CN103943634A - 阵列基板、显示装置及其电容结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板、显示装置及其电容结构，所述阵列基板包括显示区域与非显示区域，所述非显示区域上设置有电容结构，所述电容结构包括相互平行的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间设置绝缘层，其中所述第一极板包括相互平行且电连接的至少两个子极板，所述第二极板设置于所述第一极板的两个子极板之间，且两个子极板分别与所述第二极板具有相正对的部分。通过阵列基板上电容结构的改进，在保证形成电容值不变的情况下，减小电容的整体尺寸，从而减小GOA电路的尺寸，实现窄边框的设计。

Description

阵列基板、显示装置及其电容结构

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是指一种阵列基板、显示装置及其电容结构。

背景技术

目前，对于薄膜晶体管阵列基板显示器（TFT-LCD），其周边芯片有集成到玻璃上的趋势，即将***的芯片省略，直接在玻璃上制作驱动电路。目前的技术中，栅极驱动信号是通过外部的柔性线路板上的芯片，输出给玻璃上的栅极的，柔性电路板在玻璃基板工艺完成后通过热压连接在一起。而栅极驱动集成的技术（GOA技术）则不需要柔性线路板，而是直接将驱动线路做在玻璃上，这样既节约了成本，也减小了边框尺寸。

随着目前窄边框电视越来越流行，需要更窄边框的显示器。所以就需要将GOA（Gate driver On Array）电路做的越来越小，从而节约非显示区域的面积，实现窄边框的设计。目前，常见的GOA电路由多个TFT(薄膜晶体管)和电容组成，其各个公司的技术略有差异，即其电路结构略有差异，但是原理都是起到移位寄存器的作用，而且均是包括多个TFT和电容的。

如图1为现有技术GOA电路中的电容结构示意图，包括由下至上依次排列的第一金属层100、绝缘层200、第二金属层300和保护层400，第一金属层100与第二金属层300相平行，并具有相对的部分。整个GOA电路结构中电容所占的面积很大，根据图1所示结构，需要大面积的第一金属层100与第二金属层300的交叠，占用很大面积，不利于减小GOA电路的尺寸，实现显示器的窄边框设计。

发明内容

本发明技术方案的目的是提供一种阵列基板、显示装置及其电容结构，在保证形成电容值不变的情况下，减小电容的整体尺寸，从而减小GOA电路的尺寸，实现窄边框的设计。

本发明提供一种阵列基板，包括显示区域与非显示区域，所述非显示区域上设置有电容结构，所述电容结构包括相互平行的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间设置绝缘层，其中，所述第一极板包括相互平行且电连接的至少两个子极板，所述第二极板设置于所述第一极板的两个子极板之间，且两个子极板分别与所述第二极板具有相正对的部分。

优选地，上述所述的阵列基板，形成所述第一极板的第一个子极板的材料与形成所述显示区域内的栅极层的材料相同，形成所述第二极板的材料与形成所述显示区域内的源漏金属电极层的材料相同，形成所述第一极板的第二个子极板的材料与形成所述显示区域内的第一电极层的材料相同。

优选地，上述所述的阵列基板，形成所述第一极板的第一个子极板与所述第二极板之间绝缘层的材料与形成所述显示区域内栅绝缘层的材料相同，形成所述第二极板与所述第一极板的第二个子极板之间的绝缘层的材料与形成所述显示区域内的源漏金属电极层与第一电极层之间的绝缘层的材料相同。

优选地，上述所述的阵列基板，所述第一极板的第一个子极板与第二个子极板之间通过第一过孔连接。

优选地，上述所述的阵列基板，形成所述第一极板的第一个子极板的材料与形成所述显示区域内的栅极层的材料相同，形成所述第二极板的第一个子极板的材料与形成所述显示区域内的源漏极金属层的材料相同，形成所述第一极板的第二个子极板的材料与形成所述显示区域内的第一电极层的材料相同，形成所述第二极板的第二个子极板的材料与形成所述显示区域内的第二电极层的材料相同。

优选地，上述所述的阵列基板，形成所述第一极板的第一个子极板与所述第二极板的第一个子极板之间的绝缘层的材料与形成所述显示区域的栅绝缘层的材料相同，形成所述第二极板的第一个子极板与所述第一极板的第二个子极板之间的绝缘层的材料与形成所述显示区域内的源漏金属电极层与所述第一电极层之间的绝缘层的材料相同，形成所述第一极板的第二个子极板与所述第二极板的第二个子极板之间的绝缘层的材料与形成所述显示区域的所述第一电极层和所述第二电极层之间的绝缘层的材料相同。

优选地，上述所述的阵列基板，所述第一极板的第一个子极板与第二个子极板之间通过第一过孔连接，所述第二极板的第一个子极板与第二个子极板之间通过第二过孔连接。

本发明还提供一种显示装置，包括如上任一项所述的阵列基板。

本发明还提供一种电容结构，包括相互平行的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间设置绝缘层，其中，所述第一极板包括相互平行且电连接的至少两个子极板，所述第二极板设置于所述第一极板的两个子极板之间，且两个子极板分别与所述第二极板具有相正对的部分。

优选地，上述所述的电容结构，所述第二极板也包括相互平行的至少两个子极板，所述第一极板的两个子极板与所述第二极板的两个子极板之间间隔设置，且相邻的子极板之间分别具有相对的部分。

本发明具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果：

通过将其中的一个极板设置为相互平行的两个子极板，分别与第二极板相正对，形成为多个正对的极板相互平行、依次排列的结构，相对于现有技术由两个极板构成的电容结构，在保证所形成电容值不变的情况下，能够减小电容的极板之间的正对面积，使整体尺寸降低，从而减小GOA电路的尺寸，实现窄边框的设计。

附图说明

图1表示现有技术电容结构的示意图；

图2表示本发明第一实施例所述电容结构的示意图；

图3表示本发明第二实施例所述电容结构的示意图；

图4表示所述阵列基板中，薄膜晶体管部分的结构示意图；

图5表示本发明第一实施例所述阵列基板中，所述电容结构的示意图；

图6表示本发明第二实施例所述阵列基板中，所述电容结构的示意图。

具体实施方式

为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。

本发明具体实施例所述阵列基板，包括显示区域与非显示区域，所述非显示区域上设置有电容结构，所述电容结构包括相互平行的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间设置绝缘层，其特征在于，所述第一极板包括相互平行且电连接的至少两个子极板，所述第二极板设置于所述第一极板的两个子极板之间，且两个子极板分别与所述第二极板具有相正对的部分。

通过将非显示区域中电容结构的其中的一个极板设置为相互平行的两个子极板，分别与第二极板相正对，形成为多个正对的极板相互平行、依次排列的结构，相对于现有技术由两个极板构成的电容结构，在保证所形成电容值不变的情况下，能够减小电容的极板之间的正对面积，使整体尺寸降低，从而减小GOA电路的尺寸，实现窄边框的设计。

图2为本发明第一实施例所述电容结构的示意图，所述电容结构包括第一极板和第二极板，在第一实施例中，如图2所示，具体地：

第一极板包括相互平行的第一个子极板10和第二个子极板20，第二极板30仅具有一个极板，其中第一极板的第一个子极板10和第二个子极板20与第二极板30之间间隔设置，形成为第一极板的第一个子极板10、第二极板30、第一极板的第二个子极板20依次排列的结构。此外，第二极板30与第一极板的第一个子极板10、第一极板的第二个子极板20之间分别具有相正对的部分。第一极板的第一个子极板10和第二个子极板20之间通过第一过孔40连接，第二极板30与第一极板的第一个子极板10之间设置绝缘层311，第二极板30与第一极板的第二个子极板20之间设置绝缘层312。

本发明第一实施例所述电容结构，通过将第一极板设置为由两个子极板构成，相对于现有技术由两个极板构成的电容结构，在保证所形成电容值不变的情况下，能够减小电容的整体尺寸；从另一方面说，采用该种设置方式，在现有由两层极板构成的电容结构的基础上，通过在第二层极板的正上方增加一个新的极板，形成为第三层极板，并使第二层极板下方的第一层极板与第三层极板相连接，这样电容结构的正对面积增加，因此无需增大电容结构的平铺面积，即能够达到增大电容的效果，对于GOA电路来说，无需增大版图的尺寸，即能够达到增大电容的效果。

图3为本发明第二实施例所述电容结构的示意图，所述电容结构包括第一极板和第二极板，在第二实施例中，如图3所示，具体地：

第一极板包括相互平行的第一个子极板10和第二个子极板20，第二极板包括相互平行的第一个子极板31和第二个子极板32，且第一极板的子极板与第二极板的子极板之间间隔设置，相邻的子极板之间分别具有相对的部分，形成为图3所示第一极板的第一个子极板10、第二极板的第一个子极板31、第一极板的第二个子极板20和第二极板的第二个子极板32相互平行、依次排列的结构。此外，相邻的两个子极板之间分别具有相正对的部分，且相邻的两个子极板之间分别设置绝缘层，形成为图3所示的绝缘层311、312和313。

此外，第一极板的第一个子极板10和第二个子极板20之间通过第一过孔40连接，第二极板的第一个子极板31和第二个子极板32之间通过第二过孔50连接。

本发明第二实施例所述电容结构，除依据第一实施例，将第一极板设置为由两个子极板构成之外，还将第二极板设置为由两个子极板构成，相对于第一实施例的电容结构，能够使电容的整体尺寸更进一步地减小。

本领域技术人员可以理解，采用本发明的上述原理，电容结构的极板，除可以设置为由两个子极板构成外，也可以由两个以上的子极板构成，使电容的整体尺寸更进一步地减小。

本发明具体实施例还提供具有图2或图3所示结构的阵列基板，包括至少一个如上结构的电容结构。

以高级超维场开关（ADS，Advanced Super Dimension Switch）型显示面板中的阵列基板为例，以下将对本发明具体实施例所述电容结构在阵列基板上的应用进行说明。

如图4为阵列基板上薄膜晶体管部分的结构示意图，具体包括：

设置于玻璃基板1上的栅极层2；

设置于栅极层2上的栅绝缘层3；

设置于栅绝缘层3上的有源层4；

设置于有源层4上的源漏极金属层5；

设置于源漏极金属层5上的绝缘层6；

设置于栅绝缘层3和绝缘层6上的第一电极层7；

设置于第一电极层7上的保护层8；

设置于保护层8上的第二电极层9。

其中，在ADS型显示面板中，第一电极层7和第二电极层9分别为透明电极层。

结合所述阵列基板在制成上述薄膜晶体管部分时的各工艺步骤，以及结合图2第一实施例所述电容结构的示意图，本发明第一实施例所述阵列基板中的电容结构，如图5所示，第一实施例所述阵列基板的电容结构中：

在制成显示区域的所述栅极层2时，形成为电容结构的第一极板的第一个子极板10，第一极板的第一个子极板10与图4所示薄膜晶体管部分的栅极层2位于同一层，也即形成第一极板的第一个子极板10的材料与形成栅极层2的材料相同；

在制成显示区域的所述栅绝缘层3时，形成为电容结构中第一个子极板10与第二极板30之间的绝缘层311，第一个子极板10与第二极板30之间的绝缘层311与图4所示薄膜晶体管部分的栅绝缘层3位于同一层，也即形成第一个子极板10与第二极板30之间绝缘层311的材料与形成栅绝缘层3的材料相同；

在制成显示区域的源漏极金属层5时，形成为电容结构的第二极板30，第二极板30与图4所示薄膜晶体管部分的源漏极金属层5位于同一层，也即形成第二极板30的材料与形成源漏极金属层5的材料相同；

在制成显示区域的绝缘层6时，形成为电容结构中第二极板30与第一极板的第二个子极板20之间的绝缘层312，第二极板30与第二个子极板20之间的绝缘层312与图4所示薄膜晶体管部分的绝缘层6位于同一层，也即形成第二极板30与第二个子极板20之间绝缘层312的材料与形成绝缘层6的材料相同；

在制成显示区域的第一电极层7时，形成为电容结构中第一极板的第二个子极板20，第二个子极板20与图4所示薄膜晶体管部分的第一电极层7位于同一层，也即形成第一极板的第二个子极板20的材料与形成第一电极层7的材料相同。

另外，还进一步在第一个子极板10与第二个子极板20之间制成第一过孔40，使第一个子极板10与第二个子极板20连接，该两个子极板组合形成为第一极板，与第二极板30组合构成为一个电容结构，相对于现有技术由两个极板构成的电容结构，在保证所形成电容值不变的情况下，能够减小电容的整体尺寸，使阵列基板的整体尺寸下降，达到实现窄边框的目的。

上述具备图5所示电容结构的阵列基板，除可以应用于ADS型显示面板之外，还可以应用于其他类型结构的显示面板，在制成阵列基板显示区域的一个电极层时，同时形成非显示区域的电容结构中一个极板的一个子极板，与该极板的另一个子极板通过过孔连接，达到减小电容的整体尺寸，从而减小GOA电路的尺寸，实现窄边框设计的效果。

结合所述阵列基板在制成上述薄膜晶体管部分时的各工艺步骤，以及结合图3第二实施例所述电容结构的示意图，本发明第二实施例所述阵列基板中的电容结构，如图6所示，第二实施例所述阵列基板的电容结构中：

在制成显示区域的所述栅极层2时，形成为电容结构的第一极板的第一个子极板10，第一极板的第一个子极板10与图4所示薄膜晶体管部分的栅极层2位于同一层，也即形成第一极板的第一个子极板10的材料与形成栅极层2的材料相同；

在制成显示区域的所述栅绝缘层3时，形成为电容结构中第一极板的第一个子极板10与第二极板的第一个子极板31之间的绝缘层311，也即第一极板的第一个子极板10与第二极板和第一个子极板31之间的绝缘层311与图4所示薄膜晶体管部分的栅绝缘层3位于同一层，也即形成第一极板的第一个子极板10与第二极板和第一个子极板31之间绝缘层311的材料与形成栅绝缘层3的材料相同；

在制成显示区域的源漏极金属层5时，形成为电容结构中第二极板的第一个子极板31，第二极板的第一个子极板31与图4所示薄膜晶体管部分的源漏极金属层5位于同一层，也即形成第二极板的第一个子极板31的材料与形成源漏极金属层5的材料相同；

在制成显示区域的绝缘层6时，形成为电容结构中第二极板的第一个子极板31与第一极板的第二个子极板20之间的绝缘层312，第二极板的第一个子极板31与第一极板的第二个子极板20之间的绝缘层312与图4所示显示区域薄膜晶体管部分的绝缘层6位于同一层，也即形成第二极板的第一个子极板31与第一极板的第二个子极板20之间绝缘层312的材料与形成显示区域的绝缘层6的材料相同；

在制成显示区域的第一电极层7时，形成为电容结构中第一极板的第二个子极板20，第二个子极板20与图4所示薄膜晶体管部分的第一电极层7位于同一层，也即形成第一极板的第二个子极板20的材料与形成第一电极层7的材料相同；

在制成显示区域的保护层8时，形成为第一极板的第二个子极板20与第二极板的第二个子极板32之间的绝缘层313，绝缘层313与图4所示薄膜晶体管部分的保护层8位于同一层，也即形成第一极板的第二个子极板20与第二极板的第二个子极板32之间绝缘层313的材料与形成显示区域的保护层8的材料相同；

在制成显示区域的第二电极层9时，形成为第二极板的第二个子极板32，第二个子极板32与图4所示薄膜晶体管部分的第二电极层9位于同一层，也即形成第二极板的第二个子极板32的材料与形成第二电极层9的材料相同。

另外，还进一步在第一极板的第一个子极板10与第二个子极板20之间制成第一过孔40，使第一个子极板10与第二个子极板20连接，该两个子极板组合形成为第一极板；在第二极板的第一个子极板31与第二个子极板32之间制成第二过孔50，使第一个子极板31与第二个子极板32之间连接。分别由两部分组合构成的第一极板与第二极板组合构成为一个电容结构，且第一极板的子极板与第二板板的子极板之间间隔设置，相对于现有技术由两个极板构成的电容结构，在保证所形成电容值不变的情况下，能够减小电容的整体尺寸，使阵列基板的整体尺寸下降，达到实现窄边框的目的。

本发明另一方面还提供一种具有上述阵列基板的显示装置，其中显示装置的具体结构参阅以上的描述，在此不再赘述。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括显示区域与非显示区域，所述非显示区域上设置有电容结构，所述电容结构包括相互平行的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间设置绝缘层，其特征在于，所述第一极板包括相互平行且电连接的至少两个子极板，所述第二极板设置于所述第一极板的两个子极板之间，且两个子极板分别与所述第二极板具有相正对的部分。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第一极板的第一个子极板的材料与形成所述显示区域内的栅极层的材料相同，形成所述第二极板的材料与形成所述显示区域内的源漏金属电极层的材料相同，形成所述第一极板的第二个子极板的材料与形成所述显示区域内的第一电极层的材料相同。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第一极板的第一个子极板与所述第二极板之间绝缘层的材料与形成所述显示区域内栅绝缘层的材料相同，形成所述第二极板与所述第一极板的第二个子极板之间的绝缘层的材料与形成所述显示区域内的源漏金属电极层与第一电极层之间的绝缘层的材料相同。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板的第一个子极板与第二个子极板之间通过第一过孔连接。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第一极板的第一个子极板的材料与形成所述显示区域内的栅极层的材料相同，形成所述第二极板的第一个子极板的材料与形成所述显示区域内的源漏极金属层的材料相同，形成所述第一极板的第二个子极板的材料与形成所述显示区域内的第一电极层的材料相同，形成所述第二极板的第二个子极板的材料与形成所述显示区域内的第二电极层的材料相同。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第一极板的第一个子极板与所述第二极板的第一个子极板之间的绝缘层的材料与形成所述显示区域的栅绝缘层的材料相同，形成所述第二极板的第一个子极板与所述第一极板的第二个子极板之间的绝缘层的材料与形成所述显示区域内的源漏金属电极层与所述第一电极层之间的绝缘层的材料相同，形成所述第一极板的第二个子极板与所述第二极板的第二个子极板之间的绝缘层的材料与形成所述显示区域的所述第一电极层和所述第二电极层之间的绝缘层的材料相同。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板的第一个子极板与第二个子极板之间通过第一过孔连接，所述第二极板的第一个子极板与第二个子极板之间通过第二过孔连接。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如上权利要求1至7任一项所述的阵列基板。

9.一种电容结构，包括相互平行的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间设置绝缘层，其特征在于，所述第一极板包括相互平行且电连接的至少两个子极板，所述第二极板设置于所述第一极板的两个子极板之间，且两个子极板分别与所述第二极板具有相正对的部分。

10.如权利要求9所述的电容结构，其特征在于，所述第二极板也包括相互平行的至少两个子极板，所述第一极板的两个子极板与所述第二极板的两个子极板之间间隔设置，且相邻的子极板之间分别具有相对的部分。