CN104880852B - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该阵列基板包括基板和设置在基板上的呈阵列排布的多个像素单元、多条栅线和多条公共电极线，每行像素单元对应一条栅线和一条公共电极线，与各行像素单元对应的栅线和公共电极线位于各行像素单元的同一侧，且相互平行并间隔，还包括遮光条，遮光条与栅线和公共电极线之间的间隔区域位置相对应，且遮光条在基板上的正投影遮挡间隔区域。该阵列基板通过设置遮光条，能够将栅线和公共电极线之间的间隔区域遮挡住，从而使栅线和公共电极线之间的间隔区域在未被彩膜基板上的黑矩阵遮挡住时不会发生漏光，进而避免该阵列基板出现漏光不良。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
随着薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)的应用领域越来越广，对于面板的信赖性要求也越来越高。
液晶面板包括彩膜基板和阵列基板，通常，阵列基板中公共电极线设置有多条，公共电极线与栅线平行且一一对应地分布于每行像素单元的同一侧。对应每行像素单元的一条公共电极线和一条栅线之间设置有间隔区域，该间隔区域能够透光，但该间隔区域通常会被彩膜基板上的黑矩阵(BM)遮挡住，使液晶面板在显示时不会发生漏光。
对面板的信赖性要求包括压力测试要求，而当面板受到较大压力按压时，彩膜基板7(CF)相对于阵列基板8(TFT)会发生偏移，如图1所示，实验证明在ADS模式的液晶显示面板中，沿着ADS模式(高级超维场转换模式)显示面板的像素长边方向偏移严重，导致黑矩阵71(BM)无法遮挡栅线3(Gate线)和公共电极线4(Vcom线)之间的间隔区域6，从而引起宏观上画面漏光不良。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该阵列基板通过设置遮光条，能够将栅线和公共电极线之间的间隔区域遮挡住，从而使栅线和公共电极线之间的间隔区域在未被彩膜基板上的黑矩阵遮挡住时不会发生漏光，进而避免该阵列基板出现漏光不良。
本发明提供一种阵列基板，包括基板和设置在所述基板上的呈阵列排布的多个像素单元、多条栅线和多条公共电极线，每行所述像素单元对应一条所述栅线和一条所述公共电极线，与各行所述像素单元对应的所述栅线和所述公共电极线位于各行所述像素单元的同一侧，且相互平行并间隔，还包括遮光条，所述遮光条与所述栅线和所述公共电极线之间的间隔区域位置相对应，且所述遮光条在所述基板上的正投影遮挡所述间隔区域。
优选地，所述遮光条的宽度大于等于所述栅线和所述公共电极线之间的所述间隔区域的宽度，且小于所述栅线、所述公共电极线和所述间隔区域的总宽度。
优选地，所述栅线和所述公共电极线同层设置，所述遮光条位于所述栅线和所述公共电极线的上方或下方。
优选地，所述像素单元包括晶体管，所述晶体管包括栅极、有源区、源极和漏极，所述栅极与所述栅线同层设置并连接，所述源极和所述漏极同层设置且采用相同材料制成，所述源极和所述漏极位于所述栅极上方或下方，所述遮光条与所述源极和所述漏极同层设置且采用相同的材料制成。
优选地，所述像素单元还包括像素电极，所述像素电极设置在所述遮光条的上方，且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。
优选地，所述像素单元还包括公共电极，所述公共电极与所述像素电极位置相对应，所述公共电极设置在所述栅线和所述公共电极线下方，且所述公共电极与所述公共电极线连接。
优选地，所述像素单元还包括像素电极和公共电极，所述像素电极设置在所述公共电极上方，所述公共电极设置在所述遮光条上方，且所述公共电极完全覆盖所述遮光条。
优选地，所述像素单元还包括像素电极和公共电极，所述公共电极设置在所述像素电极上方，所述像素电极设置在所述遮光条上方，且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。
本发明还提供一种显示面板，包括上述阵列基板。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明还提供一种上述阵列基板的制备方法，包括：在基板上形成像素单元、栅线和公共电极线，还包括在基板上形成遮光条，所述遮光条在所述基板上的正投影遮挡所述栅线和所述公共电极线之间的间隔区域。
优选地，所述栅线和所述公共电极线采用相同材料并在一次构图工艺中同时形成，所述遮光条形成于所述栅线和所述公共电极线的上方或下方。
优选地，形成所述像素单元包括形成晶体管，形成所述晶体管包括形成栅极、有源区、源极和漏极，所述栅极与所述栅线采用相同材料并在一次构图工艺中同时形成；所述源极和所述漏极在一次构图工艺中同时形成，所述遮光条与所述源极和所述漏极在一次构图工艺中同时形成。
优选地，形成所述像素单元还包括形成像素电极，所述像素电极形成于所述遮光条上方，且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。
优选地，形成所述像素单元还包括形成像素电极和公共电极，所述公共电极形成于所述像素电极上方，所述像素电极形成于所述遮光条上方，且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。
优选地，形成所述像素单元还包括形成像素电极和公共电极，所述像素电极形成于所述公共电极上方，所述公共电极形成于所述遮光条上方，且所述公共电极完全覆盖所述遮光条。
本发明的有益效果：本发明所提供的阵列基板，通过设置遮光条，能够将栅线和公共电极线之间的间隔区域遮挡住，从而使栅线和公共电极线之间的间隔区域在未被彩膜基板上的黑矩阵遮挡住时不会发生漏光，进而避免该阵列基板出现漏光不良。
本发明所提供的显示面板，通过采用上述阵列基板，能够避免该显示面板在受到较大压力按压时发生漏光，从而避免出现漏光不良。本发明所提供的显示装置，通过采用上述显示面板，使其能够在受到较大压力按压时不会发生漏光，从而也不会出现漏光不良。
附图说明
图1为现有技术中液晶显示面板的结构剖视图；
图2为本发明实施例1中阵列基板的结构俯视图；
图3为图2中阵列基板沿AA剖切线的结构剖视图。
其中的附图标记说明：
1.基板；2.像素单元；21.晶体管；210.栅极；211.有源区；212.源极；213.漏极；22.像素电极；23.公共电极；3.栅线；4.公共电极线；5.遮光条；6.间隔区域；7.彩膜基板；71.黑矩阵；8.阵列基板。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种阵列基板，如图2和图3所示，包括基板1和设置在基板1上的呈阵列排布的多个像素单元2、多条栅线3和多条公共电极线4，每行像素单元2对应一条栅线3和一条公共电极线4，与各行像素单元2对应的栅线3和公共电极线4位于各行像素单元2的同一侧，且相互平行并间隔，还包括遮光条5，遮光条5与栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6位置相对应，且遮光条5在基板1上的正投影遮挡间隔区域6。
该阵列基板通过设置遮光条5，能够将栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6遮挡住，从而使栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6在未被彩膜基板上的黑矩阵遮挡住时不会发生漏光，进而避免该阵列基板出现漏光不良。
本实施例中，遮光条5的宽度大于栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6的宽度，且小于栅线3、公共电极线4和间隔区域6的总宽度。如此设置，使遮光条5既能很好地发挥对间隔区域6遮光的作用，同时还不会影响阵列基板透光区域的正常透光。
需要说明的是，遮光条5的宽度也可以等于栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6的宽度。
本实施例中，栅线3和公共电极线4同层设置，遮光条5位于栅线3和公共电极线4的上方。当然，遮光条5也可以位于栅线3和公共电极线4的下方。无论设置在栅线3和公共电极线4的上方还是下方，都能够对照射至间隔区域6的光线进行遮挡，从而防止间隔区域6漏光。
本实施例中，像素单元2包括晶体管21，晶体管21包括栅极210、有源区211、源极212和漏极213，栅极210与栅线3同层设置并连接，源极212和漏极213同层设置且采用相同材料制成，源极212和漏极213位于栅极210上方，遮光条5与源极212和漏极213同层设置且采用相同的材料制成。即本实施例中的晶体管21为底栅型。如上述设置，遮光条5与源极212和漏极213能够采用一次构图工艺同时形成，从而使遮光条5的制备无需额外增加阵列基板的制备工序。
需要说明的是，源极212和漏极213也可以位于栅极210的下方，即晶体管21为顶栅型。
另外需要说明的是，遮光条5也可以是由漏极213的图形延伸至与间隔区域6相对应的位置而形成，即遮光条5与漏极213为一体结构。
本实施例中，像素单元2还包括像素电极22，像素电极22设置在遮光条5的上方，且像素电极22完全覆盖遮光条5。由于遮光条5的宽度大于栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6的宽度，且小于栅线3、公共电极线4和间隔区域6的总宽度，所以遮光条5与栅线3和公共电极线4会有部分交叠，这会使遮光条5与栅线3和公共电极线4之间形成电容，显示时，栅线3上的电压和公共电极线4上的电压会同时拉动遮光条5，使遮光条5与栅线3和公共电极线4之间形成电场。上述设置，使像素电极22能够对遮光条5与栅线3和公共电极线4之间的电场形成有效的屏蔽，从而使显示时对应分布在该区域的液晶分子不会发生紊乱或发生紊乱的程度减小，进而确保遮光条5与栅线3和公共电极线4之间的电场不会对正常显示造成影响。
本实施例中，像素单元2还包括公共电极23，公共电极23与像素电极22位置相对应，公共电极23设置在栅线3和公共电极线4下方，且公共电极23与公共电极线4连接。即本实施例中的阵列基板为ADS模式(高级超维场转换模式)的液晶显示面板中的阵列基板。由于ADS模式的液晶显示面板在受到较大压力按压时，彩膜基板很容易相对阵列基板偏移，偏移后彩膜基板上的黑矩阵无法遮挡栅线3和公共电极线4之间的间隔区域6，遮光条5能够很好地对间隔区域6进行遮挡，防止间隔区域6漏光造成液晶显示面板的漏光不良。
需要说明的是，本实施例中的阵列基板也可以为TN模式(垂直电场模式)的液晶显示面板中的阵列基板，即公共电极23也可以设置在彩膜基板上。
基于阵列基板的上述结构，本实施例还提供一种该阵列基板的制备方法，包括：在基板上形成像素单元、栅线和公共电极线，还包括在基板上形成遮光条，遮光条在基板上的正投影遮挡栅线和公共电极线之间的间隔区域。
其中，栅线和公共电极线采用相同材料并在一次构图工艺中同时形成，遮光条形成于栅线和公共电极线的上方。形成像素单元包括形成晶体管，形成晶体管包括形成栅极、有源区、源极和漏极，栅极与栅线采用相同材料并在一次构图工艺中同时形成；源极和漏极在一次构图工艺中同时形成，遮光条与源极和漏极在一次构图工艺中同时形成；遮光条与栅线和公共电极线之间还形成有栅绝缘层。栅线、公共电极线、晶体管以及遮光条的制备工艺均采用传统的制备工艺，这里不再具体赘述。遮光条与源极和漏极在一次构图工艺中同时形成，能使遮光条的制备无需额外增加阵列基板的制备工艺。
本实施例中，形成像素单元还包括形成像素电极，像素电极形成于遮光条上方，且像素电极完全覆盖遮光条。像素电极与遮光条之间还形成有钝化层，钝化层中在对应像素电极和漏极的区域开设有过孔，像素电极与漏极通过开设在钝化层中的过孔连接。像素电极、钝化层以及过孔的制备工艺采用传统的制备工艺，具体不再详述。像素电极覆盖遮光条能对遮光条与栅线和公共电极线之间的电场形成有效的屏蔽，从而使显示时对应分布在该区域的液晶分子不会发生紊乱或发生紊乱的程度减小，进而确保遮光条与栅线和公共电极线之间的电场不会对正常显示造成影响。
实施例2：
本实施例提供一种阵列基板，与实施例1不同的是，像素单元还包括像素电极和公共电极，像素电极设置在公共电极上方，公共电极设置在遮光条上方，且公共电极完全覆盖遮光条。
如此设置，使公共电极能够对遮光条与栅线和公共电极线之间的电场形成有效的屏蔽，从而使显示时对应分布在该区域的液晶分子不会发生紊乱或发生紊乱的程度减小，进而确保遮光条与栅线和公共电极线之间的电场不会对正常显示造成影响。
本实施例中的阵列基板也为ADS模式(高级超维场转换模式)的液晶显示面板中的阵列基板。由于ADS模式的液晶显示面板在受到较大压力按压时，彩膜基板很容易相对阵列基板偏移，偏移后彩膜基板上的黑矩阵无法遮挡栅线和公共电极线之间的间隔区域，遮光条能够很好地对间隔区域进行遮挡，防止间隔区域漏光造成液晶显示面板的漏光不良。
本实施例中阵列基板的其他结构与实施例1中相同，此处不再赘述。
基于阵列基板的上述结构，本实施例还提供一种该阵列基板的制备方法，与实施例1中阵列基板的制备方法不同的是，形成像素单元还包括形成像素电极和公共电极，像素电极形成于公共电极上方，公共电极形成于遮光条上方，且公共电极完全覆盖遮光条。另外，像素电极和公共电极之间还设置有绝缘层，公共电极和遮光条之间也设置有绝缘层。
其中，像素电极、公共电极和绝缘层的制备工艺采用传统的制备工艺，具体不再详述。
本实施例中阵列基板的其他结构的制备方法与实施例1中相同，此处不再赘述。
实施例3：
本实施例提供一种阵列基板，与实施例1-2不同的是，像素单元还包括像素电极和公共电极，公共电极设置在像素电极上方，像素电极设置在遮光条上方，且像素电极完全覆盖遮光条。
如此设置，同样使像素电极能够对遮光条与栅线和公共电极线之间的电场形成有效的屏蔽，从而使显示时对应分布在该区域的液晶分子不会发生紊乱或发生紊乱的程度减小，进而确保遮光条与栅线和公共电极线之间的电场不会对正常显示造成影响。
本实施例中的阵列基板也为ADS模式(高级超维场转换模式)的液晶显示面板中的阵列基板。当ADS模式的液晶显示面板在受到较大压力按压时，彩膜基板相对阵列基板偏移，偏移后彩膜基板上的黑矩阵无法遮挡栅线和公共电极线之间的间隔区域，遮光条能够很好地对间隔区域进行遮挡，防止间隔区域漏光造成液晶显示面板的漏光不良。
本实施例中阵列基板的其他结构与实施例1-2任意一个中相同，此处不再赘述。
基于阵列基板的上述结构，本实施例还提供一种该阵列基板的制备方法，与实施例1-2中阵列基板的制备方法不同的是，形成像素单元还包括形成像素电极和公共电极，公共电极形成于像素电极上方，像素电极形成于遮光条上方，且像素电极完全覆盖遮光条。另外，像素电极和公共电极之间还设置有绝缘层，像素电极和遮光条之间还设置有钝化层。
其中，像素电极、公共电极、钝化层和绝缘层的制备工艺采用传统的制备工艺，具体不再详述。
本实施例中阵列基板的其他结构的制备方法与实施例1-2任意一个中相同，此处不再赘述。
实施例1-3的有益效果：实施例1-3所提供的阵列基板，通过设置遮光条，能够将栅线和公共电极线之间的间隔区域遮挡住，从而使栅线和公共电极线之间的间隔区域在未被彩膜基板上的黑矩阵遮挡住时不会发生漏光，进而避免该阵列基板出现漏光不良。
实施例4：
本实施例提供一种显示面板，包括实施例1-3任意一个中的阵列基板。
通过采用实施例1-3任意一个中的阵列基板，能够避免该显示面板在受到较大压力按压时发生漏光，从而避免出现漏光不良。
实施例5：
本实施例提供一种显示装置，包括实施例4中的显示面板。
通过采用实施例4中的显示面板，使该显示装置能够在受到较大压力按压时不会发生漏光，从而也不会出现漏光不良。
该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种阵列基板，包括基板和设置在所述基板上的呈阵列排布的多个像素单元、多条栅线和多条公共电极线，每行所述像素单元对应一条所述栅线和一条所述公共电极线，与各行所述像素单元对应的所述栅线和所述公共电极线位于各行所述像素单元的同一侧，且相互平行并间隔，其特征在于，还包括遮光条，所述遮光条与所述栅线和所述公共电极线之间的间隔区域位置相对应，且所述遮光条在所述基板上的正投影遮挡所述间隔区域；
所述遮光条的宽度大于等于所述间隔区域的宽度，且小于所述栅线、所述公共电极线和所述间隔区域的总宽度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线和所述公共电极线同层设置，所述遮光条位于所述栅线和所述公共电极线的上方或下方。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括晶体管，所述晶体管包括栅极、有源区、源极和漏极，所述栅极与所述栅线同层设置并连接，所述源极和所述漏极同层设置且采用相同材料制成，所述源极和所述漏极位于所述栅极上方或下方，所述遮光条与所述源极和所述漏极同层设置且采用相同的材料制成。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括像素电极，所述像素电极设置在所述遮光条的上方，且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括公共电极，所述公共电极与所述像素电极位置相对应，所述公共电极设置在所述栅线和所述公共电极线下方，且所述公共电极与所述公共电极线连接。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括像素电极和公共电极，所述像素电极设置在所述公共电极上方，所述公共电极设置在所述遮光条上方，且所述公共电极完全覆盖所述遮光条。
7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括像素电极和公共电极，所述公共电极设置在所述像素电极上方，所述像素电极设置在所述遮光条上方，且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。
8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-7任意一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的显示面板。
10.一种如权利要求1-7任意一项所述的阵列基板的制备方法，包括：在基板上形成像素单元、栅线和公共电极线，其特征在于，还包括在基板上形成遮光条，所述遮光条在所述基板上的正投影遮挡所述栅线和所述公共电极线之间的间隔区域。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述栅线和所述公共电极线采用相同材料并在一次构图工艺中同时形成，所述遮光条形成于所述栅线和所述公共电极线的上方或下方。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，形成所述像素单元包括形成晶体管，形成所述晶体管包括形成栅极、有源区、源极和漏极，所述栅极与所述栅线采用相同材料并在一次构图工艺中同时形成；所述源极和所述漏极在一次构图工艺中同时形成，所述遮光条与所述源极和所述漏极在一次构图工艺中同时形成。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，形成所述像素单元还包括形成像素电极，所述像素电极形成于所述遮光条上方，且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。
14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，形成所述像素单元还包括形成像素电极和公共电极，所述公共电极形成于所述像素电极上方，所述像素电极形成于所述遮光条上方，且所述像素电极完全覆盖所述遮光条。
15.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，形成所述像素单元还包括形成像素电极和公共电极，所述像素电极形成于所述公共电极上方，所述公共电极形成于所述遮光条上方，且所述公共电极完全覆盖所述遮光条。
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