CN102263182A - 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明*** - Google Patents

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Abstract

本发明提供发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。发光器件包括：支撑构件，该支撑构件在侧表面上具有台阶部分；支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层以产生光；以及电极，该电极向第一导电类型半导体层提供电力。支撑构件具有在其上设置发光结构的第一表面和具有大于第一表面的面积的第二表面。

Description

发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明***
相关申请的交叉引用
本申请要求于(2010年5月25日提交的)韩国专利申请No.10-2010-0048597的优先权，通过引用将其整体合并在此。
技术领域
本发明涉及发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
背景技术
发光二极管(LED)是一种用于将电能转换为光的半导体器件。
与诸如荧光灯和白炽灯的现有技术的光源来比较，LED具有诸如低功率消耗、半永久性寿命周期、快速响应时间、安全、以及环境友好的优点。为了将现有技术的光源替换为LED，进行了许多研究。而且，根据作为诸如各种灯和街灯的照明装置、液晶显示装置的照明单元、以及室内和室外位置处的记分牌的光源的趋势，LED的使用正日益增加。
发明内容
实施例提供具有新结构的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
实施例还提供具有提高的可靠性的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
在一个实施例中，一种发光器件包括：支撑构件，该支撑构件在侧表面上具有台阶部分；支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层以产生光；以及电极，该电极向第一导电类型半导体层提供电力，其中该支撑构件具有在其上设置发光结构的第一表面和具有大于第一表面的面积的第二表面。
在另一实施例中，一种用于制造发光器件的方法，包括：顺序地形成第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层以形成发光结构；在发光结构的顶表面上形成支撑构件；沿着芯片边界区域对发光结构执行隔离蚀刻工艺，以将发光结构划分为单独的发光器件单元；在被分成单独的发光器件单元的发光结构之间执行蚀刻工艺，以去除支撑构件的至少部分；以及沿着芯片边界区域执行激光划片工艺，以将多个发光器件分成单独的发光器件单元。
在另一实施例中，一种发光器件封装包括：主体；主体上的第一和第二电极层；以及发光器件，该发光器件电连接到第一和第二电极层以产生光，其中该发光器件包括：支撑构件，该支撑构件在侧表面上具有台阶部分；支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层以产生光；以及电极，该电极向第一导电类型半导体层提供电力，其中该支撑构件具有在其上设置发光结构的第一表面和具有大于第一表面的面积的第二表面。
在又一实施例中，一种照明单元包括：模块基板；和多个发光器件，所述多个发光器件被安装在模块基板上，其中多个发光器件中的每一个包括：支撑构件，该支撑构件在侧表面上具有台阶部分；支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层以产生光；以及电极，该电极向第一导电类型半导体层提供电力，其中该支撑构件具有在其上设置发光结构的第一表面和具有大于第一表面的面积的第二表面。
在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求书，其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是根据实施例的发光器件的侧截面图。
图2至图11是示出用于制造图1的发光器件的工艺的视图。
图12是根据另一实施例的发光器件的侧截面图。
图13至图20是示出用于制造图12的发光器件的工艺的视图。
图21是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的侧截面图。
图22至图23是根据实施例的包括发光器件的照明***的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，应当理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案“上”时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，应当理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且还可以存在一个或者多个中间层。此外，将基于附图来进行对关于各层“上”和“下”的参考。
在附图中，为了描述的方便和清楚起见，各层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性绘制。而且，各个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
图1是根据实施例的发光器件的侧截面图。
参考图1，根据实施例的发光器件100可以包括导电支撑构件170，该导电支撑构件170在其侧表面上具有台阶部分172；在导电支撑构件170上的接合层160；在接合层160上的反射层150；在反射层150的顶表面周围的沟道层130；在反射层150上的欧姆层140；发光结构110，该发光结构110设置在欧姆层140和沟道层130上以产生光；在发光结构110的侧表面上的第一钝化层180；在发光结构110和导电支撑构件170的侧表面上的第二钝化层190；以及在发光结构110上的电极175。
导电支撑构件170可以支撑发光结构110。而且，导电支撑构件170随同电极175一起向发光器件100提供电力。例如，导电支撑构件170可以由Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W、以及载具晶圆(例如，Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe，等等)中的至少一个形成。
导电支撑构件170可以具有足够的厚度，例如，大约50μm至大约500μm的厚度，以支撑发光结构110。
而且，台阶部分172可以设置在导电支撑构件170的侧表面上。因为设置有台阶部分172，所以可以最小化由在激光划片工艺中使用的激光的能量而导致的发光结构110的损坏，通过此激光划片工艺将多个发光器件分成单独的器件单元。
为此，台阶部分172可以与发光结构110的底表面间隔开第一距离h，该第一距离h具有大约60μm至大约120μm的高度。即，因为在激光划片工艺中的激光能量被集中在台阶部分172的顶表面上，所以激光的冲击力可以被传递到与台阶部分172间隔开第一距离h的发光结构110上。在用于制造根据实施例的发光器件中，可以详细地对此进行描述。
接合层160可以设置在导电支撑构件170上。接合层160可以被设置，以提高在导电支撑构件170和反射层150之间的界面的附着力。
尽管在实施例中导电支撑构件170被描述为示例，但是本公开不限于导电支撑构件。例如，非导电支撑构件可以是可应用的。在这样的情况下，用于电气连接的通孔可以被限定在支撑构件的内部或者外部。而且，尽管垂直型芯片结构被描述为示例，但是本公开不限于此。
例如，横向型芯片或者倒装型芯片可以是可应用的。
接合层160可以由具有优秀附着力的金属材料，例如，Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、以及Ta中的至少一个形成。接合层160可以具有单或者多层结构。然而，当使用镀或者沉积工艺而不是结合工艺形成导电支撑构件170时，可以不设置接合层160。
反射层150可以设置在接合层160上。反射层150可以反射从发光结构110入射的光，以提高发光器件100的光效率。
反射层150可以由具有高反射率的金属材料，例如，Ag、Al、Pd、Cu、以及Pt中的至少一个金属或者其合金形成。
沟道层130可以设置在反射层150的顶表面的周边区域中，即，可以设置在在反射层150和发光结构110之间的周边区域中。沟道层130可以防止发光结构110和导电支撑构件170相互电短路，并且防止潮气渗入在发光结构110和导电支撑构件170之间。
沟道层130可以由氧化物或者氮化物，例如，Si02、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO、以及ZnO中的至少一个形成。
沟道层130可以由具有导电性和优秀附着力的金属材料，例如，Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir、以及W中的至少一个形成。在这样的情况下，沟道层130可以防止由于在发光结构110和反射层150之间的界面的剥离而导致的发光器件100的可靠性被退化。
欧姆层140可以设置在反射层150上。欧姆层140可以被设置以在反射层150和发光结构110之间实现欧姆接触。
欧姆层140可以选择性地使用透光导电层和金属。欧姆层140可以具有单或者多层结构。欧姆层140可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、Ni、Ag、以及Au中的至少一个形成。
当反射层150欧姆接触发光结构110时，可能不设置欧姆层140。
电流阻挡层120可以设置在欧姆层140和发光结构110之间。
电流阻挡层120的至少部分与电极175在垂直方向上重叠。而且，电流阻挡层由具有小于反射层150或者接合层160的导电性或者绝缘性的材料，或者肖特基接触第二导电类型半导体层116的材料形成。例如，电流阻挡层120可以由ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、以及Cr中的至少一个形成。
电流阻挡层120可以防止电流被集中地流入在导电支撑构件170和电极175之间的最短的距离，以提高发光器件100的光效率。
发光结构110可以设置在欧姆层140和沟道层130上。
发光结构110可以包括多个化合物半导体层。例如，发光结构110可以包括第二导电类型半导体层116、第二导电类型半导体层116上的有源层114、以及有源层114上的第一导电类型半导体层112。
例如，第二导电类型半导体层116可以被实现为P型半导体层。P型半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN中的一个形成。P型半导体层可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的P型掺杂物。
例如，有源层114可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。而且，有源层114可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构、以及量子点结构中的一个。
当有源层114可以具有量子阱结构时，有源层114可以具有单或者量子阱结构，该单或者量子阱结构包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的阱层和具有InaAlbGa1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)的组成式的势垒层。阱层可以由具有小于势垒层的能带隙的材料形成。
有源层114可以使用通过由第一导电类型半导体层112和第二导电类型半导体层116提供的电子和空穴的复合生成的能量来产生光。
例如，第一导电类型半导体层112可以包括N型半导体层。N型半导体层可以由具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，例如，InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN中的一个形成。N型半导体层可以被掺杂有诸如Si、Ge、或者Sn的N型掺杂物。
光提取图案111可以设置在第一导电类型半导体层112的顶表面上。光提取图案111可以具有随机的粗糙形状或者规则的形状。
例如，光提取图案111可以具有光子晶体结构，其中具有特定波长带的光被选择性地透射或者反射，并且特定波长带是大约50nm至大约3000nm，但是不限于此。
不同于第二导电类型半导体层116的导电类型半导体层可以设置在第二导电类型半导体层116下。而且，第一导电类型半导体层112可以被实现为P型半导体层，并且第二导电类型半导体层116可以被实现为N型半导体层。因此，发光结构110可以具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的至少一个，但是其不限于此。
第一钝化层180可以设置在发光结构110的侧表面上。例如，第一钝化层180可以具有在发光结构110的顶表面上设置的一端和沿着发光结构110的侧表面在沟道层130的顶表面上设置的另一端，但是其不限于此。
第二钝化层190可以设置在发光结构110和导电支撑构件170的侧表面上。具体地，第二钝化层190可以设置在第一钝化层180、沟道层130、反射层140、接合层150、以及导电支撑构件170的外部。
第二钝化层190可以具有在发光结构110的顶表面上设置的一端190a和沿着发光结构110和导电支撑构件170的侧表面在导电支撑构件170的台阶部分172上设置的另一端190b，但是其不限于此。
第一钝化层180和第二钝化层190可以防止发光结构110与外部电极电短路。第一钝化层180和第二钝化层190中的每一个可以由氧化物或者氮化物，例如，SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、以及Al2O3中的一个形成，但是其不限于此。在这里，第一钝化层180和第二钝化层190可以由彼此相同的材料形成，但是其不限于此。
而且，第二钝化层190可以防止发光结构110和设置在反射层150下的结构彼此剥离。
电极175可以设置在发光结构110的第一导电类型半导体层112上。例如，电极175可以由Au、Ti、Cu、Ni、以及Cr中的至少一个形成，并且具有单或者多层结构，但是其不限于此。
第一导电类型半导体层112上的光提取图案111可以被转印到电极175的顶表面上，以形成粗糙部分176。
尽管在当前实施例中电极175设置在发光结构110的顶表面上，但是本公开不限于此。例如，形成在发光结构内部的混合结构可以应用于电极。
在下文中，将会详细地描述用于制造发光器件100的方法。将会省略与前述实施例重复的解释。
图2至图11是示出根据实施例的用于制造发光器件100的工艺的视图。
参考图2，发光结构110可以形成在衬底105上。
例如，衬底105可以由蓝宝石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、以及Ga2O3中的至少一个形成，但是其不限于此。
第一导电类型半导体层112、有源层114、以及第二导电类型半导体层116可以顺序地生长在衬底105上，以形成发光结构110。
例如，使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺、以及氢化物气相外延(HVPE)工艺中的一个，可以形成发光结构110，但是其不限于此。
缓冲层(未示出)可以进一步形成在第一导电类型半导体层112和衬底105之间，以减少其间的晶格常数差。
参考图3，沟道层130和电流阻挡层120可以形成在发光结构110的顶表面上。
使用掩模图案，沟道层130可以形成在单元芯片(1芯片)的边界区域中。沟道层130可以具有环形形状(闭合形状)、回路形状、或者框架形状。例如，使用电子束沉积工艺、溅射工艺、以及等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺中的至少一个，可以形成沟道层130。
至少一个电流阻挡层120可以与稍后将要形成的电极175在垂直方向上重叠。使用沉积或者镀工艺，可以形成电流阻挡层120。
参考图4，欧姆层140可以形成在第二导电类型半导体层116上，并且反射层150可以形成在欧姆层140和沟道层130上。
使用电子束沉积工艺、溅射工艺、以及等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺中的至少一个沉积工艺或者镀工艺，可以形成欧姆层140和反射层150，但是其不限于此。
参考图5，接合层160可以形成在反射层150上，并且导电支撑构件170可以形成在接合层160上。
通过接合层160可以牢固地结合导电支撑构件170。当使用沉积或者镀工艺形成导电支撑构件170时，可以不形成接合层160。
参考图5和图6，衬底105可以被去除。通过激光剥离(LLO)方法、化学剥离(CLO)方法、以及物理抛光方法中的至少一个，可以去除衬底105。
LLO方法是这样的工艺，其中通过衬底105的后表面将激光照射在衬底上以剥离在衬底105和第一导电类型半导体层112之间的界面。
CLO方法是使用蚀刻剂去除衬底105的工艺。物理抛光方法是用于物理地抛光衬底105的方法。
当衬底105被去除时，第一导电类型半导体层112的下表面可以被暴露。
参考图7，可以沿着芯片边界区域I对发光结构110执行隔离蚀刻工艺，以将多个发光器件的发光结构110分成单独的发光器件单元。然而，为了便于描述，将会描述其中在图6的制造工艺中描述的发光器件完全颠倒的结构。
例如，通过诸如电感耦合等离子体(ICP)工艺的干蚀刻工艺，可以执行隔离蚀刻工艺。
参考图8，第一钝化层180可以形成在发光结构110的侧表面上。
使用电子束沉积工艺、溅射工艺、以及等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺中的至少一个沉积工艺或者镀工艺，可以形成第一钝化层180，但是其不限于此。
在第一钝化层180形成之后，光提取图案111可以形成在第一导电类型半导体层112上。光提取图案111通过湿蚀刻工艺可以具有随机的形状，或者沿着掩模图案可以具有光子晶体结构，但是其不限于此。
在第一钝化层180形成之前，光提取图案111可以被事先形成，但是其不限于此。
参考图9，在被划分为单独的发光器件单元的发光结构110之间，可以执行蚀刻工艺。
通过蚀刻工艺可以去除沟道层130、反射层150、接合层160、以及导电支撑构件170的一部分，以形成凹槽173，并且台阶部分172形成在导电支撑构件170的侧表面上。即，沿着芯片边界区域，台阶部分172可以形成在根据实施例的发光器件100的周边区域上。
台阶部分172的顶表面可以与发光结构110的底表面间隔开第一距离h。第一距离h可以是大约60μm至大约120μm。
蚀刻工艺可以包括湿蚀刻工艺或者干蚀刻工艺，例如，使用电感耦合等离子体(ICP)的干蚀刻工艺。
当通过是各向同性蚀刻工艺的湿蚀刻工艺执行蚀刻工艺时，沟道层130、反射层150、接合层160、以及导电支撑构件170可以具有弯曲的侧表面。
参考图10，电极175可以形成在第一导电类型半导体层112上。使用镀或者沉积工艺可以形成电极175。
第二钝化层190可以形成在发光结构110和导电支撑构件170的侧表面上。具体地，第二钝化层190可以形成在第一钝化层180、沟道层130、反射层150、接合层160、以及导电支撑构件170的外部。
第二钝化层190可以具有在发光结构110的顶表面上设置的一端190a和沿着发光结构110的侧表面在导电支撑构件170的台阶部分172上设置的另一端190b，但是其不限于此。
参考图10和图11，沿着台阶部分172可以执行使用激光划片工艺的芯片分离工艺以将多个发光器件分成单独的发光器件单元，从而提供根据实施例的发光器件100。
激光划片工艺是其中沿着芯片边界照射激光以将芯片分成单元芯片的工艺。
在当前实施例中，根据激光划片工艺，因为将激光照射到与发光结构110间隔开第一距离h的台阶部分172上，所以可以最小化由于激光划片工艺中的激光能量而导致的发光结构110的损坏。
而且，根据激光划片工艺，可以快速地执行芯片分离工艺以提高制造工艺的效率。
图12是根据另一实施例的发光器件100B的侧截面图。
参考图12，除了沟道层和第一钝化层的存在和不存在之外，发光器件100B可以具有与图1的发光器件100相同的结构。
即，发光器件100B可以包括导电支撑构件170，该导电支撑构件170在其侧表面上具有台阶部分172；在导电支撑构件170上的接合层160；在接合层160上的反射层150；在反射层150上的欧姆层140；发光结构110，该发光结构110设置在欧姆层140上以产生光；在发光结构110和导电支撑构件170的侧表面上的钝化层190；以及在发光结构110上的电极175。
在发光器件100B中，没有单独地制造沟道层。即，沿着芯片边界区域，可以选择性地去除导电支撑构件170、接合层160、反射层150、以及欧姆层140，以制造沟道层。
图13至图20是示出用于制造图12的发光器件100B的工艺的视图。在发光器件100B的制造方法的描述中，将会省略或者简单地描述与前述实施例重复的解释。
参考图13，发光结构110可以形成在衬底105上。第一导电类型半导体层112、有源层114、以及第二导电类型半导体层116可以被顺序地生长在衬底105上，以形成发光结构110。
参考图14，电流阻挡层120可以形成在发光结构110的顶表面上。
电流阻挡层120的至少一个可以与稍后将会形成的电极175在垂直方向上重叠。使用沉积或者镀工艺可以形成电流阻挡层120。
参考图15，欧姆层140可以形成在第二导电类型半导体层116和电流阻挡层120上，反射层150可以形成在欧姆层140上，接合层160可以形成在反射层150上，并且导电支撑构件170可以形成在接合层160上。
参考图15和图16，衬底105可以被去除。通过激光剥离(LLO)方法、化学剥离(CLO)方法、以及物理抛光方法中的至少一个，可以去除衬底105。
参考图17，可以沿着芯片边界区域I对发光结构110执行隔离蚀刻工艺以将多个发光器件的发光结构110分成单独的发光器件单元。然而，为了便于描述，将会描述其中在图16的制造工艺中描述的发光器件完全颠倒的结构。
参考图18，可以在被划分为单独的发光器件单元的发光结构110之间，执行蚀刻工艺。
通过蚀刻工艺可以去除欧姆层140、反射层150、接合层160、以及导电支撑构件170的一部分，以形成凹槽173，并且台阶部分172形成在导电支撑构件170的侧表面上。即，沿着芯片边界区域，台阶部分172可以形成在根据另一实施例的发光器件100B的周边区域中。
台阶部分172的顶表面可以与发光结构110的底表面间隔开第一距离h。第一距离可以是大约60μm至大约120μm。
蚀刻工艺可以包括湿蚀刻或者干蚀刻工艺，例如，使用电感耦合等离子体(ICP)的干蚀刻工艺。
当通过是各向同性蚀刻工艺的湿蚀刻工艺执行蚀刻工艺时，欧姆层140、反射层150、接合层160、以及导电支撑构件170可以具有弯曲的侧表面。
参考图19，电极175可以形成在第一导电类型半导体层112上。钝化层190可以形成在发光结构110和导电支撑构件170的侧表面上。
具体地，钝化层190可以形成在发光结构110、欧姆层140、反射层150、接合层160、以及导电支撑构件170的外部。
钝化层190可以具有在发光结构110的顶表面上设置的一端190a和沿着发光结构110的侧表面在导电支撑构件170的台阶部分172上设置的另一端190b，但是其不限于此。
而且，光提取结构可以形成在第一导电类型半导体层112的顶表面上。
参考图21，沿着台阶部分172可以执行使用激光划片工艺的芯片分离工艺，以将多个发光器件分成单独的发光器件单元，从而提供根据另一实施例的发光器件100B。
激光划片工艺是其中沿着芯片边界照射激光以将芯片分成单元芯片的工艺。
在当前实施例中，根据激光划片工艺，因为将激光照射到与发光结构110间隔开第一距离h的台阶部分172上，所以可以最小化由于激光划片工艺中的激光能量而导致的发光结构110的损坏。
而且，根据激光划片工艺，可以快速地执行芯片分离工艺以提高制造工艺的效率。
图21是根据实施例的包括发光器件100的发光器件封装的侧截面图。
参考图21，根据实施例的发光器件封装包括：主体20、设置在主体20上的第一电极层31和第二电极层32、设置在主体20上并且电连接至第一电极层31和第二电极层32的发光器件100、以及在主体20上包围发光器件100的成型构件40。
主体20可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料形成。倾斜表面可以设置在发光器件100的周围。
第一电极层31和第二电极层32可以彼此电隔离，并且向发光器件100提供电力。而且，第一电极层31和第二电极层32可以反射在发光器件100中产生的光，以提高光效率。另外，第一电极层31和第二电极层32可以将在发光器件100中产生的热散发到外部。
发光器件100可以设置在主体20上，或者设置在第一电极层31或者第二电极层32上。
使用布线方法、倒装芯片安装方法、以及贴片方法中的一个，发光器件100可以电连接到第一电极层31和第二电极层32。
成型构件40可以包围发光器件100，以保护发光器件100。而且，荧光体可以被包含在成型构件40中，以改变从发光器件100发射的光的波长。
图22是根据实施例的使用发光器件的背光单元的视图。图22的背光单元是照明***的示例，但是其不限于此。
参考图22，背光单元可以包括底盖1400、设置在底盖1400中的导光构件1100、以及设置在导光构件1100的至少一个表面或者下表面上的发光模块1000。而且，反射片1300可以设置在导光构件1100下。
底盖1400可以具有向上开口的盒形状，以容纳导光构件1100、发光模块1000、以及反射片1300。而且，底盖1400可以由金属材料或者树脂材料形成，但是其不限于此。
发光模块1000可以包括：基板和安装在基板上的多个发光器件封装。多个发光器件封装可以向导光构件1100提供光。
如图22中所示，可以将发光模块1000设置在底盖1400的内侧表面的至少一个表面上，并且因此，发光模块1000可以朝着导光构件1100的至少一个侧表面提供光。
可供选择地，发光模块1000可以设置在底盖1400的下表面上，以朝着导光构件1100的下表面提供光。可以根据BLU的设计对此进行各种改变，但是其不限于此。
导光构件1100可以设置在底盖1400内。导光构件1100可以接收由发光模块1000提供的光以产生平面光，然后将平面光导向液晶显示面板(未示出)。
当发光模块1000设置在导光构件1100的侧表面上，导光构件1100可以是导光板(LGP)。
导光板可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的树脂基材料、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。
当发光模块1000设置在导光构件1100的下表面时，导光构件1100可以包括导光板或者光学片中的至少一个。
例如，光学片可以包括扩散片、聚光片、以及亮度增强片中的至少一个。例如，扩散片、聚光片、以及亮度增强片可以被堆叠以形成光学片。在这样的情况下，扩散片可以使从发光模块1000发射的光均匀地扩散，并且可以通过聚光片向显示面板(未示出)聚集扩散光。在此，从聚光片发射的光是随机偏振的光。亮度增强片可以提高从聚光片发射的光的偏振度。例如，聚光片可以是水平和/或竖直棱镜片。而且，亮度增强片可以是双亮度增强膜(dual brightness enhancementfilm)。
反射片1300可以设置在导光构件1100下。反射片1300将通过导光构件1100的下表面发射的光朝着导光构件1100的发光表面反射。
反射片1300可以由例如PET树脂、PC树脂、或者PVC树脂的具有优秀反射率的材料形成，但是其不限于此。
图23是根据实施例的包括发光器件封装200的照明单元1100的透视图。然而，照明单元是照明***的示例，但是本公开不限于此。
参考图23，照明单元1100可以包括：壳体1110、设置在壳体1110上的发光模块1130、以及设置在壳体1110上以接收来自于外部电源的电力的连接端子1120。
壳体1110可以由具有良好散热性的材料形成，例如，由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1130可以包括：基板1132和安装在基板1132上的至少一个发光器件封装200。
电路图案可以被印制在电介质上以形成基板1132。例如，基板1132可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、或者陶瓷PCB。
而且，基板1132可以由有效反射的材料形成，或者具有在其上由其表面有效地反射光的颜色，例如，白色或者银色。
至少一个发光器件封装200可以被安装在基板1132上。发光器件封装200可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括分别发射具有红色、绿色、蓝色或者白色的光的有色LED，和发射紫外(UV)线的UV LED。
发光模块1130可以具有LED的各种组合以获得色感(colorimpression)和亮度。例如，可以彼此组合白光LED、红光LED、绿光LED，以确保高显色指数。
连接端子1120可以电连接至发光模块1130，以向发光模块1130提供电力。参考图23，将连接端子1120以插座形式螺纹耦接到外部电源，但是其不限于此。例如，连接端子1120可以具有插头的形状，并且因此，可以被***到外部电源中。可供选择地，连接端子1120可以通过线连接到外部电源。
实施例可以提供具有新结构的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
实施例还可以提供具有提高的可靠性的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明***。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
支撑构件，所述支撑构件在侧表面上具有台阶部分；
在所述支撑构件上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层以产生光；以及
电极，所述电极向所述第一导电类型半导体层提供电力，
其中所述支撑构件具有在其上设置所述发光结构的第一表面和具有大于所述第一表面的面积的第二表面。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述台阶部分的顶表面与所述发光结构的底表面间隔开大约60μm至大约120μm的距离。
3.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述发光结构和所述支撑构件的侧表面上的钝化层。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述钝化层具有在所述发光结构上设置的一端以及沿着所述发光结构和所述支撑构件的侧表面在所述台阶部分上设置的另一端。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述钝化层由从由SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、以及Al2O3组成的组中选择的至少一个形成。
6.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述发光结构和所述支撑构件之间的沟道层，所述沟道层沿着所述发光结构的底表面的周边设置。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述沟道层由从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、ITO、AZO、以及ZnO组成的组中选择的至少一个形成。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述沟道层由从Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir、以及W组成的组中选择的至少一个形成。
9.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述发光结构和所述支撑构件之间的欧姆层和反射层中的至少一个。
10.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述钝化层包括第一钝化层，所述第一钝化层从所述发光结构的顶表面延伸到沟道层的顶表面；和第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述第一钝化层上，并且沿着所述支撑构件的侧面延伸到所述台阶部分的表面。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一和第二钝化层由彼此相同的材料形成。
12.根据权利要求1所述的发光器件，其中粗糙部分设置在所述发光结构的顶表面上。
13.一种发光器件封装，包括：
主体；
在所述主体上的第一和第二电极层；和
根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件设置在所述主体上并且电连接到所述第一和第二电极层以产生光。
14.一种照明***，包括：
模块基板；和
根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件安装在所述模块基板上。
15.一种用于制造发光器件的方法，所述方法包括：
顺序地形成第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层以形成发光结构；
在所述发光结构的顶表面上形成支撑构件；
沿着芯片边界区域对所述发光结构执行隔离蚀刻工艺，以将所述发光结构划分为单独的发光器件单元；
在被分成所述单独的发光器件单元的所述发光结构之间执行蚀刻工艺，以去除所述支撑构件的至少部分；以及
沿着所述芯片边界区域执行激光划片工艺，以将多个发光器件分成单独的发光器件单元。
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