CN107452352B - Goa阵列基板及显示面板 - Google Patents

Goa阵列基板及显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN107452352B
CN107452352B CN201710763961.1A CN201710763961A CN107452352B CN 107452352 B CN107452352 B CN 107452352B CN 201710763961 A CN201710763961 A CN 201710763961A CN 107452352 B CN107452352 B CN 107452352B
Authority
CN
China
Prior art keywords
area
metal layer
electrode
bootstrap capacitor
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710763961.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107452352A (zh
Inventor
吕晓文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201710763961.1A priority Critical patent/CN107452352B/zh
Publication of CN107452352A publication Critical patent/CN107452352A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107452352B publication Critical patent/CN107452352B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种GOA阵列基板，包括：衬底基板，所述衬底基板上设有显示区和非显示区；GOA电路，其设置在衬底基板的非显示区上，所述GOA电路包括：薄膜晶体管，其包括邻近所述衬底基板的第一金属层，所述第一金属层位于衬底基板上；自举电容，其包括第一电极和第二电极，所述自举电容设置在所述衬底基板上；其中，部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极，所述第一电极位于所述第二电极的下方；或者，所述非显示区包括第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区。本发明实施例还公开了一种显示面板。采用本发明，具有有利于实现窄边框的优点。

Description

GOA阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种GOA阵列基板及显示面板。
背景技术
液晶显示面板以其显示品质高、价格低廉、携带方便等优点，成为移动通讯设备、PC、TV等的显示面板。目前液晶显示面板驱动技术逐渐趋向于采用GOA电路，GOA电路能简化平板显示面板的制作工序，省去水平扫描线方向的接合(bonding)工艺，可提升产能、降低产品成本，同时可以提升显示面板的集成度使之更适合制作窄边框或无边框显示产品，满足现代人们的视觉追求。
GOA电路，即Gate Driver on Array技术，也就是利用现有液晶显示面板Array制程将栅极驱动电路制作在衬底基板上，实现对扫描线逐行扫描的驱动方式。所述GOA电路包括多个薄膜晶体管，而且，为了GOA电路的功能及稳定性一般会设计自举电容(C Boost)，且自举电容需要一定大小才能稳定发挥作用，这样自举电容就需要在衬底基板上占据较大的空间，请参见图1，所述GOA电路所处的区域110包括TFT电路区111和Cb区112，所述薄膜晶体管位于TFT电路111，所述自举电容位于Cb区112，由于Cb区112占用了较大的面积，这样导致GOA电路所处的区域110占用较大的面积，这样不利于带GOA电路的液晶显示面板窄边框的实现。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种GOA阵列基板及显示面板。有利于窄边框的实现。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种GOA阵列基板，包括：
衬底基板，所述衬底基板上设有显示区和非显示区；
GOA电路，其设置在衬底基板的非显示区上，所述GOA电路包括：
薄膜晶体管，其包括邻近所述衬底基板的第一金属层，所述第一金属层位于衬底基板上；
自举电容，其包括第一电极和第二电极，所述自举电容设置在所述衬底基板上；
其中，部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极，所述第一电极位于所述第二电极的下方；或者，所述非显示区包括第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区。
在本发明第一方面一实施例中，当部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极时，所述第一电极直接形成在所述衬底基板上或者间接形成在所述衬底基板上。
在本发明第一方面一实施例中，所述第一电极和所述第二电极之间间隔第一绝缘层。
在本发明第一方面一实施例中，所述第一绝缘层的材料为氮化硅材料。
在本发明第一方面一实施例中，所述薄膜晶体管还包括第二绝缘层、半导体层和第二金属层，所述第二绝缘层、半导体层和第二金属层依序形成在第一金属层上方。
在本发明第一方面一实施例中，所述第三区为静电释放区或虚拟区。
在本发明第一方面一实施例中，所述第三区为静电释放区和虚拟区，所述静电释放区邻近所述GOA电路所处的区域设置，所述虚拟区邻近显示区设置。
在本发明第一方面一实施例中，所述自举电容完全位于所述第三区。
在本发明第一方面一实施例中，所述第三区设有第三金属层；所述自举电容的两个电极避开所述第三金属层设置且所述自举电容的其中一个电极与所述第三金属层位于同一层，或者，所述自举电容的两个电极位于所述第三金属层的上方或者下方，或者所述第三金属层位于所述自举电容的两个电极之间。
本发明第二方面实施例提供了一种显示面板，包括上述的GOA阵列基板。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
由于部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极，所述第一电极位于所述第二电极的下方，所述自举电容通过充分利用层级方向的空间而减少了GOA电路所处的区域的面积；或者，所述非显示区包括第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区，通过在非显示区的第三区设置所述自举电容，同样减少了GOA电路所处的区域的面积。从而减少了GOA电路所处的区域的面积，从而有利于窄边框的实现。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术阵列基板的部分示意图；
图2是本发明第一实施例阵列基板的部分示意图；
图3是本发明第一实施例阵列基板的剖视图；
图4是本发明第二实施例阵列基板的部分示意图；
图示标号：
110、210、310-GOA电路所处的区域；111、311-TFT电路区；112、312-Cb区；211-衬底基板；212-第一电极；213-第一绝缘层；214-第一金属层(第二电极)；215-第二绝缘层；216-半导体层；217-第二金属层；320-静电释放区；330-虚拟区；340-显示区。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本申请说明书、权利要求书和附图中出现的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同的对象，而并非用于描述特定的顺序。
第一实施例
本发明实施例提供一种GOA阵列基板，请参见图2和图3，所述GOA阵列基板包括衬底基板211和GOA电路。
在本实施例中，所述衬底基板211为玻璃基板，当然，在本发明的其他实施例中，所述衬底基板还可以是柔性基板，例如柔性塑料基板。所述衬底基板211上设有显示区和非显示区，所述显示区是用户看得到的区域，所述显示区内设有像素等，所述非显示区为用户不可见的区域，所述非显示区设有驱动器、走线等。
在本实施中，所述GOA电路包括多个级联的GOA单元，每一级的GOA单元包括上拉控制单元、上拉单元、下拉单元、下拉维持单元、下传单元和自举电容，其中上拉控制单元、上拉单元、下拉单元、下拉维持单元、下传单元由薄膜晶体管构成，也即所述GOA电路包括薄膜晶体管和自举电容，所述GOA电路设置在衬底基板211的非显示区上，也即所述非显示区包括GOA电路所处的区域210，在本实施例中，所述GOA电路所处的区域210不用单独设置Cb区，当然，本发明不限于此，在本发明的其他实施例中，所述GOA电路所处的区域可以设置较小的Cb区。
在本实施例中，所述薄膜晶体管包括邻近所述衬底基板211的第一金属层214，在本实施例中，所述第一金属层214间接位于所述衬底基板211上，所述第一金属层214为薄膜晶体管结构中最接近阵列基板的金属层。在本实施例中，所述第一金属层214为栅极，但本发明不限于此，在本发明的其他实施例中，所述第一金属层还可以是源极、漏极。
在本实施例中，所述自举电容设置在所述衬底基板211上，所述自举电容包括两个相对的电极，为第一电极212和第二电极214，所述第一电极212和第二电极214间隔设置。
为了减小GOA电路占用的衬底基板211的面积，本实施例利用垂直(层级方向)方向的空间，具体说来，在本实施例中，部分所述薄膜晶体管的第一金属层214作为所述自举电容的第二电极214，也即部分所述第一金属层214即作为自举电容的第二电极214使用，也作为薄膜晶体管的栅极使用。在本实施例中，所述第二电极214的面积与薄膜晶体管的所述第一金属层214的面积相等，但本发明不限于此，在本发明的其他实施例中，所述第二电极的面积还可以小于或大于所述薄膜晶体管第一金属层的面积。在本实施例中，所述第一电极212位于所述第二电极214的下方，从而所述第一电极212和所述第二电极214共同形成所述自举电容。由于所述自举电容的两个电极占用垂直方向的空间，没有或少量占用水平方向的空间，从而可以减少GOA电路在水平方向占用的空间，从而有利于窄边框的实现。
在本实施例中，所述薄膜晶体管还包括第二金属层217，在本实施例中，所述第二金属层217为源极、漏极，所述第二金属层与所述第一金属层之间形成第二绝缘层215和半导体层216，所述第二绝缘层215、半导体层216和所述第二金属层217依序形成在所述第一金属层214的上方。在本实施例中，所述第二绝缘层215由氮化硅材料构成。
在本实施例中，所述第一电极212直接形成在所述阵列基板211上，也即所述第一电极212直接与所述阵列基板211接触，当然，在本发明的其他实施例中，所述第一电极还可以间接形成在所述阵列基板上，所述第一电极与所述阵列基板间隔其他绝缘层。在本实施例中，所述第一电极212为GOA电路中最靠近阵列基板的金属层，所述第一电极212和所述第二电极214之间设有第一绝缘层213，所述第一绝缘层213与所述第二绝缘层215的材料一样，均由氮化硅材料构成。在本实施例中，由于在垂直方向上增加了第一电极212和第一绝缘层213，从而所述制程需要增加一道黄光和一道CVD沉积制程。另外，为了节省制程，以下描述第二实施例，既可以减少GOA电路占用的空间，也可以不增加制程。
另外，本发明实施例还提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上述的GOA阵列基板。
第二实施例
图4为本发明第二实施例提供的一种GOA阵列基板，图4的结构与图2的结构相似，因此相同的元件符号代表相同的元件，本实施例与第一实施例的主要不同点为自举电容的位置。
请参见图4，在本实施例中，所述非显示区包括GOA电路所处的区域310，其中所述GOA电路所处的区域310包括TFT电路区311和Cb区312，所述TFT电路区311用于排列所述薄膜晶体管，所述自举电容区用于排列部分所述自举电容，除了GOA电路所处的区域310外，所述非显示区还包括第三区，所述第三区位于所述GOA电路所处的区域310和所述显示区340之间，为了减小GOA电路占用的衬底基板211的面积，本实施例充分利用第三区的空间，具体说来，所述自举电容的两个电极部分位于所述第三区，也即所述自举电容的两个电极部分位于所述第三区，部分位于所述GOA电路所处的区域310，由于第三区为液晶显示面板本身就具有的，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区，从而GOA电路所处的区域310可以包括较小面积的Cb区或者完全没有Cb区，从而可以减少GOA电路所处的区域310的面积，从而有利于窄边框的实现。
在本实施例中，所述第三区为静电释放区320和虚拟区330，所述静电释放区320邻近所述GOA电路所处的区域310设置，所述虚拟区330邻近所述显示区340设置。所述静电释放区320布局一些静电释放电路，所述虚拟区330布局一些虚拟像素或者虚拟电路。所述自举电容的两个电极部分位于所述静电释放区320和所述虚拟区330。另外，在本发明的其他实施例中，所述第三区还可以只包括静电释放区或者虚拟区。在本发明的其他实施例中，所述自举电容的两个电极部分位于所述静电释放区或所述虚拟区。在本发明的其他实施例中，所述自举电容完全位于所述第三区，也即所述GOA电路所处的区域不包括Cb区。
在本实施例中，所述第三区设有第三金属层，所述第三金属层可以与薄膜晶体管的第一金属层或第二金属层同层，当然也可以不同层，所述自举电容的两个电极避开所述第三金属层设置且所述自举电容的其中一个电极与所述第三金属层位于同一层，也即所述自举电容的其中一个电极与所述第三金属层位于同一层，所述自举电容的另一个电极与所述第三金属层位于不同层。但本发明不限于此，在本发明的其他实施例中，所述自举电容的两个电极位于所述第三金属层的上方或者下方。在本发明的其他实施例中，所述第三金属层位于所述自举电容的两个电极之间，在这里，第三金属层位于两个电极之间是指第三金属层所处的层级夹在两个电极所处的层级之间，且第三金属层与所述两个电极在水平面的投影没有重叠。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
通过上述实施例的描述，本发明具有以下优点：
由于部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极，所述第一电极位于所述第二电极的下方，所述自举电容通过充分利用层级方向的空间而减少了GOA电路所处的区域的面积；或者，所述非显示区包括第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区，通过在非显示区的第三区设置所述自举电容，同样减少了GOA电路所处的区域的面积。从而减少了GOA电路所处的区域的面积，从而有利于窄边框的实现。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (9)

1.一种GOA阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板上设有显示区和非显示区；
GOA电路，其设置在衬底基板的非显示区上，所述GOA电路包括：
薄膜晶体管，其包括邻近所述衬底基板的第一金属层及间隔所述第一金属层设置的第二金属层，所述第一金属层位于衬底基板上；
自举电容，其包括第一电极和第二电极，所述自举电容设置在所述衬底基板上；
所述非显示区包括薄膜晶体管所处的区域与第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区,所述第三区设有第三金属层,所述第三金属层与所述第一金属层及所述第二金属层均不同层，其中，所述自举电容的两个电极避开所述第三金属层设置，所述自举电容的两个电极与所述第三金属层在水平面的投影没有重叠。
2.如权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，当部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极时，所述第一电极直接形成在所述衬底基板上或者间接形成在所述衬底基板上。
3.如权利要求2所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极之间间隔第一绝缘层。
4.如权利要求3所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氮化硅材料。
5.如权利要求2所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第二绝缘层、半导体层和第二金属层，所述第二绝缘层、半导体层和第二金属层依序形成在第一金属层上方。
6.如权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述第三区为静电释放区或虚拟区。
7.如权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述第三区为静电释放区和虚拟区，所述静电释放区邻近所述GOA电路所处的区域设置，所述虚拟区邻近显示区设置。
8.如权利要求6或7所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述自举电容完全位于所述第三区。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的GOA阵列基板。
CN201710763961.1A 2017-08-30 2017-08-30 Goa阵列基板及显示面板 Active CN107452352B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710763961.1A CN107452352B (zh) 2017-08-30 2017-08-30 Goa阵列基板及显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710763961.1A CN107452352B (zh) 2017-08-30 2017-08-30 Goa阵列基板及显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107452352A CN107452352A (zh) 2017-12-08
CN107452352B true CN107452352B (zh) 2020-03-27

Family

ID=60493463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710763961.1A Active CN107452352B (zh) 2017-08-30 2017-08-30 Goa阵列基板及显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107452352B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109375439A (zh) * 2018-12-20 2019-02-22 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN110568686A (zh) * 2019-08-08 2019-12-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
CN113724635A (zh) * 2021-08-18 2021-11-30 惠科股份有限公司 阵列基板行驱动电路、阵列基板以及显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103472607A (zh) * 2013-05-16 2013-12-25 友达光电股份有限公司 显示面板与其制造方法
CN103943634A (zh) * 2014-03-17 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其电容结构
CN104297970A (zh) * 2014-10-29 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 Goa 单元、阵列基板、显示装置及制作方法
CN105093751A (zh) * 2015-08-18 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 预防esd的goa布局设计
CN106019735A (zh) * 2016-08-09 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其控制方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103472607A (zh) * 2013-05-16 2013-12-25 友达光电股份有限公司 显示面板与其制造方法
CN103943634A (zh) * 2014-03-17 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其电容结构
CN104297970A (zh) * 2014-10-29 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 Goa 单元、阵列基板、显示装置及制作方法
CN105093751A (zh) * 2015-08-18 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 预防esd的goa布局设计
CN106019735A (zh) * 2016-08-09 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107452352A (zh) 2017-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107742481B (zh) 一种异形显示面板及显示装置
US9263387B2 (en) GOA circuit of array substrate and display apparatus
US9091893B2 (en) Method of manufacturing a display device comprising a step of simultaneously polishing a second substrate and a semiconductor chip to have the same thickness as each other
US10254610B2 (en) 3T pixel structure and related liquid crystal display
US20180292693A1 (en) A display panel and an array substrate thereof
US9899431B2 (en) Array substrate, display panel and display device
US10203788B2 (en) Array substrate including touch electrode lines of different layers, method for manufacturing the same, and touch display panel
CN107452352B (zh) Goa阵列基板及显示面板
US20200241340A1 (en) Array substrate and display device
US20150270291A1 (en) Array Substrate, Method for Preparing the Same and Display Device
CN102253548B (zh) 影像显示***
CN103472607A (zh) 显示面板与其制造方法
CN106886112B (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置
US20210088856A1 (en) Electrostatic discharge unit, array substrate and liquid crystal display panel
US20140160416A1 (en) Array substrate for tft-led, method of manufacturing the same, and display device
US20160335975A1 (en) Array Substrate and Driving Method Thereof, Display Panel, and Display Apparatus
US10381384B2 (en) Array substrate, method for manufacturing array substrate, display panel and display device
US6774957B2 (en) Display apparatus having an electric shielding wire and method for manufacturing the same
CN107450788B (zh) 触控显示装置
CN107300816B (zh) 显示装置
WO2020019468A1 (zh) Tft阵列基板及其制造方法与柔性液晶显示面板
US20080143902A1 (en) Liquid crystal panel having common electrode connecting units in liquid crystal layer thereof
US9691792B2 (en) Thin film transistor substrate and display apparatus
CN109188798B (zh) 显示面板和显示装置
US20120050241A1 (en) Display panel

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant