CN104350613A - 形成具有自对准金属化堆栈的微型led器件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明描述了一种制造微型器件和微型器件阵列并向接收衬底转移的方法。在一个实施例中，利用图案化牺牲层形成自对准金属化堆栈并在蚀刻p-n二极管层期间将图案化牺牲层用作蚀刻停止层以形成多个微型p-n二极管。

Description

形成具有自对准金属化堆栈的微型LED器件的方法
技术领域
本发明涉及微型器件。更具体地，本发明的实施例涉及形成诸如发光二极管(LED)的微型器件阵列并转移到不同衬底的方法。
背景技术
预计基于氮化镓(GaN)的发光二极管(LED)会用于将来的高效率照明应用中，替代白炽光和荧光照明灯。当前基于GaN的LED器件是通过异质衬底材料上的异质外延生长技术制备的。典型的晶圆级LED器件结构可以包括在蓝宝石生长衬底上形成的下部n掺杂GaN层、单量子阱(SQW)或多量子阱(MWQ)以及上部p掺杂GaN层。
在一种具体实施中，通过蚀刻透过上部p掺杂GaN层、量子阱层，并蚀刻到n掺杂GaN层中，将晶圆级LED器件结构图案化为蓝宝石生长衬底上的台面阵列。上部p电极形成于台面阵列的顶部p掺杂GaN表面上，n电极形成于与台面阵列接触的n掺杂GaN层的一部分上。在最终产品中，台面LED器件保持在蓝宝石生长衬底上。
在另一种具体实施中，将晶圆级LED器件结构从生长衬底转移到受体衬底，诸如硅，这样做的优点是比GaN/蓝宝石复合结构更容易切割形成个体芯片。在这种具体实施中，利用永久性键合层将晶圆级LED器件结构永久性地键合到受体(硅)衬底。例如，可以利用永久性键合层将台面阵列的p掺杂GaN表面上形成的p电极键合到受体(硅)衬底。接着去除蓝宝石生长衬底以暴露倒转的晶圆级LED器件结构，然后将其减薄以暴露台面阵列。然后与暴露的n掺杂GaN形成n接触，在与p电极电接触的硅表面上形成p接触。在最终产品中，台面LED器件保持在受体衬底上。也可以将GaN/硅复合物切割以形成单个芯片。
发明内容
本发明描述了一种微型发光二极管(LED)和一种形成微型LED阵列以转移到接收衬底的方法。例如，接收衬底可为但不限于显示衬底、照明衬底、具有诸如晶体管或集成电路(IC)的功能器件的衬底、或者具有金属配电线路的衬底。在一个实施例中，微型LED器件包括微型p-n二极管和微型p-n二极管底表面下方的金属化堆栈，其中金属化堆栈包括微型p-n二极管底表面上的电极层和覆盖电极层底表面和侧壁的阻隔层。微型p-n二极管的底表面可以比金属化堆栈宽。保形电介质阻隔层可以跨越微型p-n二极管的侧壁并部分跨越微型p-n二极管的底表面。金属化堆栈可以介于微型p-n二极管和衬底上形成的键合层之间。在一个实施例中，键合7层具有约350℃或更低，更具体地，约200℃或更低的液相线温度。在实施例中，键合层为合金键合层。
在一个实施例中，一种形成微型LED阵列的方法包括在形成于p-n二极管层上的图案化牺牲层中对应的多个开口内，形成多个横向分离的自对准金属化堆栈。利用键合层将包括多个分离的自对准金属化堆栈、图案化牺牲层和p-n二极管层的第一衬底堆栈键合到第二衬底。蚀刻透过p-n二极管层以在多个分离的金属化堆栈上方形成多个微型p-n二极管，并暴露多个分离的金属化堆栈横向之间的图案化牺牲层。然后去除图案化牺牲层。
在一个实施例中，在形成于p-n二极管层上的图案化牺牲层中对应的多个开口内，形成多个横向分离的自对准金属化堆栈包括在p-n二极管层上方沉积牺牲层，以及在牺牲层上方形成图案化掩模层，其中图案化掩模层包括暴露牺牲层的多个开口。然后相对于掩模层选择性地蚀刻牺牲层，以去除多个开口之内的暴露牺牲层并去除图案化掩模层下方的一部分牺牲层。然后在图案化掩模层和p-n二极管层上方沉积金属化堆栈层。然后可以利用剥离技术剥离图案化掩模层，在p-n二极管层上方留下多个金属化堆栈和图案化牺牲层。
在一个实施例中，利用具有液相线温度约为350℃或更低，或更具体地约为200℃或更低的键合层将第一衬底堆键合到第二衬底。例如，键合层可以包括铟(In)。在一个实施例中，将第一衬底堆栈上的第一键合层与第二衬底上的键合层键合。例如，键合可以包括第一和第二键合层由不同材料形成的合金键合，或第一和第二键合层由相同材料形成的熔融键合。
在一个实施例中，多个自对准金属化堆栈包括电极层和阻隔层。阻隔层可以覆盖电极层的升高表面和侧壁，其也可以是反射性的。例如，电极层可以包括选自银和镍组的材料，其对于可见光谱是反射性的。在一个实施例中，可以通过以比电极层更高的功率和/或更低的压力来沉积阻隔层来形成阻隔层以覆盖电极层的升高表面和侧壁。例如，在利用蒸发或溅射技术沉积时，更高的功率和/或更低的压力允许进一步迁移图案化掩模层下方的沉积材料并使得沉积的阻隔层能够覆盖电极层的侧壁。
在一个实施例中，图案化牺牲层比多个横向分离的自对准金属化堆栈厚。例如，图案化牺牲层可以是多个横向自对准金属化堆栈的约两倍厚度。图案化牺牲层也可以由非金属材料，诸如二氧化硅(SiO2)形成。非金属材料可以具有与p-n二极管层不同的蚀刻特性。在一个实施例中，对p-n二极管层进行等离子体蚀刻以形成多个微型p-n二极管，且牺牲层充当蚀刻停止层。去除牺牲层可能导致暴露微型p-n二极管底表面的一部分。在一个实施例中，然后在多个微型p-n二极管的每个的侧表面和底表面一部分上沉积保形电介质阻隔层。
在一个实施例中，一种将一个或多个微型LED转移到接收衬底的方法包括在具有设置于其上的微型LED器件阵列的承载衬底上方定位转移头。每个微型LED器件包括微型p-n二极管、微型p-n二极管和承载衬底上的键合层之间的反射金属化堆栈。执行操作以在用于微型LED器件的至少一个的键合层中产生相变。例如，该操作可以包括将键合层加热到键合层液相线温度以上，液相线温度为350℃或更低，或更具体地，200℃或更低。键合层也可以是合金键合层，诸如Ag-In合金键合层，或熔融键合层，诸如In-In键合层。
利用转移头拾取微型p-n二极管和反射金属化堆栈。在一些实施例中，还拾取键合层的大部分，诸如约一半厚度。在一些实施例中，还拾取跨越微型p-n二极管侧壁以及底表面一部分的保形电介质阻隔层。然后将已经利用转移头拾取的微型LED器件放置到接收衬底上。转移头可以根据多种原理工作，包括转移头根据静电原理在微型LED器件上施加拾取压力。也可以从多种源向键合层施加热量以产生相变，包括局部热传递、通过承载衬底热传递和通过转移头热传递，以及它们的组合。
附图说明
图1A是根据本发明的一个实施例形成于本体LED衬底上的牺牲层的横截面侧视图图示。
图1B是根据本发明的一个实施例的图案化掩模层的横截面侧视图图示。
图1C是根据本发明的一个实施例的图案化牺牲层的横截面侧视图图示。
图1D是根据本发明的一个实施例的沉积金属化堆栈层的横截面侧视图图示。
图1E包括根据本发明的一个实施例横向介于多个分离的金属化堆栈之间的图案化牺牲层的顶视图和横截面侧视图图示。
图1F是根据本发明的一个实施例在横向图案化牺牲层和多个分离的金属化堆栈上方形成的键合层的横截面侧视图图示。
图2A-图2E是根据本发明的一个实施例具有键合层的承载衬底的横截面侧视图图示。
图3A-图3B是据本发明的一个实施例将生长衬底和承载衬底键合在一起的横截面侧视图图示。
图4是根据本发明的一个实施例用于键合在一起之前的生长衬底和承载衬底的各种可能结构的横截面侧视图图示。
图5是根据本发明的一个实施例将生长衬底和承载衬底键合在一起之后的各种可能结构的横截面侧视图图示。
图6是根据本发明的一个实施例从键合结构去除的生长衬底的横截面侧视图图示。
图7是根据本发明的一个实施例的减薄p-n二极管层的横截面侧视图图示。
图8-图8′是根据本发明的一个实施例蚀刻p-n二极管层以形成微型p-n二极管的横截面侧视图图示。
图8″是根据本发明的一个实施例蚀刻图案化牺牲层的横截面侧视图图示。
图9-图9′是根据本发明的一个实施例在微型LED阵列中形成接触开口的横截面侧视图图示。
图10-图10″是根据本发明的一个实施例在微型LED阵列中形成接触开口的横截面侧视图图示。
图11A-图11B是根据本发明的一个实施例的承载衬底上微型LED器件阵列的横截面侧视图图示。
图12A-图12B包括根据本发明的一个实施例的载体晶片和包括微型p-n二极管的微型LED器件阵列的顶视图和横截面侧视图图示。
图13是示出根据本发明的一个实施例拾取微型LED器件并将其从承载衬底转移到接收衬底的方法的流程图。
图14是根据本发明的一个实施例转移头从承载衬底拾取微型LED器件的横截面侧视图图示。
图15是根据本发明的一个实施例具有微型LED器件的接收衬底的横截面侧视图图示。
图16是根据本发明的一个实施例双极性微型器件转移头的横截面侧视图图示。
图17是示出根据本发明的一个实施例拾取微型LED器件并将其从承载衬底转移到接收衬底的方法的流程图。
图18是示出根据本发明的一个实施例拾取微型LED器件阵列并将其从承载衬底转移到接收衬底的方法的流程图。
图19是根据本发明的一个实施例与微型LED器件阵列接触的微型器件转移头阵列的横截面侧视图图示。
图20是根据本发明的一个实施例与微型LED器件阵列接触的微型器件转移头阵列的横截面侧视图图示。
图21A是根据本发明的一个实施例微型器件转移头阵列拾取微型LED器件阵列的横截面侧视图图示。
图21B是根据本发明的一个实施例微型器件转移头阵列拾取微型LED器件阵列一部分的横截面侧视图图示。
图22是根据本发明的一个实施例具有定位于接收衬底上方的微型LED器件阵列的微型器件转移头阵列的横截面侧视图图示。
图23A是根据本发明的一个实施例向接收衬底上选择性地释放的微型LED器件的横截面侧视图图示。
图23B是根据本发明的一个实施例向接收衬底上释放的微型LED器件阵列的横截面侧视图图示。
具体实施方式
本发明的实施例描述了一种微型器件和一种形成诸如微型发光二极管(LED)的微型器件阵列以转移到接收衬底的方法。例如，接收衬底可为但不限于显示衬底、照明衬底、具有诸如晶体管或集成电路(IC)的功能器件的衬底、或者具有金属配电线路的衬底。尽管特别针对包括p-n二极管的微型LED描述了本发明的实施例，应当理解，本发明的实施例不受此限制，某些实施例也可以适用于其他微型半导体器件，这种微型半导体器件被设计成以受控方式执行预定电子功能(例如，二极管、晶体管、集成电路)或光子功能(LED、激光器)。
在各种实施例中，参照附图进行描述。然而，某些实施例可在不存在这些具体细节中的一个或多个或者与其他已知方法和构型相结合的情况下实施。在以下的描述中，示出诸如特定构型、尺寸和工艺等许多具体细节以提供对本发明的透彻理解。在其他情况下，未对众所周知的半导体工艺和制造技术进行特别详细地描述，以免不必要地模糊本发明。整个本说明书中所提到的“一个实施例”、“实施例”等是指结合实施例所描述的特定特征、结构、构型或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，整个本说明书中多处出现短语“在一个实施例中”或类似说法不一定是指本发明的相同实施例。此外，特定特征、结构、构型或特性可以任何适当的方式结合在一个或多个实施例中。
本文所使用的术语“跨越”、“在...上方”、“到”、“在...之间”和“在...上”可指一层相对于其他层的相对位置。一层“跨越”另一层、在另一层“上方”或“上”或者键合“到”另一层可为直接与其他层接触或可具有一个或多个居间层。一层在多层“之间”可为直接与该多层接触或可具有一个或多个居间层。
本文所使用的术语“微型”器件、“微型”p-n二极管或“微型”LED器件可以指根据本发明的实施例的特定器件或结构的描述性尺寸。如本文所用，术语“微型”器件或结构是指1到100μm的尺度。然而，应当理解，本发明的实施例未必受此限制，实施例的特定方面可以适用于更大和可能更小的尺度。
在一个方面，本发明的实施例描述了一种将本体LED衬底处理成微型LED器件阵列的方法，该阵列已准备好被拾取并转移到接收衬底。这样，可以将微型LED器件集成和装配到异质集成***中。微型LED器件可以逐个、分组或作为整个阵列被拾取和转移。因此，微型LED器件阵列中的微型LED器件准备好以高转移速率被拾取并转移到接收衬底，诸如从微型显示器到大面积显示器范围的任意尺寸的显示衬底。在一些实施例中，准备好拾取的微型LED器件阵列被描述成具有10μm×10μm的节距，或5μm×5μm的节距。在这些密度下，例如，6英寸的衬底可以10μm×10μm的节距容纳约1.65亿个微型LED器件，或以5μm×5μm的节距容纳约6.60亿个微型LED器件。因此，可以制备具有特定功能的高密度预制微型器件，其中它们已准备好被拾取并转移到接收衬底。本文描述的技术不限于微型LED器件，也可以用于其他微型器件的制造中。
在另一方面，本发明的实施例描述了一种形成微型LED阵列的方式，该阵列包括多个具有自对准金属化堆栈的独立微型p-n二极管。在一个实施例中，可以通过如下方式完成自对准：在牺牲层上方形成具有多个开口的图案化掩模层、去除图案化掩模层中开口之内的暴露的牺牲层，以及去除与多个开口横向相邻的图案化掩模层下方的牺牲层一部分，从而对图案化掩模层进行底切。接着可以利用诸如蒸发和溅射的适当技术沉积金属化堆栈层。然后可以利用例如剥离技术，去除图案化掩模层以及图案化掩模层上金属化堆栈层的任何部分，留下多个自对准的金属化堆栈。这样，金属化堆栈层在横向分离的金属化堆栈位置和图案化掩模层上形成金属化堆栈层的区域之间可以是不连续的。这种不连续性可以保护横向分离的金属化堆栈在剥离操作期间不会剥落。在一个实施例中，不连续性可能是形成比金属化堆栈层厚的图案化牺牲层的结果。
在另一方面，本发明的实施例描述了一种形成微型LED阵列的方式，其中多个自对准金属化堆栈包括在电极层的升高表面和侧壁上方形成的阻隔层。在以下描述中将变得更显而易见的是，当在生长衬底上方形成时升高表面可以是电极层的暴露顶表面，或当并入微型LED器件中时可以是电极层的底表面。在一个实施例中，可以利用诸如蒸发或溅射的适当技术形成电极层和阻隔层。在沉积电极层之后，可比电极层更高的功率和/或更低的压力来沉积阻隔层，使得在被底切的图案化掩模层下方沉积阻隔层。因此，通过增大腔室中的功率或降低腔室中的压力，沉积的阻隔层可以比沉积的电极层宽，这使阻隔层能够覆盖电极层的侧壁。在一些实施例中，电极层包括容易氧化的材料，诸如银(Ag)层，可以将其并入电极层中以作为反光镜层。根据本发明的一个实施例，阻隔层可以保护反光镜层不被氧化，氧化可能会改变反光镜层的颜色，并影响反光镜层的反光特性。
在另一方面，本发明的实施例描述了一种形成微型LED阵列的方式，可以利用图案化牺牲层将键合层横向分隔成对应于多个横向分离的微型p-n二极管的多个横向分离的位置。在一个实施例中，利用键合层将包括多个自对准金属化堆栈、图案化牺牲层和p-n二极管层的第一衬底堆栈键合到第二衬底。键合层可以是连续键合层。根据本发明的一个实施例，当加热和加压下键合时，可以将图案化牺牲层压入键合层中，使得键合层流入贮藏器中，或者包括多个金属化堆栈的图案化牺牲层之内的多个开口中。在一个实施例中，图案化牺牲层被完全压透通过键合层以与下方的第二衬底接触，从而将键合层横向分隔成多个横向分离的位置。
在另一方面，本发明的实施例描述了一种形成微型LED器件和微型LED器件阵列的方式，其中图案化牺牲层在蚀刻p-n二极管层以形成多个微型p-n二极管期间充当蚀刻停止层。因此，图案化牺牲层能够用于保护微型p-n二极管的侧壁和位于微型p-n二极管之内的量子阱层不受到可能劣化微型LED器件功能性的导电污染。在一个实施例中，图案化牺牲层在将生长衬底键合到承载衬底期间充当沿p-n二极管层芯吸键合层的物理屏障。在一个实施例中，在蚀刻p-n二极管层以形成多个微型p-n二极管期间，电绝缘层充当诸如导电键合层的下方导电层再分布或再溅射的物理屏障。
在另一方面，本发明的实施例描述了一种形成微型LED器件和微型LED器件阵列的方式，其中去除图案化牺牲层以部分地暴露微型p-n二极管的底表面，这能够形成跨越微型p-n二极管两个侧表面以及部分地跨越微型p-n二极管的底表面的保形电介质阻隔层。可以在使微型LED器件与转移头接触和/或在拾取操作期间在键合层中产生相变之后，在自然断点处劈开保形电介质阻隔层。这样，包裹于微型p-n二极管下方的保形电介质阻隔层的部分保护微型p-n二极管侧壁上的保形电介质阻隔层，以免在转移头的拾取操作期间被破碎或破坏。
根据各个方面，本发明的实施例描述了一种形成微型LED器件和微型LED器件阵列的方式，其中可以利用图案化牺牲层形成自对准金属化堆栈，其可以包括覆盖电极层的阻隔层。也可以利用图案化牺牲层保护微型LED器件的侧壁不受导电污染，诸如在蚀刻p-n二极管层期间。也可以利用图案化牺牲层形成键合层的多个横向分离的位置。此外，可以利用图案化牺牲层暴露微型p-n二极管的底表面，以形成保形电介质阻隔层。在以下描述中将变得更显而易见的是，尽管可以在单个实施例中组合上述每个方面，但本发明的实施例不受此限制，根据本发明的实施例可以组合或不组合任何方面或各方面的组合。
现在参考图1A，可以在衬底101上形成半导体器件层110。在一个实施例中，半导体器件层110可以包括一个或多个层并被设计成以受控方式执行预定电子功能(例如二极管、晶体管、集成电路)或光子功能(LED、激光器)。应当理解，尽管半导体器件层110可设计为以受控方式执行预定功能，但半导体器件层110可能未充分功能化。例如，可能尚未形成诸如阳极或阴极的接触器。为了简明且不使本发明的实施例模糊，参照半导体器件层110进行以下描述，该半导体器件层是根据常规异质生长条件在生长衬底101上生长的p-n二极管层110。
p-n二极管层110可以包括具有对应于光谱中特定区域的带隙的化合物半导体。例如，p-n二极管层110可以包括基于II-VI族材料(例如ZnSe)或包括III-V族氮化物材料(例如GaN、AlN、InN、InGaN及它们的合金)和III-V族磷化物材料(例如GaP、AlGaInP及它们的合金)的III-V族材料的一个或多个层。生长衬底101可以包括任何适当衬底，诸如但不限于硅、SiC、GaAs、GaN和蓝宝石(Al2O3)。
在具体实施例中，生长衬底101为蓝宝石，并且p-n二极管层110由GaN形成。尽管蓝宝石相对于GaN具有更大的晶格常数和热膨胀系数失配，但蓝宝石成本相当低，可以广泛获得，且其透明性与基于准分子激光器的剥离(LLO)技术兼容。在另一个实施例中，可以将诸如SiC的另一种材料用作针对GaN p-n二极管层110的生长衬底101。像蓝宝石那样，SiC衬底可以是透明的。可以利用若干生长技术来生长p-n二极管层110，诸如金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。例如，可以通过向反应室中同时引入三甲基镓(TMGa)和氨气(NH3)前体，将蓝宝石生长衬底101加热到诸如800℃到1,000℃的升高温度来生长GaN。在图1A中所示的具体实施例中，p-n二极管层110可以包括本体GaN层112、n掺杂层114、量子阱116和p掺杂层118。由于硅或氧污染，或有意掺杂诸如硅的供体，本体GaN层112可以被n掺杂。可以同样利用诸如硅的供体掺杂n掺杂的GaN层114，而可以利用诸如镁的受体掺杂p掺杂层118。可以利用多种另选p-n二极管构型来形成p-n二极管层110。同样地，可以利用多种单量子阱(SQW)或多量子阱(MQW)构型形成量子阱116。此外，可以酌情包括各种缓冲层。在一个实施例中，蓝宝石生长衬底101具有约200μm的厚度，本体GaN层112具有约0.5μm-5μm的厚度，n掺杂层114具有约0.1μm-3μm的厚度，量子阱层116具有小于约0.3μm的厚度，并且p掺杂层118具有约0.1μm-1μm的厚度。
然后可以在p-n二极管层110上方形成牺牲层170。在一个实施例中，牺牲层170由具有与p-n二极管层110不同的蚀刻特性的非金属材料形成。例如，牺牲层170可以是电介质材料，诸如但不限于二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、磷硅玻璃(PSG)和聚酰亚胺。在一个实施例中，牺牲层170具有约0.2μm-4μm的厚度。在一个实施例中，牺牲层170由厚度约为0.5μm的SiO2形成。
现在参考图1B，在牺牲层170上方形成图案化掩模层180。例如，图案化掩模层180可以是光致抗蚀剂，但可以使用其他材料，其中可以相对于图案化掩模层180选择性地蚀刻牺牲层170。此外，图1B中示为虚线的是将最终形成p-n二极管150的轮廓。如图所示，图案化掩模层180中的开口181比最终将成为p-n二极管150的底表面151的部分具有更小宽度(例如，参见图11A-图11B)。
现在参考图1C，相对于图案化掩模层选择性地蚀刻牺牲层170，以去除多个开口181之内的暴露的牺牲层170并去除图案化掩模层180下方牺牲层与多个开口181相邻的部分，从而对图案化掩模层180进行底切。在一个实施例中，利用适当的液体蚀刻溶液执行选择性蚀刻。例如，在牺牲层170由SiO2形成且图案化掩模层180由光致抗蚀剂形成时，可以利用缓冲的氢氟酸(BHF)进行蚀刻。在所示的具体实施例中，湿法蚀刻还可以产生渐缩侧壁171。在所示的具体实施例中，牺牲层170可以将图案化掩模层底切与牺牲层厚度(t)大致相同的距离(d)。如图所示，图案化牺牲层中的开口可具有比最终将成为p-n二极管150的底表面151的地方更小的宽度。
然后可以沉积金属化堆栈层123。如图1D中所示，金属化堆栈层123可以包括电极层122和任选地阻隔层124，但是可以包括其他层。电极层122和阻隔层124还可以包括多个层。在一个实施例中，反射性金属化堆栈层具有约0.1μm-2μm的厚度。在一个实施例中，反射性金属化堆栈层具有约0.25μm的厚度。电极层122可以与p掺杂GaN层118形成欧姆接触并可以由高逸出功金属，诸如Ni、Au、Ag、Pd和Pt形成。在一个实施例中，电极层122对于光发射可以是反射性的并可以充当将光朝p-n二极管层110反射回的镜子。例如，可以在电极层122中包括Ag或Ni层，以实现其反射特性。诸如Ag的电极层也可能易受氧化的影响。可以任选地出于各种原因在反射金属化堆栈层123中包括阻隔层124，所述原因包括保护下方的电极层122不被氧化，以及防止杂质扩散到电极层122或p-n二极管110中。例如，阻隔层124可以包括但不限于Pd、Pt、Ni、Ta、Ti和TiW。在某些实施例中，阻隔层124可以防止组分从键合层扩散到p-n二极管层110中。阻隔层124还可以防止组分从例如下述键合层扩散到电极层122中。
如图1D中所示，图案化牺牲层170比金属化堆栈层123厚。在一个实施例中，图案化牺牲层约是p-n二极管层110上形成的金属化堆栈层123的两倍厚。在一个实施例中，图案化牺牲层具有约0.5μm的厚度，并且金属化堆栈层123在p-n二极管层110上具有约0.25μm的厚度。现在结合图1D参考图1E，然后可以利用例如剥离技术来去除图案化掩模层180和图案化掩模层180上金属化堆栈层123的任何部分，留下多个自对准金属化堆栈120。这样，金属化堆栈层123在将变成横向分离的金属化堆栈120的位置和图案化掩模层180上形成金属化堆栈层123的区域之间可以是不连续的。这种不连续性保护横向分离的金属化堆栈120在剥离操作期间不会剥落。不连续性可能是形成比金属化堆栈层123厚的图案化牺牲层180的结果。
仍然参考图1D，可以利用适当的技术诸如蒸发和溅射来沉积电极层122和阻隔层124。如图所示，在电极层122升高的表面和侧壁上方形成阻隔层124。在以下描述中将变得更显而易见的是，升高的表面可以是如图1D中所示当在生长衬底101上方形成时电极层的暴露顶表面，或如示例性图11A-图11B中所示当并入微型LED器件中时电极层122的底表面。电极层是利用诸如蒸发或溅射的适当技术形成的。在一个实施例中，p-n二极管层110上形成的电极层122的部分不接触牺牲层170。例如，电极层122可具有介于图案化掩模层180中的开口181约相同宽度和小于图案化牺牲层170中的开口宽度之间的宽度。在沉积电极层122之后，可以利用相同技术以比电极层122更高的功率来沉积阻隔层124，使得在被底切的图案化掩模层180更下方沉积阻隔层124。因此，通过增大功率，所沉积的阻隔层124可以比所沉积的电极层122宽，这使阻隔层124能够覆盖电极层122的侧壁。更宽的沉积阻隔层124也可以通过在比电极层122更低的压力下沉积或更低的压力和更高的功率组合下沉积来完成。在一些实施例中，电极层包括易受氧化影响的材料，诸如银(Ag)层，其可以被并入电极层122中来充当反光镜层。根据本发明的一个实施例，阻隔层124可以保护反光镜层(或其他层)不被氧化，氧化可能会改变反光镜层的颜色，并影响反光镜层的反射特性。
在某些实施例中，对应于微型LED 150阵列的节距，横向分离反射金属化堆栈120的节距可以是5μm、10μm或更大。例如，可以由分开2μm间距的3μm宽横向分离反射金属化堆栈120形成5μm节距。可以由分开2μm间距的8μm宽分离反射金属化堆栈120形成10μm节距。尽管如此，这些尺寸是示例性的，本发明的实施例不受此限制。在一些实施例中，横向分离反射金属化堆栈120的宽度小于或等于微型p-n二极管150阵列底表面的宽度，如以下描述和附图中更详细论述的。
根据一些实施例，图1E中所示的生长衬底101堆栈准备好键合到承载衬底。例如，如下文结合图2A-图2E所述，可以将生长衬底101堆栈键合到包括键合层210的承载衬底201堆栈。在其他实施例中，可以在图案化牺牲层170和多个分离的反射金属化堆栈120上方形成额外的一层或多层。参考图1F，在一个实施例中，键合层128可以任选地由图1E的衬底堆栈形成，以有利于键合。键合层128可以由结合以下表1和表2所述的任何材料形成，其中一些可取决于键合层210(当存在时)的组成，以用于形成熔融键合层或合金键合层。例如，在键合层128与键合层210合金键合的情况下，键合层128可以是纯金属，或者是对表1中提供的化学组成有贡献的金属合金。在一个实施例中，键合层128是导电的并约为500到2,000埃厚。在沉积导电键合层128之前，可以任选地形成粘附层以增强导电键合层128到图案化牺牲层170(例如，SiO2)的粘附性。例如，粘附层可以由Ti、TiW、Cr或Ni形成，具有100到1,000埃，更具体地约300埃或更小的厚度。可以任选地对键合层128和粘附层进行图案化，例如，以在键合层128中将不会接触承载衬底上对应键合层的区域处形成开口。
图2A-图2E是具有用于键合到生长衬底101堆栈的键合层210的承载衬底201的各种实施例的横截面侧视图图示。键合层210可以由参照以下表1和表2所述的任何材料形成，其中一些可能取决于键合层128(当存在时)的组成，以用于形成熔融键合层或合金键合层。例如，在键合层210与键合层128合金键合的情况下，键合层210可以是纯金属，或者是对表1中提供的化学组成有贡献的金属合金。可以任选地在键合层210之前形成粘附层208。例如，粘附层208可以由Ti、TiW、Cr或Ni形成，具有100到1,000埃，更具体地约300埃或更小的厚度。图2A示出了在键合之前未图案化的承载衬底201和键合层210以及粘附层208。图2B-图2D示出了承载衬底201，其已被图案化以形成多个具有侧壁204且被沟槽206分开的柱202。柱202可以由多种材料和技术形成。在一个实施例中，柱202可以通过蚀刻或压印工艺对承载衬底201进行图案化来与承载衬底201一体形成。例如，承载衬底201可以是具有一体形成的柱202的硅衬底。在另一个实施例中，可以在承载衬底201顶部上形成柱。例如，可以通过板上和光致抗蚀剂剥离技术形成柱202。可以由任何适当的材料形成柱，所述材料包括半导体、金属、聚合物、电介质等。
柱202可以具有等于或小于微型p-n二极管150宽度的最大宽度，在以下描述和附图中这将变得更显而易见。在一个实施例中，沟槽柱202的高度至少有键合层210厚度的两倍。在一个实施例中，键合层210可以具有约0.1μm-2μm的厚度，并且沟槽柱具有至少0.2μm-4μm的高度。在图2B所示的具体实施例中，在柱202上方，在侧壁204上和沟槽206之内，形成保形键合层210。在图2C所示的具体实施例中，键合层210和粘附层208是各向异性沉积的，使得它们仅形成于柱202的顶表面上和沟槽206之内，没有显著量沉积在侧壁204上。在图2D所示的具体实施例中，键合层210和粘附层208仅形成于柱202的顶表面上。可以利用同一图案化光致抗蚀剂对柱202、粘附层208和键合层210进行图案化来形成此类构型。在图2E中所示的具体实施例中，可以利用光致抗蚀剂剥离技术形成键合层210的横向分离位置，其中在图案化光致抗蚀剂层上方沉积粘附层和键合层的毯式层，然后剥离光致抗蚀剂层(连同粘附层和键合层在光致抗蚀剂层上的部分)，留下图2E中所示的键合层210的横向分离的位置，但是可以使用其他处理技术。
如上文结合图2B-图2E和图1E-图1F所述，本发明的某些实施例包括横向分离的反射金属化堆栈120和/或横向分离的键合层128、210的位置。结合图2B，其中在柱202上方，以及侧壁204上和沟槽206之内，形成保形键合层210，柱202顶部上键合层的特定位置被沟槽206横向分离。因此，即使保形键合层210是连续的，柱202顶部上的键合层210的位置也是横向分离的位置。同样，图2E中键合层210的单个离散位置由它们之间的空间横向分离。当存在柱202的情况下，键合层210厚度与柱202高度的关系可以计入键合层210位置的横向分离。
上述键合层128和210可以由多种适当材料形成，诸如热塑性聚合物、金属和焊料。键合层作为单个键合层，或当通过熔融键合或合金键合而键合在一起时，可能够将微型LED器件粘附到承载衬底。在一个实施例中，所得的键合层可以具有约350℃或更低，或更具体地约200℃或更低的液相线温度或熔融温度。在此类温度下，所得的键合层可以经历相变，而不会显著影响微型LED器件的其他部件。在一个实施例中，所得的键合层可以是导电的。例如，在所得键合层响应于温度变化经历从固体到液体的相变的情况下，所得键合层的一部分在拾取操作期间可保持在微型LED器件上，如以下描述中更详细所述。在此类实施例中，可能有益的是所得键合层由导电材料形成，使得当随后将其转移到接收衬底时，其不会不利地影响微型LED器件。在这种情况下，所得键合层在转移操作期间保留在微型LED器件上的部分可以辅助将微型LED器件键合到接收衬底上的导电焊盘。
焊料可以是用于键合层128、210的适当材料，因为很多在其固态中一般是延展性材料并与半导体和金属表面之间呈现出良好的润湿。典型的合金不在单一温度下熔融，而是在一个温度范围内熔融。因此，焊料合金常常通过对应于合金保持为液体的最低温度的液相线温度，以及对应于合金保持为固体的最高温度的固相线温度来表征。表1中提供了本发明的实施例可利用的低熔点焊接材料的示例性列表，其中化学组成按组分的重量百分比列出。如上所述，其中在将键合层128、210键合在一起以形成合金键合层时，键合层128、210可以是纯金属，或对表1中提供的化学组成有贡献的金属合金。
表1：
表2中提供了可以用于本发明的实施例的热塑性聚合物的示例性列表。
表2：
聚合物 熔融温度(℃)
丙烯酸(PMMA) 130-140
聚甲醛(POM或乙缩醛) 166
聚对苯二甲酸丁二酯(PBT) 160
聚己内酯(PCL) 62
聚对苯二甲酸乙二酯(PET) 260
聚碳酸酯(PC) 267
聚酯 260
聚乙烯(PE) 105-130
聚醚醚酮(PEEK) 343
聚乳酸(PLA) 50-80
聚丙烯(PP) 160
聚苯乙烯(PS) 240
聚偏二氯乙烯(PVDC) 185
根据本发明的实施例，键合层128、210形成均匀厚度，并可以根据特定组成通过多种适当方法沉积。例如，焊料组成可以是溅射的，由电子束(E束)蒸发沉积，或镀有晶种层以获得均匀厚度。
现在参考图3A-图3B，可以在加热和/或加压下将生长衬底101和承载衬底201键合在一起。图3A是图1E的结构被键合到图2A的未图案化结构的一个实施例的图示。图3B是图1F的结构被键合到图2A的未图案化结构的一个实施例的图示。应当理解，这些图示是示例性的，并且根据本发明的实施例设想了与图2A-图2E的其他组合。此外，可以仅利用单个键合层128或210将生长衬底101和承载衬底201键合在一起。
在一个实施例中，在键合图3B中所示的衬底期间，导电键合层128可能扩散到导电键合层210中，或反之亦然，将层128、210转换为合金键合层。所得键合层的一个功能是将包括微型p-n二极管的微型LED器件保持在承载衬底上的适当位置，同时还提供能够容易释放微型LED器件的介质。在一些实施例中，导电键合层128、210之一是由熔融或液相线温度大于350℃，或更具体地大于200℃的材料形成的，然而，所得的合金键合层的特征在于350℃或更低，或更具体地200℃或更低的熔融或液相线温度，以便提供可以从其拾取微型LED的介质。因此，导电键合层128、210被形成特定组成和厚度，以在键合层128和键合层210相互扩散时实现期望的合金浓度。在一个实施例中，选择键合层128和键合层210的组成和厚度以实现低共熔合金键合，其中在特定组成和温度下，低共熔合金直接从固态转换到液态，而不经过液态和固态的二相平衡。
根据本发明的实施例，利用键合层128、210产生的键合界面可以比单独利用键合层210的键合界面更强。提高的键合界面强度能够为***提供额外的结构完整性，例如，在下文更详细所述的在生长衬底101去除期间。例如，在使用激光器剥离技术去除生长衬底的情况下，该***受到热和机械冲击波的作用，这可能导致生长衬底101和承载衬底201之间层的分离以及p-n二极管层110的破裂。根据本发明的实施例，键合层128，210的低共熔键合能够形成强键合界面，该强键合界面针对此类分层进行保护，从而保持p-n二极管层110的完整性。
图4是在键合生长衬底101和承载衬底201之前并排呈现的生长衬底101和承载衬底201的各种非限制性可能结构的横截面侧视图图示。图5是在键合生长衬底101和承载衬底201之后并排呈现的生长衬底101和承载衬底201的各种非限制性可能结构的横截面侧视图图示。表3中描述了衬底的特定组合。例如，图4中所示的具体实施例，实例A表示将图2A中所示的承载衬底键合到图1E中所示的生长衬底。尽管未示出，如上所述，根据一些实施例，除键合层210之外，可以任选地包括键合层128以用于合金或熔融键合，或替代键合层210。
表3：
仍然参考图5，所示实施例的一个特征是在键合操作期间将键合到承载衬底201堆栈的生长衬底101堆栈的外形嵌入(或压入)键合层210中。例如，将包括图案化牺牲层170和反射金属化堆栈120的外形嵌入(或压入)键合层210中。参考示例性图5，实例A，在一个实施例中，当加热加压下键合时，将图案化牺牲层170压入键合层210中，使得键合层210流入由包括多个金属化堆栈120的图案化牺牲层170之内的多个开口形成的贮藏器中。在一个实施例中，图案化牺牲层170被完全压透过键合层210以与下方的第二衬底201(或者粘附层208，当存在时)接触，从而将键合层210横向分离为多个横向分离位置。预期将键合层210横向分离为对应于每个单个微型LED器件的横向分离位置可以辅助拾取操作，其中在键合层的一个横向分离位置中产生相变不会影响键合层的相邻横向分离位置。然而，本发明的实施例不受此限制，不需要将图案化牺牲层170完全透过键合层210嵌入(或压入)。
所示实施例的另一个特征在于图案化牺牲层170是p-n二极管层110和下方金属层(例如，键合层210、粘附层208)之间的物理屏障。因此，图案化牺牲层170提供了沿随后从p-n二极管层110形成的微型p-n二极管150的底表面的金属污染的屏障。
现在参考图6，已经从键合结构去除了生长衬底101。可以通过适当的方法，诸如化学蚀刻或基于准分子激光器的剥离(LLO)(如果生长衬底是透明的)，去除生长衬底101。在一个实施例中，从透明蓝宝石生长衬底101对GaN p-n二极管层110进行LLO是利用来自紫外线激光器诸如Nd-YAG激光器或KrF准分子激光器的短脉冲(例如，数十纳秒)通过透明蓝宝石生长衬底101来辐射101/110层界面而完成的。GaN p-n二极管层110在界面处的吸收导致界面局部发热，使得在界面GaN处分解成液态Ga金属和氮气。一旦辐射了期望区域，就可以通过在电炉上重新熔融Ga来去除透明蓝宝石生长衬底101。
现在参考图7，将p-n二极管层110减薄到期望厚度。重新参考图1A中放大的p-n二极管层110，去除预定量的本体GaN层112(可以是n型)或n型GaN层114的一部分，使得在减薄之后保留可操作的p-n二极管。根据下方结构，可以利用适当的技术诸如抛光、湿法蚀刻或干法蚀刻执行减薄过程。例如，可以组合执行抛光和/或定时蚀刻到期望的厚度。在有诸如柱的下方图案化结构的情形下，可以执行定时蚀刻到期望的厚度，以避免破坏图案化结构。
现在参考图8，可以在减薄的p-n二极管层110上方形成图案化掩模层140，该图案化掩模层用于蚀刻p-n二极管层110，以形成多个独立的微型p-n二极管150。掩模层140可以由光致抗蚀剂或多种材料诸如金属(例如铬、镍)或电介质(氮化硅、氧化硅)形成，它们对GaN蚀刻条件比光致抗蚀剂更有耐受性。可以利用干法等离子体蚀刻技术诸如反应离子蚀刻(RIE)、电子回旋共振(ECR)、感应耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)和化学辅助的离子束蚀刻(CAIBE)执行GaN p-n二极管层110的蚀刻。蚀刻化学作用可以基于卤素，包含诸如Cl2、BCl3或SiCl4的物质。
如图所示，图案化牺牲层170在蚀刻GaN p-n二极管层110期间充当蚀刻停止层。因此，图案化牺牲层170保护微型p-n二极管150的侧壁153和位于之内的量子阱结构116不受下方导电键合层210和粘附层208(当存在时)的污染。例如，由于干法等离子体蚀刻化学作用从覆盖的导电键合层210或粘附层208看到图案化牺牲层170(例如SiO2)而非金属，因此消除了金属再次溅射到p-n二极管150侧壁上。
在图8所示的具体实施例中，微型p-n二极管150可以具有高达15度的向外渐缩的侧壁153(从微型p-n二极管150的顶部到底部)。例如，可以利用使用基于氯的蚀刻化学物质的RIE。或者，侧壁153可以是垂直的。例如，可以利用使用基于氯的蚀刻化学物质的ICP-RIE获得垂直侧壁。在图15的描述中将变得显而易见的是，在一些实施例中，当已被拾取并转移到接收衬底的一系列微型LED器件上方形成公共接触器时，向外渐缩的侧壁可能是有利的。在某些实施例中，微型p-n二极管150之间的节距可以是5μm、10μm或更大。例如，可以由分开2μm间距的3μm宽微型p-n二极管形成节距为5μm的微型p-n二极管150阵列。可以由分开2μm间距的8μm宽微型p-n二极管形成节距为10μm的微型p-n二极管150阵列。在完成蚀刻p-n二极管层110以形成多个独立的微型p-n二极管150时，可以去除图案化掩模层140，暴露多个微型p-n二极管150的顶表面152，如图8′中所示。或者，可以在稍后的时间去除图案化掩模层140。
现在参考图8″，选择性地去除图案化牺牲层170。在所示的具体实施例中，去除图案化牺牲层170暴露了微型p-n二极管150的底表面151的一部分。此外，在所示的具体实施例中，完全去除了图案化牺牲层170。可以利用液体、蒸汽或气相蚀刻剂执行去除。在一个实施例中，在图案化牺牲层170由SiO2形成的情况下，蚀刻剂可包括液体、蒸汽或气相氢氟酸(HF)或缓冲的氢氟酸(BHF)。
在一个实施例中，如果尚未去除，可以在去除图案化牺牲层170的同一操作中去除图案化掩模层140。或者，在蚀刻溶液对图案化牺牲层170和图案化掩模层140具有不同选择性的情况下，图案化掩模层140能够保持在p-n二极管150上并用于在保形电介质阻隔层中形成接触开口，如参照图9-图9’所述。
仍然参考图8″，微型LED阵列包括承载衬底201、承载衬底上键合层210(可以是或不是合金键合层，可以横向分离或不横向分离)的多个位置，以及键合层210多个位置上方的相应多个独立的微型p-n二极管150。在相应多个独立的微型p-n二极管150和键合层201的多个位置之间形成多个独立的反射金属化堆栈120。在一些实施例中，承载衬底包括相应的多个柱202，其上形成键合层210的多个横向分离的位置，如实例B-D中所示。
在一些实施例中，微型p-n二极管150包括顶表面152和底表面151，并且反射金属化堆栈120包括顶表面和底表面，并且微型p-n二极管150的底表面151比反射金属化堆栈120的顶表面宽。在一些实施例中，多个微型p-n二极管150各自包括底表面151，所述底表面与相应多个柱202中的每个的顶表面具有大致相同的宽度。在其他实施例中，多个微型p-n二极管150各自包括底表面151，所述底表面比相应多个柱202中的每个的顶表面宽。微型p-n二极管150底部宽度和下方柱202顶表面的关系可影响拾取过程。例如，如果键合层210在拾取过程期间呈现出从固体到液体的相变，那么微型p-n二极管150基本上浮置于液体层上。液体键合层210中的表面张力可以将微型p-n二极管150保持在柱202顶部的适当位置。具体地，与柱202顶表面边缘相关联的表面张力可以进一步帮助将微型p-n二极管150保持在适当位置，其中柱202顶表面宽度小于或约等于p-n二极管150底部宽度。
根据一些实施例，多个微型p-n二极管150定位在键合层210的横向分离位置上方。在一个实施例中，如实例A中所示，可以通过将图案化牺牲层压透键合层210来产生键合层210的横向分离位置。在一个实施例中，可以通过如下方式实现键合层210的横向分离位置：在如实例E中所示向承载衬底键合生长衬底之前，对键合层210进行图案化，或者如实例B-D中所示，形成柱。在柱202之间存在沟槽206的某些实施例中，沟槽可以充当键合层贮藏器，熔融的键合层可以流入其中而不干扰相邻的微型LED器件。在一个实施例中，多个微型p-n二极管150各自包括底表面151，其具有与合金键合层211的多个横向分离位置的对应顶表面大致相同或更大的宽度。
在一些实施例中，图8″的微型LED器件准备好例如用转移头拾取并转移到接收衬底。在其他实施例中，可以在拾取并转移到接收衬底之前，由任何微型p-n二极管150的阵列形成薄保形电介质阻隔层。现在参考图9-图10″，可以在图8″的任何微型p-n二极管150的阵列上方形成薄保形电介质阻隔层160。在一个实施例中，薄保形电介质阻隔层160可以在拾取过程期间进行保护，防止相邻微型p-n二极管150之间的电弧放电，从而保护相邻微型p-n二极管150以免在拾取过程期间粘在一起。薄保形电介质阻隔层160还可以保护微型p-n二极管150的侧壁153、量子阱层116和底表面151不受污染，所述污染可能影响微型p-n二极管150的完整性。例如，薄保形电介质阻隔层160能够在后续的温度循环(尤其是在高于键合层材料210的液相线或熔融温度的温度下)期间，诸如在从承载衬底拾取微型器件并将微型器件释放到接收衬底期间，充当物理屏障，防止键合层材料210(或合金键合层)被芯吸到微型p-n二极管150的侧壁和量子层116上。薄保形电介质阻隔层160一旦被置于接收衬底上，还可以使微型p-n二极管150绝缘。在一个实施例中，薄保形电介质阻隔层160为约50-600埃厚的氧化铝(Al2O3)。可以通过多种适当技术诸如但不限于原子层沉积(ALD)来沉积保形电介质阻隔层160。
现在参考图9-图9′，可以在图8″的任何微型p-n二极管150的阵列上方形成薄保形电介质阻隔层160，其中尚未去除图案化掩模层140。薄保形电介质阻隔层160可以形成于任何微型p-n二极管150的阵列上方并与掩模层140的暴露表面以及p-n二极管150的侧壁153和底表面151的一部分保形且跨越它们。保形电介质阻隔层160还可以跨越键合层210的暴露表面。然后利用剥离技术去除掩模层140，剥离其上形成的薄保形电介质阻隔层160的部分，获得图9′所示包括接触开口162的结构。在图9′所示的具体实施例中，保形电介质阻隔层160未形成于微型p-n二极管150的顶表面152上。
参考图10-图10″，也可以在图8″的微型p-n二极管150阵列上方形成薄保形电介质层，之后进行图案化以形成接触开口162。如图10中所示，薄保形电介质阻隔层160可以形成于任何微型p-n二极管150的阵列上方并与p-n二极管150的暴露的顶表面152和侧壁153保形且跨越它们。电介质阻隔层160也可以跨越p-n二极管150的暴露的底表面151和键合层210。接着可以在p-n二极管阵列和承载衬底201上方形成毯式光致抗蚀剂层，然后进行图案化以在每个微型p-n二极管150上方形成开口。然后可以蚀刻薄保形电介质阻隔层160以在每个微型p-n二极管150的顶表面152上形成接触开口162。在去除图案化光致抗蚀剂之后，接触开口162如图10′-图10″中所示。如图10′中所示，接触开口162可以具有比微型p-n二极管150的顶表面152稍大的宽度。在图10′所示的实施例中，接触开口162暴露微型p-n二极管150的顶表面和微型p-n二极管150的侧壁的上部，而电介质阻隔层160覆盖量子阱层116并使其绝缘。如图10″中所示，接触开口162可以具有比微型p-n二极管150的顶表面152稍小的宽度。宽度的差异可能是对光致抗蚀剂进行图案化时调节对准公差的结果。因此，保形电介质阻隔层160可以围绕微型p-n二极管150顶表面和侧壁形成唇缘。
图11A中示出了来自图10″实例A的微型LED器件的示例性阵列。在图11A所示的具体实施例中，将图案化牺牲层完全压透键合层210，以形成键合层210的多个横向分离位置。现在参考图11B，在所示的具体实施例中，未将图案化牺牲层完全压透键合层210，并且键合层210的分离位置不是横向分离的。
图12A-图12B包括根据本发明的一个实施例的承载衬底201和微型LED器件阵列的顶视图和横截面侧视图图示；在所示的具体实施例中，从图11A中的微型LED器件产生阵列。然而，应当理解，图12A-图12B是示例性的，微型LED器件的阵列可以由前述任何微型LED器件形成。在图12A所示的实施例中，每个单个微型p-n二极管150被示为一对具有不同直径或宽度的同心圆，所述直径或宽度对应于微型p-n二极管150顶表面和底表面的不同宽度，对应的渐缩侧壁跨越顶表面和底表面之间。在图12B所示的实施例中，将每个单个微型p-n二极管150示出为具有渐缩或圆形角的一对同心正方形，其中每个正方形具有不同的宽度，该不同的宽度对应于微型p-n二极管150的顶表面和底表面以及跨越该顶表面和底表面的对应的渐缩侧壁的不同宽度。然而，本发明的实施例不需要渐缩侧壁，并且微型p-n二极管150的顶表面和底表面可具有相同的直径，或宽度以及垂直的侧壁。如图12A-图12B所示，将微型LED器件阵列描述为在每个微型LED器件和每个微型LED器件的最大宽度(W)之间具有节距(P)、间距(S)。为了清楚简洁起见，尽管应当理解，类似的y维度可能存在并且可具有相同或不同的维度值，但在顶视图图示中通过虚线仅示出x维度。在图12A-12B所示的特定实施例中，x和y维度的值在顶视图图示中是相同的。在一个实施例中，微型LED器件的阵列可以具有10μm的节距(P)，其中每个微型LED器件具有2μm的间距(S)和8μm的最大宽度(W)。在另一个实施例中，微型LED器件的阵列可以具有5μm的节距(P)，其中每个微型LED器件具有2μm的间距(S)和3μm的最大宽度(W)。然而，本发明的实施例并不限于这些特定尺寸，并且可利用任何适当的尺寸。
在图13中描述了一种将微型LED器件转移到接收衬底的方法的实施例。在此类实施例中，提供了其上设置有微型LED器件阵列的承载衬底。如上所述，每个微型LED器件可以包括微型p-n二极管和微型p-n二极管底表面下方的反射金属化堆栈，其中金属化堆栈在微型p-n二极管和承载衬底上的键合层之间。保形电介质阻隔层可以任选地跨越微型p-n二极管的侧壁。保形电介质阻隔层可另外跨越微型p-n二极管底表面的一部分。在操作1310，在用于微型LED器件中的至少一个的键合层中产生相变。例如，相变可以与将键合层加热到形成键合层的材料的熔融温度或液相线温度以上相关联。可以从多种源向键合层施加热量以产生相变，包括局部热传递、通过承载衬底热传递、通过转移头热传递，以及它们的组合。然后可以在操作1320利用转移头拾取用于至少一个微型LED器件的微型p-n二极管、金属化堆栈和任选的保形电介质阻隔层的一部分，以及任选地键合层的一部分，然后在操作1330放置在接收衬底上。可以在放置操作期间向键合层施加热量，并可以从多种源提供热量，包括局部热传递、通过接收衬底热传递、通过转移头热传递，以及它们的组合。
图14中提供了根据一个实施例的操作1320的一般图示，其中转移头300拾取用于至少一个微型LED器件的微型p-n二极管150、金属化堆栈120、保形电介质阻隔层160的一部分，以及键合层210的一部分。在所示的具体实施例中，已经形成了保形电介质阻隔层160，然而，在其他实施例中，可以没有保形电介质阻隔层。在一些实施例中，可以利用微型LED器件剥离键合层210的一部分，诸如约一半。尽管示出了包括实例A的微型p-n二极管150的特定微型LED器件，但要理解，可以拾取包括本文所述任何微型p-n二极管150的任何微型LED器件。此外，尽管图14中所示的实施例示出了转移头300拾取单个微型LED器件，但在其他实施例中，转移头300或多个转移头300可以拾取一组微型LED器件。
仍然参考图14，在所示的具体实施例中，微型p-n二极管150的底表面151比与底表面151接触的反射金属化堆栈120顶表面宽，且保形电介质阻隔层160跨越微型p-n二极管150的侧壁、微型p-n二极管150的底表面151的一部分。在一个方面，包裹于微型p-n二极管150下方的保形电介质阻隔层160的部分保护微型p-n二极管150侧壁上的保形电介质阻隔层160，避免在利用转移头300进行拾取操作期间被破碎或破坏。在保形电介质阻隔层160、键合层210中，尤其是在拐角和具有锐角的位置，可能形成应力点。在使微型LED器件与转移头300接触和/或在键合层中产生相变时，这些应力点变成保形电介质阻隔层160中的自然断点，可以在此处劈开保形电介质层。在一个实施例中，在使微型LED器件与转移头接触和/或在合金键合层中产生相变之后，在自然断点处劈开保形电介质阻隔层160，这可以在拾取微型p-n二极管和反射金属化堆栈之前或期间。在液态中，键合层可以响应于与使微型LED器件与转移头接触相关联的压缩力，在下方结构上平滑分布开。在一个实施例中，在使微型LED器件与转移头接触之后，在合金键合层中产生相变之前，在微型LED器件的整个顶表面上摩擦转移头。摩擦可以驱逐可能存在于转移头或微型LED器件中的任一个的接触表面上的任何颗粒。摩擦还可以将压力转移到保形电介质阻隔层。因此，将压力从转移头300转移到保形电介质阻隔层160以及将合金键合层加热到合金键合层的液相线温度以上都可以有助于在微型p-n二极管150下方的位置处劈开保形电介质阻隔层160，并可以保留微型LED器件和量子阱层116的完整性。
在一个实施例中，微型p-n二极管150的底表面比金属化堆栈120的顶表面宽，且保形电介质阻隔层160形成于微型p-n二极管150底表面的一部分上。在一个实施例中，沿金属化堆栈120每侧上的底表面微型p-n二极管150的0.25μm到1μm的距离容纳50埃到600埃厚的保形电介质阻隔层160。
根据本发明的实施例，可以利用多个适当的转移头辅助拾取和放置操作1320、1330。例如，转移头300可以根据真空、磁、粘合或静电原理在微型LED器件上施加拾取压力，以便拾取微型LED器件。在具体实施例中，转移头根据静电原理工作。也可以配置转移头300以将热量转移到微型LED器件，以在与转移过程相关联的拾取和放置操作期间控制键合层的相态。
图15是接收衬底400的图示，已根据本发明的一个实施例向其上放置了多个微型LED器件。例如，接收衬底可为但不限于显示衬底、照明衬底、具有诸如晶体管的功能器件的衬底、或者具有金属配电线路的衬底。在所示的具体实施例中，每个微型LED器件都可以放置在驱动器接触器410上方。然后可以在一系列微型p-n二极管150上方形成公共接触线420。如图所示，微型p-n二极管150的渐缩侧壁可以提供便于形成连续接触线的外形。在一个实施例中，公共接触线420可以形成于一系列红光发射、绿光发射或蓝光发射的微型LED的上方。在某些实施例中，公共接触线420将由透明接触材料诸如氧化铟锡(ITO)形成。在一个实施例中，可以将多个微型LED布置成三个的像素组，包括红光发射微型LED、绿光发射微型LED和蓝光发射微型LED。
在一个实施例中，p-n二极管150可以包括厚度约为0.1μm-3μm的顶部n掺杂层114、厚度小于约0.3μm的量子阱层116(可以是SQW或MQW)，以及厚度约为0.1μm-1μm的下方p掺杂层118。在一个实施例中，顶部n掺杂层114可以是0.1μm-6μm厚(其可以包括或替代前述本体层112)。在具体实施例中，p-n二极管150可以小于3μm厚，并小于10μm宽。
在另一方面，本发明的实施例描述了一种利用转移头阵列进行预制成的微型器件阵列大批转移的方式。包括与对应的微型LED器件阵列的节距的整数倍相匹配的转移头阵列的转移工具可用于拾取微型LED器件阵列并将其转移到接收衬底。这样，可以高转移速率将微型LED器件集成并装配到异类集成***中，包括从微型显示到大面积显示的范围的任何尺寸的衬底。例如，1cm×1cm的微型器件转移头阵列可拾取并转移100,000个以上的微型器件，更大的微型器件转移头阵列能够转移更多的微型器件。转移头阵列中每个转移头也可以独立控制，这能够有选择地拾取和释放微型器件。
在不限于特定理论的情况下，本发明的实施例描述微型器件转移头和头阵列，所述微型器件转移头和头阵列根据静电夹使用异性电荷相吸来拾取微型器件的原理进行工作。根据本发明的实施例，向微型器件转移头施加吸合电压以便在微型器件上生成抓吸力并拾取微型器件。抓吸力与带电板面积成正比，因此被作为压力计算。
在另一方面，本发明的实施例描述了一种键合层，其能够在特定处理和维护操作期间将微型器件保持在承载衬底上，并且在经历相变时，提供能够保持微型器件的介质，然而微型器件在拾取操作期间还易于从其释放。例如，键合层是可以重新熔融或重新流动的，使得在拾取操作之前或期间，键合层经历从固态到液态的相变。在液态中，键合层可以将微型器件保持在承载衬底上的适当位置，同时还提供易于释放微型器件的介质。不限于特定理论，在确定从承载衬底拾取微型器件所需的抓吸压力时，抓吸压力应当超过将微型器件保持到承载衬底的力，该力可以包括但不限于表面张力、毛细力、粘性效应、弹性恢复力、范德华力、静摩擦和重力。
根据本发明的实施例，在将微型器件的尺寸减小到以下特定范围时，将微型器件保持到承载衬底的液体键合层的表面张力可能变成保持微型器件的其他力的主导。例如，利用约2.2大气压(atm)的表面张力压力将示例性10μm×10μm宽的微型器件保持在承载衬底上，其中铟键合层在其156.7℃的熔融温度具有560mN/m的液体表面张力。这显著大于因重力造成的压力，该压力对于一片示例性10μm×10μm宽×3μm高的氮化镓(GaN)约为1.8×10-6atm。
图16是根据本发明的一个实施例根据静电原理工作以便拾取微型LED器件的双极性微型器件转移头和头阵列的横截面侧视图图示。如图所示，微型器件转移头300可以包括基础衬底302、包括顶表面308和侧壁306的台面结构304、形成于台面结构304上方并包括顶表面309和侧壁307的任选钝化层310、形成于台面结构304(和任选的钝化层310)上方的一对电极316A、316B，以及顶表面321覆盖电极316A、316B的电介质层320。基础衬底302可以由多种材料形成，诸如能够提供结构支撑的硅、陶瓷和聚合物。在一个实施例中，基础衬底具有103和1018ohm-cm之间的电导率。基础衬底302还可以包括线路(未示出)，以将微型器件转移头300连接到静电抓取组件的工作电子器件。
台面结构304生成从基础衬底突出的轮廓，以便提供局部化的接触点，以在拾取操作期间拾取特定微型器件。在一个实施例中，台面结构304具有约1μm到5μm，或更具体地约2μm的高度。台面结构304的具体尺寸可取决于要拾取的微型器件的具体尺寸，以及台面结构上方形成的任何层的厚度。在一个实施例中，基础衬底302上台面结构304阵列的高度、宽度和平面度在整个基础衬底上是均匀的，使得每个微型器件转移头300能够在拾取操作期间与每个对应的微型器件接触。在一个实施例中，每个微型器件转移头的整个顶表面321的宽度比对应微型器件阵列中每个微型器件顶表面的宽度稍大，大致相同或更小，使得转移头在拾取操作期间不会无意中接触与预期对应微型器件相邻的微型器件。
台面结构304具有顶表面308和侧壁306，所述顶表面可以是平面。在一个实施例中，例如，侧壁306可以渐缩高达10度。使侧壁306渐缩在形成电极316和电极引线314时可能是有益的。可以利用多种适当技术诸如化学气相沉积(CVD)、溅射或原子层沉积(ALD)来沉积钝化层310。在一个实施例中，钝化层310可以是0.5μm-2.0μm厚的氧化物，诸如但不限于氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)或氧化钽(Ta2O5)。电极316A、316B可以是单层或多层。可以采用多种导电材料，包括金属、金属合金、难熔金属和难熔金属合金来形成电极316A、316B。在一个实施例中，电极316A、316B具有高达5,000埃(0.5μm)的厚度。在一个实施例中，电极316A、316B包括高熔融温度金属，诸如铂或难熔金属或难熔金属合金。例如，电极316A、316B可以包括铂、钛、钒、铬、锆、铌、钼、钌、铑、铪、钽、钨、铼、锇、铱以及它们的合金。难熔金属和难熔金属合金一般比其他金属表现出更高耐热性和耐磨损性。在一个实施例中，电极316A、316B是约500埃(0.05μm)厚的钛钨(TiW)难熔金属合金。
电介质层320具有适当厚度和介电常数，用于实现微型器件转移头300的所需抓吸压力，以及充分高的介电强度，以免在工作电压下损毁。电介质层可以是单层或多层。在一个实施例中，电介质层为0.5μm-2.0μm厚，但根据转移头300和下方台面结构304的具体外形，厚度可以更大或更小。适当的电介质材料可以包括但不限于氧化铝(Al2O3)和氧化钽(Ta2O5)。根据本发明的实施例，电介质层320具有的介电强度大于所施加的电场，以避免操作期间转移头短路。可以利用多种适当技术，诸如化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和诸如溅射的物理气相沉积(PVD)，来沉积电介质层320。在沉积之后可以另外对电介质层320进行退火。在一个实施例中，电介质层320具有至少400V/μm的介电强度。可以利用诸如ALD的技术沉积具有良好介电强度的均匀、保形、致密和/或无针孔的电介质层。也可以利用多个层实现此类无针孔的电介质层320。也可以利用多层不同电介质材料形成电介质层320。在一个实施例中，下方电极316A、316B包括铂或具有高于电介质层材料沉积温度的熔融温度的难熔金属或难熔金属合金，以便不成为选择电介质层沉积温度的限制因素。
对应于图17-图23B的以下描述阐述了用于拾取微型LED器件和微型LED器件阵列的各种方式。应当理解，尽管在图17-图23B中描述和示出了特定微型LED器件，但微型LED器件可以是前面示出并在上文参照图1-图15描述的任何微型LED器件结构。
图17是示出根据本发明的一个实施例拾取微型LED器件并将其从承载衬底转移到接收衬底的方法的流程图。在操作1710，将转移头定位于连接到承载衬底的微型LED器件上方。如以上实施例中所述，转移头可以包括台面结构、台面结构上方的电极以及覆盖电极的电介质层。然后在操作1720使微型LED器件与转移头接触。在一个实施例中，使微型LED器件与转移头的电介质层320接触。在另选的实施例中，转移头位于微型LED器件上方，由适当气隙分开它们，这不会显著影响抓吸压力，例如1nm(0.001μm)或10nm(0.01μm)。在操作1730，向电极施加电压，以在微型LED器件上产生抓吸压力，并且在操作1740利用转移头拾取微型LED器件。然后在操作1750将微型LED器件释放到接收衬底上。
尽管在图17中相继示出了操作2110-2150，但应当理解，实施例不受此限制，可以执行额外的操作并可以按照不同顺序执行特定操作。例如，在一个实施例中，当使微型LED器件与转移头接触之后，在微型LED器件的整个顶表面上摩擦转移头，以便驱逐可能存在于转移头或微型LED器件中的任一个的接触表面上的任何颗粒。在另一个实施例中，在拾取微型器件之前或之时，执行操作以在将微型LED器件连接到承载衬底的键合层中产生相变。如果与微型LED器件一起拾取键合层的一部分，则可以执行额外的操作以在后续处理期间控制键合层该部分的相态。
可以按照各种次序执行向电极施加电压以在微型LED器件上产生抓吸压力的操作1730。例如，可以在使微型LED器件与转移头接触之前，在使微型LED器件与转移头接触时，或在使微型LED器件与转移头接触之后，施加电压。也可以在键合层中产生相变之前、之时或之后施加电压。
在转移头包括双极电极的情况下，在一对电极316A、316B两端施加交变电压，使得在特定时间点，当向电极316A施加负电压时，向电极316B施加正电压，反之亦然，以便产生拾取压力。从转移头释放微型LED器件阵列可使用多种方法来实现，包括关闭电压源、降低一对电极两端的电压、改变AC电压的波形，以及将电压源接地。
图18是示出根据本发明的一个实施例拾取微型LED器件阵列并将其从承载衬底转移到至少一个接收衬底的方法的流程图。在操作1810，将转移头阵列定位于微型LED器件阵列上方，其中每个转移头具有台面结构、台面结构上方的电极和覆盖电极的电介质层。在操作1820，使微型LED器件阵列与转移头阵列接触。在另选的实施例中，转移头阵列位于微型LED器件阵列上方，由适当气隙分开它们，这不会显著影响抓吸压力，例如1nm(0.001μm)或10nm(0.01μm)。图19是根据本发明的一个实施例与微型LED器件100的阵列接触的微型器件转移头300阵列的侧视图图示。如图19中所示，转移头300阵列的节距(P)匹配微型LED器件100的节距，其中转移头阵列的节距(P)是转移头之间的间距(S)和转移头宽度(W)之和。
在一个实施例中，微型LED器件100的阵列可以具有10μm的节距，其中每个微型LED器件具有2μm的间距和8μm的最大宽度。在一个示例性实施例中，假设微型p-n二极管150具有平直侧壁，每个微型LED器件100的顶表面具有约8μm的宽度。在此类示例性实施例中，对应转移头300的顶表面321的宽度(参见图16)约为8μm或更小，以避免无意中接触相邻微型LED器件。在另一个实施例中，微型LED器件100的阵列可以具有5μm的节距，其中每个微型LED器件具有2μm的间距和3μm的最大宽度。在一个示例性实施例中，每个微型LED器件100的顶表面具有约3μm的宽度。在此类示例性实施例中，对应转移头300的顶表面321的宽度约为3μm或更小，以避免无意中接触相邻微型LED器件100。然而，本发明的实施例并不限于这些特定尺寸，而是可以为任何适当的尺寸。例如，转移头300的顶表面321可以比微型LED器件100的顶表面稍大，并比参照图12A-图12B描述的微型LED阵列的节距(P)小。
图20是根据本发明的一个实施例与微型LED器件100的阵列接触的微型器件转移头阵列的侧视图图示。在图20所示的实施例中，转移头的节距(P)是微型器件阵列节距的整数倍。在所示的具体实施例中，转移头的节距(P)是微型LED器件阵列节距的3倍。在此类实施例中，具有更大的转移头节距可以防止转移头之间的电弧放电。
再次参考图18，在操作1830，向转移头100阵列的一部分选择性施加电压。可以独立操作每个转移头300，或者可以共同操作每个转移头300。在操作1840，利用转移头阵列中被选择性施加电压的部分拾取微型器件阵列的对应部分。在一个实施例中，向转移头阵列的一部分选择性施加电压是指向转移头阵列中的每个转移头施加电压。图21A是根据本发明的一个实施例拾取微型LED器件100的阵列的微型器件转移头阵列中每个转移头的侧视图图示。在另一个实施例中，向转移头阵列的一部分选择性施加电压是指向转移头阵列中的少于每个转移头(例如，转移头的子组)施加电压。图21B是根据本发明的一个实施例拾取微型LED器件100的阵列一部分的微型器件转移头阵列子组的侧视图图示。在图21A-图21B所示的具体实施例中，拾取操作包括拾取微型p-n二极管150、反射金属化堆栈120和用于微型LED器件100的保形电介质阻隔层160的一部分。在图21A-图21B所示的具体实施例中，拾取操作包括拾取键合层210的大部分。因此，也可以通过控制键合层210的该部分温度实现参照图17-图23B描述的任何实施例。例如，参照图17-图23B所述的实施例可以包括执行操作以在拾取微型LED器件阵列之前在将微型LED器件阵列连接到承载衬底201的键合层的多个位置中产生从固态到液态的相变。在一个实施例中，键合层的多个位置可以是同一键合层的区域。在一个实施例中，键合层的多个位置可以是键合层的横向分离位置。
在操作1850，然后将微型LED器件阵列的该部分释放到至少一个接收衬底上。因此，可以将所有微型LED器件阵列释放到单个接收衬底上或选择性地释放到多个衬底上。例如，接收衬底可为但不限于显示衬底、照明衬底、具有诸如晶体管或IC的功能器件的衬底、或者具有金属配电线路的衬底。可以通过如前所述影响施加电压来实现释放。
根据一些实施例，释放也可伴有将键合层210与导电接收键合层进行合金键合以形成永久性合金键合层。在某些实施例中，向具有对应微型LED器件的接收衬底上释放键合层210的大部分。在此类实施例中，大部分可以对应于充分量的键合层，以当形成永久性合金键合层时改变导电接收键合层的液相线温度。在其他实施例中，大部分可以对应于能够影响与接收衬底键合的显著量。
图22是微型器件转移头阵列的侧视图图示，该微型器件转移头阵列在包括多个驱动器接触器410的接收衬底400上方保持对应的微型LED器件100阵列。接着可以使微型LED器件100的阵列与接收衬底接触，然后选择性地释放。图23A是根据本发明的一个实施例选择性的释放到接收衬底400上驱动器接触器410上方的单个微型LED器件100的侧视图图示。图23B是根据本发明的一个实施例选择性地释放到接收衬底400上驱动器接触器410上方的所有微型LED器件100的侧视图图示。
在利用本发明的各个方面时，对本领域的技术人员将显而易见的是，可以采用以上实施例的组合或变型来形成准备好拾取并转移到接收衬底的微型LED器件阵列。尽管以结构特征和/或方法行为特定的语言描述了本发明，但应当理解，所附权利要求书中所限定的本发明不必限于所述的特定特征或行为。本发明所公开的特定特征和行为被理解为受权利要求书保护的本发明的特定适当实施以用于对本发明进行例示。

Claims (26)

1.一种形成微型LED阵列的方法，包括：
在形成于p-n二极管层上的图案化牺牲层中的对应的多个开口内，形成多个横向分离的自对准金属化堆栈；
利用键合层将包括所述多个横向分离的自对准金属化堆栈、所述图案化牺牲层和所述p-n二极管层的第一衬底堆栈键合到第二衬底；
蚀刻透过所述p-n二极管层以在所述多个分离的金属化堆栈上方形成多个微型p-n二极管，并暴露横向位于所述多个分离的金属化堆栈之间的所述图案化牺牲层；以及
去除所述图案化牺牲层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在形成于所述p-n二极管层上的所述图案化牺牲层中的所述对应的多个开口内形成所述多个横向分离的自对准金属化堆栈包括：
在所述p-n二极管层上方沉积所述牺牲层；
在所述牺牲层上方形成图案化掩模层，所述图案化掩模层包括暴露所述牺牲层的所述多个开口；
相对于所述掩模层选择性地蚀刻所述牺牲层，以去除所述多个开口内的所述暴露牺牲层并去除在所述图案化掩模层下方的所述牺牲层的一部分；
在所述图案化掩模层和p-n二极管层上方沉积金属化堆栈层；
剥离所述图案化掩模层以在所述p-n二极管层上方留下所述多个金属化堆栈和所述图案化牺牲层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻透过所述p-n二极管层包括等离子体蚀刻。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个自对准金属化堆栈包括电极层和阻隔层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述阻隔层覆盖所述电极层的升高表面和侧壁。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述电极层是反射性的。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述电极层包括选自银和镍的材料。
8.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述多个横向分离的自对准金属化堆栈包括以比所述电极层更高的功率或以比所述电极层更低的压力来沉积所述阻隔层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案化牺牲层是非金属层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述图案化牺牲层包括SiO2。
11.根据权利要求4所述的方法，其中所述图案化牺牲层比所述多个横向分离的自对准金属化堆栈厚。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述图案化牺牲层是所述多个横向分离的自对准金属化堆栈的约两倍厚。
13.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述多个自对准金属化堆栈包括选自蒸发和溅射的技术。
14.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述多个微型p-n二极管中的每一个的侧表面和底表面的一部分上沉积保形电介质阻隔层。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述键合层具有约350℃或更低的液相线温度。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述键合层具有约200℃或更低的液相线温度。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述键合层包括铟。
18.根据权利要求15所述的方法，其中利用所述键合层将所述第一衬底堆栈键合到所述第二衬底包括将所述第一衬底堆栈上的第一键合层与所述第二衬底上的第二键合层键合。
19.根据权利要求18所述的方法，其中键合包括对所述第一键合层和第二键合层进行合金键合或熔融键合。
20.一种形成微型LED阵列的方法，包括：
在p-n二极管层上方沉积牺牲层；以及
在所述牺牲层上方形成图案化掩模层，所述图案化掩模层包括暴露所述牺牲层的多个开口；
相对于所述掩模层选择性地蚀刻所述牺牲层，以去除所述多个开口内的所述暴露牺牲层并去除所述图案化掩模层下方的所述牺牲层的一部分；
在所述图案化掩模层和p-n二极管层上方沉积金属化堆栈层；
剥离所述图案化掩模层以在所述p-n二极管层上方留下多个金属化堆栈和所述图案化牺牲层，其中所述牺牲层比所述多个金属化堆栈厚；
利用键合层将包括所述多个金属化堆栈、所述图案化牺牲层和所述p-n二极管层的第一衬底堆栈键合到第二衬底；
等离子体蚀刻透过所述p-n二极管层以在所述多个分离的金属化堆栈上方形成多个微型p-n二极管，并暴露横向位于所述多个分离的金属化堆栈之间的所述图案化牺牲层；以及
去除所述图案化牺牲层。
21.一种微型LED，包括：
微型p-n二极管；和
金属化堆栈，所述金属化堆栈位于所述微型p-n二极管底表面的下方，所述金属化堆栈包括所述微型p-n二极管的所述底表面上的电极层以及覆盖所述电极层的底表面和侧壁的阻隔层；
其中所述微型p-n二极管的所述底表面比所述金属化堆栈宽。
22.根据权利要求21所述的微型LED，还包括保形电介质阻隔层，所述保形电介质阻隔层跨越所述微型p-n二极管的侧壁并部分地跨越所述微型p-n二极管的所述底表面。
23.根据权利要求22所述的微型LED，其中所述微型p-n二极管还包括顶表面以及在所述顶表面与所述底表面之间的渐缩侧壁，其中所述微型p-n二极管的底表面比所述微型p-n二极管的顶表面宽。
24.根据权利要求22所述的微型LED，其中所述金属化堆栈是反射性的。
25.根据权利要求22所述的微型LED，其中所述金属化堆栈介于所述微型p-n二极管和在衬底上形成的键合层之间。
26.根据权利要求21所述的微型LED，其中所述键合层包括铟。
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WO (1) WO2013162927A1 (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106057723A (zh) * 2016-08-16 2016-10-26 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移方法、装置及电子设备
CN106170849A (zh) * 2015-10-20 2016-11-30 歌尔股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN107017319A (zh) * 2017-05-23 2017-08-04 深圳市华星光电技术有限公司 彩色微发光二极管阵列基板的制作方法
CN107170773A (zh) * 2017-05-23 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
WO2018082100A1 (en) * 2016-11-07 2018-05-11 Goertek. Inc Micro-led transfer method and manufacturing method
CN108417682A (zh) * 2018-03-22 2018-08-17 厦门市三安光电科技有限公司 一种微型发光元件及其制作方法
CN109791959A (zh) * 2016-09-29 2019-05-21 东丽工程株式会社 转移方法、安装方法、转移装置以及安装装置
CN110034058A (zh) * 2018-01-11 2019-07-19 美科米尚技术有限公司 转置头阵列
CN110165024A (zh) * 2018-02-13 2019-08-23 美科米尚技术有限公司 微型元件转移方法
CN110226229A (zh) * 2018-01-02 2019-09-10 孙润光 一种显示器件结构
CN110224002A (zh) * 2019-06-18 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 一种microLED面板制备方法及制备设备
CN111029360A (zh) * 2019-11-19 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 micro-LED显示器件的制作方法
CN111194480A (zh) * 2017-10-09 2020-05-22 脸谱科技有限责任公司 使用金属镓的微led拾取和放置
CN111213243A (zh) * 2017-10-19 2020-05-29 德遁公司 超致密led投影仪
CN111801860A (zh) * 2018-03-02 2020-10-20 欧司朗Oled股份有限公司 由光学构件构成的构件联合体、用于制造构件联合体的方法和具有光学构件的结构元件
CN112750851A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 成都辰显光电有限公司 微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法
CN112968115A (zh) * 2020-08-25 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片制作及转移方法、显示背板及显示装置

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9161448B2 (en) * 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
US9105492B2 (en) 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
US9034754B2 (en) 2012-05-25 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro device transfer head with silicon electrode
US8569115B1 (en) 2012-07-06 2013-10-29 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
US8415768B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8933433B2 (en) 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US9162880B2 (en) 2012-09-07 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Mass transfer tool
US9558721B2 (en) 2012-10-15 2017-01-31 Apple Inc. Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays
JP5954185B2 (ja) * 2012-12-04 2016-07-20 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
US9255001B2 (en) 2012-12-10 2016-02-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head array with metal electrodes
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9236815B2 (en) 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
US9391042B2 (en) 2012-12-14 2016-07-12 Apple Inc. Micro device transfer system with pivot mount
US9314930B2 (en) 2012-12-14 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with integrated pivot mount
US9308649B2 (en) 2013-02-25 2016-04-12 LuxVue Techonology Corporation Mass transfer tool manipulator assembly
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US8791474B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
DE102013208223B4 (de) * 2013-05-06 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
ES2952036T3 (es) 2013-06-12 2023-10-26 Rohinni Inc Teclado de retroiluminación con fuentes generadoras de luz depositadas
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US10229630B2 (en) 2014-05-14 2019-03-12 The Hong Kong University Of Science And Technology Passive-matrix light-emitting diodes on silicon micro-display
JP6438978B2 (ja) * 2014-06-18 2018-12-19 エックス−セレプリント リミテッドＸ−Ｃｅｌｅｐｒｉｎｔ Ｌｉｍｉｔｅｄ マイクロ組立ｌｅｄディスプレイ
CN110265344B (zh) 2014-07-20 2023-09-12 艾克斯展示公司技术有限公司 用于微转贴印刷的设备及方法
EP3026707B1 (en) * 2014-11-25 2020-01-08 Alcatel Lucent Method for manufacturing a light emitting device comprising at least one color micro-light emitting diode with high luminance
WO2016116889A1 (en) * 2015-01-23 2016-07-28 Gholamreza Chaji Selective micro device transfer to receiver substrate
JP6650941B2 (ja) * 2015-04-01 2020-02-19 ゴルテック．インク マイクロ発光ダイオードの転写方法、製造方法、装置及び電子機器
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
JP6630357B2 (ja) * 2015-08-18 2020-01-15 ゴルテック．インク マイクロ発光ダイオードの修復方法、製造方法、装置及び電子機器
WO2017034379A1 (ko) * 2015-08-26 2017-03-02 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자의 이송 헤드, 이송 시스템 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법
KR102402999B1 (ko) * 2015-08-31 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
JP6533838B2 (ja) * 2015-11-04 2019-06-19 ゴルテック インコーポレイテッド マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
GB2544335A (en) 2015-11-13 2017-05-17 Oculus Vr Llc A method and apparatus for use in the manufacture of a display element
US10068888B2 (en) * 2015-12-21 2018-09-04 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Making semiconductor devices with alignment bonding and substrate removal
KR102298484B1 (ko) 2016-01-15 2021-09-03 로히니, 엘엘씨. 장치 상의 커버를 통해 후면 발광하는 장치 및 방법
TWI601317B (zh) * 2016-03-31 2017-10-01 開發晶照明（廈門）有限公司 半導體元件及其製作方法
KR102631260B1 (ko) 2016-04-08 2024-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법
US10134802B2 (en) * 2016-05-12 2018-11-20 Ostendo Technologies, Inc. Nanophosphors-converted quantum photonic imagers and methods for making the same
KR102434233B1 (ko) * 2016-05-24 2022-08-19 글로 에이비 발광 디바이스 조립체에 대한 선택적 다이 수리
KR101800367B1 (ko) * 2016-08-24 2017-11-28 한국기계연구원 마이크로 소자 전사방법 및 마이크로 소자 전사방법으로 제조된 마이크로 소자 기판
WO2018061896A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 東レエンジニアリング株式会社 転写方法、実装方法、転写装置、及び実装装置
DE102016221264A1 (de) * 2016-10-28 2018-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum aussortieren von ausgewählten bauelementen
CN108122790B (zh) 2016-11-29 2020-12-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体装置及其制造方法
US10002856B1 (en) * 2017-01-26 2018-06-19 International Business Machines Corporation Micro-LED array transfer
US10032973B1 (en) * 2017-01-26 2018-07-24 International Business Machines Corporation Magnetically guided chiplet displacement
DE102017104752B4 (de) * 2017-03-07 2022-10-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Übertragen von Halbleiterkörpern und Halbleiterchip
CN107068665B (zh) * 2017-04-18 2019-02-05 天津三安光电有限公司 微型发光二极管器件及其制作方法
DE102018115976A1 (de) * 2017-07-10 2019-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Bestücken eines Trägers mit Bauelementen, Pigment für das Bestücken eines Trägers mit einem Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Pigments
KR102236769B1 (ko) 2017-07-18 2021-04-06 삼성전자주식회사 엘이디 모듈 제조장치 및 엘이디 모듈 제조방법
US10319705B2 (en) 2017-10-20 2019-06-11 Facebook Technologies, Llc Elastomeric layer fabrication for light emitting diodes
CN107978548B (zh) * 2017-11-20 2019-07-05 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的巨量转移方法
DE102018104785A1 (de) 2018-03-02 2019-09-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von transferierbaren Bauteilen und Bauteilverbund aus Bauteilen
US10652963B2 (en) 2018-05-24 2020-05-12 Lumiode, Inc. LED display structures and fabrication of same
WO2019237228A1 (zh) * 2018-06-11 2019-12-19 厦门三安光电有限公司 发光组件
DE102018116051A1 (de) * 2018-07-03 2020-01-09 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung
JP7223310B2 (ja) * 2018-07-23 2023-02-16 大日本印刷株式会社 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法
JP6983123B2 (ja) * 2018-07-24 2021-12-17 信越化学工業株式会社 粘着性基材、粘着性基材を有する転写装置及び粘着性基材の製造方法
TWI721308B (zh) * 2018-08-17 2021-03-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示裝置
KR102653341B1 (ko) * 2018-11-16 2024-04-02 삼성전자주식회사 마스크를 포함하는 마이크로 led 전사 장치 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 방법
TWI690079B (zh) * 2018-12-04 2020-04-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體元件結構
US11417800B2 (en) * 2018-12-04 2022-08-16 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro semiconductor device and micro semiconductor display
US10943532B2 (en) 2018-12-11 2021-03-09 The Hong Kong University Of Science And Technology Monolithic full-color light-emitting diode display panel
US11380252B2 (en) 2018-12-21 2022-07-05 Lumiode, Inc. Addressing for emissive displays
US11127720B2 (en) 2019-01-21 2021-09-21 Nanosys, Inc. Pixel repair method for a direct view display device
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
CN109904174B (zh) * 2019-02-28 2021-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的电路背板及其制备方法和显示面板
US11430830B2 (en) 2019-04-05 2022-08-30 Nanosys, Inc. White light emitting diode (LED) and method of repairing light emitting device using same
KR20200126234A (ko) * 2019-04-29 2020-11-06 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈
US10714374B1 (en) * 2019-05-09 2020-07-14 X Display Company Technology Limited High-precision printed structures
WO2020242053A1 (en) * 2019-05-28 2020-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus, source substrate structure, driving substrate structure, and method of manufacturing display apparatus
JP7340365B2 (ja) * 2019-06-26 2023-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 転写用基板
TWI707466B (zh) * 2019-07-23 2020-10-11 國立中興大學 亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置
WO2021086935A1 (en) * 2019-10-28 2021-05-06 The Regents Of The University Of California Formation of microled mesa structures with atomic layer deposition passivated sidewalls, a self-aligned dielectric via to the top electrical contact, and a plasma-damage-free top contact
CN112820752B (zh) * 2019-11-15 2023-01-03 云谷（固安）科技有限公司 微发光二极管阵列基板及微发光二极管的转移方法
KR20210072194A (ko) 2019-12-06 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자의 정렬 방법, 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치
US11062936B1 (en) 2019-12-19 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Transfer stamps with multiple separate pedestals
US20210193866A1 (en) * 2019-12-24 2021-06-24 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of forming display device with light-emitting diode
CN113130727B (zh) * 2019-12-31 2022-10-11 Tcl科技集团股份有限公司 Led芯片装贴方法
KR20200030514A (ko) * 2020-03-02 2020-03-20 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조용 기판 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
US11842989B2 (en) * 2020-03-10 2023-12-12 Meta Platforms Technologies, Llc Integrating control circuits with light emissive circuits with dissimilar wafer sizes
CN111244016B (zh) * 2020-03-10 2022-10-18 深超光电（深圳）有限公司 转移装置、转移装置的制备方法、转移方法
CN113497074A (zh) * 2020-03-20 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 微型发光二极管显示面板及其制备方法
CN112968078B (zh) * 2020-05-18 2022-03-01 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微型发光二极体转移方法及显示装置
US11948815B2 (en) * 2020-07-13 2024-04-02 Apple Inc. High density pick and sequential place transfer process and tool
WO2022039309A1 (ko) * 2020-08-21 2022-02-24 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조용 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2022045392A1 (ko) * 2020-08-27 2022-03-03 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조용 기판
TWI749955B (zh) * 2020-09-28 2021-12-11 天虹科技股份有限公司 減少非輻射復合的微發光二極體的製作方法及製作機台
KR20220091263A (ko) * 2020-12-23 2022-06-30 (주)포인트엔지니어링 미소 소자 및 그 제조방법, 미소 소자의 정렬 장치 및 방법
CN113087405A (zh) * 2021-04-07 2021-07-09 惠州市清洋实业有限公司 一种钢化玻璃小r角深度刻蚀液及其刻蚀方法
CN113299198B (zh) * 2021-04-29 2022-10-14 深圳市华锐显示有限公司 一种堆叠结构微型led显示器
CN116247147B (zh) * 2023-03-21 2024-04-05 惠科股份有限公司 Led芯片的制备方法及led基板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1822400A (zh) * 2004-12-31 2006-08-23 Lg电子有限公司 高输出发光二极管及其制造方法
CN101132040A (zh) * 2006-08-23 2008-02-27 三星电机株式会社 垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
US20080210955A1 (en) * 2007-01-29 2008-09-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III-V semiconductor device and method for producing the same
JP2010161212A (ja) * 2009-01-08 2010-07-22 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子用ウェハの製造方法
US20110143467A1 (en) * 2008-08-22 2011-06-16 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Method for fabricating ingaain light emitting device on a combined substrate
JP2011181834A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
CN102263182A (zh) * 2010-05-25 2011-11-30 Lg伊诺特有限公司 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明***

Family Cites Families (153)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3717743A (en) 1970-12-07 1973-02-20 Argus Eng Co Method and apparatus for heat-bonding in a local area using combined heating techniques
US3935986A (en) 1975-03-03 1976-02-03 Texas Instruments Incorporated Solid state bonding process employing the isothermal solidification of a liquid interface
JPS61102787U (zh) 1984-12-13 1986-06-30
US5131582A (en) 1989-06-30 1992-07-21 Trustees Of Boston University Adhesive metallic alloys and methods of their use
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
JPH0513820A (ja) 1991-07-02 1993-01-22 Omron Corp 半導体装置
US5156998A (en) 1991-09-30 1992-10-20 Hughes Aircraft Company Bonding of integrated circuit chip to carrier using gold/tin eutectic alloy and refractory metal barrier layer to block migration of tin through via holes
JPH0760675A (ja) 1993-08-27 1995-03-07 Tokin Corp 静電吸着ハンド
US5435857A (en) 1994-01-06 1995-07-25 Qualitek International, Inc. Soldering composition
US5592358A (en) 1994-07-18 1997-01-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck for magnetic flux processing
JP3271475B2 (ja) 1994-08-01 2002-04-02 株式会社デンソー 電気素子の接合材料および接合方法
TW311927B (zh) 1995-07-11 1997-08-01 Minnesota Mining & Mfg
JP3132353B2 (ja) 1995-08-24 2001-02-05 松下電器産業株式会社 チップの搭載装置および搭載方法
KR100186752B1 (ko) 1995-09-04 1999-04-15 황인길 반도체 칩 본딩방법
US5888847A (en) 1995-12-08 1999-03-30 Lsi Logic Corporation Technique for mounting a semiconductor die
US5858099A (en) 1996-04-09 1999-01-12 Sarnoff Corporation Electrostatic chucks and a particle deposition apparatus therefor
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
KR100278137B1 (ko) 1997-09-04 2001-01-15 가나이 쓰도무 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법
US5903428A (en) 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
JP3406207B2 (ja) 1997-11-12 2003-05-12 シャープ株式会社 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6080650A (en) 1998-02-04 2000-06-27 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for attaching particles to a substrate
US6081414A (en) 1998-05-01 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system
JP3504543B2 (ja) 1999-03-03 2004-03-08 株式会社日立製作所 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法
US6335263B1 (en) 2000-03-22 2002-01-01 The Regents Of The University Of California Method of forming a low temperature metal bond for use in the transfer of bulk and thin film materials
JP4489904B2 (ja) 2000-04-14 2010-06-23 株式会社アルバック 真空処理装置及び基板保持方法
US6558109B2 (en) 2000-05-26 2003-05-06 Automation Technology, Inc. Method and apparatus for separating wafers
US6683368B1 (en) 2000-06-09 2004-01-27 National Semiconductor Corporation Lead frame design for chip scale package
JP4467720B2 (ja) 2000-06-15 2010-05-26 株式会社アルバック 基板搬送装置
KR20020005152A (ko) 2000-07-08 2002-01-17 구본준, 론 위라하디락사 투명도전막 패터닝 방법
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
TW456058B (en) 2000-08-10 2001-09-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and the manufacturing method thereof
DE10051159C2 (de) 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
JP2002134822A (ja) 2000-10-24 2002-05-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP4780828B2 (ja) 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
JP2002164695A (ja) 2000-11-29 2002-06-07 Mitsubishi Paper Mills Ltd 電子材料搬送用静電吸着板
WO2002074686A2 (en) 2000-12-05 2002-09-26 Analog Devices, Inc. A method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer
JP4514321B2 (ja) 2000-12-08 2010-07-28 パナソニック株式会社 部品実装装置
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP2002240943A (ja) 2001-02-13 2002-08-28 Ricoh Co Ltd 静電搬送装置、現像装置、画像形成装置及び分級装置
DE10124328A1 (de) 2001-05-17 2002-11-21 Ersa Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Entlöten eines elektronischen Bauteils
JP3747807B2 (ja) 2001-06-12 2006-02-22 ソニー株式会社 素子実装基板及び不良素子の修復方法
US6787435B2 (en) 2001-07-05 2004-09-07 Gelcore Llc GaN LED with solderable backside metal
JP3989254B2 (ja) 2002-01-25 2007-10-10 日本碍子株式会社 異種材料接合体及びその製造方法
US6793829B2 (en) 2002-02-27 2004-09-21 Honeywell International Inc. Bonding for a micro-electro-mechanical system (MEMS) and MEMS based devices
US7033842B2 (en) 2002-03-25 2006-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component mounting apparatus and electronic component mounting method
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
TWI249148B (en) 2004-04-13 2006-02-11 Epistar Corp Light-emitting device array having binding layer
JP4147073B2 (ja) 2002-09-02 2008-09-10 シャープ株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3873854B2 (ja) 2002-09-19 2007-01-31 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
DE10245631B4 (de) 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
US7180099B2 (en) 2002-11-11 2007-02-20 Oki Data Corporation Semiconductor apparatus with thin semiconductor film
US6762069B2 (en) 2002-11-19 2004-07-13 United Epitaxy Company, Ltd. Method for manufacturing light-emitting element on non-transparent substrate
KR20050075280A (ko) 2002-11-19 2005-07-20 가부시키가이샤 이시카와 세이사쿠쇼 화소제어 소자의 선택 전사 방법, 화소제어 소자의 선택전사 방법에 사용되는 화소제어 소자의 실장 장치,화소제어 소자 전사후의 배선 형성 방법, 및, 평면디스플레이 기판
JP4766831B2 (ja) 2002-11-26 2011-09-07 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
GB0229191D0 (en) 2002-12-14 2003-01-22 Plastic Logic Ltd Embossing of polymer devices
US6786390B2 (en) 2003-02-04 2004-09-07 United Epitaxy Company Ltd. LED stack manufacturing method and its structure thereof
JP4334892B2 (ja) 2003-03-20 2009-09-30 パナソニック株式会社 部品実装方法
US7595511B2 (en) 2003-08-08 2009-09-29 Sang-Kyu Kang Nitride micro light emitting diode with high brightness and method of manufacturing the same
TWI244220B (en) 2004-02-20 2005-11-21 Epistar Corp Organic binding light-emitting device with vertical structure
KR100880812B1 (ko) 2004-03-29 2009-01-30 아티큘레이티드 테크놀러지스 엘엘씨 롤-투-롤 제조된 광 시트 및 캡슐화된 반도체 회로디바이스들
WO2005097390A1 (en) 2004-03-31 2005-10-20 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for transferring conductive pieces during semiconductor device fabrication
US7462861B2 (en) 2004-04-28 2008-12-09 Cree, Inc. LED bonding structures and methods of fabricating LED bonding structures
JP4632690B2 (ja) 2004-05-11 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置とその製造方法
US7557367B2 (en) 2004-06-04 2009-07-07 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stretchable semiconductor elements and stretchable electrical circuits
KR100630698B1 (ko) 2004-08-17 2006-10-02 삼성전자주식회사 솔더볼 접착 신뢰도를 높이는 반도체 패키지 및 그 제조방법
US7187078B2 (en) 2004-09-13 2007-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Bump structure
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US7563625B2 (en) 2005-01-11 2009-07-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method of making light-emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7378288B2 (en) 2005-01-11 2008-05-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing light emitting diode array
US7195944B2 (en) 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
TWI352437B (en) 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
KR100707955B1 (ko) 2005-02-07 2007-04-16 (주) 비앤피 사이언스 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
DE102005009060A1 (de) 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul mit strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern
US7205652B2 (en) 2005-03-23 2007-04-17 Delphi Technologies, Inc Electronic assembly including multiple substrates
US7628309B1 (en) 2005-05-03 2009-12-08 Rosemount Aerospace Inc. Transient liquid phase eutectic bonding
US7498240B2 (en) 2005-08-31 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces, carriers, and associated methods
KR20070042214A (ko) 2005-10-18 2007-04-23 김성진 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7737451B2 (en) 2006-02-23 2010-06-15 Cree, Inc. High efficiency LED with tunnel junction layer
US7910945B2 (en) 2006-06-30 2011-03-22 Cree, Inc. Nickel tin bonding system with barrier layer for semiconductor wafers and devices
JP5126875B2 (ja) 2006-08-11 2013-01-23 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2008053685A (ja) 2006-08-23 2008-03-06 Samsung Electro Mech Co Ltd 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法
JP4535053B2 (ja) 2006-10-12 2010-09-01 ソニー株式会社 発光ダイオードの配線の形成方法、発光ダイオード実装基板、ディスプレイ、バックライト、照明装置および電子機器
JP4980709B2 (ja) 2006-12-25 2012-07-18 ローム株式会社 半導体装置
WO2008143635A1 (en) 2007-01-17 2008-11-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Optical systems fabricated by printing-based assembly
TW200834962A (en) 2007-02-08 2008-08-16 Touch Micro System Tech LED array package structure having Si-substrate and method of making the same
JP2008200821A (ja) 2007-02-21 2008-09-04 Denso Corp ハニカム体成形用金型の製造方法
FR2913145B1 (fr) 2007-02-22 2009-05-15 Stmicroelectronics Crolles Sas Assemblage de deux parties de circuit electronique integre
JP4290745B2 (ja) 2007-03-16 2009-07-08 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子の製造方法
US7732301B1 (en) 2007-04-20 2010-06-08 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
JP4341693B2 (ja) 2007-05-16 2009-10-07 ウシオ電機株式会社 Ｌｅｄ素子およびその製造方法
TW200908189A (en) 2007-05-20 2009-02-16 Silverbrook Res Pty Co Ltd Die picker with heated picking head
US8030757B2 (en) 2007-06-29 2011-10-04 Intel Corporation Forming a semiconductor package including a thermal interface material
WO2009004980A1 (ja) 2007-06-29 2009-01-08 Showa Denko K.K. 発光ダイオードの製造方法
US7838410B2 (en) 2007-07-11 2010-11-23 Sony Corporation Method of electrically connecting element to wiring, method of producing light-emitting element assembly, and light-emitting element assembly
US20090278233A1 (en) 2007-07-26 2009-11-12 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
JP4844506B2 (ja) 2007-08-28 2011-12-28 パナソニック電工株式会社 発光装置
US20090072382A1 (en) 2007-09-18 2009-03-19 Guzek John S Microelectronic package and method of forming same
EP2206145A4 (en) 2007-09-28 2012-03-28 Tessera Inc FLIP-CHIP CONNECTION WITH DOUBLE POSTS
KR101438811B1 (ko) 2008-01-03 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101475520B1 (ko) 2008-01-14 2014-12-23 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트용 양자점 잉크 조성물 및 그를 이용한전자소자
CN101919074B (zh) 2008-03-26 2011-11-16 晶能光电（江西）有限公司 制备牢固的发光二极管的方法
JP4479827B2 (ja) 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
DE102008050538B4 (de) 2008-06-06 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN101603636B (zh) 2008-06-10 2012-05-23 展晶科技(深圳)有限公司 光源装置
US7927976B2 (en) 2008-07-23 2011-04-19 Semprius, Inc. Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
US7999454B2 (en) 2008-08-14 2011-08-16 Global Oled Technology Llc OLED device with embedded chip driving
WO2010021268A1 (ja) 2008-08-21 2010-02-25 株式会社村田製作所 電子部品装置およびその製造方法
WO2010021267A1 (ja) 2008-08-21 2010-02-25 株式会社村田製作所 電子部品装置およびその製造方法
JP2010056458A (ja) 2008-08-29 2010-03-11 Kyocera Corp 発光素子の製造方法
JP5123269B2 (ja) 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
TWI467691B (zh) 2008-10-15 2015-01-01 Creative Tech Corp Electrostatic chuck and its manufacturing method
US7854365B2 (en) 2008-10-27 2010-12-21 Asm Assembly Automation Ltd Direct die attach utilizing heated bond head
KR101736722B1 (ko) 2008-11-19 2017-05-17 셈프리어스 아이엔씨. 전단-보조 탄성 스탬프 전사에 의한 프린팅 반도체 소자
JP5359734B2 (ja) 2008-11-20 2013-12-04 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5225041B2 (ja) 2008-11-21 2013-07-03 京セラ株式会社 静電チャック
CN102308378A (zh) 2008-11-25 2012-01-04 M丘比德技术公司 静电吸盘
TWI389355B (zh) 2009-01-05 2013-03-11 Epistar Corp 發光半導體裝置
KR101809472B1 (ko) 2009-01-14 2018-01-18 삼성전자주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 장치
KR101001454B1 (ko) 2009-01-23 2010-12-14 삼성모바일디스플레이주식회사 정전척 및 이를 구비한 유기전계발광 소자의 제조장치
KR100974776B1 (ko) 2009-02-10 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2010186829A (ja) 2009-02-10 2010-08-26 Toshiba Corp 発光素子の製造方法
JP5146356B2 (ja) 2009-02-24 2013-02-20 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2010199204A (ja) 2009-02-24 2010-09-09 Sony Corp 発光装置およびその製造方法
JP5470601B2 (ja) 2009-03-02 2014-04-16 新光電気工業株式会社 静電チャック
WO2010111601A2 (en) 2009-03-26 2010-09-30 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby
US9337407B2 (en) 2009-03-31 2016-05-10 Epistar Corporation Photoelectronic element and the manufacturing method thereof
US8937327B2 (en) 2009-03-31 2015-01-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
EP2249406B1 (en) 2009-05-04 2019-03-06 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting diode
KR101706915B1 (ko) 2009-05-12 2017-02-15 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 변형가능 및 반투과 디스플레이를 위한 초박형, 미세구조 무기발광다이오드의 인쇄 어셈블리
US7989266B2 (en) 2009-06-18 2011-08-02 Aptina Imaging Corporation Methods for separating individual semiconductor devices from a carrier
US8173456B2 (en) 2009-07-05 2012-05-08 Industrial Technology Research Institute Method of manufacturing a light emitting diode element
KR100973928B1 (ko) 2009-12-10 2010-08-03 (주)옵토니카 Ｌｅｄ 다이본딩 방법
US9209059B2 (en) 2009-12-17 2015-12-08 Cooledge Lighting, Inc. Method and eletrostatic transfer stamp for transferring semiconductor dice using electrostatic transfer printing techniques
US8334152B2 (en) 2009-12-18 2012-12-18 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
TWI467798B (zh) 2009-12-28 2015-01-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體晶片之製備方法
WO2011123285A1 (en) 2010-03-29 2011-10-06 Semprius, Inc. Selective transfer of active components
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
CN101872824A (zh) 2010-06-07 2010-10-27 厦门市三安光电科技有限公司 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法
US8381965B2 (en) 2010-07-22 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal compress bonding
JP5700504B2 (ja) 2010-08-05 2015-04-15 株式会社デンソー 半導体装置接合材
US8563334B2 (en) 2010-09-14 2013-10-22 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method to remove sapphire substrate
JP5740939B2 (ja) 2010-11-29 2015-07-01 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US8889485B2 (en) 2011-06-08 2014-11-18 Semprius, Inc. Methods for surface attachment of flipped active componenets
GB201112376D0 (en) 2011-07-19 2011-08-31 Rolls Royce Plc Boding of metal components
JP5881992B2 (ja) 2011-08-09 2016-03-09 太陽誘電株式会社 積層インダクタ及びその製造方法
US8518204B2 (en) 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
US8646505B2 (en) 2011-11-18 2014-02-11 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head
US8349116B1 (en) 2011-11-18 2013-01-08 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device
US8573469B2 (en) * 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
JP5961377B2 (ja) 2011-12-21 2016-08-02 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1822400A (zh) * 2004-12-31 2006-08-23 Lg电子有限公司 高输出发光二极管及其制造方法
CN101132040A (zh) * 2006-08-23 2008-02-27 三星电机株式会社 垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
US20080210955A1 (en) * 2007-01-29 2008-09-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III-V semiconductor device and method for producing the same
US20110143467A1 (en) * 2008-08-22 2011-06-16 Lattice Power (Jiangxi) Corporation Method for fabricating ingaain light emitting device on a combined substrate
JP2010161212A (ja) * 2009-01-08 2010-07-22 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子用ウェハの製造方法
JP2011181834A (ja) * 2010-03-03 2011-09-15 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
CN102263182A (zh) * 2010-05-25 2011-11-30 Lg伊诺特有限公司 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明***

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106170849A (zh) * 2015-10-20 2016-11-30 歌尔股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
WO2017066921A1 (en) * 2015-10-20 2017-04-27 Goertek.Inc Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led
US10163869B2 (en) 2015-10-20 2018-12-25 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
CN106057723A (zh) * 2016-08-16 2016-10-26 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移方法、装置及电子设备
CN109791959A (zh) * 2016-09-29 2019-05-21 东丽工程株式会社 转移方法、安装方法、转移装置以及安装装置
CN109791959B (zh) * 2016-09-29 2021-09-17 东丽工程株式会社 转移方法、安装方法、转移装置以及安装装置
CN109891608B (zh) * 2016-11-07 2021-10-08 歌尔股份有限公司 微发光二极管转移方法和制造方法
WO2018082100A1 (en) * 2016-11-07 2018-05-11 Goertek. Inc Micro-led transfer method and manufacturing method
US10944023B2 (en) 2016-11-07 2021-03-09 Goertek. Inc Micro-LED transfer method and manufacturing method
CN109891608A (zh) * 2016-11-07 2019-06-14 歌尔股份有限公司 微发光二极管转移方法和制造方法
WO2018214199A1 (zh) * 2017-05-23 2018-11-29 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
US10269779B2 (en) 2017-05-23 2019-04-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Micro light-emitting-diode display panel and manufacturing method thereof
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN107017319A (zh) * 2017-05-23 2017-08-04 深圳市华星光电技术有限公司 彩色微发光二极管阵列基板的制作方法
CN107170773A (zh) * 2017-05-23 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
CN111194480A (zh) * 2017-10-09 2020-05-22 脸谱科技有限责任公司 使用金属镓的微led拾取和放置
CN111213243B (zh) * 2017-10-19 2021-09-10 德遁公司 超致密led投影仪
CN111213243A (zh) * 2017-10-19 2020-05-29 德遁公司 超致密led投影仪
CN110226229A (zh) * 2018-01-02 2019-09-10 孙润光 一种显示器件结构
CN110034058A (zh) * 2018-01-11 2019-07-19 美科米尚技术有限公司 转置头阵列
CN110165024A (zh) * 2018-02-13 2019-08-23 美科米尚技术有限公司 微型元件转移方法
CN111801860A (zh) * 2018-03-02 2020-10-20 欧司朗Oled股份有限公司 由光学构件构成的构件联合体、用于制造构件联合体的方法和具有光学构件的结构元件
CN108417682A (zh) * 2018-03-22 2018-08-17 厦门市三安光电科技有限公司 一种微型发光元件及其制作方法
CN110224002A (zh) * 2019-06-18 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 一种microLED面板制备方法及制备设备
CN112750851A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 成都辰显光电有限公司 微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法
CN112750851B (zh) * 2019-10-31 2023-01-20 成都辰显光电有限公司 微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法
CN111029360A (zh) * 2019-11-19 2020-04-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 micro-LED显示器件的制作方法
CN112968115A (zh) * 2020-08-25 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片制作及转移方法、显示背板及显示装置

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