KR101311942B1 - 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용　조성물 - Google Patents

레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용　조성물 Download PDF

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Abstract

하기 화학식 1로 표시되는 방향족 고리 함유 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
Figure 112009082220333-pat00001
상기 화학식　1에서, 각 치환기의 정의는 상세한 설명에서 정의된 바와 같다.
상기 방향족 고리 함유 화합물은 매우 우수한 광학적 특성, 기계적 특성 및 에칭 선택비 특성을 제공하며, 동시에 스핀-온 도포 기법을 이용하여 도포 가능하다. 　또한 보다 짧은 파장 리쏘그래픽 공정에 유용하고 최소 잔류 산 함량을 보유한다.　　
또한 상기 레지스트 하층막 조성물을 이용한 소자의 패턴 형성 방법도 제공된다.
리쏘그래픽, 반사방지성, 방향족 고리, 내에칭성, 내열성

Description

레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용　조성물{AROMATIC RING-CONTAINING COMPOUND FOR RESIST UNDERLAYER, AND RESIST UNDERLAYER COMPOSITION}
본 기재는 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물 및 레지스트 하층막용　조성물에 관한 것이다.
마이크로일렉트로닉스 산업 및 마이크로스코픽 구조물(예를 들어, 마이크로머신, 마그네토레지스트(magnetoresist) 헤드 등) 등의 산업 분야에서, 구조적 형상의 크기를 감소시키고자 하는 요구가 지속되고 있다. 　또한, 마이크로일렉트로닉스 산업에서, 마이크로일렉트로닉 디바이스의 크기를 감소시켜, 주어진 칩 크기에 보다 많은 양의 회로를 제공하고자 하는 요구가 존재한다.
이러한 형상 크기를 감소시키기 위해서는 효과적인 리쏘그래픽 기법이 필수적이다. 　
전형적인 리쏘그래픽 공정은 먼저, 하층 재료에 레지스트를 도포한 후, 방사선에 노광하여 레지스트 층을 형성한다. 　이어서, 레지스트 층을 현상액으로 현상하여 패턴화된 레지스트 층을 형성하고, 패턴화된 레지스트 층의 개구부 내에 있는 물질을 에칭시켜, 하층 재료에 패턴을 전사시킨다. 　전사가 완료된 후, 잔류하는 레지스트 층은 제거한다.
그러나 상기 레지스트는 하층 재료에 소정의 패턴을 효과적으로 전사시킬 수 있을 정도로 에칭 단계에 대하여 충분한 내성을 갖지 못하는 경우가 있다. 　따라서, 레지스트 물질을 극히 얇게 사용하는 초박막 레지스트 층이 필요한 경우, 에칭 처리하고자 하는 기판이 두꺼운 경우, 에칭 깊이가 깊게 요구되는 경우, 소정의 하층재료에 대해 특정한 에칭제(etchant)를 사용하는 것이 필요한 경우 등에서 레지스트 하층막이 사용되어 왔다.
레지스트 하층막은 레지스트 층과 패터닝하고자하는 기판 간의 중간층 역할을 하며, 패턴화된 레지스트 층의 패턴을 하층 재료로 전사시키는 역할을 하므로, 패턴을 전사하는데 필요한 에칭 공정을 견딜 수 있어야 한다.
이러한 하층막을 형성하기 위하여 많은 재료가 시도되었으나 여전히 개선된 하층막 조성물에 대한 요구가 지속되고 있다.
종래의 레지스트 하층막을 형성하기 위한 재료들은 기판에 도포하기 어려워, 예를 들면 화학적 또는 물리적 증착, 특수 용매, 및/또는 고온 소성을 이용하나, 이들은 비용이 많이 드는 문제가 있다. 　이에, 최근에는 고온 소성을 실시할 필요없이 스핀-코팅 기법에 의해 도포될 수 있는 레지스트 하층막 조성물에 관한 연구가 진행되고 있다. 　또한, 상부에 형성되는 레지스트층을 마스크로 하여 선택적으로 용이하게 에칭될 수 있으며, 동시에 특히 하층이 금속층인 경우, 하층막층을 마스크로 하여 하층을 패턴화하는 데 필요한 에칭 공정에 내성이 있는 하층막 조성물 에 관한 연구가 진행되고 있다.
또한, 적당한 저장 수명을 제공하고, 레지스트 층과의 저해한 상호작용(예를 들어, 하층막 조성물에 포함되어 있는 산 촉매에 의한 레지스트 또는 기판을 오염)을 피할 수 있는 하층막 조성물에 관한 연구도 진행되고 있으며, 추가로, 보다 짧은 파장(예, 157nm, 193nm 또는 248nm)의 방사선에 대한 소정의 광학 특성을 지닌 하층막 조성물에 관한 연구도 진행되고 있다.
결론적으로 에칭 선택성이 높고, 다중 에칭에 대한 내성이 충분하며, 레지스트와 하층 재료 간의 반사성을 최소화하는 반사방지 조성물을 사용하여 리쏘그래픽 기술을 수행하는 것이 요망된다. 　이러한 리쏘그래픽 기술은 매우 세부적인 반도체 장치를 생산할 수 있게 할 것이다.
　
상기 방향족 고리 함유 화합물 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물은 스핀-온 도포 기법(spin-on application technique)을 이용하여 도포 가능한, 광학적 특성, 기계적 특성, 에칭 선택비(etch selectivity) 특성이 우수하며, 산 오염물질 함량에 있어서 최소이거나 전혀 발생하지 않는다.
　
본 발명의 일 측면은 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 고리 함유 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112009082220333-pat00002
　상기 화학식 1에서, R1　내지 R6는 서로 동일하거나 상이하며 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C20 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테사이클로알킬기이고,
X1　내지 X6는 수소, 히드록시기(-OH),　알킬아민, 알콕시 또는 아미노기(-NH2)이고,
n1 내지 n6는 각각 독립적으로 0 또는 1이고, 1 ≤　n1+n2+n3+n4+n5+n6 ≤6 이다.
상기 화학식 1에서 R1　내지 R6중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C20 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테사이클로알킬기이다.
상기 방향족 고리 함유 화합물은 평균 분자량이　500 내지 4,000의 범위에 있다.
본 발명의 다른 측면은 상기　화학식 1 로 표시되는 방향족 고리 함유 화합물과 용매를 포함하는 레지스트 하층막 조성물을 제공한다.　
상기 레지스트 하층막 조성물에서 방향족 고리　함유 화합물의 함량은　1　내지 20 중량%이다.　
　　　　　상기 레지스트 하층막 조성물은 계면활성제　또는 가교 성분을 더 포함할 수 있다.
　　　
상기 레지스트 하층막 조성물은 필름형성시 ArF(193nm) 파장영역 등 DUV(Deep UV) 영역에서의 반사방지막으로서 유용한 범위의 굴절율 및 흡수도를 가짐으로써 레지스트(방사선-민감성　이미지화 층)와 재료층간의 반사성을 최소화할 수 있으며, 이에 의해 패턴 프로파일이나 마진면에서 우수한 패턴평가결과를 가지는 리쏘그래픽 구조물을 제공할 수 있다. 또한, 리쏘그래픽 기술 수행시 기존 물질과 비교하여 에칭 선택비가　매우 높고, 다중 에칭에 대한 내성이 충분하여 하부층에 전사할 이미지인 레지스트 하층막의 에치 프로파일이 매우 양호하다.
　
이하, 본 발명의 구현　예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 일 구현　예에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 레지스트 하층막용　방향족 고리 함유 화합물을 제공한다. 　
[화학식 1]
Figure 112009082220333-pat00003
상기 화학식 1에서, R1　내지 R6는 서로 동일하거나 상이하며 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C20 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기 또는 치환 또 는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테사이클로알킬기이고,
X1　내지 X6는 수소, 히드록시기(-OH),　알킬아민, 알콕시 또는 아미노기(-NH2)이고,
n1 내지 n6는 각각 독립적으로 0 또는 1이고, 1 ≤　n1+n2+n3+n4+n5+n6 ≤6 이다.
상기 화학식 1에서 R1　내지 R6중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C20 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테사이클로알킬기인 것이 더 좋다.
상기 방향족 고리기는 전자가 비편재화(delocalization) 또는 공명(resonance)되는 형태의 작용기를 의미하며, 아릴기, 헤테로아릴기 등을 의미한다. 　
"헤테로"란 　N, O, S 또는　P　의 헤테로원자를 고리(ring) 내에 1 내지 3개 포함하는 것을 의미한다.
상기 알킬아민은 NRR'으로 표시되는 치환기로 R과 R'은 수소 또는 C1 내지 C10 선형 또는 분지된 알킬기이고 모두 수소가 아닌 것을 의미한다.
본 명세서에서 "치환"이란, 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C5 내지 C20 아릴기 또는 C2 내지 C10의 알케닐기로 치환된 것을 의미한다.
상기　화학식 1의 방향족 고리 함유 화합물은 치환기의 위치가 서로 상이한 2이상의 화합물의 혼합물일 수 있다. 　상기 방향족 고리 함유 화합물은 짧은 파장 영역(특히,　193nm 및 248nm)에서 강한 흡수를 갖는 방향족 고리(aromatic ring)를　포함한다. 　상기 화합물의 경우 특별한 촉매를 사용하지 않더라도 높은 온도 하에서 가교반응이 진행하므로 촉매, 특히 산에 의한 오염을 방지할 수 있는 장점이 있다.
상기 방향족 고리 함유　화합물의 평균 분자량은 500 내지　4,000의 범위에 있다. 　방향족 고리 함유 화합물의　평균 분자량이 상기 범위에 포함될 때, 목적하는 코팅 두께 구현 또는 양호한 박막을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 방향족 고리 함유　화합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막 조성물이 제공된다.
상기 레지스트 하층막 조성물에 포함되는 용매는 방향족 고리 함유　화합물에 　대한 충분한 용해성을 갖는 유기 용매라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME), 사이클로헥사논(Anone), 에틸락테이트(EL) 등을 들 수 있다.
상기 레지스트 하층막 조성물에서 방향족 고리　함유 화합물의 함량은　1　내지 20 중량%, 보다 바람직하게는 3　내지 10 중량%일 수 있다. 　　방향족 고리 함유 화합물의 함량이 상기 범위에 포함될 때, 이 조성물을 도포하여 하층막을 형성시 목적하는 코팅 두께로 적절하게 조절할 수 있다.　
또한, 유기 용매의 함량은 잔부 즉, 80 내지 99 중량%일 수 있으며, 유기 용매의 함량이 상기 범위에 포함될 때, 이 조성물을 도포하여 하층막을　형성시 목적하는 코팅 두께로 조절할 수 있다.　
　　　　　본 발명의 레지스트 하층막　조성물은 추가적으로 계면 활성제 등의 첨가제를　함유할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 레지스트 하층막 조성물은 또한 계면활성제를 추가로 포함할 수도 있고, 가교 성분을 추가로 포함할 수도 있다. 　이때, 계면활성제의 함량은 하층막 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1 중량부일 수 있고, 상기 가교 성분의 함량은 레지스트 하층막 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1 중량부일 수 있다. 　상기 가교 성분의 함량이 상기 범위에 포함되는 경우, 형성되는 하층막의 광학적 특성이 변경되지 않으면서, 적절한 가교 특성을 얻을 수 있다.
상기 계면활성제로는 알킬벤젠설폰산염, 알킬피리디늄염, 폴리에틸렌글리콜류, 제4암모늄염 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.　
상기 가교 성분은 화합물의 자기가교가 보다 잘 일어나도록 하기 위하여 사용하는 것으로서, 생성된 산에 의해 촉매작용화될 수 있는 방식으로 화합물의 히드록시기와 반응될 수 있는 가교제라면 특별히 한정되지 않는다. 　　　가교 성분의 대표적인 예로는 멜라민 수지, 아미노 수지, 글리콜루릴 화합물, 비스에폭시 화합물 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 　
상기 가교 성분의 구체적인 예를 들면, 에테르화된 아미노 수지, 예를 들면, 메틸화되거나 부틸화된 멜라민 수지(구체적인 예로는 N-메톡시메틸-멜라민 수지 또는 N-부톡시메틸-멜라민 수지) 및 메틸화되거나 부틸화된 우레아(urea) 수지(구체적인 예로는, Cymel U-65 Resin 또는 UFR 80 Resin), 하기 화학식 A로 표시되는 글리콜루릴 유도체(구체적인 예로는, Powderlink 1174), 　2,6-비스(히드록시메틸)-p-크레졸 화합물)　등을 예로 들 수 있다. 　또한 하기 화학식 B로 표시되는 비스에폭시 계통의 화합물 및 하기 화학식 C로 표시되는 멜라민 유도체도 가교 성분으로 사용할 수 있다. 　
[화학식 A]
Figure 112009082220333-pat00004
[화학식 B]
Figure 112009082220333-pat00005
[화학식 C]
Figure 112009082220333-pat00006
이하, 상기 레지스트 하층막용 조성물을 이용하여　소자의 패턴을　형성 하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
먼저, 알루미늄과 SiN(실리콘 나이트라이드)　등과 같은 패턴화하고자 하는 재료를 통상적인 방법에 따라 실리콘 기판 위에 형성시킨다. 본 발명의 레지스트 하층막 조성물에 사용되는 패턴화하고자 하는 재료는 전도성, 반전도성, 자성 또는 절연성 재료인 것이 모두 가능하다. 이어서, 본 발명의 레지스트 하층막 조성물을 사용하여 500　Å 내지 4000　Å 두께로 스핀-코팅한 후, 100　℃ 내지 500　℃에서 10초 내지 10분간 베이킹하여 하층막을 형성한다. 하층막이 형성되면 방사선-민감성 이미지화층을 형성시키고, 상기 이미지화층을 통한 노광(exposure) 공정에 의해 패턴이 형성될 영역을 노출시키는 현상　(develop)　공정을 진행한다. 이어서, 이미지화층 및 반사방지층을 선택적으로 제거하여 재료층의 일부분을 노출시키고, 일반적으로 CHF3/CF4　혼합가스 등을 이용하여 드라이 에칭을 진행한다. 패턴화된 재료 형상이 형성된 후에는 통상의 포토레지스트 스트립퍼에 의해 잔류하는 임의의 레지스트를 제거할 수 있다.　이러한 방법에 의해 패턴화된 소자가 제공된다. 　상기 소자 는 반도체 집적회로 디바이스일 수 있다.
상기 레지스트 하층막 조성물　및 형성된 리쏘그래픽 구조물은 통상의 반도체 소자 제조공정에 따라 집적 회로 디바이스의 제조 및 설계에 사용될 수 있다. 예를 들면 금속 배선, 컨택트 또는 바이어스를 위한 홀, 절연 섹션　(예, DT(Damascene Trench) 또는 STI(Shallow Trench Isolation)), 커패시터 구조물을 위한 트렌치 등과 같은 패턴화된 재료 층 구조물을 형성시키는 데 사용할 수 있다. 또한 본 발명은 임의의 특정 리쏘그래픽 기법 또는 디바이스 구조물에 국한되는 것이 아님을 이해해야 한다.
이하에서 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명의 권리범위를　제한하기 위한 것은 아니다.
　
　
실시예 1
기계교반기, 냉각관, 2 L의 4구 플라스크에 코로넨　30.1g (0.1 mol), 아세틸 클로라이드　47.1 g (0.6 mol)과 트리클로로 알루미늄　79.8 g　(0.6 mol)을 1000 g의 톨루엔에 녹인 용액을 담고 교반기로 교반하여　10시간 반응을 실시한 후 반응을 종료하였다. 반응종료 후 물을 사용하여 트리클로로 알루미늄을 제거한 후,　얻어진 화합물에 수소화 붕소 나트륨 37.83g(1.0mol)을 넣어준 후 17시간 반응을 실시하였다. 반응종료 후 물/메탄올 혼합물을 사용하여 반응 부수물을 제거하였고,　하기 화 학식 2로 나타내어지는 화합물(평균　분자량　=　530,　1≤n1+n2+n3+n1+n2+n3≤6) 을 얻었다.
[화학식 2]
Figure 112009082220333-pat00007
실시예 2
기계교반기, 냉각관, 2 L의 4구 플라스크에 코로넨　30.1g(0.1 mol), 벤조일 클로라이드　84.32 g(0.6 mol)과 트리클로로 알루미늄　79.8 g　(0.6 mol)을 1000 g의 톨루엔에 녹인 용액을 담고 교반기로 교반하여　10시간 반응을 실시한 후 반응을 종료하였다. 반응종료 후 물을 사용하여 트리클로로 알루미늄을 제거한 후,　얻어진 화합물에 수소화 붕소 나트륨 37.83g(1.0mol)을 넣어준 후 19시간 반응을 실시하였다. 반응종료 후 물/메탄올 혼합물을 사용하여 반응 부수물을 제거하였고, 하기 화학식 3로 나타내어지는 화합물(평균 분자량　=　910,　2≤　n1+n2+n3+n1+n2+n3≤6) 을 얻었다.
[화학식 3]
Figure 112009082220333-pat00008
　
실시예 3
기계교반기, 냉각관, 2 L의 4구 플라스크에 코로넨　30.1g (0.1 mol), 2-나프토일 클로라이드　114.01 g (0.6 mol)과 트리클로로 알루미늄　79.8 g　(0.6 mol)을 1000 g의 톨루엔에 녹인 용액을 담고 교반기로 교반하여　10시간 반응을 실시한 후 반응을 종료하였다. 반응종료 후 물을 사용하여 트리클로로 알루미늄을 제거한 후,　얻어진 화합물에 수소화 붕소 나트륨 37.83g(1.0mol)을 넣어준 후 19시간 반응을 실시하였다. 반응종료 후 물/메탄올 혼합물을 사용하여 반응 부수물을 제거하였고,　하기 화학식 4로 나타내어지는 화합물(평균 분자량　=　980,　2≤　n1+n2+n3+n1+n2+n3≤6)을 얻었다.
[화학식 4]
Figure 112009082220333-pat00009
　
실시예 4
기계교반기, 냉각관, 2 L의 4구 플라스크에 코로넨　30.1g (0.1 mol), 사이클로 헥산 카보닐 클로라이드　84.31 g (0.6 mol)과 트리클로로 알루미늄　79.8 g　(0.6 mol)을 1000 g의 톨루엔에 녹인 용액을 담고 교반기로 교반하여　10시간 반응을 실시한 후 반응을 종료하였다. 반응종료 후 물을 사용하여 트리클로로 알루미늄을 제거한 후,　얻어진 화합물에 수소화 붕소 나트륨 37.83g(1.0mol)을 넣어준 후 16 시간 반응을 실시하였다. 반응종료 후 물/메탄올 혼합물을 사용하여 반응 부수물을 제거하였고,　하기 화학식 5로 나타내어지는 화합물(평균 분자량　=　1010,　2≤　n1+n2+n3+n1+n2+n3≤6)을 얻었다.
[화학식 5]
Figure 112009082220333-pat00010
　
실시예 5
기계교반기, 냉각관, 2 L의 4구 플라스크에 코로넨　30.1g (0.1 mol), 벤조일 클로라이드　42.16 g (0.3 mol), 2-나프토일 클로라이드　52.01 g (0.3 mol), 사이클로 헥산 카보닐 클로라이드　42.16 g (0.3 mol) 및　트리클로로 알루미늄　79.8 g　(0.6 mol)을 1000 g의 톨루엔에 녹인 용액을 담고 교반기로 교반하여　10시간 반응을 실시한 후 반응을 종료하였다. 반응종료 후 물을 사용하여 트리클로로 알루미늄을 제거한 후,　얻어진 화합물에 수소화 붕소 나트륨 37.83g(1.0mol)을 넣어준 후 19시간 반응을 실시하였다. 반응종료 후 물/메탄올 혼합물을 사용하여 반응 부수물을 제거하였고,　화합물(평균 분자량　=　970,　2≤　n1+n2+n3+n1+n2+n3≤6)을 얻었다.
　
샘플용액 제조
실시예 1　내지 5 에서 만들어진 방향족 고리 함유 화합물을　각각 0.8　g씩 계량하여 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(propylene　glycol　monomethylether acetate, 이하 PGMEA이라 함) 9　g　에 넣어서 녹인 후 여과하여 각각 샘플용액을 만들었다.
　
굴절율과 흡광계수 측정
실시예 1 내지 5에 방향족 고리 함유 화합물을 포함하는 샘플용액을 실리콘웨이퍼에 스핀-코팅법으로 코팅하여 60초간 400℃에서 구워서 두께 2500Å의 필름을 형성시켰다. 필름의 굴절율(refractive index, n)과 흡광계수(extinction coefficient,　k)를 측정하였다. 사용기기는 Ellipsometer(J. A. Woollam 사)이고 측정결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
필름 제조에
사용된 화합물		 광학 특성 (193nm)
n　(굴절율) k　(흡광계수)
실시예 1 1.27 0.52
실시예 2 1.29 0.54
실시예 3 1.28 0.59
실시예 4 1.25 0.52
실시예 5 1.28 0.54
상기 표 1에서, ArF(193 nm) 파장에서 상기 실시예 1 내지 5의 방향족 고리 함유 화합물을 포함하는 샘플용액은 반사방지막으로서 사용가능한 굴절율 및 흡수도를 가짐을 확인하였다.
　
패턴 특성 평가
상기 실시예 1 내지 5에　따른 방향족 고리 함유 화합물을 포함하는 　샘플용액을 각각　SiN(실리콘나이트라이드)이 입혀진 실리콘　웨이퍼 위에 스핀-코팅법으로 코팅하여 60초간 400℃에서 구워서 두께 2500Å의 필름을 형성시켰다. 그런　다음 필름 위에 ArF용 포토레지스트를 코팅하고 110℃에서 60초간 굽고 ArF 노광장비인 ASML1250 (FN70 5.0 active, NA 0.82)를 사용해 노광을 한 다음 테트라메틸암모늄 히드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)　2.38wt% 수용액으로 현상하였다. 　그리고 FE-SEM을 사용하여 80nm의 라인 앤드 스페이스(line and space) 패턴을 고찰하였다. 노광량의 변화에 따른 EL(expose latitude) 마진(margine)과 광원과의 거리변동에 따른 DoF(depth of focus) 마진(margin)을 하기 표 2에 나타내었다.
[표　2]
필름 제조에
사용된 화합물		 패턴　특성
EL 마진
(△CD/exposure energy mJ)		 DoF 마진
(㎛)		 Profile
실시예 1 4.4 0.23 cubic
실시예 2 4.1 0.24 cubic
실시예 3 3 0.27 cubic
실시예 4 3.5 0.25 cubic
실시예 5 3.5 0.26 cubic
　
에칭 특성 평가
상기 실시예 1 내지 5에　따른 방향족 고리 함유 화합물을 포함하는 　샘플용액을 각각　SiN(실리콘나이트라이드)이 입혀진 실리콘　웨이퍼 위에 스핀-코팅법으로 코팅하여 60초간 400℃에서 구워서 두께 2500Å의 하층막을 형성시켰다. 그런　다음 필름 위에 ArF용 포토레지스트를 코팅하고 110℃에서 60초간 굽고 ArF 노광장비인 ASML1250 (FN70 5.0 active, NA 0.82)를 사용해 노광을 한 다음 TMAH(2.38wt% 수용액)으로 현상하였다. 　얻어진 패턴화된 시편을 CHF3/CF4　혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 진행하고 이어서 선택비를 달리한 CHF3/CF4　혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 다시 진행하였다. 마지막으로 O2가스를 사용하여 남아 있는 유기물을 모두 제거한 다음, FE SEM으로 단면을 고찰하여 하기 표 3에 결과를 나타내었다.
[표 3]
하층막　제조에
사용된 화합물		 하층막 에칭 후
패턴 모양		 실리콘 나이트라이드
에칭후 패턴모양
실시예 1 수직모양(Anisotropic) 수직모양(Anisotropic)
실시예 2 수직모양(Anisotropic) 수직모양(Anisotropic)
실시예 3 수직모양(Anisotropic) 수직모양(Anisotropic)
실시예 4 수직모양(Anisotropic) 수직모양(Anisotropic)
실시예 5 수직모양(Anisotropic) 수직모양(Anisotropic)
　
에치　평가결과 하층막 에칭 후 및 실리콘 나이트라이드 에칭 후 패턴 모양이 각각의 경우 모두 양호하여 상기 하층막의 에칭 개스에 의한 내성이 충분하여 실리콘 나이트라이드의 에칭이 양호하게 수행된 것으로 판단된다.
　
내열성 평가
상기 실시예 1 내지 5에　따른 방향족 고리 함유 화합물을 포함하는 　샘플용액을 각각　실리콘　웨이퍼 위에 스핀-코팅법으로 코팅하여 60초간 200℃에서 구워서 두께 4000Å의 필름을 형성시켰다.　그런 다음 120초간 400℃에서 구운 후, 200℃와 400℃에서 구웠을 때의 박막 두께차를 측정하고, 육안으로 아웃가스(outgas) 발생 유무를 평가한다.
상기 박막 두께차는 하기 수학식 1에 의해 계산한다.
[수학식 1]
(200℃　구운 후 박막 두께-400℃에서 구운 후 박막 두께)/200℃　구운 후 박막 두께X100
　
[표　4]
필름 제조에
사용된 화합물		 400℃와 200℃에서
박막 두께차 (%)		 아웃가스 유무
실시예 1 7.8 없음
실시예 2 8.5 없음
실시예 3 9.2 없음
실시예 4 8.3 없음
실시예 5 8.7 없음
　
표 4에서 보는 바와 같이 박막 두께차 평가결과 실시예 1 내지 5에　따른 방향족 고리 함유 화합물로 제조된 필름은 두께차가 작으며, 아웃가스도 발생하지 않았다. 이로 인해 내열성 측면에서 우수한 소재인 것으로 판단된다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
　　

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 고리 함유 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112013032209677-pat00011
    　상기 화학식 1에서, R1　내지 R6는 서로 동일하거나 상이하며 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C20 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알케닐기이고,
    X1　내지 X6는 수소, 히드록시기(-OH),　알킬아민 　또는 아미노기(-NH2)이고, n1 내지 n6는 각각 독립적으로 0 내지 2의 범위에 있으며 2 ≤　n1+n2+n3+n4+n5+n6 ≤6 이다.
    단, 상기 "치환"이란 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C5 내지 C20 아릴기 또는 C2 내지 C10의 알케닐기로 치환된 것을 의미한다.
    　
  2. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1의 R1　내지 R6중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C20 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알케닐기인 것인 방향족 고리 함유 화합물.
    단, 상기 "치환"이란 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C5 내지 C20 아릴기 또는 C2 내지 C10의 알케닐기로 치환된 것을 의미한다.
    　
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방향족 고리 함유　화합물은 500 내지 4,000의 평균 분자량을 가지는 것인 방향족 고리 함유 화합물.
    　
  4. 화학식 1 로 표시되는 방향족 고리 함유 화합물 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112013032209677-pat00012
    　상기 화학식 1에서, R1　내지 R6는 서로 동일하거나 상이하며 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C20 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테사이클로알킬기이고,
    X1　내지 X6는 수소, 히드록시기(-OH),　알킬아민, 알콕시 또는 아미노기(-NH2)이고,
    n1 내지 n6는 각각 독립적으로 0 또는 1이고, 1 ≤　n1+n2+n3+n4+n5+n6 ≤6 이다.
    단, 상기 "치환"이란 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C5 내지 C20 아릴기 또는 C2 내지 C10의 알케닐기로 치환된 것을 의미한다.
    　
  5. 제4항에 있어서,
    상기 화학식 1의 R1　내지 R6중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C5 내지 C20 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테로아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 헤테사이클로알킬기인 것인 레지스트 하층막 조성물.
    단, 상기 "치환"이란 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C5 내지 C20 아릴기 또는 C2 내지 C10의 알케닐기로 치환된 것을 의미한다.
    　
  6. 제4항에 있어서,
    상기 방향족 고리 함유　화합물은 500 내지 4,000의 평균 분자량을 가지는 것인 레지스트 하층막 조성물.
    　
  7. 제4항에 있어서,
    상기 레지스트 하층막 조성물에서 방향족 고리　함유 화합물의 함량은　1　내지 20 중량%인 레지스트 하층막 조성물.　
    　
  8. 제4항에 있어서,
    상기 레지스트 하층막 조성물은 계면활성제를　더 포함하는 것인 레지스트 하층막 조성물.
    　
  9. 제4항에 있어서,
    상기 레지스트 하층막 조성물은 가교 성분을 더 포함하는 것인 레지스트 하층막 조성물.
  10. 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 고리 함유 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112013032209677-pat00013
    　상기 화학식 1에서, R1　내지 R6는 서로 동일하거나 상이하며 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
    X1　내지 X6는 수소, 히드록시기(-OH),　알킬아민 　또는 아미노기(-NH2)이고, n1 내지 n6는 각각 독립적으로 0 내지 2의 범위에 있으며 1 ≤　n1+n2+n3+n4+n5+n6 ≤6 이다.
    단, 상기 "치환"이란 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C5 내지 C20 아릴기 또는 C2 내지 C10의 알케닐기로 치환된 것을 의미한다.
  11. 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 고리 함유 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112013032209677-pat00014
    　상기 화학식 1에서, R1　내지 R6는 서로 동일하거나 상이하며 치환 또는 비치환된 C10 내지 C20 방향족 고리기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20의 사이클로알케닐기이고,
    X1　내지 X6는 수소, 히드록시기(-OH),　알킬아민 　또는 아미노기(-NH2)이고, n1 내지 n6는 각각 독립적으로 0 내지 2의 범위에 있으며 1 ≤　n1+n2+n3+n4+n5+n6 ≤6 이다.
    단, 상기 "치환"이란 히드록시기, C1 내지 C10 알킬기, C5 내지 C20 아릴기 또는 C2 내지 C10의 알케닐기로 치환된 것을 의미한다.
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