JP4479827B2 - 発光ダイオード表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、発光ダイオード表示装置及びその製造方法に関する。
微小な物品を実装用基板に実装する必要がある技術分野が多々ある。その一例として、発光ダイオード表示装置が挙げられる。発光ダイオード表示装置においては、赤色発光ダイオードが赤色発光副画素（サブピクセル）として機能し、緑色発光ダイオードが緑色発光副画素として機能し、青色発光ダイオードが青色発光副画素として機能し、これらの３種類の副画素の発光状態によってカラー画像を表示する。
例えば、対角４０インチのフルＨＤ（High Definition）高精細フルカラー表示装置においては、画面の水平方向の画素数が１９２０、画面の垂直方向の画素数が１０８０である。従って、この場合、実装する発光ダイオードの個数は、１９２０×１０８０×（１画素を構成するのに要する赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードの３種の発光ダイオードの個数）であり、約６００万個となる。それ故、このような膨大な数の発光ダイオードを表示装置用基板に実装するための方法として、画面サイズよりも小さなサイズで発光ダイオードをアレイ状に形成し、この発光ダイオード・アレイから発光ダイオードを表示装置用基板に位置をずらしながら順次実装する方法、即ち、ステップ転写法（ステップ実装法）が知られている。
このようなステップ転写法が、例えば、特開２００４−２７３５９６、特開２００４−２８１６３０から周知である。これらの特許公開公報に開示された技術にあっては、基本的には、粘着層が表面に形成された転写基板を用い、素子が部分的に突出した状態となるように素子を粘着層に埋入させた後、素子をローラー等で粘着層に深く埋入する（例えば、特開２００４−２７３５９６の段落番号［００４５］〜段落番号［００４８］や、特開２００４−２８１６３０の段落番号［００３８］及び段落番号［００４６］を参照）。
ＧａＩｎＮ系の発光ダイオードを製造するための発光ダイオード製造用基板として、現在のところ、公称２インチを超える大口径の基板の製造は困難であるし、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオードを製造するための発光ダイオード製造用基板として、現在のところ、公称３インチを超える大口径の基板の製造は困難である。従って、例えば、公称口径２インチのサファイア基板を発光ダイオード製造用基板として用いて、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオードを製造し、公称口径３インチのＧａＡｓ基板を発光ダイオード製造用基板として用いて、赤色発光ダイオードを製造している。そして、例えば、対角２６インチの発光ダイオード表示装置を製造する場合、６５０ｍｍ×５５０ｍｍの大きさの表示装置用基板に、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び赤色発光ダイオードを実装する必要がある。
特開２００４−２７３５９６ 特開２００４−２８１６３０
ところで、１画素（１ピクセル）は、上述したとおり、通常、３つの副画素（サブピクセル）から構成されている。それ故、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードの３種類の発光ダイオードを表示装置用基板に移動（例えば転写）させた後、これらの３種類の発光ダイオードを駆動するための配線等の形成、引き回しには、煩雑なプロセスが必要とされる。
従って、本発明の目的は、簡素なプロセスで発光ダイオード表示装置を製造することを可能とする発光ダイオード表示装置の製造方法、及び、係る製造方法によって得られる発光ダイオード表示装置を提供することにある。
上記の目的を達成するための本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法は、
（Ａ）（ａ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
（ａ−２）活性層、
（ａ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
（ａ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
（ａ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
を備え、赤色を発光する複数の第１発光ダイオードを第１発光ダイオード製造用基板に設け、
（ｂ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
（ｂ−２）活性層、
（ｂ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
（ｂ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
（ｂ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
を備え、緑色を発光する複数の第２発光ダイオードを第２発光ダイオード製造用基板に設け、
（ｃ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
（ｃ−２）活性層、
（ｃ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
（ｃ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
（ｃ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
を備え、青色を発光する複数の第３発光ダイオードを第３発光ダイオード製造用基板に設け、次いで、
（Ｂ）第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードを発光ユニット製造用基板に仮固定し、所望の数の第１発光ダイオード、所望の数の第２発光ダイオード及び所望の数の第３発光ダイオードから構成され、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極が副共通電極に接続された発光ユニットを得た後、
（Ｃ）発光ユニットを発光ユニット製造用基板から表示装置用基板に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置を得る、
各工程を具備する。
本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法にあっては、
発光ダイオード表示装置における第１発光ダイオードの配置ピッチは、第１発光ダイオード製造用基板における第１発光ダイオードの製造ピッチの整数倍であり、
発光ダイオード表示装置における第２発光ダイオードの配置ピッチは、第２発光ダイオード製造用基板における第２発光ダイオードの製造ピッチの整数倍であり、
発光ダイオード表示装置における第３発光ダイオードの配置ピッチは、第３発光ダイオード製造用基板における第３発光ダイオードの製造ピッチの整数倍であることが、発光ダイオードを製造するときに使用する材料のロス等を少なくし、且つ、製造工程を合理化するといった観点から好ましい。尚、整数倍としてどのような値を採用するかは、発光ダイオード表示装置の仕様、発光ダイオードの製造プロセス等に基づき決定すればよい。
上記の好ましい態様を含む本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法にあっては、
固定層が設けられた第１転写基板を準備しておき、
前記工程（Ｂ）においては、
（Ｂ−１）第１発光ダイオード製造用基板上の第１発光ダイオードを固定層に転写し、
第２発光ダイオード製造用基板上の第２発光ダイオードを固定層に転写し、
第３発光ダイオード製造用基板上の第３発光ダイオードを固定層に転写した後、
（Ｂ−２）発光ユニットを形成すべき所望の数の第１発光ダイオード、所望の数の第２発光ダイオード及び所望の数の第３発光ダイオードから成る発光ダイオード群におけるそれぞれの第１電極上から固定層上に亙り、副共通電極を形成し、次いで、
（Ｂ−３）固定層及び副共通電極を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群を発光ユニット製造用基板に貼り合わせて仮固定した後、第１転写基板を除去し、次いで、
（Ｂ−４）第１発光ダイオードの第２電極に接続された第１コンタクトホール部を固定層に形成し、該第１コンタクトホール部から固定層上を延びる第１パッド部を形成し、
第２発光ダイオードの第２電極に接続された第２コンタクトホール部を固定層に形成し、該第２コンタクトホール部から固定層上を延びる第２パッド部を形成し、
第３発光ダイオードの第２電極に接続された第３コンタクトホール部を固定層に形成し、該第３コンタクトホール部から固定層上を延びる第３パッド部を形成し、
副共通電極に接続された第４コンタクトホール部を固定層に形成し、該第４コンタクトホール部から固定層上を延びる第４パッド部を形成し、以て、発光ユニットを得た後、
（Ｂ−５）発光ユニットを固定層において分離する、
各工程を備え、
絶縁材料層、並びに、絶縁材料層によって覆われ、第１方向に沿って延びる第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極が形成された表示装置用基板を準備しておき、
前記工程（Ｃ）においては、
（Ｃ−１）各発光ユニットを第２転写基板に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板を除去し、次いで、
（Ｃ−２）絶縁材料層によって囲まれるように、表示装置用基板上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去し、
（Ｃ−３）第１パッド部と第１の共通電極とを電気的に接続する第１接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第２パッド部と第２の共通電極とを電気的に接続する第２接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第３パッド部と第３の共通電極とを電気的に接続する第３接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第４の共通電極を絶縁材料層上に形成し、
第４パッド部と第４の共通電極とを電気的に接続する第４接続部を、固定層から絶縁材料層上に亙り形成する、
各工程を備えている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本発明の第１の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法』と呼ぶ。
あるいは又、上記の好ましい態様を含む本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法にあっては、
固定層が設けられた第１転写基板を準備しておき、本発明の第１の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法における工程（Ｂ）［即ち、工程（Ｂ−１）から工程（Ｂ−５）］を実行し、
第１方向に沿って延びる第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極が形成された表示装置用基板を準備しておき、
前記工程（Ｃ）においては、
（Ｃ−１）各発光ユニットを第２転写基板に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板を除去し、次いで、
（Ｃ−２）表示装置用基板上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去し、
（Ｃ−３）第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極を覆い、且つ、発光ユニットを取り囲む絶縁材料層を形成した後、
（Ｃ−４）第１パッド部と第１の共通電極とを電気的に接続する第１接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第２パッド部と第２の共通電極とを電気的に接続する第２接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第３パッド部と第３の共通電極とを電気的に接続する第３接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第４の共通電極を絶縁材料層上に形成し、
第４パッド部と第４の共通電極とを電気的に接続する第４接続部を、固定層から絶縁材料層上に亙り形成する、
各工程を備えている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本発明の第２の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法』と呼ぶ。
あるいは又、上記の好ましい態様を含む本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法にあっては、
固定層が設けられた第１転写基板を準備しておき、
前記工程（Ｂ）においては、
（Ｂ−１）第１発光ダイオード製造用基板上の第１発光ダイオードを固定層に転写し、
第２発光ダイオード製造用基板上の第２発光ダイオードを固定層に転写し、
第３発光ダイオード製造用基板上の第３発光ダイオードを固定層に転写した後、
（Ｂ−２）発光ユニットを形成すべき所望の数の第１発光ダイオード、所望の数の第２発光ダイオード及び所望の数の第３発光ダイオードから成る発光ダイオード群におけるそれぞれの第１電極上から固定層上に亙り、副共通電極を形成し、次いで、
（Ｂ−３）固定層及び副共通電極を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群を発光ユニット製造用基板に貼り合わせて仮固定して発光ユニットを得た後、第１転写基板を除去し、次いで、
（Ｂ−４）発光ユニットを固定層において分離する、
各工程を備え、
絶縁材料層、並びに、絶縁材料層によって覆われた、第１方向に沿って延びる第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極が形成された表示装置用基板を準備しておき、
前記工程（Ｃ）においては、
（Ｃ−１）各発光ユニットを第２転写基板に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板を除去し、次いで、
（Ｃ−２）絶縁材料層によって囲まれるように、表示装置用基板上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去し、
（Ｃ−３）第１発光ダイオードの第２電極と第１の共通電極とを電気的に接続するために、第１コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第１接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第２発光ダイオードの第２電極と第２の共通電極とを電気的に接続するために、第２コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第２接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第３発光ダイオードの第２電極と第３の共通電極とを電気的に接続するために、第３コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第３接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第４の共通電極を絶縁材料層上に形成し、
副共通電極と第４の共通電極とを電気的に接続するために、第４コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第４接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成する、
各工程を備えている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本発明の第３の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法』と呼ぶ。
あるいは又、上記の好ましい態様を含む本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法にあっては、
固定層が設けられた第１転写基板を準備しておき、本発明の第３の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法における工程（Ｂ）［即ち、工程（Ｂ−１）から工程（Ｂ−４）］を実行し、
第１方向に沿って延びる第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極が形成された表示装置用基板を準備しておき、
前記工程（Ｃ）においては、
（Ｃ−１）各発光ユニットを第２転写基板に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板を除去し、次いで、
（Ｃ−２）表示装置用基板上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去し、
（Ｃ−３）第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極を覆い、且つ、発光ユニットを取り囲む絶縁材料層を形成した後、
（Ｃ−４）第１発光ダイオードの第２電極と第１の共通電極とを電気的に接続するために、第１コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第１接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第２発光ダイオードの第２電極と第２の共通電極とを電気的に接続するために、第２コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第２接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第３発光ダイオードの第２電極と第３の共通電極とを電気的に接続するために、第３コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第３接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
第４の共通電極を絶縁材料層上に形成し、
副共通電極と第４の共通電極とを電気的に接続するために、第４コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第４接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成する、
各工程を備えている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『本発明の第４の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法』と呼ぶ。
上記の目的を達成するための本発明の発光ダイオード表示装置は、
（ａ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
（ａ−２）活性層、
（ａ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
（ａ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
（ａ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
から成り、赤色を発光する所望の数の第１発光ダイオード、
（ｂ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
（ｂ−２）活性層、
（ｂ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
（ｂ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
（ｂ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
から成り、緑色を発光する所望の数の第２発光ダイオード、並びに、
（ｃ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
（ｃ−２）活性層、
（ｃ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
（ｃ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
（ｃ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
から成り、青色を発光する所望の数の第３発光ダイオード、
から構成された発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成り、
各発光ユニットにおける第１発光ダイオードの第１電極、第２発光ダイオードの第１電極及び第３発光ダイオードの第１電極は、副共通電極に接続されており、
第１方向に沿って配列された各発光ユニットにおける第１発光ダイオードの第２電極、第２発光ダイオードの第２電極及び第３発光ダイオードの第２電極のそれぞれは、第１方向に沿って延びる第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極に接続されており、
第２方向に沿って配列された各発光ユニットにおける副共通電極は、第２方向に沿って延びる第４の共通電極に接続されている。
本発明の発光ダイオード表示装置においては、
第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極は、表示装置用基板上に形成されており、
副共通電極は、表示装置用基板上に固定された固定層に形成されており、
発光ユニットにおける第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードは、固定層に固定されており、
固定層は、第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極を覆う絶縁材料層によって囲まれており、
発光ユニットにおける第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードは、それぞれの第１電極が副共通電極に接続された状態で、副共通電極上に配置されており、
第１発光ダイオードの第２電極は、固定層に形成された第１コンタクトホール部、及び、固定層上から絶縁材料層に亙り形成された第１接続部を介して、第１の共通電極に接続されており、
第２発光ダイオードの第２電極は、固定層に形成された第２コンタクトホール部、及び、固定層上から絶縁材料層に亙り形成された第２接続部を介して、第２の共通電極に接続されており、
第３発光ダイオードの第２電極は、固定層に形成された第３コンタクトホール部、及び、固定層上から絶縁材料層に亙り形成された第３接続部を介して、第３の共通電極に接続されており、
副共通電極は、固定層に形成された第４コンタクトホール部、及び、固定層上から絶縁材料層上に亙り形成された第４接続部を介して、絶縁材料層上に形成された第４の共通電極に接続されている構成とすることができる。
上記の好ましい構成の発光ダイオード表示装置においては、
第１コンタクトホール部と第１接続部との間には、固定層に形成された第１パッド部が備えられており、
第２コンタクトホール部と第２接続部との間には、固定層に形成された第２パッド部が備えられており、
第３コンタクトホール部と第３接続部との間には、固定層に形成された第３パッド部が備えられており、
第４コンタクトホール部と第４接続部との間には、固定層に形成された第４パッド部が備えられている形態とすることができる。
上記の好ましい形態を含む本発明の発光ダイオード表示装置、あるいは、以上の好ましい形態、構成を含む第１の構成若しくは第２の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法にあっては、
第１パッド部の大きさは、第１発光ダイオードの第２電極の大きさよりも大きく、
第２パッド部の大きさは、第２発光ダイオードの第２電極の大きさよりも大きく、
第３パッド部の大きさは、第３発光ダイオードの第２電極の大きさよりも大きい構成とすることができる。具体的には、第１パッド部、第２パッド部あるいは第３パッド部の大きさ（面積）をＳP、第１発光ダイオード、第２発光ダイオードあるいは第３発光ダイオードの第２電極の大きさ（面積）をＳEとしたとき、
ＳE＜ＳP＜ＬU／３
好ましくは、
ＳE＜ＳP＜ＬU／１２
を満足することが望ましい。ここで、ＬUは１画素の一辺の長さの最大値を指す。
また、上記の好ましい形態を含む本発明の発光ダイオード表示装置、あるいは、以上の好ましい形態、構成を含む第１の構成若しくは第２の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法にあっては、
第１コンタクトホール部を塞いでいる第１パッド部の中心は、第１コンタクトホール部の中心と一致しておらず、第１パッド部の中心は、第１の共通配線側にずれており、
第２コンタクトホール部を塞いでいる第２パッド部の中心は、第２コンタクトホール部の中心と一致しておらず、第２パッド部の中心は、第２の共通配線側にずれており、
第３コンタクトホール部を塞いでいる第３パッド部の中心は、第３コンタクトホール部の中心と一致しておらず、第３パッド部の中心は、第３の共通配線側にずれている構成とすることができる。このような構成を採用することで、たとえ、第１接続部、第２接続部及び第３接続部の形成時、これらの接続部と第４接続部との間に距離的なゆとりを得ることができ、これらの接続部と第４接続部との間に短絡が生じることを確実に防止することができる。
更には、以上の好ましい形態、構成を含む本発明の発光ダイオード表示装置、あるいは、以上の好ましい形態、構成を含む本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法にあっては、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードからの光は、第１電極側から射出され、副共通電極は、光を透過させる構造を有する形態とすることができる。そして、この場合、副共通電極は、金属層又は合金層から成る構成とすることができる。あるいは又、この場合、副共通電極は、光透過電極、及び、光透過電極から延在する金属層又は合金層から成り、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極は、光透過電極と接しており、第４コンタクトホール部は、金属層又は合金層と接している構成とすることができる。
副共通電極は、例えば、金属層又は合金層から成る構成とすることができるが、具体的には、副共通電極をメッシュ状電極や櫛型電極から構成すればよい。あるいは又、副共通電極は、例えば、光透過電極、及び、光透過電極から延在する金属層又は合金層から成る構成とすることができるが、具体的には、光透過電極をＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料から構成したり、光透過電極をメッシュ状電極や櫛型電極から構成すればよい。尚、光を透過させる構造を有する限りにおいて、メッシュ状電極や櫛型電極それ自体は光透過性を有していなくともよい。また、金属層又は合金層を構成する材料として、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ等の単体金属あるいはこれらの合金を挙げることができるし、副共通電極を２層以上の多層構成とすることもできる。第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極は光透過電極と接しているが、具体的には、光透過電極を、第１電極上、あるいは、第１電極上及び第１電極の周辺に形成すればよい。また、第４コンタクトホール部は、金属層又は合金層と接している構成とすることが好ましいが、具体的には、金属層又は合金層上に第４コンタクトホール部を形成すればよい。
更には、以上の好ましい形態、構成を含む本発明の発光ダイオード表示装置、あるいは、以上の好ましい形態、構成を含む本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法にあっては、
第１発光ダイオードと第２発光ダイオードと第３発光ダイオードとから構成された１画素の第１方向に沿った長さをＬP-1、第２方向に沿った長さをＬP-2とし、発光ユニットの第１方向に沿った長さをＬU-1、第２方向に沿った長さをＬU-2としたとき、
ＬU-1／ＬP-1≦０．５
ＬU-2／ＬP-2≦０．５
好ましくは、
ＬU-1／ＬP-1≦０．５
ＬU-2／ＬP-2≦０．２５
を満足することが望ましい。
更には、以上の好ましい形態、構成を含む本発明の発光ダイオード表示装置、あるいは、以上の好ましい形態、構成を含む本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法にあっては、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードの内、最大の発光ダイオードの光出射面の面積をＳmaxとしたとき、
２．５×１０-11ｍ2≦Ｓmax≦１×１０-8ｍ2、
好ましくは、
２．５×１０-11ｍ2≦Ｓmax≦２．５×１０-9ｍ2
を満足することが望ましい。また、１つの発光ユニットにおける第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードのそれぞれの光出射面の面積の総和をＳTotalとし、１つの発光ユニットの面積をＳUnitとしたとき、限定するものではないが、
３×１０0≦ＳUnit／ＳTotal≦１．３×１０4、
好ましくは、
５≦ＳUnit／ＳTotal≦１×１０3
を満足することが望ましい。
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本発明の発光ダイオード表示装置、あるいは、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本発明の発光ダイオード表示装置の製造方法（以下、これらを総称して、単に、『本発明』と呼ぶ場合がある）において、発光ユニットを構成する第１発光ダイオードの所望の数をＮ1、発光ユニットを構成する第２発光ダイオードの所望の数をＮ2、発光ユニットを構成する第３発光ダイオードの所望の数をＮ3としたとき、Ｎ1として１又は２以上の整数を挙げることができるし、Ｎ2として１又は２以上の整数を挙げることができるし、Ｎ3として１又は２以上の整数を挙げることができる。Ｎ1とＮ2とＮ3の値は、等しくともよいし、異なっていてもよい。Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3の値が２以上の整数である場合、１つの発光ユニット内において、発光ダイオードは直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。（Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3）の値の組合せとして、限定するものではないが、（１，１，１）、（１，２，１）、（２，２，２）、（２，４，２）を例示することができる。
本発明における第１化合物半導体層、活性層、第２化合物半導体層を構成する化合物半導体として、例えば、ＧａＮ系化合物半導体（ＡｌＧａＮ混晶あるいはＡｌＧａＩｎＮ混晶、ＧａＩｎＮ混晶を含む）、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体（ＧａＩｎＡｓ混晶あるいはＧａＮＡｓ混晶を含む）、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＧａＩｎＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体、ＩｎＮ系化合物半導体、ＡｌＮ系化合物半導体を例示することができる。化合物半導体層に添加されるｎ型不純物として、例えば、ケイ素（Ｓｉ）やセレン（Ｓｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）を挙げることができるし、ｐ型不純物として、亜鉛（Ｚｎ）や、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、酸素（Ｏ）を挙げることができる。活性層は、単一の化合物半導体層から構成されていてもよいし、単一量子井戸構造［ＱＷ構造］あるいは多重量子井戸構造［ＭＱＷ構造］を有していてもよい。活性層を含む各種化合物半導体層の形成方法（成膜方法）として、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法）や有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）、ハロゲンが輸送あるいは反応に寄与するハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）を挙げることができる。赤色を発光する第１発光ダイオード、緑色を発光する第２発光ダイオード、青色を発光する第３発光ダイオードを製造するためには、上記の化合物半導体やその組成を、適宜、選択すればよい。
尚、第１導電型をｎ型とする場合、第２導電型はｐ型であるし、第１導電型をｐ型とする場合、第２導電型はｎ型である。
第１化合物半導体層へ第１電極を電気的に接続するためには、例えば、第１電極を第１化合物半導体層上に形成すればよい。同様に、第２化合物半導体層へ第２電極を電気的に接続するためには、例えば、第２電極を第２化合物半導体層上に形成すればよい。第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とする場合、第１電極はｎ側電極であり、第２電極はｐ側電極となる。一方、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型とする場合、第１電極はｐ側電極であり、第２電極はｎ側電極となる。ここで、ｐ側電極として、Ａｕ／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＺｎ、Ａｕ／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）（／Ａｕ）／ＡｕＰｄ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ／Ｐｄ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｇｅを挙げることができる。また、ｎ側電極として、Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ（／Ａｕ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ａｕ／Ｐｔ／ＴｉＷ（／Ｔｉ）／Ｎｉ／ＡｕＧｅ、Ｔｉを挙げることができる。尚、「／」の前の層ほど、活性層から電気的に離れたところに位置する。あるいは又、第１電極を、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｂといった透明導電材料から構成することもできる。透明導電材料から成る層を電流拡散層として用いて、第１電極をｎ側電極とする場合、第１電極をｐ側電極とする場合に挙げた金属積層構造とを組み合わせてもよい。
第１発光ダイオード製造用基板、第２発光ダイオード製造用基板、第３発光ダイオード製造用基板として、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＰ基板、ＩｎＮ基板、ＩｎＰ基板、ＡｌＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＡｌＩｎＮ基板、ＧａＩｎＮ基板、ＡｌＧａＩｎＰ基板、ＡｌＧａＰ基板、ＡｌＩｎＰ基板、ＧａＩｎＰ基板、ＺｎＳ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、アルミナ基板、ＺｎＯ基板、ＬｉＭｇＯ基板、ＬｉＧａＯ2基板、ＭｇＡｌ2Ｏ4基板、Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、これらの基板の表面（主面）に下地層やバッファ層が形成されたものを挙げることができる。尚、赤色を発光する第１発光ダイオード、緑色を発光する第２発光ダイオード、青色を発光する第３発光ダイオードを製造するためには、これらの基板から、適宜、選択すればよい。
発光ユニット製造用基板、表示装置用基板、第１転写基板、第２転写基板を構成する材料として、ガラス板、金属板、合金板、セラミックス板、プラスチック板を挙げることができる。第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードを発光ユニット製造用基板へ仮固定する方法、発光ダイオード群を発光ユニット製造用基板へ貼り合わせる方法、各発光ユニットを第２転写基板へ貼り合わせる方法、表示装置用基板へ発光ユニットを固定する方法として、接着剤を用いる方法、金属接合法、半導体接合法、金属・半導体接合法を例示することができる。一方、第１発光ダイオード製造用基板の除去、第２発光ダイオード製造用基板の除去、第３発光ダイオード製造用基板の除去、第１転写基板の除去、発光ユニット製造用基板の除去、第２転写基板の除去は、例えば、レーザ・アブレーション法や加熱法、エッチング法といった方法に基づき行うことができる。発光ユニットを絶縁材料層によって囲まれるように表示装置用基板上に配置し、あるいは又、発光ユニットを表示装置用基板上に配置するが、具体的には、接着剤を用いる方法を挙げることができる。
固定層は、例えば、第１転写基板側から、絶縁層と埋込み材料層の２層構成とすることができる。ここで、絶縁層を構成する材料として、ポリアミド系樹脂やポリイミド系樹脂を挙げることができる。第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードの固定層への固定方法として、予め、埋込み材料層の一部を硬化させておき、残部を未硬化とした状態で、未硬化の埋込み材料層の部分に第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードを埋め込み、その後、未硬化の埋込み材料層の部分を硬化させる方法を例示することができる。
埋込み材料層は、光（特に紫外線等）、放射線（Ｘ線等）、電子線等といったエネルギー線の照射によって硬化や固化し得る材料、熱や圧力等を加えることによって硬化や固化し得る材料等、何らかの方法に基づき硬化や固化させ得る材料である限り、基本的にはどのような材料から構成されていてもよい。ここで、容易に形成することができ、しかも、容易に硬化や固化させ得る材料として、樹脂層、特に、感光性樹脂、熱硬化性樹脂、又は、熱可塑性樹脂を挙げることができる。感光性樹脂としては従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリケイ皮酸ビニルやポリビニルアジドベンザル等の光架橋反応により露光部が難溶性となり、あるいは、アクリルアミド等の光重合反応により露光部が難溶性となるネガ型のもの、ｏ−キノンジアジドノボラック樹脂のようなキノンジアジド基が光分解によりカルボン酸を生じて易溶性となるポジ型のものなどを用いることができる。また、熱硬化性樹脂として従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。更には、熱可塑性樹脂として従来公知のものを用いることができ、具体的には、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリアミド樹脂等を用いることができる。例えば、感光性樹脂から成る樹脂層を用いる場合、光や紫外線を埋込み材料層に照射することによって埋込み材料層を硬化させることができる。また、熱硬化性樹脂から成る樹脂層を用いる場合、ホットプレートやオーブン等により埋込み材料層を加熱することによって埋込み材料層を硬化させることができる。更には、熱可塑性樹脂から成る樹脂層を用いる場合、光の照射等により埋込み材料層の一部分を選択的に加熱することによって係る一部分を溶融し、流動性を持たせることができる。埋込み材料層として、その他、例えば、感圧性樹脂層（例えば、アクリル系樹脂等）、金属（単体金属及び合金）、ガラス等を挙げることもできる。
第１の共通電極、第２の共通電極、第３の共通電極、第４の共通電極（以下、『共通電極等』と呼ぶ場合がある）を構成する材料（以下、『電極材料』と呼ぶ場合がある）として、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属を含む各種金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えば、ＴｉＷ；ＴｉＮやＷＮ等の窒化物；ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、共通電極等の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザ・アブレーション法を含む各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；各種化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；スクリーン印刷法；インクジェット印刷法；メタルマスク印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができるし、これらの方法とエッチング法との組合せを挙げることもできる。ここで、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた共通電極等を形成することも可能である。
第１コンタクトホール部、第２コンタクトホール部、第３コンタクトホール部、第４コンタクトホール部は、例えば、上述した電極材料から構成すればよく、これらのコンタクトホール部の形成方法も、リソグラフィ技術に基づく固定層における開口部の形成、及び、上述した電極材料に基づく電極の形成方法と同様の方法で形成することができる。また、第１コンタクトホール部から固定層上を延びる第１パッド部の形成方法、第２コンタクトホール部から固定層上を延びる第２パッド部の形成方法、第３コンタクトホール部から固定層上を延びる第３パッド部の形成方法、第４コンタクトホール部から固定層上を延びる第４パッド部の形成方法も、具体的には、上述した共通電極等の形成方法から、適宜、選択すればよい。更には、第１接続部の固定層から絶縁材料層に亙る形成、第２接続部の固定層から絶縁材料層に亙る形成、第３接続部の固定層から絶縁材料層に亙る形成、第４接続部の固定層から絶縁材料層上に亙る形成も、具体的には、上述した共通電極等の形成方法から、適宜、選択すればよい。
発光ダイオード群から構成された発光ユニットの固定層における分離方法として、レーザ照射法、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、ダイシング法を例示することができる。
絶縁材料層として、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは、適宜、組み合わせて使用することができる。絶縁材料層の形成には、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法といった各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
従来の技術にあっては、表示装置用基板に複数の第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードを転写した後、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極、第２電極に配線を引き回す。一方、本発明にあっては、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極が副共通電極に接続された発光ユニットの複数を表示装置用基板に転写するので、その後の第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードのそれぞれの第２電極への配線（共通電極）の引き回しが容易となる。その結果、発光ダイオード表示装置の製造プロセスの簡素化を図ることができる。
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。
実施例１は、本発明の発光ダイオード表示装置及びその製造方法に関し、より具体的には、第１の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法に関する。
１つの発光ユニットの模式的な平面図を図１に示し、図１の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃ、矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿った模式的な一部断面図を、それぞれ、図２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す。尚、図１においては、１つの発光ユニットを一点鎖線で囲み、発光ダイオードを点線で示し、第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極の外縁にクロスハッチングを付し、第４の共通電極、第１接続部、第２接続部、第３接続部、第４接続部の外縁を実線で示した。更には、発光ダイオードの概念的な一部断面図を図４の（Ａ）に示す。
実施例１の発光ダイオード表示装置は、赤色を発光する所望の数の第１発光ダイオード１１０、緑色を発光する所望の数の第２発光ダイオード２１０、並びに、青色を発光する所望の数の第３発光ダイオード３１０から構成された発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成る。
ここで、赤色を発光する第１発光ダイオード１１０は、
（ａ−１）第１導電型（具体的には、実施例１にあってはｎ型）を有する第１化合物半導体層１１、
（ａ−２）活性層１３、
（ａ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型（具体的には、実施例１にあってはｐ型）を有する第２化合物半導体層１２、
（ａ−４）第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１１４、及び、
（ａ−５）第２化合物半導体層１２に電気的に接続された第２電極１１５、
から成る。
また、緑色を発光する第２発光ダイオード２１０は、
（ｂ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層１１、
（ｂ−２）活性層１３、
（ｂ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層１２、
（ｂ−４）第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極２１４、及び、
（ｂ−５）第２化合物半導体層１２に電気的に接続された第２電極２１５、
から成る。
更には、青色を発光する第３発光ダイオード３１０は、
（ｃ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層１１、
（ｃ−２）活性層１３、
（ｃ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層１２、
（ｃ−４）第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極３１４、及び、
（ｃ−５）第２化合物半導体層１２に電気的に接続された第２電極３１５、
から成る。
そして、各発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０の第１電極１１４、第２発光ダイオード２１０の第１電極２１４及び第３発光ダイオード３１０の第１電極３１４は、副共通電極４３に接続されている。一方、第１方向に沿って配列された各発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０の第２電極１１５は、第１方向に沿って延びる第１の共通電極（第１の共通配線）４０１に接続されている。また、第２発光ダイオード２１０の第２電極２１５は、第１方向に沿って延びる第２の共通電極（第２の共通配線）４０２に接続されている。更には、第３発光ダイオード３１０の第２電極３１５は、第１方向に沿って延びる第３の共通電極（第３の共通配線）４０３に接続されている。尚、第２方向に沿って配列された各発光ユニットにおける副共通電極４３は、第２方向に沿って延びる第４の共通電極（第４の共通配線）４０４に接続されている。
ここで、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、表示装置用基板６１の上に形成されており、副共通電極４３は、表示装置用基板６１の上に固定された固定層３４に形成されている。更には、発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０は、固定層３４に固定されており、固定層３４は、絶縁材料層７１によって囲まれている。ここで、絶縁材料層７１は、表示装置用基板６１の上に形成された第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３を覆っている。
実施例１の発光ダイオード表示装置にあっては、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０からの光は、第１電極側から射出される。そして、副共通電極４３は、光を透過させる構造を有する。副共通電極４３は、金属層又は合金層から成る構成とすることができる。あるいは又、副共通電極４３は、光透過電極４２、及び、光透過電極４２から延在する金属層４１から成る。そして、発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０は、それぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された状態で、副共通電極４３上に配置されている。具体的には、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４は光透過電極４２と接している。より具体的には、光透過電極４２は、第１電極１１４，２１４，３１４の上、及び、第１電極１１４，２１４，３１４の周辺に形成されている。一方、第４コンタクトホール部４２１は、金属層４１と接している。具体的には、第４コンタクトホール部４２１は、金属層４１の上に形成されている。ここで、光透過電極４２はＩＴＯやＩＺＯといった透明導電材料から構成されている。一方、金属層４１を構成する材料を、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌといった一般的な金属配線材料とした。
第１発光ダイオード１１０の第２電極１１５は、固定層３４に形成された第１コンタクトホール部１２１、及び、固定層３４上から絶縁材料層７１に亙り形成された第１接続部１２４を介して、第１の共通電極４０１に接続されている。第２発光ダイオード２１０の第２電極２１５は、固定層３４に形成された第２コンタクトホール部２２１、及び、固定層３４上から絶縁材料層７１に亙り形成された第２接続部２２４を介して、第２の共通電極４０２に接続されている。第３発光ダイオード３１０の第２電極３１５は、固定層３４に形成された第３コンタクトホール部３２１、及び、固定層３４上から絶縁材料層７１に亙り形成された第３接続部３２４を介して、第３の共通電極４０３に接続されている。副共通電極４３は、固定層３４に形成された第４コンタクトホール部４２１、及び、固定層３４上から絶縁材料層７１上に亙り形成された第４接続部４２４を介して、絶縁材料層７１上に形成された第４の共通電極４０４に接続されている。尚、実施例１にあっては、第１コンタクトホール部１２１と第１接続部１２４との間には、固定層３４に形成された第１パッド部１２２が備えられている。第２コンタクトホール部２２１と第２接続部２２４との間には、固定層３４に形成された第２パッド部２２２が備えられている。第３コンタクトホール部３２１と第３接続部３２４との間には、固定層３４に形成された第３パッド部３２２が備えられている。第４コンタクトホール部４２１と第４接続部４２４との間には、固定層３４に形成された第４パッド部４２２が備えられている。
実施例１の発光ダイオード表示装置において、第１パッド部１２２、第２パッド部２２２、第３パッド部３２２の大きさ（面積ＳP）は、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０の第２電極１１５，２１５，３１５の大きさ（面積ＳE）よりも大きい。具体的には、
ＳP／ＳE＝２
である。
更には、実施例１の発光ダイオード表示装置にあっては、赤色を発光する第１発光ダイオード１１０と緑色を発光する第２発光ダイオード２１０と青色を発光する第３発光ダイオード３１０とから構成された１画素の第１方向に沿った長さをＬP-1、第２方向に沿った長さをＬP-2とし、発光ユニットの第１方向に沿った長さをＬU-1、第２方向に沿った長さをＬU-2としたとき、
ＬU-1／ＬP-1≦０．５
ＬU-2／ＬP-2≦０．５
を満足している。より具体的には、
ＬU-1／ＬP-1＝２
ＬU-2／ＬP-2＝４
とした。また、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０の内、最大の発光ダイオードの光出射面の面積をＳmaxとしたとき、
２．５×１０-11ｍ2≦Ｓmax≦１×１０-8ｍ2
を満足している。より具体的には、
Ｓmax＝１×１０-10ｍ2
とした。更には、１つの発光ユニットにおける第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０のそれぞれの光出射面の面積の総和をＳTotalとし、１つの発光ユニットの面積をＳUnitとしたとき、
３×１０0≦ＳUnit／ＳTotal≦１．３×１０4
を満足している。より具体的には、
ＳUnit／ＳTotal＝１．３×１０1
とした。また、発光ユニットを構成する第１発光ダイオード１１０の所望の数をＮ1、発光ユニットを構成する第２発光ダイオード２１０の所望の数をＮ2、発光ユニットを構成する第３発光ダイオード３１０の所望の数をＮ3としたとき、（Ｎ1，Ｎ2，Ｎ3）の値の組合せを、（１，１，１）とした。
実施例１において、赤色を発光する第１発光ダイオード１１０における第１化合物半導体層１１、活性層１３、第２化合物半導体層１２をＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から構成し、緑色を発光する第２発光ダイオード２１０における第１化合物半導体層１１、活性層１３、第２化合物半導体層１２をＩｎＧａＮ系化合物半導体から構成し、青色を発光する第３発光ダイオード３１０における第１化合物半導体層１１、活性層１３、第２化合物半導体層１２をＩｎＧａＮ系化合物半導体から構成した。
第１化合物半導体層１１は第１電極１１４，２１４，３１４に電気的に接続されているが、具体的には、第１電極１１４，２１４，３１４は第１化合物半導体層１１上に形成されている。同様に、第２化合物半導体層１２は第２電極１１５，２１５，３１５に電気的に接続されているが、具体的には、第２電極１１５，２１５，３１５は第２化合物半導体層１２上に形成されている。実施例１においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としているので、第１電極１１４，２１４，３１４はｎ側電極であり、第２電極１１５，２１５，３１５はｐ側電極となる。ここで、第２電極１１５，２１５，３１５は、具体的には、Ｎｉ等のオーミックコンタクト材料から構成されており、第１電極１１４，２１４，３１４は、具体的には、Ｔｉ等のオーミックコンタクト材料から構成されている。また、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３、第４の共通電極４０４は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。更には、第１コンタクトホール部１２１、第２コンタクトホール部２２１、第３コンタクトホール部３２１、第４コンタクトホール部４２１は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されており、第１パッド部１２２、第２パッド部２２２、第３パッド部３２２、第４パッド部４２２は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。また、第１接続部１２４、第２接続部２２４、第３接続部３２４、第４接続部４２４は、Ａｌ、Ｃｕ等の配線材料から構成されている。
固定層３４は、例えば、第１転写基板側から、絶縁層３２と埋込み材料層３３の２層構成を有する。絶縁層３２はポリイミド系樹脂から成り、埋込み材料層３３は、紫外線硬化型樹脂から成る。また、絶縁材料層７１は、ポリイミド系樹脂から成る。
以下、図４の（Ａ）、（Ｂ）、図５の（Ａ）、（Ｂ）、図６の（Ａ）、（Ｂ）、図７の（Ａ）、（Ｂ）、図８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１０の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法、より具体的には、第１の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法を説明する。尚、図８の（Ａ）、図９の（Ａ）、図１０の（Ａ）、図１１の（Ａ）、図１２の（Ａ）、図１３の（Ａ）、図１４の（Ａ）、図１５の（Ａ）、図１６の（Ａ）、図１７の（Ａ）は、図１の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図８の（Ｂ）、図９の（Ｂ）、図１０の（Ｂ）、図１１の（Ｂ）、図１２の（Ｂ）、図１３の（Ｂ）、図１４の（Ｂ）、図１５の（Ｂ）、図１６の（Ｂ）、図１７の（Ｂ）は、図１の矢印Ｅ−Ｅに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図８の（Ｃ）、図９の（Ｃ）、図１０の（Ｃ）、図１１の（Ｃ）、図１２の（Ｃ）、図１３の（Ｃ）、図１４の（Ｃ）、図１５の（Ｃ）、図１６の（Ｃ）、図１７の（Ｃ）は、図１の矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
［工程−１００］
先ず、周知の方法で、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を製造する。即ち、
（ａ−１）第１導電型（具体的には、実施例１にあってはｎ型）を有する第１化合物半導体層１１、
（ａ−２）活性層１３、
（ａ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型（具体的には、実施例１にあってはｐ型）を有する第２化合物半導体層１２、
（ａ−４）第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１１４、及び、
（ａ−５）第２化合物半導体層１２に電気的に接続された第２電極１１５、
を備え、赤色を発光する複数の第１発光ダイオード１１０を第１発光ダイオード製造用基板に設け、
（ｂ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層１１、
（ｂ−２）活性層１３、
（ｂ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層１２、
（ｂ−４）第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極、及び、
（ｂ−５）第２化合物半導体層１２に電気的に接続された第２電極、
を備え、緑色を発光する複数の第２発光ダイオード２１０を第２発光ダイオード製造用基板に設け、
（ｃ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層１１、
（ｃ−２）活性層１３、
（ｃ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層１２、
（ｃ−４）第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極、及び、
（ｃ−５）第２化合物半導体層１２に電気的に接続された第２電極、
を備え、青色を発光する複数の第３発光ダイオード３１０を第３発光ダイオード製造用基板に設ける。
具体的には、例えば、公称口径２インチのサファイア基板から成る発光ダイオード製造用基板１０Ａの上にＭＯＣＶＤ法に基づきバッファ層１０Ｂを形成し、その上に、更に、ＭＯＣＶＤ法に基づき、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層１１、活性層１３、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層１２を順次形成する。そして、これらの第１化合物半導体層１１、活性層１３及び第２化合物半導体層１２をパターニングし、更に、第２化合物半導体層１２上に、リフトオフ法及び真空蒸着法にてｐ側電極である第２電極１５（１１５，２１５，３１５）を形成する。こうして、第１化合物半導体層１１、活性層１３、第２化合物半導体層１２、及び、第２電極１５（１１５，２１５，３１５）の積層構造から構成された発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を得ることができる（図４の（Ａ）参照）。
（工程−１１０）
その後、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０を発光ユニット製造用基板５３に仮固定し、所望の数の第１発光ダイオード１１０、所望の数の第２発光ダイオード２１０及び所望の数の第３発光ダイオード３１０から構成され、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された発光ユニットを得る。
［工程−１１０Ａ］
具体的には、第１発光ダイオード製造用基板上の第１発光ダイオード１１０を固定層３４に転写し、第２発光ダイオード製造用基板上の第２発光ダイオード２１０を固定層３４に転写し、第３発光ダイオード製造用基板上の第３発光ダイオード３１０を固定層３４に転写する。尚、これらの転写の順序は、本質的に任意である。そのために、固定層３４が設けられた第１転写基板３１を準備しておく。固定層３４は、前述したとおり、第１転写基板側から、絶縁層３２と埋込み材料層３３の２層構成を有する。絶縁層３２はポリイミド系樹脂から成り、埋込み材料層３３は、感光性樹脂から成る。尚、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０を埋め込むべき埋込み材料層３３の部分を未硬化とし、埋込み材料層３３の他の部分を硬化させておく。
［工程−１１０Ａ−（１）］
そして、先ず、仮固定用基板２０に第２電極１５（１１５，２１５，３１５）が接するように仮固定用基板２０に貼り合わせ後、発光ダイオード製造用基板１０Ａを発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）から除去する。その後、露出した第１化合物半導体層１１にｎ側電極である第１電極１４（１１４，２１４，３１４）を形成する。具体的には、先ず、第２電極１５（１１５，２１５，３１５）を仮固定用基板２０に貼り合わせる（図４の（Ｂ）及び図５の（Ａ）参照）。より具体的には、表面に未硬化の接着剤から成る接着層２１が形成されたガラス基板から成る仮固定用基板２０を準備する。そして、第２電極１５（１１５，２１５，３１５）と接着層２１とを貼り合わせ、接着層２１を硬化させる。その後、発光ダイオード製造用基板１０Ａを発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）から除去する。具体的には、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）（より具体的には、第１化合物半導体層１１）と発光ダイオード製造用基板１０Ａとの界面に、発光ダイオード製造用基板１０Ａを介してエキシマレーザを照射する。すると、レーザ・アブレーションが生じる結果、発光ダイオード製造用基板１０Ａを発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）から剥離することができる。その後、リフトオフ法と真空蒸着法にてｎ側電極である第１電極１４（１１４，２１４，３１４）を第１化合物半導体層１１上に形成する。こうして、図５の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。
［工程−１１０Ａ−（２）］
次に、所望の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を仮固定用基板２０から中継基板２２に転写する。即ち、仮固定用基板２０に貼り合わされた発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を、中継基板２２に付着させる。具体的には、先ず、図３４の（Ａ）に模式的に図示するように、発光ダイオード１０がアレイ状（２次元マトリクス状）に残された仮固定用基板２０上の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）に、ガラス板から成る中継基板２２の表面に形成された微粘着層２３を押し当てる（図６の（Ａ）及び図６の（Ｂ）参照）。尚、図３４の（Ａ）、（Ｂ）及び図３５の（Ａ）、（Ｂ）において、中心に「Ｇ」が記載された丸印は、緑色を発光する第２発光ダイオード２１０を示し、図３５の（Ｂ）において、中心に「Ｒ」が記載された丸印は、赤色を発光する第１発光ダイオード１１０を示し、中心に「Ｂ」が記載された丸印は、青色を発光する第３発光ダイオード３１０を示す。微粘着層２３は、例えば、シリコーンゴムから成る。中継基板２２は、図示しない位置決め装置に保持されている。そして、位置決め装置の作動によって、中継基板２２と仮固定用基板２０との位置関係を調整することができる。次いで、実装すべき発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）に対して、仮固定用基板２０の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する（図７の（Ａ）参照）。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、エキシマレーザが照射された発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は、仮固定用基板２０から剥離する。その後、中継基板２２と発光ダイオード１０との接触を解くと、仮固定用基板２０から剥離した発光ダイオード１０は、微粘着層２３に付着した状態となる（図７の（Ｂ）参照）。仮固定用基板２０の状態を図３４の（Ｂ）に模式的に図示するが、第１の方向にあっては６個の発光ダイオード毎に１つの発光ダイオードが、また、第２の方向にあっては３個の発光ダイオード毎に１つの発光ダイオードが、微粘着層２３に付着した状態となる。
そして、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を埋込み材料層３３の上に配置（移動あるいは転写）する。具体的には、第１転写基板３１上に形成されたアライメントマークを基準に、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を中継基板２２から第１転写基板３１の埋込み材料層３３の上に配置する。発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は微粘着層２３に弱く付着しているだけなので、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を埋込み材料層３３と接触させた（押し付けた）状態で中継基板２２を第１転写基板３１から離れる方向に移動させると、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）は、未硬化状態の埋込み材料層３３の上に残される。更には、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）をローラー等で埋込み材料層３３に深く埋入することで、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を固定層３４に固定（配置）することができる。第１転写基板３１の状態を図３５の（Ａ）に模式的に図示する。
このような中継基板２２を用いた方式を、便宜上、ステップ転写法と呼ぶ。そして、このようなステップ転写法を所望の回数、繰り返すことで、所望の個数の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が、微粘着層２３に２次元マトリクス状に付着し、第１転写基板３１上に転写される。具体的には、実施例１にあっては、１回のステップ転写において、１２０×９０＝１０８００個の発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を、微粘着層２３に２次元マトリクス状に付着させ、第１転写基板３１上に転写する。これを４×３回繰り返す。更には、発光ダイオード１１０、発光ダイオード２１０、発光ダイオード３１０のそれぞれについて、第１転写基板３１上への転写を行うので、合計４×３×３回＝３６回の転写を行う。こうして、所定の数の赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードを、所定の間隔、ピッチで第１転写基板３１に実装することができる。第１転写基板３１の状態を図３５の（Ｂ）に模式的に図示する。図３５の（Ｂ）において、発光ユニットを一点鎖線で囲って示した。また、最終的には、発光ユニットを表示装置用基板６１に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置を得るが、このときには、４８０×２７０＝１２９６００個の発光ユニットを一度に表示装置用基板６１に転写するとすれば、１６回の転写を行うことで、１９２０×１０８０の発光ユニットから構成された発光ダイオード表示装置を得ることができる。
その後、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が配置された状態の、感光性樹脂から成る未硬化状態の埋込み材料層３３に紫外線を照射することで、埋込み材料層３３を構成する感光性樹脂を硬化させる。こうして、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）が埋込み材料層３３に固定された状態となる（図８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。この状態にあっては、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）の第１電極１４（１１４，２１４，３１４）は露出した状態にある。
［工程−１１０Ｂ］
次に、発光ユニットを形成すべき所望の数（実施例１にあっては、Ｎ1＝１）の第１発光ダイオード１１０、所望の数（実施例１にあっては、Ｎ2＝１）の第２発光ダイオード２１０及び所望の数（実施例１にあっては、Ｎ3＝１）の第３発光ダイオード３１０から成る発光ダイオード群１１０，２１０，３１０におけるそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４上から固定層３４上に亙り、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、副共通電極４３を形成する。
具体的には、先ず、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、第１電極１１４，２１４，３１４から離れた位置に位置する固定層３４の部分の上に、金属層４１を形成する（図９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
次いで、金属層４１上から第１電極１１４，２１４，３１４上に亙り、固定層３４の上に、スパッタリング法及びリフトオフ法に基づき、光透過電極４２を形成する（図１０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
［工程−１１０Ｃ］
その後、固定層３４及び副共通電極４３を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群１１０，２１０，３１０を発光ユニット製造用基板５３に貼り合わせて仮固定した後、第１転写基板３１を除去する。具体的には、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂といったレーザ・アブレーション性を有する樹脂層から成るレーザ剥離層５２、及び、エポキシ樹脂等から成り、接着層としても機能する絶縁層（第２絶縁層５１）が形成された発光ユニット製造用基板５３を準備し、固定層３４及び副共通電極４３を、第２絶縁層５１に貼り合わせて仮固定する（図１１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。その後、第１転写基板３１の側から、例えば、エキシマレーザを照射する。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、第１転写基板３１は絶縁層３２から剥離する（図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
［工程−１１０Ｄ］
次に、第１発光ダイオード１１０の第２電極１１５に接続された第１コンタクトホール部１２１を固定層３４に形成し、この第１コンタクトホール部１２１から固定層３４上を延びる第１パッド部１２２を形成する。併せて、第２発光ダイオード２１０の第２電極２１５に接続された第２コンタクトホール部２２１を固定層３４に形成し、この第２コンタクトホール部２２１から固定層３４上を延びる第２パッド部２２２を形成する。更には、第３発光ダイオード３１０の第２電極３１５に接続された第３コンタクトホール部３２１を固定層３４に形成し、この第３コンタクトホール部３２１から固定層３４上を延びる第３パッド部３２２を形成する。併せて、副共通電極４３に接続された第４コンタクトホール部４２１を固定層３４に形成し、この第４コンタクトホール部４２１から固定層３４上を延びる第４パッド部４２２を形成する。こうして、発光ユニットを得ることができる。具体的には、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第２電極１１５，２１５，３１５並びに金属層４１の上方の絶縁層３２に開口部５０１，５０２，５０３，５０４を設ける。そして、係る開口部５０１，５０２，５０３，５０４内を含む絶縁層３２上に金属材料層をスパッタリング法にて形成し、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、係る金属材料層をパターニングすることで、第１コンタクトホール部１２１、第１パッド部１２２、第２コンタクトホール部２２１、第２パッド部２２２、第３コンタクトホール部３２１、第３パッド部３２２、第４コンタクトホール部４２１、第４パッド部４２２を得ることができる（図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照、並びに、図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）参照）。
［工程−１１０Ｅ］
次いで、発光ダイオード群１１０，２１０，３１０から構成された発光ユニットを、固定層３４においてレーザ照射法に基づき分離する。尚、１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）において、レーザを照射する部分を、白抜きの矢印で示す。
実施例１にあっては、発光ダイオード表示装置における第１発光ダイオード１１０の配置ピッチは、第１発光ダイオード製造用基板における第１発光ダイオード１１０の製造ピッチの整数倍であり、発光ダイオード表示装置における第２発光ダイオード２１０の配置ピッチは、第２発光ダイオード製造用基板における第２発光ダイオード２１０の製造ピッチの整数倍であり、発光ダイオード表示装置における第３発光ダイオード３１０の配置ピッチは、第３発光ダイオード製造用基板における第３発光ダイオード３１０の製造ピッチの整数倍である。具体的には、第１方向に沿った発光ダイオード表示装置における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の配置ピッチを、発光ダイオード製造用基板における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の製造ピッチの６倍とし、第２方向に沿った発光ダイオード表示装置における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の配置ピッチを、発光ダイオード製造用基板における第１発光ダイオード１１０，２１０，３１０の製造ピッチの３倍とした。
（工程−１２０）
具体的には、先ず、発光ユニットを発光ユニット製造用基板５３から表示装置用基板６１に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置を得る。
具体的には、絶縁材料層７１、並びに、第１方向に沿って延びる第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成された表示装置用基板６１を準備しておく。ここで、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、絶縁材料層７１によって覆われている。表示装置用基板６１は絶縁層（第３絶縁層６２）で覆われており、第３絶縁層６２上に第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成されている。また、第３絶縁層６２、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３は、接着層としても機能する絶縁層（第４絶縁層６３）で覆われている。更には、絶縁材料層７１は、より具体的には、第４絶縁層６３の上に形成されている。発光ユニットを固定すべき表示装置用基板６１の部分には、絶縁材料層７１は形成されていない。また、発光ユニットを固定すべき第４絶縁層６３の部分は未硬化状態であり、第４絶縁層６３のその他の部分は硬化状態にある。このような構成、構造を有する表示装置用基板６１は、周知の方法で作製することができる。
［工程−１２０Ａ］
具体的には、先ず、各発光ユニットを第２転写基板（図示せず）に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板５３を除去する。具体的には、［工程−１１０Ａ−（２）］と実質的に同じ工程を実行すればよい。具体的には、発光ユニット製造用基板５３の裏面側から、例えば、エキシマレーザを照射する。これによって、レーザ・アブレーションが生じ、発光ユニット製造用基板５３がレーザ剥離層５２から剥離する。
［工程−１２０Ｂ］
次いで、絶縁材料層７１によって囲まれるように、表示装置用基板６１上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去する。具体的には、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を、絶縁材料層７１によって囲まれた露出した第４絶縁層６３の上に配置（移動あるいは転写）する（図１５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。より具体的には、第２転写基板上に形成されたアライメントマークを基準に、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第２転写基板３１から絶縁材料層７１によって囲まれた露出した第４絶縁層６３の上に配置する。発光ユニット及びその周囲の固定層３４は、第２転写基板に設けられた微粘着層（図示せず）に弱く付着しているだけなので、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第４絶縁層６３と接触させた（押し付けた）状態で第２転写基板を表示装置用基板６１から離れる方向に移動させると、発光ユニット及びその周囲の固定層３４は第４絶縁層６３の上に残される。更には、発光ユニット及びその周囲の固定層３４をローラー等で第４絶縁層６３に深く埋入することで、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を第４絶縁層６３に固定（配置）することができる。全ての発光ユニットの配置が完了した後、第４絶縁層６３を硬化させる。
［工程−１２０Ｃ］
その後、絶縁性樹脂から成る平坦化層７２をスピンコーティング法にて全面に形成することで、平滑化された平坦化層７２を得る。こうして、図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。
［工程−１２０Ｄ］
次いで、第１パッド部１２２と第１の共通電極４０１とを電気的に接続する第１接続部１２４を、固定層３４から絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第２パッド部２２２と第２の共通電極４０２とを電気的に接続する第２接続部２２４を、固定層３４から絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第３パッド部３２２と第３の共通電極４０３とを電気的に接続する第３接続部３２４を、固定層３４から絶縁材料層７１に亙り形成し、併せて、第４の共通電極４０４を絶縁材料層７１上に形成し、更には、第４パッド部４２２と第４の共通電極４０４とを電気的に接続する第４接続部４２４を、固定層３４から絶縁材料層７１上に亙り形成する。
具体的には、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、平坦化層７２、絶縁材料層７１及び第４絶縁層６３に開口部（図１７に図示した例では、開口部５１２）を形成し、次いで、スパッタリング法、リソグラフィ技術及びエッチング法に基づき、第１接続部１２４、第２接続部２２４、第３接続部３２４、第４接続部４２４を形成する。こうして、図２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示した構造を得ることができる。
実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例４にあっては、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された発光ユニットの複数を表示装置用基板６１に転写するので、更には、第２電極１１５，２１５，３１５が上を向いた状態で表示装置用基板６１に固定されるので、その後の第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０、第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第２電極１１５，２１５，３１５の共通電極（共通配線）４０１，４０２，４０３への引き回し、第１電極１１４，２１４，３１４の第４の共通電極（第４の共通配線）４０４への引き回しが容易となる。その結果、微細加工プロセスの低減を図ることができ、発光ダイオード表示装置の製造プロセスの簡素化を図ることができる。また、１画素中を占める発光ダイオード１１０，２１０，３１０の面積の割合が小さいので、また、発光ダイオード１１０，２１０，３１０が近接して配置されているので、所謂色割れが生じ難くなる。
実施例２は、実施例１の変形であり、より具体的には、第２の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法に関する。図１８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に模式的な一部断面図を示す実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法によって得られる発光ダイオード表示装置の構成、構造は、平坦化層７２が形成されていない点を除き、実質的に、実施例１の発光ダイオード表示装置の構成、構造と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、図１８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、図１の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃ、矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
以下、図２０の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法、より具体的には、第２の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法を説明する。尚、図２０の（Ａ）、図２１の（Ａ）、図２２の（Ａ）は、図１の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図２０の（Ｂ）、図２１の（Ｂ）、図２２の（Ｂ）は、図１の矢印Ｅ−Ｅに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図２０の（Ｃ）、図２１の（Ｃ）、図２２の（Ｃ）は、図１の矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様の方法で、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を製造する。次いで、実施例１の（工程−１１０）、即ち、［工程−１１０Ａ］（［工程−１１０Ａ−（１）］及び［工程−１１０Ａ−（２）］）、［工程−１１０Ｂ］、［工程−１１０Ｃ］、［工程−１１０Ｄ］、［工程−１１０Ｅ］と同様の工程を実行することで、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０を発光ユニット製造用基板５３に仮固定し、所望の数の第１発光ダイオード１１０、所望の数の第２発光ダイオード２１０及び所望の数の第３発光ダイオード３１０から構成され、第１発光ダイオード１１０、第２発光ダイオード２１０及び第３発光ダイオード３１０のそれぞれの第１電極１１４，２１４，３１４が副共通電極４３に接続された発光ユニットを得る。
（工程−２１０）
実施例２にあっては、第１方向に沿って延びる第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成された表示装置用基板６１を準備しておく。尚、実施例１と異なり、この時点においては、絶縁材料層は形成されていない。
［工程−２１０Ａ］
そして、実施例１の［工程−１２０Ａ］と同様にして、各発光ユニットを第２転写基板に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板５３を除去する。
［工程−２１０Ｂ］
次いで、表示装置用基板６１上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去する。具体的には、実施例１の［工程−１２０Ｂ］と同様にして、発光ユニット及びその周囲の固定層３４を、所定の第４絶縁層６３の部分の上に配置（移動あるいは転写）する（図２０の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
［工程−２１０Ｃ］
その後、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３を覆い、且つ、発光ユニットを取り囲む絶縁材料層１７１を形成する（図２１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。具体的には、全面に、ＣＶＤ法にてＳｉＯ2から成る絶縁材料層１７１を形成した後、絶縁材料層１７１を研磨することで、あるいは又、絶縁材料層１７１をエッチバックすることで、第１パッド部１２２、第２パッド部２２２、第３パッド部３２２及び第４パッド部４２２を露出させる。
［工程−２１０Ｄ］
次に、第１パッド部１２２と第１の共通電極４０１とを電気的に接続する第１接続部１２４を、固定層３４から絶縁材料層１７１に亙り形成し、併せて、第２パッド部２２２と第２の共通電極４０２とを電気的に接続する第２接続部２２４を、固定層３４から絶縁材料層１７１に亙り形成し、併せて、第３パッド部３２２と第３の共通電極４０３とを電気的に接続する第３接続部３２４を、固定層３４から絶縁材料層１７１に亙り形成し、併せて、第４の共通電極４０４を絶縁材料層１７１上に形成し、且つ、第４パッド部４２２と第４の共通電極４０４とを電気的に接続する第４接続部４２４を、固定層３４から絶縁材料層１７１上に亙り形成する。
具体的には、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、絶縁材料層１７１及び第４絶縁層６３に開口部（図２２に図示した例では、開口部５１２）を形成し、次いで、スパッタリング法、リソグラフィ技術及びエッチング法に基づき、第１接続部１２４、第２接続部２２４、第３接続部３２４、第４接続部４２４を形成する。こうして、図１８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図１９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示した構造を得ることができる。
実施例３も、実施例１の変形であり、より具体的には、第３の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法に関する。図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に模式的な一部断面図を示す実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法によって得られる発光ダイオード表示装置の構成、構造は、第１パッド部、第２パッド部、第３パッド部及び第４パッド部が形成されていない点を除き、実質的に、実施例１の発光ダイオード表示装置の構成、構造と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、図１の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃ、矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
以下、図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法、より具体的には、第３の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法を説明する。尚、図２５の（Ａ）、図２６の（Ａ）、図２７の（Ａ）は、図１の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図２５の（Ｂ）、図２６の（Ｂ）、図２７の（Ｂ）は、図１の矢印Ｅ−Ｅに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図２５の（Ｃ）、図２６の（Ｃ）、図２７の（Ｃ）は、図１の矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
［工程−３００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様の方法で、発光ダイオード１０（１１０，２１０，３１０）を製造する。次いで、実施例１の［工程−１１０Ａ］、［工程−１１０Ｂ］を実行し、更に、実施例１の［工程−１１０Ｃ］である、固定層３４及び副共通電極４３を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群１１０，２１０，３１０を発光ユニット製造用基板５３に貼り合わせて仮固定して発光ユニットを得た後、第１転写基板３１を除去する。その後、実施例１の［工程−１１０Ｅ］と同様の工程を実行することで、発光ユニットを固定層３４において分離する。
（工程−３１０）
一方、実施例１と同様に、絶縁材料層７１、並びに、絶縁材料層７１によって覆われた、第１方向に沿って延びる第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成された表示装置用基板６１を準備しておく。
［工程−３１０Ａ］
そして、実施例１の［工程−１２０Ａ］と同様にして、各発光ユニットを第２転写基板（図示せず）に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板５３を除去する。
［工程−３１０Ｂ］
次いで、実施例１の［工程−１２０Ｂ］及び［工程−１２０Ｃ］と同様にして、絶縁材料層７１によって囲まれるように、表示装置用基板６１上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去する（図２５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び、図２６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
［工程−３１０Ｃ］
その後、第１発光ダイオード１１０の第２電極１１５と第１の共通電極４０１とを電気的に接続するために、第１コンタクトホール部１２１を固定層３４に形成し、且つ、第１接続部１２４を固定層３４から平坦化層７２、絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第２発光ダイオード２１０の第２電極２１５と第２の共通電極４０２とを電気的に接続するために、第２コンタクトホール部２２１を固定層３４に形成し、且つ、第２接続部２２４を固定層３４から平坦化層７２、絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第３発光ダイオード３１０の第２電極３１５と第３の共通電極４０３とを電気的に接続するために、第３コンタクトホール部３２１を固定層３４に形成し、且つ、第３接続部３２４を固定層３４から平坦化層７２、絶縁材料層７１に亙り形成する。併せて、第４の共通電極４０４を絶縁材料層７１上に形成し、副共通電極４３と第４の共通電極４０４とを電気的に接続するために、第４コンタクトホール部４２１を固定層３４に形成し、且つ、第４接続部４２４を固定層３４から平坦化層７２、絶縁材料層７１に亙り形成する。
具体的には、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第２電極１１５，２１５，３１５並びに金属層４１の上方の平坦化層７２、絶縁材料層７１及び絶縁層３２に開口部５２１，５２２，５２３，５２４を設ける。併せて、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２、第３の共通電極４０３、及び、第４の共通電極４０４の上方の平坦化層７２、絶縁材料層７１及び絶縁層３２に開口部を設ける（図２７の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。尚、図２７の（Ａ）には、開口部５２６のみを図示した。そして、係る開口部５２１，５２２，５２３，５２４，５２６内を含む絶縁層３２上に金属材料層をスパッタリング法にて形成し、周知のリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、係る金属材料層をパターニングすることで、第１コンタクトホール部１２１、第２コンタクトホール部２２１、第３コンタクトホール部３２１、第４コンタクトホール部４２１、第１接続部１２４、第２接続部２２４、第３接続部３２４、第４接続部４２４を得ることができる（図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び、図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
実施例４も、実施例１の変形であり、より具体的には、第４の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法に関する。図２８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に模式的な一部断面図を示す実施例４の発光ダイオード表示装置の製造方法によって得られる発光ダイオード表示装置の構成、構造は、第１パッド部、第２パッド部、第３パッド部及び第４パッド部が形成されていない点を除き、実質的に、実施例２の発光ダイオード表示装置の構成、構造と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、図２８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図２９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、図１の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃ、矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
以下、図３０の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図３１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、図３２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を参照して、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法、より具体的には、第３の構成に係る発光ダイオード表示装置の製造方法を説明する。尚、図３０の（Ａ）、図３１の（Ａ）、図３２の（Ａ）は、図１の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図３０の（Ｂ）、図３１の（Ｂ）、図３２の（Ｂ）は、図１の矢印Ｅ−Ｅに沿ったと等価の模式的な一部端面図であり、図３０の（Ｃ）、図３１の（Ｃ）、図３２の（Ｃ）は、図１の矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。
［工程−４００］
先ず、実施例３の［工程−３００］と同様の工程を実行する。
（工程−４１０）
実施例４にあっては、実施例２と同様に、第１方向に沿って延びる第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３が形成された表示装置用基板６１を準備しておく。尚、実施例３と異なり、この時点においては、絶縁材料層は形成されていない。
［工程−４１０Ａ］
そして、実施例１の［工程−１２０Ａ］と同様にして、各発光ユニットを第２転写基板に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板５３を除去する。
［工程−４１０Ｂ］
その後、実施例２の［工程−２１０Ｂ］と同様にして、表示装置用基板６１上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去する（図３０の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
［工程−４１０Ｃ］
次いで、第１の共通電極４０１、第２の共通電極４０２及び第３の共通電極４０３を覆い、且つ、発光ユニットを取り囲む絶縁材料層１７１を、実施例２の［工程−２１０Ｃ］と同様にして形成する（図３１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）参照）。
［工程−４１０Ｄ］
その後、第１発光ダイオード１１０の第２電極１１５と第１の共通電極４０１とを電気的に接続するために、第１コンタクトホール部１２１を固定層３４に形成し、且つ、第１接続部１２４を固定層３４から絶縁材料層１７１に亙り形成する。併せて、第２発光ダイオード２１０の第２電極２１５と第２の共通電極４０２とを電気的に接続するために、第２コンタクトホール部２２１を固定層３４に形成し、且つ、第２接続部２２４を固定層３４から絶縁材料層１７１に亙り形成する。併せて、第３発光ダイオード３１０の第２電極３１５と第３の共通電極４０３とを電気的に接続するために、第３コンタクトホール部３２１を固定層３４に形成し、且つ、第３接続部３２４を固定層３４から絶縁材料層１７１に亙り形成する。併せて、第４の共通電極４０４を絶縁材料層１７１上に形成し、副共通電極４３と第４の共通電極４０４とを電気的に接続するために、第４コンタクトホール部４２１を固定層３４に形成し、且つ、第４接続部４２４を固定層３４から絶縁材料層１７１に亙り形成する。具体的には、実施例３の［工程−３１０Ｃ］と同様の工程を実行すればよい。
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した発光ダイオード、並びに、係る発光ダイオードが組み込まれた発光ダイオード表示装置の構成、構造は例示であるし、これらを構成する部材、材料等も例示であり、適宜、変更することができる。実施例においては、副共通電極４３を金属層４１及び光透過電極４２から構成したが、代替的に、発光ダイオードからの光の出射を妨げない限り、金属層や合金層のみで構成してもよい。また、場合によっては、第１電極１１４，２１４，３１４を、例えば、実施例１の［工程−１１０Ａ−（２）］の後に、あるいは又、［工程−１１０Ｂ］において、形成してもよい。発光ダイオードにおける化合物半導体層の積層の順序は、逆であってもよい。即ち、実施例においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたが、これとは逆に、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としてもよい。発光ユニットを構成する発光ダイオードとして、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードに、更に、第４発光ダイオード、第５発光ダイオード・・・を加えてもよい。このような例として、例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた発光ユニット、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた発光ユニットを挙げることができる。そして、これらの場合、第４発光ダイオード、第５発光ダイオード・・・を構成する第１電極を副共通電極に接続すればよい。発光ダイオード表示装置は、テレビジョン受像機やコンピュータ端末に代表されるカラー表示の平面型・直視型の画像表示装置だけでなく、人の網膜に画像を投影する形式の画像表示装置、プロジェクション型の画像表示装置とすることもできる。尚、これらの画像表示装置においては、限定するものではないが、例えば、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの発光／非発光状態を時分割制御することで画像を表示する、フィールドシーケンシャル方式の駆動方式を採用すればよい。
実施例１の発光ダイオード表示装置の変形例における１つの発光ユニットの模式的な平面図を図３３に示す。この変形例においては、第１コンタクトホール部１２１（図３３では点線で示す）を塞いでいる第１パッド部１２２（図３３では細い実線で示す）の中心は、第１コンタクトホール部１２１の中心と一致しておらず、第１パッド部１２２の中心は、第１の共通配線４０１側にずれている。また、第２コンタクトホール部２２１（図３３では点線で示す）を塞いでいる第２パッド部２２２（図３３では細い実線で示す）の中心は、第２コンタクトホール部２２１の中心と一致しておらず、第２パッド部２２２の中心は、第２の共通配線４０２側にずれている。更には、第３コンタクトホール部３２１（図３３では点線で示す）を塞いでいる第３パッド部３２２（図３３では細い実線で示す）の中心は、第３コンタクトホール部３２１の中心と一致しておらず、第３パッド部３２２の中心は、第３の共通配線４０３側にずれている。このような構成を採用すれば、たとえ、第１接続部１２４、第２接続部２２４及び第３接続部３２４の形成時、これらの接続部１２４，２２４，３２４と第４接続部４２４との間に距離的なゆとりを得ることができ、これらの接続部１２４，２２４，３２４と第４接続部４２４との間に短絡が生じることを確実に防止することができる。尚、このような変形例は、他の実施例にも適用することができる。
図１は、実施例１の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの模式的な平面図である。 図２の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例１の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図１の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃに沿った模式的な一部断面図である。 図３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例１の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図１の矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿った模式的な一部断面図である。 図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。 図５の（Ａ）及び（Ｂ）は、図４の（Ｂ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。 図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ｂ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。 図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための発光ダイオード等の模式的な一部端面図である。 図８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図８の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図１０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図９の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図１１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図１５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図１７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図１８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図１の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。 図１９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図１の矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。 図２０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図２１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図２２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図２３の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図１の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。 図２４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図１の矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。 図２５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図２６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図２７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図２６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例３の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図２８の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例４の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図１の矢印Ａ−Ａ、矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｃ−Ｃに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。 図２９の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例４の発光ダイオード表示装置における１つの発光ユニットの、図１の矢印Ｄ−Ｄ、矢印Ｅ−Ｅ、矢印Ｆ−Ｆに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。 図３０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例４の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図３１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図３０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例４の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図３２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図３１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例４の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための、図１の矢印Ｂ−Ｂ、矢印Ｅ−Ｅ及び矢印Ｆ−Ｆに沿ったと等価の模式的な一部端面図である。 図３３は、実施例１の発光ダイオード表示装置の変形例における１つの発光ユニットの模式的な平面図である。 図３４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための模式的な部分的平面図である。 図３５の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の発光ダイオード表示装置の製造方法を説明するための模式的な部分的平面図である。
符号の説明
１１０・・・第１発光ダイオード、２１０・・・第２発光ダイオード、３１０・・・第３発光ダイオード、１２１・・・第１コンタクトホール部、２２１・・・第２コンタクトホール部、３２１・・・第３コンタクトホール部、４２１・・・第４コンタクトホール部、１２２・・・第１パッド部、２２２・・・第２パッド部、３２２・・・第３パッド部、４２２・・・第４パッド部、１２４・・・第１接続部、２２４・・・第２接続部、３２４・・・第３接続部、４２４・・・第４接続部、４０１・・・第１の共通電極（第１の共通配線）、４０２・・・第２の共通電極（第２の共通配線）、４０３・・・第３の共通電極（第３の共通配線）、４０４・・・第４の共通電極（第４の共通配線）、１０Ａ・・・発光ダイオード製造用基板、１０Ｂ・・・バッファ層、１１・・・第１化合物半導体層、１２・・・第２化合物半導体層、１３・・・活性層、１１４，２１４，３１４・・・第１電極、１１５，２１５，３１５・・・第２電極、２０・・・仮固定用基板、２１・・・接着層、２２・・・中継基板、２３・・・微粘着層、３１・・・第１転写基板、３２・・・絶縁層、３３・・・埋込み材料層、３４・・・固定層、４１・・・金属層、４２・・・光透過電極、４３・・・副共通電極、５１・・・レーザ剥離層、５２・・・第２絶縁層、５３・・・発光ユニット製造用基板、５０１，５０２，５０３，５０４，５１２、５２１，５２２，５２３，５２４，５２６・・・開口部、６１・・・表示装置用基板、６２・・・第３絶縁層、６３・・・第４絶縁層、７１，１７１・・・絶縁材料層、７２・・・平坦化層

Claims (20)

  1. （Ａ）（ａ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
    （ａ−２）活性層、
    （ａ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
    （ａ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
    （ａ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
    を備え、赤色を発光する複数の第１発光ダイオードを第１発光ダイオード製造用基板に設け、
    （ｂ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
    （ｂ−２）活性層、
    （ｂ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
    （ｂ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
    （ｂ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
    を備え、緑色を発光する複数の第２発光ダイオードを第２発光ダイオード製造用基板に設け、
    （ｃ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
    （ｃ−２）活性層、
    （ｃ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
    （ｃ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
    （ｃ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
    を備え、青色を発光する複数の第３発光ダイオードを第３発光ダイオード製造用基板に設け、次いで、
    （Ｂ）第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードを発光ユニット製造用基板に仮固定し、所望の数の第１発光ダイオード、所望の数の第２発光ダイオード及び所望の数の第３発光ダイオードから構成され、第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極が副共通電極に接続された発光ユニットを得た後、
    （Ｃ）発光ユニットを発光ユニット製造用基板から表示装置用基板に転写して固定することで、発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成る発光ダイオード表示装置を得る、
    各工程を具備する発光ダイオード表示装置の製造方法。
  2. 発光ダイオード表示装置における第１発光ダイオードの配置ピッチは、第１発光ダイオード製造用基板における第１発光ダイオードの製造ピッチの整数倍であり、
    発光ダイオード表示装置における第２発光ダイオードの配置ピッチは、第２発光ダイオード製造用基板における第２発光ダイオードの製造ピッチの整数倍であり、
    発光ダイオード表示装置における第３発光ダイオードの配置ピッチは、第３発光ダイオード製造用基板における第３発光ダイオードの製造ピッチの整数倍である請求項１に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  3. 固定層が設けられた第１転写基板を準備しておき、
    前記工程（Ｂ）においては、
    （Ｂ−１）第１発光ダイオード製造用基板上の第１発光ダイオードを固定層に転写し、
    第２発光ダイオード製造用基板上の第２発光ダイオードを固定層に転写し、
    第３発光ダイオード製造用基板上の第３発光ダイオードを固定層に転写した後、
    （Ｂ−２）発光ユニットを形成すべき所望の数の第１発光ダイオード、所望の数の第２発光ダイオード及び所望の数の第３発光ダイオードから成る発光ダイオード群におけるそれぞれの第１電極上から固定層上に亙り、副共通電極を形成し、次いで、
    （Ｂ−３）固定層及び副共通電極を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群を発光ユニット製造用基板に貼り合わせて仮固定した後、第１転写基板を除去し、次いで、
    （Ｂ−４）第１発光ダイオードの第２電極に接続された第１コンタクトホール部を固定層に形成し、該第１コンタクトホール部から固定層上を延びる第１パッド部を形成し、
    第２発光ダイオードの第２電極に接続された第２コンタクトホール部を固定層に形成し、該第２コンタクトホール部から固定層上を延びる第２パッド部を形成し、
    第３発光ダイオードの第２電極に接続された第３コンタクトホール部を固定層に形成し、該第３コンタクトホール部から固定層上を延びる第３パッド部を形成し、
    副共通電極に接続された第４コンタクトホール部を固定層に形成し、該第４コンタクトホール部から固定層上を延びる第４パッド部を形成し、以て、発光ユニットを得た後、
    （Ｂ−５）発光ユニットを固定層において分離する、
    各工程を備え、
    絶縁材料層、並びに、絶縁材料層によって覆われ、第１方向に沿って延びる第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極が形成された表示装置用基板を準備しておき、
    前記工程（Ｃ）においては、
    （Ｃ−１）各発光ユニットを第２転写基板に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板を除去し、次いで、
    （Ｃ−２）絶縁材料層によって囲まれるように、表示装置用基板上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去し、
    （Ｃ−３）第１パッド部と第１の共通電極とを電気的に接続する第１接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第２パッド部と第２の共通電極とを電気的に接続する第２接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第３パッド部と第３の共通電極とを電気的に接続する第３接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第４の共通電極を絶縁材料層上に形成し、
    第４パッド部と第４の共通電極とを電気的に接続する第４接続部を、固定層から絶縁材料層上に亙り形成する、
    各工程を備えている請求項１に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  4. 固定層が設けられた第１転写基板を準備しておき、
    前記工程（Ｂ）においては、
    （Ｂ−１）第１発光ダイオード製造用基板上の第１発光ダイオードを固定層に転写し、
    第２発光ダイオード製造用基板上の第２発光ダイオードを固定層に転写し、
    第３発光ダイオード製造用基板上の第３発光ダイオードを固定層に転写した後、
    （Ｂ−２）発光ユニットを形成すべき所望の数の第１発光ダイオード、所望の数の第２発光ダイオード及び所望の数の第３発光ダイオードから成る発光ダイオード群におけるそれぞれの第１電極上から固定層上に亙り、副共通電極を形成し、次いで、
    （Ｂ−３）固定層及び副共通電極を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群を発光ユニット製造用基板に貼り合わせて仮固定した後、第１転写基板を除去し、次いで、
    （Ｂ−４）第１発光ダイオードの第２電極に接続された第１コンタクトホール部を固定層に形成し、該第１コンタクトホール部から固定層上を延びる第１パッド部を形成し、
    第２発光ダイオードの第２電極に接続された第２コンタクトホール部を固定層に形成し、該第２コンタクトホール部から固定層上を延びる第２パッド部を形成し、
    第３発光ダイオードの第２電極に接続された第３コンタクトホール部を固定層に形成し、該第３コンタクトホール部から固定層上を延びる第３パッド部を形成し、
    副共通電極に接続された第４コンタクトホール部を固定層に形成し、該第４コンタクトホール部から固定層上を延びる第４パッド部を形成し、以て、発光ユニットを得た後、
    （Ｂ−５）発光ユニットを固定層において分離する、
    各工程を備え、
    第１方向に沿って延びる第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極が形成された表示装置用基板を準備しておき、
    前記工程（Ｃ）においては、
    （Ｃ−１）各発光ユニットを第２転写基板に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板を除去し、次いで、
    （Ｃ−２）表示装置用基板上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去し、
    （Ｃ−３）第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極を覆い、且つ、発光ユニットを取り囲む絶縁材料層を形成した後、
    （Ｃ−４）第１パッド部と第１の共通電極とを電気的に接続する第１接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第２パッド部と第２の共通電極とを電気的に接続する第２接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第３パッド部と第３の共通電極とを電気的に接続する第３接続部を、固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第４の共通電極を絶縁材料層上に形成し、
    第４パッド部と第４の共通電極とを電気的に接続する第４接続部を、固定層から絶縁材料層上に亙り形成する、
    各工程を備えている請求項１に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  5. 固定層が設けられた第１転写基板を準備しておき、
    前記工程（Ｂ）においては、
    （Ｂ−１）第１発光ダイオード製造用基板上の第１発光ダイオードを固定層に転写し、
    第２発光ダイオード製造用基板上の第２発光ダイオードを固定層に転写し、
    第３発光ダイオード製造用基板上の第３発光ダイオードを固定層に転写した後、
    （Ｂ−２）発光ユニットを形成すべき所望の数の第１発光ダイオード、所望の数の第２発光ダイオード及び所望の数の第３発光ダイオードから成る発光ダイオード群におけるそれぞれの第１電極上から固定層上に亙り、副共通電極を形成し、次いで、
    （Ｂ−３）固定層及び副共通電極を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群を発光ユニット製造用基板に貼り合わせて仮固定して発光ユニットを得た後、第１転写基板を除去し、次いで、
    （Ｂ−４）発光ユニットを固定層において分離する、
    各工程を備え、
    絶縁材料層、並びに、絶縁材料層によって覆われた、第１方向に沿って延びる第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極が形成された表示装置用基板を準備しておき、
    前記工程（Ｃ）においては、
    （Ｃ−１）各発光ユニットを第２転写基板に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板を除去し、次いで、
    （Ｃ−２）絶縁材料層によって囲まれるように、表示装置用基板上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去し、
    （Ｃ−３）第１発光ダイオードの第２電極と第１の共通電極とを電気的に接続するために、第１コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第１接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第２発光ダイオードの第２電極と第２の共通電極とを電気的に接続するために、第２コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第２接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第３発光ダイオードの第２電極と第３の共通電極とを電気的に接続するために、第３コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第３接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第４の共通電極を絶縁材料層上に形成し、
    副共通電極と第４の共通電極とを電気的に接続するために、第４コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第４接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成する、
    各工程を備えている請求項１に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  6. 固定層が設けられた第１転写基板を準備しておき、
    前記工程（Ｂ）においては、
    （Ｂ−１）第１発光ダイオード製造用基板上の第１発光ダイオードを固定層に転写し、
    第２発光ダイオード製造用基板上の第２発光ダイオードを固定層に転写し、
    第３発光ダイオード製造用基板上の第３発光ダイオードを固定層に転写した後、
    （Ｂ−２）発光ユニットを形成すべき所望の数の第１発光ダイオード、所望の数の第２発光ダイオード及び所望の数の第３発光ダイオードから成る発光ダイオード群におけるそれぞれの第１電極上から固定層上に亙り、副共通電極を形成し、次いで、
    （Ｂ−３）固定層及び副共通電極を介して発光ユニットを形成すべき発光ダイオード群を発光ユニット製造用基板に貼り合わせて仮固定して発光ユニットを得た後、第１転写基板を除去し、次いで、
    （Ｂ−４）発光ユニットを固定層において分離する、
    各工程を備え、
    第１方向に沿って延びる第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極が形成された表示装置用基板を準備しておき、
    前記工程（Ｃ）においては、
    （Ｃ−１）各発光ユニットを第２転写基板に貼り合わせた後、発光ユニット製造用基板を除去し、次いで、
    （Ｃ−２）表示装置用基板上に発光ユニットを配置した後、第２転写基板を除去し、
    （Ｃ−３）第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極を覆い、且つ、発光ユニットを取り囲む絶縁材料層を形成した後、
    （Ｃ−４）第１発光ダイオードの第２電極と第１の共通電極とを電気的に接続するために、第１コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第１接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第２発光ダイオードの第２電極と第２の共通電極とを電気的に接続するために、第２コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第２接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第３発光ダイオードの第２電極と第３の共通電極とを電気的に接続するために、第３コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第３接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成し、
    第４の共通電極を絶縁材料層上に形成し、
    副共通電極と第４の共通電極とを電気的に接続するために、第４コンタクトホール部を固定層に形成し、且つ、第４接続部を固定層から絶縁材料層に亙り形成する、
    各工程を備えている請求項１に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  7. 第１パッド部の大きさは、第１発光ダイオードの第２電極の大きさよりも大きく、
    第２パッド部の大きさは、第２発光ダイオードの第２電極の大きさよりも大きく、
    第３パッド部の大きさは、第３発光ダイオードの第２電極の大きさよりも大きい請求項３又は請求項４に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  8. 第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードからの光は、第１電極側から射出され、
    副共通電極は、光を透過させる構造を有する請求項１に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  9. 副共通電極は、金属層又は合金層から成る請求項８に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  10. 副共通電極は、光透過電極、及び、光透過電極から延在する金属層又は合金層から成り、
    第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極は、光透過電極と接しており、
    第４コンタクトホール部は、金属層又は合金層と接している請求項８に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  11. 第１発光ダイオードと第２発光ダイオードと第３発光ダイオードとから構成された１画素の第１方向に沿った長さをＬP-1、第２方向に沿った長さをＬP-2とし、発光ユニットの第１方向に沿った長さをＬU-1、第２方向に沿った長さをＬU-2としたとき、
    ＬU-1／ＬP-1≦０．５
    ＬU-2／ＬP-2≦０．５
    を満足する請求項１に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  12. ＬU-1／ＬP-1≦０．５
    ＬU-2／ＬP-2≦０．２５
    を満足する請求項１１に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  13. 第１発光ダイオード、第２発光ダイオード、第３発光ダイオードの内、最大の発光ダイオードの光出射面の面積をＳmaxとしたとき、
    ２．５×１０-11ｍ2≦Ｓmax≦１×１０-8ｍ2
    を満足する請求項１に記載の発光ダイオード表示装置の製造方法。
  14. （ａ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
    （ａ−２）活性層、
    （ａ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
    （ａ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
    （ａ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
    から成り、赤色を発光する所望の数の第１発光ダイオード、
    （ｂ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
    （ｂ−２）活性層、
    （ｂ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
    （ｂ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
    （ｂ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
    から成り、緑色を発光する所望の数の第２発光ダイオード、並びに、
    （ｃ−１）第１導電型を有する第１化合物半導体層、
    （ｃ−２）活性層、
    （ｃ−３）第１導電型とは導電型が異なる第２導電型を有する第２化合物半導体層、
    （ｃ−４）第１化合物半導体層に電気的に接続された第１電極、及び、
    （ｃ−５）第２化合物半導体層に電気的に接続された第２電極、
    から成り、青色を発光する所望の数の第３発光ダイオード、
    から構成された発光ユニットの複数が、第１方向、及び、第１方向と直交する第２方向に２次元マトリクス状に配列されて成り、
    各発光ユニットにおける第１発光ダイオードの第１電極、第２発光ダイオードの第１電極及び第３発光ダイオードの第１電極は、副共通電極に接続されており、
    第１方向に沿って配列された各発光ユニットにおける第１発光ダイオードの第２電極、第２発光ダイオードの第２電極及び第３発光ダイオードの第２電極のそれぞれは、第１方向に沿って延びる第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極に接続されており、
    第２方向に沿って配列された各発光ユニットにおける副共通電極は、第２方向に沿って延びる第４の共通電極に接続されている発光ダイオード表示装置。
  15. 第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極は、表示装置用基板上に形成されており、
    副共通電極は、表示装置用基板上に固定された固定層に形成されており、
    発光ユニットにおける第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードは、固定層に固定されており、
    固定層は、第１の共通電極、第２の共通電極及び第３の共通電極を覆う絶縁材料層によって囲まれており、
    発光ユニットにおける第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードは、それぞれの第１電極が副共通電極に接続された状態で、副共通電極上に配置されており、
    第１発光ダイオードの第２電極は、固定層に形成された第１コンタクトホール部、及び、固定層上から絶縁材料層に亙り形成された第１接続部を介して、第１の共通電極に接続されており、
    第２発光ダイオードの第２電極は、固定層に形成された第２コンタクトホール部、及び、固定層上から絶縁材料層に亙り形成された第２接続部を介して、第２の共通電極に接続されており、
    第３発光ダイオードの第２電極は、固定層に形成された第３コンタクトホール部、及び、固定層上から絶縁材料層に亙り形成された第３接続部を介して、第３の共通電極に接続されており、
    副共通電極は、固定層に形成された第４コンタクトホール部、及び、固定層上から絶縁材料層上に亙り形成された第４接続部を介して、絶縁材料層上に形成された第４の共通電極に接続されている請求項１４に記載の発光ダイオード表示装置。
  16. 第１コンタクトホール部と第１接続部との間には、固定層に形成された第１パッド部が備えられており、
    第２コンタクトホール部と第２接続部との間には、固定層に形成された第２パッド部が備えられており、
    第３コンタクトホール部と第３接続部との間には、固定層に形成された第３パッド部が備えられており、
    第４コンタクトホール部と第４接続部との間には、固定層に形成された第４パッド部が備えられている請求項１５に記載の発光ダイオード表示装置。
  17. 第１パッド部の大きさは、第１発光ダイオードの第２電極の大きさよりも大きく、
    第２パッド部の大きさは、第２発光ダイオードの第２電極の大きさよりも大きく、
    第３パッド部の大きさは、第３発光ダイオードの第２電極の大きさよりも大きい請求項１６に記載の発光ダイオード表示装置。
  18. 第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードからの光は、第１電極側から射出され、
    副共通電極は、光を透過させる構造を有する請求項１４に記載の発光ダイオード表示装置。
  19. 副共通電極は、金属層又は合金層から成る請求項１８に記載の発光ダイオード表示装置。
  20. 副共通電極は、光透過電極、及び、光透過電極から延在する金属層又は合金層から成り、
    第１発光ダイオード、第２発光ダイオード及び第３発光ダイオードのそれぞれの第１電極は、光透過電極と接しており、
    第４コンタクトホール部は、金属層又は合金層と接している請求項１８に記載の発光ダイオード表示装置。
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