CN105143390B - 有机膜化学机械研磨浆料组成物及使用其的研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于研磨有机膜的有机膜CMP浆料组成物及使用其的研磨方法，该CMP浆料组成物包含至少极性溶剂或非极性溶剂以及金属氧化物研磨剂，其中所述组成物为酸性，且所述有机膜具有约50原子％至95原子％的碳含量。该CMP浆料组成物在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜后在研磨表面上展示极优良平坦化程度，且使残余在研磨停止膜上的有机膜的残余物(residue)易于移除，借此确保更均匀研磨。

Description

有机膜化学机械研磨浆料组成物及使用其的研磨方法
技术领域
本发明是关于用于有机膜的CMP浆料组成物及使用其的研磨方法。
背景技术
用于制造半导体的方法包含在图案化硅晶圆上形成无机膜(例如氧化硅膜或氮化硅膜)的制程及间隙填充(gap-fill)无机膜中所形成的介层孔(via-hole)的制程。进行间隙填充制程以用有机膜材料填充介层孔，在间隙填充制程之后，进行平坦化制程以移除过量有机膜。关于平坦化制程，本领域中关注通过化学机械研磨(chemical mechanicalpolishing，CMP)来进行研磨。
用于有机膜的典型的CMP浆料组成物包含聚合物研磨粒子，以允许有机膜在无表面条件劣化(诸如刮痕)的情况下，以每单位时间高研磨量进行研磨。但是，就某一种有机膜而言，由于有机膜并非由相同材料制成，因此典型的CMP浆料组成物未能在增强研磨表面上的平坦化程度的同时达成所需研磨量。另外，当用于研磨诸如硅及其类似物的金属膜的金属氧化物研磨剂用于研磨有机膜时，对于某一种有机膜而言难以达成所需研磨量，且/或研磨表面上的平坦化程度由于刮痕及其类似物而降低。
发明内容
技术问题
本发明的一个态样提供用于有机膜的CMP浆料组成物，所述组成物在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜时具有极优良效果。
本发明的另一态样提供用于有机膜的CMP浆料组成物，其在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜后在研磨表面上展示极优良平坦化程度，且使残余在研磨停止膜上的有机膜的残余物(residue)易于移除，借此确保更均匀研磨。
技术方案
根据本发明的用于有机膜的CMP浆料组成物可包含极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种；以及金属氧化物研磨剂，其中所述组成物为酸性且能够用于研磨具有约50原子％至95原子％的碳含量的有机膜。
根据本发明的研磨有机膜的方法可包含使用用于有机膜的CMP浆料组成物研磨有机膜，所述有机膜具有约50原子％至95原子％的碳含量、约0.5公克/立方公分至约2.5公克/立方公分的膜密度以及约0.4GPa或更大的硬度。
本发明的效果
本发明提供用于有机膜的CMP浆料组成物，所述组成物在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜时具有极优良效果。本发明提供用于有机膜的CMP浆料组成物，其在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜后在研磨表面上展示极优良平坦化程度，且使残余在研磨停止膜上的有机膜的残余物(residue)易于移除，借此确保更均匀研磨。
附图说明
图1(a)和图1(b)展示根据本发明的一个实施例的用于研磨有机膜的方法的示意图。
具体实施方式
将参照附图更详细地描述本发明的例示性实施例以使得熟习此项技术者可易于了解及使用本发明。应了解，本发明可以不同方式体现且不限于以下实施例。在图式中，为清楚起见将省去与描述无关的部分。在本说明书通篇中相同组件将由相同参考数字指示。
如本文所用，术语“经取代或未经取代”意谓官能基中的氢原子未经取代或经以下取代：羟基、卤素原子、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C7至C30芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、包含P的官能基、包含B的官能基或其组合。
如本文所用，术语“包含P的官能基”可由式A表示，且术语“包含B的官能基”可由式B表示：
<式A>
*-(O)n-(CH2)m-P(＝O)(R)(R′)
<式B>
*-B(R)(R′)
(其中在式A及式B中，*为元素的连接部分，n为0或1，m为0至10的整数，
R、R′各自独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C1至C20卤烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基磺酸酯基(alkylsulfonate group)、经取代或未经取代的C1至C20烷磺酰基、经取代或未经取代的C2至C20烷酰胺基(alkylamide)、经取代或未经取代的C3至C20烷基酯基、经取代或未经取代的C2至C20氰基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳基烷基或经取代或未经取代的C6至C30芳氧基，或
R、R′彼此连接以形成经取代或未经取代的C3至C20环烷基或经取代或未经取代的C3至C20杂环烷基)。
较佳地，“包含P的官能基”为包含P及O的官能基，例如-P(＝O)(OH)2、-O-P(＝O)(OH)2、-P(＝O)(OCH2CH3)2、-P(＝O)(C2H4C6H5)(OCH2CH3)及其类似基团，举例而言，“包含B的官能基”为包含B及O的官能基，例如-B(OH)2、-B(H)(CH3)、-B(CH2CH3)2。
当无机膜沉积在例如图案化硅晶圆的图案化晶圆上时，有机膜填充其中所形成的介层孔(via-hole)。CMP浆料组成物必须能够以足够的研磨速率研磨有机膜以平坦化沉积的膜且能够增加研磨表面上的平坦化程度，在研磨后，无机膜上的剩余残余物必须易于移除。无机膜可为但不限于由氧化硅及氮化硅中的至少一者形成的膜。
视有机膜的材料而定，有机膜可具有显著不同的每单位时间研磨量及研磨后的平坦化程度。根据本发明的用于有机膜的CMP浆料组成物为用于研磨具有高碳含量的有机膜的组成物。当使用本发明的CMP浆料组成物研磨有机膜时，有可能增强每单位时间有机膜的研磨量及有机膜的平坦化程度，且有助于在研磨后自无机膜移除残余物。
与典型有机膜相比，作为研磨目标的根据本发明的有机膜在碳含量、膜密度及硬度方面具有相对较高值，且因此无法使用典型的包含聚合物粒子的用于有机膜的CMP浆料组成物进行研磨。相反，根据本发明的CMP浆料组成物能够在没有由刮痕引起的表面条件劣化的情况下，以每单位时间有机膜的高研磨量研磨有机膜。特定言之，每单位时间有机膜的研磨量为约500埃/分钟或更大，例如约1,000埃/分钟或更大，例如约500埃/分钟至5000埃/分钟。在此范围内，可确保所需研磨量。
在一个实施例中，有机膜可具有约50原子％至95原子％的碳含量，例如约65原子％至95原子％，或例如约70原子％至92原子％，诸如约65原子％、66原子％、67原子％、68原子％、69原子％、70原子％、71原子％、72原子％、73原子％、74原子％、75原子％、76原子％、77原子％、78原子％、79原子％、80原子％、81原子％、82原子％、83原子％、84原子％、85原子％、86原子％、87原子％、88原子％、89原子％、90原子％、91原子％、92原子％、93原子％、94原子％或95原子％。在此范围内，当使用金属氧化物研磨剂研磨有机膜时，研磨量为高的，不存在刮痕，且研磨表面上的平坦化程度为高的。有机膜可具有约0.5公克/立方公分至2.5公克/立方公分的膜密度，例如约1.0公克/立方公分至2.0公克/立方公分，例如约1.2公克/立方公分至1.6公克/立方公分，例如约0.5公克/立方公分、0.6公克/立方公分、0.7公克/立方公分、0.8公克/立方公分、0.9公克/立方公分、1.0公克/立方公分、1.1公克/立方公分、1.2公克/立方公分、1.3公克/立方公分、1.4公克/立方公分、1.5公克/立方公分、1.6公克/立方公分、1.7公克/立方公分、1.8公克/立方公分、1.9公克/立方公分、2.0公克/立方公分、2.1公克/立方公分、2.2公克/立方公分、2.3公克/立方公分、2.4公克/立方公分或2.5公克/立方公分。在此范围内，当使用金属氧化物研磨剂研磨有机膜时，研磨量为高的，不存在刮痕，且研磨表面上的平坦化程度为高的。有机膜可具有约0.4GPa或更大的硬度，例如约1.0GPa或更大，例如约1.3GPa或更大，例如约1.0GPa至1.5GPa，例如约0.4GPa、0.5GPa、0.6GPa、0.7GPa、0.8GPa、0.9GPa、1.0GPa、1.1GPa、1.2GPa、1.3GPa、1.4GPa或1.5GPa。在此范围内，当使用金属氧化物研磨剂研磨有机膜时，研磨量为高的，不存在刮痕，且研磨表面上的平坦化程度为高的。
另外，根据本发明的有机膜可具有实质上约0毫克KOH/公克的酸值。在使用先前技术中包含聚合物研磨剂的用于有机膜的CMP浆料组成物研磨有机膜的情况下，存在研磨速率降低的问题。相反，根据本发明的CMP浆料组成物具有可确保适用于CMP制程的每单位时间有机膜的研磨量的优点。术语“实质上”包含其中酸值不仅为0毫克KOH/公克且也为具有可接受的误差幅度的0毫克KOH/公克的情况。
特定言之，根据本发明的有机膜可通过将包含具有经取代或未经取代的芳族基的化合物的组成物施用于无机膜上，接着在高温下，例如在约200℃至400℃下烘烤(baking)来产生。
术语“具有经取代或未经取代的芳族基的化合物”是指在烘烤后未分解，且使由组成物形成的有机膜具有高碳含量的化合物。未经取代的芳族基是指单个或具有碳数6至100(例如碳数6至50)的稠合(fused)多环(polycyclic)芳族基。更特定言之，未经取代的芳族基可包含由式1-1至1-26表示的单元：
<式1-1>
<式1-2>
<式1-3>
<式1-4>
<式1-5>
<式1-6>
<式1-7>
<式1-8>
<式1-9>
<式1-10>
<式1-11>
<式1-12>
<式1-13>
<式1-14>
<式1-15>
<式1-16>
<式1-17>
<式1-18>
<式1-19>
<式1-20>
<式1-21>
<式1-22>
<式1-23>
<式1-24>
<式1-25>
<式1-26>
(其中在式1-1至式1-26中，Z1至Z18各自独立地为单键、经取代或未经取代的C1至C20伸烷基、经取代或未经取代的C2至C20伸烯基、经取代或未经取代的C2至C20伸炔基、经取代或未经取代的C3至C20环伸烷基、经取代或未经取代的C3至C20环伸烯基、经取代或未经取代的C6至C20伸芳基、经取代或未经取代的C2至C20伸杂芳基、-(C＝0)-、-NRa-、-CRbRc-、氧(O)、硫(S)或其组合，且其中Ra至Rc各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1至C10烷基、卤素原子、经取代或未经取代的C6至C20芳基、经取代或未经取代的C2至C20杂芳基或其组合)。
用于形成有机膜的组成物的实施例将在下文中详细描述，所述组成物包含具有经取代或未经取代的芳族基的化合物。
在第一实施例中，用于形成有机膜的组成物可包含作为具有经取代或未经取代的芳族基的化合物的包含式2的物质：
<式2>
(其中在式2中，n为1≤n＜190，
R1为氢、羟基、卤素原子、烯丙基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C7至C30芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、包含P的官能基、包含B的官能基或其组合，
R2为氢、胺基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C6至C20芳氧基、二烷胺基(-NRR′，其中R、R′各自独立地为经取代或未经取代的C1至C10烷基或经取代或未经取代的C6至C10芳基)、羟基、卤素原子、烯丙基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C7至C30芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、包含P的官能基、包含B的官能基或其组合，
R3为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
举例而言，R2可为经取代或未经取代的C1至C10烷氧基。
包括式2的物质可增加在烘烤有机膜组成物后形成的有机膜的碳含量、膜密度及硬度。制备包括式2的物质的详细方法可见于韩国专利第10-0866015号中。
根据第一实施例的有机膜组成物除包括式2的物质外，可还包含交联组分、酸催化剂及有机溶剂中的至少一种。特定言之，有机膜组成物可包含约1重量％至20重量％的包括式2的物质、约0.1重量％至5重量％交联组分、约0.001重量％至0.05重量％酸催化剂以及约75重量％至98.8重量％有机溶剂。
交联组分可包含≤聚氰胺树脂(特定实例可包含N-甲氧基甲基-三聚氰胺树脂，N-丁氧基甲基三聚氰胺树脂)、甲基化或丁基化尿素树脂、胺基树脂、由式3表示的甘脲衍生物(glycoluril derivative)、由式4表示的双环氧化合物以及由式5表示的三聚氰胺衍生物中的至少一种：
<式3>
<式4>
<式5>
酸催化剂可包含对甲苯磺酸酯单水合物、对甲苯磺酸吡啶鎓(pyridinium p-toluene sulfonate)、2，4，4，6-四溴环己二烯酮、安息香甲苯磺酸酯、2-硝基苄基甲苯磺酸酯及有机磺酸的烷基酯中的至少一种。任何能够充分溶解具有经取代或未经取代的芳族基的化合物的有机溶剂可用作有机溶剂，例如，有机溶剂的实例可包含丙二醇单甲醚乙酸酯、环己酮、乳酸乙酯及其类似物。
根据第一实施例的有机膜组成物可涂布至约500埃至4000埃厚度，接着在约200℃至400℃下烘烤约10秒至10分钟以形成有机膜，但不限于此。
在第二实施例中，用于形成有机膜的组成物可包含由式6表示的物质作为具有经取代或未经取代的芳族基的化合物：
<式6>
(其中在式6中，R4至R9、X1至X6各自独立地为氢、羟基、卤素原子、烯丙基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C7至C30芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、包含P的官能基、包含B的官能基或其组合，
n1至n6各自独立地为0至2，2≤n1+n2+n3+n4+n5+n6≤6)
举例而言，R4至R9各自独立地为经取代或未经取代的C1至C10烷基、经取代或未经取代的C6至C20芳基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C3至C20环烯基、包含P的官能基或包含B的官能基。
举例而言，X1至X6各自独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、胺基、包含P的官能基或包含B的官能基。
除根据第二实施例的有机膜组成物包含由式6表示的物质替代包括式2的物质作为具有经取代或未经取代的芳族基的化合物以外，根据第二实施例的有机膜组成物实质上与根据第一实施例的有机膜组成物相同。以下为由式6表示的物质的描述。
由式6表示的物质可为两种或多于两种化合物的混合物，其中取代基的位置彼此不同。另外，由式6表示的物质包含在短波长范围(例如约193纳米、约248纳米)内具有强吸收的芳环，且因此在高温下进行交联反应而不使用特定催化剂，从而防止催化剂尤其酸污染。由式6表示的具有芳族基的化合物可具有约500公克/莫耳至4000公克/莫耳的平均分子量。在此范围内，有机膜组成物可形成具有适当厚度的有机膜或极佳薄膜。
由式6表示的物质可增加在烘烤有机膜组成物后形成的有机膜的碳含量、膜密度及硬度。由式6表示的物质可通过但不限于典型方法产生，例如通过使蔻与乙酰氯、苯甲酰氯、萘甲酰氯或环己基甲酰氯反应，接着还原所得物质。用于产生由式6表示的物质的更详细方法可见于韩国专利第10-1311942号中。
在第三实施例中，用于形成有机膜的组成物可包含含有芳族基的聚合物作为具有经取代或未经取代的芳族基的化合物，所述含有芳族基的聚合物是由以下各者(i)、(ii)、(iii)中选出：
(i)由式7表示的化合物，
(ii)由式7表示的化合物与由式8表示的化合物的混合物及
(iii)由式9表示的化合物。
<式7>
<式8>
<式9>
(其中在式7至式9中，m、n分别为1≤n＜750、1≤m＜750、2≤m+n＜1500，
R10为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
R11为氢、羟基、卤素原子、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C7至C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、包含P的官能基、包含B的官能基或其组合，
R12为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
R13为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
R14为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
R15为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
R10、R13、R15中的R各自独立地为氢、羟基、卤素原子、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C7至C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、包含P的官能基、包含B的官能基或其组合)。
除根据第三实施例的有机膜组成物包含含有芳族基的聚合物替代包括式2的物质作为具有经取代或未经取代的芳族基的化合物以外，根据第三实施例的有机膜组成物实质上与根据第一实施例的有机膜组成物相同。以下为含有芳族基的聚合物的描述。
含有芳族基的聚合物可增加在烘烤有机膜组成物后形成的有机膜的碳含量、膜密度及硬度。含有芳族基的聚合物可通过典型方法产生。用于产生聚合物的详细方法可见于韩国专利第10-0908601号中。
在第四实施例中，用于形成有机膜的组成物可包含有包括式2的物质；由式6表示的物质；以及由(i)、(ii)、(iii)中选出的含有芳族基的聚合物中的至少两者作为具有经取代或未经取代的芳族基的化合物。除根据第四实施例的有机膜组成物包含至少两种具有经取代或未经取代的芳族基的化合物以外，根据第四实施例的用于形成有机膜的组成物实质上与根据第一实施例的用于形成有机膜的组成物相同。
接下来将描述根据本发明的一个实施例的用于有机膜的CMP浆料组成物。
根据本发明的一个实施例的用于有机膜的CMP浆料组成物可包含极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种；以及金属氧化物研磨剂，且可为酸性。因此，组成物可在无刮痕情况下以高研磨量研磨本发明的有机膜，且可增加研磨表面上的平坦化程度。
当用金属氧化物研磨剂研磨具有高碳含量的有机膜时，极性及/或非极性溶剂可用于减小摩擦。极性及/或非极性溶剂的实例可包含水，例如超纯水、有机胺、有机醇、有机醇胺、有机醚、有机酮及其类似物。举例而言，超纯水可用作极性及/或非极性溶剂。极性及/或非极性溶剂可以余量存在于CMP浆料组成物中。
金属氧化物研磨剂可用于以高研磨量研磨具有高碳含量、高膜密度及高硬度的有机膜。特定言之，当用金属氧化物研磨剂研磨根据本发明的有机膜时，金属氧化物研磨剂可增强研磨表面上的平坦化程度而无刮痕。更特定言之，金属氧化物研磨剂可包含二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、二氧化钛以及氧化锆中的至少一种。特定言之，二氧化硅可具有较佳分散稳定性。即使在浆料组成物中不存在氧化剂或存在极少量氧化剂的情况下，二氧化铈仍可提供高研磨速率。
金属氧化物研磨剂由球状颗粒组成且具有约10纳米至约150纳米的平均粒径，例如约30纳米至70纳米，例如约30纳米、35纳米、40纳米、45纳米、50纳米、55纳米、60纳米、65纳米或70纳米。在此范围内，对于本发明的有机膜而言，金属氧化物研磨剂可在无刮痕情况下确保足够的研磨速率，且增强平坦化程度。
金属氧化物研磨剂是以约0.1重量％至20重量％，例如约0.1重量％至15重量％，例如约0.1重量％至5重量％，例如约0.1重量％、0.2重量％、0.3重量％、0.4重量％、0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％、1重量％、1.1重量％、1.2重量％、1.3重量％、1.4重量％、1.5重量％、1.6重量％、1.7重量％、1.8重量％、1.9重量％、2重量％、2.1重量％、2.2重量％、2.3重量％、2.4重量％、2.5重量％、2.6重量％、2.7重量％、2.8重量％、2.9重量％、3重量％、3.1重量％、3.2重量％、3.3重量％、3.4重量％、3.5重量％、3.6重量％、3.7重量％、3.8重量％、3.9重量％、4重量％、4.1重量％、4.2重量％、4.3重量％、4.4重量％、4.5重量％、4.6重量％、4.7重量％、4.8重量％、4.9重量％或5重量％的量存在于CMP浆料组成物中。在金属氧化物研磨剂的此含量范围内，对于本发明的有机膜而言，浆料组成物可在无刮痕的情况下确保足够的研磨速率且增强分散稳定性。较佳地，浆料组成物通过增加金属氧化物研磨剂的平均粒径同时减少浆料组成物中金属氧化物研磨剂的含量来确保对于有机膜而言增强的研磨速率及对于无机膜而言较低的研磨速率。
CMP浆料组成物可为酸性，且因此具有有机膜比无机膜的高研磨选择性比，且可增强有机膜的每单位时间的研磨量及平坦化程度。特定言之，CMP浆料组成物可具有约6或更小的pH值，例如约5或更小，例如1至5，例如约1.0、1.1、1.2、1.3、1.4、1.5、1.6、1.7、1.8、1.9、2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、2.7、2.8、2.9、3、3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6、3.7、3.8、3.9、4、4.1、4.2、4.3、4.4、4.5、4.6、4.7、4.8、4.9或5。可使用例如pH值调节剂调节根据本发明的一个实施例的CMP浆料组成物的pH值使其属于此pH值范围内。pH值调节剂的实例可包含但不限于无机酸，例如硝酸、磷酸、盐酸以及硫酸中的至少一种，以及有机酸，例如具有6或小于6的pKa值的有机酸，例如乙酸及柠檬酸中的至少一种。
CMP浆料组成物可还包含添加剂。举例而言，CMP浆料组成物可还包含作为添加剂的研磨促进剂。研磨促进剂抑制无机膜的研磨速率，借此增加有机膜比无机膜的研磨选择性比。研磨促进剂可包含至少一种有机酸，诸如苹果酸、柠檬酸、甲酸、戊二酸、草酸、酞酸、丁二酸、酒石酸、顺丁烯二酸以及丙二酸。研磨促进剂可以约0.02重量％至0.5重量％的量存在于CMP浆料组成物中。在此范围内，组成物对研磨速率、浆料的分散稳定性以及有机碳膜的表面特性不具有有害影响。
CMP浆料组成物可还包含pH值调节剂以使组成物的pH值为酸性。pH值调节剂可以使得浆料组成物的pH值可适当调节的量存在，借此增加有机膜比无机膜的研磨选择性。
下文中将描述根据本发明的另一实施例的用于有机膜的CMP浆料组成物。
根据另一实施例的用于有机膜的CMP浆料组成物可包含极性及/或非极性溶剂、金属氧化物研磨剂以及氧化剂，且因此可为酸性。如与根据一个实施例的用于有机膜的CMP浆料组成物相比，根据另一实施例的CMP浆料组成物可还包含氧化剂，借此增加有机膜比无机膜的研磨选择性比、有机膜的研磨速率以及研磨表面上的平坦化程度。除根据此实施例的CMP浆料组成物还包含氧化剂以外，根据此实施例的CMP浆料组成物与根据一个实施例的CMP浆料组成物实质上相同。以下描述氧化剂。
为了有助于研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机碳膜，氧化剂使有机膜的表面层氧化以有助于研磨有机膜。当无机膜因为研磨而暴露时，氧化剂可使有机膜表面光滑，借此甚至在研磨后改善有机膜的粗糙度(roughness)。另外，氧化剂有助于移除残余在无机膜上的有机膜的残余物，借此确保均匀研磨。
特定言之，氧化剂可包含呈多价氧化态的金属盐及过渡金属螯合剂中的至少一种。如本文所用，术语“多价”是指二价或更高，例如三价或更高，例如四价或更高。
呈多价氧化态的金属盐能够增加有机膜的研磨速率同时降低无机膜的研磨速率。金属盐可包含金属，诸如过渡金属、镧系元素及其类似物，且可还包含卤素、铵、硝酸盐及其类似物。特定言之，金属盐可包含铈铵盐、卤铁盐、硝酸铁盐及其类似物。举例而言，金属盐可包含硝酸铈铵、硝酸铁、氯化铁及其类似物。
过渡金属螯合剂可增加有机膜的研磨速率同时降低无机膜的研磨速率。
在过渡金属螯合剂中，过渡金属包含属于周期表第3族至第12族的典型过渡金属，例如铁、铜、锰或铬。螯合剂的实例可包含草酸、经胺基取代的羧酸(例如胺基聚羧酸，诸如亚胺二乙酸、乙二胺二丁二酸(ethylenediaminedisuccinic acid)、亚胺二丁二酸(iminodisuccinic acid)、乙二胺四乙酸、氮基三乙酸；α-胺基酸，诸如甘胺酸，β-胺基酸)、经羟基取代的羧酸(例如含有羟基的聚羧酸，诸如乙醇酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸以及酒石酸)、膦酰基羧酸(phosphonocarboxylic acid)、胺基膦酸及其组合。过渡金属螯合剂的实例可包含但不限于含铁化合物，诸如丙二胺四乙酸铁(propylene diamine tetraaceticacid-Fe)及其类似物，以及含锰化合物，诸如丙二胺四乙酸锰(propylene diaminetetraacetic acid-Mn)及其类似物中的至少一者。
氧化剂可以约0.001重量％至15重量％的量存在于CMP浆料组成物中，例如约0.01重量％至5重量％，例如约0.05重量％至3重量％，例如约0.05重量％、0.1重量％、0.15重量％、0.2重量％、0.25重量％、0.3重量％、0.35重量％、0.4重量％、0.45重量％、0.5重量％、0.55重量％、0.6重量％、0.65重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.85重量％、0.9重量％、0.95重量％、1重量％、1.5重量％、2重量％、2.5重量％或3重量％。在此氧化剂范围内，对于有机膜而言，CMP浆料组成物可维持适合蚀刻能力。CMP浆料组成物可为酸性且改善氧化剂稳定性，借此增强有机膜的研磨速率、研磨表面上的平坦化程度以及有机膜比无机膜的研磨选择性比。
接下来，将描述根据本发明的研磨有机膜的方法。
根据本发明的用于研磨有机膜的方法可包含使用根据本发明的用于有机膜的CMP浆料组成物研磨具有高碳含量、高膜密度以及高硬度的有机膜。CMP浆料组成物可包含根据本发明的实施例的用于有机膜的CMP浆料组成物。参考图1(a)展示在研磨前硅晶圆、无机膜以及有机碳膜的堆迭结构。硅晶圆100经受图案化以在其上形成雕刻部分，接着将无机膜110沈积在硅晶圆100上。随后将有机碳膜120沈积在无机膜上，接着在约200℃至约400℃下烘烤以形成堆迭结构。在图1(a)中，T指示虚拟研磨停止线。将CMP浆料组成物涂覆至图1(a)中所示的有机膜上，接着将研磨垫置放在其上且旋转硅晶圆100以研磨堆迭结构。进行研磨直至晶圆到达研磨停止线T为止，如图1(b)中所示。
发明模式
接下来，将参照以下实例更详细地描述本发明。此等实例是仅出于说明目的提供，且不应理解为以任何方式限制本发明。
制备实例1
将具有温度计、冷凝器、机械搅拌器以及滴液漏斗的2000毫升三颈烧瓶浸在140℃油浴中。在热板上进行加热且通过磁体搅拌，且将冷却水设定为40℃。将220公克(1莫耳)1-甲氧基芘置放在烧瓶中，接着添加138公克(1.0莫耳)1，4-双甲氧基甲苯，其又溶解于656公克丙二醇单甲醚乙酸酯中。随后向溶液中添加4.6公克(0.03莫耳)硫酸二乙酯。烧瓶温度维持在130℃。通过在聚合期间以某些时间间隔量测反应物的分子量来确定反应完成点。通过将1公克反应物冷却至室温，从而自其中获得0.02公克混合物，接着用四氢呋喃稀释反应物以使得固体含量为4重量％来制备用于量测分子量的样品。为了在预定反应完成点完成反应，向烧瓶中添加4.48公克(0.03mol)三乙醇胺作为中和剂，接着搅拌。随后，将反应物缓慢冷却至室温。反应物用500公克丙二醇单甲醚乙酸酯稀释。然后，向2000毫升分液漏斗中添加溶剂。以90∶10(公克/公克)的比率制备甲醇与乙二醇的4公斤混合物。所合成的聚合物溶液在剧烈搅拌下滴至醇混合物中。***瓶底部收集所得聚合物且将上清液单独储存。在移除上清液后，在旋转式蒸发器中在60℃下、在减压下经10分钟自最终反应物移除甲醇。
作为量测所获得的共聚物的重量平均分子量及分散性的四氧呋喃下的透胶层析术的结果，所获得的共聚物包含式10的单元，且具有4000的重量平均分子量及2.3的分散性。
<式10>
(n＝11且Me为甲基)
将0.8公克所制备的共聚物、0.2公克由式3表示的交联剂(粉末连接剂1174(Powderlink 1174)，氰特工业公司(Cytec Industries Inc.))以及2毫克对甲苯磺酸吡啶鎓溶解于9公克丙二醇单甲醚乙酸酯中，接着过滤反应物以制备用于形成有机膜的组成物。
制备实例2
向具有机械搅拌器及冷凝器的2公升四颈烧瓶中添加通过将30.1公克(0.1莫耳)蔻、47.1公克(0.6莫耳)乙酰氯、79.8公克(0.6莫耳)三氯铝溶解于1000公克甲苯中而制备的溶液，接着用搅拌器搅拌溶液且反应10小时。在反应完成后，使用水自反应物移除三氯铝。向所获得的化合物中添加37.83公克(1.0莫耳)硼氢化钠，且随后使反应进行17小时。在反应完成后，使用水/甲醇混合物移除副产物以获得由式11表示的化合物(平均分子量：530公克/莫耳，1≤n1+n2+n3+n4+n5+n6≤6)。
<式11>
将0.8公克由式11表示的化合物溶解于9公克丙二醇单甲醚乙酸酯中，接着过滤溶液以产生用于有机膜的组成物。
实例1至实例9
在于其面上形成有雕刻图案的图案化晶圆上沈积作为研磨停止膜的二氧化硅膜达到5000埃的厚度。为了填充二氧化硅膜表面上所形成的雕刻图案，形成有机膜达到2650埃的厚度。通过将制备实例1中所制备的组成物涂覆至二氧化硅膜，接着在400℃下烘烤来制备有机膜。
涂覆制备实例1中所制备的组成物，且在400℃下烘烤120秒以获得具有4700埃至4800埃厚度的样本。使用纳米压痕器(海思创TI750 Ubi(Hysitron TI750 Ubi))量测样本硬度。通过将纳米压痕器尖端装载(loading)在样本上5秒，固持(holding)尖端2秒且经5秒卸载(unloading)尖端来量测硬度。硬度为0.9GPa。使用元素分析器(EA1112，赛默飞(Thermo))量测相同样本的碳含量。特定言的，通过在O2存在下燃烧适量样品来量测碳含量，且碳含量为72原子％。使用XRR(X射线反射率)测试仪(X′Pert PRO，帕纳科(PANalytical))量测相同样本的膜密度。特定言的，将通过X射线照射所获得的折射图案与已知折射图案相比较。膜密度为1.4公克/立方公分。量测相同样本的酸值且结果为0毫克KOH/公克。
制备包含超纯水及表1中所列组分的CMP浆料组成物且用于在以下研磨条件下研磨。
实例10至实例18
在表面上具有雕刻图案的图案化晶圆上沉积作为研磨停止膜的二氧化硅膜达到5000埃的厚度。为了填充二氧化硅膜表面上所形成的雕刻图案，形成有机膜达到2650埃的厚度。通过将制备实例2中所制备的组成物涂覆至二氧化硅膜上，接着在400℃下烘烤来制造有机膜。
涂覆制备实例2中所制备的组成物，且在400℃下烘烤120秒以获得具有4700埃至4800埃的厚度的样本。以与实例1中相同的方式量测样本的硬度、碳含量、膜密度以及酸值。硬度为1.5GPa，碳含量为80原子％，膜密度为1.7公克/立方公分且酸值为0毫克KOH/公克。
制备包含超纯水及表2中所列组分的CMP浆料组成物且用于在以下研磨条件下研磨。
比较实例1至比较实例3
除使用具有表1中所列组分的CMP浆料组成物外，以与实例1中相同的方式制备CMP浆料组成物且用于在以下研磨条件下研磨。
比较实例4至比较实例6
除使用具有表2中所列组分的CMP浆料组成物外，以与实例2中相同的方式制备CMP浆料组成物且用于在以下研磨条件下研磨。
(1)CMP浆料组成物的各别组分的细节
(A)金属氧化物研磨剂：(a1)具有60纳米的平均粒径的二氧化铈(索尔维公司)，(a2)具有35纳米的平均粒径的胶态二氧化硅(赢创公司)
(B)氧化剂：(b1)硝酸铈铵(三勇公司)，(b2)硝酸铁(纯正化学公司)，(b3)过氧化氢(东友公司)，(b4)过硫酸铵(大均公司)
(C)pH值调节剂：氢氧化钾(三勇公司)，
(D)研磨促进剂：甲酸(大均公司)
*表1与表2的单位是重量％。
(2)研磨条件、研磨量以及平坦化程度
作为研磨垫，使用由富士纺公司制造的H0800CMP垫。使用由应用材料公司(Applied Materials，AMAT Inc.)制造的200mm MIRRA装置，在1.0psi、200毫升/分钟浆料流动速率、90rpm台板(table)及轴(spindle)速率的条件下进行1分钟研磨。量测研磨量且展示于表1及表2中。通过检查与无机膜相比，CMP浆料组成物是否均匀研磨有机膜来测定研磨表面上的平坦化程度。在如上所述进行研磨后，使用薄膜厚度量测装置(ST4000，K-MAC)来量测研磨表面的厚度(单位：埃)，且由结果计算标准差。
表1
[表1]
表2
[表2]
*研磨表面上的平坦化程度(均匀性)：较低平坦化程度指示较佳平坦化。
如表1及表2中所示，可见本发明用于有机膜的CMP浆料组成物在具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜的研磨表面上具有高研磨速率及高平坦化程度。另外，亦可见，如与实例1相比，实例2至实例18通过还包含特定氧化剂而在具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜的研磨表面上具有增强的研磨速率及增强的平坦化程度。
因此，本发明提供一种用于有机膜的CMP浆料组成物，所述组成物在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜时具有极优良效果。另外，本发明提供一种用于有机膜的CMP浆料组成物，其在研磨具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜后在研磨表面上展示极优良平坦化程度，且使残余在研磨停止膜上的有机膜的残余物(residue)易于移除，借此确保更均匀研磨。
相反，其中包含金属氧化物研磨剂且不为酸性的比较实例的组成物对具有高碳含量、膜密度及硬度的有机膜展示明显低的研磨速率，及与实例的组成物相比低得多的研磨表面上的平坦化程度。
应了解，熟习此项技术者可在不偏离本发明的精神及范畴的情况下作出各种修改、变化、更改及等效实施例。

Claims (13)

1.一种CMP浆料组成物，用于研磨有机膜，包括：
极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种；
金属氧化物研磨剂；以及
氧化剂为铈铵盐，
其中所述CMP浆料组成物为酸性，且所述有机膜含有50原子％至95原子％的碳，
其中所述CMP浆料组成物具有1.9或更小的pH值，
其中所述氧化剂以0.001重量％至1重量％的量存在于所述CMP浆料组成物中，
所述有机膜具有0.5公克/立方公分至2.5公克/立方公分的膜密度及0.4GPa或更大的硬度。
2.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述有机膜具有1.0公克/立方公分至2.0公克/立方公分的膜密度及1.0GPa或更大的硬度。
3.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述金属氧化物研磨剂包括二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、二氧化钛以及氧化锆中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述金属氧化物研磨剂以0.1重量％至20重量％的量存在于所述CMP浆料组成物中。
5.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述CMP浆料组成物还包含pH值调节剂。
6.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述CMP浆料组成物还包含至少一种由苹果酸、柠檬酸、甲酸、戊二酸、草酸、酞酸、丁二酸、酒石酸、顺丁烯二酸以及丙二酸中选出的研磨促进剂。
7.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述有机膜由用于制备有机膜的组成物形成，所述用于制备有机膜的组成物包括具有经取代或未经取代的芳族基的化合物。
8.根据权利要求7所述的CMP浆料组成物，其中所述具有所述经取代的芳族基的化合物是以由式A表示的官能基及由式B表示的官能基中的至少一者取代：
<式A>
*-(O)n-(CH2)m-P(＝O)(R)(R')
<式B>
*-B(R)(R')
其中在式A及式B中，n为0或1，m为0至10的整数，
R、R'各自独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C1至C20卤烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基磺酸酯基、经取代或未经取代的C1至C20烷磺酰基、经取代或未经取代的C2至C20烷酰胺基、经取代或未经取代的C3至C20烷基酯基、经取代或未经取代的C2至C20氰基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳基烷基或经取代或未经取代的C6至C30芳氧基，或
R、R'彼此连接以形成经取代或未经取代的C3至C20环烷基或经取代或未经取代的C3至C20杂环烷基。
9.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述有机膜由用于制备有机膜的组成物形成，所述用于制备有机膜的组成物包含有包含式2的物质：
<式2>
其中在式2中，n为1≤n<190；
R1为氢、羟基、卤素原子、烯丙基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C7至C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、包含P的官能基、包含B的官能基或其组合，
R2为氢；胺基；经取代或未经取代的C1至C20烷氧基；经取代或未经取代的C6至C20芳氧基；二烷胺基-NRR'，其中R、R'各自独立地为经取代或未经取代的C1至C10烷基或经取代或未经取代的C6至C10芳基；羟基；卤素原子；烯丙基；亚硫酰基；硫醇基；氰基；经取代或未经取代的胺基；经取代或未经取代的C1至C30烷基；经取代或未经取代的C1至C30杂烷基；经取代或未经取代的C2至C30烯基；经取代或未经取代的C2至C30炔基；经取代或未经取代的C3至C30环烷基；经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基；经取代或未经取代的C3至C30环烯基；经取代或未经取代的C6至C30芳基；经取代或未经取代的C7至C30芳基烷基；经取代或未经取代的C1至C20杂烷基；经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基；经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基；经取代或未经取代的C2至C30杂芳基；经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基；经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基；经取代或未经取代的C1至C30烷氧基；经取代或未经取代的C1至C30杂烷氧基；经取代或未经取代的C6至C30芳氧基；经取代或未经取代的C1至C20醛基；经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基；经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基；经取代或未经取代的C1至C30卤烷基；包含P的官能基；包含B的官能基或其组合，
R3为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
10.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述有机膜由用于制备有机膜的组成物形成，所述用于制备有机膜的组成物包含由式6表示的物质：
<式6>
其中在式6中，R4至R9及X1至X6各自独立地为氢、羟基、卤素原子、烯丙基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C7至C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、包含P的官能基、包含B的官能基或其组合，
n1至n6各自独立地为0至2，
2≤n1+n2+n3+n4+n5+n6≤6。
11.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述有机膜由用于制备有机膜的组成物形成，所述用于制备有机膜的组成物包含含有芳族基的聚合物，所述聚合物是由(i)由式7表示的化合物、(ii)由式7表示的化合物与由式8表示的化合物的混合物以及(iii)由式9表示的化合物中选出：
<式7>
<式8>
<式9>
其中在式7至式9中，
m、n分别为1≤n<750、1≤m<750、2≤m+n<1500，
R10为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者，
R11为氢、羟基、卤素原子、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C7至C30芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、包含P的官能基、包含B的官能基或其组合；
R12为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
R13为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
R14为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
R15为由以下经取代或未经取代的基团中选出的一者
R10、R13、R15中的R各自独立地为氢、羟基、卤素原子、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C1至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C7至C30芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烯基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C40烷基醚基、经取代或未经取代的C7至C20芳基伸烷基醚基、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基、包含P的官能基、包含B的官能基或其组合。
12.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述有机膜具有0毫克KOH/公克的酸值。
13.一种研磨有机膜的方法，其使用如权利要求1至12中任一项所述的CMP浆料组成物，所述有机膜具有50原子％至95原子％的碳含量。
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