CN106876370A - 一种静电保护电路结构 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种静电保护电路结构，与第一工作电路、第二工作电路和直流信号源连接，所述第一工作电路与所述第二工作电路通过信号线连接，所述静电保护电路结构为电容结构，所述电容结构为单个电容或至少两个并联电容。所述电容结构的一端与所述信号线连接，另一端与所述直流信号源连接。本发明的静电保护电路结构获得的有益效果是：当所述信号线、所述第一工作电路、所述第二工作电路三者中至少一者受到静电放电时，静电电荷会被存储到所述电容结构，从而有效避免信号线由于静电击伤产生断线，同时对以上三者都能有效进行静电保护。

Description

一种静电保护电路结构

技术领域

本发明涉及半导体器件的静电保护技术领域，特别是涉及一种静电保护电路结构。

背景技术

随着工业技术的不断发展，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器已经成为国内外非常热门的新兴平板显示器产品，OLED显示器具有自发光、广视角、反应时间短、色彩饱和度高和还原能力强等优点。

但是，在上述半导体器件制造过程中，静电的产生对这些器件的正常工作和寿命造成了极大的影响，从而静电保护的有关研究也日益受到人们的普遍重视。在半导体器件领域中，例如集成电路、TFT显示器和OLED显示器等存在静电损伤是很常见的不良现象，目前依然没有完全避免静电损伤的方法。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种静电保护电路结构，通过电容结构在发生静电放电时将静电电荷储存于电容中，解决了对半导体器件进行静电保护的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种静电保护电路结构，与第一工作电路、第二工作电路和直流信号源连接，所述第一工作电路与所述第二工作电路通过信号线连接，所述静电保护电路结构为电容结构，所述电容结构为单个电容或至少两个并联电容，所述电容结构的一端与所述信号线连接，另一端与所述直流信号源连接。

其中，所述电容结构可采用以下两种结构：

第一种结构：所述电容结构包括多层绝缘薄膜层及第一、第二、第三金属薄膜层，所述第一、第二、第三金属薄膜层间隔平行设置，相邻的两层金属薄膜层由至少一层绝缘薄膜层隔开；

所述第一、第三金属薄膜层的第一端通过两者之间的所述绝缘薄膜层上设置的第一通孔连接形成电容的第一电极；设置于所述第一金属薄膜层和所述第三金属薄膜层之间的所述第二金属薄膜层作为电容的第二电极。

第二种结构：所述电容结构中的电容包括多层绝缘薄膜层及第四、第五、第六、第七和第八金属薄膜层，所述第四、第五、第六、第七和第八金属薄膜层间隔平行设置，相邻的两层金属薄膜层由至少一层绝缘薄膜层隔开；

所述第四、第六和第八金属薄膜层的第一端通过相邻两者之间的所述绝缘薄膜层上设置的第二通孔和第三通孔连接，形成电容的第一电极；

所述第五和第七金属薄膜层的第二端通过两者之间的所述绝缘薄膜层上设置的第四通孔连接，形成电容的第二电极。

在本发明的静电保护电路结构中，连接第一工作电路与第二工作电路的所述信号线与所述电容结构的一端连接，所述电容结构的另一端连接所述直流信号源，当所述信号线、所述第一工作电路、所述第二工作电路三者中至少一者受到静电放电时，静电电荷会被存储到所述电容结构，从而有效避免信号线由于静电击伤产生断线，对所述信号线、第一工作电路和第二工作电路都能有效进行静电保护。

附图说明

图1是本发明静电保护电路结构的原理图；

图2是本发明中的电容结构的第一实施例的结构示意图；

图3是图2中沿AA’线切割的截面图；

图4是本发明中的电容结构的第二实施例的结构示意图；

图5是图4中沿AA’线切割的截面图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1：

参见图1、2、3，本实施例提供一种静电保护电路结构，与第一工作电路1、第二工作电路2和直流信号源4连接，所述第一工作电路1与所述第二工作电路2通过信号线3连接，所述静电保护电路结构为电容结构5，所述电容结构为单个电容或至少两个并联电容，所述电容结构5的一端与所述信号线3连接，另一端与所述直流信号源4连接。

在本实施例中，所述电容结构5中的电容51包括多层绝缘薄膜层515及第一金属薄膜层512、第二金属薄膜层513和第三金属薄膜层514，所述第一金属薄膜层512、第二金属薄膜层513和第三金属薄膜层514间隔平行设置，相邻的两层金属薄膜层由至少一层绝缘薄膜层隔开；所述第一金属薄膜层512和第三金属薄膜层514的第一端通过两者之间的所述绝缘薄膜层515上设置的第一通孔511连接形成电容的第一电极，设置于所述第一金属薄膜层512和所述第三金属薄膜层514之间的所述第二金属薄膜层513作为电容的第二电极。

实施例2：

参见图1、4、5，本实施例提供一种静电保护电路结构，与第一工作电路1、第二工作电路2和直流信号源4连接，所述第一工作电路1与所述第二工作电路2通过信号线3连接，所述静电保护电路结构为电容结构5，所述电容结构5为单个电容或至少两个并联电容，所述电容结构5的一端与所述信号线连接3，另一端与所述直流信号源4连接。

在本实施例中，所述电容结构5中的电容52包括多层绝缘薄膜层529以及第四金属薄膜层524、第五金属薄膜层525、第六金属薄膜层526、第七金属薄膜层527和第八金属薄膜层528，所述第四金属薄膜层524、第五金属薄膜层525、第六金属薄膜层526、第七金属薄膜层527和第八金属薄膜层528间隔平行设置，相邻的两层金属薄膜层由至少一层绝缘薄膜层隔开；所述第四金属薄膜层524、第六金属薄膜层526和第八金属薄膜层528的第一端通过相邻两者之间的所述绝缘薄膜层上设置的第二通孔521和第三通孔522连接，形成电容52的第一电极；所述第五金属薄膜层525和第七金属薄膜层527的第二端通过两者之间的所述绝缘薄膜层529上设置的第四通孔523连接，形成电容52的第二电极。

在上述实施例中，本发明在所述连接线3上连接所述电容结构5的一端，所述电容结构5的另一端连接所述直流信号源4，当所述第一工作电路1、所述第二工作电路2、所述信号线3三者中至少一者受到静电放电时，静电电荷会被存储到所述电容结构5，从而有效进行静电保护。并且所述电容结构5可以通过增加并联的电容数量和增加电容中金属薄膜层的层数实现存储更多的静电电荷，使得抗静电能力更强，静电保护效果更佳。

以上所述是本发明的优选实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种静电保护电路结构，与第一工作电路、第二工作电路和直流信号源连接，所述第一工作电路与所述第二工作电路通过信号线连接，其特征在于：所述静电保护电路结构为电容结构，所述电容结构为单个电容或至少两个并联电容，所述电容结构的一端与所述信号线连接，另一端与所述直流信号源连接。

2.根据权利要求1所述的静电保护电路结构，其特征在于：

所述电容结构中的电容包括多层绝缘薄膜层及第一、第二、第三金属薄膜层，所述第一、第二、第三金属薄膜层间隔平行设置，相邻的两层金属薄膜层由至少一层绝缘薄膜层隔开；

所述第一、第三金属薄膜层的第一端通过两者之间的所述绝缘薄膜层上设置的第一通孔连接形成电容的第一电极；设置于所述第一金属薄膜层和所述第三金属薄膜层之间的所述第二金属薄膜层作为电容的第二电极。

3.根据权利要求1所述的一种静电保护电路结构，其特征在于：

所述电容结构中的电容包括多层绝缘薄膜层及第四、第五、第六、第七和第八金属薄膜层，所述第四、第五、第六、第七和第八金属薄膜层间隔平行设置，相邻的两层金属薄膜层由至少一层绝缘薄膜层隔开；

所述第四、第六和第八金属薄膜层的第一端通过相邻两者之间的所述绝缘薄膜层上设置的第二通孔和第三通孔连接，形成电容的第一电极；

所述第五和第七金属薄膜层的第二端通过两者之间的所述绝缘薄膜层上设置的第四通孔连接，形成电容的第二电极。