KR100866015B1 - 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화방법 - Google Patents
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Abstract
Description
필름 제조에 사용된 샘플 | 에칭 후 패턴 모양 |
비교예 3 | 테이퍼진 모양, 거친 표면 |
실시예 9 | 수직모양 |
실시예 10 | 수직모양 |
실시예 11 | 수직모양 |
실시예 12 | 수직모양 |
Claims (14)
- 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체.[화학식 1]
- 하기 화학식 2로 표시되는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체.[화학식 2](상기 식에서, m과 n은 각각 1≤m<190, 1≤n<190, 2≤m+n<190의 범위이고, R1 및 R4는 독립적으로 수소, 히드록시기(-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함하며, R2 및 R5는 독립적으로 아미노기 (-NH2), 알콕시기 (-OR, 여기서 R은 C1-10의 알킬기 또는 C6-10의 아릴기), 디알킬 아미노기 (-NRR', 여기서 R과 R'은 독립적으로 C1-10의 알킬기 또는 C6-10의 아릴기) 중 어느 하 나를 포함하며, R3 및 R6은 독립적으로 ,,, ,,,, , 및 중 어느 하나를 포함한다.)
- 하기 화학식 3로 표시되는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체.[화학식 3](상기 식에서, m과 n은 각각 1≤m<190, 1≤n<190, 2≤m+n<190의 범위이고, R1 은 수 소, 히드록시기(-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함하며, R2 는 아미노기 (-NH2), 알콕시기 (-OR, 여기서 R은 C1-10의 알킬기 또는 C6-10의 아릴기), 디알킬 아미노기 (-NRR', 여기서 R과 R'은 독립적으로 C1-10의 알킬기 또는 C6-10의 아릴기) 중 어느 하나를 포함하며, R3 및 R5는 독립적으로 ,,, ,,,, , 및 중 어느 하나를 포함하며, R4 는 , , , , , , , 및 중 하나를 포함한다.)
- (a) 하기 화학식 1, 2, 또는 3으로 표시되는 화합물 하나 이상을 포함하는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체; 및(b) 유기 용매를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.[화학식 1](상기 식에서, n은 1≤n<190의 범위이고, R1 는 수소, 히드록시기(-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함하며, R2 는 아미노기 (-NH2), 알콕시기 (-OR, 여기서 R은 C1-10의 알킬기 또는 C6-10의 아릴기), 디알킬 아미노기 (-NRR', 여기서 R과 R'은 독립적으로 C1-10의 알킬기 또는 C6-10의 아 릴기) 중 어느 하나를 포함하며, R3은 ,,, ,,,, , 및 중 어느 하나를 포함한다.)[화학식 2](상기 식에서, m과 n은 각각 1≤m<190, 1≤n<190, 2≤m+n<190의 범위이고, R1 및 R4는 독립적으로 수소, 히드록시기(-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함하며, R2 및 R5는 독립적으로 아미노기 (-NH2), 알 콕시기 (-OR, 여기서 R은 C1-10의 알킬기 또는 C6-10의 아릴기), 디알킬 아미노기 (-NRR', 여기서 R과 R'은 독립적으로 C1-10의 알킬기 또는 C6-10의 아릴기) 중 어느 하나를 포함하며, R3 및 R6은 각각 ,,, ,,,, , 및 중 어느 하나를 포함한다.)[화학식 3](상기 식에서, m과 n은 각각 1≤m<190, 1≤n<190, 2≤m+n<190의 범위이고, R1 은 수소, 히드록시기(-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어 느 하나를 포함하며, R2 는 아미노기 (-NH2), 알콕시기 (-OR, 여기서 R은 C1-10의 알킬기 또는 C6-10의 아릴기), 디알킬 아미노기 (-NRR', 여기서 R과 R'은 독립적으로 C1-10의 알킬기 또는 C6-10의 아릴기) 중 어느 하나를 포함하며, R3 및 R5는 독립적으로 ,,, ,,,, , 및 중 어느 하나를 포함하며, R4 는 , , , , , , , 및 중 하나를 포함한다.)
- 제 5항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 (c) 가교 성분; 및 (d) 산 촉매를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 6항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은(a) 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체 1~20 중량%;(b) 가교 성분 0.1~5 중량%;(c) 산 촉매 0.001~0.05 중량%; 및(d) 유기용매 75~98.8 중량%를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 5항에 있어서, 상기 방향족 고리 함유 중합체는 중량 평균 분자량이 1,000 ~ 30,000인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 5항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 6항에 있어서, 상기 가교 성분은 멜라민 수지, 아미노 수지, 글리콜루릴 화합물 및 비스에폭시 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 6항에 있어서, 상기 산 촉매는 p-톨루엔 술폰산 모노 하이드레이트(p-toluenesulfonic acid mono hydrate), 피리디늄 P-톨루엔 술포네이트(Pyridinium P-toluene sulfonate), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인 토실레이트, 2-니트로벤질 토실레이트 및 유기 술폰산의 알킬 에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계;(b) 상기 재료 층 위로 제 5항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 이용한 반사방지 하드마스크 층을 형성시키는 단계;(c) 상기 반사방지 하드마스크 층 위로 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계;(d) 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 상기 방사선-민감성 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계;(e) 상기 방사선-민감성 이미지화 층 및 상기 반사방지 하드마스크 층의 일부를 선택적으로 제거하여 상기 재료 층의 일부를 노출시키는 단계; 및(f) 상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계를 포함하는 기판 상의 재료의 패턴화 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 (c) 단계 이전에 실리콘 함유 하드마스크 층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 상의 재료의 패턴화 방법.
- 제 13 항에 있어서,실리콘 함유 하드마스크 층을 형성시킨 후, (c) 단계 전에 바닥 반사방지층(BARC) 을 형성시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 상의 재료의 패턴화 방법.
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CN2007800524700A CN101641390B (zh) | 2007-04-02 | 2007-12-31 | 具有抗反射性能的硬掩模组合物及用其图案化材料的方法 |
JP2010502002A JP5118191B2 (ja) | 2007-04-02 | 2007-12-31 | 反射防止性を有するハードマスク組成物及びこれを利用した材料のパターン形成方法 |
TW097111973A TWI389932B (zh) | 2007-04-02 | 2008-04-02 | 具有抗反射特性之硬質罩幕組成物及使用其將材料圖案化之方法 |
US12/588,023 US8420289B2 (en) | 2007-04-02 | 2009-10-01 | Aromatic ring-containing polymer, polymer mixture, antireflective hardmask composition, and associated methods |
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012005418A1 (ko) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 제일모직 주식회사 | 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 소자의 패턴 형성 방법 |
KR101225945B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2013-01-24 | 제일모직주식회사 | 고 내에칭성 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 |
US8415424B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-04-09 | Cheil Industries, Inc. | Aromatic ring-containing polymer for underlayer of resist and resist underlayer composition including the same |
KR101257697B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2013-04-24 | 제일모직주식회사 | 고탄소 함량을 가지는 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의패턴화 방법 |
US9116429B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-08-25 | Cheil Industries, Inc. | Resist underlayer polymer, resist underlayer composition including the same, and method of patterning using the same |
US10018914B2 (en) | 2014-05-16 | 2018-07-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hardmask composition and method of forming patterns using the hardmask composition |
KR20180135887A (ko) * | 2016-04-18 | 2018-12-21 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 나프톨아랄킬 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 |
US10723916B2 (en) | 2013-04-17 | 2020-07-28 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic film CMP slurry composition and polishing method using same |
US20210109449A1 (en) * | 2019-10-14 | 2021-04-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hardmask composition, hardmask layer and method of forming patterns |
US11214678B2 (en) | 2018-07-11 | 2022-01-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hardmask composition, hardmask layer and method of forming patterns |
US11409197B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hardmask composition, hardmask layer and method of forming patterns |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1045880A (ja) | 1996-08-01 | 1998-02-17 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | サリチル酸系アラルキル樹脂、その製造方法、およびそれを用いたフォトレジスト用樹脂組成物 |
KR100665758B1 (ko) | 2005-09-15 | 2007-01-09 | 제일모직주식회사 | 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 |
KR100671120B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-01-17 | 제일모직주식회사 | 신규 플루오렌 중합체 및 이를 이용한 반사방지성을 갖는하드마스크 조성물 |
KR100697979B1 (ko) | 2005-09-26 | 2007-03-23 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 |
-
2007
- 2007-05-25 KR KR1020070051074A patent/KR100866015B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1045880A (ja) | 1996-08-01 | 1998-02-17 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | サリチル酸系アラルキル樹脂、その製造方法、およびそれを用いたフォトレジスト用樹脂組成物 |
KR100671120B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-01-17 | 제일모직주식회사 | 신규 플루오렌 중합체 및 이를 이용한 반사방지성을 갖는하드마스크 조성물 |
KR100665758B1 (ko) | 2005-09-15 | 2007-01-09 | 제일모직주식회사 | 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 |
KR100697979B1 (ko) | 2005-09-26 | 2007-03-23 | 제일모직주식회사 | 반사방지 하드마스크 조성물 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101225945B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2013-01-24 | 제일모직주식회사 | 고 내에칭성 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 |
KR101257697B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2013-04-24 | 제일모직주식회사 | 고탄소 함량을 가지는 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의패턴화 방법 |
US9116429B2 (en) | 2009-11-13 | 2015-08-25 | Cheil Industries, Inc. | Resist underlayer polymer, resist underlayer composition including the same, and method of patterning using the same |
US8415424B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-04-09 | Cheil Industries, Inc. | Aromatic ring-containing polymer for underlayer of resist and resist underlayer composition including the same |
WO2012005418A1 (ko) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 제일모직 주식회사 | 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 소자의 패턴 형성 방법 |
US10723916B2 (en) | 2013-04-17 | 2020-07-28 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic film CMP slurry composition and polishing method using same |
US10018914B2 (en) | 2014-05-16 | 2018-07-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hardmask composition and method of forming patterns using the hardmask composition |
KR20180135887A (ko) * | 2016-04-18 | 2018-12-21 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 나프톨아랄킬 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 |
KR102334790B1 (ko) * | 2016-04-18 | 2021-12-06 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 나프톨아랄킬 수지를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 |
US11214678B2 (en) | 2018-07-11 | 2022-01-04 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hardmask composition, hardmask layer and method of forming patterns |
US11409197B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-08-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hardmask composition, hardmask layer and method of forming patterns |
US20210109449A1 (en) * | 2019-10-14 | 2021-04-15 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Hardmask composition, hardmask layer and method of forming patterns |
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