CN101097912A - 提高平板电容容量的电容结构 - Google Patents

提高平板电容容量的电容结构 Download PDF

Info

Publication number
CN101097912A
CN101097912A CNA2006100284507A CN200610028450A CN101097912A CN 101097912 A CN101097912 A CN 101097912A CN A2006100284507 A CNA2006100284507 A CN A2006100284507A CN 200610028450 A CN200610028450 A CN 200610028450A CN 101097912 A CN101097912 A CN 101097912A
Authority
CN
China
Prior art keywords
capacitance
pole plate
insulating barrier
flat
insulation layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006100284507A
Other languages
English (en)
Inventor
周雷萍
王勤
岩垂史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority to CNA2006100284507A priority Critical patent/CN101097912A/zh
Publication of CN101097912A publication Critical patent/CN101097912A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明公开了一种提高平板电容容量的电容结构，包括：第一极板、第二极板和第一绝缘层，所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘层位于第一极板上，所述第二极板位于第一绝缘层上，它还包括：设置在第二极板上的第二绝缘层；设置在第二绝缘层上的第三极板。本发明的提高平板电容容量的电容结构能在原有PIP结构基础上将有效电容增加约一倍。

Description

提高平板电容容量的电容结构
技术领域
本发明涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种能提高平板电容容量的新型电容结构。
背景技术
目前使用的平板电容PIP(或MIM)结构如附图1，它仍旧以工艺简单在Logic器件中广泛使用。随着半导体芯片的集成度越来越高，必定要求Gate(栅极)和Capacitance(电容)的尺度也越来越精细。如果电容依旧维持这种简便工艺结构，电容的大小将达不到设计要求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种在原有PIP结构基础上只增加两步CVD(化学汽相沉积)，就可有效增加电容容量的电容结构。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种提高平板电容容量的电容结构，包括：第一极板、第二极板和第一绝缘层，所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘层位于第一极板上，所述第二极板位于第一绝缘层上，它还包括：
a.设置在第二极板上的第二绝缘层；
b.设置在第二绝缘层上的第三极板。
由于采用上述技术方案，本发明的提高平板电容容量的电容结构能将有效电容增加约一倍。
附图说明
图1是现有平板电容PIP结构示意图；
图2是本发明的电容和栅极结构的剖面示意图；
图3是本发明的电容结构的俯视图；
图4是制造本发明电容结构的步骤示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明。
如图2、3所示，本发明的提高平板电容容量的电容结构，包括：第一极板(Poly1)、第二极板(Poly2)和第一绝缘层(Isolation1)，所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘层位于第一极板上，所述第二极板位于第一绝缘层上，它还包括：设置在第二极板上的第二绝缘层(Isolation2)；设置在第二绝缘层上的第三极板(Poly3)。所述第一极板、第二极板和第三极板由多晶硅制成。再利用两步光刻和刻蚀形成电容和栅极(Gate)，所述第三极板与第二极板形成一个新的电容，且该电容和原先第一极板与第二极板的电容并联。
图4为制造本发明的提高平板电容容量的电容结构的步骤示意图，首先在氧化层(Field Oxide)上依次生长第一极板(Poly1)、第一绝缘层(Isolation1)、第二极板(Poly2)、第二绝缘层(Isolation2)及第三极板(Poly3)(见图4.1)，再通过第一步光刻和刻蚀形成Poly3和Poly2结合的上方结构(见图4.2)，然后利用第二步光刻和刻蚀使Poly1成为下极板，并形成栅极，同时在Poly2上产生接触孔(Contact window)(见图4.3)。接着，在Poly1、Poly2和Poly3之间用金属连线组成两个并联电容。

Claims (3)

1.一种提高平板电容容量的电容结构，包括：第一极板、第二极板和第一绝缘层，所述第一极板和第二极板被第一绝缘层隔开，且所述第一绝缘层位于第一极板上，所述第二极板位于第一绝缘层上，其特征在于，它还包括：
a.设置在第二极板上的第二绝缘层；
b.设置在第二绝缘层上的第三极板。
2.如权利要求1所述的提高平板电容容量的电容结构，其特征在于，所述第一极板、第二极板和第三极板由多晶硅制成。
3.如权利要求1所述的提高平板电容容量的电容结构，其特征在于，所述第一极板、第二极板、第三极板和第一绝缘层、第二绝缘层经两步光刻和刻蚀形成电容和栅极。
CNA2006100284507A 2006-06-30 2006-06-30 提高平板电容容量的电容结构 Pending CN101097912A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2006100284507A CN101097912A (zh) 2006-06-30 2006-06-30 提高平板电容容量的电容结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2006100284507A CN101097912A (zh) 2006-06-30 2006-06-30 提高平板电容容量的电容结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101097912A true CN101097912A (zh) 2008-01-02

Family

ID=39011577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2006100284507A Pending CN101097912A (zh) 2006-06-30 2006-06-30 提高平板电容容量的电容结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101097912A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103441061A (zh) * 2013-08-29 2013-12-11 上海宏力半导体制造有限公司 电容器结构及其制作方法
CN103943634A (zh) * 2014-03-17 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其电容结构
WO2024031834A1 (zh) * 2022-08-12 2024-02-15 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103441061A (zh) * 2013-08-29 2013-12-11 上海宏力半导体制造有限公司 电容器结构及其制作方法
CN103943634A (zh) * 2014-03-17 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其电容结构
WO2024031834A1 (zh) * 2022-08-12 2024-02-15 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103503139A (zh) 具有集成在同一电介质层中的电容器和金属布线的半导体结构
JP2009502042A5 (zh)
KR100663001B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 구조 및 그 제조 방법
CN102544107A (zh) 一种改进型终端结构的功率mos器件及其制造方法
CN103346148B (zh) 一种直立式电容结构及其制作方法
CN101197371A (zh) 一种耦接电容结构及其制造方法
CN103730450A (zh) 有机电激发光二极体储存电容结构及其制备方法
CN1988158A (zh) 一种平板电容及其实现方法
CN101097912A (zh) 提高平板电容容量的电容结构
CN202473933U (zh) 一种改进型终端结构的功率mos器件
CN103022019A (zh) 降低等效电阻的硅电容器及其制备方法
CN103700645A (zh) Mom电容及其制作方法
CN103021956A (zh) 分栅式快闪存储器的pip电容及制备方法
CN100446254C (zh) 半导体电容
CN103426728B (zh) 电容器结构及其制作方法
CN206134689U (zh) 高集成度的低压沟槽栅dmos器件
CN103022000B (zh) 平面电感器及其制造方法、半导体器件及其制造方法
CN102130126A (zh) 动态随机存储器及其制作方法
CN102446709B (zh) 一种金属-氮化硅-金属电容的制造方法
CN104022015A (zh) Mim双电容器结构及其制造方法
CN208142178U (zh) 半导体存储单元
CN102332447A (zh) 电容器及其形成方法
CN108123040A (zh) Mim电容器及其制作方法
CN100454550C (zh) 电容结构
CN104659113A (zh) Rfldmos器件的内匹配电容及制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20080102