 교차하며 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인 및 상기 스캔 라인과 교차하며 전원 전압을 전달하는 전원 라인을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서,
    상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터;
    상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인과 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터;
    상기 구동 박막 트랜지스터의 드레인에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드;
    게이트가 상기 초기화 라인에 연결되어 있고, 일 전극이 상기 전원 라인에 연결되어 있으며, 타 전극이 구동 박막 트랜지스터의 게이트에 연결되어 있고, 상기 초기화 라인을 통해 전달된 상기 초기화 신호에 의해 턴 온되어 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트로 상기 전원 전압을 인가하는 초기화 박막 트랜지스터; 및
    게이트가 상기 발광 제어 라인에 연결되어 있고, 일 전극이 상기 전원 라인에 연결되어 있으며, 타 전극이 상기 구동 박막 트랜지스터의 소스에 연결되어 있고, 상기 발광 제어 라인을 통해 전달된 발광 제어 신호에 의해 턴 온되어 상기 전원 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터로 전달하는 동작 제어 박막 트랜지스터;
    를 포함하고,
    한 프레임 내에서 상기 초기화 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 상기 전원 전압의 값과 상기 동작 제어 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 상기 전원 전압의 값이 서로 다르고,
    상기 초기화 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 상기 전원 전압의 값과 상기 동작 제어 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 상기 전원 전압의 극성이 서로 반대인,
    유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 전원 라인은 상기 초기화 박막 트랜지스터에 연결되는 제1 라인과 상기 동작 제어 박막 트랜지스터에 연결되는 제2 라인을 포함하고,
    상기 제1 라인 및 상기 제2 라인은 서로 교차하며, 접촉 구멍을 통해 서로 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하며 상기 구동 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 보상 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 발광 제어 라인을 통해 전달된 상기 발광 제어 신호에 의해 턴온되어, 상기 구동 박막 트랜지스터에서 상기 유기 발광 다이오드로 상기 전원 전압을 전달하는 발광 제어 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 발광 제어 박막 트랜지스터는 상기 구동 박막 트랜지스터의 드레인과 상기 유기 발광 다이오드 사이에 위치하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 기판 위에 형성되어 있으며 리셋 신호를 전달하는 리셋 라인; 및
    상기 리셋 라인을 통해 전달된 상기 리셋 신호에 의해 턴 온되어 상기 유기 발광 다이오드의 애노드로 상기 전원 전압을 인가하는 리셋 박막 트랜지스터를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 리셋 박막 트랜지스터는 상기 초기화 박막 트랜지스터와 함께 상기 제1 라인에 연결되는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 초기화 박막 트랜지스터와 상기 리셋 박막 트랜지스터는 동시에 턴온되는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 전원 라인에 연결되는 일단 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트에 연결되는 타단을 포함하는 스토리지 커패시터;
    를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 삭제
  10. 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 스캔 신호를 전달하는 스캔 라인, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 초기화 신호를 전달하는 초기화 라인, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 발광 제어 신호를 전달하는 발광 제어 라인, 상기 스캔 라인과 교차하며 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인 및 상기 스캔 라인과 교차하며 전원 전압을 전달하는 전원 라인, 및 상기 스캔 라인 및 상기 데이터 라인과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인과 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터, 상기 구동 박막 트랜지스터의 드레인에 연결되어 있는 유기 발광 다이오드, 게이트가 상기 초기화 라인에 연결되어 있고, 일 전극이 상기 전원 라인에 연결되어 있으며, 타 전극이 구동 박막 트랜지스터의 게이트에 연결되어 있는 초기화 박막 트랜지스터, 및 게이트가 상기 발광 제어 라인에 연결되어 있고, 일 전극이 상기 전원 라인에 연결되어 있으며, 타 전극이 상기 구동 박막 트랜지스터의 소스에 연결되어 있는 동작 제어 박막 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소가 배치되는 표시부, 상기 화소들에 연결되는 데이터 구동부, 상기 화소에 연결되는 스캔 구동부, 상기 화소에 연결되는 초기화 구동부, 상기 화소에 연결되는 발광 구동부 및 상기 화소로 전원 전압을 공급하는 전원 공급부를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    상기 전원 전압이 로우 레벨로 변경되는 단계;
    상기 초기화 박막 트랜지스터가 턴 온되어 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트로 상기 로우 레벨의 전원 전압을 인가하도록, 상기 초기화 구동부가 인에이블 레벨의 초기화 신호를 화소로 인가하는 단계;
    상기 전원 전압이 하이 레벨로 변경되는 단계;
    상기 전원 전압이 하이 레벨로 변경된 후, 상기 스캔 구동부 및 상기 데이터 구동부가 상기 화소에 데이터 신호를 기입하는 단계; 및
    상기 동작 제어 박막 트랜지스터가 상기 하이 레벨의 전원 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터로 전달하도록, 상기 화소에 상기 데이터 신호가 기입된 후, 상기 발광 구동부가 인에이블 레벨의 발광 제어 신호를 상기 화소로 인가하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 초기화 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 상기 전원 전압의 값과 상기 동작 제어 박막 트랜지스터가 턴 온되는 동안의 상기 전원 전압의 극성이 서로 반대인.
    유기 발광 표시 장치 구동 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 화소는 상기 초기화 신호에 의해 턴 온되는 초기화 박막 트랜지스터 및 상기 유기 발광 다이오드로 구동 전류를 공급하는 구동 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 초기화 구동부가 인에이블 레벨의 초기화 신호를 화소로 인가하는 단계는 상기 초기화 박막 트랜지스터가 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트로 상기 로우 레벨의 전원 전압을 연결하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 구동 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 초기화 구동부가 인에이블 레벨의 리셋 신호를 상기 화소로 인가하는 단계;
    를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치 구동 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 화소는 상기 리셋 신호에 의해 턴 온되는 리셋 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 초기화 구동부가 인에이블 레벨의 리셋 신호를 상기 화소로 인가하는 단계는 상기 리셋 박막 트랜지스터가 상기 유기 발광 다이오드의 애노드로 상기 로우 레벨의 전원 전압을 연결하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 구동 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 초기화 구동부가 상기 인에이블 레벨의 초기화 신호를 화소로 인가하는 단계와 상기 초기화 구동부가 상기 인에이블 레벨의 리셋 신호를 상기 화소로 인가하는 단계는 동시에 수행되는 유기 발광 표시 장치 구동 방법.
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